JPS60250653A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS60250653A
JPS60250653A JP59105732A JP10573284A JPS60250653A JP S60250653 A JPS60250653 A JP S60250653A JP 59105732 A JP59105732 A JP 59105732A JP 10573284 A JP10573284 A JP 10573284A JP S60250653 A JPS60250653 A JP S60250653A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap
light transmission
adhesive
film
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59105732A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsushi Terajima
克司 寺島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP59105732A priority Critical patent/JPS60250653A/ja
Publication of JPS60250653A publication Critical patent/JPS60250653A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は、CCDイメージセンサを搭載し、透光性キャ
ップで封止したセラミックパッケージの半導体装置に関
する。
口、従来の技術゛ 第3図に一般的なC0T)搭載セラミツクツくツケージ
半導体装置の断面図を示す。このノくツケージは、セラ
ミックからなる素子収容基体1に、CCDの半導体素子
2を搭載し、外部リード端子(図示せず)に接続するポ
ンプイングツくラドと半導体素子2とをボンディングワ
イヤ3によシ接続し、透光性のホウケイ酸ガラスから成
るキャップ4を低融点ガラス5を介して封止しているも
のである。
ハ0発明が解決しようとする問題点 透光性のキャップは、以前サファイアガランが用いられ
ていたが、低コスト化に伴ない、ホウ硅酸ガラスが代わ
って用いられるようになった。そのために、サファイア
ガラスよシ硬度の低いホウ硅酸ガラスは傷がつきやすく
、光の直進性を損うため、CCDイメージセンサの働き
に支障を来すという点が問題になっていた。
二0問題点を解決するだめの技術手段 本発明によれば、透光性キャップを有し、このキャップ
上面にシリコン系接着剤を介して、ポリエステル等の透
光性フィルムがけりつけられた半導体装置が得られる。
ホ0作用 本発明に係るポリエステル等の透光性フィルムによって
、キャップ上面に傷がつくことが防止される。
へ、実施例 つぎに本発明を実施例によシ説明する。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。
第1図において、ホウ硅酸ガラスからなるキャップ4の
外表面に透光性の良いポリフィルム6が被覆されている
。フィルム6は、例えば、ポリエステルの透光性フィル
ムと同じく透光性の肩色剤無添加シリコン系接着剤7を
介して接着されている。ポリエステルフィルム6は、透
光性がよく、強度、温度特性の優れたものが用いられる
。シリコン系接着剤も、無色透明で、耐熱性の優れたも
のが用いられる。
第2図は本発明の他の実施例の断面図である。
本例は透光性のポリエステルフィルム6を接着するシリ
コン系接着剤8は、キャップ4の中央部を除いた周辺部
のみに用いられている。
ト1発明の効果 本発明の半導体装置では、ホウ硅酸ガラスキャップの表
面は、安定な透光性の保護フィルムによって覆われ保護
されているので、従来のように傷がつくことはなく、シ
たがって、このキャップを通る光も直進性を妨げられる
ことなく、正確な映像が、内部めCCD素子などにより
とらえられる。
なお、上記第2実施例は第1実施例に比べて、透光性フ
ィルムの接着強度は才、くなるが、しかし、透光性が不
十分のシリコン系接着剤でも用いることができるという
利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は本発明の
他の実施例の断面図、第3図は従来の半導体装置の断面
図である。 1・・・・・・セラミック製素子収容基体、2・・・・
・・CCD素子、3・・・・・・ポンディングワイヤ、
4・・・・・・ホウ硅酸ガラスキャップ、5・・・・・
・接着用低融点ガラス、6・・・・・・透光性ポリエス
テルフィルム、7・・・・・・透光性シリコン系接着剤
、8・・・・・・シリコン系接着剤。 第1図 第2図 第3聞

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 透光性キャップを有する半導体装置において。 該キャップ上面にはシリコン系接着剤を介して、ポリエ
    ステル等の透光性フィルムがはりつけられていることを
    特徴とする半導体装置。 2、上記シリコン系接着剤は、上記キャップの中央部を
    除いた周辺部のみに介在させられていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項に記載の半導体装置。
JP59105732A 1984-05-25 1984-05-25 半導体装置 Pending JPS60250653A (ja)

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JP59105732A JPS60250653A (ja) 1984-05-25 1984-05-25 半導体装置

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JPS60250653A true JPS60250653A (ja) 1985-12-11

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JP (1) JPS60250653A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6430839U (ja) * 1987-08-20 1989-02-27
JP2015216322A (ja) * 2014-05-13 2015-12-03 日本電気硝子株式会社 セラミック−ガラス複合パッケージの製造方法及びセラミック−ガラス複合パッケージ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6430839U (ja) * 1987-08-20 1989-02-27
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