JPS60250653A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60250653A JPS60250653A JP59105732A JP10573284A JPS60250653A JP S60250653 A JPS60250653 A JP S60250653A JP 59105732 A JP59105732 A JP 59105732A JP 10573284 A JP10573284 A JP 10573284A JP S60250653 A JPS60250653 A JP S60250653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- light transmission
- adhesive
- film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 5
- 101100009272 Mus musculus Dennd4b gene Proteins 0.000 abstract 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 7
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は、CCDイメージセンサを搭載し、透光性キャ
ップで封止したセラミックパッケージの半導体装置に関
する。
ップで封止したセラミックパッケージの半導体装置に関
する。
口、従来の技術゛
第3図に一般的なC0T)搭載セラミツクツくツケージ
半導体装置の断面図を示す。このノくツケージは、セラ
ミックからなる素子収容基体1に、CCDの半導体素子
2を搭載し、外部リード端子(図示せず)に接続するポ
ンプイングツくラドと半導体素子2とをボンディングワ
イヤ3によシ接続し、透光性のホウケイ酸ガラスから成
るキャップ4を低融点ガラス5を介して封止しているも
のである。
半導体装置の断面図を示す。このノくツケージは、セラ
ミックからなる素子収容基体1に、CCDの半導体素子
2を搭載し、外部リード端子(図示せず)に接続するポ
ンプイングツくラドと半導体素子2とをボンディングワ
イヤ3によシ接続し、透光性のホウケイ酸ガラスから成
るキャップ4を低融点ガラス5を介して封止しているも
のである。
ハ0発明が解決しようとする問題点
透光性のキャップは、以前サファイアガランが用いられ
ていたが、低コスト化に伴ない、ホウ硅酸ガラスが代わ
って用いられるようになった。そのために、サファイア
ガラスよシ硬度の低いホウ硅酸ガラスは傷がつきやすく
、光の直進性を損うため、CCDイメージセンサの働き
に支障を来すという点が問題になっていた。
ていたが、低コスト化に伴ない、ホウ硅酸ガラスが代わ
って用いられるようになった。そのために、サファイア
ガラスよシ硬度の低いホウ硅酸ガラスは傷がつきやすく
、光の直進性を損うため、CCDイメージセンサの働き
に支障を来すという点が問題になっていた。
二0問題点を解決するだめの技術手段
本発明によれば、透光性キャップを有し、このキャップ
上面にシリコン系接着剤を介して、ポリエステル等の透
光性フィルムがけりつけられた半導体装置が得られる。
上面にシリコン系接着剤を介して、ポリエステル等の透
光性フィルムがけりつけられた半導体装置が得られる。
ホ0作用
本発明に係るポリエステル等の透光性フィルムによって
、キャップ上面に傷がつくことが防止される。
、キャップ上面に傷がつくことが防止される。
へ、実施例
つぎに本発明を実施例によシ説明する。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。
第1図において、ホウ硅酸ガラスからなるキャップ4の
外表面に透光性の良いポリフィルム6が被覆されている
。フィルム6は、例えば、ポリエステルの透光性フィル
ムと同じく透光性の肩色剤無添加シリコン系接着剤7を
介して接着されている。ポリエステルフィルム6は、透
光性がよく、強度、温度特性の優れたものが用いられる
。シリコン系接着剤も、無色透明で、耐熱性の優れたも
のが用いられる。
外表面に透光性の良いポリフィルム6が被覆されている
。フィルム6は、例えば、ポリエステルの透光性フィル
ムと同じく透光性の肩色剤無添加シリコン系接着剤7を
介して接着されている。ポリエステルフィルム6は、透
光性がよく、強度、温度特性の優れたものが用いられる
。シリコン系接着剤も、無色透明で、耐熱性の優れたも
のが用いられる。
第2図は本発明の他の実施例の断面図である。
本例は透光性のポリエステルフィルム6を接着するシリ
コン系接着剤8は、キャップ4の中央部を除いた周辺部
のみに用いられている。
コン系接着剤8は、キャップ4の中央部を除いた周辺部
のみに用いられている。
ト1発明の効果
本発明の半導体装置では、ホウ硅酸ガラスキャップの表
面は、安定な透光性の保護フィルムによって覆われ保護
されているので、従来のように傷がつくことはなく、シ
たがって、このキャップを通る光も直進性を妨げられる
ことなく、正確な映像が、内部めCCD素子などにより
とらえられる。
面は、安定な透光性の保護フィルムによって覆われ保護
されているので、従来のように傷がつくことはなく、シ
たがって、このキャップを通る光も直進性を妨げられる
ことなく、正確な映像が、内部めCCD素子などにより
とらえられる。
なお、上記第2実施例は第1実施例に比べて、透光性フ
ィルムの接着強度は才、くなるが、しかし、透光性が不
十分のシリコン系接着剤でも用いることができるという
利点がある。
ィルムの接着強度は才、くなるが、しかし、透光性が不
十分のシリコン系接着剤でも用いることができるという
利点がある。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は本発明の
他の実施例の断面図、第3図は従来の半導体装置の断面
図である。 1・・・・・・セラミック製素子収容基体、2・・・・
・・CCD素子、3・・・・・・ポンディングワイヤ、
4・・・・・・ホウ硅酸ガラスキャップ、5・・・・・
・接着用低融点ガラス、6・・・・・・透光性ポリエス
テルフィルム、7・・・・・・透光性シリコン系接着剤
、8・・・・・・シリコン系接着剤。 第1図 第2図 第3聞
他の実施例の断面図、第3図は従来の半導体装置の断面
図である。 1・・・・・・セラミック製素子収容基体、2・・・・
・・CCD素子、3・・・・・・ポンディングワイヤ、
4・・・・・・ホウ硅酸ガラスキャップ、5・・・・・
・接着用低融点ガラス、6・・・・・・透光性ポリエス
テルフィルム、7・・・・・・透光性シリコン系接着剤
、8・・・・・・シリコン系接着剤。 第1図 第2図 第3聞
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 透光性キャップを有する半導体装置において。 該キャップ上面にはシリコン系接着剤を介して、ポリエ
ステル等の透光性フィルムがはりつけられていることを
特徴とする半導体装置。 2、上記シリコン系接着剤は、上記キャップの中央部を
除いた周辺部のみに介在させられていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59105732A JPS60250653A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59105732A JPS60250653A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60250653A true JPS60250653A (ja) | 1985-12-11 |
Family
ID=14415458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59105732A Pending JPS60250653A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60250653A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6430839U (ja) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | ||
JP2015216322A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 日本電気硝子株式会社 | セラミック−ガラス複合パッケージの製造方法及びセラミック−ガラス複合パッケージ |
-
1984
- 1984-05-25 JP JP59105732A patent/JPS60250653A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6430839U (ja) * | 1987-08-20 | 1989-02-27 | ||
JP2015216322A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 日本電気硝子株式会社 | セラミック−ガラス複合パッケージの製造方法及びセラミック−ガラス複合パッケージ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07202152A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH05218230A (ja) | 半導体装置 | |
JPS60250653A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61123288A (ja) | 固体撮像デバイス | |
KR960009207A (ko) | 포토 다이오드 내장 반도체 장치 | |
JPH05343655A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0638428Y2 (ja) | 透光窓を有する半導体装置 | |
JPS6360561A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPS63213373A (ja) | 光半導体デバイス | |
JPH04290477A (ja) | 半導体装置及びその実装構造 | |
JPH04114456A (ja) | 光電変換装置 | |
JPS6329974A (ja) | Ccdイメ−ジセンサ−用半導体装置 | |
JPS5869174A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH09189514A (ja) | 光学式変位検出装置 | |
JPS59224145A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05182999A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6017952A (ja) | イメ−ジ・センサ− | |
JPH05335534A (ja) | 光半導体デバイス | |
JPH01238046A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2511148Y2 (ja) | 光結合素子 | |
JP2970040B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JPS6196778A (ja) | 光フアイバ結合用の発光装置 | |
JPH05109914A (ja) | 紫外線消去型半導体装置 | |
JPS6339956U (ja) | ||
JPS6024077A (ja) | 半導体装置 |