JPS6329974A - Ｃｃｄイメ−ジセンサ−用半導体装置 - Google Patents
Ｃｃｄイメ−ジセンサ−用半導体装置Info
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- JPS6329974A JPS6329974A JP61174509A JP17450986A JPS6329974A JP S6329974 A JPS6329974 A JP S6329974A JP 61174509 A JP61174509 A JP 61174509A JP 17450986 A JP17450986 A JP 17450986A JP S6329974 A JPS6329974 A JP S6329974A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発明は半導体装置に関し、特に透光性蓋部材を用いて
封止してなるＣＯＤイメージセンブー用半導体装置に関
する。
封止してなるＣＯＤイメージセンブー用半導体装置に関
する。
従来のＣＣＤイメージセンサ−用半導体装置は第５図（
ａｌおよびｆｂｌならびに第６図に示すよりに、半導体
容器２３に搭載された半導体素子２４を金属細線２６に
て半導体容器２３を通し１外部リード２５まで配嶽した
ものを、平板状の透光性蓋部材２１とその裏面に形成さ
れた封止材料２２（例えは低融点ガラスまたは合成樹脂
など）で封止していた。ｉｉ！ｉｌ像入力の透光部とし
て使われる透光性蓋部材２１は、一般にホウケイ酸カラ
ス系の硬質ガラスで作られ、封止後は例えはポリイミド
系合成樹脂の保挿テープをシリコン系の接層材で透光性
蓋部材２１に貼付けてその表面を保穫し工いる。
ａｌおよびｆｂｌならびに第６図に示すよりに、半導体
容器２３に搭載された半導体素子２４を金属細線２６に
て半導体容器２３を通し１外部リード２５まで配嶽した
ものを、平板状の透光性蓋部材２１とその裏面に形成さ
れた封止材料２２（例えは低融点ガラスまたは合成樹脂
など）で封止していた。ｉｉ！ｉｌ像入力の透光部とし
て使われる透光性蓋部材２１は、一般にホウケイ酸カラ
ス系の硬質ガラスで作られ、封止後は例えはポリイミド
系合成樹脂の保挿テープをシリコン系の接層材で透光性
蓋部材２１に貼付けてその表面を保穫し工いる。
上述した従来のＣＣＤイメージセンサ−用牛導体装置は
、画像入力を行う透光部に平叛状の透光性蓋部材が取ジ
付けてめジ、その材質は硬度の高いサファイヤ板の代ジ
に硬質カラス（ホウケイ酸ガラス系）を用いているので
透光性蓋部材の表面が傷付き易い。従って本装置の組立
工程や封止工程での取扱いによジ透光性蓋部材の表面（
特に半導体素子と対向する領域ンに傷・汚れの何泊およ
び封止後の処理方法によっては透光性蓋部材の表面全保
護する保護テープの接着剤が付着してＣＣＤイメージセ
ンサ−の光学特性が不良となり、歩留りの高い品質の安
定なＣＣＤイメージセンサ−用半導体装置を提供するこ
とができないという欠点がある。
、画像入力を行う透光部に平叛状の透光性蓋部材が取ジ
付けてめジ、その材質は硬度の高いサファイヤ板の代ジ
に硬質カラス（ホウケイ酸ガラス系）を用いているので
透光性蓋部材の表面が傷付き易い。従って本装置の組立
工程や封止工程での取扱いによジ透光性蓋部材の表面（
特に半導体素子と対向する領域ンに傷・汚れの何泊およ
び封止後の処理方法によっては透光性蓋部材の表面全保
護する保護テープの接着剤が付着してＣＣＤイメージセ
ンサ−の光学特性が不良となり、歩留りの高い品質の安
定なＣＣＤイメージセンサ−用半導体装置を提供するこ
とができないという欠点がある。
また上述した従来の透光性蓋部材を用いて封止してなる
ＣＣＤイメージセンサ−用半導体装置に対し、本発明は
半導体素子の透光性蓋部材の表面または両面に凹部を形
成し、透光性蓋部材の表面への傷・汚れ・異物付着を防
止し、ＣＣＤイメージセンサ−の光学特性の歩留りを向
上させる独創的内容を１する。
ＣＣＤイメージセンサ−用半導体装置に対し、本発明は
半導体素子の透光性蓋部材の表面または両面に凹部を形
成し、透光性蓋部材の表面への傷・汚れ・異物付着を防
止し、ＣＣＤイメージセンサ−の光学特性の歩留りを向
上させる独創的内容を１する。
〔問題点を解決するための手段〕
本鈍明のＣＣＩ）イメージセンサ−用半導体装置は、透
光性蓋部材によ！ｌ封止材料を用いて半導体素子を格納
し九半導体容器を封止してなり、該透光性蓋部材の表面
の中央領域に凹部を形成し、封止材料を用いて半導体容
器を封止することにより揚収ちれる。
光性蓋部材によ！ｌ封止材料を用いて半導体素子を格納
し九半導体容器を封止してなり、該透光性蓋部材の表面
の中央領域に凹部を形成し、封止材料を用いて半導体容
器を封止することにより揚収ちれる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａｌおよび（ｂ）はそれぞれ本発明の第一の実
施例の透光性部材の平面図お工ひ断面図、第２図は本発
明の半導体装置の第一の実施例の断面図、第３図ｆａｔ
およびｆｂｌはそれぞれ本発明の第二の実施例の透光性
部材の平面図２工ひ断面図、第４図は不発明の半導体装
置の第二の実施例の断面図でりる。
施例の透光性部材の平面図お工ひ断面図、第２図は本発
明の半導体装置の第一の実施例の断面図、第３図ｆａｔ
およびｆｂｌはそれぞれ本発明の第二の実施例の透光性
部材の平面図２工ひ断面図、第４図は不発明の半導体装
置の第二の実施例の断面図でりる。
１ず、第一の実施例について説明する。第１図ｆａ）お
よび（ｂｌｌらひに第２図を見るに第一の実施例は、表
面のほぼ中央に表面の凹部１−１を形成した透光性蓋部
材ｌと、封止材料２と、半導体容器３とを備え、半導体
容器３に搭載δれた半導体素子４２＞ら金属ａ祿６によ
ジ外部リード５に達する１で配線したものでるる。透光
性蓋部材ｌの厚さは一般には０．４〜０４８鵡程度の硬
質ガラスで作られておジその表面の凹部Ｌ−１の深さは
透光性蓋部材ｌの厚さの１／４〜１）５程度となってい
るので、保讃テープをシリコン系の接着材で貼ジ付けた
とさでも接着材が透光性蓋部材１０表面の凹部【−１に
達しないので、その光学的特性に影響を及はさない。ま
た、組立の場合も透光性蓋部材１の内側Ｉの一面のみに
注意を払うこと逼えすｎはよく、封止の場合でも荷重を
掛けたり金属クリ９プではさむことも容易となる。
よび（ｂｌｌらひに第２図を見るに第一の実施例は、表
面のほぼ中央に表面の凹部１−１を形成した透光性蓋部
材ｌと、封止材料２と、半導体容器３とを備え、半導体
容器３に搭載δれた半導体素子４２＞ら金属ａ祿６によ
ジ外部リード５に達する１で配線したものでるる。透光
性蓋部材ｌの厚さは一般には０．４〜０４８鵡程度の硬
質ガラスで作られておジその表面の凹部Ｌ−１の深さは
透光性蓋部材ｌの厚さの１／４〜１）５程度となってい
るので、保讃テープをシリコン系の接着材で貼ジ付けた
とさでも接着材が透光性蓋部材１０表面の凹部【−１に
達しないので、その光学的特性に影響を及はさない。ま
た、組立の場合も透光性蓋部材１の内側Ｉの一面のみに
注意を払うこと逼えすｎはよく、封止の場合でも荷重を
掛けたり金属クリ９プではさむことも容易となる。
一一！ 六 〇
★林 −、″ ９
次に第二の実施例について説明する。第３図ｆａ）およ
び［ｂｌならひに第４図を見るに第二の実施例は、表面
および裏面のほぼ中央にそれぞれ表面の凹部１）−１お
工ひ裏面の凹部１）−２を形成した透光性蓋部材１）と
、封止材料１２と、半導体容器１３とを備え、半導体容
器１３に搭載された半導体素子１４から金属Ｍ巌１６に
工り外部リード１５に達するｌで配線したものでおる。
び［ｂｌならひに第４図を見るに第二の実施例は、表面
および裏面のほぼ中央にそれぞれ表面の凹部１）−１お
工ひ裏面の凹部１）−２を形成した透光性蓋部材１）と
、封止材料１２と、半導体容器１３とを備え、半導体容
器１３に搭載された半導体素子１４から金属Ｍ巌１６に
工り外部リード１５に達するｌで配線したものでおる。
従って第一の蓋部材の面にｔ凹部が有るため、封止材料
を形成する時の傷・汚れ・異物付着の防止する全行な５
位置決め場所として使用することかでさる。
を形成する時の傷・汚れ・異物付着の防止する全行な５
位置決め場所として使用することかでさる。
また、第一お工ひ第二の実施例のいずれについても、半
導体素子の受光部Ｌジも透光性蓋部材の表面または両面
の凹部を広くしてあ・くことにより、鳴動な受光かでさ
るのみならす、組立・封止の場合にも半導体素子の位置
を確認しながら組立かでさるようになる。
導体素子の受光部Ｌジも透光性蓋部材の表面または両面
の凹部を広くしてあ・くことにより、鳴動な受光かでさ
るのみならす、組立・封止の場合にも半導体素子の位置
を確認しながら組立かでさるようになる。
以上説明したように本発明は透光性蓋部材の表面で半導
体素子に対向する部分に凹部を形成しているので、封止
工程での取扱い（例えは荷重を加えて封止または金属ク
リップを用いての封止）での透光性蓋部材表面への傷や
汚れを防止することができ、封止した後に透光性蓋部材
表面の保護のために使用する保護テープを取付けても凹
部が肩るため直接牛導体素子と対向する透光性蓋部材表
面に接触しないので、封止後の仕上は工程の処理が行な
われても保護テープの接漸剤が付着する事はない。
体素子に対向する部分に凹部を形成しているので、封止
工程での取扱い（例えは荷重を加えて封止または金属ク
リップを用いての封止）での透光性蓋部材表面への傷や
汚れを防止することができ、封止した後に透光性蓋部材
表面の保護のために使用する保護テープを取付けても凹
部が肩るため直接牛導体素子と対向する透光性蓋部材表
面に接触しないので、封止後の仕上は工程の処理が行な
われても保護テープの接漸剤が付着する事はない。
従って透光性蓋部材の必要惟域に傷・汚れ及び異物付層
の発生することを大巾に吐減する事かでさ、ＣＯＤイメ
ージセンサ−の光学特性の歩留りの同上を品質の安定化
を図るという効果がある。
の発生することを大巾に吐減する事かでさ、ＣＯＤイメ
ージセンサ−の光学特性の歩留りの同上を品質の安定化
を図るという効果がある。
第１図（ａｌお工び（ｂｌはそれぞれ本発明の第一の実
施例の透光性部材の平面図および断面図、第２図は本発
明の半導体装置の第一の実施例の断面図、第３図ｆａ）
および（ｂｌはそれぞれ本発明の第二の実施例の透光性
部材の平面図および断面図、第４図は本発明の半導体装
置の第二の実施例の断面図、第５図（ａｌおよび（ｂ）
はそれぞれ従来の技術の透光性部材の平面図および断面
図、第６図は従来の半導体装置の一例の断面図。 １・１）・２１・・・・・・透光性蓋部材、２・１２・
２２・・・・・・封止材料、３−１３・２３・・・・・
・半導体容器、４・１４・２４・・・・・・半導体素子
、５・１５・２５・・・・・・外部リード、６・１６・
２６・・・・・・金属細線。 代理人 弁理士 内 原 音 壕 ２ 閏 ／ｌ；肋生８部材 （５文例 茅 乙 四重 達村畑（匣 ２１：邊遇件番鯉材 ２２：討七粍料 ２３：４導硅薯器 ２４：卓曝仕棄了 ２５：外部ソード ２ｚ：渉」し躇悸ρ
施例の透光性部材の平面図および断面図、第２図は本発
明の半導体装置の第一の実施例の断面図、第３図ｆａ）
および（ｂｌはそれぞれ本発明の第二の実施例の透光性
部材の平面図および断面図、第４図は本発明の半導体装
置の第二の実施例の断面図、第５図（ａｌおよび（ｂ）
はそれぞれ従来の技術の透光性部材の平面図および断面
図、第６図は従来の半導体装置の一例の断面図。 １・１）・２１・・・・・・透光性蓋部材、２・１２・
２２・・・・・・封止材料、３−１３・２３・・・・・
・半導体容器、４・１４・２４・・・・・・半導体素子
、５・１５・２５・・・・・・外部リード、６・１６・
２６・・・・・・金属細線。 代理人 弁理士 内 原 音 壕 ２ 閏 ／ｌ；肋生８部材 （５文例 茅 乙 四重 達村畑（匣 ２１：邊遇件番鯉材 ２２：討七粍料 ２３：４導硅薯器 ２４：卓曝仕棄了 ２５：外部ソード ２ｚ：渉」し躇悸ρ
Claims (3)
- （１）透光性蓋部材と封止材料とを用いて半導体素子を
格納した半導体容器を封止してなるＣＣＤイメージセン
サー用半導体装置において、表面の中央領域に凹部を形
成した該透光性蓋部材と封止材料とを用いて半導体容器
を封止することを特徴とするＣＣＤイメージセンサー用
半導体装置。 - （２）該透光性蓋部材の該凹部は該半導体素子の大きさ
より大きい事を特徴とする特許請求の範囲の第（１）項
記載のＣＣＤイメージセンサー用半導体装置。 - （３）該透光性蓋部材の両面に該凹部を形成した事を特
徴とする特許請求の範囲の第１項記載のＣＣＤイメージ
センサー用半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61174509A JPS6329974A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | Ｃｃｄイメ−ジセンサ−用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61174509A JPS6329974A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | Ｃｃｄイメ−ジセンサ−用半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329974A true JPS6329974A (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=15979748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61174509A Pending JPS6329974A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | Ｃｃｄイメ−ジセンサ−用半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329974A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0641145U (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-31 | 株式会社巴川製紙所 | 電子部品素子封止用蓋材 |
| JPH0786542A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-03-31 | Nec Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| EP1387397A3 (en) * | 2002-07-29 | 2005-09-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
| US7074638B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-07-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP61174509A patent/JPS6329974A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0641145U (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-31 | 株式会社巴川製紙所 | 電子部品素子封止用蓋材 |
| JPH0786542A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-03-31 | Nec Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US7074638B2 (en) | 2002-04-22 | 2006-07-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
| US7411230B2 (en) | 2002-04-22 | 2008-08-12 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
| US7582505B2 (en) * | 2002-04-22 | 2009-09-01 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
| US7659136B2 (en) | 2002-04-22 | 2010-02-09 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
| EP1387397A3 (en) * | 2002-07-29 | 2005-09-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
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