TWI795461B - 固體攝像裝置、有機層形成用組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種減少α射線的影響的新裝置及有機層形成 用組成物。本發明的裝置具有：α射線源；電子電路，因α射線受到影響；及有機層，包含α射線遮蔽劑，α射線遮蔽劑的α射線遮蔽能力X為0.50以下。

Description

固體攝像裝置、有機層形成用組成物
本發明係有關一種裝置及有機層形成用組成物。
包含電子電路之裝置應用於各種各樣的用途中。例如，作為裝置的一例，可舉出包含固體攝像元件(相當於電子電路)之固體攝像裝置。
另一方面，在包含電子電路之裝置中，存在受到從裝置中的α射線源釋放之α射線的影響而引起軟性錯誤之情況。例如，在固體攝像裝置中，存在蓋玻璃包含α射線釋放性原子之情況，並存在作為電子電路之固體攝像元件引起暫時性錯誤操作之情況。
相對於此，專利文獻1中提出了將U及Th的含量設為特定以下之近紅外線吸收玻璃。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平7-281021號公報
近年來，在各種裝置中，要求進一步抑制因α射線產生之影響。
然而，如專利文獻1的形態中，很難進一步技術性去除雜質，並且很難進一步減少來自規定部件（例如蓋玻璃）的α射線的釋放性。又，由於該種方法引起純化成本的增加，因此工業性差。
本發明鑑於上述內容，其目的在於提供一種減少α射線的影響之新裝置。 又，本發明目的還在於提供一種有機層形成用組成物。
本發明人等為了實現上述目的而深入研究的結果，發現藉由以下結構能夠實現上述目的。
（1）一種裝置，其具有： α射線源； 電子電路，因α射線受到影響；及 有機層，包含α射線遮蔽劑， 由後述之方法計算之α射線遮蔽劑的α射線遮蔽能力X為0.50以下。 （2）如（1）所述之裝置，其中 α射線源為玻璃基板， 電子電路為包含光電轉換部之固體攝像元件， 在α射線源與電子電路之間配置有有機層，並且 該裝置作為固體攝像裝置發揮作用。 （3）如（2）所述之裝置，其中 有機層的厚度為20 μm以下。 （4）如（2）或（3）所述之裝置，其中 有機層的可見光區域中的最低透射率為70%以上。 （5）如（1）所述之裝置，其中 電子電路為選自包含邏輯電路、存儲電路及通信電路之群組中之1種，並且 該裝置作為電子模塊發揮作用。 （6）如（5）所述之裝置，其還具有選自包含如下之群組中之至少1個： 與電子電路電連接之焊球； 與電子電路電連接之焊塊；及 覆蓋電子電路的至少一部分之包括填充劑之鑄模， α射線源為焊球、焊塊及填充劑中至少1個。 （7）如（1）至（6）中任一項所述之裝置，其中 α射線遮蔽劑為聚合物。 （8）如（1）至（7）中任一項所述之裝置，其中 α射線遮蔽劑的密度為1.4 g/cm3 以上。 （9）如（1）至（8）中任一項所述之裝置，其中 α射線遮蔽劑的游離電位參數為7000 kJ/molÅ以上。 （10）如（1）至（9）中任一項所述之裝置，其中 α射線遮蔽劑在波長589.3 nm下的折射率為1.7以上。 （11）如（1）至（10）中任一項所述之裝置，其中 α射線遮蔽劑包括鹵素原子。 （12）如（1）至（6）中任一項所述之裝置，其中 α射線遮蔽劑為密度4.0 g/cm3 以上的金屬粒子或金屬氧化物粒子。 （13）一種有機層形成用組成物，其中 總固體成分中的有機物的含量為15質量%以上， 有機物包括由後述之方法計算之α射線遮蔽能力X為0.50以下的α射線遮蔽劑。 [發明效果]
依本發明，能夠提供一種減少α射線的影響之新裝置。 又，依本發明，還能夠提供一種有機層形成用組成物。
以下，對本發明進行詳細說明。 關於在以下所記載之結構要件的說明，依據本發明的代表性實施形態而完成，但本發明並不限定於如上實施形態。 再者，於本說明書中，利用“～”表示之數值範圍係指，作為下限值及上限值含有記載於“～”的前後之數值之範圍。 又，在本發明中，1Å（埃）相當於0.1 nm。
＜第1實施形態＞ 將本發明的裝置的第1實施形態示於圖1。 圖1所示之裝置為固體攝像裝置10A，固體攝像裝置10A依如下順序具備具有未圖示之光電轉換部之固體攝像元件12、濾色器14、微透鏡16、透明樹脂層18、包含後述之規定α射線遮蔽劑之有機層20及玻璃基板22。 玻璃基板22相當於本發明的裝置中的α射線源，具有光電轉換部之固體攝像元件12相當於因本發明的裝置中的α射線受到影響之電子電路。如圖1所示，有機層20配置在玻璃基板22與固體攝像元件12之間，以使由玻璃基板22釋放之α射線不到達固體攝像元件12。 以下，對構成固體攝像裝置10A之各部件進行詳述。首先，以下對作為本發明的特徵點之有機層20進行詳述。
（有機層） 有機層20包含α射線遮蔽能力X為0.50以下之α射線遮蔽劑。 α射線遮蔽劑的α射線遮蔽能力利用以下方法計算。 α射線遮蔽能力X計算方法：準備具有玻璃基板和配置在玻璃基板表面上之由α射線遮蔽劑構成之層之積層體、及未配置有由α射線遮蔽劑構成之層之玻璃基板，利用α射線測定裝置，計算積層體的由α射線遮蔽劑構成之層側上的α射線量A1及未配置有由α射線遮蔽劑構成之層之玻璃基板的α射線量A0，並計算作為α射線量A1對α射線量A0之比之α射線遮蔽能力X。 以下，對上述計算方法進行詳述。
首先，準備具有玻璃基板和配置在玻璃基板表面上之由α射線遮蔽劑構成之層（以後還稱作“特定層”）之積層體、及未配置有特定層之玻璃基板（相當於未處理的玻璃基板）。 上述積層體中的特定層由α射線遮蔽劑構成。換言之，特定層為實質上僅由α射線遮蔽劑構成之層。上述｢實質上僅由α射線遮蔽劑構成｣係指α射線遮蔽劑的含量相對於特定層總質量為99質量%以上之形態，可以含有微量的雜質（例如溶劑）。 上述特定層的形成方法並無特別限定，可舉出使包括所使用之α射線遮蔽劑及溶劑之組成物和玻璃基板接觸而在玻璃基板上形成特定層之方法。作為進行上述接觸之方法，可舉出在玻璃基板上塗佈組成物之方法。作為溶劑可舉出可以包含在後述之有機層形成用組成物中之溶劑。 又，根據需要，可以在使玻璃基板和組成物接觸之後，對配置有特定層之玻璃基板實施乾燥處理。 又，α射線遮蔽劑為無機物（例如金屬粒子或金屬氧化物粒子）之情況下，包括α射線遮蔽劑及溶劑之組成物可進一步含有用於提高作為無機物之α射線遮蔽劑的分散性之分散劑。組成物包含分散劑之情況下，可以在以所形成之特定層中不殘留分散劑的方式，使玻璃基板和組成物接觸之後，對所形成之塗膜實施煅燒處理，而使分散劑分解而去除。煅燒處理的條件根據所使用之分散劑的種類選擇最佳條件，但在300℃以上的溫度下加熱30分鐘以上之條件為較佳。 再者，在玻璃基板的其中一方的主表面上形成特定層。 特定層的厚度調整為15.0±0.1 μm。
作為上述積層體中所含之玻璃基板使用EAGLE XG 0.7 mm（Corning Incorporated製）。
接著，使用α射線測定裝置來計算積層體的特定層側上的α射線量A1及未配置特定層之玻璃基板的α射線量A0。 作為上述α射線測定裝置，使用LACS-4000M（Sumitomo Chemical Co.,Ltd製）。再者，測定條件為施加電壓1.9kV、PR-10氣體（氬:甲烷=9:1）250 mL/分鐘、有效計數時間20 h、試樣面積600 cm2 、係數效率0.80。 再者，測定積層體的特定層側上的α射線量A1時，將α射線測定裝置的檢測器配置在與特定層對置之位置上而進行測定。亦即，使特定層位於作為α射線源之玻璃基板與檢測器之間，而進行α射線量A1的測定。 計算α射線量A1對所獲得之α射線量A0之比（A1/A0）並設為α射線遮蔽能力X。該α射線遮蔽能力X的數值越小，α射線遮蔽劑的α射線遮蔽性越優異。
有機層20的厚度並無特別限定，但從有機層的α射線遮蔽性更優異之觀點而言，3 μm以上為較佳，5 μm以上為更佳。關於厚度的上限，就裝置的薄型化之觀點而言，30 μm以下為較佳，20 μm以下為更佳。 有機層20的可見光區域中的最低透射率並無特別限定，但從光容易向裝置中的光電轉換部的觀點考慮，70%以上為較佳，80%以上為更佳，85%以上為進一步較佳，90%以上尤為佳，95%以上為最佳。上限並無特別限定，可舉出100%。 再者，上述可見光區域中的最低透射率係指可見光區域（波長400～700 nm）中的透射率的最低值（%）。
如上所述，有機層20包含α射線遮蔽能力X為0.50以下之α射線遮蔽劑（以下，還稱作“特定α射線遮蔽劑”）。 有機層20中的特定α射線遮蔽劑的含量並無特別限定，但就有機層的α射線遮蔽性更優異之觀點而言，相對於有機層總質量為30質量%以上為較佳、50質量%以上為更佳，70質量%以上為進一步較佳。上限並無特別限定，可舉出100質量%。 有機層20至少包含有機化合物，亦可以包含無機化合物。有機層20中的有機化合物的含量從操作性的觀點考慮，相對於有機層總質量為15質量%以上為較佳，40質量%以上為更佳，80質量%以上為進一步較佳。上限並無特別限定，可舉出100質量%。 再者，如後述，特定α射線遮蔽劑為無機化合物之情況下，上述有機層20中包含與特定α射線遮蔽劑分開包含有機化合物。
特定α射線遮蔽劑可為有機化合物，亦可為無機化合物，有機化合物為較佳。 作為有機化合物，就α射線遮蔽能力更優異之觀點而言，聚合物為較佳。 聚合物的重量平均分子量並無特別限定，但就特定α射線遮蔽劑的耐溶劑性及溶解性的平衡更優異之觀點而言，5,000～100,000為較佳，7,500～50,000為更佳。 本說明書中，重量平均分子量（Mw）能夠藉由如下求出，亦即例如作為測定裝置使用HLC-8220（Tosoh Corporation製），作為管柱使用TSKgel Super AWM-H（Tosoh Corporation製、6.0 mmID（內徑）×15.0 cm），作為洗提液使用10 mmol/L溴化鋰NMP（N-甲基吡咯啶酮）溶液。
特定α射線遮蔽劑的密度並無特別限定，但就有機層的α射線遮蔽性更優異之觀點而言，1.4 g/cm3 以上為較佳、1.5 g/cm3 以上為更佳。密度的上限並無特別限定，但大多為6.0 g/cm3 以下的情況。 特定α射線遮蔽劑的密度藉由氣相置換法來計算。具體而言，準備特定α射線遮蔽劑的固體樣本，並使用Pentapyc 5200e（Quantachrome Instruments Japan LLC.製）來評價。
就有機層的α射線遮蔽性更優異之觀點而言，特定α射線遮蔽劑包含第1游離電位超過1000 kJ/mol之原子為較佳，包含第1游離電位為1500 kJ/mol以上之原子為更佳。上述第1游離電位的上限值並無特別限定，但就α射線遮蔽劑容易合成的觀點而言，2000 kJ/mol以下為較佳。 作為上述原子，鹵素原子（氟原子、氯原子、溴原子及碘原子）、氧原子或氮原子為較佳、鹵素原子或氧原子為更佳。
就有機層的α射線遮蔽性更優異之觀點而言，特定α射線遮蔽劑包含電子數對共價鍵半徑之比超過10 Å-1 之原子為較佳，包含15 Å-1 以上之原子為更佳，包含電子數對共價鍵半徑之比為20 Å-1 以上之原子為進一步較佳。電子數對上述共價鍵半徑之比的上限值並無特別限定，但就容易合成特定α射線遮蔽劑的觀點而言，50 Å-1 以下為較佳。 作為上述原子，氟原子、溴原子、碘原子、鈦原子、鎵原子、鍺原子、鎳原子、或鋅原子為較佳。
就有機層的α射線遮蔽性更優異之觀點而言，特定α射線遮蔽劑的游離電位參數（以下，還稱作“IPP”）為7000 kJ/molÅ（kJ/（mol･Å））以上為較佳，9000 kJ/molÅ以上為更佳。IPP的上限並無特別限定，但大多為25000 kJ/molÅ以下的情況。 特定α射線遮蔽劑的IPP係指按每個原子計算將特定α射線遮蔽劑中所含之各原子的IPP和各原子的含有莫耳比相乘而得到之計算值並將該等合計而得到之值。上述原子的IPP係指將原子的第1游離電位（kJ/mol）和電子數對原子的共價鍵半徑（Å）之比相乘而得到之值（（原子的第1游離電位）×（電子數對原子的共價鍵半徑之比）。 例如，特定α射線遮蔽劑中包含碳原子、氧原子及碘原子，相對於各個原子的所有原子的合計莫耳數之含有莫耳比（特定原子的莫耳數/所有原子的合計莫耳數）為0.8、0.1及0.1之情況下，上述特定α射線遮蔽劑的游離電位參數藉由以下公式計算。 特定α射線遮蔽劑的IPP={（碳原子的IPP×0.8）+（氧原子的IPP×0.1）+（碘原子的IPP×0.1）} 再者，上述原子的第1游離電位使用化學便覽（基礎編，丸善）中記載的數值。又，上述原子的共價鍵半徑使用在R.T. Sanderson in Chemical Periodicity, Reinhold, New York, USA, 1962.中記載的數值。再者，作為原子的共價鍵半徑使用單鍵情況下的共價鍵半徑。 通常，α射線藉由與原子中的電子碰撞來使其撞飛（使原子游離）而衰減。計算上述IPP時的原子的第1游離電位表示用於撞飛電子時所需的能量（原子的游離的難易度），電子數對原子的共價鍵半徑（Å）之比表示與電子的碰撞頻率，表示兩者乘算而得的IPP越大，α射線越容易衰減。
再者，特定α射線遮蔽劑為聚合物之情況下，其為計算各重複單元的IPP並按每個重複單元計算將各重複單元的IPP和相對於各重複單元的所有單元之含有莫耳比相乘而得到之計算值並將該等合計而得到之值。 例如，特定α射線遮蔽劑為包含單元A及單元B之聚合物，單元A及單元B的含有莫耳比（各單元的莫耳數/所有單元的合計莫耳數）分別為0.4及0.6之情況下，上述特定α射線遮蔽劑的IPP藉由以下公式計算。 特定α射線遮蔽劑的IPP={（單元A的IPP×0.4）+（單元B的IPP×0.6）} 再者，單元A及單元B的IPP為按每個原子計算將構成各單元之各原子的IPP和各原子的含有莫耳比相乘而得到之計算值並將該等合計而得到之值。
特定α射線遮蔽劑在波長589.3 nm下的折射率並無特別限定，但就電子密度的觀點而言，1.7以上為較佳、1.8以上為更佳。上限並無特別限定，但大多為3.0以下的情況。 作為特定α射線遮蔽劑的上述折射率的測定方法，可舉出在矽基板上形成由特定α射線遮蔽劑構成之單膜，且由橢圓偏光儀進行測定之方法。具體而言，利用與α射線遮蔽能力X計算方法相同的方法，在矽基板上形成由100 nm的α射線遮蔽劑構成之層，並利用橢圓偏光法（Lambda Ace RE-3300（產品名稱）、Dainippon Screen Mfg Co.,Ltd.製），測定所獲得之層的折射率，並設為特定α射線遮蔽劑的折射率。
如上所述，特定α射線遮蔽劑為顯示規定α射線遮蔽能力X之聚合物（以下，還簡稱作“特定聚合物”）為較佳，特定聚合物的密度、IPP及折射率為上述較佳範圍為較佳。 又，特定聚合物包含第1游離電位超過1000 kJ/mol之原子為較佳。 又，特定聚合物包含電子數對上述之共價鍵半徑之比值為10 Å-1 以上之原子為較佳。
特定α射線遮蔽劑包含鹵素原子為較佳。作為鹵素原子，可舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。 特定α射線遮蔽劑中的鹵素原子的含量並無特別限定，就從有機層的α射線遮蔽性更優異之觀點而言，相對於特定α射線遮蔽劑總莫耳量，10莫耳%以上為較佳、15莫耳%以上為更佳。上限並無特別限定，但75莫耳%以下為較佳。 特定α射線遮蔽劑為特定聚合物之情況下，特定聚合物包含包括鹵素原子之重複單元（以下，還簡稱作“特定單元”）為較佳。 特定單元的結構並無特別限定，但由式（1）表示之單元為較佳。
[化1]
Figure 02_image001
式（1）中，R1 表示氫原子或烷基。 L表示單鍵或二價連結基。作為二價連結基例如可舉出醚基（-O-）、羰基（-CO-）、酯基（-COO-）、醯胺基（-CONH-）、硫醚基（-S-）、-SO2 -、-NRA -（RA 表示氫原子或烷基）、二價烴基（例如，伸烷基、伸烯基、伸炔基及伸芳基）及組合該等之基團。 X表示具有鹵素原子之烴基或由式（2）表示之基團。式（2）中，*表示鍵結位置。
[化2]
Figure 02_image003
作為具有鹵素原子之烴基，例如可舉出具有鹵素原子之烷基、具有鹵素原子之烯基、具有鹵素原子之炔基、具有鹵素原子之芳基及組合該等之基團。其中，就容易合成特定聚合物的觀點而言，具有鹵素原子之芳基為較佳。 R2 分別獨立地表示氫原子或烷基。烷基的碳數為1～10為較佳，1～4為更佳。 A- 表示包含鹵素原子之陰離子。陰離子中包含鹵素原子即可，亦可以為鹵素陰離子（F- 、Cl- 、Br- 及I- ）。作為由A- 表示之陰離子，例如可舉出F- 、Cl- 、Br- 、I- 、高鹵化路易斯酸的陰離子（例如PF6 - 、SbF6 - 、BF4 - 、AsF6 - 及FeCl4 - ）及高鹵酸的陰離子（例如ClO4 - 、BrO4 - 及IO4 - ）。
特定聚合物中的特定單元的含量並無特別限定，但就有機層的α射線遮蔽性更優異之觀點而言，相對於特定聚合物中的所有單元，25質量%以上為較佳、50質量%以上為更佳。上限並無特別限定，但大多為100質量%以下的情況。
特定聚合物可以含有除上述特定單元以外的其他單元，亦可含有不包含鹵素原子之單元。
特定α射線遮蔽劑為無機化合物之情況下，作為無機化合物，密度4.0 g/cm3 以上的金屬粒子或金屬氧化物粒子（以下將該等統稱為“特定粒子”）為較佳。 特定粒子的密度為4.0～6.0 g/cm3 為更佳。 特定粒子的密度藉由上述氣相置換法計算。
特定粒子的直徑並無特別限定，50 nm以下為較佳。 特定粒子中所含之金屬原子的種類並無特別限定，但電子數對共價鍵半徑之比為10 Å-1 以上之金屬原子為較佳。 特定粒子的IPP為7000 kJ/molÅ以上為較佳，更佳的範圍如上述。
有機層20可以包含除上述之特定α射線遮蔽劑以外的其他成分。 作為其他成分，可舉出黏合劑樹脂、界面活性劑、著色劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑及填充劑等。
作為黏合劑樹脂，可舉出上述之α射線遮蔽能力X超過0.50的樹脂亦即公知的樹脂。再者，黏合劑樹脂可以為形成後述之有機層20時使用之有機層形成用組成物中包含之聚合性化合物進行聚合而形成之樹脂。 作為黏合劑樹脂，例如可舉出（甲基）丙烯酸樹脂、（甲基）丙烯醯胺樹脂、（甲基）丙烯酸/（甲基）丙烯醯胺共聚物樹脂、環氧樹脂、聚苯乙烯樹脂及聚醯亞胺樹脂。 黏合劑樹脂可為鹼溶性樹脂。鹼溶性樹脂係指溶解於鹼溶液之樹脂。 作為鹼溶性樹脂的具體形態，能夠參閱WO2016/190162號小冊子的0146～0162段，並將該內容編入本說明書中。
作為界面活性劑，可舉出公知的界面活性劑，例如可舉出氟系界面活性劑、非離子系界面活性劑、陽離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑及聚矽氧系界面活性劑，氟系界面活性劑為較佳。 氟系界面活性劑中的氟含有率為3～40質量%為較佳，5～30質量%為更佳。 作為界面活性劑的具體形態，能夠參閱WO2016/190162號小冊子的0261～0265段，並將該內容編入本說明書中。
作為著色劑可舉出公知的著色劑，例如可舉出白色著色劑、黑色著色劑及彩色著色劑。再者，彩色著色劑係指除白色著色劑及黑色著色劑以外的著色劑。 著色劑可以為顏料，亦可為染料。 作為白色著色劑可舉出氧化鈦。 作為黑色著色劑可舉出碳黑及鈦黑。 作為彩色著色劑的具體的形態，能夠參閱WO2016/186050號小冊子的0062～0067段，並將該內容編入本說明書中。
作為紫外線吸收劑，可舉出公知的紫外線吸收劑，例如共軛二烯系化合物為較佳。 作為紫外線吸收劑的具體的形態，能夠參閱WO2016/186050號小冊子的0222～0225段，並將該內容編入本說明書中。
作為抗氧化劑，可舉出公知的抗氧化劑，例如可舉出苯酚化合物、亞磷酸酯化合物、硫醚化合物及受阻胺化合物。 作為抗氧化劑的具體的形態，能夠參閱WO2016/186050號小冊子的0228～0235段，並將該內容編入本說明書中。
作為填充劑的具體的形態，能夠參閱WO2016/186050號小冊子的0227段，並將該內容編入本說明書中。
有機層20的形成方法並無特別限定，可舉出公知的方法。 例如，可舉出使包含特定α射線遮蔽劑之有機層形成用組成物與規定基材接觸，形成塗膜，並根據需要，實施硬化處理之方法。 以下，對上述方法的順序進行詳述。
有機層形成用組成物中所含之特定α射線遮蔽劑的形態如上述。 有機層形成用組成物中的特定α射線遮蔽劑的含量並無特別限定，但從有機層的α射線遮蔽性更優異之觀點而言，相對於有機層形成用組成物中的總固體成分，30質量%以上為較佳、50質量%以上為更佳，70質量%以上為進一步較佳。上限並無特別限定，可舉出100質量%。 再者，總固體成分係指形成有機層之成分，但不包含溶劑。
有機層形成用組成物可以包含除特定α射線遮蔽劑以外的其他成分。如上所述，作為其他成分，可舉出黏合劑樹脂、界面活性劑、著色劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑及填充劑。 除此以外，還可舉出聚合性化合物、聚合引發劑、聚合抑制劑、基板密接劑及溶劑。
作為聚合性化合物，可舉出公知的聚合性化合物，例如可舉出具備具有乙烯性不飽和鍵之基團之化合物、具有環氧基之化合物及具有烷氧基甲矽烷基之化合物。作為具有乙烯性不飽和鍵之基團可舉出乙烯基、（甲基）烯丙基及（甲基）丙烯醯基。 作為聚合性化合物，自由基聚合性化合物為較佳。 作為聚合性化合物，具有複數個聚合性基之多官能聚合性化合物為較佳。 作為聚合性化合物的具體例，可舉出二季戊四醇三丙烯酸酯（作為市售品有KAYARAD D-330；Nippon Kayaku Co.,Ltd.製）、二季戊四醇四丙烯酸酯（作為市售品有KAYARAD D-320；Nippon Kayaku Co.,Ltd.製）、二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯（作為市售品有KAYARAD D-310；Nippon Kayaku Co.,Ltd.製）、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯（作為市售品有KAYARAD DPHA；Nippon Kayaku Co.,Ltd.製、A-DPH-12E； Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製）及該等（甲基）丙烯醯基經由乙二醇殘基或丙二醇殘基之結構（例如，由Sartomer Company Inc.市售之SR454、SR499）。又，還可舉出NK酯A-TMMT（季戊四醇四丙烯酸酯、Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製）及KAYARAD RP-1040（Nippon Kayaku Co.,Ltd.製）。 作為具有環氧基之化合物的具體的形態，能夠參閱日本特開2015-151467號公報的0043～0071段，並將該內容編入本說明書中。 作為具有烷氧基甲矽烷基之化合物的具體的形態，能夠參閱WO2016/158819號小冊子的0139～0141段，並將該內容編入本說明書中。 除上述以外，作為聚合性化合物的具體的形態，還能夠參閱WO2016/190162號小冊子的0168～0194段，並將該內容編入本說明書中。 有機層形成用組成物中的聚合性化合物的含量相對於有機層形成用組成物中的總固體成分，0～50質量%為較佳、5～45質量%為更佳。
作為聚合引發劑，可舉出公知的聚合引發劑，光聚合引發劑為較佳。 光聚合引發劑從紫外光區域相對於可見光區域中的任意一個光具有感光性為較佳。 光聚合引發劑的種類藉由聚合性化合物的聚合形式選擇最佳化合物，例如，可舉出開始自由基聚合之光聚合引發劑、及開始陽離子聚合之光聚合引發劑。 作為光聚合引發劑，就靈敏度較高的觀點而言，肟酯系聚合引發劑（肟化合物）為較佳。作為肟酯系聚合引發劑的市售品，可舉出IRGACURE-OXE01（BASF公司製）、IRGACURE-OXE02（BASF公司製）、IRGACURE-OXE03（BASF公司製）及IRGACURE-OXE04（BASF公司製）。 作為聚合引發劑的具體的形態，能夠參閱WO2016/190162號小冊子的0206～0237段，並將該內容編入本說明書中。 有機層形成用組成物中的聚合引發劑的含量相當對於有機層形成用組成物中的總固體成分，0～10質量%為較佳、0.5～8質量%為更佳。
作為聚合抑制劑，可舉出公知的聚合抑制劑，例如可舉出苯酚系含羥基化合物、N-氧化物化合物及哌啶1-氧自由基化合物。 作為聚合抑制劑的具體的形態，能夠參閱WO2016/186050號小冊子的0197段，並將該內容編入本說明書中。
作為基板密接劑，可舉出公知的基板密接劑，例如，矽烷系偶聯劑、鈦酸酯系偶聯劑及鋁系偶聯劑為較佳。 作為基板密接劑的具體的形態，能夠參閱WO2016/186050號小冊子的0199～0208，並將該內容編入本說明書中。
作為溶劑，可舉出公知的溶劑，有機溶劑為較佳。 作為有機溶劑，例如可舉出酯類、醚類、酮類及芳香族烴類。 作為有機溶劑的具體的形態，能夠參閱WO2016/186050號小冊子的0190～0191段，並將該內容編入本說明書中。 再者，作為溶劑，金屬含量少的溶劑為較佳，溶劑的金屬含量例如為10質量ppb（parts per billion（十億分之一））以下為較佳。根據需要，亦可以使用質量ppt（parts per trillion（百萬分之一））級別的溶劑，這種高純度溶劑例如由Toyo Gosei Co.,Ltd.提供（化學工業日報、2015年11月13日）。
有機層形成用組成物包含界面活性劑時，界面活性劑的含量相對於有機層形成用組成物中的總量，0.01～0.1質量%為較佳。
有機層形成用組成物中的有機物的含量相對於總固體成分，15質量%以上為較佳，40質量%以上為更佳，80質量%以為進一步較佳。上限並無特別限定，可舉出100質量%。
有機層形成用組成物的製備方法並無特別限定，可以一同混合上述之成分，亦可以分次混合。 再者，在每次製備上述組成物時，以去除異物以及減少有機層中的缺陷等的目的，由過濾器過濾有機層形成用組成物為較佳。作為過濾器，只要是以往以來以過濾用途使用之過濾器，則並無特別限定。例如可舉出使用氟樹脂（例如，聚四氟乙烯）、聚醯胺基系樹脂（例如尼龍，更具體而言，尼龍-6及尼龍-6,6）及聚烯烴樹脂（例如，聚乙烯及聚丙烯）等原料之過濾器。該等原料中，聚丙烯（包括高密度聚丙烯）或尼龍亦較佳。 過濾器的孔徑為0.01～7.0 μm為較佳，0.01～3.0 μm為更佳，0.05～0.5 μm為進一步較佳。若過濾器的孔徑為上述範圍，則能夠可靠地去除微細的異物。使用纖維狀的過濾材料亦較佳。作為纖維狀的過濾材料，例如可舉出聚丙烯纖維、尼龍纖維及玻璃纖維。
使用過濾器時，可以組合不同的過濾器（例如，第1過濾器和第2過濾器）。此時，利用各過濾器的過濾可以僅進行1次，亦可以進行2次以上。又，可以組合在上述範圍內不同的孔徑的過濾器。此處的孔徑能夠參照過濾器製造商的標稱值。作為市售的過濾器，例如能夠從由Nihon Pall Ltd.（DFA4201NXEY）、Advantec Toyo Kaisha,Ltd.、Nihon Entegris K.K.（原Nihon Microlith K.K.）及KITZ MICROFILTER CORPORATION.所提供之各種過濾器中選擇。
作為與有機層形成用組成物接觸之基材，例如可舉出後述之玻璃基板。亦即，能夠使用有機層形成用組成物，在玻璃基板上直接形成有機層。 再者，作為基材可以使用所謂的剝離基材。
有機層形成用組成物與基材的接觸方法並無特別限定，例如可舉出在基材上塗佈有機層形成用組成物之方法、及將基材浸漬於有機層形成用組成物中之方法。
使有機層形成用組成物與基材接觸之後，根據需要可以對形成於基材上之塗膜實施硬化處理。尤其，在有機層形成用組成物中含有聚合性化合物之情況下，對塗膜實施硬化處理以使聚合性化合物聚合為較佳。 作為硬化處理，例如可舉出光硬化處理及熱硬化處理。該等處理的條件根據所使用之有機層形成用組成物中的成分的種類選擇最佳條件。 又，使有機層形成用組成物與基材接觸之後或硬化處理後，根據需要亦可實施對塗膜進行乾燥之乾燥處理。
（固體攝像元件） 固體攝像元件12係藉由光電轉換部受光，進行光電轉換並輸出圖像訊號之元件。 作為固體攝像元件12，能夠使用公知的固體攝像元件。在固體攝像元件12中，通常二維地配置有複數個光電轉換部，後述之濾色器14及微透鏡16與各光電轉換部對應地設置。 光電轉換部的結構並無特別限定，可舉出藉由pn接合形成之光電轉換部。 又，作為固體攝像元件12的代表例，可舉出形成有圖像轉換部及進行圖像轉換部的控制之控制電路等之半導體基板。作為半導體基板，可舉出由矽構成之矽基板。 作為固體攝像元件的具體的形態，可舉出日本特開2016-102211號公報的圖2中記載之固體攝像元件、及日本特開2016-001681號公報的圖9中記載之固體攝像元件，並將該內容編入本說明書中。
（濾色器） 濾色器14係配置於固體攝像元件12與微透鏡16之間之層。 在圖1中，濾色器14包含紅色濾色器14R、綠色濾色器14G及藍色濾色器14B。再者，各種顏色的濾色器被未圖示之黑色矩陣隔開。 作為濾色器14，可舉出公知的濾色器。又，作為濾色器中所含有之著色劑亦可使用公知的著色劑。 作為濾色器14的具體的形態，能夠參閱日本特開2014-043556號公報的0214～0263段的記載，並將該內容編入本說明書中。 再者，圖1的固體攝像裝置10A具有紅色濾色器14R、綠色濾色器14G及藍色濾色器14B這3種顏色的濾色器，但本發明並不限定於該形態，亦可具有其他顏色的濾色器。
（微透鏡） 微透鏡16配置於濾色器14上，並具有收集入射到固體攝像裝置10A內之光之功能。 微透鏡16的折射率並無特別限定，但就聚光效果更優異之觀點而言，在波長589.3 nm下的折射率系1.70以上為較佳。上限並無特別限定，大多情況下為3.00以下。 構成微透鏡16之樹脂的種類並無特別限定，可舉出公知的樹脂。
（透明樹脂層） 透明樹脂層18係以覆蓋微透鏡16之方式配置於微透鏡16上之層，其表面被平坦化。亦即，透明樹脂層18還具有作為所謂平坦化層的功能。 透明樹脂層18的折射率並無特別限定，但就聚光效果更優異之觀點而言，在波長589.3 nm下的折射率為1.50以下為較佳。下限並無特別限定，大多情況下為1.00以上。 構成透明樹脂層18之樹脂的種類並無特別限定，可舉出公知的樹脂。
（玻璃基板） 玻璃基板22只要為作為蓋玻璃發揮功能之基板，則其種類並無特別限定。 作為構成玻璃基板22的材料，例如可舉出石英玻璃及硼矽酸玻璃。
在圖1中，透明樹脂層18與有機層20接觸，但在透明樹脂層18與有機層20之間為了提高兩者的密接性亦可以配置有黏結層。 又，在圖1中，有機層20與玻璃基板22接觸，但在有機層20與玻璃基板22之間為了提高兩者的密接性亦可以配置有黏結層。 作為上述黏結層可舉出公知的黏結層。 再者，上述有機層20本身可以具有黏結性。該情況下，有機層20作為具有α射線遮蔽性之層而發揮功能，並且還作為黏結層而發揮功能。
又，圖1的固體攝像裝置10A具有微透鏡16，根據用途，亦可去除微透鏡16及透明樹脂層18。 又，在圖1的固體攝像裝置10A中，透明樹脂層18與有機層20接觸，但亦可藉由使用規定固定夾具而使透明樹脂層18和有機層20分開配置。在該形態中，根據用途，亦可去除微透鏡16及透明樹脂層18。
在圖1中，固體攝像裝置10A具有包含特定α射線遮蔽劑之有機層20，但本發明並不限定於該形態，在固體攝像裝置中，只要特定α射線遮蔽劑位於作為α射線源之玻璃基板和作為電子電路之固體攝像元件之間，則可以為其他形態。 例如，如圖2所示，固體攝像裝置10B依次具備具有未圖示之光電轉換部之固體攝像元件12、濾色器14、微透鏡16、含有特定α射線遮蔽劑之透明樹脂層18A及玻璃基板22。 再者，在上述形態中，對與圖1的形態相同的構成部件標註相同的符號。 固體攝像裝置10A和固體攝像裝置10B的不同點可舉出：固體攝像裝置10B中不包括有機層20，而透明樹脂層18A中包括特定α射線遮蔽劑。 在該形態中，包含特定α射線遮蔽劑的透明樹脂層18A相當於本發明的有機層。亦即，圖2中的透明樹脂層18A具有有機層及平坦化層這2種功能。 再者，係在圖2所示之固體攝像裝置10B中，透明樹脂層18A含有特定α射線遮蔽劑之形態，但本發明並不限定於該形態，例如亦可以為微透鏡及濾色器的至少一方含有特定α射線遮蔽劑之形態。
此外，亦可以為本發明的固體攝像裝置具有紅外線截止濾波器及紅外線透射濾波器之形態。 具體而言，如圖3所示，在固體攝像裝置10C中，在具有未圖示之光電轉換部之固體攝像元件12上配置有紅外線截止濾波器24及紅外線透射濾波器26。再者，紅外線截止濾波器24上配置有濾色器14。此外，濾色器14及紅外線透射濾波器26上依次配置有微透鏡16、透明樹脂層18、含有特定α射線遮蔽劑之有機層20及玻璃基板22。 再者，在上述形態中，對與圖1的形態相同的構成部件標註相同的符號。 固體攝像裝置10A和固體攝像裝置10C的不同點可舉出：固體攝像裝置10C具有紅外線截止濾波器24及紅外線透射濾波器26。固體攝像裝置10C具有紅外線截止濾波器24及紅外線透射濾波器26，藉此固體攝像裝置10C還能夠對紅外線進行感測。 再者，在圖3的形態中，可以相反地配置紅外線截止濾波器24和濾色器14的位置。 作為紅外線截止濾波器24的具體的形態，能夠參閱WO2016/186050號小冊子的0011～0285段及WO2016/190162號小冊子的0015～0293段、0297段，並將該內容編入本說明書中。 作為紅外線透射濾波器26的具體的形態，能夠參閱WO2016/186050號小冊子的0291～0303段，並將該內容編入本說明書中。
＜第2實施形態＞ 作為本發明的裝置的其他形態，可舉出電子模塊（電子組件模塊）。所謂電子模塊係封裝後述之邏輯電路、存儲電路及通信電路等電子電路而成之部件。亦即，電子電路由半導體晶圓等構成之情況下，電子模塊相當於所謂半導體封裝體。
（實施形態A） 在圖4中示出本發明的裝置的第2實施形態的一形態。 圖4所示之裝置係電子模塊30A，電子模塊30A具有電子電路32A、含有特定α射線遮蔽劑之有機層34A、配線基板36、黏結層38、接合線40、鑄模42及焊球44。 電子模塊30A具有所謂引線接合結構。 如後所述，鑄模42中可以含有填充劑。 在上述電子模塊30A中，焊球44及鑄模42中可含有之填充劑可成為α射線源。 電子模塊30A經由焊球44安裝於印刷配線板等。 以下，對構成電子模塊30A之各部件進行詳細說明。
電子電路32A相當於所謂積體電路，能夠使用電晶體、電阻及電容器等複數個元件而形成。作為元件，例如可使用半導體元件。使用複數個半導體元件而形成之電子電路亦稱為半導體晶圓。 電子電路32A的種類並無特別限定，例如可舉出邏輯電路、存儲電路及通信電路。該等電路的構成亦並無特別限定，可舉出公知的電路。 電子電路32A中通常具有用於與外部電連接之電極（圖1中未圖示）。再者，在圖4中，電子電路32A在與配線基板36側相反的一側的表面上具有未圖示之電極，該電極與後述之接合線40連接。
有機層34A係以覆蓋電子電路32A之方式配置之層。藉由配置有機層34A，能夠抑制從α射線源釋放之α射線到達電子電路32A。 其中，在圖4中，電子電路32A的未圖示之電極部上未配置有機層34A，如上所述，電極部與後述之接合線40接觸並電連接。 有機層34A含有特定α射線遮蔽劑。特定α射線遮蔽劑的形態如上所述。 有機層34A中的特定α射線遮蔽劑的含量並無特別限定，就有機層的α射線遮蔽性更優異之觀點而言，相對於有機層總質量，30質量%以上為較佳、50質量%以上為更佳，70質量%以上為進一步較佳。上限並無特別限定，可舉出100質量%。 有機層34A至少包含有機化合物，亦可以包含無機化合物。從操作性的觀點考慮，有機層34A中的有機化合物的含量相對於有機層總質量，15質量%以上為較佳、40質量%以上為更佳，80質量%以上為進一步較佳。上限並無特別限定，可舉出100質量%。 再者，特定α射線遮蔽劑為無機化合物之情況下，上述有機層34A中與特定α射線遮蔽劑分開地包含有機化合物。 從有機層的α射線遮蔽性更優異之觀點考慮，有機層34A的厚度係5 μm以上為較佳，10 μm以上為更佳。關於厚度的上限，就放熱性的觀點而言，30 μm以下為較佳，20 μm以下為更佳。
有機層34A的形成方法並無特別限定，可舉出公知的方法。例如，可舉出使電子電路32A與上述有機層形成用組成物接觸，根據需要實施硬化處理之方法。 再者，作為確保電子電路32A與後述之接合線40的連接性之方法，可舉出使有機層形成用組成物和電子電路32A接觸之後，去除與電子電路32A的接合線連接之電極部上的有機層之方法。作為去除方法，可舉出使用雷射之方法。
配線基板36係經由電子電路32A和後述之接合線40電連接之基板。 配線基板36通常至少具有與電子電路32A電連接之電極部、與後述之焊球44電連接之電極部及電路圖案。 電路圖案通常由包括樹脂、玻璃、半導體材料及該等複合材料之絕緣層與包括銅、金、銀及鋁等金屬之配線圖案的積層結構構成。 配線基板36的結構根據用途適當地選擇最佳結構。
黏結層38配置於電子電路32A與配線基板36之間，且為用於提高兩者的密接性之層。 作為黏結層38可舉出公知的黏結層。
接合線40係用於將電子電路32A和配線基板36電連接之金屬線。 構成接合線40之材料並無特別限定，例如可舉出金。 作為接合線40的形成方法可舉出公知的方法。
鑄模42係以覆蓋電子電路32A之方式配置之部件。 鑄模42通常由樹脂構成。用於製作鑄模42之樹脂的種類並無特別限定，可舉出環氧樹脂。 鑄模42中可以包含填充劑，作為填充劑可舉出二氧化矽。如上所述，二氧化矽可成為α射線源。
焊球44與配線基板36電連接，並配置於與配線基板36的電子電路32A側的表面相反的一側的表面上。 焊球44與配置於和配線基板36的電子電路32A側的表面相反的一側的表面上之電極部（在圖4中未圖示）接觸並電連接。亦即，焊球44經由配線基板36及接合線40而與電子電路32A電連接。 焊球44的結構並無特別限定，可舉出公知的焊球，例如可舉出包含錫、銀或銅等之焊球。如上所述，焊球44可成為α射線源。 作為焊球44的設置方法，可舉出公知的方法，例如可舉出在配線基板36的未圖示之電極上塗佈助溶劑等之後設置焊球並進行加熱之方法。
在圖4中有機層34A配置成覆蓋電子電路32A的大致整個表面（除了與接合線的連接區域以外的區域），但本發明並不限定於該形態，只要配置成覆蓋電子電路的至少一部分即可。 再者，在本發明中，有機層配置成覆蓋除了電子電路的電極部以外的表面上的至少一部分為較佳，配置成覆蓋除了電子電路的電極部以外的整個表面上為更佳。
又，在圖4的電子模塊30A中，黏結層38及鑄模42中的至少一方可進一步包含特定α射線遮蔽劑。 此外，圖4的電子模塊30A具有包含特定α射線遮蔽劑之有機層34，電子模塊中只要包含含有特定α射線遮蔽劑之有機層，則不限定於該形態。 例如，如圖5所示，電子模塊130A具有電子電路32A、配線基板36、黏結層38、接合線40、鑄模42A及焊球44。電子模塊30A與電子模塊130A的不同點可舉出電子模塊130A中不包含有機層34A，而鑄模42A中包含特定α射線遮蔽劑。 在該形態中，包含特定α射線遮蔽劑之鑄模42A相當於本發明的有機層。 再者，在圖5中，係鑄模42A包含特定α射線遮蔽劑之形態，但本發明並不限定於該形態，例如可以為黏結層38包含特定α射線遮蔽劑之形態。
（實施形態B） 圖6中示出本發明的裝置的第2實施形態的其他形態。 圖6所示之裝置係電子模塊30B，電子模塊30B具有電子電路32B、包含特定α射線遮蔽劑之有機層34B、配線基板36、鑄模42、焊球44、阻擋金屬部46、凸塊48及底部填充劑50。 電子模塊30B具有所謂倒裝晶圓結構。 上述電子模塊30B中，焊球44、凸塊48及鑄模42中可含有之填充劑可成為α射線源。 電子模塊30B經由焊球44安裝於印刷配線板等。 以下，對構成電子模塊30B之各部件進行詳細說明。再者，關於電子模塊30B中的部件，並且關於與電子模塊30A中的部件相同者，標註相同的符號並省略說明。
電子電路32B係與電子模塊30A的電子電路32A大致相同的結構，電子電路32B與電子電路32A的不同點為在配線基板36側的表面上具有未圖示之電極部。再者，該電極部與後述之阻擋金屬部46接觸。
有機層34B係覆蓋電子電路32B之層。再者，有機層34B未配置於與圖6中電子電路32B的阻擋金屬部接觸之未圖示之電極部上，與有機層34A的不同點在於配置位置。 有機層34B除了配置位置這一點以外係與有機層34A相同的結構。
阻擋金屬部46係配置於電子電路32B與後述之凸塊48之間之部件。 構成阻擋金屬部46之金屬原子的種類並無特別限定，例如可舉出Ti、Ni、Au、Cu及W。
凸塊48係配置於電子電路32B與配線基板36之間且用於電連接兩者之電極部件。 凸塊48的形成方法並無特別限定，使用焊球之方法為較佳。 構成凸塊48之金屬原子的種類並無特別限定，例如可舉出錫、銀及銅。 凸塊48的形成方法並無特別限定，可舉出公知的方法。 再者，如上所述，凸塊48可成為α射線源。尤其，凸塊48係使用焊球而形成之焊塊的情況下，凸塊48容易作為α射線源而發揮作用。
底部填充劑50係配置於電子電路32B與配線基板36之間且用於提高兩者的密接性的部件。 底部填充劑50通常由樹脂構成。用於製作底部填充劑之樹脂的種類並無特別限定，可舉出環氧樹脂。
圖6中有機層34B配置成覆蓋電子電路32B的大致整個表面（除了與阻擋金屬部46連接之區域以外的區域），但本發明並不限定於該形態，只要配置成覆蓋電子電路32B的至少一部分即可。 又，圖6的電子模塊30B中，鑄模42及底部填充劑50中的至少一方可進一步包含特定α射線遮蔽劑。 此外，圖6的電子模塊30B雖然具有包含特定α射線遮蔽劑之有機層34B，但只要在電子模塊中包含含有特定α射線遮蔽劑之有機層，則並不限定於該形態。 例如，如圖7所示，電子模塊130B具有電子電路32B、配線基板36、鑄模42B、焊球44、阻擋金屬部46、凸塊48及底部填充劑50。電子模塊30B與電子模塊130B的不同點可舉出電子模塊130B中不包含有機層34B，而鑄模42B中包含特定α射線遮蔽劑。 在該形態中，包含特定α射線遮蔽劑之鑄模42B相當於本發明的有機層。 再者，圖7中係鑄模42B包含特定α射線遮蔽劑之形態，但本發明並不限定於該形態，例如，亦可以為底部填充劑包含特定α射線遮蔽劑之形態。
（實施形態C） 在圖8中示出本發明的裝置的第2實施形態的其他形態。 圖8所示之裝置係電子模塊30C，電子模塊30C具有電子電路32C、包含特定α射線遮蔽劑之有機層34C、焊球44及電磁波屏蔽層52。 電子模塊30C具有所謂扇入晶圓級封裝結構。 上述電子模塊30C中，焊球44可成為α射線源。 電子模塊30C經由焊球44安裝於印刷配線板等中。 以下，對構成電子模塊30C之各部件進行詳細說明。再者，關於電子模塊30C中的部件，並關於與電子模塊30A中的部件相同者，標註相同的符號並省略說明。
電子電路32C係與電子模塊30A的電子電路32A大致相同的結構，電子電路32C與電子電路32A的不同點為在焊球44側的表面上具有未圖示之電極部。再者，在其電極部與後述之焊球44接觸。 再者，在圖8中，電子電路32C中的未圖示之電極部與焊球44接觸，但不限定於該形態，只要兩者電連接，則可包含其他部件。例如，在兩者之間可配置有所謂再配線層。亦即，可以在電子電路32C的表面上配置有再配線層，且電子電路32C與焊球44經由再配線層電連接。 再者，再配線層發揮將電子電路的電極部再配線之作用。作為形成再配線層之材料可舉出銅、鋁、銀、錫及金等導電性物質。再者，再配線層可以以嵌入配置於電子電路上之絕緣層上之形式配置。
有機層34C係覆蓋電子電路32C之層。再者，有機層34C在圖8中未配置於與電子電路32C的焊球44接觸之未圖示之電極部上，在配置位置這一點上與有機層34A不同。 有機層34C除了配置位置這一點以外，係與有機層34A相同的結構。
電磁波屏蔽層52係具有遮蔽電磁波之功能之層，配置成覆蓋電子電路32C。再者，為了確保與焊球44的印刷配線板的接觸性，通常，電磁波屏蔽層52未配置於焊球44上。 構成電磁波屏蔽層52之材料並無特別限定，例如可舉出銅、鋁、鎳及不鏽鋼等金屬。
圖8的電子模塊30C具有電磁波屏蔽層52，但本發明並不限定於該形態，電磁波屏蔽層可以未配置於電子模塊中。 又，圖8中，電磁波屏蔽層52和有機層34C的積層順序可以相反。 此外，圖8的電子模塊30C具有包含特定α射線遮蔽劑之有機層34C，只要在電子模塊中包含含有特定α射線遮蔽劑之有機層，則並不限定於該形態。例如，電子模塊可以具有藉由包含特定α射線遮蔽劑和電磁波屏蔽劑之有機層覆蓋電子電路之形態。該情況下，有機層發揮α射線遮蔽層及電磁波屏蔽層這兩者的作用。
（實施形態D） 在圖9中示出本發明的裝置的第2實施形態的其他形態。 圖9所示之裝置係電子模塊30D，電子模塊30D具有電子電路32D、包含特定α射線遮蔽劑之有機層34D、鑄模42、焊球44及再配線層54。 電子模塊30D具有所謂扇出晶圓級封裝結構。再者，扇出晶圓級封裝結構中，配置鑄模42D，並且還在鑄模42D上配置再配線層54，藉此能夠將焊球44配置於除了電子電路32D的表面上以外的位置。 以下，對構成電子模塊30D之各部件進行詳細說明。再者，關於電子模塊30D中的部件，並關於與電子模塊30A中的部件相同者，標註相同的符號並省略說明。
電子電路32D係與電子模塊30A的電子電路32A大致相同的結構，電子電路32D與電子電路32A的不同點為在焊球44側的表面上具有未圖示之電極部。再者，該電極部經由再配線層54與焊球44電連接。
有機層34D係覆蓋電子電路32D之層。再者，有機層34D未配置於與電子電路32D的再配線層54接觸之未圖示之電極部上，在配置位置這一點上與有機層34A不同。 有機層34D除了配置位置這一點以外，係與有機層34A相同的結構。
再配線層54發揮將電子電路32D的未圖示之電極部進行再配線之作用。亦即，電子電路32D的未圖示之電極部與焊球44經由再配線層54電連接。 作為形成再配線層54之材料，可舉出銅、鋁、銀、錫及金等導電性物質。 再者，再配線層54可以以嵌入配置於電子電路上之絕緣層上之形式配置。
圖9中，鑄模42配置成覆蓋除了電子電路32D的再配線層54側的表面以外的面，但本發明並不限定於該形態，只要能夠在除了電子電路的表面上以外的區域形成再配線層，則可以為其他形態。例如，如圖10所示之電子模塊130D般，鑄模42可以配置成覆蓋電子電路32D的再配線層54側的表面及與再配線層54側相反的一側的表面以外的面。 又，圖9中有機層34D配置成覆蓋電子電路32D的大致整個表面（除了用於與再配線層54電連接之電極部以外的區域），但本發明並不限定於該形態，只要配置成覆蓋電子電路32D的至少一部分即可。又，有機層可以進一步配置在除了覆蓋電子電路以外的位置（例如，鑄模與再配線層之間）。 又，圖9的電子模塊30D中，鑄模42可進一步包含特定α射線遮蔽劑。 此外，圖9的電子模塊30D具有包含特定α射線遮蔽劑之有機層34D，但只要在電子模塊中包含含有特定α射線遮蔽劑之有機層，則不限定於該形態。 例如，如圖11所示，電子模塊230D具有電子電路32D、鑄模42D、焊球44及再配線層54。電子模塊230D與電子模塊30D的不同點可舉出電子模塊230D中不包含有機層34D，鑄模42D中包含特定α射線遮蔽劑。 該形態中，包含特定α射線遮蔽劑之鑄模42D相當於本發明的有機層。
又，圖9的電子模塊30D中可進一步具有電磁波屏蔽層。電磁波屏蔽層的配置位置並無特別限定，以覆蓋鑄模之方式配置於最外側之形態為較佳。 [實施例]
以下基於實施例對本發明進行進一步詳細的說明。以下實施例中所示出之材料、使用量、比例、處理內容及處理順序等只要不脫離本發明的主旨，能夠適當進行變更。因此本發明的範圍並不應為藉由以下所示之實施例而被限定地解釋者。
＜α射線遮蔽劑＞ 在後述之實施例中使用了表1所記載之材料。再者，各聚合物藉由公知的方法進行了合成。 再者，表1中，“第1游離電位”一欄的“原子的種類”表示α射線遮蔽劑中的第1游離電位的值最大的原子。 又，表1中，“電子數/共價鍵半徑”表示α射線遮蔽劑中的電子數/共價鍵半徑的值最大的原子。
[表1]
Figure 107139596-A0304-0001
表1中的α射線遮蔽劑藉由以下方法計算α射線遮蔽能力X，並依據以下基準進行了評價。 首先，以下示出使用α射線遮蔽劑1～7之帶膜的玻璃基板之製作方法。
（α射線遮蔽劑1～4、6～7） 將各α射線遮蔽劑分別溶解於PGMEA（丙二醇單甲醚乙酸酯），而分別製作了濃度40質量%的α射線遮蔽劑溶液。 接著，以後述之加熱後的膜的膜厚成為15.0 μm之方式，藉由旋塗法將各α射線遮蔽劑溶液塗佈於玻璃基板（EAGLE XG 0.7 mm：Corning Incorporated製）上而形成了塗膜。 接著，使用加熱板，在100℃下加熱塗膜30分鐘，獲得了帶膜的玻璃基板。
（α射線遮蔽劑5） 分別以30:18:62的質量比混合α射線遮蔽劑5、作為分散劑之Solsperse36000及PGMEA，並用油漆攪拌器分散，從而製作了α射線遮蔽劑溶液。 以後述之加熱後的膜的膜厚成為15.0 μm之方式，藉由旋塗法將α射線遮蔽劑分散溶液塗佈於玻璃基板（EAGLE XG 0.7 mm：Corning Incorporated製）上而形成了塗膜。 接著，使用加熱板，在350℃下加熱塗膜30分鐘，獲得了帶膜的玻璃基板。
對所獲得之帶膜的基板及未塗佈的玻璃基板，使用低水準的α射線測定裝置（LACS-4000M：Sumitomo Chemical Co.,Ltd製）測定了α射線量。再者，關於帶膜的基板，在與膜對置之位置配置檢測器並測定了α射線量。亦即，測定了從玻璃基板釋放之α射線透射膜時的α射線量。 使用帶膜的基板的α射線量A1和未塗佈的玻璃基板的α射線量A0，計算作為α射線遮蔽能力X之比（A1/A0），並由以下基準進行了評價。 5：A1/A0為0.01以下 4：A1/A0超過0.01且為0.25以下 3：A1/A0超過0.25且為0.50以下 2：A1/A0超過0.50且為0.75以下 1：A1/A0超過0.75
＜實施例A＞ 使用表1中記載的α射線遮蔽劑，按照以下組成混合各成分之後，由孔徑0.45 μm的尼龍製過濾器（Nihon Pall Ltd.製）進行過濾來分別製作組成物1～7。再者，根據各α射線遮蔽劑的編號標註組成物的編號。例如將使用α射線遮蔽劑1形成之組成物稱作組成物1。 表1中記載的α射線遮蔽劑 32質量份 聚合性化合物：A-TMMT（Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製） 10質量份 光聚合引發劑：IRGACURE-OXE01 3質量份 界面活性劑：MegafaceF-781F 0.03質量份 溶劑：丙二醇單甲醚乙酸酯 44.97質量份
以製膜後的膜厚成為15.0 μm的方式，在玻璃基板上利用旋塗法塗佈在上述製作之各組成物來形成塗膜。 接著，使用加熱板在100℃下對塗膜加熱2分鐘。接著，使用UV（ultraviolet（紫外線））Cure裝置（Ushio Inc.製）且以20 J/cm2 的曝光量對塗膜進行全面曝光而獲得帶有機層的玻璃基板。 使用所獲得之帶有機層的玻璃基板，與公知的固體攝像元件組合而製作了圖1所示之固體攝像裝置。 對所獲得之固體攝像裝置進行圖像擷取（image capture）試驗，並評價由α射線引起之干擾的影響。 若對使用分別包含表示規定α射線遮蔽能力X之α射線遮蔽劑1～5之組成物1～5之情況和使用分別包含未表示規定α射線遮蔽能力X之α射線遮蔽劑6～7之組成物6～7之情況進行比較，當使用組成物1～5時，降低了因α射線引起之干擾。
（可見光透射性） 使用分光測定機（MCPD3700：Otsuka Electronics Co.,Ltd.製），將未塗佈的玻璃基板作為參考，對所獲得之帶膜的基板測定400～700 nm的最低透射率，從而求出帶膜的基板中的膜的最低透射率，並按照以下基準進行了評價。 5：400～700 nm的最低透射率大於95% 4：400～700 nm的最低透射率為95%以下，且大於90% 3：400～700 nm的最低透射率為90%以下，且大於70% 2：400～700 nm的最低透射率為70%以下，且大於50% 1：400～700 nm的最低透射率為50%以下
＜實施例B＞ 分別使用上述之組成物1～7，形成圖4所示之有機層34A來製作電子模塊。 使用所獲得之電子模塊實施軟性錯誤的評價，若對使用組成物1～5之情況和使用組成物6～7之情況進行比較，當使用組成物1～5時，軟性錯誤顯著減少。
10A、10B、10C‧‧‧固體攝像裝置 12‧‧‧固體攝像元件 14‧‧‧濾色器 14R‧‧‧紅色濾色器 14G‧‧‧綠色濾色器 14B‧‧‧藍色濾色器 16‧‧‧微透鏡 18、18A‧‧‧透明樹脂層 20‧‧‧α射線遮蔽層 22‧‧‧玻璃基板 24‧‧‧紅外線截止濾波器 26‧‧‧紅外線透射濾波器 30A、30B、30C、30D、130A、130B、130D、230D‧‧‧電子模塊 32A、32B、32C、32D‧‧‧電子電路 34A、34B、34C、34D‧‧‧有機層 36‧‧‧配線基板 40‧‧‧接合線 42、42A、42B、42D‧‧‧鑄模 44‧‧‧焊球 46‧‧‧阻擋金屬部 48‧‧‧凸塊 50‧‧‧底部填充劑 52‧‧‧電磁波屏蔽層 54‧‧‧再配線層
圖1係表示作為本發明的裝置之固體攝像裝置的一實施形態之剖面圖。 圖2係表示作為本發明的裝置之固體攝像裝置的其他實施形態之剖面圖。 圖3係表示作為本發明的裝置之固體攝像裝置的其他實施形態之剖面圖。 圖4係表示作為本發明的裝置之電子模塊的一實施形態之剖面圖。 圖5係表示作為本發明的裝置之電子模塊的其他實施形態之剖面圖。 圖6係表示作為本發明的裝置之電子模塊的其他實施形態之剖面圖。 圖7係表示作為本發明的裝置之電子模塊的其他實施形態之剖面圖。 圖8係表示作為本發明的裝置之電子模塊的其他實施形態之剖面圖。 圖9係表示作為本發明的裝置之電子模塊的其他實施形態之剖面圖。 圖10係表示作為本發明的裝置之電子模塊的其他實施形態之剖面圖。 圖11係表示作為本發明的裝置之電子模塊的其他實施形態之剖面圖。
10A:固體攝像裝置
12:固體攝像元件
14:濾色器
14R:紅色濾色器
14G:綠色濾色器
14B:藍色濾色器
16:微透鏡
18:透明樹脂層
20:α射線遮蔽層
22:玻璃基板

Claims (11)

  1. 一種固體攝像裝置，其具有：α射線源，其為玻璃基板；電子電路，其為包含光電轉換部之固體攝像元件，且因α射線受到影響；及有機層，包含α射線遮蔽劑，配置於該α射線源與該電子電路之間，由以下方法計算之該α射線遮蔽劑的α射線遮蔽能力X為0.50以下，該α射線遮蔽劑的游離電位參數為7000kJ/molÅ以上，α射線遮蔽能力X計算方法：準備具有玻璃基板和配置在該玻璃基板表面上之由該α射線遮蔽劑構成之層之積層體、及未配置有由該α射線遮蔽劑構成之層之該玻璃基板，利用α射線測定裝置，計算該積層體的由該α射線遮蔽劑構成之層側上的α射線量A1及未配置有由該α射線遮蔽劑構成之層之該玻璃基板的α射線量A0，並計算作為該α射線量A1對該α射線量A0之比之α射線遮蔽能力X。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之固體攝像裝置，其中該α射線遮蔽劑在波長589.3nm下的折射率為1.7以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之固體攝像裝置，其中該α射線遮蔽劑為密度4.0g/cm3以上的金屬粒子或金屬氧化物粒子。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之固體攝像裝置，其中該α射線遮蔽劑為包含由式(1)表示之重複單元的聚合物，
    Figure 107139596-A0305-02-0049-1
     式(1)中，R1表示氫原子或烷基；L表示單鍵、-O-、-CO-、-COO-、-CONH-、-S-、-SO2-、-NRA-、伸烷基、伸烯基、伸炔基、伸芳基或組合該等之基團；RA表示氫原子或烷基；X表示具有鹵素原子之烷基、具有鹵素原子之烯基、具有鹵素原子之炔基、具有鹵素原子之芳基、由式(2)表示之基團或組合該等之基團，
    Figure 107139596-A0305-02-0049-4
     式(2)中，*表示鍵結位置。
  5. 如申請專利範圍第1項、第2項或第4項所述之固體攝像裝置，其中該有機層的膜厚為20μm以下。
  6. 如申請專利範圍第1項、第2項或第4項所述之固體攝像裝置，其中該有機層的可見光區域中的最低透射率為70%以上。
  7. 如申請專利範圍第1項、第2項或第4項所述之固體攝像裝置，其中該α射線遮蔽劑的密度為1.4g/cm3以上。
  8. 如申請專利範圍第1項、第2項或第4項所述之固體攝像裝置，其中該α射線遮蔽劑包括鹵素原子。
  9. 一種有機層形成用組成物，其中總固體成分中的有機物的含量為15質量%以上，該有機物包括由以下方法計算之α射線遮蔽能力X為0.50以下的α射線遮蔽劑，該α射線遮蔽劑的游離電位參數為7000kJ/molÅ以上，α射線遮蔽能力X計算方法：準備具有玻璃基板和配置在該玻璃基板表面上之由該α射線遮蔽劑構成之層之積層體、及未配置有由該α射線遮蔽劑構成之層之該玻璃基板，利用α射線測定裝置，計算該積層體的由該α射線遮蔽劑構成之層側上的α射線量A1及未配置有由該α射線遮蔽劑構成之層之該玻璃基板的α射線量A0，並計算作為該α射線量A1對該α射線量A0之比之α射線遮蔽能力X。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機層形成用組成物，其中該α射線遮蔽劑在波長589.3nm下的折射率為1.7以上。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之有機層形成用組成物，其中該α射線遮蔽劑為包含由式(1)表示之重複單元的聚合物，
    Figure 107139596-A0305-02-0051-2
     式(1)中，R1表示氫原子或烷基；L表示單鍵、-O-、-CO-、-COO-、-CONH-、-S-、-SO2-、-NRA-、伸烷基、伸烯基、伸炔基、伸芳基或組合該等之基團；RA表示氫原子或烷基；X表示具有鹵素原子之烷基、具有鹵素原子之烯基、具有鹵素原子之炔基、具有鹵素原子之芳基、由式(2)表示之基團或組合該等之基團，
    Figure 107139596-A0305-02-0051-3
     式(2)中，*表示鍵結位置。
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