JP7034172B2 - 装置、有機層形成用組成物 - Google Patents

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Description

本発明は、装置、および、有機層形成用組成物に関する。
電子回路を含む装置は、種々の用途に適用されている。例えば、装置の一例として、固体撮像素子（電子回路の該当）を含む固体撮像装置が挙げられる。
一方で、電子回路を含む装置においては、装置中のα線源から放出されるα線の影響を受けてソフトエラーを起こす場合がある。例えば、固体撮像装置においては、カバーガラスがα線放出性原子を含む場合があり、電子回路である固体撮像素子が一過性の誤作動を引き起こす場合がある。
それに対して、特許文献１では、ＵおよびＴｈの含有量を一定以下とする近赤外線吸収ガラスを提案されている。
特開平７－２８１０２１号公報
近年、各種装置において、α線による影響をより抑制することが求められている。
しかし、特許文献１のような形態では、更なる不純物の除去が技術的に難しく、所定の部材（例えば、カバーガラス）からのα線の放出性のより一層の低減が困難である。また、このような方法は、精製コストの増加を引き起こすため、工業的には劣っている。
本発明は、上記実情を鑑みて、α線の影響が低減された新たな装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、有機層形成用組成物を提供することも目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、以下の構成により上記目的を達成できることを見出した。
（１） α線源と、
α線により影響を受ける電子回路と、
α線遮蔽剤を含む有機層と、を有し、
後述する方法で算出されるα線遮蔽剤のα線遮蔽能Ｘが０．５０以下である、装置。
（２） α線源がガラス基板であり、
電子回路が光電変換部を含む固体撮像素子であり、
α線源と電子回路との間に有機層が配置され、
固体撮像装置として機能する、（１）に記載の装置。
（３） 有機層の厚みが２０μｍ以下である、（２）に記載の装置。
（４） 有機層の可視光領域における最低透過率が７０％以上である、（２）または（３）に記載の装置。
（５） 電子回路が、論理回路、記憶回路、および、通信回路からなる群から選択される１種であり、
電子モジュールとして機能する、（１）に記載の装置。
（６） 電子回路と電気的に接続された半田ボール、
電子回路と電気的に接続された半田バンプ、および、
電子回路の少なくとも一部を覆う、フィラーを含むモールド、からなる群から選択される少なくとも１つをさらに有し、
α線源が、半田ボール、半田バンプ、および、フィラーの少なくとも１つである、（５）に記載の装置。
（７） α線遮蔽剤が、ポリマーである、（１）～（６）のいずれかに記載の装置。
（８） α線遮蔽剤の密度が、１．４ｇ／ｃｍ３以上である、（１）～（７）のいずれかに記載の装置。
（９） α線遮蔽剤のイオン化ポテンシャルパラメータが７０００ｋＪ／ｍｏｌÅ以上である、（１）～（８）のいずれかに記載の装置。
（１０） α線遮蔽剤の波長５８９．３ｎｍにおける屈折率が１．７以上である、（１）～（９）のいずれかに記載の装置。
（１１） α線遮蔽剤がハロゲン原子を含む、（１）～（１０）のいずれかに記載の装置。
（１２） α線遮蔽剤が、密度４．０ｇ／ｃｍ３以上の、金属粒子または金属酸化物粒子である、（１）～（６）のいずれかに記載の装置。
（１３） 全固形分中における有機物の含有量が１５質量％以上であり、
有機物が、後述する方法で算出されるα線遮蔽能Ｘが０．５０以下のα線遮蔽剤を含む、有機層形成用組成物。
本発明によれば、α線の影響が低減された新たな装置を提供できる。
また、本発明によれば、有機層形成用組成物を提供することもできる。
本発明の装置である固体撮像装置の一実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である固体撮像装置の他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である固体撮像装置の他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの一実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。 本発明の装置である電子モジュールの他の実施形態を示す断面図である。
以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に制限されるものではない。
なお、本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、本発明において、１Å（オングストローム）は、０．１ｎｍに相当する。
＜第１実施形態＞
本発明の装置の第１実施形態を、図１に示す。
図１に示す装置は、固体撮像装置１０Ａであり、固体撮像装置１０Ａは、図示しない光電変換部を有する固体撮像素子１２と、カラーフィルタ１４と、マイクロレンズ１６と、透明樹脂層１８と、後述する所定のα線遮蔽剤を含む有機層２０と、ガラス基板２２とをこの順で有する。
ガラス基板２２は本発明の装置中のα線源に該当し、光電変換部を有する固体撮像素子１２が本発明の装置中のα線により影響を受ける電子回路に該当する。図１に示すように、ガラス基板２２より放出されるα線が固体撮像素子１２に到達しないように、有機層２０はガラス基板２２と固体撮像素子１２との間に配置されている。
以下、固体撮像装置１０Ａを構成する各部材について詳述する。まず、以下では、本発明の特徴点である有機層２０について詳述する。
（有機層）
有機層２０は、α線遮蔽能Ｘが０．５０以下であるα線遮蔽剤を含む。
α線遮蔽剤のα線遮蔽能は、以下の方法により算出される。
α線遮蔽能Ｘ算出方法：ガラス基板とガラス基板表面上に配置されたα線遮蔽剤からなる層とを有する積層体、および、α線遮蔽剤からなる層が配置されていないガラス基板を準備して、α線測定装置を用いて、積層体のα線遮蔽剤からなる層側におけるα線量Ａ１と、α線遮蔽剤からなる層が配置されていないガラス基板のα線量Ａ０とを算出して、α線量Ａ０に対するα線量Ａ１の比であるα線遮蔽能Ｘを算出する。
以下、上記算出方法について詳述する。
まず、ガラス基板とガラス基板表面上に配置されたα線遮蔽剤からなる層（以後、「特定層」ともいう）とを有する積層体、および、特定層が配置されていないガラス基板（未処理のガラス基板に該当）を準備する。
上記積層体中の特定層は、α線遮蔽剤からなる。言い換えれば、特定層は、実質的にα線遮蔽剤のみから構成される層である。上記「実質的にα線遮蔽剤のみから構成される」とは、特定層全質量に対して、α線遮蔽剤の含有量が９９質量％以上である形態を意図し、微量の不純物（例えば、溶媒）は含まれていてもよい。
上記特定層の形成方法は特に制限されず、使用されるα線遮蔽剤および溶媒を含む組成物とガラス基板とを接触させて、ガラス基板上に特定層を形成する方法が挙げられる。上記接触させる方法としては、ガラス基板上に組成物を塗布する方法が挙げられる。溶媒としては、後述する有機層形成用組成物中に含まれていてもよい溶媒が挙げられる。
また、必要に応じて、ガラス基板と組成物とを接触させた後、特定層が配置されたガラス基板に対して乾燥処理を施してもよい。
また、α線遮蔽剤が無機物（例えば、金属粒子または金属酸化物粒子）である場合、α線遮蔽剤および溶媒を含む組成物が、無機物であるα線遮蔽剤の分散性を高めるための分散剤をさらに含んでいてもよい。組成物が分散剤を含む場合、形成される特定層中に分散剤が残存しないように、ガラス基板と組成物とを接触させた後、形成された塗膜に対して焼成処理を施して、分散剤を分解させて除去してもよい。焼成処理の条件は使用される分散剤の種類によって、最適な条件が選択されるが、３００℃以上の温度で３０分間以上加熱する条件が好ましい。
なお、ガラス基板の一方の主面上に、特定層が形成される。
特定層の厚みは、１５．０±０．１μｍに調整する。
上記積層体に含まれるガラス基板としては、ＥＡＧＬＥ ＸＧ ０．７ｍｍ（コーニング社製）が用いられる。
次に、α線測定装置を用いて、積層体の特定層側におけるα線量Ａ１と、特定層が配置されていないガラス基板のα線量Ａ０とを算出する。
上記α線測定装置としては、ＬＡＣＳ－４０００Ｍ（住友化学社製）を用いる。なお、測定条件は、印加電圧１．９ｋＶ、ＰＲ－１０ガス（アルゴン：メタン＝９：１）２５０ｍＬ／分、有効計数時間２０ｈ、試料面積６００ｃｍ２、係数効率０．８０である。
なお、積層体の特定層側におけるα線量Ａ１を測定する際には、α線測定装置の検出器を特定層と対向する位置に配置して測定する。つまり、α線源であるガラス基板と検出器との間に特定層が位置するようにして、α線量Ａ１の測定を行う。
得られたα線量Ａ０に対するα線量Ａ１の比（Ａ１／Ａ０）を算出して、α線遮蔽能Ｘとする。このα線遮蔽能Ｘの数値が小さいほど、α線遮蔽剤のα線遮蔽性に優れる。
有機層２０の厚みは特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点から、３μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましい。厚みの上限に関しては、装置の低背化の点で、３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。
有機層２０の可視光領域における最低透過率は特に制限されないが、装置中の光電変換部への光の入射しやすさの点から、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、８５％以上であることがさらに好ましく、９０％以上であることが特に好ましく、９５％以上であることが最も好ましい。上限は特に制限されないが、１００％が挙げられる。
なお、上記可視光領域における最低透過率とは、可視光領域（波長４００～７００ｎｍ）における透過率の最低値（％）を意図する。
有機層２０は、上述したように、α線遮蔽能Ｘが０．５０以下であるα線遮蔽剤（以下、「特定α線遮蔽剤」ともいう）を含む。
有機層２０中における特定α線遮蔽剤の含有量は特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、有機層全質量に対して、３０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
有機層２０は、少なくとも有機化合物を含み、無機化合物を含んでいてもよい。有機層２０中における有機化合物の含有量は、取り扱い性の点から、有機層全質量に対して、１５質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
なお、後述するように、特定α線遮蔽剤が無機化合物である場合、上記有機層２０には特定α線遮蔽剤とは別に有機化合物が含まれる。
特定α線遮蔽剤は、有機化合物であっても無機化合物であってもよく、有機化合物が好ましい。
有機化合物としては、α線遮蔽能がより優れる点で、ポリマーが好ましい。
ポリマーの重量平均分子量は特に制限されないが、特定α線遮蔽剤の耐溶剤性および溶解性のバランスがより優れる点で、５，０００～１００，０００が好ましく、７，５００～５０，０００がより好ましい。
本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、測定装置としてＨＬＣ－８２２０（東ソー株式会社製）を用い、カラムとしてＴＳＫｇｅｌ Ｓｕｐｅｒ ＡＷＭ―Ｈ（東ソー株式会社製、６．０ｍｍＩＤ（内径）×１５．０ｃｍ）を用い、溶離液として１０ｍｍｏｌ／Ｌ リチウムブロミドＮＭＰ（Ｎ－メチルピロリジノン）溶液を用いることによって求めることができる。
特定α線遮蔽剤の密度は特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、１．４ｇ／ｃｍ３以上が好ましく、１．５ｇ／ｃｍ３以上がより好ましい。密度の上限は特に制限されないが、６．０ｇ／ｃｍ３以下の場合が多い。
特定α線遮蔽剤の密度は、気相置換法により算出する。具体的には、特定α線遮蔽剤の固体サンプルを用意し、Ｐｅｎｔａｐｙｃ ５２００ｅ（カンタクローム・インスツルメンツ・ジャパン合同会社製）を用いて評価する。
有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、特定α線遮蔽剤は、第１イオン化ポテンシャルが１０００ｋＪ／ｍｏｌ超である原子を含むことが好ましく、第１イオン化ポテンシャルが１５００ｋＪ／ｍｏｌ以上である原子を含むことがより好ましい。上記第１イオン化ポテンシャルの上限値は特に制限されないが、α線遮蔽剤の合成のしやすさの点で、２０００ｋＪ／ｍｏｌ以下が好ましい。
上記原子としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子）、酸素原子、または、窒素原子が好ましく、ハロゲン原子、または、酸素原子がより好ましい。
有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、特定α線遮蔽剤は、共有結合半径に対する電子数の比が１０Å－１超である原子を含むことが好ましく、１５Å－１以上である原子を含むことがより好ましく、共有結合半径に対する電子数の比が２０Å－１以上である原子を含むことがさらに好ましい。上記共有結合半径に対する電子数の比の上限値は特に制限されないが、特定α線遮蔽剤の合成のしやすさの点で、５０Å－１以下が好ましい。
上記原子としては、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子、チタン原子、ガリウム原子、ゲルマニウム原子、ニッケル原子、または、亜鉛原子が好ましい。
有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、特定α線遮蔽剤のイオン化ポテンシャルパラメータ（以下、「ＩＰＰ」ともいう）は、７０００ｋＪ／ｍｏｌÅ（ｋＪ／（ｍｏｌ・Å））以上が好ましく、９０００ｋＪ／ｍｏｌÅ以上がより好ましい。ＩＰＰの上限は特に制限されないが、２５０００ｋＪ／ｍｏｌÅ以下の場合が多い。
特定α線遮蔽剤のＩＰＰとは、特定α線遮蔽剤に含まれる各原子のＩＰＰと、各原子の含有モル比とを掛け合わせた計算値を原子毎に算出して、それらを合計した値である。上記原子のＩＰＰとは、原子の第１イオン化ポテンシャル（ｋＪ／ｍｏｌ）と、原子の共有結合半径（Å）に対する電子数の比とを掛け合わせて得られる値（（原子の第１イオン化ポテンシャル）×（原子の共有結合半径に対する電子数の比）である。
例えば、特定α線遮蔽剤に炭素原子、酸素原子、および、ヨウ素原子が含まれ、それぞれの原子の全原子の合計モル数に対する含有モル比（特定の原子のモル数／全原子の合計モル数）が、０．８、０．１および０．１である場合、上記特定α線遮蔽剤のイオン化ポテンシャルパラメータは以下の式により算出される。
特定α線遮蔽剤のＩＰＰ＝｛（炭素原子のＩＰＰ×０．８）＋（酸素原子のＩＰＰ×０．１）＋（ヨウ素原子のＩＰＰ×０．１）｝
なお、上記原子の第１イオン化ポテンシャルは、化学便覧（基礎編、丸善）の記載の数値を用いる。また、上記原子の共有結合半径は、R.T. Sanderson in Chemical Periodicity, Reinhold, New York, USA, 1962.に記載の数値を用いる。なお、原子の共有結合半径としては、単結合の場合の共有結合半径を用いる。
通常、α線は原子中の電子と衝突して、これを弾き飛ばす（原子をイオン化させる）ことで減衰する。上記ＩＰＰを算出する際の原子の第１イオン化ポテンシャルは電子を弾き飛ばすために必要なエネルギー（原子のイオン化しにくさ）を表し、原子の共有結合半径（Å）に対する電子数の比は電子との衝突頻度を表し、両者の掛け算であるＩＰＰが大きいほど、α線が減衰しやすいことを表す。
なお、特定α線遮蔽剤がポリマーである場合は、各繰り返し単位のＩＰＰを算出して、各繰り返し単位のＩＰＰと、各繰り返し単位の全単位に対する含有モル比とを掛け合わせた計算値を繰り返し単位毎に算出して、それらを合計した値である。
例えば、特定α線遮蔽剤が単位Ａおよび単位Ｂを含むポリマーであり、単位Ａおよび単位Ｂの含有モル比（各単位のモル数／全単位の合計モル数）がそれぞれ０．４および０．６である場合、上記特定α線遮蔽剤のＩＰＰは以下の式により算出される。
特定α線遮蔽剤のＩＰＰ＝｛（単位ＡのＩＰＰ×０．４）＋（単位ＢのＩＰＰ×０．６）｝
なお、単位Ａおよび単位ＢのＩＰＰは、各単位を構成する各原子のＩＰＰと、各原子の含有モル比とを掛け合わせた計算値を原子毎に算出して、それらを合計した値である。
特定α線遮蔽剤の波長５８９．３ｎｍにおける屈折率は特に制限されないが、電子密度の観点で、１．７以上が好ましく、１．８以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、３．０以下の場合が多い。
特定α線遮蔽剤の上記屈折率の測定方法としては、シリコン基板上に特定α線遮蔽剤からなる単膜を形成し、エリプソメーターで測定を行う方法が挙げられる。具体的には、α線遮蔽能Ｘ算出方法と同様の方法で、シリコン基板上に１００ｎｍのα線遮蔽剤からなる層を形成し、エリプソメトリー（ラムダエースＲＥ－３３００（商品名）、大日本スクリーン製造（株））を用いて、得られた層の屈折率を測定し、特定α線遮蔽剤の屈折率とする。
特定α線遮蔽剤は、上述したように、所定のα線遮蔽能Ｘを示すポリマー（以下、単に「特定ポリマー」ともいう）が好ましく、特定ポリマーの密度、ＩＰＰおよび屈折率は、上記好適範囲であることが好ましい。
また、特定ポリマーは、第１イオン化ポテンシャルが１０００ｋＪ／ｍｏｌ超である原子を含むことが好ましい。
また、特定ポリマーは、上述した共有結合半径に対する電子数の比が１０Å－１以上である原子を含むことが好ましい。
特定α線遮蔽剤は、ハロゲン原子を含むことが好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子が挙げられる。
特定α線遮蔽剤中におけるハロゲン原子の含有量は特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、特定α線遮蔽剤全モル量に対して、１０モル％以上が好ましく、１５モル％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが７５モル％以下が好ましい。
特定α線遮蔽剤が特定ポリマーである場合、特定ポリマーはハロゲン原子を含む繰り返し単位（以下、単に「特定単位」ともいう）を含むことが好ましい。
特定単位の構造は特に制限されないが、式（１）で表される単位が好ましい。
Figure 0007034172000001
式（１）中、Ｒ１は、水素原子またはアルキル基を表す。
Ｌは、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、エーテル基（－Ｏ－）、カルボニル基（－ＣＯ－）、エステル基（－ＣＯＯ－）、アミド基（－ＣＯＮＨ－）、チオエーテル基（－Ｓ－）、－ＳＯ２－、－ＮＲＡ－（ＲＡは、水素原子、または、アルキル基を表す。）、２価の炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、および、アリーレン基）、および、これらを組み合わせた基が挙げられる。
Ｘは、ハロゲン原子を有する炭化水素基、または、式（２）で表される基を表す。式（２）中、＊は結合位置を表す。
Figure 0007034172000002
ハロゲン原子を有する炭化水素基としては、例えば、ハロゲン原子を有するアルキル基、ハロゲン原子を有するアルケニル基、ハロゲン原子を有するアルキニル基、ハロゲン原子を有するアリール基、および、これらを組み合わせた基が挙げられる。なかでも、特定ポリマーの合成のしやすさの点で、ハロゲン原子を有するアリール基が好ましい。
Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１～１０が好ましく、１～４がより好ましい。
Ａ－は、ハロゲン原子を含むアニオンを表す。アニオンにはハロゲン原子が含まれていればよく、ハロゲンアニオン（Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、およびＩ－）であってもよい。Ａ－で表されるアニオンとしては、例えば、Ｆ－、Ｃｌ－、Ｂｒ－、Ｉ－、過ハロゲン化ルイス酸のアニオン（例えば、ＰＦ６ －、ＳｂＦ６ －、ＢＦ４ －、ＡｓＦ６ －、および、ＦｅＣｌ４ －）、および、過ハロゲン酸のアニオン（例えば、ＣｌＯ４ －、ＢｒＯ４ －、および、ＩＯ４ －）が挙げられる。
特定ポリマー中における特定単位の含有量は特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、特定ポリマー中の全単位に対して、２５質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％以下の場合が多い。
特定ポリマーは上記特定単位以外の他の単位を含んでいてもよく、ハロゲン原子を含まない単位を含んでいてもよい。
特定α線遮蔽剤が無機化合物である場合、無機化合物としては、密度４．０ｇ／ｃｍ３以上の、金属粒子または金属酸化物粒子（以下、これらを総称して「特定粒子」ともいう）が好ましい。
特定粒子の密度は、４．０～６．０ｇ／ｃｍ３より好ましい。
特定粒子の密度は、上述した気相置換法により算出する。
特定粒子の直径は特に制限されず、５０ｎｍ以下が好ましい。
特定粒子に含まれる金属原子の種類は特に制限されないが、共有結合半径に対する電子数の比が１０Å－１以上である金属原子が好ましい。
特定粒子のＩＰＰは、７０００ｋＪ／ｍｏｌÅ以上が好ましく、より好適な範囲は上述した通りである。
有機層２０は、上述した特定α線遮蔽剤以外の他の成分を含んでいてもよい。
他の成分としては、バインダー樹脂、界面活性剤、着色剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、および、充填剤などが挙げられる。
バインダー樹脂としては、上述したα線遮蔽能Ｘが０．５０超の樹脂であって、公知の樹脂が挙げられる。なお、バインダー樹脂は、後述する有機層２０を形成する際に用いられる有機層形成用組成物中に含まれる重合性化合物が重合して形成される樹脂であってもよい。
バインダー樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル樹脂、（メタ）アクリルアミド樹脂、（メタ）アクリル／（メタ）アクリルアミド共重合体樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、および、ポリイミド樹脂が挙げられる。
バインダー樹脂は、アルカリ可溶性樹脂であってもよい。アルカリ可溶性樹脂とは、アルカリ溶液に溶解する樹脂を意図する。
アルカリ可溶性樹脂の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１９０１６２号パンフレットの段落０１４６～０１６２を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
界面活性剤としては、公知の界面活性剤が挙げられ、例えば、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、および、シリコーン系界面活性剤が挙げられ、フッ素系界面活性剤が好ましい。
フッ素系界面活性剤中のフッ素含有率は、３～４０質量％が好ましく、５～３０質量％がより好ましい。
界面活性剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１９０１６２号パンフレットの段落０２６１～０２６５を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
着色剤としては、公知の着色剤が挙げられ、例えば、白色着色剤、黒色着色剤、および、有彩色着色剤が挙げられる。なお、有彩色着色剤とは、白色着色剤および黒色着色剤以外の着色剤を意味する。
着色剤は、顔料であっても、染料であってもよい。
白色着色剤としては、酸化チタンが挙げられる。
黒色着色剤としては、カーボンブラックおよびチタンブラックが挙げられる。
有彩色着色剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落００６２～００６７を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
紫外線吸収剤としては、公知の紫外線吸収剤が挙げられ、例えば、共役ジエン系化合物が好ましい。
紫外線吸収剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０２２２～０２２５を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
酸化防止剤としては、公知の酸化防止剤が挙げられ、例えば、フェノール化合物、亜リン酸エステル化合物、チオエーテル化合物、および、ヒンダードアミン化合物が挙げられる。
酸化防止剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０２２８～０２３５を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
充填剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０２２７を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
有機層２０の形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
例えば、特定α線遮蔽剤を含む有機層形成用組成物を所定の基材と接触させて、塗膜を形成し、必要に応じて、硬化処理を施す方法が挙げられる。
以下、上記方法の手順について詳述する。
有機層形成用組成物に含まれる特定α線遮蔽剤の形態は、上述した通りである。
有機層形成用組成物中における特定α線遮蔽剤の含有量は特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点から、有機層形成用組成物中の全固形分に対して、３０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
なお、全固形分とは、有機層を形成する成分を意図し、溶媒は含まれない。
有機層形成用組成物は、特定α線遮蔽剤以外の他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、上述したように、バインダー樹脂、界面活性剤、着色剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、および、充填剤が挙げられる。
これら以外にも、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、基板密着剤、および、溶媒が挙げられる。
重合性化合物としては、公知の重合性化合物が挙げられ、例えば、エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物、エポキシ基を有する化合物、および、アルコキシシリル基を有する化合物が挙げられる。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、（メタ）アリル基、および、（メタ）アクリロイル基が挙げられる。
重合性化合物としては、ラジカル重合性化合物が好ましい。
重合性化合物としては、重合性基を複数有する多官能重合性化合物が好ましい。
重合性化合物の具体例としては、ジペンタエリスリトールトリアクリレート（市販品としてはＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ－３３０；日本化薬社製）、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としてはＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ－３２０；日本化薬社製）、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート（市販品としてはＫＡＹＡＲＡＤ Ｄ－３１０；日本化薬社製）、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート（市販品としてはＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ；日本化薬社製、Ａ－ＤＰＨ－１２Ｅ；新中村化学社製）、および、これらの（メタ）アクリロイル基がエチレングリコール残基またはプロピレングリコール残基を介している構造（例えば、サートマー社から市販されている、ＳＲ４５４、ＳＲ４９９）が挙げられる。また、ＮＫエステルＡ－ＴＭＭＴ（ペンタエリスリトールテトラアクリレート、新中村化学社製）、および、ＫＡＹＡＲＡＤ ＲＰ－１０４０（日本化薬社製）も挙げられる。
エポキシ基を有する化合物の具体的な形態としては、特開２０１５－１５１４６７号公報の段落００４３～００７１を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
アルコキシシリル基を有する化合物の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１５８８１９号パンフレットの段落０１３９～０１４１を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
上記以外にも重合性化合物の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１９０１６２号パンフレットの段落０１６８～０１９４を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
有機層形成用組成物中における重合性化合物の含有量は、有機層形成用組成物中の全固形分に対して、０～５０質量％が好ましく、５～４５質量％がより好ましい。
重合開始剤としては、公知の重合開始剤が挙げられ、光重合開始剤が好ましい。
光重合開始剤は、紫外光領域から可視光領域のいずれかの光に対して感光性を有するのが好ましい。
光重合開始剤の種類は、重合性化合物の重合形式によって最適な化合物が選択され、例えば、ラジカル重合を開始する光重合開始剤、および、カチオン重合を開始する光重合開始剤が挙げられる。
光重合開始剤としては、感度がより高い点で、オキシムエステル系重合開始剤（オキシム化合物）が好ましい。オキシムエステル系重合開始剤の市販品としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＯＸＥ０３（ＢＡＳＦ社製）、および、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＯＸＥ０４（ＢＡＳＦ社製）が挙げられる。
重合開始剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１９０１６２号パンフレットの段落０２０６～０２３７を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
有機層形成用組成物中における重合開始剤の含有量は、有機層形成用組成物中の全固形分に対して、０～１０質量％が好ましく、０．５～８質量％がより好ましい。
重合禁止剤としては、公知の重合禁止剤が挙げられ、例えば、フェノール系ヒドロキシル基含有化合物、Ｎ－オキシド化合物、および、ピペリジン１－オキシルフリーラジカル化合物が挙げられる。
重合禁止剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０１９７を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
基板密着剤としては、公知の基板密着剤が挙げられ、例えば、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、および、アルミニウム系カップリング剤が好ましい。
基板密着剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０１９９～０２０８を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
溶媒としては、公知の溶媒が挙げられ、有機溶媒が好ましい。
有機溶媒としては、例えば、エステル類、エーテル類、ケトン類、および、芳香族炭化水素類が挙げられる。
有機溶媒の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０１９０～０１９１を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
なお、溶媒としては、金属含有量の少ない溶媒が好ましく、溶媒の金属含有量は、例えば１０質量ｐｐｂ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｂｉｌｌｉｏｎ）以下であるのが好ましい。必要に応じて質量ｐｐｔ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｔｒｉｌｌｉｏｎ）レベルの溶媒を用いてもよく、そのような高純度溶媒は例えば東洋合成社が提供している（化学工業日報、２０１５年１１月１３日）。
有機層形成用組成物が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の含有量は、有機層形成用組成物中の全量に対して、０．０１～０．１質量％が好ましい。
有機層形成用組成物における有機物の含有量は、全固形分に対して、１５質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
有機層形成用組成物の調製方法は特に制限されず、上述した成分を一括で混合してもよいし、分割して混合してもよい。
なお、上記組成物の調製にあたり、異物の除去および有機層中の欠陥の低減などの目的で、有機層形成用組成物をフィルタでろ過することが好ましい。フィルタとしては、従来からろ過用途に用いられているフィルタであれば特に制限されない。例えば、フッ素樹脂（例えば、ポリテトラフルオロエチレン）、ポリアミド系樹脂（例えば、ナイロン、より具体的には、ナイロン－６およびナイロン－６，６）、および、ポリオレフィン樹脂（例えば、ポリエチレンおよびポリプロピレン）などの素材を用いたフィルタが挙げられる。これら素材の中でも、ポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）またはナイロンが好ましい。
フィルタの孔径は、０．０１～７．０μｍが好ましく、０．０１～３．０μｍがより好ましく、０．０５～０．５μｍがさらに好ましい。フィルタの孔径が上記範囲であれば、微細な異物を確実に除去できる。ファイバ状のろ材を用いることも好ましい。ファイバ状のろ材としては、例えば、ポリプロピレンファイバ、ナイロンファイバ、および、グラスファイバが挙げられる。
フィルタを使用する際、異なるフィルタ（例えば、第１のフィルタと第２のフィルタ）を組み合わせてもよい。その際、各フィルタでのろ過は、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。また、上述した範囲内で異なる孔径のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照できる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社（ＤＦＡ４２０１ＮＸＥＹ）、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社（旧日本マイクロリス株式会社）、および、株式会社キッツマイクロフィルタが提供する各種フィルタの中から選択できる。
有機層形成用組成物と接触する基材としては、例えば、後述するガラス基板が挙げられる。つまり、有機層形成用組成物を用いて、ガラス基板上に有機層を直接形成できる。
なお、基材としていわゆる剥離基材を用いてもよい。
有機層形成用組成物と基材との接触方法は特に制限されず、例えば、基材上に有機層形成用組成物を塗布する方法、および、有機層形成用組成物中に基材を浸漬する方法が挙げられる。
有機層形成用組成物と基材とを接触させた後、必要に応じて、基材上に形成された塗膜に対して、硬化処理を施してもよい。特に、有機層形成用組成物中に重合性化合物が含まれる場合、硬化処理を塗膜に施して、重合性化合物を重合させることが好ましい。
硬化処理としては、例えば、光硬化処理および熱硬化処理が挙げられる。これらの処理の条件は、使用される有機層形成用組成物中の成分の種類に応じて最適な条件が選択される。
また、有機層形成用組成物と基材とを接触させた後、または、硬化処理の後、必要に応じて、塗膜を乾燥する乾燥処理を実施してもよい。
（固体撮像素子）
固体撮像素子１２は、光電変換部で受光して、光電変換を行い、画像信号を出力する素子である。
固体撮像素子１２としては、公知の固体撮像素子を使用できる。固体撮像素子１２においては、通常、光電変換部が複数２次元的に配置されており、後述するカラーフィルタ１４およびマイクロレンズ１６がそれぞれの光電変換部に対応して設けられる。
光電変換部の構成は特に制限されないが、ｐｎ接合により形成された光電変換部が挙げられる。
また、固体撮像素子１２の代表例としては、画像変換部、および、画像変換部の制御を行う制御回路などが形成された半導体基板が挙げられる。半導体基板としては、シリコンで構成されたシリコン基板が挙げられる。
固体撮像素子の具体的な形態としては、特開２０１６－１０２２１１号公報の図２に記載の固体撮像素子、および、特開２０１６－１６８１号公報の図９に記載の固体撮像素子が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
（カラーフィルタ）
カラーフィルタ１４は、固体撮像素子１２とマイクロレンズ１６との間に配置される層である。
図１においては、カラーフィルタ１４は、赤色カラーフィルタ１４Ｒ、緑色カラーフィルタ１４Ｇ、および、青色カラーフィルタ１４Ｂを含む。なお、各色のカラーフィルタは、図示しないブラックマトリックスによって仕切られている。
カラーフィルタ１４としては、公知のカラーフィルタが挙げられる。また、カラーフィルタに含まれる着色剤としても、公知の着色剤が用いられる。
カラーフィルタ１４の具体的な形態としては、特開２０１４－０４３５５６号公報の段落０２１４～０２６３の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
なお、図１の固体撮像装置１０Ａは、赤色カラーフィルタ１４Ｒ、緑色カラーフィルタ１４Ｇ、および、青色カラーフィルタ１４Ｂの３色のカラーフィルタを有しているが、本発明はこの形態には制限されず、他の色のカラーフィルタを有していてもよい。
（マイクロレンズ）
マイクロレンズ１６は、カラーフィルタ１４上に配置され、固体撮像装置１０Ａ内に入射した光を集光する機能を有する。
マイクロレンズ１６の屈折率は特に制限されないが、集光効果がより優れる点で、波長５８９．３ｎｍにおける屈折率は１．７０以上が好ましい。上限は特に制限されないが、３．００以下の場合が多い。
マイクロレンズ１６を構成する樹脂の種類は特に制限されず、公知の樹脂が挙げられる。
（透明樹脂層）
透明樹脂層１８は、マイクロレンズ１６を覆うようにマイクロレンズ１６上に配置される層であり、その表面が平坦化されている。つまり、透明樹脂層１８は、いわゆる平坦化層としての機能も有する。
透明樹脂層１８の屈折率は特に制限されないが、集光効果がより優れる点で、波長５８９．３ｎｍにおける屈折率は１．５０以下が好ましい。下限は特に制限されないが、１．００以上の場合が多い。
透明樹脂層１８を構成する樹脂の種類は特に制限されず、公知の樹脂が挙げられる。
（ガラス基板）
ガラス基板２２は、カバーガラスとして機能する基板であれば、その種類は特に制限されない。
ガラス基板２２を構成する材料としては、例えば、石英ガラスおよびホウ珪酸ガラスが挙げられる。
図１において、透明樹脂層１８と有機層２０とは接触しているが、透明樹脂層１８と有機層２０との間には両者の密着性を高めるために、接着層が配置されていてもよい。
また、図１においては、有機層２０とガラス基板２２とは接触しているが、有機層２０とガラス基板２２との間には両者の密着性を高めるために、接着層が配置されていてもよい。
上記接着層としては、公知の接着層が挙げられる。
なお、上述した有機層２０自体が接着性を有していてもよい。この場合、有機層２０は、α線遮蔽性を有する層として機能すると共に、接着層としても機能する。
また、図１の固体撮像装置１０Ａはマイクロレンズ１６を有しているが、用途に応じて、マイクロレンズ１６および透明樹脂層１８を取り除いてもよい。
また、図１の固体撮像装置１０Ａにおいては、透明樹脂層１８と有機層２０とが接触しているが、所定の固定治具を用いることにより、透明樹脂層１８と有機層２０とを離間させて配置してもよい。この形態においても、用途に応じて、マイクロレンズ１６および透明樹脂層１８を取り除いてもよい。
図１においては、固体撮像装置１０Ａが特定α線遮蔽剤を含む有機層２０を有しているが、本発明はこの形態に制限されず、固体撮像装置中において、α線源であるガラス基板と電子回路である固体撮像素子との間に特定α線遮蔽剤が位置していれば他の形態であってもよい。
例えば、図２に示すように、固体撮像装置１０Ｂは、図示しない光電変換部を有する固体撮像素子１２と、カラーフィルタ１４と、マイクロレンズ１６と、特定α線遮蔽剤を含む透明樹脂層１８Ａと、ガラス基板２２とをこの順で有する。
なお、上記形態において、図１の形態と同様の構成部材には同一の符号を付す。
固体撮像装置１０Ａと固体撮像装置１０Ｂとの違いは、固体撮像装置１０Ｂには有機層２０が含まれておらず、透明樹脂層１８Ａ中に特定α線遮蔽剤が含まれる点が挙げられる。
この形態においては、特定α線遮蔽剤を含む透明樹脂層１８Ａが、本発明の有機層に該当する。つまり、図２における透明樹脂層１８Ａは、有機層および平坦化層の２つの機能を有する。
なお、図２に示す固体撮像装置１０Ｂにおいて、透明樹脂層１８Ａが特定α線遮蔽剤を含む形態であるが、本発明はこの形態に制限されず、例えば、マイクロレンズおよびカラーフィルタの少なくとも一方が特定α線遮蔽剤を含む形態であってもよい。
さらに、本発明の固体撮像装置は、赤外線カットフィルタ、および、赤外線透過フィルタを有する形態であってもよい。
具体的には、図３に示すように、固体撮像装置１０Ｃにおいては、図示しない光電変換部を有する固体撮像素子１２上において、赤外線カットフィルタ２４および赤外線透過フィルタ２６が配置されている。なお、赤外線カットフィルタ２４上にはカラーフィルタ１４が配置されている。さらに、カラーフィルタ１４および赤外線透過フィルタ２６上には、マイクロレンズ１６と、透明樹脂層１８と、特定α線遮蔽剤を含む有機層２０と、ガラス基板２２とがこの順で配置される。
なお、上記形態において、図１の形態と同様の構成部材には同一の符号を付す。
固体撮像装置１０Ａと固体撮像装置１０Ｃとの違いは、固体撮像装置１０Ｃが赤外線カットフィルタ２４および赤外線透過フィルタ２６を有する点が挙げられる。固体撮像装置１０Ｃが赤外線カットフィルタ２４および赤外線透過フィルタ２６を有することにより、固体撮像装置１０Ｃは赤外線に対してもセンシング可能となる。
なお、図３の形態において、赤外線カットフィルタ２４とカラーフィルタ１４との位置が逆に配置されていてもよい。
赤外線カットフィルタ２４の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落００１１～０２８５、および、ＷＯ２０１６／１９０１６２号パンフレットの段落００１５～０２９３、０２９７を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
赤外線透過フィルタ２６の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０２９１～０３０３を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
＜第２実施形態＞
本発明の装置の他の形態としては、電子モジュール（電子部品モジュール）が挙げられる。電子モジュールとは、後述する論理回路、記憶回路、および、通信回路などの電子回路をパッケージ化した部材である。つまり、電子回路が半導体チップなどで構成される場合、電子モジュールは、いわゆる半導体パッケージに該当する。
（実施形態Ａ）
本発明の装置の第２実施形態の一形態を、図４に示す。
図４に示す装置は、電子モジュール３０Ａであり、電子モジュール３０Ａは、電子回路３２Ａと、特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ａと、配線基板３６と、接着層３８と、ボンディングワイヤ４０と、モールド４２と、半田ボール４４とを有する。
電子モジュール３０Ａは、いわゆるワイヤーボンディング構造を有する。
後述するように、モールド４２中にはフィラーが含まれていてもよい。
上記電子モジュール３０Ａにおいては、半田ボール４４およびモールド４２中に含まれ得るフィラーがα線源になり得る。
電子モジュール３０Ａは、半田ボール４４を介して、プリント配線板などに実装される。
以下、電子モジュール３０Ａを構成する各部材について詳述する。
電子回路３２Ａは、いわゆる集積回路に該当し、トランジスタ、抵抗、および、コンデンサなどの複数の素子を用いて形成できる。素子としては、例えば、半導体素子が用いられる。複数の半導体素子を用いて形成された電子回路は、半導体チップとも呼ばれる。
電子回路３２Ａの種類は特に制限されず、例えば、論理回路、記憶回路、および、通信回路が挙げられる。これらの回路の構成も特に制限されず、公知の回路が挙げられる。
電子回路３２Ａには、通常、外部と電気的に接続するための電極（図１中では図示しない）を有する。なお、図４においては、電子回路３２Ａは配線基板３６側とは反対側の表面上に図示しない電極を有し、この電極と後述するボンディングワイヤ４０とが接続する。
有機層３４Ａは、電子回路３２Ａを覆うように配置される層である。有機層３４Ａが配置されることにより、α線源から放出されるα線が電子回路３２Ａに到達することを抑制できる。
ただし、図４においては、電子回路３２Ａの図示しない電極部上には有機層３４Ａは配置されておらず、上述したように、電極部と後述するボンディングワイヤ４０とが接触し、電気的に接続する。
有機層３４Ａは、特定α線遮蔽剤を含む。特定α線遮蔽剤の形態は、上述した通りである。
有機層３４Ａ中における特定α線遮蔽剤の含有量は特に制限されないが、有機層のα線遮蔽性がより優れる点で、有機層全質量に対して、３０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、７０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
有機層３４Ａは、少なくとも有機化合物を含み、無機化合物を含んでいてもよい。有機層３４Ａ中における有機化合物の含有量は、取り扱い性の点から、有機層全質量に対して、１５質量％以上が好ましく、４０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００質量％が挙げられる。
なお、特定α線遮蔽剤が無機化合物である場合、上記有機層３４Ａには特定α線遮蔽剤とは別に有機化合物が含まれる。
有機層３４Ａの厚みは、有機層のα線遮蔽性がより優れる点から、５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がより好ましい。厚みの上限に関しては、放熱性の点で、３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。
有機層３４Ａの形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。例えば、電子回路３２Ａと上述した有機層形成用組成物とを接触させて、必要に応じて硬化処理を施す方法が挙げられる。
なお、電子回路３２Ａと後述するボンディングワイヤ４０との接続性を担保する方法としては、有機層形成用組成物と電子回路３２Ａとを接触させた後に、電子回路３２Ａのボンディングワイヤと接続する電極部上の有機層を除去する方法が挙げられる。除去の方法としては、レーザーを用いる方法が挙げられる。
配線基板３６は、電子回路３２Ａと後述するボンディングワイヤ４０を介して電気的に接続された基板である。
配線基板３６は、通常、電子回路３２Ａと電気的に接続する電極部、後述する半田ボール４４と電気的に接続する電極部、および、回路パターンを少なくとも有する。
回路パターンは、通常、樹脂、ガラス、半導体材料、および、これらの複合材からなる絶縁層と、銅、金、銀、および、アルミニウムなどの金属からなる配線パターンとの積層構造によって構成される。
配線基板３６の構成は、用途に応じて、適宜最適な構成が選択される。
接着層３８は、電子回路３２Ａと配線基板３６との間に配置され、両者の密着性を向上させるための層である。
接着層３８としては、公知の接着層が挙げられる。
ボンディングワイヤ４０は、電子回路３２Ａと配線基板３６とを電気的に接続するためのワイヤである。
ボンディングワイヤ４０を構成する材料は特に制限されず、例えば、金が挙げられる。
ボンディングワイヤ４０の形成方法としては、公知の方法が挙げられる。
モールド４２は、電子回路３２Ａを覆うように配置される部材である。
モールド４２は、通常、樹脂で構成される。モールド４２を作製するために用いられる樹脂の種類は特に制限されないが、エポキシ樹脂が挙げられる。
モールド４２中には、フィラーが含まれていてもよく、フィラーとしてはシリカが挙げられる。上述したように、シリカはα線源となり得る。
半田ボール４４は、配線基板３６と電気的に接続され、配線基板３６の電子回路３２Ａ側の表面とは反対側の表面上に配置される。
半田ボール４４は、配線基板３６の電子回路３２Ａ側の表面とは反対側の表面に配置される電極部（図４においては図示しない）と接触し、電気的に接続する。つまり、半田ボール４４は、配線基板３６およびボンディングワイヤ４０を介して、電子回路３２Ａと電気的に接続している。
半田ボール４４の構成は特に制限されず、公知の半田ボールが挙げられ、例えば、錫、銀、または、銅などを含む半田ボールが挙げられる。上述したように、半田ボール４４は、α線源となり得る。
半田ボール４４の設置方法としては、公知の方法が挙げられ、例えば、配線基板３６の図示しない電極上にフラックスなどを塗布してから、半田ボールを設置して、加熱する方法が挙げられる。
図４においては有機層３４Ａが電子回路３２Ａの略全面（ボンディングワイヤとの接続領域以外の領域）を覆うように配置されているが、本発明はこの形態に制限されず、電子回路の少なくとも一部を覆うように配置されていればよい。
なお、本発明においては、有機層は、電子回路の電極部以外の表面上の少なくとも一部を覆うように配置されることが好ましく、電子回路の電極部以外の表面上全部を覆うように配置されることがより好ましい。
また、図４の電子モジュール３０Ａにおいては、接着層３８およびモールド４２の少なくとも一方がさらに特定α線遮蔽剤を含んでいてもよい。
さらに、図４の電子モジュール３０Ａは特定α線遮蔽剤を含む有機層３４を有するが、電子モジュール中に特定α線遮蔽剤を含む有機層が含まれていればこの形態には制限されない。
例えば、図５に示すように、電子モジュール１３０Ａは、電子回路３２Ａと、配線基板３６と、接着層３８と、ボンディングワイヤ４０と、モールド４２Ａと、半田ボール４４とを有する。電子モジュール３０Ａと電子モジュール１３０Ａとの違いは、電子モジュール１３０Ａには有機層３４Ａが含まれておらず、モールド４２Ａ中に特定α線遮蔽剤が含まれる点が挙げられる。
この形態においては、特定α線遮蔽剤を含むモールド４２Ａが、本発明の有機層に該当する。
なお、図５においては、モールド４２Ａが特定α線遮蔽剤を含む形態であるが、本発明はこの形態に制限されず、例えば、接着層３８が特定α線遮蔽剤を含む形態であってもよい。
（実施形態Ｂ）
本発明の装置の第２実施形態の他の形態を、図６に示す。
図６に示す装置は、電子モジュール３０Ｂであり、電子モジュール３０Ｂは、電子回路３２Ｂと、特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ｂと、配線基板３６と、モールド４２と、半田ボール４４と、バリアメタル部４６と、バンプ４８と、アンダーフィル５０とを有する。
電子モジュール３０Ｂは、いわゆるフリップチップ構造を有する。
上記電子モジュール３０Ｂにおいては、半田ボール４４、バンプ４８、および、モールド４２中に含まれ得るフィラーがα線源になり得る。
電子モジュール３０Ｂは、半田ボール４４を介して、プリント配線板などに実装される。
以下、電子モジュール３０Ｂを構成する各部材について詳述する。なお、電子モジュール３０Ｂ中の部材に関して、電子モジュール３０Ａ中の部材と同一のものに関しては、同一の符号を付して説明を省略する。
電子回路３２Ｂは、電子モジュール３０Ａの電子回路３２Ａと略同様の構成であり、電子回路３２Ｂは配線基板３６側の表面上に図示しない電極部を有する点で電子回路３２Ａとは異なる。なお、その電極部が、後述するバリアメタル部４６と接触している。
有機層３４Ｂは、電子回路３２Ｂを覆う層である。なお、有機層３４Ｂは、図６中、電子回路３２Ｂのバリアメタル部と接触する図示しない電極部上には配置されておらず、配置位置の点で有機層３４Ａと異なる。
有機層３４Ｂは、配位位置の点以外は、有機層３４Ａと同様の構成である。
バリアメタル部４６は、電子回路３２Ｂと後述するバンプ４８との間に配置される部材である。
バリアメタル部４６を構成する金属原子の種類は特に制限されないが、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、および、Ｗが挙げられる。
バンプ４８は、電子回路３２Ｂと配線基板３６との間に配置され、両者を電気的に接続するための電極部材である。
バンプ４８の形成方法は特に制限されないが、半田ボールを用いる方法が好ましい。
バンプ４８を構成する金属原子の種類は特に制限されないが、例えば、錫、銀、および、銅が挙げられる。
バンプ４８の形成方法は特に制限されず、公知の方法が挙げられる。
なお、バンプ４８は、上述したように、α線源となり得る。特に、バンプ４８が半田ボールを用いて形成された半田バンプの場合、バンプ４８はα線源として作用しやすい。
アンダーフィル５０は、電子回路３２Ｂと配線基板３６との間に配置され、両者の密着性を向上させる部材である。
アンダーフィル５０は、通常、樹脂で構成される。アンダーフィルを作製するために用いられる樹脂の種類は特に制限されないが、エポキシ樹脂が挙げられる。
図６においては有機層３４Ｂが電子回路３２Ｂの略全面（バリアメタル部４６との接続領域以外の領域）を覆うように配置されているが、本発明はこの形態に制限されず、電子回路３２Ｂの少なくとも一部を覆うように配置されていればよい。
また、図６の電子モジュール３０Ｂにおいては、モールド４２およびアンダーフィル５０の少なくとも一方がさらに特定α線遮蔽剤を含んでいてもよい。
さらに、図６の電子モジュール３０Ｂは特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ｂを有するが、電子モジュール中に特定α線遮蔽剤を含む有機層が含まれていればこの形態には制限されない。
例えば、図７に示すように、電子モジュール１３０Ｂは、電子回路３２Ｂと、配線基板３６と、モールド４２Ｂと、半田ボール４４と、バリアメタル部４６と、バンプ４８と、アンダーフィル５０とを有する。電子モジュール３０Ｂと電子モジュール１３０Ｂとの違いは、電子モジュール１３０Ｂには有機層３４Ｂが含まれておらず、モールド４２Ｂ中に特定α線遮蔽剤が含まれる点が挙げられる。
この形態においては、特定α線遮蔽剤を含むモールド４２Ｂが、本発明の有機層に該当する。
なお、図７においては、モールド４２Ｂが特定α線遮蔽剤を含む形態であるが、本発明はこの形態に制限されず、例えば、アンダーフィルが特定α線遮蔽剤を含む形態であってもよい。
（実施形態Ｃ）
本発明の装置の第２実施形態の他の形態を、図８に示す。
図８に示す装置は、電子モジュール３０Ｃであり、電子モジュール３０Ｃは、電子回路３２Ｃと、特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ｃと、半田ボール４４と、電磁波シールド層５２とを有する。
電子モジュール３０Ｃは、いわゆるファンインウエハレベルパッケージ構造を有する。
上記電子モジュール３０Ｃにおいては、半田ボール４４がα線源になり得る。
電子モジュール３０Ｃは、半田ボール４４を介して、プリント配線板などに実装される。
以下、電子モジュール３０Ｃを構成する各部材について詳述する。なお、電子モジュール３０Ｃ中の部材に関して、電子モジュール３０Ａ中の部材と同一のものに関しては、同一の符号を付して説明を省略する。
電子回路３２Ｃは、電子モジュール３０Ａの電子回路３２Ａと略同様の構成であり、電子回路３２Ｃは半田ボール４４側の表面上に図示しない電極部を有する点で電子回路３２Ａとは異なる。なお、その電極部で後述する半田ボール４４と接触している。
なお、図８においては、電子回路３２Ｃ中の図示しない電極部と半田ボール４４とが接触しているが、この形態に制限されず、両者が電気的に接続されていれば、他の部材が含まれていてもよい。例えば、両者の間には、いわゆる再配線層が配置されていてもよい。つまり、電子回路３２Ｃの表面上には再配線層が配置され、再配線層を介して電子回路３２Ｃと半田ボール４４とが電気的に接続していてもよい。
なお、再配線層は、電子回路の電極部を再配線する役割を果たす。再配線層を形成する材料としては、銅、アルミニウム、銀、錫、および、金などの導電性物質が挙げられる。なお、再配線層は、電子回路上に配置された絶縁層上に埋め込まれる形で配置されていてもよい。
有機層３４Ｃは、電子回路３２Ｃを覆う層である。なお、有機層３４Ｃは、図８中、電子回路３２Ｃの半田ボール４４と接触する図示しない電極部上には配置されておらず、配置位置の点で有機層３４Ａと異なる。
有機層３４Ｃは、配位位置の点以外は、有機層３４Ａと同様の構成である。
電磁波シールド層５２は、電磁波を遮蔽する機能を有する層であり、電子回路３２Ｃを覆うように配置されている。なお、半田ボール４４のプリント配線板との接触性を担保するため、通常、電磁波シールド層５２は、半田ボール４４上には配置されない。
電磁波シールド層５２を構成する材料は特に制限されず、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、および、ステンレス鋼などの金属が挙げられる。
図８の電子モジュール３０Ｃは電磁波シールド層５２を有するが、本発明はこの形態に制限されず、電磁波シールド層は電子モジュール中に配置されていなくてもよい。
また、図８において、電磁波シールド層５２と、有機層３４Ｃとの積層順は逆でもよい。
さらに、図８の電子モジュール３０Ｃは特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ｃを有するが、電子モジュール中に特定α線遮蔽剤を含む有機層が含まれていればこの形態には制限されない。例えば、電子モジュールが、特定α線遮蔽剤と電磁波シールド剤とを含む有機層で電子回路を覆う形態を有していてもよい。この場合、有機層が、α線遮蔽層および電磁波シールド層の両者の役割を果たす。
（実施形態Ｄ）
本発明の装置の第２実施形態の他の形態を、図９に示す。
図９に示す装置は、電子モジュール３０Ｄであり、電子モジュール３０Ｄは、電子回路３２Ｄと、特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ｄと、モールド４２と、半田ボール４４と、再配線層５４とを有する。
電子モジュール３０Ｄは、いわゆるファンアウトウエハレベルパッケージ構造を有する。なお、ファンアウトウエハレベルパッケージ構造においては、モールド４２Ｄを配置して、再配線層５４をモールド４２Ｄ上にも配置することにより、半田ボール４４を電子回路３２Ｄの面上以外の位置に配置できる。
以下、電子モジュール３０Ｄを構成する各部材について詳述する。なお、電子モジュール３０Ｄ中の部材に関して、電子モジュール３０Ａ中の部材と同一のものに関しては、同一の符号を付して説明を省略する。
電子回路３２Ｄは、電子モジュール３０Ａの電子回路３２Ａと略同様の構成であり、電子回路３２Ｄは半田ボール４４側の表面上に図示しない電極部を有する点で電子回路３２Ａとは異なる。なお、その電極部が、再配線層５４を介して半田ボール４４と電気的に接続している。
有機層３４Ｄは、電子回路３２Ｄを覆う層である。なお、有機層３４Ｄは、電子回路３２Ｄの再配線層５４と接触する図示しない電極部上には配置されておらず、配置位置の点で有機層３４Ａと異なる。
有機層３４Ｄは、配位位置の点以外は、有機層３４Ａと同様の構成である。
再配線層５４は、電子回路３２Ｄの図示しない電極部を再配線する役割を果たす。つまり、電子回路３２Ｄの図示しない電極部と半田ボール４４とは再配線層５４を介して電気的に接続する。
再配線層５４を形成する材料としては、銅、アルミニウム、銀、錫、および、金などの導電性物質が挙げられる。
なお、再配線層５４は、電子回路上に配置された絶縁層上に埋め込まれる形で配置されていてもよい。
図９においては、モールド４２が電子回路３２Ｄの再配線層５４側の表面以外の面を覆うように配置されているが、本発明はこの形態に制限されず、電子回路の面上に以外の領域に再配線層を形成できれば他の形態であってもよい。例えば、図１０に示す電子モジュール１３０Ｄのように、電子回路３２Ｄの再配線層５４側の表面および再配線層５４側とは反対側の表面以外の面を覆うようにモールド４２が配置されていてもよい。
また、図９においては有機層３４Ｄが電子回路３２Ｄの略全面（再配線層５４と電気的に接続するための電極部以外の領域）を覆うように配置されているが、本発明はこの形態に制限されず、電子回路３２Ｄの少なくとも一部を覆うように配置されていればよい。また、有機層は、電子回路を覆う以外の位置（例えば、モールドと再配線層との間）に、さらに配置されていてもよい。
また、図９の電子モジュール３０Ｄにおいては、モールド４２がさらに特定α線遮蔽剤を含んでいてもよい。
さらに、図９の電子モジュール３０Ｄは特定α線遮蔽剤を含む有機層３４Ｄを有するが、電子モジュール中に特定α線遮蔽剤を含む有機層が含まれていればこの形態には制限されない。
例えば、図１１に示すように、電子モジュール２３０Ｄは、電子回路３２Ｄと、モールド４２Ｄと、半田ボール４４と、再配線層５４とを有する。電子モジュール２３０Ｄと電子モジュール３０Ｄとの違いは、電子モジュール２３０Ｄには有機層３４Ｄが含まれておらず、モールド４２Ｄ中に特定α線遮蔽剤が含まれる点が挙げられる。
この形態においては、特定α線遮蔽剤を含むモールド４２Ｄが、本発明の有機層に該当する。
また、図９の電子モジュール３０Ｄにおいては、さらに、電磁波シールド層を有していてもよい。電磁波シールド層の配置位置は特に制限されないが、モールドを覆うように最外側に配置されている形態が好ましい。
以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す実施例により制限的に解釈されるべきものではない。
＜α線遮蔽剤＞
後述する実施例においては、表１に記載の材料を用いた。なお、各ポリマーは、公知の方法により合成した。
なお、表１中、「第１イオン化ポテンシャル」欄の「原子の種類」は、α線遮蔽剤中の最も第１イオン化ポテンシャルの値が大きい原子を示す。
また、表１中、「電子数／共有結合半径」は、α線遮蔽剤中の最も電子数／共有結合半径の値が大きい原子を示す。
Figure 0007034172000003
表１中のα線遮蔽剤は、以下の方法に従ってα線遮蔽能Ｘを算出して、以下基準に従って評価した。
まず、α線遮蔽剤１～７を用いた、膜付きガラス基板の作製方法を以下に示す。
（α線遮蔽剤１～４、６～７）
各α線遮蔽剤をＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）にそれぞれ溶解させて、濃度４０質量％のα線遮蔽剤溶液をそれぞれ作製した。
次に、後述する加熱後の膜の膜厚が１５．０μｍになるように、ガラス基板（ＥＡＧＬＥ ＸＧ ０．７ｍｍ：コーニング社製）上に各α線遮蔽剤溶液をスピンコート法で塗布して、塗膜を形成した。
次に、ホットプレートを用いて、１００℃にて３０分間塗膜を加熱し、膜付きガラス基板を得た。
（α線遮蔽剤５）
α線遮蔽剤５と、分散剤であるＳｏｌｓｐｅｒｓｅ３６０００と、ＰＧＭＥＡとを、それぞれ３０：１８：６２の質量比で混合し、ペイントシェーカーにより分散することで、α線遮蔽剤溶液を作製した。
後述する加熱後の膜の膜厚が１５．０μｍになるように、ガラス基板（ＥＡＧＬＥ ＸＧ ０．７ｍｍ：コーニング社製）上にα線遮蔽剤分散溶液をスピンコート法で塗布して、塗膜を形成した。
次に、ホットプレートを用いて、３５０℃にて３０分間塗膜を加熱し、膜付きガラス基板を得た。
得られた膜付き基板および未塗布のガラス基板について、低レベルα線測定装置（ＬＡＣＳ－４０００Ｍ：住友化学社製）を用いてα線量を測定した。なお、膜付き基板に関しては、膜と対向する位置に検出器を配置してα線量を測定した。つまり、ガラス基板より放出されるα線が膜を透過した際のα線量を測定した。
膜付き基板のα線量Ａ１と、未塗布のガラス基板のα線量Ａ０とを用いて、α線遮蔽能Ｘである比（Ａ１／Ａ０）を算出して、以下の基準で評価した。
５：Ａ１／Ａ０が０．０１以下
４：Ａ１／Ａ０が０．０１超０．２５以下
３：Ａ１／Ａ０が０．２５超０．５０以下
２：Ａ１／Ａ０が０．５０超０．７５以下
１：Ａ１／Ａ０が０．７５超
＜実施例Ａ＞
表１に記載のα線遮蔽剤を用いて、以下の組成に従って各成分を混合した後、孔径０．４５μｍのナイロン製フィルタ（日本ポール（株）製）でろ過して、組成物１～７をそれぞれ作製した。なお、各α線遮蔽剤の番号に合わせて、組成物の番号を付す。例えば、α線遮蔽剤１を用いて形成された組成物を組成物１と称する。
表１に記載のα線遮蔽剤 ３２質量部
重合性化合物：Ａ－ＴＭＭＴ（新中村化学社製） １０質量部
光重合開始剤：ＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＯＸＥ０１ ３質量部
界面活性剤：メガファックＦ－７８１Ｆ ０．０３質量部
溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ４４．９７質量部
製膜後の膜厚が１５．０μｍになるように、ガラス基板上に上記で作製した各組成物をスピンコート法で塗布して、塗膜を形成した。
次に、ホットプレートを用いて、１００℃にて２分間塗膜を加熱した。次に、ＵＶ（ultraviolet） Ｃｕｒｅ装置（ウシオ電機製）を用いて２０Ｊ／ｃｍ２の露光量で塗膜を全面露光し、有機層付きガラス基板を得た。
得られた有機層付きガラス基板を用いて、公知の固体撮像素子と組み合わせて、図１に示す固体撮像装置を作製した。
得られた固体撮像装置について、画像の取り込み試験を行い、α線によるノイズの影響を評価した。
所定のα線遮蔽能Ｘを示すα線遮蔽剤１～５をそれぞれ含む組成物１～５を用いた場合と、所定のα線遮蔽能Ｘを示さないα線遮蔽剤６～７をそれぞれ含む組成物６～７を用いた場合とを比較すると、組成物１～５を用いた場合に、α線に起因するノイズが低減されていた。
（可視光透過性）
分光測定機（ＭＣＰＤ３７００：大塚電子製）を用いて、未塗布のガラス基板をリファレンスとして、得られた膜付き基板について４００～７００ｎｍの最低透過率を測定して、膜付き基板中の膜の最低透過率を求めて、以下の基準に沿って評価した。
５：４００～７００ｎｍの最低透過率が９５％より大きい
４：４００～７００ｎｍの最低透過率が９５％以下、９０％より大きい
３：４００～７００ｎｍの最低透過率が９０％以下、７０％より大きい
２：４００～７００ｎｍの最低透過率が７０％以下、５０％より大きい
１：４００～７００ｎｍの最低透過率が５０％以下
＜実施例Ｂ＞
上述した組成物１～７をそれぞれ用いて、図４に示す有機層３４Ａを形成し、電子モジュールを作製した。
得られた電子モジュールを用いて、ソフトエラーの評価を実施ししたところ、組成物１～５を用いた場合と、組成物６～７を用いた場合とを比較すると、組成物１～５を用いた場合に、ソフトエラーが明らかに低減されていた。
１０Ａ，１０Ｂ、１０Ｃ 固体撮像装置
１２ 固体撮像素子
１４ カラーフィルタ
１４Ｒ 赤色カラーフィルタ
１４Ｇ 緑色カラーフィルタ
１４Ｂ 青色カラーフィルタ
１６ マイクロレンズ
１８，１８Ａ 透明樹脂層
２０ α線遮蔽層
２２ ガラス基板
２４ 赤外線カットフィルタ
２６ 赤外線透過フィルタ
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｄ，２３０Ｄ 電子モジュール
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ 電子回路
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ 有機層
３６ 配線基板
４０ ボンディングワイヤ
４２，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｄ モールド
４４ 半田ボール
４６ バリアメタル部
４８ バンプ
５０ アンダーフィル
５２ 電磁波シールド層
５４ 再配線層

Claims (16)

  1. α線源と、
    α線により影響を受ける電子回路と、
    α線遮蔽剤を含む有機層と、を有し、
    前記α線遮蔽剤のイオン化ポテンシャルパラメータが７０００ｋＪ／ｍｏｌÅ以上であって、
    以下の方法で算出される前記α線遮蔽剤のα線遮蔽能Ｘが０．５０以下である、装置。α線遮蔽能Ｘ算出方法：ガラス基板と前記ガラス基板表面上に配置された前記α線遮蔽剤からなる層とを有する積層体、および、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板を準備して、α線測定装置を用いて、前記積層体の前記α線遮蔽剤からなる層側におけるα線量Ａ１と、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板のα線量Ａ０とを算出して、前記α線量Ａ０に対する前記α線量Ａ１の比であるα線遮蔽能Ｘを算出する。
  2. α線源と、
    α線により影響を受ける電子回路と、
    α線遮蔽剤を含む有機層と、を有し、
    前記α線遮蔽剤の波長５８９．３ｎｍにおける屈折率が１．７以上であって、
    以下の方法で算出される前記α線遮蔽剤のα線遮蔽能Ｘが０．５０以下である、装置。α線遮蔽能Ｘ算出方法：ガラス基板と前記ガラス基板表面上に配置された前記α線遮蔽剤からなる層とを有する積層体、および、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板を準備して、α線測定装置を用いて、前記積層体の前記α線遮蔽剤からなる層側におけるα線量Ａ１と、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板のα線量Ａ０とを算出して、前記α線量Ａ０に対する前記α線量Ａ１の比であるα線遮蔽能Ｘを算出する。
  3. 前記α線遮蔽剤が、ポリマーである、請求項１または２に記載の装置。
  4. 前記α線遮蔽剤がハロゲン原子を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の装置。
  5. α線源と、
    α線により影響を受ける電子回路と、
    α線遮蔽剤を含む有機層と、を有し、
    前記α線遮蔽剤が、下記式（１）で表される繰り返し単位を含むポリマーであって、
    以下の方法で算出される前記α線遮蔽剤のα線遮蔽能Ｘが０．５０以下である、装置。α線遮蔽能Ｘ算出方法：ガラス基板と前記ガラス基板表面上に配置された前記α線遮蔽剤からなる層とを有する積層体、および、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板を準備して、α線測定装置を用いて、前記積層体の前記α線遮蔽剤からなる層側におけるα線量Ａ１と、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板のα線量Ａ０とを算出して、前記α線量Ａ０に対する前記α線量Ａ１の比であるα線遮蔽能Ｘを算出する。
    Figure 0007034172000004
     式（１）中、Ｒ １ は、水素原子またはアルキル基を表す。
    式（１）中、Ｌは、単結合または２価の連結基を表す。
    式（１）中、Ｘは、ハロゲン原子を有する炭化水素基、または、式（２）で表される基を表す。
    Figure 0007034172000005
     式（２）中、＊は結合位置を表す。
    Ａ － は、ハロゲン原子を含むアニオンを表す。
  6. 前記α線遮蔽剤のイオン化ポテンシャルパラメータが７０００ｋＪ／ｍｏｌÅ以上である、請求項２または５に記載の装置。
  7. 前記α線遮蔽剤の波長５８９．３ｎｍにおける屈折率が１．７以上である、請求項１または５に記載の装置。
  8. 前記α線遮蔽剤の密度が、１．４ｇ／ｃｍ３以上である、請求項１～７のいずれか１項に記載の装置。
  9. 前記α線源がガラス基板であり、
    前記電子回路が光電変換部を含む固体撮像素子であり、
    前記α線源と前記電子回路との間に前記有機層が配置され、
    固体撮像装置として機能する、請求項１～８のいずれか１項に記載の装置。
  10. 前記有機層の膜厚が２０μｍ以下である、請求項９に記載の装置。
  11. 前記有機層の可視光領域における最低透過率が７０％以上である、請求項９または１０に記載の装置。
  12. 前記電子回路が、論理回路、記憶回路、および、通信回路からなる群から選択される１種であり、
    電子モジュールとして機能する、請求項１～８のいずれか１項に記載の装置。
  13. 前記電子回路と電気的に接続された半田ボール、
    前記電子回路と電気的に接続された半田バンプ、および、
    前記電子回路の少なくとも一部を覆う、フィラーを含むモールド、からなる群から選択される少なくとも１つをさらに有し、
    前記α線源が、前記半田ボール、前記半田バンプ、および、前記フィラーの少なくとも１つである、請求項１２に記載の装置。
  14. 全固形分中における有機物の含有量が１５質量％以上であり、
    前記有機物が、以下の方法で算出されるα線遮蔽能Ｘが０．５０以下のα線遮蔽剤を含み、前記α線遮蔽剤のイオン化ポテンシャルパラメータが７０００ｋＪ／ｍｏｌÅ以上である、有機層形成用組成物。
    α線遮蔽能Ｘ算出方法：ガラス基板と前記ガラス基板表面上に配置された前記α線遮蔽剤からなる層とを有する積層体、および、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板を準備して、α線測定装置を用いて、前記積層体の前記α線遮蔽剤からなる層側におけるα線量Ａ１と、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板のα線量Ａ０とを算出して、前記α線量Ａ０に対する前記α線量Ａ１の比であるα線遮蔽能Ｘを算出する。
  15. 全固形分中における有機物の含有量が１５質量％以上であり、
    前記有機物が、以下の方法で算出されるα線遮蔽能Ｘが０．５０以下のα線遮蔽剤を含み、前記α線遮蔽剤の波長５８９．３ｎｍにおける屈折率が１．７以上である、有機層形成用組成物。
    α線遮蔽能Ｘ算出方法：ガラス基板と前記ガラス基板表面上に配置された前記α線遮蔽剤からなる層とを有する積層体、および、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板を準備して、α線測定装置を用いて、前記積層体の前記α線遮蔽剤からなる層側におけるα線量Ａ１と、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板のα線量Ａ０とを算出して、前記α線量Ａ０に対する前記α線量Ａ１の比であるα線遮蔽能Ｘを算出する。
  16. 全固形分中における有機物の含有量が１５質量％以上であり、
    前記有機物が、以下の方法で算出されるα線遮蔽能Ｘが０．５０以下のα線遮蔽剤を含み、前記α線遮蔽剤が、下記式（１）で表される繰り返し単位を含むポリマーである、有機層形成用組成物。
    α線遮蔽能Ｘ算出方法：ガラス基板と前記ガラス基板表面上に配置された前記α線遮蔽剤からなる層とを有する積層体、および、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板を準備して、α線測定装置を用いて、前記積層体の前記α線遮蔽剤からなる層側におけるα線量Ａ１と、前記α線遮蔽剤からなる層が配置されていない前記ガラス基板のα線量Ａ０とを算出して、前記α線量Ａ０に対する前記α線量Ａ１の比であるα線遮蔽能Ｘを算出する。
    Figure 0007034172000006
     式（１）中、Ｒ １ は、水素原子またはアルキル基を表す。
    式（１）中、Ｌは、単結合または２価の連結基を表す。
    式（１）中、Ｘは、ハロゲン原子を有する炭化水素基、または、式（２）で表される基を表す。
    Figure 0007034172000007
     式（２）中、＊は結合位置を表す。
    Ａ － は、ハロゲン原子を含むアニオンを表す。
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