WO2021153588A1

WO2021153588A1 - α線遮蔽膜形成用組成物、α線遮蔽膜、積層体、半導体装置

Info

Publication number: WO2021153588A1
Application number: PCT/JP2021/002760
Authority: WO
Inventors: 哲志宮田; 恭平荒山; 憲文横山
Original assignee: 富士フイルム株式会社
Priority date: 2020-01-30
Filing date: 2021-01-27
Publication date: 2021-08-05
Also published as: CN115210328A; CN115210328B; TW202136412A; JPWO2021153588A1; KR20220121858A

Abstract

本発明の課題は、α線遮蔽能の経時安定性に優れるα線遮蔽膜形成用組成物を提供することである。また、本発明の他の課題は、上記α線遮蔽膜形成用組成物を硬化してなるα線遮蔽膜、並びに、上記α線遮蔽膜を含む積層体及び半導体装置を提供することである。　本発明のα線遮蔽膜形成用組成物は、熱硬化性基を含む化合物と、酸無水物基を含む化合物とを含む。

Description

α線遮蔽膜形成用組成物、α線遮蔽膜、積層体、半導体装置

　本発明は、α線遮蔽膜形成用組成物、α線遮蔽膜、積層体、及び、半導体装置に関する。

　電子回路を含む装置は、種々の用途に適用されている。例えば、装置の一例として、固体撮像素子（電子回路に該当）を含む固体撮像装置が挙げられる。
　一方で、電子回路を含む装置においては、装置中のα線源から放出されるα線の影響を受けてソフトエラーを起こす場合がある。例えば、固体撮像装置においては、カバーガラスがα線放出性原子を含む場合があり、電子回路である固体撮像素子が一過性の誤作動を引き起こす場合がある。
　例えば、特許文献１では、ガラス基板（α線源に該当）と、α線遮蔽能が所定数値範囲にあるα線遮蔽剤を含む有機層と、光電変換部を含む固体撮像素子とがこの順に配置された固体撮像装置を開示している。

国際公開第２０１９／０９３２４５号

　一方で、固体撮像装置等の装置に配置される上記有機層は、通常、永久膜として使用されるため、硬化膜であることが望まれる。

　特許文献１では、上記有機層を形成するための有機層形成用組成物中に、重合性化合物（特に、ラジカル重合性化合物）を含んでいてもよい旨を開示している。今般、本発明者らは、特許文献１に記載された有機層形成用組成物を参照してα線遮蔽膜形成用組成物を調製して検討したところ、重合性化合物を含むα線遮蔽膜形成用組成物を長期間保管した後に使用した場合、得られるα線遮蔽膜のα線遮蔽性が、調製直後のα線遮蔽膜形成用組成物により形成されたα線遮蔽膜のα線遮蔽性と比べて著しく劣化する場合があることを知見した。すなわち、α線遮蔽膜形成用組成物のα線遮蔽能の経時安定性（以下「α線遮蔽能安定性」ともいう。）をさらに改善する余地があることを明らかとした。

　そこで、本発明は、α線遮蔽能の経時安定性に優れるα線遮蔽膜形成用組成物を提供することを課題とする。
　また、本発明は、上記α線遮蔽膜形成用組成物を硬化してなるα線遮蔽膜、並びに、上記α線遮蔽膜を含む積層体及び半導体装置を提供することを課題とする。

　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。

　〔１〕　熱硬化性基を含む化合物と、酸無水物基を含む化合物とを含むか、又は、
　熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物を含む、α線遮蔽膜形成用組成物。
　〔２〕　熱硬化性基を含む化合物と、酸無水物基を含む化合物とを含む、〔１〕に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　〔３〕　上記酸無水物基を含む化合物の融点が、４５℃以下である、〔１〕又は〔２〕に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　〔４〕　上記酸無水物基を含む化合物が、酸無水物基を２個以上含む、〔１〕～〔３〕のいずれかに記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　〔５〕　上記酸無水物基を含む化合物を２種以上含む、〔１〕～〔４〕のいずれかに記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　〔６〕　上記酸無水物基を含む化合物が、後述する一般式（ＹＡ４－１）で表される化合物を含む、〔１〕～〔５〕のいずれかに記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　〔７〕　上記熱硬化性基を含む化合物及び上記酸無水物基を含む化合物のうち少なくとも一方が、樹脂であるか、又は、
　更に、その他の樹脂を含む、〔２〕に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　〔８〕　上記熱硬化性基を含む化合物が下記樹脂Ａ１であるか、
　上記酸無水物基を含む化合物が下記樹脂Ｂ１であるか、
　上記熱硬化性基を含む化合物が下記樹脂Ａ１であり、且つ、上記酸無水物基を含む化合物が下記樹脂Ｂ１であるか、又は、
　上記その他の樹脂が下記樹脂Ｃ１である、〔７〕に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　樹脂Ａ１：フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上であり、且つ、熱硬化性基を含む樹脂。
　樹脂Ｂ１：フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上であり、且つ、酸無水物基を含む樹脂。
　樹脂Ｃ１：フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上である樹脂。
　〔９〕　上記熱硬化性基を含む化合物が下記樹脂Ａ２であるか、
　上記酸無水物基を含む化合物が下記樹脂Ｂ２であるか、
　上記熱硬化性基を含む化合物が下記樹脂Ａ２であり、且つ、上記酸無水物基を含む化合物が下記樹脂Ｂ２であるか、又は、
　上記その他の樹脂が下記樹脂Ｃ２である、〔７〕に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　樹脂Ａ２：酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上であり、且つ、熱硬化性基を含む樹脂。
　樹脂Ｂ２：酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上であり、且つ、酸無水物基を含む樹脂。
　樹脂Ｃ２：酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上である樹脂。
　〔１０〕　熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物を含む、〔１〕に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　〔１１〕　上記熱硬化性基及び無水物基を含む化合物が樹脂であるか、又は、
　更に、その他の樹脂を含む、〔１０〕に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　〔１２〕　上記熱硬化性基及び無水物基を含む化合物が下記樹脂Ｄ１であるか、
　上記その他の樹脂が下記樹脂Ｃ１である、〔１１〕に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　樹脂Ｄ１：フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上であり、且つ、熱硬化性基及び酸無水物基を含む樹脂。
　樹脂Ｃ１：フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上である樹脂。
　〔１３〕　上記熱硬化性基及び無水物基を含む化合物が下記樹脂Ｄ２であるか、
　上記その他の樹脂が下記樹脂Ｃ２である、〔１１〕に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　樹脂Ｄ２：酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上であり、且つ、熱硬化性基及び酸無水物基を含む樹脂。
　樹脂Ｃ２：酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上である樹脂。
　〔１４〕　上記熱硬化性基が、オキシラニル基及びオキセタニル基から選ばれる、〔１〕～〔１３〕のいずれかに記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　〔１５〕　更に、溶媒を含む、〔１〕～〔１４〕のいずれかに記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　〔１６〕　固形分濃度が、２０～８０質量％である、〔１〕～〔１５〕のいずれかに記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　〔１７〕　〔１〕～〔１６〕のいずれかに記載のα線遮蔽膜形成用組成物を硬化して形成されるα線遮蔽膜。
　〔１８〕　可視光に対して透明である基材と、上記基材上に配置された〔１７〕に記載のα線遮蔽膜とを有する積層体。
　〔１９〕　α線源である基材と、上記基材上に配置された〔１７〕に記載のα線遮蔽膜とを有する積層体。
　〔２０〕　上記基材が、ガラス基材又は樹脂基材である、〔１９〕に記載の積層体。
　〔２１〕　上記基材が、色材を含む、〔１８〕又は〔１９〕に記載の積層体。
　〔２２〕　〔１７〕に記載のα線遮蔽膜又は〔１８〕～〔２１〕のいずれかに記載の積層体を含む、半導体装置。
　〔２３〕　α線源と、
　〔１７〕に記載のα線遮蔽膜と、
　固体撮像素子と、を有し、
　上記α線源と上記固体撮像素子との間に上記α線遮蔽膜が配置されている、半導体装置。

　本発明によれば、α線遮蔽能の経時安定性に優れるα線遮蔽膜形成用組成物を提供できる。
　また、本発明によれば、上記α線遮蔽膜形成用組成物を硬化してなるα線遮蔽膜、並びに、上記α線遮蔽膜を含む積層体及び半導体装置を提供できる。

半導体装置の一例（第２－１実施形態の半導体装置）を示す断面模式図である。半導体装置の一例（第２－２実施形態の半導体装置）を示す断面模式図である。 α線遮蔽能の経時安定性（α線遮蔽能安定性）の評価方法を説明するための模式図である。面内均一性の評価方法を説明するための模式図である。

　以下、本発明について詳細に説明する。
　以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
　なお、本明細書において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　本明細書における基（原子団）の表記において、置換又は無置換を記していない表記は、置換基を有していない基と共に置換基を有する基をも含む。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも含む。
　本明細書中における「有機基」とは、炭素原子を１つ以上含む基を意図する。
　また、本明細書において、オキシラニル基は、エポキシ基とも呼ばれる官能基であり、例えば、飽和炭化水素環基の隣接する炭素原子２つがオキソ基（－Ｏ－）により結合してオキシラン環を形成している基等もオキシラニル基に含む。オキシラニル基は、可能な場合、置換基（メチル基等）を有していてもよい。
　本明細書において「（メタ）アクリル」とは、アクリル及びメタクリルを含む総称であり、「アクリル及びメタクリルの少なくとも１種」を意味する。同様に「（メタ）アクリロイル」とは、「アクリロイル及びメタクリロイル少なくとも１種」を意味する。また同様に、「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種」を意味する。
　本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、測定装置としてＨＬＣ－８３２０（東ソー株式会社製）を用い、カラムとしてＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＨＺＭ－Ｍ（東ソー株式会社製、６．０ｍｍＩＤ（内径）×１５．０ｃｍ）を用い、溶離液としてテトラヒドロフラン溶液を用いることによって求めることができる（なお、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算量である）。

［α線遮蔽膜形成用組成物］
　本発明のα線遮蔽膜形成用組成物（以下「組成物」ともいう。）は、
　熱硬化性基を含む化合物（以下「特定熱硬化性化合物」ともいう。）と、酸無水物基を含む化合物（以下「特定酸無水物」ともいう。）と、を含む組成物Ｃ１であるか、又は、
　熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物（以下「特定酸無水物基含有硬化性化合物」ともいう。）を含む組成物Ｃ２である。

　上記構成を有する本発明の組成物は、α線遮蔽能安定性に優れる。つまり、本発明の組成物は、長期間保管後に使用された場合であっても、調製直後の組成物により形成されたα線遮蔽膜と比べても遜色のないα線遮蔽性を示すα線遮蔽膜（硬化膜）を形成できる。

　上記構成と効果との作用機序は明らかではないが、例えば、組成物Ｃ１を例に挙げて説明すると、組成物が硬化剤として酸無水物基を含む化合物を含むことで、上記効果が発現していると推測される。
　また、通常、α線は原子中の電子と衝突して、これを弾き飛ばす（原子をイオン化させる）ことで減衰する。したがって、第１イオン化ポテンシャルが高い原子ほど、α線遮蔽性が高いと推測される。組成物Ｃ１は酸無水物基を含む化合物を含むことから、組成物Ｃ１により形成されるα線遮蔽膜は、第１イオン化ポテンシャルが比較的高い酸素原子が含まれる。この結果として、組成物Ｃ１は、α線遮蔽膜形成用組成物として適用し得る。

　なお、組成物Ｃ２についても、上述の効果が同様に発現することを確認している。
　組成物Ｃ２についても、組成物Ｃ１と同様、特定酸無水物基含有硬化性化合物中に含まれる酸無水物基に起因した作用機構によって上述した効果が発現したと推測される。

　以下において、組成物Ｃ１及び組成物Ｃ２の順で、本発明の組成物について説明する。

〔組成物Ｃ１〕
＜熱硬化性基を含む化合物＞
　組成物Ｃ１は、熱硬化性基を含む化合物（特定熱硬化性化合物）を含む。
　熱硬化性基としては特に制限されず、オキシラニル基及びオキセタニル基等が挙げられる。熱硬化性基としては、なかでも、形成されるα線遮蔽膜の面内均一性及び耐溶剤性がより優れる点で、オキシラニル基が好ましい。なお、オキシラニル基及びオキセタニル基は、可能な場合、置換基（例えばアルキル基）を有していてもよい。

　特定熱硬化性化合物としては、熱硬化性基を含む樹脂（以下「特定熱硬化性樹脂」ともいう。）であっても、熱硬化性基を含む低分子化合物であってもよいが、形成されるα線遮蔽膜の耐溶剤性がより優れる点で、特定熱硬化性樹脂であるのが好ましい。

（熱硬化性基を含む樹脂（特定熱硬化性樹脂））
　以下において、特定熱硬化性樹脂について詳述する。
　特定熱硬化性樹脂の重量平均分子量は特に制限されず、例えば、２，０００超であり、α線遮蔽膜のα線遮蔽性及び耐溶剤性がより優れる点で、５，０００～１００，０００が好ましく、７，５００～５０，０００がより好ましい。

　特定熱硬化性樹脂としては、熱硬化性基を含む繰り返し単位（以下「繰り返し単位ＸＡ」ともいう。）を含むのが好ましい。
　繰り返し単位ＸＡの構造は特に制限されず、例えば、下記一般式（ＸＡ１）で表される繰り返し単位（以下「繰り返し単位ＸＡ１」ともいう。）であるのが好ましい。

　上記一般式中、Ｒ^Ａ１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
　Ｒ^Ａ１で表されるアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、及び、環状のいずれであってもよい。
　Ｒ^Ａ１で表されるアルキル基の炭素数としては、例えば１～１０であり、１～６が好ましく、１～３がより好ましい。
　Ｒ^Ａ１が有していてもよい置換基としては特に制限されないが、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、水酸基又はハロゲン原子が好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及び、ヨウ素原子が挙げられ、なかでも、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、フッ素原子が好ましい。

　Ｌ^Ａ１は、単結合又は２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、エーテル基（－Ｏ－）、カルボニル基（－ＣＯ－）、エステル基（－ＣＯＯ－）、アミド基（－ＣＯＮＨ－）、チオエーテル基（－Ｓ－）、－ＳＯ_２－、－ＮＲ^Ｔ－（Ｒ^Ｔは、水素原子又はアルキル基を表す。）、２価の炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、及び、アリーレン基）、及び、これらを組み合わせた基が挙げられる。
　Ｌ^Ａ１としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、－ＣＯＯ－、又は、＊１－ＣＯＯ－２価の炭化水素基－＊２であるのが好ましく、－ＣＯＯ－、又は、＊１－ＣＯＯ－ＣＨ_２－＊２であるのがより好ましく、＊１－ＣＯＯ－ＣＨ_２－＊２であるのが更に好ましい。なお、＊１は、主鎖との結合位置を表し、＊２は、Ｘとの結合位置を表す。
　なお、２価の炭化水素基は、置換基を有していてもよい。置換基としては特に制限されないが、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、水酸基又はハロゲン原子が好ましい。
　上記２価の炭化水素基の炭素数としては特に制限されないが、例えば、１～１０であり、１～６が好ましく、１～３がより好ましい。
　また、上記２価の炭化水素基としては、アルキレン基が好ましい。上記アルキレン基としては、直鎖状、分岐鎖状、及び、環状のいずれであってもよいが、直鎖状又は分岐鎖状が好ましい。

　Ｘは、熱硬化性基を表す。熱硬化性基としては既述のとおりである。

　特定熱硬化性樹脂中、繰り返し単位ＸＡの含有量の下限値としては特に制限されないが、例えば、５質量％以上であり、上限値としては特に制限されないが、例えば、９５質量％以下である。
　特定熱硬化性樹脂中、繰り返し単位ＸＡの含有量としては、形成されるα線遮蔽膜の耐溶剤性がより優れる点で、全繰り返し単位に対して、５～７０質量％であるのが好ましい。また、特定熱硬化性樹脂中、繰り返し単位ＸＡの含有量としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽能がより優れる点で、全繰り返し単位に対して、５～４０質量％であるのがより好ましい。特定熱硬化性樹脂中、繰り返し単位ＸＡの含有量としては、なかでも、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽能及び耐溶剤性がより優れる点で、全繰り返し単位に対して、１０～４０質量％であるのが更に好ましい。
　なお、特定熱硬化性樹脂中、繰り返し単位ＸＡは、１種単独で含まれていても、２種以上を併用して含まれていてもよい。

　特定熱硬化性樹脂は、上記繰り返し単位ＸＡ以外のその他の繰り返し単位ＸＢ（以下「繰り返し単位ＸＢ」ともいう。）を含んでいてもよい。
　上記繰り返し単位ＸＢの構造は特に制限されず、例えば、下記一般式（ＸＢ１）で表される繰り返し単位（以下「繰り返し単位ＸＢ１」ともいう。）が好ましい。

　上記一般式中、Ｒ^Ａ２は、一般式（ＸＡ１）中のＲ^Ａ１と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｌ^Ａ２は、単結合、又は、エーテル基（－Ｏ－）、カルボニル基（－ＣＯ－）、エステル基（－ＣＯＯ－）、アミド基（－ＣＯＮＨ－）、チオエーテル基（－Ｓ－）、－ＳＯ_２－、及び、ＮＲ^Ｔ－（Ｒ^Ｔは、水素原子又はアルキル基を表す。）からなる群より選ばれる２価の連結基を表す。
　Ｌ^Ａ２としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、エステル基（－ＣＯＯ－）であるのが好ましい。

　Ｒ^Ａ３は、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
　Ｒ^Ａ３で表されるアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、及び、環状のいずれであってもよいが、α線遮蔽能安定性がより優れる点で、直鎖状又は分岐鎖状であるのが好ましい。
　また、Ｒ^Ａ３で表されるアルキル基中の－ＣＨ_２－がヘテロ原子（例えば、－Ｏ－及び－ＣＯ－等）で置換されていてもよい。
　Ｒ^Ａ３で表されるアルキル基の炭素数としては、例えば、１～２０であり、１～１２が好ましく、１～６がより好ましい。
　Ｒ^Ａ３が有していてもよい置換基としては特に制限されず、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、水酸基又はハロゲン原子が好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられ、なかでも、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、フッ素原子が好ましい。なお、Ｒ^Ａ３がフッ素原子を有するアルキル基である場合、パーフルオロアルキル基であってもよい。

　形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性及び面内均一性がより優れる点で、Ｒ^Ａ３で表されるアルキル基は、－ＣＨ_２－がヘテロ原子で置換されていないことが好ましい。

　Ｒ^Ａ３としては、なかでも、水酸基を有していてもよい、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、又は、ヘキシル基が好ましい。

　特定熱硬化性樹脂中、繰り返し単位ＸＢ１の含有量の下限値としては特に制限されず、例えば、５質量％以上であり、上限値としては特に制限されず、例えば、９５質量％以下である。
　特定熱硬化性樹脂中、繰り返し単位ＸＢ１の含有量としては、全繰り返し単位に対して、３０～９５質量％であるのが好ましく、６０～９５質量％であるのがより好ましく、６０～９０質量％であるのが更に好ましい。
　なお、特定熱硬化性樹脂中、繰り返し単位ＸＢ１は、１種単独で含まれていても、２種以上を併用して含まれていてもよい。

　特定熱硬化性樹脂としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点、及び、合成が容易である点で、特定熱硬化性樹脂の繰り返し単位のすべてが、（メタ）アクリロイル系繰り返し単位であるのが好ましい。

　特定熱硬化性樹脂としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、フッ素原子又は酸素原子が多く導入されていることが好ましく、フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位（以下「特定繰り返し単位ＦＯ」ともいう。）を樹脂中の全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上であり、且つ、熱硬化性基を含む樹脂（以下「樹脂Ａ１」ともいう。）であるのが好ましい。上記特定繰り返し単位ＦＯの含有量としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、樹脂中の全繰り返し単位に対して７０質量％以上であるのがより好ましい。上限は特に制限されないが１００質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましい。

　特定熱硬化性樹脂としては、なかでも、α線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位（以下「特定繰り返し単位Ｏ」ともいう。）を、樹脂中の全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の合計含有量が２５質量％以上であり、且つ、熱硬化性基を含む樹脂（以下「樹脂Ａ２」ともいう。）であるのが好ましい。上記特定繰り返し単位Ｏの含有量としては、α線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、樹脂中の全繰り返し単位に対して７０質量％以上であるのがより好ましい。上限は特に制限されないが１００質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましい。

　特定熱硬化性樹脂としては、合成が容易である点で、（メタ）アクリル酸メチルと（メタ）アクリル酸グリシジルの共重合体であるのも好ましい。

（熱硬化性基を含む低分子化合物）
　以下において、熱硬化性基を含む低分子化合物について詳述する。
　熱硬化性基を含む低分子化合物の分子量としては、例えば、２０００以下が好ましい。
　熱硬化性基を含む低分子化合物は、分子中に熱硬化性基を１個含んでいればよいが、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、分子中に熱硬化性基を２個以上含んでいることが好ましい。

　熱硬化性基を含む低分子化合物の構造としては特に制限されないが、熱硬化性基を有する脂環式化合物（すなわち、熱硬化性基を有し、且つ分子内に脂環構造を有する化合物。以下「特定熱硬化性脂環式化合物」ともいう。）であるのが好ましく、オキシラニル基を有する化合物であるのがより好ましく、エポキシシクロヘキシル基を有する化合物であるのが更に好ましい。
　特定熱硬化性脂環式化合物としては、なかでも、下記一般式（ＸＣ）で表される化合物が好ましい。

　一般式中、Ｌ^Ｂ１は、２価の連結基を表す。
　Ｌ^Ｂ１で表される２価の連結基としては、上述した一般式（ＸＡ１）中のＬ^Ａ１と同義である。Ｌ^Ｂ１としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、エステル基（－ＣＯＯ－）、エーテル基（－Ｏ－）、及び、アルキレン基（直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。）からなる群より選ばれる１種又は２種以上を組み合わせてなる基が好ましい。なお、アルキレン基の炭素数としては、例えば、１～１００であり、１～６０が好ましく、１～２０がより好ましい。また、アルキレン基は、置換基を有していてもよい。置換基としては特に制限されないが、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、水酸基又はハロゲン原子が好ましい。

　Ｒ^Ｂ１及びＲ^Ｂ２は、各々独立に、炭素数１～４のアルキル基を表し、メチル基が好ましい。
　Ｐ^Ｂ１及びＰ^Ｂ２は、各々独立に、０～３の整数を表し、０又は１が好ましい。

　特定熱硬化性脂環式化合物としては、下記一般式（ＭＣ－１）～（ＭＣ－８）で表される化合物、ビス（３，４－エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル、１，２－ビス（３，４－エポキシシクロヘキサン－１－イル）エタン、１，２－エポキシ－１，２－ビス（３，４－エポキシシクロヘキサン－１－イル）エタン、及び、２，２－ビス（３，４－エポキシシクロヘキサン－１－イル）プロパン等が挙げられる。
　なお、下記一般式（ＭＣ－５）中のｌ及び（ＭＣ－７）中のｍは、各々、１～１０の整数を表す。下記一般式（ＭＣ－５）中のＲは、炭素数１～８のアルキレン基を表す。

　組成物Ｃ１中、特定熱硬化性化合物の含有量の下限値としては、全固形分量に対して、形成されるα線遮蔽膜の耐溶剤性がより優れる点で、５質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましく、１５質量％以上が更に好ましい。特定熱硬化性化合物の含有量の上限値としては、全固形分量に対して、例えば、８０質量％以下が好ましい。
　なお、本明細書において、「固形分」とは、組成物中の溶剤を除いた成分を意図し、溶剤以外の成分であれば液状成分であっても固形分とみなす。
　また、特定熱硬化性化合物は、１種で使用してもよいし、複数併用してもよい。

＜酸無水物基を含む化合物＞
　組成物Ｃ１は、酸無水物基を含む化合物（特定酸無水物）を含む。
　なお、酸無水物基とは、＊－ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－＊（＊は、結合位置を表す）を含む１価の置換基を意図する。
　上記酸無水物基としては、例えば、Ｒ－ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－Ｒ（上記式中、Ｒは有機基を表し、Ｒ同士が互いに結合して環を形成していてもよい。）から水素原子を１つ除くことにより形成される基が挙げられる。酸無水物基の一例としては、無水コハク酸及び無水フタル酸等の酸無水物から水素原子を１つ除くことにより形成される基が挙げられる。
　特定酸無水物としては、分子中に酸無水物基を１個含んでいればよいが、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点、及び／又は、耐溶剤性により優れる点で、分子中に酸無水物基を２個以上含んでいることが好ましい。
　特定酸無水物の融点は、α線遮蔽能安定性がより優れる点で、４５℃以下が好ましく、１０℃以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、－１００℃以上が好ましい。

　特定酸無水物は、酸無水物基を含む低分子化合物であっても、酸無水物基を含む樹脂（以下「特定酸無水物基含有樹脂」ともいう。）であってもよい。
　特定酸無水物としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、特定酸無水物基含有樹脂であるのが好ましい。

（酸無水物基を含む低分子化合物）
　以下において、酸無水物基を含む低分子化合物について詳述する。
　酸無水物基を含む低分子化合物の分子量としては、例えば、２０００以下が好ましい。
　酸無水物基を含む低分子化合物は、分子中に酸無水物基を１個含んでいればよいが、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、分子中に酸無水物基を２個以上含んでいることが好ましい。
　酸無水物基を含む低分子化合物としては特に制限されず、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、トリアルキルメチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、ビフェニルテトラカルボン酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、下記一般式（ＹＡ１）～（ＹＡ４）で表される化合物等が挙げられる。
　酸無水物基を含む低分子化合物としては、なかでも、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、下記一般式（ＹＡ１）～（ＹＡ４）で表される化合物が好ましく、下記一般式（ＹＡ４－１）で表される化合物がより好ましく、下記一般式（ＹＡ５）で表される化合物が更に好ましい。

　上記一般式中、Ｒ^Ｃ１～Ｒ^Ｃ４は、各々独立に、水素原子、メチル基、カルボキシ基、又は、水酸基を表す。実線と破線からなる二重線は、単結合又は二重結合を表す。

　上記一般式中、Ｒ^Ｃ５～Ｒ^Ｃ８は、各々独立に、水素原子、メチル基、カルボキシ基、又は、水酸基を表す。Ｒ^Ｃ５～Ｒ^Ｃ８としては、水素原子が好ましい。Ｌ^Ｃ１は、炭素数１～３の鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基を表す。

　上記一般式中、Ｒ^Ｃ９は、炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基を表す。
　Ｒ^Ｃ９で表される炭素数１～２０の脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１～１２の脂肪族炭化水素基であるのが好ましい。上記脂肪族炭化水素基としては、なかでも、直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基又はアルケニル基であるのが好ましい。

　上記一般式中、Ｚは、酸無水物基を表す。Ｌ^Ｃ２は、炭素原子を２個以上含むｎ価の連結基を表す。ｎは、２～４の整数を表す。

　Ｚで表される酸無水物基としては、例えば、無水フタル酸基、無水コハク酸基、無水マレイン酸基、無水シトラコン酸基、無水クエン酸基、及び、上述した一般式（ＹＡ１）又は（ＹＡ２）で表される化合物から誘導される基を表す。一般式（ＹＡ１）で表される化合物から誘導される基とは、一般式（ＹＡ１）で表される化合物中のＲ^Ｃ１～Ｒ^Ｃ４のうちの一つが結合手を表す基である。また、一般式（ＹＡ２）で表される化合物から誘導される基とは、一般式（ＹＡ２）で表される化合物中のＲ^Ｃ５～Ｒ^Ｃ８のうちの一つが結合手を表す基である。つまり、例えば、一般式（ＹＡ１）で表される化合物中のＲ^Ｃ２が結合手を表す場合、一般式（ＹＡ１）で表される化合物から誘導される基は、下記構造に該当する。

　Ｌ^Ｃ２は、炭素原子を２個以上含むｎ価の連結基を表す。
　上記ｎ価の連結基としては、例えば、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－ＮＲ^Ｔ－（Ｒ^Ｔは、水素原子又はアルキル基を表す。）、脂肪族炭化水素基（アルキレン基、アルケニレン基、又は、アルキニレン基）、芳香族炭化水素基、及びこれらを組み合わせた基等が挙げられる。
　上記脂肪族炭化水素基及び上記芳香族炭化水素基は、更に置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、上述した酸無水物基等が挙げられる。

　上記一般式中、Ｚ^Ｃ１及びＺ^Ｃ２は、各々独立して、酸無水物基を表す。Ｌ^Ｃ２は、炭素原子を２個以上含む２価の連結基を表す。

　Ｚ^Ｃ１及びＺ^Ｃ２としては、上述した一般式（ＹＡ４）中のＺと同義であり、好適態様も同じである。

　Ｌ^Ｃ２は、炭素原子を２個以上含む２価の連結基を表す。
　上記２価の連結基としては、例えば、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－ＮＲ^Ｔ－（Ｒ^Ｔは、水素原子又はアルキル基を表す。）、２価の脂肪族炭化水素基（アルキレン基、アルケニレン基、又は、アルキニレン基）、及び、これらを組み合わせた基が挙げられる。
　上記２価の脂肪族炭化水素基は、更に置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、上述した酸無水物基（例えば、上述した一般式（ＹＡ４）中のＺで表される酸無水物基）等が挙げられる。
　上記２価の連結基としては、硬化性がより優れる点で、－Ｏ－、－ＣＯ－、又は、－ＣＯＯ－を含んでいてもよい、直鎖状又は分岐鎖状の総炭素数２～１２のアルキレン基が好ましく、－Ｏ－、－ＣＯ－、又は、－ＣＯＯ－を含んでいてもよい、直鎖状又は分岐鎖状の総炭素数４～１２のアルキレン基がより好ましい。
　なお、Ｌ^Ｃ２で表される２価の連結基は、炭素原子を２個以上含むことで、炭素原子を１個の場合と比較してより自由度が高い。この結果として、形成されるα線遮蔽安定性がより優れる。

　なかでも、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、上記一般式（ＹＡ４－１）で表される化合物は、下記一般式（ＹＡ５）で表される化合物であるのが好ましい。

　上記一般式中、Ｚ^Ｃ３及びＺ^Ｃ４は、各々独立に、上述した一般式（ＹＡ１）又は（ＹＡ２）で表される化合物から誘導される基を表す。
　上記一般式（ＹＡ５）で表される化合物としては、例えば、エチレングリコールビス無水トリメリット酸、グリセロールトリス無水トリメリット酸、及び、下記構造の化合物等が挙げられる。

（酸無水物基を含む樹脂（特定酸無水物基含有樹脂））
　以下において、特定酸無水物基含有樹脂について詳述する。
　特定酸無水物基含有樹脂の重量平均分子量は特に制限されず、例えば、２，０００超であり、α線遮蔽膜のα線遮蔽性及び耐溶剤性がより優れる点で、５，０００～５００，０００が好ましく、７，５００～１００，０００がより好ましい。

　特定酸無水物基含有樹脂としては、酸無水物基を含む繰り返し単位（以下「繰り返し単位ＹＢ」ともいう。）を含むのが好ましい。
　樹脂中、酸無水物基は、側鎖に含まれていても、主鎖に含まれていてもよい。
　繰り返し単位ＹＢとしては、例えば、下記一般式（ＹＢ１）で表される繰り返し単位（以下「繰り返し単位ＹＢ１」ともいう。）、及び、イタコン酸無水物から誘導される繰り返し単位（下記一般式（ＹＢ２）で表される構造が該当する。）が挙げられる。

　上記一般式中、Ｒ^Ａ４及びＬ^Ａ３は、各々、一般式（ＸＡ１）中のＲ^Ａ１及びＬ^Ａ１と同義であり、好適態様も同じである。
　Ｙは、酸無水物基を表す。
　Ｙで表される酸無水物基としては、上述した一般式（ＹＡ４－１）中のＺ^Ｃ１及びＺ^Ｃ２で表される酸無水物基と同義であり、好適態様も同じである。

　特定酸無水物基含有樹脂脂中、繰り返し単位ＹＢの含有量の下限値としては特に制限されないが、例えば、５質量％以上であり、上限値としては特に制限されないが、例えば、９５質量％以下である。
　特定酸無水物基含有樹脂脂中、繰り返し単位ＹＢの含有量としては、形成されるα線遮蔽膜の耐溶剤性がより優れる点で、全繰り返し単位に対して、５～７０質量％であるのが好ましく、１０～４０質量％であるのがより好ましい。
　なお、特定酸無水物基含有樹脂脂中、繰り返し単位ＹＢは、１種単独で含まれていても、２種以上を併用して含まれていてもよい。

　また、特定酸無水物基含有樹脂は、酸無水物基を含む繰り返し単位以外のその他の繰り返し単位（以下「繰り返し単位ＹＣ」ともいう。）を含んでいてもよい。
　上記その他の繰り返し単位ＹＣの構造は特に制限されず、例えば、上述した一般式（ＸＢ１）で表される繰り返し単位（繰り返し単位ＸＢ１）と同様のものが挙げられる。
　特定酸無水物基含有樹脂中、繰り返し単位ＹＣの含有量の下限値としては特に制限されず、例えば、５質量％以上であり、上限値としては特に制限されず、例えば、９５質量％以下である。
　特定酸無水物基含有樹脂中、繰り返し単位ＹＣの含有量としては、全繰り返し単位に対して、３０～９５質量％であるのが好ましく、６０～９５質量％であるのがより好ましく、６０～９０質量％であるのが更に好ましい。
　なお、特定酸無水物基含有樹脂中、繰り返し単位ＹＣは、１種単独で含まれていても、２種以上を併用して含まれていてもよい。

　特定酸無水物基含有樹脂としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、フッ素原子又は酸素原子が多く導入されていることが好ましく、フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位（以下「特定繰り返し単位ＦＯ’」ともいう。）を樹脂中の全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上であり、且つ、酸無水物基を含む樹脂（以下「樹脂Ｂ１」ともいう。）であるのが好ましい。上記特定繰り返し単位ＦＯ’の含有量としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、樹脂中の全繰り返し単位に対して７０質量％以上であるのがより好ましい。なお、上限値としては特に制限されないが、例えば、１００質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましい。

　特定酸無水物基含有樹脂としては、なかでも、α線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位（以下「特定繰り返し単位Ｏ’」ともいう。）を、樹脂中の全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上であり、且つ、酸無水物基を含む樹脂（以下「樹脂Ｂ２」ともいう。）であるのが好ましい。上記特定繰り返し単位Ｏ’の含有量としては、α線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、樹脂中の全繰り返し単位に対して７０質量％以上であるのがより好ましい。なお、上限値としては特に制限されないが、例えば、１００質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましい。

　なお、特定酸無水物としては、特許公報３－００８６５２号に記載された酸無水物も使用できる。

　組成物Ｃ１中、特定酸無水物の含有量の下限値としては、全固形分量に対して、例えば１質量％以上であり、形成されるα線遮蔽膜の耐溶剤性がより優れる点で、５質量％以上が好ましい。特定酸無水物の含有量の上限値としては、全固形分量に対して、例えば、７０質量％以下であり、α線遮蔽安定性がより優れる点で、６０質量％以下が好ましく、５０質量％以下がより好ましい。形成されるα線遮蔽膜の面内均一性とα線遮蔽能安定性とがより優れる点で、５～５０質量％が特に好ましい。
　また、特定酸無水物は、１種で使用してもよいし、複数併用してもよい。なかでも、α線遮蔽能安定性がより優れる点で、２種以上を併用するのが好ましい。

　組成物Ｃ１中、特定熱硬化性化合物中の熱硬化性基と特定酸無水物中の酸無水物基との当量比は、１０／１～１／１０であるのが好ましく、７．５／１～１／５であるのがより好ましい。

＜その他の成分＞
　組成物Ｃ１は、その他の成分を含んでいてもよい。
　その他の成分としては、上述した特定熱硬化性樹脂及び上述した特定酸無水物基含有樹脂以外のその他の樹脂、界面活性剤、着色剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、充填剤、溶媒、及び、基板密着材等が挙げられる。なお、上記その他の樹脂は、特定熱硬化性樹脂及び特定酸無水物基含有樹脂には該当しない樹脂であり、すなわち、熱硬化性基及び酸無水物基をいずれも有さない樹脂である。

（その他の樹脂）
　上記その他の樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル樹脂、（メタ）アクリルアミド樹脂、（メタ）アクリル／（メタ）アクリルアミド共重合体樹脂、ポリスチレン樹脂、及び、ポリイミド樹脂が挙げられる。
　上記その他の樹脂は、アルカリ可溶性樹脂であってもよい。アルカリ可溶性樹脂とは、アルカリ溶液に溶解する樹脂を意図する。
　上記その他の樹脂の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１９０１６２号パンフレットの段落０１４６～０１６２を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

　また、上記その他の樹脂としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、フッ素原子又は酸素原子が多く導入された樹脂であるのが好ましい。なかでも、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位（以下「特定繰り返し単位ＦＯ’’」ともいう。）を樹脂中の全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、且つ、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上である樹脂（以下「樹脂Ｃ１」ともいう。）であるのが好ましい。上記特定繰り返し単位ＦＯ’’の含有量としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、樹脂中の全繰り返し単位に対して７０質量％以上であるのがより好ましい。なお、上限値としては特に制限されないが、例えば、１００質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましい。

　上記その他の樹脂としては、なかでも、α線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位（以下「特定繰り返し単位Ｏ’’」ともいう。）を、樹脂中の全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上である樹脂（以下「樹脂Ｃ２」ともいう。）であるのが好ましい。上記特定繰り返し単位Ｏ’’の含有量としては、α線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、樹脂中の全繰り返し単位に対して７０質量％以上であるのがより好ましい。なお、上限値としては特に制限されないが、例えば、１００質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましい。

　上記その他の樹脂の重量平均分子量としては特に制限されないが、α線遮蔽膜のα線遮蔽性及び耐溶剤性がより優れる点で、５，０００～１００，０００が好ましく、７，５００～５０，０００がより好ましい。

　組成物Ｃ１が上記その他の樹脂を含む場合、上記その他の樹脂の含有量は、組成物の全固形分に対して、例えば、1～９０質量％であり、１０～８０質量％が好ましい。

（界面活性剤）
　界面活性剤としては、公知の界面活性剤が挙げられ、例えば、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、及び、シリコーン系界面活性剤が挙げられ、形成されるα線遮蔽膜の面内均一性がより優れる点で、フッ素系界面活性剤が好ましい。
　フッ素系界面活性剤中のフッ素含有率は、３～４０質量％が好ましく、５～３０質量％がより好ましい。
　界面活性剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１９０１６２号パンフレットの段落０２６１～０２６５を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

　組成物Ｃ１が界面活性剤を含む場合、形成されるα線遮蔽膜の面内均一性がより優れる点で、界面活性剤の含有量は、組成物の全質量に対して、０．０００１～０．００１０質量％が好ましく、０．０００３～０．０００５質量％がより好ましい。

（着色剤）
　着色剤としては、公知の着色剤が挙げられ、例えば、白色着色剤、黒色着色剤、及び、有彩色着色剤が挙げられる。なお、有彩色着色剤とは、白色着色剤及び黒色着色剤以外の着色剤を意味する。
　着色剤は、顔料であっても、染料であってもよい。
　白色着色剤としては、酸化チタンが挙げられる。
　黒色着色剤としては、カーボンブラック及びチタンブラックが挙げられる。
　有彩色着色剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落００６２～００６７を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

（紫外線吸収剤）
　紫外線吸収剤としては、公知の紫外線吸収剤が挙げられ、例えば、共役ジエン系化合物が好ましい。
　紫外線吸収剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０２２２～０２２５を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

（酸化防止剤）
　酸化防止剤としては、公知の酸化防止剤が挙げられ、例えば、フェノール化合物、亜リン酸エステル化合物、チオエーテル化合物、及び、ヒンダードアミン化合物が挙げられる。
　酸化防止剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０２２８～０２３５を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

（充填剤）
　充填剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０２２７を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

（溶媒）
　溶媒としては、公知の溶媒が挙げられ、有機溶媒が好ましい。
　有機溶媒としては、例えば、エステル類、エーテル類、ケトン類、及び、芳香族炭化水素類が挙げられる。
　有機溶媒の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０１９０～０１９１を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　なお、溶媒としては、金属含有量の少ない溶媒が好ましく、溶媒の金属含有量は、例えば１０質量ｐｐｂ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｂｉｌｌｉｏｎ）以下であるのが好ましい。必要に応じて質量ｐｐｔ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｔｒｉｌｌｉｏｎ）レベルの溶媒を用いてもよく、そのような高純度溶媒は例えば東洋合成社が提供している（化学工業日報、２０１５年１１月１３日）。

　有機溶媒としては、プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、又はγ－ブチロラクトンが好ましい。

　プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、及びプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。

　プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、及びプロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）等が挙げられる。

　プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとプロピレングリコールモノアルキルエーテルとの混合溶媒とする場合、混合比（「プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート／プロピレングリコールモノアルキルエーテル」：質量基準）としては、６０／４０～８５／１５の範囲が好ましい。

（基板密着剤）
　基板密着剤としては、公知の基板密着剤が挙げられ、例えば、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、及び、アルミニウム系カップリング剤が好ましい。
　基板密着剤の具体的な形態としては、ＷＯ２０１６／１８６０５０号パンフレットの段落０１９９～０２０８を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

＜組成物Ｃ１の調製＞
　組成物Ｃ１における固形分の含有量としては、形成されるα線遮蔽膜の面内均一性がより優れる点で、２０質量％以上が好ましく、３５質量％以上がより好ましく、４０質量％以上が更に好ましい。また、上限値としては、形成されるα線遮蔽膜の面内均一性がより優れる点で、８０質量％以下が好ましく、６０質量％がより好ましく、５０質量％が更に好ましい。
　組成物Ｃ１における固形分の含有量としては、形成されるα線遮蔽膜の面内均一性がより優れる点で、なかでも、２０～８０質量％がより好ましく、３５～６０質量％がより好ましく、４０～６０質量％が特に好ましく、４０～５０質量％が特に好ましい。
　組成物Ｃ１の調製方法は特に制限されず、上述した成分を一括で混合してもよいし、分割して混合してもよい。
　なお、上記組成物の調製にあたり、異物の除去及びα線遮蔽膜中の欠陥の低減等の目的で、組成物をフィルタでろ過することが好ましい。フィルタの種類及びろ過方法としては、ＷＯ２０１９／０９３２４５号パンフレットの段落００５２～００５３を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。

（組成物Ｃ１の好適形態）
　組成物Ｃ１の好適形態としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性能及び／又は耐溶剤性がより優れる点で、熱硬化性基を含む化合物及び酸無水物基を含む化合物のうち少なくとも一方が樹脂である形態（形態Ｅ１）、又は、熱硬化性基を含む化合物及び酸無水物基を含む化合物以外に、更にその他の樹脂（特定熱硬化性樹脂及び特定酸無水物基含有樹脂以外のその他の樹脂に該当する。）を含む形態（形態Ｅ２）が挙げられる。なお、組成物Ｃ１が、更にその他の樹脂を含む形態（形態Ｅ２）である場合、熱硬化性基を含む化合物及び酸無水物基を含む化合物は、樹脂であっても、樹脂でなくてもよい。
　なかでも、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性能及び／又は耐溶剤性がより優れる点で、熱硬化性基を含む化合物及び酸無水物基を含む化合物のうち少なくとも一方が樹脂である形態（形態Ｅ１）が好ましく、熱硬化性基を含む化合物及び酸無水物基を含む化合物のいずれもが樹脂である形態がより好ましい。なお、上記形態Ｅ１である場合、組成物は、その他の樹脂を実質的に含まないのが好ましい。ここでいう「実質的に含まない」とは、その他の樹脂の含有量が、組成物の全固形分に対して、３質量％未満であることをいい、１質量％以下であるのが好ましく、０．５質量％であるのがより好ましく、０質量％であるのが更に好ましい。

　また、上記形態Ｅ１及びＥ２において、熱硬化性基を含む化合物としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、上述の樹脂Ａ１であるのが好ましく、組成物のα線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、上述の樹脂Ａ２であるのがより好ましい。
　また、上記形態Ｅ１及びＥ２において、酸無水物基を含む化合物としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、上述の樹脂Ｂ１であるのが好ましく、組成物のα線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、上述の樹脂Ｂ２であるのがより好ましい。
　また、上記形態Ｅ２において、その他の樹脂としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、上述の樹脂Ｃ１であるのが好ましく、組成物のα線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、上述の樹脂Ｃ２であるのがより好ましい。

〔組成物Ｃ２〕
　組成物Ｃ２は、熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物（特定酸無水物基含有硬化性化合物）を含む。
　なお、組成物Ｃ２の組成及び調製方法は、特定熱硬化性化合物及び特定酸無水物を含むかわりに特定酸無水物基含有硬化性化合物を含む以外は、上述した組成物Ｃ１の組成及び調製方法と同じである。したがって、これらの説明は省略する。

＜熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物（特定酸無水物基含有硬化性化合物）＞
　特定酸無水物基含有硬化性化合物が含む熱硬化性基としては、上述した特定熱硬化性化合物が含む熱硬化性基と同義であり、好適態様も同じである。
　特定酸無水物基含有硬化性化合物が含む酸無水物基としては、上述した特定酸無水物が含む酸無水物基と同義であり、好適態様も同じである。

　特定酸無水物基含有硬化性化合物としては、熱硬化性基及び酸無水物基を含む樹脂（以下「特定酸無水物基含有硬化性樹脂」ともいう。）であっても、熱硬化性基及び酸無水物基を含む低分子化合物であってもよいが、形成されるα線遮蔽膜の耐溶剤性がより優れる点で、特定酸無水物基含有硬化性樹脂であるのが好ましい。

（熱硬化性基及び酸無水物基を含む樹脂（特定酸無水物基含有硬化性樹脂）
　以下において、特定酸無水物基含有硬化性樹脂について詳述する。
　特定酸無水物基含有硬化性樹脂の重量平均分子量は特に制限されず、例えば、２，０００超であり、α線遮蔽膜のα線遮蔽性及び耐溶剤性がより優れる点で、５，０００～１００，０００が好ましく、７，５００～５０，０００がより好ましい。

　特定酸無水物基含有硬化性樹脂としては、熱硬化性基を含む繰り返し単位（以下「繰り返し単位ＺＡ１」ともいう。）と、酸無水物基を含む繰り返し単位（以下「繰り返し単位ＺＡ２」ともいう。）と、を含む樹脂が好ましい。
　繰り返し単位ＺＡ１としては、例えば、上述した一般式（ＸＡ１）で表される繰り返し単位（繰り返し単位ＸＡ１）と同様のものが挙げられる。
　繰り返し単位ＺＡ２としては、例えば、上述した一般式（ＹＢ１）で表される繰り返し単位（繰り返し単位ＹＢ１）、及び、イタコン酸無水物から誘導される繰り返し単位（上述した一般式（ＹＢ２）で表される構造）が挙げられる。

　また、特定酸無水物基含有硬化性樹脂としては、繰り返し単位ＺＡ１及び繰り返し単位ＺＡ２以外のその他の繰り返し単位（以下「繰り返し単位ＺＡ３」ともいう。）を含んでいてもよい。
　繰り返し単位ＺＡ３としては、上述した一般式（ＸＢ１）で表される繰り返し単位（繰り返し単位ＸＢ１）が挙げられる。

　特定酸無水物基含有硬化性樹脂中、繰り返し単位ＺＡ１の含有量としては特に制限されないが、例えば、１～９５質量％であり、５～４０質量％が好ましい。なお、特定酸無水物基含有硬化性樹脂中、繰り返し単位ＺＡ１は、１種単独で含まれていても、２種以上を併用して含まれていてもよい。
　特定酸無水物基含有硬化性樹脂中、繰り返し単位ＺＡ２の含有量としては特に制限されないが、例えば、１～９５質量％であり、５～４０質量％が好ましい。なお、特定酸無水物基含有硬化性樹脂中、繰り返し単位ＺＡ２は、１種単独で含まれていても、２種以上を併用して含まれていてもよい。
　特定酸無水物基含有硬化性樹脂が繰り返し単位ＺＡ３を含む場合、繰り返し単位ＺＡ３の含有量としては特に制限されないが、例えば、１～９８質量％であり、２０～９０質量％が好ましい。なお、特定酸無水物基含有硬化性樹脂中、繰り返し単位ＺＡ３は、１種単独で含まれていても、２種以上を併用して含まれていてもよい。

　特定酸無水物基含有硬化性樹脂としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、フッ素原子又は酸素原子が多く導入されていることが好ましく、フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位（以下「特定繰り返し単位ＦＯ’’’」ともいう。）を樹脂中の全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上であり、且つ、熱硬化性基及び酸無水物基を含む樹脂（以下「樹脂Ｄ１」ともいう。）であるのが好ましい。上記特定繰り返し単位ＦＯ’’’の含有量としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、樹脂中の全繰り返し単位に対して７０質量％以上であるのがより好ましい。なお、上限値としては特に制限されないが、例えば、１００質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましい。

　特定酸無水物基含有硬化性樹脂としては、なかでも、α線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位（以下「特定繰り返し単位Ｏ’’’」ともいう。）を、樹脂中の全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上であり、且つ、熱硬化性基及び酸無水物基を含む樹脂（以下「樹脂Ｄ２」ともいう。）であるのが好ましい。上記特定繰り返し単位Ｏ’’’の含有量としては、α線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、樹脂中の全繰り返し単位に対して７０質量％以上であるのがより好ましい。なお、上限値としては特に制限されないが、例えば、１００質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８０質量％以下が更に好ましい。

（熱硬化性基及び酸無水物基を含む低分子化合物）
　以下において、熱硬化性基及び酸無水物基を含む低分子化合物について詳述する。
　熱硬化性基及び酸無水物基を含む低分子化合物の分子量としては、例えば、２０００以下が好ましい。
　上記熱硬化性基としては、上述した特定熱硬化性化合物が含む熱硬化性基と同義であり、好適態様も同じである。
　上記酸無水物基としては、上述した特定酸無水物が含む酸無水物基と同義であり、好適態様も同じである。

　組成物Ｃ２中、特定酸無水物基含有硬化性化合物の含有量の下限値としては、全固形分量に対して、例えば１質量％以上であり、形成されるα線遮蔽膜の耐溶剤性がより優れる点で、５質量％以上が好ましい。特定酸無水物基含有硬化性化合物の含有量の上限値としては、全固形分量に対して、例えば、９０質量％以下であり、形成されるα線遮蔽膜の耐溶剤性がより優れる点で、７５質量％以下が好ましく、５０質量％以下がより好ましい。
　また、特定酸無水物基含有硬化性化合物は、１種で使用してもよいし、複数併用してもよい。なかでも、α線遮蔽能安定性がより優れる点で、２種以上を併用するのが好ましい。

（組成物Ｃ２の好適形態）
　組成物Ｃ２の好適形態としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性能及び／又は耐溶剤性がより優れる点で、熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物が樹脂である形態（形態Ｅ１１）、又は、熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物以外に、更にその他の樹脂（熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物以外のその他の樹脂に該当する。その他の樹脂は、熱硬化性基及び酸無水物基をいずれも含まないのが好ましい。）を含む形態（形態Ｅ２１）が挙げられる。なお、組成物Ｃ２が、更にその他の樹脂を含む形態（形態Ｅ２１）である場合、熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物は、樹脂であっても、樹脂でなくてもよい。
　なかでも、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性能及び／又は耐溶剤性がより優れる点で、熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物が樹脂である形態（形態Ｅ１１）が好ましい。なお、上記形態Ｅ１１である場合、組成物Ｃ２は、その他の樹脂を実質的に含まないのが好ましい。ここでいう「実質的に含まない」とは、その他の樹脂の含有量が、組成物の全固形分に対して、３質量％未満であることをいい、１質量％以下であるのが好ましく、０．５質量％以下であるのがより好ましく、０質量％であるのが更に好ましい。

　また、上記形態Ｅ１１及びＥ２１において、熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、上述の樹脂Ｄ１であるのが好ましく、組成物のα線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、上述の樹脂Ｄ２であるのがより好ましい。
　また、上記形態Ｅ２１において、その他の樹脂としては、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、上述の樹脂Ｃ１であるのが好ましく、組成物のα線遮蔽能安定性がより優れる点、及び、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れる点で、上述の樹脂Ｃ２であるのがより好ましい。

［α線遮蔽膜］
　本発明の組成物は、硬化処理を施して硬化膜とすることで、α線遮蔽膜として使用できる。以下において、本発明の組成物を用いて基材上にα線遮蔽膜を形成する方法について述べる。

　本発明の組成物と接触する基材としては特に制限されず、例えば、ガラス基材及び樹脂基材等が挙げられる。
　なお、基材としていわゆる剥離基材を用いてもよい。

　本発明の組成物と基材との接触方法は特に制限されず、例えば、基材上に本発明の組成物を塗布する方法、及び、本発明の組成物中に基材を浸漬する方法が挙げられる。

　本発明の組成物と基材とを接触させた後、基材上に形成された塗膜に対して、硬化処理（熱硬化処理）を施す。
　硬化処理の条件は、使用される組成物中の成分の種類に応じて最適な条件が選択すればよい。また、本発明の組成物と基材とを接触させた後、又は、硬化処理の後、必要に応じて、塗膜を乾燥する乾燥処理を実施してもよい。また、硬化処理は複数回に分けて実施してもよい。硬化処理温度としては、例えば、１５０～２６０℃が好ましく、２００～２３０℃がより好ましい。硬化処理時間としては、例えば、３６０～９００秒が好ましく、４８０～７２０秒がより好ましい。

　α線遮蔽膜の厚みは特に制限されないが、α線遮蔽性がより優れる点から、３μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましい。厚みの上限に関しては、装置の低背化の点で、３０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以下がより好ましい。
　α線遮蔽膜の可視光領域における最低透過率は特に制限されないが、例えば、装置中の光電変換部への光の入射しやすさの点から、７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、８５％以上が更に好ましく、９０％以上が特に好ましく、９５％以上が最も好ましい。上限は特に制限されないが、１００％が挙げられる。
　なお、上記可視光領域における最低透過率とは、可視光領域（波長４００～７００ｎｍ）における透過率の最低値（％）を意図する。

［積層体］
　本発明の積層体は、基材と、上記基材上に配置されたα線遮蔽膜とを有する。以下において、本発明の積層体について、実施形態を例に挙げて説明する。

〔第１実施形態の積層体〕
　本発明の第１実施形態の積層体は、可視光に対して透明である基材と、上記基材上に配置されたα線遮蔽膜とを有する。

　「可視光に対して透明である」とは、可視光領域（波長４００～７００ｎｍ）における最低透過率が７０％以上であることを意図する。最低透過率としては、例えば、装置中の光電変換部への光の入射しやすさの点から、８０％以上が好ましく、８５％以上がより好ましく、９０％以上が更に好ましく、９５％以上が特に好ましい。上限は特に制限されないが、１００％が挙げられる。
　なお、上記可視光領域における最低透過率とは、可視光領域（波長４００～７００ｎｍ）における透過率の最低値（％）を意図する。

　上記基材としては、可視光に対して透明であれば特に制限されず、例えば、ガラス基材及び樹脂基材等が挙げられる。

　積層体に含まれるα線遮蔽膜の厚み及びα線遮蔽膜の可視光領域における最低透過率としては、既述のとおりであり、好適態様も同じである。

〔第２実施形態の積層体〕
　本発明の第２実施形態の積層体は、α線源である基材と、上記基材上に配置されたα線遮蔽膜とを有する。
　α線源である基材としては、ガラス基材又は樹脂基材が挙げられる。
　樹脂基材としては、フィラーを含んでいてもよい。フィラーとしては、例えば、シリカ、酸化チタン、及びジルコニア等が挙げられる。

　また、基材は、色材を含んでいてもよい。基材が色材を含んでいる場合、第２実施形態の積層体は、α線遮蔽膜付きカットフィルタ及びα線遮蔽膜付きカラーフィルタとして、半導体装置に好適に適用し得る。
　なお、α線源である基材がガラス基材である場合、本発明の積層体は、α線遮蔽膜付きカバーガラスとして、半導体装置に好適に適用し得る。

［半導体装置］
　本発明の半導体装置は、上述した積層体又は上述したα線遮蔽膜を有する。以下、上述したα線遮蔽膜を含む本発明の半導体装置について、実施形態を例に挙げて説明する。

〔第１実施形態の半導体装置〕
　第１実施形態の半導体装置は、α線遮蔽膜付きカットフィルタ、α線遮蔽膜付きカラーフィルタ、又は、α線遮蔽膜付きカバーガラスとして、上述した積層体を有する。
　なお、上記積層体を半導体装置に適用する場合、α線源（例えば、カバーガラス）とα線源の影響を受ける電子回路との間にα線遮蔽膜が位置するように上記積層体を配置するのが好ましい。α線源からのα線放出量が所定値より大きい場合、電子回路の誤動作の可能性があるため、α線放出量を低減する必要がある。そこで、α線源と電子回路との間にα線遮蔽膜が位置するように上述の積層体を配置することで、電子回路へのα線放出量が低減され得る。
　なお、半導体装置としては、例えば、固体撮像素子及び光電変換素子等の素子を搭載したものが挙げられる。

〔第２実施形態の半導体装置〕
　第２実施形態の半導体装置は、α線源と、α線遮蔽膜と、固体撮像素子と、を有し、α線源と固体撮像素子との間にα線遮蔽膜が配置されている。
　以下において、図面を参照して、第２実施形態の半導体装置の具体的な一例（第２－１実施形態の半導体装置及び第２－２実施形態の半導体装置）について説明する。

＜第２－１実施形態の半導体装置＞
　図１は、第２－１実施形態の半導体装置の断面模式図である。
　図１に示す半導体装置は、画素領域を備えた撮像素子チップ１、撮像素子チップ１に固定部材３を介して固定された透光性カバー部材２を有する。撮像素子チップ１は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ、及び、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサ等であり、画素領域は、入射光を電荷に変換する複数の変換素子、及び、複数のトランジスタ等を有する。

　撮像素子チップ１上（詳細には、撮像素子チップ１の半導体基板１１上）には、マイクロレンズ１２とカラーフィルタ１３が配置されている。半導体基板１１の下側（光入射側とは反対側）には、導電膜１６、絶縁膜１８、及び絶縁部材１９が配置されている。導電膜１６には、Ａｌ（アルミニウム）及びＣｕ（銅）等が用いられ、絶縁膜１８には、酸化膜及び窒化膜等が用いられ、絶縁部材１９には、ソルダーレジスト等が用いられる。

　撮像素子チップ１は、半導体基板１１の光入射側である透光性カバー部材側の第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面とを貫通する貫通電極１５を有する。貫通電極１５は導電膜１６の一部によって構成されている。貫通電極１５は配線構造内の表面電極１４に電気的に接続されている。また、不図示の回路基板と電気的に接続するために撮像素子チップ１は、導電膜１６の一部によって構成されている配線１７を有する。

　さらに、透光性カバー部材２とは反対側に配置された配線１７と電気的に接続された、外部回路との接続のための接続端子２０を有する。接続端子２０は半田ボールを用いたが、ＡＣＰ（異方性導電ペースト）及びＡＣＦ（異方性導電フィルム）等の異方性導電性部材も使用できる。撮像素子チップ１としてのＣＭＯＳイメージセンサは、シリコン基板が用いられている。

　透光性カバー部材２は、カバーガラス３１と、α線遮蔽膜３２とを有する。透光性カバー部材２からのα線放出量が所定値より大きい場合、撮像素子チップ１の誤動作や画質低下の可能性があるため、α線放出量を低減する必要がある。そこで、透光性カバー部材２として、カバーガラス３１と、撮像素子チップ１へのα線の照射を低減するためのα線遮蔽膜３２とを組み合わせている。
　なお、α線遮蔽膜３２は、カバーガラス３１上の全領域に配置されていてもよいし、一部の領域に配置されていてもよい。

＜第２－２実施形態の半導体装置＞
　図２は、第２－２実施形態の半導体装置の断面模式図である。
　第２－２実施形態の半導体装置において、透光性カバー部材２は、カバーガラス３１のみから構成されている。また、撮像素子チップ１上（詳細には、撮像素子チップ１の半導体基板１１上）には、半導体基板１１に対向して配置されたα遮蔽膜３２’と、カラーフィルタ１３と、マイクロレンズ１２とをこの順に有する。つまり、図２に示す半導体装置は、図１で示した半導体装置とは、透光性カバー部材２がα線遮蔽膜３２を備えない点、及びカラーフィルタ１３と撮像素子チップ１との間にα遮蔽膜３２’を備えた点で異なる。
　カバーガラス３１からのα線放出量が所定値より大きい場合、撮像素子チップ１の誤動作や画質低下の可能性があるため、α線放出量を低減する必要がある。そこで、カラーフィルタ１３と撮像素子チップ１との間に、撮像素子チップ１へのα線の照射を低減するためのα線遮蔽膜３２’を配置している。
　なお、α線遮蔽膜３２’は、カラーフィルタ１３上の全領域に配置されていてもよいし、一部の領域に配置されていてもよい。

　なお、第２実施形態の半導体装置について、第２－１実施形態の半導体装置及び第２－２実施形態の半導体装置を例に挙げて説明したが、第２実施形態の半導体装置はこれに制限されない。α線遮蔽膜をα線源と固体撮像素子との間に配置することで、固体撮像素子へのα線の照射を低減できる。

　以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

［各種成分］
〔熱硬化性基を含む化合物、熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物〕
　表１に、表５で使用される熱硬化性基を含む化合物（化合物Ｏ－１～Ｏ－２４）の構造、及び熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物（化合物Ｏ－２５）を示す。また、表２及び表３に、表１に示す化合物Ｏ－１～Ｏ－２３（樹脂型の熱硬化性化合物）及びＯ－２５（樹脂型の熱硬化性基及び酸無水物基含有化合物）の各繰り返し単位の組成比（質量比；表１に示す構造の左から順に対応（表２及び表３中の「組成比（質量比）」欄参照。）、及び、重量平均分子量（Ｍｗ）を示す。
　なお、化合物Ｏ－１～Ｏ－２３及びＯ－２５は、いずれも公知の方法に準じて合成したものを用いた。化合物Ｏ－１～Ｏ－２３及びＯ－２５の重量平均分子量（Ｍｗ）はＧＰＣ（キャリア：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ））により測定した（ポリスチレン換算量である）。また、化合物Ｏ－１～Ｏ－２３及びＯ－２５の組成比（質量比）は、^１３Ｃ－ＮＭＲ（nuclear magnetic resonance）により測定した。表１に示す化合物Ｏ－２４は、ダイセル化学工業（株）製「セロキサイド２０２１Ｐ」である。
　以下、表１を示す。

　以下、表２及び表３を示す。
　表２及び表３中、「組成比（質量比）」欄は、表１に示す化合物Ｏ－１～Ｏ－２３（樹脂型の熱硬化性化合物）及び化合物Ｏ－２５（熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物）の各繰り返し単位の組成比（質量比）を示しており、表１に示す構造の左から順に対応している。
　表２及び表３中「フッ原子及び酸素原子の合計含有量（質量％）」欄は、表１に示す化合物Ｏ－１～Ｏ－２３（樹脂型の熱硬化性化合物）及び化合物Ｏ－２５（熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物）の各繰り返し単位毎に含まれるフッ原子及び酸素原子の合計含有量（質量％）を示している。
　表２中「全繰り返し単位に対する特定繰り返し単位ＦＯの含有量（質量％）」欄は、樹脂中の全繰り返し単位に対する、特定繰り返し単位ＦＯ（フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位）の含有量（質量％）を示している。
　表２中「酸素原子の合計含有量（質量％）」欄は、表１に示す化合物Ｏ－１～Ｏ－２３（樹脂型の熱硬化性化合物）の各繰り返し単位毎に含まれる酸素原子の含有量（質量％）を示している。
　表２中「全繰り返し単位に対する特定繰り返し単位Ｏの含有量（質量％）」欄は、樹脂中の全繰り返し単位に対する、特定繰り返し単位Ｏ（酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位）の含有量（質量％）を示している。
　表３中「全繰り返し単位に対する特定繰り返し単位ＦＯ’’’の含有量（質量％）」欄は、樹脂中の全繰り返し単位に対する、特定繰り返し単位ＦＯ’’’（フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位）の含有量（質量％）を示している。
　表３中「酸素原子の合計含有量（質量％）」欄は、表１に示す化合物Ｏ－２５の各繰り返し単位毎に含まれる酸素原子の含有量（質量％）を示している。
　表３中「全繰り返し単位に対する特定繰り返し単位Ｏ’’’の含有量（質量％）」欄は、樹脂中の全繰り返し単位に対する、特定繰り返し単位Ｏ’’’（酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位）の含有量（質量％）を示している。

〔熱硬化性基及び酸無水物基をいずれも含まない樹脂〕
　表４に、表５で使用される熱硬化性基及び酸無水物基をいずれも含まない樹脂（樹脂Ｂ－１～Ｂ－３）の構造及び重量平均分子量（Ｍｗ）を示す（なお、樹脂Ｂ－３の各繰り返し単位の組成比は、質量基準である）。なお、樹脂Ｂ－１～Ｂ－３は、いずれも公知の方法に準じて合成したものを用いた。樹脂Ｂ－１～Ｂ－３の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレン換算量であり、ＧＰＣ（キャリア：ＴＨＦ）により測定した。

　以下、表４を示す。
　表４中、「フッ素原子及び酸素原子の合計含有量（質量％）」欄は、樹脂Ｂ－１～Ｂ－３の各繰り返し単位毎に含まれるフッ原子及び酸素原子の合計含有量（質量％）を示している。なお、「フッ素原子及び酸素原子の合計含有量（質量％）」欄の各繰り返し単位は、樹脂Ｂ－３の構造の左から順に対応している。
　表４中、「全繰り返し単位に対する特定繰り返し単位ＦＯ’’の含有量（質量％）」欄は、樹脂Ｂ－１～Ｂ－３中の全繰り返し単位に対する、特定繰り返し単位ＦＯ’’（フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位）の含有量（質量％）を示している。
　表４中、「全繰り返し単位に対する特定繰り返し単位Ｏ’’の含有量（質量％）」欄は、樹脂Ｂ－１～Ｂ－３中の全繰り返し単位に対する、特定繰り返し単位Ｏ’’（酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位）の含有量（質量％）を示している。

〔酸無水物基を含む化合物〕
　以下に、表５で使用される酸無水物基を含む化合物（化合物Ｃ－１～Ｃ－７）の構造を示す。
　Ｃ－１：新日本理化（株）製「リカシッドＭＴＡ－１５」（下記混合物に該当する。融点：－３℃、官能基数１～２）

　Ｃ－２：新日本理化（株）製「リカシッドＭＨ－Ｔ」（融点：２０℃、官能基数１。下記構造の化合物に該当する。）

　Ｃ－３：新日本理化（株）製「ＭＨ－７００Ｇ」（融点：－１５℃、官能基数１。下記混合物に該当する。）

　Ｃ－４：新日本理化（株）製「リカシッド　ＨＮＡ－１００」（融点：０℃、官能基数１。下記混合物に該当する。）

　Ｃ－５：新日本理化（株）製「リカシッド　ＤＤＳＡ」（融点：１５℃、官能基数１。下記化合物に該当する。）

　Ｃ－６：ＴＣＩ（株）製「１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物」（融点：２４０℃、官能基数２）

　Ｃ－７：以下に示す化合物（公知の方法に準じて合成したもの。融点：２４０℃、重量平均分子量：１５０００）。
　なお、化合物Ｃ－７中の各繰り返し単位中のフッ素原子及び酸素原子の合計含有量（質量％）は、左から順に、３２．０質量％、４２．８質量％である。全繰り返し単位に対する特定繰り返し単位ＦＯ’の含有量（質量％）は、１００質量％である。樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量（質量％）は、３５．２質量％である。また、全繰り返し単位に対する特定繰り返し単位Ｏ’の含有量（質量％）は、１００質量％であり、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量（質量％）は、３５．２質量％である。

〔添加剤〕
　表１に、表５で使用される添加剤（添加剤ＣＲ－１～ＣＲ－３、Ａ－１～Ａ－３）を示す。
　ＣＲ－１：ジメチルイミダゾール（東京化成工業（株）製）。
　ＣＲ－２：ビス（４－アミノフェニル）スルホン（東京化成工業（株）製）。

　ＣＲ－３：以下に示す化合物（公知の方法に準じて合成したもの。重量平均分子量：１５０００）。

　Ａ－１：「ＡＯ－８０」（（株）Ａｄｅｋａ製、酸化防止剤に該当する。）
　Ａ－２：１－（４－ｔ－ブチルフェニル）－３－（４－メトキシフェニル）－１，３－プロパンジオン（東京化成工業（株）製、紫外線吸収剤に該当する。）
　Ａ－３：「ＫＢＭ－３０３」（信越化学工業（株）製、基材密着助剤に該当する。）

〔界面活性剤〕
　表１に、表５で使用される添加剤（界面活性剤Ｓｕｒ－１～Ｓｕｒ－２）を示す。
　Ｓｕｒ－１：「Ｆ－７８１Ｆ」（大日本インキ化学工業（社）製）
　Ｓｕｒ－２：「ＫＦ６００１」（信越化学工業（株）製）

〔溶媒〕
　表１に、表５で使用される溶媒（溶媒Ｓ－１～Ｓ－３）を示す。
　Ｓ－１：ＰＧＭＥＡ
　Ｓ－２：ＰＧＭＥ
　Ｓ－３：γ-ブチロラクトン

［α線遮蔽膜形成用組成物の調製］
　上述した各成分を表５に示す配合で混合した後、孔径０．４５μｍのナイロン製フィルタ（日本ポール（株）製）でろ過して、実施例及び比較例のα線遮蔽膜形成用組成物（以下「組成物」と略称する。）をそれぞれ作製した。

［各種評価］
　実施例及び比較例の組成物を用いて、以下に示す評価を実施した。
〔評価項目１：α線遮蔽能安定性〕
＜測定サンプルの作製＞
　各組成物を４℃±１℃に維持された恒温保管施設に静置し、６ヶ月保管した。その後、各組成物を２５℃のクリーンルーム内に２４時間静置し、２５℃に戻した。
　次いで、十分に結露を拭き取った後、塗布現像装置（Ａｃｔ－８：東京エレクトロン製）を用いて、下塗り層（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（株）製、ＣＴ－４０００Ｌ、厚さ０．１μｍ）付き８ｉｎｃｈガラスウェハ上に、硬化ベーク後の膜厚が１０μｍとなる所望の回転数にて組成物を塗布し、１００℃にて１２０秒間乾燥ベークを行った後、２３０℃にて１０分間の硬化ベークを実施し、α線遮蔽膜付きのガラスウェハを得た。
　続いて、図３に示すカット方法にて、得られたα線遮蔽膜付きのガラスウェハ（図３中の符号Ｘ０：８ｉｎｃｈ）の外周部分から、２ｃｍ×８ｃｍの測定基板（α線遮蔽膜付きガラス基板）を６枚（図３中の符号Ｘ１～Ｘ６）切り出した。

＜参照サンプルの作製＞
　同一Ｌｏｔの下塗り層（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（株）製、ＣＴ－４０００Ｌ、厚さ０．１μｍ）付き未塗布ガラスウェハを２ｃｍ×８ｃｍにカットした参照基板を作製した。

＜α線遮蔽度評価＞
　得られた測定基板（α線遮蔽膜付きガラス基板）及び参照基板を用いて、以下に示すα線遮蔽度評価を行った。
　α線遮蔽度評価は、低レベルα線測定装置（ＬＡＣＳ－４０００Ｍ：住友化学（株）製）を用いて各基板（測定基板：６枚、参照基板：１枚）を１枚ずつ測定した。なお、測定基板に関しては、α線遮蔽膜と対向する位置に検出器を配置してα線量を測定した。つまり、ガラス基板より放出されるα線がα線遮蔽膜を透過した際のα線量を測定した。なお測定期間は、各サンプルで測定感度が十分に稼ぐことのできる１週間とした。

　次いで、６枚の各測定基板それぞれで、下記式（Ａ１）で表されるＡＬＤを導出した。
　式（Ａ１）：　ＡＬＤ＝ｌｏｇ_１０（参照基板からの単位時間・面積あたりのカウント数／測定基板からの単位時間・面積あたりのカウント数）／膜厚
　次いで、６枚の各測定基板のうちのＡＬＤの値が最も大きいもの（ＡＬＤ_ｍａｘ）及びＡＬＤの値が最も小さいもの（ＡＬＤ_ｍｉｎ）、並びに、６枚の各測定基板のＡＬＤの平均値（ＡＬＤ_ａｖｅ）の関係から、以下の評価基準に基づいて経時安定性を評価した。

（評価基準）
　「５」：｛（ＡＬＤ_ｍａｘ－ＡＬＤ_ｍｉｎ）／ＡＬＤ_ａｖｅ｝×１００＜５％
　「４」：５％≦｛（ＡＬＤ_ｍａｘ－ＡＬＤ_ｍｉｎ）／ＡＬＤ_ａｖｅ｝×１００＜１０％
　「３」：１０％≦｛（ＡＬＤ_ｍａｘ－ＡＬＤ_ｍｉｎ）／ＡＬＤ_ａｖｅ｝×１００＜１５％
　「２」：１５％≦｛（ＡＬＤ_ｍａｘ－ＡＬＤ_ｍｉｎ）／ＡＬＤ_ａｖｅ｝×１００＜３０％
　「１」：｛（ＡＬＤ_ｍａｘ－ＡＬＤ_ｍｉｎ）／ＡＬＤ_ａｖｅ｝×１００≧３０％
　結果を表５に示す。

〔評価項目２：α線遮蔽能〕
＜測定サンプルの作製＞
　塗布現像装置（Ａｃｔ－８：東京エレクトロン製）を用いて、下塗り層（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（株）製、ＣＴ－４０００Ｌ、厚さ０．１μｍ）付き８ｉｎｃｈガラスウェハ上に、硬化ベーク後の膜厚が１０μｍとなる所望の回転数で各組成物を塗布し、１００℃にて１２０秒間乾燥ベークを行った後、２３０℃にて１０分間硬化ベークを実施し、α線遮蔽膜付きのガラスウェハを得た。
　続いて、得られたα線遮蔽膜付きのガラスウェハから、１４ｃｍ×１４ｃｍの測定基板（α線遮蔽膜付きガラス基板）を切り出した。
　さらに、同一Ｌｏｔのガラスウェハを用いて上記操作を３回繰り返し、測定基板を３枚得た。

＜参照サンプルの作製＞
　同一Ｌｏｔの下塗り層（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（株）製、ＣＴ－４０００Ｌ、厚さ０．１μｍ）付き未塗布ガラス基板を１４ｃｍ×１４ｃｍにカットした参照基板も３枚作製した。

＜α線遮蔽度評価＞
　得られた測定基板（α線遮蔽膜付きガラス基板）及び参照基板を用いて、以下に示すα線遮蔽度評価を行った。
　α線遮蔽度評価は、低レベルα線測定装置（ＬＡＣＳ－４０００Ｍ：住友化学（株）製）を用いて、測定基板及び参照基板ともに３枚同時にセットすることで、測定面積を増やして実施した。なお、測定基板に関しては、α線遮蔽膜と対向する位置に検出器を配置してα線量を測定した。つまり、ガラス基板より放出されるα線がα線遮蔽膜を透過した際のα線量を測定した。なお、測定期間は、各サンプルで測定感度が十分に稼ぐことのできる１ｄａｙとした。

　次いで、得られた測定結果に基づいて、下記式（Ａ１）で表されるＡＬＤを導出した。
　式（Ａ１）：　ＡＬＤ＝ｌｏｇ_１０（参照基板からの単位時間・面積あたりのカウント数／測定基板からの単位時間・面積あたりのカウント数）／膜厚
　得られたＡＬＤの値から、下記評価基準に基づいて、α線遮蔽能を評価した。

（評価基準）
　「５」：ＡＬＤ＞０．０３０
　「４」：０．０３０≧ＡＬＤ＞０．０２３
　「３」：０．０２３≧ＡＬＤ＞０．０１８
　「２」：０．０１８≧ＡＬＤ＞０．０１５
　「１」：０．０１５≧ＡＬＤ
　結果を表５に示す。

〔評価項目３：面内均一性〕
　塗布現像装置（Ａｃｔ－８：東京エレクトロン製）を用いて、下塗り層（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（株）製、ＣＴ－４０００Ｌ、厚さ０．１μｍ）付き８ｉｎｃｈガラスウェハ上に、硬化ベーク後の膜厚が１０μｍとなる所望の回転数で各組成物を塗布し、１００℃にて１２０秒間乾燥ベークを行った後、２３０℃にて１０分間硬化ベークを実施し、α線遮蔽膜付きのガラスウェハを得た。
　続いて、図４に示すカット方法にて、得られたα線遮蔽膜付きのガラスウェハ（図４中の符号Ｙ０：８ｉｎｃｈ）から、２ｃｍ×８ｃｍの測定基板（α線遮蔽膜付きガラス基板）を５枚（図４中の符号Ｙ１～Ｙ５）切り出した。

＜α線遮蔽度評価＞
　得られた測定基板（α線遮蔽膜付きガラス基板）及び参照基板を用いて、以下に示すα線遮蔽度評価を行った。
　α線遮蔽度評価は、低レベルα線測定装置（ＬＡＣＳ－４０００Ｍ：住友化学（株）製）を用いて各基板（測定基板：５枚、参照基板：１枚）を1枚ずつ測定した。なお、測定基板に関しては、α線遮蔽膜と対向する位置に検出器を配置してα線量を測定した。つまり、ガラス基板より放出されるα線がα線遮蔽膜を透過した際のα線量を測定した。なお、測定期間は、各サンプルで測定感度が十分に稼ぐことのできる１週間とした。

　次いで、５枚の各測定基板それぞれで、下記式（Ａ１）で表されるＡＬＤを導出した。
　式（Ａ１）：　ＡＬＤ＝ｌｏｇ_１０（参照基板からの単位時間・面積あたりのカウント数／測定基板からの単位時間・面積あたりのカウント数）／膜厚
　次いで、５枚の各測定基板のうちのＡＬＤの値が最も大きいもの（ＡＬＤ_ｍａｘ）及びＡＬＤの値が最も小さいもの（ＡＬＤ_ｍｉｎ）、並びに、５枚の各測定基板のＡＬＤの平均値（ＡＬＤ_ａｖｅ）の関係から、以下の評価基準に基づいて面内均一性を評価した。

〔評価項目４：耐溶剤性〕
＜測定サンプルの作製＞
　塗布現像装置（Ａｃｔ－８：東京エレクトロン製）を用いて、下塗り層（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（株）製、ＣＴ－４０００Ｌ、厚さ０．１μｍ）付き８ｉｎｃｈガラスウェハ上に、硬化ベーク後の膜厚が１０μｍとなる所望の回転数にて各組成物を塗布し、１００℃にて１２０秒間乾燥ベークを行った後、２３０℃にて１０分間硬化ベークを実施し、α線遮蔽膜付きのガラスウェハを得た。
　続いて、得られたα線遮蔽膜付きのガラスウェハから、１４ｃｍ×１４ｃｍの測定基板（α線遮蔽膜付きガラス基板）を切り出した。
　さらに、同一Ｌｏｔのガラスウェハを用いて上記操作を３回繰り返し、測定基板を３枚得た。

＜参照サンプルの作製＞
　同一Ｌｏｔの下塗り層（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ（株）製、ＣＴ－４０００Ｌ、厚さ０．１μｍ）付き未塗布ガラス基板を１４ｃｍ×１４ｃｍにカットした参照サンプルも３枚作製した。

　次いで、得られた測定結果に基づいて、下記式（Ａ１）で表されるＡＬＤを導出した。
　式（Ａ１）：　ＡＬＤ＝ｌｏｇ_１０（参照基板からの単位時間・面積あたりのカウント数／測定基板からの単位時間・面積あたりのカウント数）／膜厚

　続いて、α線測定後の測定基板を、２５℃のＰＧＭＥＡ中に５分間浸漬した。次いで、液外へ取り出した後、窒素ガンで十分に乾燥させ、上述した＜α線遮蔽度評価＞を再度実施し、溶剤浸漬後のＡＬＤの値を求めた。

　得られた溶剤浸漬前後の各ＡＬＤの値に基づいて、下記式（２Ａ）で表されるＡＬＤの変化率を算出した。
　式（２Ａ）：ＡＬＤの変化率：ΔＡＬＤ＝（１－溶剤浸漬後のＡＬＤ／溶剤浸漬前のＡＬＤ）×１００
　得られた値から、以下の評価基準に基づいてα線遮蔽膜の耐溶剤性を評価した。

（評価基準）
　「５」：ΔＡＬＤ＜２％
　「４」：２％≦ΔＡＬＤ＜３％
　「３」：３％≦ΔＡＬＤ＜５％
　「２」：５％≦ΔＡＬＤ＜１５％
　「１」：１５％≦ΔＡＬＤ
　結果を表５に示す。

　以下に、表５を示す。

　表５の結果から、実施例のα線遮蔽膜形成用組成物は、α線遮蔽能の経時安定性（α線遮蔽能安定性）に優れる。つまり、実施例のα線遮蔽膜形成用組成物は、長期間保管した後に使用された場合であっても、優れたα線遮蔽能を示すα線遮蔽膜を形成できる。

　実施例００１～実施例００６の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に含まれる熱硬化性基を含む化合物が樹脂であり、且つ熱硬化性基を含む繰り返し単位の含有量が、全繰り返し単位に対して５～７０質量％である場合、形成されるα線遮蔽膜の耐溶剤性がより優れることが明らかである。また、実施例００１～実施例００６の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に含まれる熱硬化性基を含む化合物が樹脂であり、且つ熱硬化性基を含む繰り返し単位の含有量が、全繰り返し単位に対して５～４０質量％である場合、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽能がより優れることが明らかである。また、実施例００１～実施例００６の対比から、なかでも、熱硬化性基を含む繰り返し単位の含有量が、全繰り返し単位に対して１０～４０質量％である場合、形成されるα線遮蔽膜は、耐溶剤性とα線遮蔽能がいずれもより優れることが明らかである。

　実施例００２と実施例００８～実施例０１２との対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に含まれる熱硬化性基を含む化合物が樹脂であって、且つ、酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位（特定繰り返し単位Ｏ）を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上である場合、形成されるα線遮蔽膜は、α線遮蔽能がより優れることが明らかである。
　また、実施例００５～実施例００７の対比及び実施例００８～実施例０１０の対比から、酸素原子を３０質量％以上含む繰り返し単位（特定繰り返し単位Ｏ）の含有量が、樹脂の全繰り返し単位に対して、７０質量％以上である場合、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽能がより優れることが明らかである。

　実施例００２と実施例０１３との対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に含まれる熱硬化性基を含む化合物における熱硬化性基がオキシラニル基（好ましくは、エポキシ基）である場合、形成されるα線遮蔽膜は、面内均一性と耐溶剤性がより優れることが明らかである。

　実施例００２及び実施例０１４の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に含まれる熱硬化性基を含む化合物が樹脂であって、且つ、樹脂中の熱硬化性基を含む繰り返し単位以外のその他の繰り返し単位が環構造を含まない場合、α線遮蔽能安定性により優れることが明らかである。また、実施例００２、実施例０１５～実施例０１８、実施例０２３の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に含まれる熱硬化性基を含む化合物が樹脂であって、且つ、樹脂中の熱硬化性基を含む繰り返し単位以外のその他の繰り返し単位がエチレンオキサイド構造を含まない場合、α線遮蔽能及び面内均一性により優れることが明らかである。
　更に、実施例００２、実施例０１４～実施例０１８、実施例０２３の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に含まれる熱硬化性基を含む化合物が樹脂であって、且つ、樹脂中の熱硬化性基を含む繰り返し単位以外のその他の繰り返し単位が、上述した一般式（ＸＡ１）で表される繰り返し単位であって、且つ、Ｒ^Ａ３が、直鎖状又は分岐鎖状の、－ＣＨ_２－がヘテロ原子で置換されていないアルキル基を表す場合、α線遮蔽能安定性、α線遮蔽能及び面内均一性がより優れることが明らかである。

　酸無水物基を含む低分子化合物を使用した実施例００２及び実施例０２７～実施例０３２の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に含まれる酸無水物基を含む化合物が、酸無水物基を２個以上含む化合物を含む場合、形成されるα線遮蔽膜は、耐溶剤性により優れることが明らかである。
　また、酸無水物基を含む低分子化合物を使用した実施例００２及び実施例０２７～実施例０３２の対比から、酸無水物基を含む化合物の融点が４５℃以下（好ましくは、１０℃以下）である場合、α線遮蔽能安定性がより優れることが明らかである。
　また、酸無水物基を含む低分子化合物を使用した実施例００２及び実施例０２７～実施例０３２の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物が酸無水物基を含む化合物を２種以上含む場合、α線遮蔽能安定性がより優れることが明らかである。

　実施例００２、実施例０３３～実施例０３６の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に含まれる熱硬化性基を含む化合物が樹脂である場合、形成されるα線遮蔽膜の耐溶剤性がより優れることが明らかである。
　また、実施例００２、実施例０４５～実施例０４６の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に、熱硬化性基及び酸無水物基をいずれも含まない樹脂を含む場合、耐溶剤性が劣ることが明らかである。
　また、実施例００２、実施例０５４～実施例０５５、及び実施例６０の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に含まれる熱硬化性基を含む化合物が樹脂である場合、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽及び耐溶剤性がより優れることが明らかである。

　実施例００２、実施例０４１～実施例０４２の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に含まれる界面活性剤がフッ素系界面活性剤である場合、形成されるα線遮蔽膜の面内均一性がより優れることが明らかである。
　また、実施例００２、実施例０５６～実施例０５７の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物中に含まれる界面活性剤の含有量が、組成物の全質量に対して、０．０００３～０．０００５質量％である場合、形成されるα線遮蔽膜の面内均一性がより優れることが明らかである。

　実施例００２、実施例０４７～実施例０５０の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物の固形分濃度が２０質量％以上（好ましくは、２０～８０質量％、より好ましくは４０～６０質量％）の場合、形成されるα線遮蔽膜の面内均一性がより優れることが明らかである。特に、α線遮蔽膜形成用組成物の固形分濃度が４０～５０質量％の場合、形成されるα線遮蔽膜のα線遮蔽性がより優れることが明らかである。

　実施例００２、実施例０５１～実施例０５３の対比から、α線遮蔽膜形成用組成物の酸無水物基を含む化合物の含有量が、全固形形に対して、５～５０質量％である場合、α線遮蔽能安定性がより優れるとともに、形成されるα線遮蔽膜の面内均一性がより優れることが明らかである。

〔他の積層体でのα線遮蔽度評価〕
　各実施例の組成物を用いて、下塗り層が形成されていないガラス基板に変更する以外は上述した〔評価項目２：α線遮蔽能〕に記載の方法と同様の方法により積層体（α線遮蔽膜付きのガラスウェハ）を形成してそのα線遮蔽能を測定しても、同様のα線遮蔽効果が得られる。
　また、各実施例の組成物を用いて、シリカフィラー等を含みα線を発する樹脂基板に変更する以外は上述した〔評価項目２：α線遮蔽能〕に記載の方法と同様の方法により積層体（α線遮蔽膜付きのガラスウェハ）を形成してそのα線遮蔽能を測定しても、同様のα線遮蔽効果が得られる。

１　撮像素子チップ，　２　透光性カバー部材，　３　固定部材，　１１　半導体基板，　１２　マイクロレンズ，　１３　カラーフィルタ，　１４　表面電極，　１５　貫通電極，　１６　導電膜，　１７　配線，　１８　絶縁膜，　１９　絶縁部材，　２０　接続端子，　３１　カバーガラス，　３２，３２’　α線遮蔽膜

Claims

　熱硬化性基を含む化合物と、酸無水物基を含む化合物とを含むか、又は、
　熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物を含む、α線遮蔽膜形成用組成物。
　熱硬化性基を含む化合物と、酸無水物基を含む化合物とを含む、請求項１に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　前記酸無水物基を含む化合物の融点が、４５℃以下である、請求項１又は２に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　前記酸無水物基を含む化合物が、酸無水物基を２個以上含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　前記酸無水物基を含む化合物を２種以上含む、請求項１～４のいずれか１項に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　前記酸無水物基を含む化合物が、下記一般式（ＹＡ４－１）で表される化合物を含む、請求項１～５のいずれか１項に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。

　一般式中、Ｚ^Ｃ１及びＺ^Ｃ２は、各々独立して、酸無水物基を表す。Ｌ^Ｃ２は、炭素原子を２個以上含む２価の連結基を表す。
　前記熱硬化性基を含む化合物及び前記酸無水物基を含む化合物のうち少なくとも一方が、樹脂であるか、又は、
　更に、その他の樹脂を含む、請求項２に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　前記熱硬化性基を含む化合物が下記樹脂Ａ１であるか、
　前記酸無水物基を含む化合物が下記樹脂Ｂ１であるか、
　前記熱硬化性基を含む化合物が下記樹脂Ａ１であり、且つ、前記酸無水物基を含む化合物が下記樹脂Ｂ１であるか、又は、
　前記その他の樹脂が下記樹脂Ｃ１である、請求項７に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　樹脂Ａ１：フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上であり、且つ、熱硬化性基を含む樹脂。
　樹脂Ｂ１：フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上であり、且つ、酸無水物基を含む樹脂。
　樹脂Ｃ１：フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上である樹脂。
　前記熱硬化性基を含む化合物が下記樹脂Ａ２であるか、
　前記酸無水物基を含む化合物が下記樹脂Ｂ２であるか、
　前記熱硬化性基を含む化合物が下記樹脂Ａ２であり、且つ、前記酸無水物基を含む化合物が下記樹脂Ｂ２であるか、又は、
　前記その他の樹脂が下記樹脂Ｃ２である、請求項７に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　樹脂Ａ２：酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上であり、且つ、熱硬化性基を含む樹脂。
　樹脂Ｂ２：酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上であり、且つ、酸無水物基を含む樹脂。
　樹脂Ｃ２：酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上である樹脂。
　熱硬化性基及び酸無水物基を含む化合物を含む、請求項１に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　前記熱硬化性基及び無水物基を含む化合物が樹脂であるか、又は、
　更に、その他の樹脂を含む、請求項１０に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　前記熱硬化性基及び無水物基を含む化合物が下記樹脂Ｄ１であるか、
　前記その他の樹脂が下記樹脂Ｃ１である、請求項１１に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　樹脂Ｄ１：フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上であり、且つ、熱硬化性基及び酸無水物基を含む樹脂。
　樹脂Ｃ１：フッ素原子及び酸素原子の合計含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対するフッ素原子及び酸素原子の合計含有量が２５質量％以上である樹脂。
　前記熱硬化性基及び無水物基を含む化合物が下記樹脂Ｄ２であるか、
　前記その他の樹脂が下記樹脂Ｃ２である、請求項１１に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　樹脂Ｄ２：酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上であり、且つ、熱硬化性基及び酸無水物基を含む樹脂。
　樹脂Ｃ２：酸素原子の含有量が３０質量％以上である繰り返し単位を全繰り返し単位に対して３０質量％以上含み、樹脂全質量に対する酸素原子の含有量が２５質量％以上である樹脂。
　前記熱硬化性基が、オキシラニル基及びオキセタニル基から選ばれる、請求項１～１３のいずれか１項に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　更に、溶媒を含む、請求項１～１４のいずれか１項に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　固形分濃度が、２０～８０質量％である、請求項１～１５のいずれか１項に記載のα線遮蔽膜形成用組成物。
　請求項１～１６のいずれか１項に記載のα線遮蔽膜形成用組成物を硬化して形成されるα線遮蔽膜。
　可視光に対して透明である基材と、前記基材上に配置された請求項１７に記載のα線遮蔽膜とを有する積層体。
　α線源である基材と、前記基材上に配置された請求項１７に記載のα線遮蔽膜とを有する積層体。
　前記基材が、ガラス基材又は樹脂基材である、請求項１９に記載の積層体。
　前記基材が、色材を含む、請求項１８又は１９に記載の積層体。
　請求項１７に記載のα線遮蔽膜又は請求項１８～２１のいずれか１項に記載の積層体を含む、半導体装置。
　α線源と、
　請求項１７に記載のα線遮蔽膜と、
　固体撮像素子と、を有し、
　前記α線源と前記固体撮像素子との間に前記α線遮蔽膜が配置されている、半導体装置。