JP6818684B2 - 固体撮像素子、製造方法、および電子機器 - Google Patents
固体撮像素子、製造方法、および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6818684B2 JP6818684B2 JP2017539099A JP2017539099A JP6818684B2 JP 6818684 B2 JP6818684 B2 JP 6818684B2 JP 2017539099 A JP2017539099 A JP 2017539099A JP 2017539099 A JP2017539099 A JP 2017539099A JP 6818684 B2 JP6818684 B2 JP 6818684B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color filter
- flattening film
- region
- filter layer
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 96
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000002583 angiography Methods 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 210000004761 scalp Anatomy 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/10—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
(1)
複数の画素がアレイ状に配置された画素領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の凹部を埋め込むように成膜される平坦化膜と、
前記画素領域に対応して前記平坦化膜に形成される凹み領域内に形成されるカラーフィルタ層と
を備える固体撮像素子。
(2)
前記凹み領域は、前記平坦化膜を成膜した後、前記カラーフィルタ層の厚みに応じて前記平坦化膜の前記画素領域に対応する領域をくり抜くことにより形成される
上記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記凹み領域は、所定の厚みで平坦に第1の平坦化膜を成膜し、前記第1の平坦化膜に対して前記画素領域に対応する領域の外側に第2の平坦化膜を成膜することにより形成される
上記(1)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記平坦化膜および前記カラーフィルタ層からなる平面上に形成されるオンチップレンズ層
をさらに備える上記(1)から(3)までのいずれかに記載の固体撮像素子。
(5)
前記凹み領域の外周部にテーパ面が形成される
上記(1)から(4)までのいずれかに記載の固体撮像素子。
(6)
前記カラーフィルタ層としての機能が有効とされる領域である有効領域の外側に設けられる無効領域に、前記カラーフィルタ層の端部が配置される形成位置で前記カラーフィルタ層が形成される
上記(1)から(5)までのいずれかに記載の固体撮像素子。
(7)
複数の画素がアレイ状に配置された画素領域を有する半導体基板の凹部を埋め込むように平坦化膜を成膜し、
前記画素領域に対応して前記平坦化膜に形成される凹み領域内にカラーフィルタ層を形成する
工程を含む固体撮像素子の製造方法。
(8)
複数の画素がアレイ状に配置された画素領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の凹部を埋め込むように成膜される平坦化膜と、
前記画素領域に対応して前記平坦化膜に形成される凹み領域内に形成されるカラーフィルタ層と
を有する固体撮像素子を備える電子機器。
Claims (7)
- 複数の画素がアレイ状に配置された画素領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の凹部を埋め込むように設けられた平坦化膜と、
前記画素領域に対応して前記平坦化膜に形成された凹み領域内に配置されたカラーフィルタ層と
を備え、
前記凹み領域の外周部に、前記カラーフィルタ層を製造する際に塗布されるレジストの塗布ムラの発生を抑制する角度のテーパ面が設けられ、
前記凹み領域は、所定の厚みで平坦に設けられた第1の平坦化膜、および、前記第1の平坦化膜に対して前記画素領域に対応する領域の外側に設けられた第2の平坦化膜の2層からなる構成である
固体撮像素子。 - 前記凹み領域は、1層の前記平坦化膜を前記カラーフィルタ層の厚みに応じた深さで前記平坦化膜の前記画素領域に対応する領域で凹ませてなる構成である
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記平坦化膜および前記カラーフィルタ層からなる平面上に設けられたオンチップレンズ層
をさらに備える請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記テーパ面の角度は、前記カラーフィルタ層としての機能が有効とされる領域である有効領域の外側に設けられる無効領域に前記塗布ムラが発生する範囲が収まるように設定される
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記カラーフィルタ層としての機能が有効とされる領域である有効領域の外側に設けられる無効領域に、前記カラーフィルタ層の端部が配置される形成位置で前記カラーフィルタ層が設けられた
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 複数の画素がアレイ状に配置された画素領域を有する半導体基板の凹部を埋め込むように平坦化膜を成膜し、
前記画素領域に対応して前記平坦化膜に凹み領域を形成する際に、前記凹み領域の外周部に、カラーフィルタ層を製造する際に塗布されるレジストの塗布ムラの発生を抑制する角度のテーパ面を形成し、
前記凹み領域内に前記カラーフィルタ層を形成する
工程を含み、
前記凹み領域は、所定の厚みで平坦に設けられた第1の平坦化膜、および、前記第1の平坦化膜に対して前記画素領域に対応する領域の外側に設けられた第2の平坦化膜の2層からなる構成である
固体撮像素子の製造方法。 - 複数の画素がアレイ状に配置された画素領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の凹部を埋め込むように設けられた平坦化膜と、
前記画素領域に対応して前記平坦化膜に形成された凹み領域内に配置されたカラーフィルタ層と
を有し、
前記凹み領域の外周部に、前記カラーフィルタ層を製造する際に塗布されるレジストの塗布ムラの発生を抑制する角度のテーパ面が設けられ、
前記凹み領域は、所定の厚みで平坦に設けられた第1の平坦化膜、および、前記第1の平坦化膜に対して前記画素領域に対応する領域の外側に設けられた第2の平坦化膜の2層からなる構成である
固体撮像素子を備える電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015175387 | 2015-09-07 | ||
JP2015175387 | 2015-09-07 | ||
PCT/JP2016/074580 WO2017043308A1 (ja) | 2015-09-07 | 2016-08-24 | 固体撮像素子、製造方法、および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017043308A1 JPWO2017043308A1 (ja) | 2018-06-21 |
JP6818684B2 true JP6818684B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=58239465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017539099A Expired - Fee Related JP6818684B2 (ja) | 2015-09-07 | 2016-08-24 | 固体撮像素子、製造方法、および電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11041980B2 (ja) |
JP (1) | JP6818684B2 (ja) |
WO (1) | WO2017043308A1 (ja) |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0732242B2 (ja) * | 1984-12-24 | 1995-04-10 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2786647B2 (ja) * | 1989-01-09 | 1998-08-13 | シャープ株式会社 | カラー固体撮像装置の製造方法 |
KR960000223B1 (ko) * | 1990-11-16 | 1996-01-03 | 가부시키가이샤 도시바 | 고체촬상장치 및 그 제조방법 |
EP0522214B1 (en) | 1991-07-12 | 1996-03-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a solid-state imaging device |
JPH06151797A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-31 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
US5739548A (en) * | 1995-05-02 | 1998-04-14 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state imaging device having a flattening layer and optical lenses |
JPH1012853A (ja) * | 1996-06-26 | 1998-01-16 | Sony Corp | カラーフィルターの製造方法 |
US6582988B1 (en) * | 1999-09-30 | 2003-06-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for forming micro lens structures |
JP2004071931A (ja) | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
KR100526466B1 (ko) * | 2003-11-12 | 2005-11-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서 제조 방법 |
JP4621048B2 (ja) | 2005-03-25 | 2011-01-26 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 固体撮像素子 |
KR100698091B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US20070010042A1 (en) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Sheng-Chin Li | Method of manufacturing a cmos image sensor |
JP2007147738A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Fujifilm Corp | カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法 |
KR100720461B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
US7675080B2 (en) * | 2006-01-10 | 2010-03-09 | Aptina Imaging Corp. | Uniform color filter arrays in a moat |
KR100866250B1 (ko) * | 2007-05-16 | 2008-10-30 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
JP2009088140A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | アライメントマーク構造、半導体素子製造方法、半導体素子、電荷結合素子、及び固体撮像装置 |
JP2009152414A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Sharp Corp | レジスト膜のパターニング方法および固体撮像装置の製造方法 |
KR100937675B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2010-01-19 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
JP5298617B2 (ja) | 2008-04-24 | 2013-09-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
US20100149396A1 (en) | 2008-12-16 | 2010-06-17 | Summa Joseph R | Image sensor with inlaid color pixels in etched panchromatic array |
JP2011165791A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子およびその製造方法 |
US20130010165A1 (en) * | 2011-07-05 | 2013-01-10 | United Microelectronics Corp. | Optical micro structure, method for fabricating the same and applications thereof |
JP6299406B2 (ja) * | 2013-12-19 | 2018-03-28 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器 |
CN107039468B (zh) * | 2015-08-06 | 2020-10-23 | 联华电子股份有限公司 | 影像感测器及其制作方法 |
US9704904B2 (en) * | 2015-08-27 | 2017-07-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deep trench isolation structures and methods of forming same |
-
2016
- 2016-08-24 JP JP2017539099A patent/JP6818684B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-08-24 WO PCT/JP2016/074580 patent/WO2017043308A1/ja active Application Filing
- 2016-08-24 US US15/753,415 patent/US11041980B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180240829A1 (en) | 2018-08-23 |
WO2017043308A1 (ja) | 2017-03-16 |
US11041980B2 (en) | 2021-06-22 |
JPWO2017043308A1 (ja) | 2018-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10910423B2 (en) | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic device | |
JP6314969B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
TWI549273B (zh) | 用於具彩色濾光片之分割影像感測器之鏡片陣列 | |
EP2980849B1 (en) | Semiconductor image pickup element, image pickup apparatus, electronic apparatus, and manufacturing method | |
EP3196939B1 (en) | Solid state imaging device and manufacturing method therefor | |
WO2018047665A1 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに、電子機器 | |
TW201236146A (en) | Solid-state image pickup device, method for manufacturing solid-state image pickup device, and electronic apparatus | |
WO2016208403A1 (ja) | イメージセンサ、および電子機器 | |
WO2016052249A1 (ja) | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 | |
US8283192B2 (en) | Method of forming pattern and method of producing solid-state image pickup device | |
JP2021034598A (ja) | 撮像素子、製造方法、および電子機器 | |
TW201444069A (zh) | 固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器 | |
JP6818684B2 (ja) | 固体撮像素子、製造方法、および電子機器 | |
WO2016194620A1 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
WO2017169753A1 (ja) | 回路基板、半導体装置、撮像装置、固体撮像素子、および固体撮像素子の製造方法、並びに電子機器 | |
JP2015138918A (ja) | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ | |
KR100536028B1 (ko) | 이너 렌즈 제조 방법 및 이미지 소자 제조 방법 | |
WO2018008389A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2006339376A (ja) | 固体撮像装置、その製造方法およびカメラ | |
JP2008098345A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法並びにカメラ | |
JP2016131203A (ja) | 固体撮像素子、製造方法、および電子装置 | |
JP2018190884A (ja) | 固体撮像素子、および固体撮像素子の製造方法 | |
JP2010219077A (ja) | 半導体ウエハ基板および電子素子モジュール、電子情報機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200421 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201228 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6818684 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |