JP2020145397A - 光電変換装置、および、それを含む機器 - Google Patents

Abstract

【課題】受光画素領域の画素の感度低下を抑えつつ遮光画素領域に配置された画素によって検出される黒レベルを安定させる。【解決手段】受光画素領域および遮光画素領域を有する光電変換装置は、前記受光画素領域に複数の第１光電変換部が配置され、前記遮光画素領域に複数の第２光電変換部が配置された半導体層と、前記半導体層の上に配置され、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定する遮光壁と、前記半導体層の上に配置された遮光膜と、を備え、前記遮光膜は、前記複数の第２光電変換部を覆うように前記半導体層の主面に沿って延在する第１部分を含み、前記第１部分は、前記半導体層の側の下面および前記下面とは反対側の上面を有し、前記遮光壁は、前記半導体層からの距離が前記上面と前記主面との距離よりも大きい第２部分を有し、前記主面に垂直な方向における前記第１部分の厚さが、前記主面に平行な方向における前記第２部分の厚さより大きい。【選択図】図１

Description

本発明は、光電変換装置、および、それを含む機器に関する。

光電変換装置は、通常、受光画素領域（有効画素領域）の他に遮光画素領域（オプティカルブラック領域）を有しうる。遮光画素領域に配置された遮光画素は、遮光膜によって遮光されていて、オプティカルブラックレベル（黒レベル）を検出するために使用されうる。特許文献１には、画素有効領域外のＯＰＢ領域に配置されたＯＰＢ形成膜と、ＯＰＢ形成膜の上に配置された第１遮光壁と、第１遮光壁の上に配置された第２遮光壁とで構成される遮光構造が記載されている。

国際公開２０１６／１１４１５４号

遮光画素の遮光が不十分であると、黒レベルが変動し、撮像性能に影響を与えうる。受光画素領域の遮光構造の厚さが大きくなると、その遮光構造によって受光画素に入射させるべき光線が遮られ、感度が低下しうる。

本発明は、受光画素領域の画素の感度低下を抑えつつ遮光画素領域に配置された画素によって検出される黒レベルを安定させるために有利な技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、受光画素領域および遮光画素領域を有する光電変換装置に係り、前記光電変換装置は、前記受光画素領域に複数の第１光電変換部が配置され、前記遮光画素領域に複数の第２光電変換部が配置された半導体層と、前記半導体層の上に配置され、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定する遮光壁と、前記半導体層の上に配置された遮光膜と、を備え、前記遮光膜は、前記複数の第２光電変換部を覆うように前記半導体層の主面に沿って延在する第１部分を含み、前記第１部分は、前記半導体層の側の下面および前記下面とは反対側の上面を有し、前記遮光壁は、前記半導体層からの距離が前記上面と前記主面との距離よりも大きい第２部分を有し、前記主面に垂直な方向における前記第１部分の厚さが、前記主面に平行な方向における前記第２部分の厚さより大きい。

本発明によれば、受光画素領域の画素の感度低下を抑えつつ遮光画素領域に配置された画素によって検出される黒レベルを安定させるために有利な技術が提供される。

第１実施形態の光電変換装置の構成を模式的に示す図。 光吸収係数および光透過率について説明するための図。 第２実施形態の光電変換装置の構成を模式的に示す図。 第３実施形態の光電変換装置の構成を模式的に示す図。 光電変換装置を搭載した機器を例示する図。 光電変換装置を搭載した他の機器を例示する図。 第４実施形態の光電変換装置の構成を示す平面図。 第５実施形態の光電変換装置の構成を示す断面図。 （ａ）第６実施形態を説明する光電変換装置の断面模式図、（ｂ）第６実施形態を説明する光電変換装置の一部を拡大した断面模式図。 （ａ）第６実施形態の光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図、（ｂ）第７実施形態の光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図。 （ａ）第６実施形態の光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図、（ｂ）第６実施形態の光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図。 （ａ）第６実施形態の光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図、（ｂ）第８実施形態の光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図。 （ａ）第６実施形態の光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図、（ｂ）第８実施形態の光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図。 （ａ）第６実施形態の光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図、（ｂ）第６実施形態の光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図。 第７実施形態の光電変換装置の一部を拡大した断面模式図。 （ａ）第８実施形態の光電変換装置の断面模式図、（ｂ）第８実施形態の光電変換装置の一部を拡大した断面模式図。 第９実施形態の光電変換装置の断面模式図。 第１０実施形態の撮像システムを説明するブロック図。 （ａ）第１１実施形態の移動体を説明するブロック図、（ｂ）第１１実施形態の移動体を説明するブロック図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

図１（ａ）は、第１実施形態の光電変換装置ＤＥＶのいくつかの層の構成を示す平面図である。光電変換装置ＤＥＶは、受光画素領域１、遮光画素領域（ＯＢ画素領域）２、周辺回路領域３を含みうる。受光画素領域１は、複数の光電変換部（第１光電変換部）１１ｅが複数の行および複数の列を構成するように配置された領域である。換言すると、受光画素領域１は、複数の画素（第１画素）が複数の行および複数の列を構成するように配置された領域である。受光画素領域１の各列の第１光電変換部（第１画素）１１ｅの信号は、列信号線を通して出力される。遮光画素領域２は、遮光された複数の光電変換部（第２光電変換部）１１ｏｂが複数の行および複数の列を構成するように配置された領域である。換言すると、遮光画素領域２は、遮光された複数の画素（第２画素）が配置された領域である。遮光された複数の画素は、黒レベルを検出するために使用され、オプティカルブラック（ＯＢ）画素と呼ばれうる。受光画素領域１と遮光画素領域２との間には、例えば、画素構造を含む緩衝領域が含まれてもよい。受光画素領域１の画素および遮光画素領域２の画素は、光電変換部の他に、光電変換部で発生した電荷に応じた信号を画素外に出力するための回路素子を含みうる。

周辺回路領域３は、例えば、行選択回路と、読出回路と、列選択回路とを含みうる。受光画素領域１に配置された複数の光電変換部１１ｅと遮光画素領域２に配置された複数の光電変換部１１ｂは、その全体で、複数の行および複数の列からなる光電変換アレイを構成するように配置されうる。以下では、相互に区別する必要がない場合には、光電変換部１１ａ、１１ｂを光電変換部１１と記載する。行選択回路は、光電変換アレイにおける行を選択し、選択した行の光電変換部を駆動しうる。行選択回路によって選択された行の光電変換部の信号は、列信号線を通して読出回路に出力されうる。読出回路は、各列信号線に出力された信号を読み出しうる。列選択回路は、複数の列信号線から読出回路によって読み出された複数の信号を順に選択し出力しうる。

図１（ｂ）は、図１（ａ）の光電変換装置ＤＥＶの模式的な断面図である。この明細書では、Ｎ型およびＰ型を相互に区別するために第１導電型および第２導電型という用語を用いる。第１導電型がＮ型である場合、第２導電型はＰ型であり、第１導電型がＰ型である場合、第２導電型はＮ型である。光電変換装置ＤＥＶは、半導体層１０を備えうる。半導体層１０は、例えば、第１導電型（例えばＰ型）の半導体領域でありうる。半導体層１０には、第１導電型の半導体領域および第２導電型の半導体領域が配置されうる。複数の光電変換部１１は、フォトダイオードの一部を構成する第２導電型の半導体領域を含みうる。半導体層１０は、互いに反対側の第１面Ｆ１および第２面Ｆ２を有する。第１面Ｆ１および第２面Ｆ２は、半導体層１０の２つの面を相互に区別するための便宜的な表現に過ぎない。この明細書では、第２面Ｆ２を主面として考える。

図１（ｂ）には、裏面照射型として構成された光電変換装置ＤＥＶが記載されているが、光電変換装置ＤＥＶは、表面照射型として構成されてもよい。光電変換装置ＤＥＶは、第１面Ｆ１の側に配置された配線構造２０と、第２面Ｆ２の側（換言すると、第２面Ｆ２または主面の上）に配置された区画構造３０とを備えうる。第１面Ｆ１は、例えば、半導体層１０を構成する半導体と配線構造２０の一部を構成する絶縁体との界面でありうる。第２面Ｆ２は、例えば、半導体層１０を構成する半導体と区画構造３０の一部を構成する絶縁体との界面でありうる。配線構造２０は、例えば、トランジスタのゲート電極ＧＥ、および、配線層ＷＬを含みうる。区画構造３０は、遮光性を有する遮光体によって絶縁膜３３が複数の領域に区画された構造を有しうる。

光電変換装置ＤＥＶは、更に、第２面Ｆ２の側（換言すると、第２面Ｆ２または主面の上）に配置されたカラーフィルタ層７０、および／または、第２面Ｆ２の側に配置された複数のマイクロレンズ８０（オンチップレンズ）を備えうる。ここで、図１（ｂ）に模式的に示されるように、複数のマイクロレンズ８０と第２面Ｆ２との間にカラーフィルタ層７０が配置されうる。光電変換装置ＤＥＶは、第２面Ｆ２とカラーフィルタ層７０との間に配置された複数の層内レンズ（層内レンズ）を更に備えてもよい。光は、マイクロレンズ８０、カラーフィルタ層７０、区画構造３０および第２面Ｆ２を介して複数の光電変換部１１ｅに入射しうる。他の観点において、光は、マイクロレンズ８０、カラーフィルタ層７０および区画構造３０を介して第２面Ｆ２に入射しうる。

区画構造３０は、遮光壁６０と、遮光膜５０と、絶縁膜３３とを備えうる。区画構造３０は、例えば、遮光壁６０および遮光膜５０が絶縁膜３３の中に埋め込まれた構造を有しうる。遮光壁６０および遮光膜５０を構成しうる。遮光壁６０は、半導体層１０の第２面Ｆ２の側（換言すると、第２面Ｆ２または主面の上）に配置され、受光画素領域１の複数の第１光電変換部１１ｅにそれぞれ対応する複数の開口６５を規定しうる。他の観点において、遮光壁６０は、受光画素領域１の複数の第１光電変換部１１ｅにそれぞれ対応する複数の開口５１を有する。

遮光壁６０は、遮光画素領域２にも配置されてもよく、遮光壁６０のうち遮光画素領域２に配置された部分６０２は、遮光壁６０のうち受光画素領域１に配置された部分６０１と同様の構造を有しうる。例えば、遮光壁６０のうち遮光画素領域２に配置された部分６０２の厚さ（第２面Ｆ２に平行な方向における厚さ）は、遮光壁６０のうち受光画素領域１に配置された部分６０１の厚さＳ２（第２面Ｆ２に平行な方向における厚さ）と同じでありうる。また、遮光壁６０のうち遮光画素領域２に配置された部分６０２における開口６５の配列ピッチは、遮光壁６０のうち受光画素領域１に配置された部分６０１における開口６５の配列ピッチと同じでありうる。遮光壁６０の厚さＳ２は、遮光壁６０の壁面（遮光壁６０が開口６５に対面する面）に対して垂直な方向における厚さとして表現されてもよい。遮光壁６０は、格子（例えば、矩形格子）を構成するように配置されうる。遮光壁６０は、周辺回路領域３にも設けられてもよいし、周辺回路領域３に設けられなくてもよい。

遮光壁６０は、第２面Ｆ２に対する正射影（「平面視」ということもできる。）において、複数の第１光電変換部１１ｅのうち遮光画素領域２に最も近い位置に配置された第１光電変換部１１ｅと、複数の第２光電変換部１１ｏｂのうち受光画素領域１に最も近い位置に配置された第２光電変換部１１ｏｂとの間に配置された部分を含みうる。該部分は、遮光画素領域２の絶縁膜３３に入射した光が受光画素領域１の第１光電変換部１１ｅに入射することを防止するために効果的である。

遮光膜５０は、半導体層１０の第２面Ｆ２の側（換言すると、第２面Ｆ２または主面の上）に配置される。より詳しくは、遮光膜５０は、半導体層１０の第２面Ｆ２と遮光壁６０と間に配置されうる。遮光膜５０は、遮光画素領域２の複数の第２光電変換部を覆うように第２面Ｆ２に平行に延在するように配置された遮光部（これを第１部分とも言う）５０１を含みうる。遮光膜５０は、受光画素領域１の複数の第１光電変換部１１ｅにそれぞれ対応する複数の開口５１を規定する遮光部５０２を含んでもよいし、そのような遮光部５０２を含まなくてもよい。

第２面Ｆ２に垂直な方向における遮光部５０１の厚さＳ１は、第２面Ｆ２に垂直な方向における遮光部５０２の厚さと同じでありうる。換言すると、第２面Ｆ２に垂直な方向における遮光膜５０の厚さは、受光画素領域１および遮光画素領域２において同じでありうる。受光画素領域１の遮光部５０２と遮光画素領域２の遮光部５０１とは同時に形成されうる。黒レベルの変動を抑えるために遮光画素領域２の遮光部５０１の厚さを大きくすると、受光画素領域１の遮光部５０２の厚さも大きくなるため、光電変換部１１ｅの感度が低下しうる。遮光部５０２と遮光壁６０とは、互いに重なり合って配置されうる。遮光部５０１と遮光壁６０とは、互いに重なり合って配置されうる。あるいは、遮光部５０２が設けられる代わりに、遮光壁６０のうち受光画素領域１に配置された部分６０１の下端が延長されてもよい。

受光画素領域１において、光は、開口６５および開口５１の中に存在する絶縁膜３３を通して第１光電変換部１１ｅに入射する。遮光画素領域２において、光は、遮光膜５０（遮光部５０１）によって遮断あるいは減衰される。つまり、遮光画素領域２の第２光電変換部１１ｏｂは、遮光膜５０（遮光部５０１）によって遮光される。なお、遮光は、対象物に向かってくる光を完全に遮断することの他、該光を減衰させることを意味しうる。

遮光壁６０は、第２面Ｆ２側の面（これを遮光壁６０の下面と定義する）と、該下面の反対側の面（これを遮光壁６０の上面と定義する）とを有する。遮光膜５０は、第２面Ｆ２側の面（これを遮光膜５０の下面と定義する）と、該下面の反対側の面（これを遮光膜５０の上面と定義する）とを有する。遮光壁６０の下面と第２面Ｆ２との距離は、遮光膜５０の上面と第２面Ｆ２との距離以上でありうる。あるいは、遮光膜５０の上面に凹部が形成され、該凹部に遮光壁６０の一部が配置されてもよい。遮光壁６０は、半導体層１０からの距離が、遮光膜５０の上面と第２面（主面）Ｆ２との距離より大きい部分（これを第２部分とも言う）を有しうる。第２部分は、部分６０１の全部または一部でありうる。また、第２部分は、部分６０２の全部または一部を含んでもよい。

遮光壁６０および遮光膜５０は、光透過性が低く、加工が容易な材料で構成されうる。遮光壁６０および遮光膜５０は、例えば、金属材料で構成されうる。遮光壁６０および遮光膜５０は、同一の金属材料で構成されてもよいし、互いに異なる金属材料で構成されてもよい。遮光壁６０は、例えば、タングステン、アルミニウム、チタン、タンタルまたは銅で構成され、遮光膜５０は、例えば、タングステン、アルミニウム、チタン、タンタルまたは銅で構成されうる。一例において、遮光壁６０および遮光膜５０は、タングステンで構成されうる。

遮光膜５０と半導体層１０とは、接続部５２によって電気的に接続されうる。あるいは、半導体層１０は、所定の導電型の半導体領域５５を含み、遮光膜５０と半導体領域５５とは、接続部５２によって電気的に接続されうる。半導体領域５５および遮光膜５０は、一定の電位に維持されうる。半導体領域５５は、受光画素領域１および遮光画素領域２とは別の領域、例えば、周辺回路領域３に配置されうる。換言すると、遮光膜５０と半導体領域５５とは、遮光画素領域２とは異なる領域で電気的に接続されうる。更に、遮光壁６０および遮光膜５０も、相互に電気的に接続されうる。

遮光膜５０と絶縁膜３３との間には、バリア膜５３が配置されうる。バリア膜５３は、遮光膜５０の下面に接するように配置されうる。バリア膜５３は、接続部５２と半導体層１０との間にも配置されうる。バリア膜５３は、例えば、シリコン化合物層と、該シリコン化合物層と半導体層１０との間に位置する金属化合物層とを含みうる。該金属化合物層は、アルミニウム、チタン、タンタル、ハフニウム、ジルコニウム、マグネシウムの酸化物、窒化物、炭化物の少なくとも１つを含みうる。あるいは、バリア膜５３は、例えば、チタンやタンタルなどの金属膜および／または窒化チタンや窒化タンタルなどの金属化合物膜で構成されうる。遮光膜５０の上面の上には、反射防止膜５４が配置されうる。反射防止膜５４は、受光画素領域１への迷光を低減しうる。反射防止膜５４は、例えば、窒化シリコン膜および／または酸窒化シリコン膜などの誘電体膜で構成されうる。

接続部５２、遮光膜５０および遮光壁６０は、次のような方法で構成されうる。まず、絶縁膜３３の一部を構成する第１絶縁層が第２面Ｆ２を覆うように形成され、次いで、第１絶縁層のうち接続部５２を形成すべき位置に開口が形成されうる。次いで、バリア膜５３を形成するためのバリア膜材料が第１絶縁層を覆うように成膜され、更に、遮光膜材料および反射防止膜材料が第１絶縁層を覆うように成膜されうる。この際に、第１絶縁膜に形成された開口に遮光膜材料が充填されて接続部５２が形成されうる。次いで、複数の開口５１が形成されるように第１遮光膜材料および反射防止膜材料がパターニングされて遮光膜５０および反射防止膜５４が形成されうる。次いで、絶縁膜３３の一部を構成する第２絶縁層が遮光膜５０および第１絶縁層を覆うようにスパッタリング等によって成膜されうる。次いで、第２絶縁層がパターニングされ、遮光壁６０を形成するための凹部が形成され、該凹部に遮光壁材料が充填されて、遮光壁６０が形成されうる。

以下、図２を参照しながら光吸収係数および光透過率について説明する。ここでは、光が入射する対象物を物体Ｏとして説明する。遮光膜５０の光吸収係数および光透過率を議論する際には、物体Ｏを遮光膜５０で置き換えて考えればよい。また、遮光壁６０の光吸収係数および光透過率を議論する際には、物体Ｏを遮光壁６０で置き換えて考えればよい。

物体Ｏは、材料Ｍからなり、厚さＳ、材料Ｍの光吸収係数はαである。光Ｌは、物体Ｏの表面に垂直に入射するものとする。物体Ｏの表面では光の反射が起こる。物体Ｏの表面における光の反射率をＲとする。物体Ｏの内部では光の吸収が起こる。物体Ｏの内部の光吸収率をＡとする。

物体Ｏの表面に入射する光の強度をＩ_０とするとき、物体Ｏの内部に到達する光の強度Ｉ_１と物体Ｏの裏面を通過した光の強度Ｉ_２は、それぞれ次式で表される。

Ｉ_１＝Ｉ_０（１−Ｒ）
Ｉ_２＝Ｉ_１（１−Ａ）＝Ｉ_０（１−Ｒ）（１−Ａ）
物体Ｏの裏面を通過した光の強度Ｉ_２と物体Ｏの表面に入射する光の強度Ｉ_０との比率は、透過率Ｔとして次式で表される。

Ｔ＝Ｉ_２／Ｉ_０
ここで、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）の反射率Ｒと光吸収率Ａを以下に示す。

＜反射率（Ｒ）＞
Ｗ、Ｃｕ：０．５〜０．６
Ａｌ：０．７〜０．７５
＜光吸収率（Ａ）（厚さ＝０．２ｕｍのとき）＞
Ｗ、Ｃｕ、Ａｌ：＞０．９９９９９
遮光画素領域２において要求される遮光性能は、光透過率で表した場合、例えば−２００ｄｂ以上である。反射のみで上記の遮光性能を達成することは困難であるので、光の吸収によって上記の遮光性能を達成する必要がある。光吸収率Ａは、物体Ｏの厚さＳと、物体Ｏを構成する材料Ｍの光吸収係数αとで決まり、次式で表すことができる。

Ａ＝ｅｘｐ［αＳ］
材料Ｍが決まっている場合、光吸収率Ａは、物体Ｏの厚さＳで決まる。図１に示された第１実施形態では、遮光画素領域２の遮光性能は、遮光膜５０の光吸収率Ａによって決まる。これは、遮光膜５０が光電変換部１１ｏｂを覆っていて、遮光膜５０の上面に対して垂直な角度で遮光膜５０に光が入射するためである。そこで、遮光膜５０の厚さＳ１を大きくすることが、遮光膜５０の吸収率を大きくする必要がある。

第２面Ｆ２と遮光壁６０との距離は、第２面Ｆ２と遮光膜５０との距離より大きく、また、遮光壁６０の壁面（絶縁膜３３に対面する面）に対する光の入射角は０度（壁面と光の入射方向が垂直）ではない。そのため、遮光壁６０の厚さＳ２を大きくすることは、遮光性能の向上には寄与しにくい。また、受光画素領域１の全域において遮光壁６０を均一に形成するためには、受光画素領域１および遮光画素領域２において遮光壁６０の構造を同一するべきである。受光画素領域１および遮光画素領域２において遮光壁６０の構造を異ならせた場合、受光画素領域１における外延付近における遮光壁６０と受光画素領域１の中央部における遮光壁６０との間に寸法差等が生じうる。この寸法差は、シェーディングを生じさせうる。このような観点において、遮光壁６０の厚さＳ２を大きくすることは、受光画素領域１の光電変換部１１ｅの感度の低下をもたらす。

以上より、遮光画素領域２における遮光性能の向上は、遮光膜５０の厚さＳ１を大きくすることによって達成することが有利である。そこで、小さくするべき遮光壁６０の厚さＳ２と、大きくするべき遮光膜５０の厚さＳ１とを設計パラメータとして考慮し、Ｓ１＞Ｓ２を満たすことが有利である。Ｓ１＞Ｓ２を満たすことによって、遮光画素領域２の遮光性能の向上と受光画素領域１の光電変換部１１ａ（画素）の感度低下の抑制とを両立することができる。ここで、遮光画素領域２の遮光性能の向上は、遮光画素領域２に配置された画素によって検出される黒レベルの安定化をもたらす。Ｓ１＞Ｓ２を満たすことは、第２面Ｆ２に垂直な方向における遮光膜５０の遮光部５０１の厚さが、第２面Ｆ２に平行な方向における遮光壁６０の厚さより大きいことを意味する。

他の観点において、第２面Ｆ２に垂直な方向における遮光膜５０の遮光部５０１の光透過率Ｔ１が、第２面Ｆ２に平行な方向における遮光壁６０の光透過率Ｔ２より小さいこと、すなわち、Ｔ１＜Ｔ２を満たすことが有利である。Ｔ１＜Ｔ２を満たすことによっても、遮光画素領域２の遮光性能の向上と受光画素領域１の光電変換部１１ａ（画素）の感度の低下抑制とを両立することができる。

更に他の観点において、遮光膜５０を構成する材料の光吸収係数α１が遮光壁６０を構成する材料の光吸収係数α２より大きいこと、すなわち、α１＞α２を満たすことも有利である。α１＞α２を満たすことも、遮光画素領域２の遮光性能の向上と受光画素領域１の光電変換部１１ａ（画素）の感度の低下抑制とを両立するために効果的である。ただし、α１＞α２を満たすために、遮光膜５０を構成する材料と遮光壁６０を構成する材料とを互いに異なるものにする必要がある。

以下、図３を参照しながら第２実施形態の光電変換装置ＤＥＶについて説明する。第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。図３（ａ）は、第２実施形態の光電変換装置ＤＥＶのいくつかの層の構成を示す平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の光電変換装置ＤＥＶの模式的な断面図である。第２実施形態においても、Ｓ１＞Ｓ２、Ｔ１＜Ｔ２、α１＞α２の少なくとも１つを満たすことが遮光画素領域２の遮光性能の向上と受光画素領域１の光電変換部１１ａ（画素）の感度の低下抑制とを両立するために有利である。

第２実施形態の光電変換装置ＤＥＶでは、図３（ｂ）に例示されるように、遮光壁６０は、複数の開口６５を有する第１遮光壁層６１と、第１遮光壁層６１に対して積層され、複数の開口６６を有する第２遮光壁層６２とを含みうる。遮光壁６０は、更に多くの遮光壁層が積層して構成されてもよい。換言すると、遮光壁６０は、積層された複数の遮光壁層で構成されうる。このような構成は、第２面Ｆ２に直交する方向における区画構造３０の厚さが大きい場合に特に有利である。複数の遮光壁層は、例えば、受光画素領域１の一部分（例えば、受光画素領域１の周辺部）において、入射する光線の方向に応じて、第２面Ｆ２に平行な方向における開口６５、６６の位置が相互にずれるように配置されうる。このような構造は、感度の向上、および、迷光の低減に有利である。

第２実施形態の光電変換装置ＤＥＶは、複数のマイクロレンズ８０と第２面Ｆ２との間に複数の層内レンズ（オンチップレンズ）３１を含みうる。複数の層内レンズ３１は、第１遮光壁層６１と第２遮光壁層６２との境界部分に配置されうる。第２面Ｆ２に直交する方向における第１遮光壁層６１の互いに反対側の２つの端部のうち第２面Ｆ２から遠い方の端部（上端）は、層内レンズ３１に設けられた凹部に配置されうる。第２面Ｆ２に直交する方向における第２遮光壁層６２の互いに反対側の２つの端部のうち第２面Ｆ２に近い方の端部（下端）は、層内レンズ３１に設けられた凹部に配置されうる。

複数の層内レンズ３１は、受光画素領域１に配置されうる。受光画素領域１に複数の層内レンズ３１を配置することによって混色を低減することができる。複数の層内レンズ３１は、受光画素領域１に配置される他、遮光画素領域２にも配置されうる。複数の層内レンズ３１を遮光画素領域２にも配置することによって、第１遮光壁層６１（遮光壁６０）に入射する光を低減し、遮光性能を向上させることができる。受光画素領域１および遮光画素領域２に層内レンズ３１を配置することは、受光画素領域１の全域において層内レンズ３１を均一に形成するために有利である。受光画素領域１および遮光画素領域２に層内レンズ３１を配置することは、後に形成されうる第２遮光壁層６２を受光画素領域１の全域において均一に形成するためにも有利である。

一方、マイクロレンズ８０や層内レンズ３１などのオンチップレンズを遮光膜５０（遮光部５０２）上に配置することで、遮光膜５０上でオンチップレンズに入射した光は集光される。よって、遮光膜５０に入射する光の強度は、遮光膜５０上にオンチップレンズがない場合に比べて高くなり、遮光膜５０を透過する光量も大きくなりうる。そのため、遮光膜５０上にオンチプレンズを配置する場合には、遮光膜５０の遮光性能の向上がより効果的である。層内レンズ３１の下面（第２面Ｆ２の側の面）およびその反対側の面である上面の少なくとも一方には、反射防止膜３２が設けられうる。

遮光膜５０の材料および遮光壁６０の材料は、特に限定されるものではないが、一例において、遮光膜５０はアルミニウムで構成され、遮光壁６０はタングステンで構成されうる。アルミニウムの光吸収率は、タングステンの光吸収率の約２．５倍であるので、遮光膜５０の厚さＳ１が同じあれば、アルミニウムで構成された遮光膜５０は、タングステンで構成された遮光膜５０の約２．５倍の遮光性能を有する。

遮光膜５０と遮光壁６０との間には、バリア膜６３が配置されうる。遮光膜５０がアルミニウムで構成され、遮光壁６０がタングステンで構成された場合のように、遮光膜５０と遮光壁６０とが互いに異なる材料で構成される場合、バリア膜６３は、遮光膜５０と遮光壁６０との接続を安定させるために有利である。遮光膜５０がアルミニウムで構成され、遮光壁６０がタングステンで構成された場合、バリア膜６３は、例えば、ＴｉＮやＴａＮなどの金属化合物膜および／またはＴｉやＴａなどの金属膜で構成されうる。バリア膜６３を構成する材料は、遮光膜５０を構成する材料と遮光壁６０を構成する材料との組み合わせに応じて選択されうる。

以下、図４を参照しながら第３実施形態の光電変換装置ＤＥＶについて説明する。図４は、第３実施形態の光電変換装置ＤＥＶの模式的な断面図である。第３実施形態として言及しない事項は、第１または第２実施形態に従いうる。第３実施形態の光電変換装置ＤＥＶは、表面照射型として構成されている。半導体層１０は、互いに反対側の第１面Ｆ１および第２面Ｆ２を有する。半導体層１０の第２面Ｆ２の側には、配線構造２５が配置されうる。

配線構造２５は、例えば、トランジスタのゲート電極ＧＥ、および、配線層ＷＬを含みうる。また、配線構造２５は、前述の区画構造３０に相当する構成を含みうる。配線構造２５は、受光画素領域１の複数の光電変換部１１ｅのそれぞれに対応する複数の導波路ＷＧを含んでもよい。この場合において、配線構造２５は、遮光画素領域２の複数の光電変換部１１ｏｂのそれぞれに対応する導波路ＷＧを含んでもよい。配線構造２５は、受光画素領域１の複数の光電変換部１１ｅ、または、受光画素領域１の複数の導波路ＷＧにそれぞれ対応する複数の層内レンズ３１を含みうる。

上記の第１乃至第３実施形態に代表される光電変換装置ＤＥＶは、光学像または光強度分布を電気的な画像信号をとして検出する撮像装置として構成されうる。以下、撮像装置として構成される光電変換装置ＤＥＶの応用例として、該撮像装置が組み込まれたカメラやスマートフォン、汎用コンピュータなどの電子機器、自動車などの輸送機器について例示的に説明する。ここで、カメラの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータやタブレットのような携帯端末など）も含まれる。なお、撮像装置が組み込まれた機器は、複写機やスキャナ等の事務機器、放射線診断や内視鏡観察を行う医療機器、産業用ロボットなどの産業機器、電子顕微鏡等の分析機器であってもよい。

図５は、撮像装置ＩＳとして構成される光電変換装置ＤＥＶを搭載した機器ＥＱＰの模式図である。機器ＥＱＰの一例は、カメラやスマートフォンなどの電子機器（情報機器）、自動車や船舶、飛行機などの輸送機器である。撮像装置ＩＳは、半導体基板（半導体チップ）を含む半導体デバイスＩＣの他に、半導体デバイスＩＣを収容するパッケージＰＫＧを含みうる。パッケージＰＫＧは、半導体デバイスＩＣが固定された基体と、半導体デバイスＩＣに対向するガラス等の蓋体と、基体に設けられた端子と半導体デバイスＩＣに設けられた端子とを接続するボンディングワイヤやバンプ等の接続部材と、を含みうる。機器ＥＱＰは、光学系ＯＰＴ、制御装置ＣＴＲＬ、処理装置ＰＲＣＳ、表示装置ＤＳＰＬ、記憶装置ＭＭＲＹの少なくともいずれかをさらに備え得る。光学系ＯＰＴは撮像装置ＩＳに光学像を形成するものであり、例えばレンズやシャッタ、ミラーである。制御装置ＣＴＲＬは撮像装置ＩＳの動作を制御するものであり、例えばＡＳＩＣなどの半導体デバイスである。処理装置ＰＲＣＳは撮像装置ＩＳから出力された信号を処理するものであり、ＡＦＥ（アナログフロントエンド）あるいはＤＦＥ（デジタルフロントエンド）を構成するための、ＣＰＵやＡＳＩＣなどの半導体デバイスである。表示装置ＤＳＰＬは撮像装置ＩＳで得られた情報（画像）を表示する、ＥＬ表示装置や液晶表示装置である。記憶装置ＭＭＲＹは、撮像装置ＩＳで得られた情報（画像）を記憶する、磁気デバイスや半導体デバイスである。記憶装置ＭＭＲＹは、ＳＲＡＭやＤＲＡＭなどの揮発性メモリ、あるいは、フラッシュメモリやハードディスクドライブなどの不揮発性メモリである。機械装置ＭＣＨＮはモーターやエンジン等の可動部あるいは推進部を有する。カメラにおける機械装置ＭＣＨＮはズーミングや合焦、シャッタ動作のために光学系ＯＰＴの部品を駆動することができる。機器ＥＱＰでは、撮像装置ＩＳから出力された信号を表示装置ＤＳＰＬに表示したり、機器ＥＱＰが備える通信装置（不図示）によって外部に送信したりする。そのために、機器ＥＱＰは、撮像装置ＩＳが組み込まれうる制御／信号処理回路などに含まれる記憶回路部や演算回路部とは別に、記憶装置ＭＭＲＹや処理装置ＰＲＣＳを更に備えていてもよい。

上述したように、光電変換装置ＤＥＶは、遮光画素領域２の遮光性能の向上と受光画素領域１の光電変換部１１ａ（画素）の感度の向上に有利である。したがって、光電変換装置ＤＥＶが組み込まれたカメラは、監視カメラや、自動車や鉄道車両などの輸送機器に搭載される車載カメラなどに好適である。ここでは、光電変換装置ＤＥＶが組み込まれたカメラを輸送機器に適用した例を説明する。輸送機器２１００は、例えば、図６（ａ）、（ｂ）に示す車載カメラシステム２１０１を備えた自動車でありうる。図６（ａ）は、輸送機器２１００の外観と主な内部構造を模式的に示している。輸送機器２１００は、光電変換装置２１０２、撮像システム用集積回路（ＡＳＩＣ：Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）２１０３、警報装置２１１２、制御装置２１１３を備える。

光電変換装置２１０２には、上述の光電変換装置ＤＥＶが用いられる。警報装置２１１２は、撮像システム、車両センサ、制御ユニットなどから異常を示す信号を受けたときに、運転手へ向けて警告を行う。制御装置２１１３は、撮像システム、車両センサ、制御ユニットなどの動作を統括的に制御する。なお、輸送機器２１００が制御装置２１１３を備えていなくてもよい。この場合、撮像システム、車両センサ、制御ユニットが個別に通信インターフェースを有して、それぞれが通信ネットワークを介して制御信号の送受を行う（例えばＣＡＮ規格）。

図６（ｂ）は、輸送機器２１００のシステム構成を示すブロック図である。輸送機器２１００は、第１の光電変換装置２１０２と第２の光電変換装置２１０２とを含む。つまり、本実施形態の車載カメラはステレオカメラである。光電変換装置２１０２には、光学部２１１４により被写体像が結像される。光電変換装置２１０２から出力された画素信号は、画像前処理部２１１５によって処理され、そして、撮像システム用集積回路２１０３に伝達される。画像前処理部２１１５は、Ｓ−Ｎ演算や、同期信号付加などの処理を行う。上述の信号処理部９０２は、画像前処理部２１１５および撮像システム用集積回路２１０３の少なくとも一部に相当する。

撮像システム用集積回路２１０３は、画像処理部２１０４、メモリ２１０５、光学測距部２１０６、視差演算部２１０７、物体認知部２１０８、異常検出部２１０９、および、外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）部２１１６を備える。画像処理部２１０４は、光電変換装置２１０２のそれぞれの画素から出力される信号を処理して画像信号を生成する。また、画像処理部２１０４は、画像信号の補正や異常画素の補完を行う。メモリ２１０５は、画像信号を一時的に保持する。また、メモリ２１０５は、既知の光電変換装置２１０２の異常画素の位置を記憶していてもよい。光学測距部２１０６は、画像信号を用いて被写体の合焦または測距を行う。視差演算部２１０７は、視差画像の被写体照合（ステレオマッチング）を行う。物体認知部２１０８は、画像信号を解析して、輸送機器、人物、標識、道路などの被写体の認知を行う。異常検出部２１０９は、光電変換装置２１０２の故障、あるいは、誤動作を検知する。異常検出部２１０９は、故障や誤動作を検知した場合には、制御装置２１１３へ異常を検知したことを示す信号を送る。外部Ｉ／Ｆ部２１１６は、撮像システム用集積回路２１０３の各部と、制御装置２１１３あるいは種々の制御ユニット等との間での情報の授受を仲介する。

輸送機器２１００は、車両情報取得部２１１０および運転支援部２１１１を含む。車両情報取得部２１１０は、速度・加速度センサ、角速度センサ、舵角センサ、測距レーダ、圧力センサなどの車両センサを含む。

運転支援部２１１１は、衝突判定部を含む。衝突判定部は、光学測距部２１０６、視差演算部２１０７、物体認知部２１０８からの情報に基づいて、物体との衝突可能性があるか否かを判定する。光学測距部２１０６や視差演算部２１０７は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。

運転支援部２１１１が他の物体と衝突しないように輸送機器２１００を制御する例を説明したが、他の車両に追従して自動運転する制御や、車線からはみ出さないように自動運転する制御などにも適用可能である。

輸送機器２１００は、さらに、エアバッグ、アクセル、ブレーキ、ステアリング、トランスミッション、エンジン、モーター、車輪、プロペラ等の、移動あるいはその補助に用いられる駆動装置を具備する。また、輸送機器２１００は、それらの制御ユニットを含む。制御ユニットは、制御装置２１１３の制御信号に基づいて、対応する駆動装置を制御する。

本実施形態に用いられた撮像システムは、自動車や鉄道車両に限らず、例えば、船舶、航空機あるいは産業用ロボットなどの機器にも適用することができる。加えて、輸送機器に限らず、高度道路交通システム（ＩＴＳ）など、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。

本明細書において、ＡがＢより高いとは、Ａと半導体層の主面との間の距離がＢと該主面との間の距離より大きいことを意味し、ＡがＢより低いとは、Ａと該主面との間の距離がＢと該主面との間の距離より小さいことを意味する。本明細書において、Ａの下端は、前記主面に対して垂直な方向におけるＡの２つの端のうち前記半導体層の側の端を意味し、Ａの上端は、前記主面に対して垂直な方向におけるＡの２つの端のうち該下端との反対側の端を意味する。本明細書において、Ａの下面は、前記主面に対して垂直な方向と交差（または直交）するＡの２つの面のうち前記半導体層の側の面を意味し、Ａの上面は、前記主面に対して垂直な方向と交差（または直交）するＡの２つの面のうち該下面との反対側の面を意味する。

図７（ａ）は、本発明の第４実施形態の光電変換装置４００の構成を示す平面図である。光電変換装置４００は、受光画素領域４０１、遮光画素領域（ＯＢ画素領域）４０２、周辺回路領域４０３を含む。受光画素領域４０１は、複数の光電変換部（第１光電変換部）が複数の行および複数の列を構成するように配置された領域である。換言すると、受光画素領域４０１は、複数の画素（第１画素）が複数の行および複数の列を構成するように配置された領域である。受光画素領域４０１の各列の第１光電変換部（第１画素）の信号は、列信号線を通して出力される。遮光画素領域４０２は、遮光された複数の光電変換部（第２光電変換部）が複数の行および複数の列を構成するように配置された領域である。換言すると、遮光画素領域４０２は、遮光された複数の画素（第２画素）が配置された領域である。遮光された複数の画素は、オプティカルブラックレベルを提供するために使用され、オプティカルブラック（ＯＢ）画素と呼ばれうる。受光画素領域４０１と遮光画素領域４０２との間には、画素構造を含む緩衝領域が含まれてもよい。受光画素領域４０１の画素および遮光画素領域４０２の画素は、光電変換部の他に、光電変換部で発生した電荷に応じた信号を画素外に出力するための回路素子を含む。

周辺回路領域４０３は、例えば、行選択回路と、読出回路と、列選択回路とを含みうる。受光画素領域４０１に配置された複数の光電変換部と遮光画素領域４０２に配置された複数の光電変換部は、その全体で、複数の行および複数の列からなる光電変換アレイを構成するように配置されうる。行選択回路は、光電変換アレイにおける行を選択し、選択した行の光電変換部を駆動する。行選択回路によって選択された行の光電変換部の信号は、列信号線を通して読出回路に出力される。読出回路は、各列信号線に出力された信号を読み出し、列選択回路は、複数の列信号線から読出回路によって読み出された複数の信号を順に選択し出力する。

図７（ｂ）は、図７（ａ）の光電変換装置４００のＡ−Ａ線における模式的な断面図である。以下では、Ｎ型およびＰ型を相互に区別するために第１導電型および第２導電型という用語を用いる。第１導電型がＮ型である場合、第２導電型はＰ型であり、第１導電型がＰ型である場合、第２導電型はＮ型である。光電変換装置４００は、半導体層ＳＬを備えうる。半導体層ＳＬは、例えば、第１導電型（例えばＮ型）の半導体領域であり、例えば、エピタキシャル成長法で形成されうる。半導体層ＳＬには、第１導電型の半導体領域（一部のみ図示）および第２導電型の半導体領域（一部のみ図示）が配置されうる。半導体層ＳＬは、主面４１１を有する。主面４１１は、例えば、半導体層ＳＬと半導体層ＳＬの上に積層された絶縁膜（不図示）との界面でありうる。主面４１１を通って半導体層ＳＬに光が入射する。図７（ｂ）において、主として光が入射する方向が矢印Ｌで示されている。

半導体層ＳＬは、受光画素領域４０１の複数の光電変換部（第１光電変換部）４１２ａおよび遮光画素領域４０２の複数の光電変換部（第２光電変換部）４１２ｂを有しうる。光電変換部４１２ａ、４１２ｂは、フォトダイオードの一部を構成する第１導電型の半導体領域でありうる。光電変換によって発生した電荷が光電変換部４１２ａ、４１２ｂによって収集されうる。光電変換部４１２ａ、４１２ｂの上には、第２導電型の半導体領域４１３が配置されうる。半導体領域４１３は、半導体層４１０の主面４１１に接するように配されうる。半導体領域４１３は、第２導電型における多数キャリアと同一符号を有する電荷を有する領域であってもよい。

半導体層ＳＬは、フローティングディフュージョン（以下、ＦＤ）４１４を含みうる。ＦＤ４１４は、第１導電型の半導体領域である。光電変換部４１２ａ、４１２ｂで発生した電荷はＦＤ４１４に転送され、電圧に変換される。ＦＤ４１４は、不図示の増幅部の入力ノードに電気的に接続されうる。増幅部は、１又は複数の画素ごとに設けられうる。半導体層ＳＬの上には、ゲート絶縁膜を介してゲート電極４１５が配置されうる。光電変換部４１２ａ、４１２ｂとＦＤ４１４との間の領域の上に配されたゲート電極４１５は、光電変換部４１２からＦＤ４１４への電荷の転送を制御する転送ゲート電極である。

半導体層ＳＬおよびゲート電極４１５を覆うように保護膜４２０が配置されうる。半導体層ＳＬまたは保護膜４２０の上には、絶縁膜４２１が配置されうる。絶縁膜４２１は、例えば、酸化シリコンで構成されうる。絶縁膜４２１の屈折率は、例えば、１．４０〜１．６０の範囲内である。半導体層ＳＬの主面４１１の上には、第１配線層４２３、第２配線層４２４、第３配線層４３３が配置されうる。第１配線層４２３、第２配線層４２４、第３配線層４３３は、半導体層ＳＬの主面４１１を基準として、互いに異なる高さに配置される。一例において、第１配線層４２３および第２配線層４２４の導電材料は銅であり、第３配線層４３３の導電材料はアルミニウムでありうる。一例において、第３配線層４３３は、パッドおよび周辺回路領域４０３の配線層を構成しうる。導電材料は、導電性を有する材料であればよく、銅またはアルミニウム以外の材料であってもよい。第１配線層４２３と第２配線層４２４とは、不図示のプラグによって電気的に接続されうる。第２配線層４２４と第３配線層４３３とは、不図示のプラグによって電気的に接続されうる。プラグによって電気的に接続される部分を除いて、第１配線層４２３の導電部材と第２配線層４２４の導電部材とは絶縁膜４２１によって互いに絶縁され、第２配線層４２４の導電部材と第３配線層４３３の導電部材とは絶縁膜４２１によって互いに絶縁される。絶縁膜４２１は、層間絶縁膜として機能しうる。配線層の数は３層に限定されるものではない。

光電変換装置４００は、受光画素領域４０１の複数の第１光電変換部４１２ａにそれぞれ入射する光の光路に配置された複数の導波路４３０と、複数の導波路４３０を相互に連結するように広がった連結部４３１とを備えうる。複数の導波路４３０および連結部４３１は、互いに同じ材料で構成されうる。一例において、複数の導波路４３０および連結部４３１は、窒化シリコンで構成されうる。複数の導波路４３０を構成する部材の屈折率は、絶縁膜４２１の屈折率よりも高い。複数の導波路４３０を構成する部材の屈折率は、１．６０以上であることが好ましく、１．８０〜２．４０の範囲であることがより好ましい。導波路４３０は、遮光画素領域４０２の複数の第２光電変換部４１２ａのそれぞれの上にも配置されうる。同様に、連結部４３１は、遮光画素領域４０２における複数の導波路４３０を相互に連結するように広がりうる。受光画素領域４０１の連結部４３１と遮光画素領域４０２の連結部４３１とは相互に連結されるように広がりうる。図１（ｂ）の例では、周辺回路領域４０３に連結部４３１が配置されていないが、周辺回路領域４０３にも連結部４３１が配置されてもよい。

絶縁膜４２１、複数の導波路４３０および連結部４３１の上には、受光画素領域４０１および遮光画素領域４０２にわたって広がるように絶縁膜４３２が配置されうる。他の観点において、絶縁膜４３２は、受光画素領域４０１および遮光画素領域４０２にわたって広がるように半導体層ＳＬの主面４１１の上に配置される。絶縁膜４３２は、例えば、酸化シリコンで構成されうる。絶縁膜４３２の上には、遮光画素領域４０２の複数の第２光電変換部４１２ａを覆うように遮光膜４３４が配置されうる。遮光膜４３４は、例えば、金属材料で構成されうる。遮光膜４３４は、遮光画素領域１０２の複数の第２光電変換部４１２ａに対する光の入射を遮断する目的で配置される。遮光膜４３４の下面は、遮光画素領域４０２に設けられた複数の光電変換部４１２ｂに対向するように半導体層ＳＬの主面４１１に沿っている。一例において、第３配線層４３３と遮光膜４３４とは、同一の層に配置され、同一の材料で構成されうるが、第３配線層４３３と遮光膜４３４とは、互いに異なる層に配置されてもよいし、互いに異なる材料で構成されてもよい。

半導体層ＳＬの主面４１１の上には、更に透光膜（絶縁体）４４０が配置されうる。透光膜４４０は、絶縁膜４３２、遮光膜４３４および第３配線層４３３を覆うように配置されうる。透光膜４４０は、受光画素領域４０１の複数の第１光電変換部４１２ａに入射する光の光路にそれぞれ配置された複数の層内レンズ４４１を含みうる。層内レンズ４４１を有する透光膜４４０の上面および下面の少なくも一方は凸レンズ形状を有しうる。本例では、透光膜４４０の上面が凸レンズ形状を有し、透光膜４４０の下面は平坦である。ただし、層内レンズ４４１を設けない場合、透光膜４４０の上面および下面が平坦あってもよい。透光膜４４０は、遮光画素領域４０２においては、遮光膜４３４を覆うように配置されうる。遮光画素領域４０２に層内レンズ４４１が配置されると、遮光膜４３４の上の構造物の高さが高くなるので、遮光画素領域４０２には層内レンズ４４１が配置されないことが好ましい。透光膜４４０における少なくとも層内レンズ４４１の上には、層内レンズ４４１を覆うように平坦化用の絶縁膜（絶縁膜４４２）が配置されうる。絶縁膜４４２は、層内レンズ４４１と接触してもよいし、層内レンズ４４１と絶縁膜４４２との間には層内レンズ４４１に接触しつつ層内レンズ４４１を覆うように設けられた反射射防止コーティングが配されてもよい。

透光膜４４０は、シリコンおよび窒素を含む化合物で構成されたシリコン化合物膜であり、透光膜４４０は、窒素を含むシリコン化合物膜という点で、他の樹脂膜や酸化シリコン膜などの透光膜とは区別されうる。透光膜４４０は、各々がシリコンおよび窒素を含む化合物で構成された、複数のシリコン化合物層からなる複層構造を有することができる。透光膜４４０に含まれうるシリコン化合物層は、例えば、窒化シリコン層、酸窒化シリコン層、炭窒化シリコン層である。

層内レンズ４４１は、例えば窒化シリコン層で構成されるが、透光膜４４０に含まれる他の酸窒化シリコン層よりも窒素濃度が高い酸窒化シリコン層で構成されてもよい。層内レンズ４４１を構成する層を層内レンズ層と呼ぶことができる。上述の反射防止コーティングが、例えば酸窒化シリコン層などのシリコンおよび窒素を含む化合物で構成される場合、反射防止コーティングは、透光膜４４０の一部でありうる。上述した反射防止コーティングとしては、透光膜４４０の上に配される反射防止膜を用いることができる。

透光膜４４０の上の反射防止膜あるいは絶縁膜は、シリコンおよび酸素を含む化合物で構成されうる。一例において、層内レンズ４４１は、窒化シリコンで構成され、反射防止コーティングは酸化シリコンで構成されうる。他の例において、層内レンズ４４１は、酸窒化シリコンで構成され、反射防止コーティングは、酸化シリコンで構成されうる。他の例において、層内レンズ４４１は、窒化シリコンで構成され、反射防止コーティングは、酸窒化シリコンで構成されうる。一例において、絶縁膜４４２は酸化シリコンで構成され、他の例において絶縁膜４４２は樹脂で構成される。

受光画素領域４０１における半導体層ＳＬの上には、複数の第１光電変換部４１２ａにそれぞれ入射する光の光路を取り囲むように配置された遮光部４４３が配置されうる。遮光部４４３は、金属材料、例えばタングステンで構成されうる。透光膜（絶縁体）４４０の上には、絶縁膜４４２が配置され、遮光部４４３は、絶縁膜４４２に設けられた溝に配置されうる。絶縁膜４４２の上には、カラーフィルタ層４４５が配置され、カラーフィルタ層４４５の上には、マイクロレンズ４５０が配置されうる。遮光部４４３は、行方向および列方向に隣接する画素間で光が侵入しないように、格子状（例えば、矩形格子状）に配置されうる。

光電変換装置４００においては、受光画素領域４０１のマイクロレンズ４５０に対して入射した斜め光線Ｌ’が遮光画素領域４０２の第２光電変換部４１２ｂに入射することを抑制することが重要である。これは、遮光画素領域４０２の第２光電変換部４１２ｂに光が入射すると、オプティカルブラックレベルを正しく検出することができないからである。そこで、遮光部４４３の上端は、遮光膜４３４の上面より高く、遮光部４４３の下端は、遮光膜４３４の上面より低いことが好ましい。あるいは、遮光部４４３の上端は、遮光膜４３４の上面より高く、遮光部４４３の下端は、遮光膜４３４の上面より低く、かつ、遮光膜４３４の下面より高いことが好ましい。

遮光部４４３は、遮光部４４３の下端から遮光部４４３の上端まで連続した構造を有することが好ましい。換言すると、遮光部４４３は、遮光部４４３の下端と遮光部４４３の上端との間には、光を透過する材料で構成された部分を含まないことが好ましい。遮光膜４３４は、遮光膜４３４の下面から遮光膜４３４の上面まで連続した構造を有することが好ましい。換言すると、遮光膜４３４は、遮光膜４３４の下面と遮光膜４３４の上面との間には、光を透過する材料で構成された部分を含まないことが好ましい。半導体層ＳＬの主面４１１に直交する方向における遮光部４４３の厚さは、該方向における遮光膜４３４の厚さより大きいことが好ましい。半導体層ＳＬの主面４１１に直交し複数の第１光電変換部４１２ａの一部を切断する断面（図２の断面図）において、主面４１１に平行な方向における遮光部４４３の幅は、０．５μｍ以下であることが好ましい。これは、画素密度の向上に有利である。

受光画素領域４０１における透光膜４４０の最も薄い部分の上面は、遮光膜４３４の上面より低いことが好ましい。これは、遮光画素領域１０２の第２光電変換部４１２ｂへの光の入射を抑制するために有利である。受光画素領域４０１における複数の層内レンズ４４１の最上端（頂点）は、遮光膜４３４の上面より低いことが好ましい。これは、マイクロレンズ４５０が配置される高さを低くし、遮光画素領域４０２の第２光電変換部４１２ｂへの光の入射を抑制するために有利である。後述するように、受光画素領域４０１における透光膜４４０の最も薄い部分は、平坦な上面を有し、遮光部４４３の下端が該平坦な上面より低くてもよい。このような構成も、遮光画素領域４０２の第２光電変換部４１２ｂへの光の入射を抑制するために有利である。

以下、図８を参照しながら本発明の第５実施形態の光電変換装置４００の構成を説明する。第５実施形態として言及しない事項は、第４実施形態に従いうる。第５実施形態の光電変換装置５００は、裏面照射型ＣＭＯＳセンサとして構成されている。半導体層ＳＬの主面である第２面Ｆ２の上に配置された構造体（例えば、マイクロレンズ５４２）を介して複数の光電変換部５０４ａに光が入射する。

光電変換装置５００は、受光画素領域５５２および遮光画素領域５５３を有する。半導体層ＳＬの２つの面、即ち第１面Ｆ１および第２面Ｆ２のうち第１面Ｆ１の下には、ゲート電極および配線層を含む配線構造５５０が配置される。半導体層ＳＬの第２面Ｆ２の上には、反射防止膜５１０が配置されうる。反射防止膜５１０は、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルで構成されうる。反射防止膜２１０の上には、絶縁膜２１１が設けられうる。絶縁膜５１９は、例えば、酸化シリコンで構成されうる。なお、本明細書において、「上」、「下」という表現は相対的な表現であり、したがって、「上」と「下」とを入れ替えて読むこともできる。

遮光画素領域５５３には、複数の第２光電変換部５０４ｂが配置される。遮光画素領域５５３には、遮光膜５２０が配置されうる。遮光膜５２０は、例えば、アルミニウムまたはタングステン等の金属材料で構成されうる。遮光膜５２０と半導体層ＳＬの第２面Ｆ２との距離が近いほど、遮光画素領域５５３の光電変換部５０４ｂに対する光の入射を抑制することができるので、遮光膜５２０と半導体層ＳＬの第２面Ｆ２との距離が近いことが望ましい。

絶縁膜５１９の上には、透光膜（絶縁体）５２２が配置されうる。透光膜５２２は、絶縁膜５１９および遮光膜５２０を覆うように配置されうる。透光膜５２２は、受光画素領域５５２の複数の第１光電変換部５０４ａに入射する光の光路にそれぞれ配置された複数の層内レンズ５２１を含みうる。透光膜５２２は、遮光画素領域５５３においては、遮光膜５２０を覆うように配置されうる。

透光膜５２２における少なくとも層内レンズ５２１の上には、層内レンズ５２１と接触しつつ層内レンズ５２１を覆うように反射防止膜あるいは絶縁膜が配置されうる。透光膜５２２は、シリコンおよび窒素を含む化合物で構成され、反射防止膜あるいは絶縁膜は、シリコンおよび酸素を含む化合物で構成されうる。一例において、透光膜５２２は、窒化シリコンで構成され、反射防止膜あるいは絶縁膜は、酸化シリコンで構成されうる。他の例において、透光膜５２２は、酸窒化シリコンで構成され、反射防止膜あるいは絶縁膜は、酸化シリコンで構成されうる。

受光画素領域５５２における半導体層ＳＬの上には、複数の第１光電変換部５０４ａにそれぞれ入射する光の光路を取り囲むように配置された遮光部５３１が配置されうる。遮光部５３１は、金属材料、例えばタングステンで構成されうる。透光膜（絶縁体）５２２の上には、絶縁膜５３０が配置され、遮光部５３１は、絶縁膜５３０に設けられた溝に配置されうる。絶縁膜５３０の上には、カラーフィルタ層５４１が配置され、カラーフィルタ層５４１の上には、マイクロレンズ５４２が配置されうる。遮光部５３１は、行方向および列方向に隣接する画素間で光が侵入しないように、格子状（例えば、矩形格子状）に配置されうる。

遮光部５３１の上端は、遮光膜５２０の上面より高く、遮光部５３１の下端は、遮光膜５２０の上面より低いことが好ましい。あるいは、遮光部５３１の上端は、遮光膜５２０の上面より高く、遮光部５３１の下端は、遮光膜５２０の上面より低く遮光膜５２０の下面より高いことが好ましい。

遮光部５３１は、遮光部５３１の下端から遮光部５３１の上端まで連続した構造を有することが好ましい。換言すると、遮光部５３１は、遮光部５３１の下端と遮光部５３１の上端との間には、光を透過する材料で構成された部分を含まないことが好ましい。遮光膜５２０は、遮光膜５２０の下面から遮光膜５２０の上面まで連続した構造を有することが好ましい。換言すると、遮光膜５２０は、遮光膜５２０の下面と遮光膜５２０の上面との間には、光を透過する材料で構成された部分を含まないことが好ましい。遮光部５３１の厚さは、遮光膜５２０の厚さより大きいことが好ましい。半導体層ＳＬの第２面Ｆ２に直交し複数の第１光電変換部５０４ａの一部を切断する断面（図８の断面図）において、主面である第２面Ｆ２に平行な方向における遮光部５３１の幅は、０．５μｍ以下であることが好ましい。これは、画素密度の向上に有利である。

受光画素領域５５２における透光膜５２２の最も薄い部分の上面は、遮光膜５２０の上面より低いことが好ましい。これは、遮光画素領域５５３の第２光電変換部５０４ｂへの光の入射を抑制するために有利である。受光画素領域５５２における複数の層内レンズ５２１の最上端は、遮光膜５２０の上面より低いことが好ましい。これは、マイクロレンズ５４２が配置される高さを低くし、遮光画素領域５５３の第２光電変換部５０４ｂへの光の入射を抑制するために有利である。受光画素領域５５２における透光膜５２２の最も薄い部分は、平坦な上面を有し、遮光部５３１の下端が該平坦な上面より低くてもよい。このような構成も、遮光画素領域５５３の第２光電変換部５０４ｂへの光の入射を抑制するために有利である。

第４実施形態は第３実施形態と互換性がある。すなわち、第４実施形態の遮光部４４３は第３実施形態の遮光壁６０の部分６０１に相当し、第４実施形態の遮光膜４３４は第３実施形態の遮光膜５０の遮光部５０１に相当する。また、第５実施形態は第１、２実施形態と互換性がある。すなわち、第５実施形態の遮光部５３１は第１、２実施形態の遮光壁６０の部分６０１に相当し、第５実施形態の遮光膜５２０は第１、２実施形態の遮光膜５０の遮光部５０１に相当する。遮光部４４３、５３１をタングステンで構成する場合において、遮光膜４３４、５２０をアルミニウムで構成することで、遮光膜４３４、５２０の遮光性能を向上できる。図７に示すように、主面４１１に垂直な方向における遮光膜４３４の厚さが、主面４１１に平行な方向における遮光部４４３の厚さよりも大きいことで、遮光膜４３４の遮光性能を向上できる。図８に示すように、主面Ｆ２に垂直な方向における遮光膜５２０の厚さが、主面Ｆ２に平行な方向における遮光部５３１の厚さよりも大きいことで、遮光膜５２０の遮光性能を向上できる。遮光膜５２０の厚さが遮光部５３１の厚さよりも大きければ、遮光部４４３、５３１をタングステンで構成する場合において、遮光膜４３４、５２０をアルミニウムで構成しても、タングステンで構成してもよいが、アルミニウムで構成することが好ましい。

以下、本発明の第６乃至第１１実施形態について図面を用いて説明する。各図面において、同一の機能を有する構成には符号を省略する場合がある。本発明は、以下に説明される実施形態に限定されない。例えば、以下のいずれかの実施形態の一部の構成を、他の実施形態に追加し、あるいは他の実施形態の一部の構成と置換してもよい。なお、以下では本発明の実施形態として積層型の光電変換装置に適用した例を説明するが、本発明は積層型の光電変換装置に限るものではない。また、以下では本発明の実施形態として裏面照射型の光電変換装置に適用した例を説明するが、本発明は表面照射型の光電変換装置などにも適用可能である。更には、以下では本発明の実施形態として信号電荷を電子として説明するが、信号電荷が正孔の場合にも本発明は適用可能である。また、各構成の導電型は適宜変更が可能である。

フォトダイオードが形成されたシリコン層の上に、負の固定電荷を有する絶縁層を設けた固体撮像装置が知られている。特開２０１１−３５２０４号公報には、負の固定電荷を有する絶縁層の上に、原子層蒸着法または有機金属化学的気相成長法を用いて緻密な膜を形成することにより、負バイアス効果を低下させる物質（水素等）が侵入しないようブロックする技術が開示されている。特開２０１１−３５２０４号公報に記載の技術では、光電変換素子を覆う絶縁層の上に緻密な膜を厚く形成する必要があるため、光電変換素子に入射する光の吸収が生じうる。そこで、第６乃至第１１実施形態は、ノイズを低減しつつ、感度の低下を抑制することを可能にする技術を提供する。

図９（ａ）は、第６実施形態における光電変換装置の断面模式図である。図９（ａ）にて示された光電変換装置は、Ｚ方向とＸ方向を含む面における断面構造を示したものである。ここでは、Ｚ方向を上方向として説明する。図９（ａ）において、光電変換装置は、有効領域Ａ１、ＯＢ領域Ａ２、パッド領域Ａ３を有する。有効領域Ａ１は、光を検出し信号を生成する単位セルが配された領域である。ＯＢ領域Ａ２は、オプティカルブラック領域であり、遮光された、基準信号を生成するための単位セルが配された領域である。パッド領域Ａ３は、外部装置との接続のための外部端子が接続する領域である。単位セルは、少なくとも１つの光電変換素子を含み、画素とも称する。

光電変換装置は、少なくとも２つのチップＣ１、Ｃ２を含んで構成される積層型の光電変換装置である。チップＣ１は少なくとも光電変換素子ＰＤを含む。チップＣ２は光電変換素子ＰＤからの信号を読み出すための駆動回路や信号を処理するための処理回路を含む。チップＣ１とチップＣ２は面Ｐ５において接合されている。

まず、図９（ａ）のチップＣ１について説明する。光電変換装置は、光電変換素子ＰＤを有する半導体層１００を有する。半導体層１００は、面Ｐ１と、面Ｐ１と反対側の面Ｐ２とを有する。面Ｐ１や面Ｐ２は半導体層１００の主面である。後に説明する平面レイアウトや平面視とは、面Ｐ１への投影図であるとする。光電変換素子ＰＤは、Ｎ型の半導体領域１６０と、半導体領域１６０と面Ｐ１との間に配されたＰ型の半導体領域１６１とを含む。光電変換素子ＰＤは半導体層１００も含みうる。有効領域Ａ１の光電変換素子ＰＤは光に応じた電荷を生成し、有効領域Ａ１の光電変換素子ＰＤにて生じた電荷は画像や光の検出信号として使用される。ＯＢ領域Ａ２の光電変換素子ＰＤは遮光されており、ＯＢ領域Ａ２の光電変換素子ＰＤにて生じた電荷は基準信号を生成するために使用される。半導体層１００は、半導体材料からなり、例えば、シリコンの単結晶基板や、エピタキシャル成長をさせたシリコンなどである。

半導体層１００の面Ｐ２の上には、膜１０１〜膜１０５が上方向に沿ってこの順に配されている。膜１０４と膜１０５の間には、レンズ部１０７を有する膜１０６が配されている。膜１０１と膜１０２は、半導体層１００と膜１０６との間に配され、少なくとも光電変換素子ＰＤが配された部分に配されている。膜１０１は、負の電荷を有し、負の固定電荷膜として機能しうる。つまり、膜１０１は、光電変換素子にて生じる電荷と同導電型の電荷を有する。膜１０１は、酸化ハフニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ニオブ膜、酸化チタン膜、酸化バナジウム膜などの金属酸化膜である。膜１０２は、酸化タンタル膜、酸化チタン膜などの金属酸化膜であり、反射防止膜として機能しうる。膜１０３〜膜１０５は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、炭素含有酸化シリコン膜、フッ素含有酸化シリコン膜などの絶縁膜であり、層間絶縁膜として機能しうる。膜１０６は、窒化シリコンなどの絶縁膜であり、保護膜やレンズとして機能しうる。レンズ部１０７は、膜１０６と一体となっており、レンズ部１０７は平面視をした時に少なくとも１つの光電変換素子ＰＤと重畳する。つまり、レンズ部１０７は、少なくとも１つの光電変換素子ＰＤへ光を集光する。第６実施形態では、膜１０１は酸化アルミニウム膜であり、膜１０２は酸化チタン膜であり、膜１０３〜膜１０５は酸化シリコン膜であり、膜１０６は窒化シリコン膜であるものとする。これらの膜は、１つの材料からなる単層構成であってもよいし、複数の材料からなる多層構成であってもよい。

膜１０３〜１０５の間には、コンタクトプラグ１１１、配線層１１２、ビアプラグ１１３、ビアプラグ１１４が配されている。コンタクトプラグ１１１は、ＯＢ領域Ａ２に配され、半導体層１００と電気的に接続している。配線層１１２は、有効領域Ａ１に配され、光電変換素子ＰＤに対応した位置に開口を有し、光電変換素子ＰＤの開口を規定しうる。配線層１１２は、ＯＢ領域Ａ２に配され、光電変換素子ＰＤに対応した位置を覆う遮光部として機能しうる。ビアプラグ１１３は、有効領域Ａ１に配され、膜１０４の開口に配されている。また、ビアプラグ１１３は、膜１０６と膜１０１との間に配されている。ビアプラグ１１３は、光電変換素子ＰＤの開口を規定する遮光部としても機能する。ビアプラグ１１４は、有効領域Ａ１に配され、少なくとも膜１０５の開口に配され、ビアプラグ１１３と接し、光電変換素子ＰＤの開口を規定する遮光部としても機能する。コンタクトプラグ１１１、配線層１１２、ビアプラグ１１３、ビアプラグ１１４は、複数の金属部分を含む。以下の説明において、配線層は複数の配線、すなわち導電体パターンを含むものとする。これらの金属部分の構成について、図９（ｂ）を用いて詳細に説明する。

図９（ｂ）は、図９（ａ）に示すコンタクトプラグ１１１、配線層１１２、ビアプラグ１１３、ビアプラグ１１４、膜１０３〜膜１０６の一部を拡大して示したものである。コンタクトプラグ１１１は、配線層１１２と一体に形成されている。コンタクトプラグ１１１は、部分１１１（ａ）と、部分１１１（ｂ）を含む。配線層１１２は、部分１１２（ａ）と、部分１１２（ｂ）と、部分１１２（ｃ）とを含む。ビアプラグ１１３は、部分１１３（ａ）と、部分１１３（ｂ）と、部分１１３（ｃ）とを含む。ビアプラグ１１４は、部分１１４（ａ）と、部分１１４（ｂ）と、部分１１４（ｃ）とを含む。部分１１１（ａ）、部分１１２（ａ）、部分１１２（ｃ）、部分１１３（ａ）、部分１１４（ａ）は、水素吸蔵効果を有する金属からなる金属部分である。水素吸蔵効果を有する金属としては、チタン、ジルコニア、パラジウム、マグネシウムがあげられる。第６実施形態では、これらの部分はチタンからなるものとする。部分１１１（ｂ）、部分１１２（ｂ）、部分１１３（ｃ）、部分１１４（ｃ）は、水素吸蔵効果を有する金属とは異なるタングステンやアルミニウムからなる金属部分であり、第６実施形態ではタングステンからなるものとする。部分１１３（ｂ）と部分１１４（ｂ）は、水素吸蔵効果を有する金属とは異なる材料からなり、例えば窒化チタンなどからなる部分である。第６実施形態では、チタン膜である部分１１３（ａ）の厚さｄ１、部分１１２（ａ）の厚さｄ２、部分１１２（ｃ）の厚さｄ３、部分１１４（ａ）の厚さｄ４は、いずれも等しい値を有する。厚さｄ１、厚さｄ２、厚さｄ３、厚さｄ４は、例えば、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、第６実施形態においては１０ｎｍである。部分１１３（ｂ）と部分１１４（ｂ）は、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、第６実施形態においては５０ｎｍである。

第６実施形態のように、チタンからなる部分１１３（ａ）を有することで、外界から混入する水素や、膜１０３〜膜１０６に含有される水素を吸蔵することができるため、膜１０１への水素の供給を低減することができる。特に、膜１０６などが窒化シリコンからなる膜の場合、形成方法によっては酸化シリコンからなる膜に比べて水素含有量が多いことがある。よって、第６実施形態のように、保護膜やレンズとして窒化シリコンからなる膜を有する場合には、効果的である。このような構成によって、膜１０１の負バイアス効果の低減が抑制されるため、ノイズを低減することができる。また、部分１１３（ａ）は光電変換素子ＰＤに対して開口を有するため、光電変換素子ＰＤの感度の低下を抑制することができる。

同様に、チタンからなる部分１１４（ａ）を有することで、より水素の吸蔵量が増大するため、ノイズの増大を抑制することができる。また、部分１１４（ａ）は光電変換素子ＰＤに対して開口を有するため、光電変換素子ＰＤの感度の低下を抑制することができる。

同様に、コンタクトプラグ１１１と配線層１１２がチタンからなる部分１１１（ａ）、部分１１２（ａ）、部分１１２（ｃ）を有するため、ノイズの増大を抑制することができる。有効領域Ａ１に配される配線層１１２は、第１光電変換素子に対して開口を有するため、光電変換素子の感度の低下を抑制することができる。また、ＯＢ領域Ａ２に配される配線層１１２は、チタンからなる部分１１２（ａ）、部分１１２（ｃ）を有するため、ＯＢ領域Ａ２においても膜１０１の負バイアス効果の低減を抑制することができる。

ここで、平面視においては、ビアプラグ１１３は、少なくとも１つの光電変換素子ＰＤを囲む形状を有する。例えば、ビアプラグ１１３は平面視において格子状である。例えば、距離情報や位相差情報を得るために複数の光電変換素子ＰＤに対して１つのマイクロレンズを有する構成においては、ビアプラグ１１３が複数の光電変換素子ＰＤが配された１つの領域を囲むように設けられていてもよい。同様に、平面視において、有効領域Ａ１に配された配線層１１２は、少なくとも１つの光電変換素子ＰＤを囲む形状を有していてもよく、複数の光電変換素子ＰＤが配された１つの領域を囲むように設けられていてもよい。更に、平面視において、ビアプラグ１１４は、少なくとも１つの光電変換素子ＰＤを囲む形状を有していてもよく、複数の光電変換素子ＰＤが配された１つの領域を囲むように設けられていてもよい。

図９（ａ）の膜１０５よりも上の構造について説明する。まず、膜１０５の上には膜１２０が配される。膜１２０は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜などの無機材料や、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂などの有機材料からなる。膜１２０は、平坦化膜や保護膜としても機能しうる。膜１２０の上、且つ光電変換素子ＰＤの上には、カラーフィルタ１２１が配される。カラーフィルタ１２１は、任意の波長の光を透過しうる。膜１２２は、膜１２０やカラーフィルタ１２１の上に配され、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂などの有機材料からなり、平坦化膜として機能しうる。マイクロレンズ１２３は、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂などの有機材料からなり、膜１２２の上、且つ光電変換素子ＰＤの上に配される。マイクロレンズ１２３は、少なくとも１つの光電変換素子ＰＤへ光を集光する。平面視においては、マイクロレンズ１２３は、少なくとも１つの光電変換素子ＰＤに重畳する。膜１２２とマイクロレンズ１２３は１つの膜から形成された構造であってもよい。膜１２４は、マイクロレンズ１２３の上、更には膜１２２の上に配され、酸化シリコン膜などの無機材料やフッ素を含む有機材料などからなり、保護膜や反射防止膜として機能しうる。カラーフィルタ１２１やマイクロレンズ１２３は有効領域Ａ１の他の単位セルに対してもそれぞれ設けられている。また、マイクロレンズ１２３やカラーフィルタ１２１は、平坦性の向上や迷光の防止のために、ＯＢ領域Ａ２に配されていてもよい。

図９（ａ）の半導体層１００の面Ｐ１側には、トランジスタなどの素子を構成するゲート電極１３１と、半導体領域と、素子分離部１３０等が配されている。ここで、図９（ａ）の有効領域Ａ１とＯＢ領域Ａ２に示すゲート電極１３１は、例えば転送トランジスタを構成するゲート電極である。面Ｐ１側には、Ｚ方向とは反対の下方に向かって、膜１３２、膜１３３、膜１３４、膜１３５がこの順に配されている。更に、膜１３２〜膜１３５の中には、コンタクトプラグ１４０、配線層１４１、ビアプラグ１４２、配線層１４３、ビアプラグ１４４、配線層１４５、ビアプラグ１４６、配線層１４７がＺ方向とは反対の下方に向かってこの順に配されている。ここで、配線層１４７は、チップＣ２と接続する電極となりうる。このような配線構造によって、半導体層１００の光電変換素子ＰＤにて生じた電荷に基づく信号を、チップＣ２へと伝達する。なお、膜１３２〜膜１３５は、上述の膜１０３〜膜１０５にて示した材料から適宜選択されてなる絶縁膜であり、単層でも多層からなる膜であってもよい。コンタクトプラグ１４０は、例えば、チタンからなる部分と、窒化チタンからなる部分と、タングステンからなる部分とを含む。配線層１４１は、例えば、タンタルからなる部分と、銅を主成分とした部分とを含む。ビアプラグ１４２と配線層１４３、ビアプラグ１４４と配線層１４５、およびビアプラグ１４６と配線層１４７は、タンタルからなる部分と銅を主成分とした部分とを含み、一体に形成されたデュアルダマシン構造を有する。

次に、図９（ａ）のチップＣ２について説明する。チップＣ２は、半導体層２００を有する。半導体層２００は、面Ｐ３と、面Ｐ３と反対側の面Ｐ４とを有する。半導体層２００には、トランジスタや容量などの素子を構成する半導体領域と、素子分離部２０１が設けられている。半導体層１００と半導体層２００との間に、複数の配線層が配されている。

面Ｐ３の上には、トランジスタを構成するゲート電極２０２、膜２０３、膜２０４、膜２０５、膜２０６が、Ｚ方向にこの順に配されている。更に、膜２０３〜膜２０６の中には、コンタクトプラグ２１０、配線層２１１、ビアプラグ２１２、配線層２１３、ビアプラグ２１４、配線層２１５、ビアプラグ２１６、配線層２１７がＺ方向にこの順に配されている。ここで、配線層２１７は、チップＣ１と接続する電極となりうる。このような配線構造によって、半導体層１００の光電変換素子ＰＤにて生じた電荷に基づく信号を受け、信号を処理し、データとして光電変換装置の外部へと出力することができる。膜２０３〜膜２０６は、上述の膜１０３〜膜１０５にて示した材料から適宜選択されてなる絶縁膜であり、単層でも多層からなる膜であってもよい。コンタクトプラグ２１０は、例えば、チタンからなる部分と、窒化チタンからなる部分と、タングステンからなる部分とを含む。配線層２１１は、例えば、タンタルからなる部分と、銅を主成分とした部分とを含む。ビアプラグ２１２と配線層２１３、およびビアプラグ２１６と配線層２１７は、タンタルからなる部分と銅を主成分とした部分とを含み、一体に形成されたデュアルダマシン構造を有する。ビアプラグ２１４は、例えば、窒化チタンからなる部分と、タングステンからなる部分とを含む。配線層２１５は、例えば、アルミニウムを主成分とする金属部分を有する。配線層２１５は、パッド領域Ａ３において、外部端子と接続するパッドとなりうる。ここで、ビアプラグ２１４は、ビアプラグ１１３やビアプラグ１１４と同様に、タングステンからなる部分を有する。しかし、配線層２１３と配線層２１５とを接続するビアプラグ２１４に、チタンからなる部分は設けていない。しかし、第６実施形態では、固定電荷膜の上に位置する部分にチタンからなる部分を設けている。具体的には、コンタクトプラグ１１１、配線層１１２、ビアプラグ１１３、ビアプラグ１１４の少なくとも一部にはチタンからなる部分を設けている。このような構成によって、固定電荷膜の性能を低下させることを抑制することができる。

図９（ａ）のパッド領域Ａ３においては、パッド部となる１つの配線層２１５を露出させる開口１２５が設けられている。開口１２５は、膜１２４、膜１２２、膜１２０、膜１０１〜膜１０６、半導体層１００、膜１３２〜膜１３５、膜２０６に渡って設けられている。つまり、開口１２５はチップＣ１を貫通する。パッド領域Ａ３において、コンタクトプラグ１１１、配線層１１２、ビアプラグ１１３、ビアプラグ１１４は、開口１２５の側面に沿ってすなわちＺ方向に沿って配され、互いに接して配されている。これらは、膜１０１〜膜１０５へ開口１２５から金属や水分が混入することを低減するガードリングとして機能しうる。半導体層１００には、開口１２５の側面に沿って分離領域１３６が配されている。分離領域１３６は例えば、半導体層１００を貫通する溝に酸化シリコンなどの絶縁体を配した構成である。分離領域１３６は、有効領域Ａ１やＯＢ領域Ａ２の半導体層１００への開口１２５から金属や水分が混入することを低減するガードリングとして機能しうる。また、パッド領域Ａ３において、コンタクトプラグ１４０、配線層１４１、ビアプラグ１４２、配線層１４３、ビアプラグ１４４、配線層１４５は、開口１２５の側面に沿って、すなわちＺ方向に沿って配され、互いに接して配されている。これらは、膜１３２〜膜１３４へ開口１２５から金属や水分が混入することを低減するガードリングとして機能しうる。

図９（ａ）に示した光電変換装置の構造によって、金属部分が水素を吸蔵するため、固定電荷膜として機能する膜１０１への水素の供給量を低減することができるため、固定電荷膜としての特性の低下を抑制することができる。よって、光電変換装置のノイズが増大することを抑制することができる。また、水素を吸蔵することが可能な金属部分が光電変換素子に対応する開口を有することで、光が金属部分に吸収されることが低減される。よって、光電変換素子の感度の低下を抑制しつつ、ノイズ特性の良好な光電変換装置を提供することが可能である。

なお、ＯＢ領域Ａ２に配された配線層１１２は、ＯＢ領域Ａ２の光電変換素子への光の入射を低減する遮光膜として機能しうる。この配線層１１２の水素を吸蔵することが可能な金属部分を部分的に除去してもよい。それは、配線層１１２が膜１０４〜膜１０６からの水素が膜１０１へ到達することを低減させうるためである。

次に、図１０（ａ）〜図１４（ｂ）を用いて、第６実施形態の光電変換装置の製造方法を説明する。以下、説明を簡易にするため加工前の部材と加工後の部材を同一の符号で説明する場合がある。

図１０（ａ）では、チップＣ１を準備する。面Ｐ１と面Ｐ６を有する半導体層１００に、素子分離部１３０と、半導体領域１６０、半導体領域１６１、トランジスタのソースドレインとなる半導体領域などを形成する。この時、分離領域１３６は、半導体層１００をエッチングすることにより溝を形成し、絶縁膜を埋め込み、不要な絶縁膜を除去することによって形成される。分離領域１３６の深さは２〜５μｍ程度である。平面視において、分離領域１３６は、後に形成されるパッド部を取り囲むように配置される。半導体層１００の面Ｐ１の上に、ゲート電極１３１を形成し、配線構造を形成する。配線構造は、膜１３２〜膜１３５、コンタクトプラグ１４０、配線層１４１、ビアプラグ１４２、配線層１４３、ビアプラグ１４４、配線層１４５、ビアプラグ１４６、配線層１４７を有する。各種素子、膜、配線構造などは、一般の半導体製造方法によって形成することができる。最終的に、チップＣ１は、面Ｐ６と面Ｐ７を有する。

図１０（ｂ）に示すように、チップＣ２を準備する。面Ｐ３と面Ｐ４を有する半導体層２００に、素子分離部２０１と、トランジスタのソースドレインとなる半導体領域などを形成する。半導体層２００の面Ｐ３の上に、ゲート電極２０２を形成し、配線構造を形成する。配線構造は、膜２０３〜膜２０６、コンタクトプラグ２１０、配線層２１１、ビアプラグ２１２、配線層２１３、ビアプラグ２１４、配線層２１５、ビアプラグ２１６、配線層２１７を有する。各種素子、膜、配線構造などは、一般の半導体製造方法によって形成することができる。最終的に、チップＣ２は、面Ｐ８と面Ｐ４を有する。

図１１（ａ）では、チップＣ１とチップＣ２を接合し、チップＣ１の半導体層１００を薄化する。チップＣ１の面Ｐ７とチップＣ２の面Ｐ８とを合わせ、配線層１４７と配線層２１７とが一体になるように接合する。ここで、面Ｐ５は、接合面である。その後、チップＣ１の半導体層１００を機械研磨や化学機械研磨などで面Ｐ６から薄化する。半導体層１００は面Ｐ２まで薄化される。分離領域１３６は面Ｐ２で露出される。

図１１（ｂ）では、面Ｐ２の上に、膜１０１、膜１０２、膜１０３をこの順に形成し、膜１０１〜膜１０３を貫通する開口５１１を形成する。膜１０１は、上述した材料の膜で、例えばＡＬＤ（Ａｔｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成することができる。膜１０２は、上述した材料の膜で、例えば、ＡＬＤ法、ＰＶＤ（Ｐｈｉｓｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成することができる。膜３０５は、ＰＶＤ法やＣＶＤ法によって形成することができる。その後、膜１０１〜膜１０３に開口５１１を形成する。開口５１１は、エッチングによって形成することができる。

図１２（ａ）では、開口５１１を埋め、膜１０３の上に渡って、金属膜６１２を形成する。金属膜６１２は、積層膜であり、次のように形成される。膜１０３の上面と、開口５１１の底面と側面に沿ってチタン膜を形成し、チタン膜の上にタングステン膜を形成し、その後、タングステン膜の上に再びチタン膜を形成する。次に、金属膜６１２をエッチングによりパターニングすることで、図１２（ｂ）に示すコンタクトプラグ１１１と配線層１１２が形成される。

図１３（ａ）では、配線層１１２の上に膜１０４を形成し、膜１０４の中にビアプラグ１１３を形成する。膜１０４は、ＰＶＤ法やＣＶＤ法によって形成することができる。ビアプラグ１１３は、次のように形成される。まず、膜１０４に開口を形成し、膜１０４の開口を埋め、且つ膜１０４の上面を覆う金属膜を形成する。膜１０４の上面に形成された金属膜をエッチングやＣＭＰ法によって除去することで、膜１０４の上面と一致した上面を有するビアプラグ１１３が形成される。ビアプラグ１１３を形成するための金属膜は、チタン膜と、チタン膜の上に形成された窒化チタン膜と、窒化チタン膜の上に形成されたタングステン膜の多層膜である。

図１３（ｂ）では、膜１０４とビアプラグ１１３を覆う部材を形成し、レンズ部１０７を有する膜１０６を形成する。膜１０６とレンズ部１０７は、レンズ形状のフォトレジストマスクを用いて部材の一部をエッチングすることで形成することができる。ここで、部材はＣＶＤ法によって形成することができる。

図１４（ａ）では、図１３（ａ）と同様に、膜１０５とビアプラグ１１４を形成する。そして、膜１０５とビアプラグ１１４を覆う膜１２０を形成する。膜１２０の上に、一般的な半導体製造方法によって、カラーフィルタ１２１と、膜１２２と、マイクロレンズ１２３と、膜１２４が形成され、図１４（ｂ）の構成が形成される。その後、パッド部となる配線層２１５を露出させる開口１２５を形成することで、図９（ａ）の構造を形成することができる。

コンタクトプラグ１１１、配線層１１２、ビアプラグ１１３、ビアプラグ１１４の材料としてチタン、窒化チタン、タングステンを用いた。これらは、いずれもＣＶＤ法やＰＶＤ法によって形成することができるため、同一装置での製造が可能となり、生産性よく製造することができる。また、ＡＬＤ法によって形成される膜１０１を厚くする必要がないため、工数の削減が可能である。

第６実施形態では、ビアプラグ１１３、ビアプラグ１１４、配線層１１２の全てがチタン、ジルコニア、パラジウム、マグネシウムのうち少なくとも１つからなる金属部分を有する構成であった。しかし、少なくとも１か所にその部分が配されていれば、負バイアス効果の低減の抑制は可能である。

第６実施形態では、１つのマイクロレンズに対して１つの光電変換素子ＰＤが配されている構成を示した。しかし、距離情報や位相差情報を得るための１つのマイクロレンズに対して複数の光電変換素子ＰＤが配されている構成であってもよい。その場合には、平面視において、１つのマイクロレンズと複数の光電変換素子ＰＤが重畳する構成となる。レンズ部１０７についても同様である。

図１５は、第７実施形態における光電変換装置の一部を拡大した断面模式図である。第６実施形態の光電変換装置に対する第７実施形態の光電変換装置の差異は、金属部の厚さが異なる点である。図１５は、図９（ｂ）に対応するコンタクトプラグ１１１、配線層１１２、ビアプラグ１１３、ビアプラグ１１４、膜１０３〜１０６の一部を拡大して示したものである。第６実施形態では、部分１１３（ａ）の厚さｄ１、部分１１２（ａ）の厚さｄ２、部分１１２（ｃ）の厚さｄ３、部分１１４（ａ）の厚さｄ４が等しい場合を示した。第７実施形態においては、厚さｄ２、厚さｄ３よりも厚さｄ１の方が大きく、厚さｄ２、厚さｄ３よりも厚さｄ４の方が大きい。

ここで、ＯＢ領域Ａ２には配線層１１２が延在している。よって、膜１０１に水素が供給される量が有効領域Ａ１よりも少ない場合が考えられる。このような場合において、本実施形態の構成によって、有効領域Ａ１とＯＢ領域Ａ２の間における膜１０１に供給される水素量のバランスをとることができるため、ノイズのばらつきを低減することができる。

図１６（ａ）は、第８実施形態における光電変換装置の断面模式図である。図１６（ａ）は、図９（ａ）に対応した図面である。第６実施形態の光電変換装置に対する第８実施形態の光電変換装置の差異は、コンタクトプラグ１１１と配線層１１２の構造および材料が異なる点である。図１６（ｂ）を用いて詳細に説明する。

図１６（ｂ）は、図１６（ａ）の一部を拡大した断面模式図であり、図９（ｂ）に対応する。コンタクトプラグ１１１は、部分１１１（ａ）と、部分１１１（ｂ）を含む。配線層１１２は、部分１１２（ａ）と、部分１１２（ｂ）と、部分１１２（ｃ）とを含む。部分１１１（ａ）は、チタン、ジルコニア、パラジウム、マグネシウムの水素吸蔵効果を有する金属の少なくとも１つからなる金属部分であり、第８実施形態ではチタンからなるものとする。部分１１１（ｂ）は、水素吸蔵効果を有する金属とは異なるタングステンやアルミニウムからなる金属部分であり、第８実施形態ではタングステンからなるものとする。部分１１２（ａ）と部分１１２（ｃ）は、水素吸蔵効果を有する金属とは異なる窒化チタンなどからなる部分である。部分１１２（ｂ）は、水素吸蔵効果を有する金属とは異なるアルミニウムからなる部分である。第８実施形態に示すように、水素吸蔵効果を有する金属は適宜、設けることができる。本実施形態のような構成によって、有効領域Ａ１とＯＢ領域Ａ２の間における膜１０１に供給される水素量のバランスをとることができるため、ノイズのばらつきを低減することができる。また、必要に応じて、部分１１２（ａ）や部分１１２（ｃ）はチタン膜を含む積層膜にすることもでき、その配置は適宜、設定できる。

図１７は、第９実施形態における光電変換装置の断面模式図である。図１７は、図９（ａ）に対応した図面である。第６実施形態の光電変換装置に対する第９実施形態の光電変換装置の差異は、膜１０６のレンズ部１０７がない点である。このような構成においても、本発明は適用可能である。

図１８は第１０実施形態における撮像システムのブロック図である。撮像システムは、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、カメラヘッド、監視用カメラ、複写機、ファックス、携帯端末、スマートフォン、車載カメラ、観測衛星、人口知能ロボットなどであり得る。第９実施形態における撮像装置１１００は、第１〜第８実施形態の光電変換装置である。

図１８に示す撮像システムは、バリア１１０１、レンズ１１０２、絞り１１０３、撮像装置１１００、信号処理部１１０４を有する。更に、撮像システムは、メモリ部１１０５、外部Ｉ／Ｆ部１１０６、記録媒体制御Ｉ／Ｆ部１１０７、記録媒体１１０８、機械装置１１０９、制御部１１１０を備える。バリア１１０１はレンズ１１０２を保護し、レンズ１１０２は被写体の光学像を撮像装置１１００に結像させる。絞り１１０３はレンズ１１０２を通った光量を可変する。撮像装置１１００はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型の固体撮像装置であって、レンズ１１０２により結像された光学像を画像データに変換する。撮像装置１１００は、画素回路、信号処理回路などが形成された半導体基板、半導体基板を格納するパッケージ、外部回路との接続端子などを含み得る。撮像装置１１００の半導体基板にはＡＤ（アナログ・デジタル）変換部が形成されている。信号処理部１１０４は撮像装置１１００より出力された画像データにおいて階調補正、ノイズ除去などの画像処理を行う。

メモリ部１１０５はダイナミックメモリなどの揮発性メモリ、またはフラッシュメモリなどの不揮発性メモリを備え、画像データを格納するフレームメモリとして機能する。外部Ｉ／Ｆ部１１０６は外部コンピュータ、ネットワーク、サーバ等と通信するための有線または無線のインターフェースである。記録媒体制御Ｉ／Ｆ部１１０７は記録媒体１１０８に画像データの記録または読み出しを行うためのインターフェースであり、記録媒体１１０８は画像データを格納するための半導体メモリを有するメモリカード等の着脱可能な記録媒体である。機械装置１１０９はレンズ１１０２、絞り１１０３などの光学機構の駆動装置、カメラヘッドの姿勢制御などを行う機構装置などを含み得る。制御部１１１０はＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭなどを備え、予め定められたプログラムに従い、撮像システム全体の制御を行う。また、制御部１１１０は、画像データにおける被写体の動きを検出し、所定の処理を実行することが可能である。図１８において、信号処理部１１０４、メモリ部１１０５、制御部１１１０は撮像装置１１００とは別に設けられているが、撮像装置１１００と同一の半導体基板に形成されてもよい。

図１９（ａ）、図１９（ｂ）は、第１〜第８実施形態における光電変換装置を車戴カメラに関する撮像システムに適用した例を示している。本実施形態において、撮像装置２０１０は第１〜第８実施形態の光電変換装置に相当する。

撮像システム２０００は、撮像装置２０１０により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部２０３０と、撮像システム２０００により取得された複数の画像データから視差（視差画像の位相差）の算出を行う視差算出部２０４０を有する。また、撮像システム２０００は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離計測部２０５０と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部２０６０とを有する。ここで、視差算出部２０４０、距離計測部２０５０は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部２０６０はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。

撮像システム２０００は車両情報取得装置２３１０と接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの車両情報を取得することができる。また、撮像システム２０００は、衝突判定部２０６０での判定結果に基づいて、車両に対して制動力を発生させる制御信号を出力する制御装置である制御ＥＣＵ２４１０が接続されている。また、撮像システム２０００は、衝突判定部２０６０での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置２４２０とも接続されている。例えば、衝突判定部２０６０の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ＥＣＵ２４１０はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置２４２０は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムなどの画面に警報情報を表示する、シートベルトまたはステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。撮像システム２０００は上述のように車両を制御する動作の制御を行う制御手段として機能する。

第１１実施形態では車両の周囲、例えば前方または後方を撮像システム２０００で撮像する。図１９（ｂ）に、車両前方（撮像範囲２５１０）を撮像する場合の撮像システムを示す。撮像制御手段としての車両情報取得装置２３１０が、撮像システム２０００ないしは撮像装置２０１０に指示を送る。このような構成により、測距の精度をより向上させることができる。

上述では、他の車両と衝突しないように制御する例を説明したが、他の車両に追従して自動運転する制御、車線からはみ出さないように自動運転する制御などにも適用可能である。さらに、撮像システムは、自車両等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機あるいは産業用ロボットなどの移動体（移動装置）に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム（ＩＴＳ）等、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。

第６〜第１１実施形態は第１、２、５実施形態と互換性がある。すなわち、第６〜１１実施形態の配線層１１２は、第１、２実施形態の遮光膜５０、あるいは、第５実施形態の遮光膜５２０に相当する。第６〜１１実施形態のビアプラグ１１３は、第１実施形態の遮光壁６０の部分６０１、第２実施形態の遮光壁６０の部分６０１の第１遮光壁層６１、あるいは、第５実施形態の遮光部５３１に相当する。第６〜１１実施形態のビアプラグ１１４は、第２実施形態の遮光壁６０の部分６０１の第２遮光壁層６２に相当する。

以下、第６〜第１１実施形態として例示的に説明された発明は、以下の観点を含みうる。
（観点１）
観点１としての光電変換装置は、
第１光電変換素子を有する半導体層と、
前記第１光電変換素子へ光を集光するためのマイクロレンズと、
前記マイクロレンズと前記第１光電変換素子との間に配された第１絶縁膜と、
前記第１光電変換素子と前記第１絶縁膜との間に配され、前記第１光電変換素子にて生じる電荷と同導電型の電荷を有する固定電荷膜と、を有する光電変換装置において、
前記第１絶縁膜と前記固定電荷膜との間に配され、前記第１光電変換素子に対応した開口を有し、チタン、ジルコニア、パラジウム、マグネシウムのうち少なくとも１つからなる第１金属部分を有する。
（観点２）
観点２としての光電変換装置は、観点１として特定された光電変換装置において、前記第１金属部分は、チタンからなる。
（観点３）
観点２としての光電変換装置は、観点１または観点２として特定された光電変換装置において、更に、
前記第１絶縁膜と前記固定電荷膜との間に配された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜に配された第１プラグと、を有し、
前記第１金属部分は前記第１プラグを構成する。
（観点４）
観点４としての光電変換装置は、観点３として特定された光電変換装置において、更に、
前記第２絶縁膜と前記固定電荷膜との間に配された第３絶縁膜と、
前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜との間に配され、前記第１光電変換素子に対応した開口を有する第１配線と、を有し、
前記第１配線は、チタン、ジルコニア、パラジウム、マグネシウムのうち少なくとも１つからなる第２金属部分を有する。
（観点５）
観点２としての光電変換装置は、観点３または観点４として特定された光電変換装置において、
前記半導体層は、基準信号を生成するための第２光電変換素子を有し、
前記固定電荷膜と前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜は、前記第１光電変換素子が配された第１領域から前記第２光電変換素子が配された第２領域に渡って配され、
前記第２領域、且つ前記第２絶縁膜と前記固定電荷膜との間に配された第２配線を有し、
前記第２配線は、チタン、ジルコニア、パラジウム、マグネシウムとは異なる金属からなる第３金属部分を有する。
（観点６）
観点６としての光電変換装置は、観点５として特定された光電変換装置において、
前記第３金属部分は、タングステンまたはアルミニウムからなる。
（観点７）
観点７としての光電変換装置は、観点５または観点６として特定された光電変換装置において、
前記第２配線は、チタン、ジルコニア、パラジウム、マグネシウムのうち少なくとも１つからなる第４金属部分を有し、
前記第４金属部分の厚さは、前記第１金属部分の厚さよりも薄い。
（観点８）
観点８としての光電変換装置は、観点１または観点２として特定された光電変換装置において、更に、
前記第１絶縁膜と前記固定電荷膜との間に配された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜と前記固定電荷膜との間に配された第３絶縁膜と、
前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜との間に配され、前記第１光電変換素子に対応した開口を有する第１配線と、を有し、
前記第１金属部分は、前記第１配線を構成する。
（観点９）
観点９としての光電変換装置は、観点１乃至観点８のいずれかとして特定された光電変換装置において、
前記半導体層は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、
前記第２面は前記固定電荷膜と前記第１面との間に位置し、
前記第２面における平面視をした時に、前記第１金属部分が前記第１光電変換素子を囲む。
（観点１０）
観点１０としての光電変換装置は、観点９として特定された光電変換装置において、
前記半導体層は、第３光電変換素子を有し、
前記平面視をした時に、前記マイクロレンズは、前記第１光電変換素子と前記第３光電変換素子に重畳し、
前記第１金属部分は、前記第１光電変換素子と前記第３光電変換素子が配された領域を囲む。
（観点１１）
観点１１としての光電変換装置は、観点１乃至観点１１のいずれかとして特定された光電変換装置において、 前記第１光電変換素子にて生じた電荷に基づく信号を伝達するための第３配線を有し、
前記半導体層は前記固定電荷膜と前記第３配線の間に位置する。
（観点１２）
観点１２としての光電変換装置は、観点１１として特定された光電変換装置において、
第２半導体層と、第４配線と、を有し、
前記第３配線と前記第４配線は、前記第２半導体層と前記半導体層の間に位置する。
（観点１３）
観点１３としての光電変換装置は、観点１乃至観点１２のいずれかとして特定された光電変換装置において、
前記第１絶縁膜は、窒化シリコン膜を含む。
（観点１４）
観点１４としての光電変換装置は、観点１乃至観点１３のいずれかとして特定された光電変換装置において、
前記第１絶縁膜は、前記第１光電変換素子に集光するためのレンズ部を有する。
（観点１５）
観点１５としての光電変換装置は、観点１乃至観点１４のいずれかとして特定された光電変換装置において、
前記固定電荷膜は、酸化ハフニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ニオブ膜、酸化チタン膜、酸化バナジウム膜から選ばれる材料からなる。
（観点１６）
観点１６としての撮像システムは、
観点１乃至観点１５のいずれかとして特定された光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号を処理する処理回路と、を有する。
（観点１７）
観点１７としての移動体は、
観点１乃至観点１５のいずれかとして特定された光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、を有する移動体であって、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段をさらに有する。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。例えば複数の実施形態同士を組み合わせたり、或る実施形態を別の実施形態で置き換えたり、或る実施形態の一部の事項を削除してもよい。なお、本明細書の開示内容は、本明細書に記載したことのみならず、本明細書および本明細書に添付した図面から把握可能な全ての事項を含む。また本明細書の開示内容は、本明細書に記載した概念の補集合を含んでいる。すなわち、本明細書に例えば「ＡはＢである」旨の記載があれば、本明細書に「ＡはＢでない」旨の記載を省略したとしても、本明細書は「ＡはＢでない」旨を開示しているものとする。なぜなら、「ＡはＢである」旨を記載している場合には、発明者は「ＡはＢでない」場合を検討していることが当然だからである。発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１：受光画素領域、２：遮光画素領域、３：周辺領域、１０：半導体層、１１：光電変換部、２０：配線構造、３０：区画構造、３１：層内レンズ、５０：遮光膜、５１：開口、６０：遮光壁、７０：カラーフィルタ層、８０：マイクロレンズ

Claims (31)

1. 受光画素領域および遮光画素領域を有する光電変換装置であって、
   前記受光画素領域に複数の第１光電変換部が配置され、前記遮光画素領域に複数の第２光電変換部が配置された半導体層と、
   前記半導体層の上に配置され、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定する遮光壁と、
   前記半導体層の上に配置された遮光膜と、を備え、
   前記遮光膜は、前記複数の第２光電変換部を覆うように前記半導体層の主面に沿って延在する第１部分を含み、前記第１部分は、前記半導体層の側の下面および前記下面とは反対側の上面を有し、
   前記遮光壁は、前記半導体層からの距離が前記上面と前記主面との距離よりも大きい第２部分を有し、
   前記主面に垂直な方向における前記第１部分の厚さが、前記主面に平行な方向における前記第２部分の厚さより大きい、
   ことを特徴とする光電変換装置。
2. 受光画素領域および遮光画素領域を有する光電変換装置であって、
   前記受光画素領域に複数の第１光電変換部が配置され、前記遮光画素領域に複数の第２光電変換部が配置された半導体層と、
   前記半導体層の上に配置され、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定する遮光壁と、
   前記半導体層の上に配置された遮光膜と、を備え、
   前記遮光膜は、前記複数の第２光電変換部を覆うように前記半導体層の主面に沿って延在する第１部分を含み、前記第１部分は、前記半導体層の側の下面および前記下面とは反対側の上面を有し
   前記遮光壁は、前記半導体層からの距離が前記上面と前記主面との距離よりも大きい第２部分を有し、
   前記遮光膜を構成する材料の光吸収係数が前記遮光壁を構成する材料の光吸収係数より大きい、
   ことを特徴とする光電変換装置。
3. 受光画素領域および遮光画素領域を有する光電変換装置であって、
   前記受光画素領域に複数の第１光電変換部が配置され、前記遮光画素領域に複数の第２光電変換部が配置された半導体層と、
   前記半導体層の上に配置され、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定する遮光壁と、
   前記半導体層の上に配置された遮光膜と、を備え、
   前記遮光膜は、前記複数の第２光電変換部を覆うように前記半導体層の主面に沿って延在する第１部分を含み、前記第１部分は、前記半導体層の側の下面および前記下面とは反対側の上面を有し
   前記遮光壁は、前記半導体層からの距離が前記上面と前記主面との距離よりも大きい第２部分を有し、
   前記主面に垂直な方向における前記第１部分の光透過率が、前記主面に平行な方向における前記遮光壁の光透過率より小さい、
   ことを特徴とする光電変換装置。
4. 前記遮光壁および前記遮光膜は、同じ金属材料で構成されている、
   ことを特徴とする請求項１又は３に記載の光電変換装置。
5. 前記遮光壁は、アルミニウム、銅、チタン、タンタルおよびタングステンの少なくとも１つの材料で構成されており、
   前記遮光膜は、アルミニウム、銅、チタン、タンタルおよびタングステンの少なくとも１つの材料で構成されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
6. 前記遮光壁は、タングステンで構成され、前記遮光膜は、アルミニウムで構成されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
7. 受光画素領域および遮光画素領域を有する光電変換装置であって、
   前記受光画素領域に複数の第１光電変換部が配置され、前記遮光画素領域に複数の第２光電変換部が配置された半導体層と、
   前記半導体層の上に配置され、前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定する遮光壁と、
   前記半導体層の上に配置された遮光膜と、を備え、
   前記遮光膜は、前記複数の第２光電変換部を覆うように前記半導体層の主面に沿って延在する第１部分を含み、前記第１部分は、前記半導体層の側の下面および前記下面とは反対側の上面を有し
   前記遮光壁は、前記半導体層からの距離が前記上面と前記主面との距離よりも大きい第２部分を有し、
   前記第１部分はアルミニウムで構成され、前記第２部分はタングステンで構成されている、
   ことを特徴とする光電変換装置。
8. 前記遮光壁は、格子を構成するように配置されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
9. 前記遮光壁は、前記主面に対する正射影において、前記複数の第１光電変換部のうち前記遮光画素領域に最も近い位置に配置された第１光電変換部と、前記複数の第２光電変換部のうち前記受光画素領域に最も近い位置に配置された第２光電変換部と、の間に配置された部分を含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
10. 前記複数の第１光電変換部に対応する複数のオンチップレンズおよび前記複数の第２光電変換部に対応する複数のオンチップレンズを備える、
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
11. 前記複数の第１光電変換部に対応する前記複数のオンチップレンズの１つと前記複数の第１光電変換部の１つとの間に配された層内レンズ、および前記複数の第２光電変換部に対応する前記複数のオンチップレンズの１つと前記複数の第１光電変換部の１つとの間に配された層内レンズを備える、
    ことを特徴とする請求項１０に記載の光電変換装置。
12. 前記遮光膜と前記半導体層とが電気的に接続されている、
    ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
13. 前記遮光膜と前記半導体層とは、前記受光画素領域および前記遮光画素領域とは別の領域で電気的に接続されている、
    ことを特徴とする請求項１２に記載の光電変換装置。
14. 前記遮光膜と前記半導体層との間に配置された絶縁膜と、前記遮光膜と前記絶縁膜との間に配置された金属化合物膜および／または金属膜を備える、
    ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
15. 前記遮光膜と前記半導体層との間に配置された絶縁膜を備え、前記絶縁膜は、シリコン化合物層と、前記シリコン化合物層と前記半導体層との間に位置する金属化合物層とを含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
16. 前記遮光膜を覆う窒化シリコン膜および／または酸窒化シリコン膜を備える、
    ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
17. 前記遮光壁は、複数の開口を有する第１遮光壁層と、前記第１遮光壁層に対して積層され、複数の開口を有する第２遮光壁層と、を含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
18. 前記遮光膜は前記複数の第１光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を規定する第３部分を有し、前記第３部分が前記第２部分と前記半導体層との間に位置する、
    ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
19. 前記第２部分と前記第３部分との間に配置された金属膜および／または金属化合物膜を備える、
    ことを特徴とする請求項１８に記載の光電変換装置。
20. 前記半導体層に対して前記遮光膜の側とは反対側に配置された、ゲート電極および配線層を備える、
    ことを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
21. 前記半導体層と前記遮光膜との間に配置された、ゲート電極および配線層を備える、
    ことを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
22. 前記遮光壁は、前記受光画素領域および前記遮光画素領域に配置され、前記複数の第２光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口を有する、
    ことを特徴とする請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
23. 前記遮光壁が前記受光画素領域に有する前記複数の開口の配列ピッチと、前記遮光壁が前記遮光画素領域に有する前記複数の開口の配列ピッチとが等しい、
    ことを特徴とする請求項２２に記載の光電変換装置。
24. 前記受光画素領域の一部分において、前記第１遮光壁層と前記第２遮光壁層とが、前記主面に平行な方向において相互にずれて配置されている、請求項１７に記載の光電変換装置。
25. 前記半導体層の上に配された絶縁膜と、
    前記半導体層と前記絶縁膜との間に配された金属酸化膜と、を有し、
    前記遮光膜は絶縁膜と前記金属酸化膜との間に配され、
    前記遮光膜および前記遮光壁の少なくとも一方は、チタン、ジルコニア、パラジウム、マグネシウムのうち少なくとも１つからなる部分を有する、
    ことを特徴とする請求項1乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
26. 前記半導体層の上に配された絶縁膜と、
    前記半導体層と前記絶縁膜との間に配された金属酸化膜と、を有し、
    前記遮光膜は前記絶縁膜と前記金属酸化膜との間に配され、
    前記遮光膜はアルミニウム部を有し、
    前記アルミニウム部と前記金属酸化膜との間にチタン部が配されている、
    ことを特徴とする請求項1乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
27. 前記絶縁膜と前記アルミニウム部の間にチタン部が配されている、
    ことを特徴とする請求項２６に記載の光電変換装置。
28. 前記半導体層の上に配された絶縁膜と、
    前記半導体層と前記絶縁膜との間に配された金属酸化膜と、を有し、
    前記遮光壁は前記絶縁膜の開口の中に配され、
    前記遮光壁はタングステン部を有し、
    前記タングステン部と前記アルミニウム部との間に窒化チタン部が配されている、
    ことを特徴とする請求項２６または２７に記載の光電変換装置。
29. 前記金属酸化膜と前記遮光膜との間には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、炭素含有酸化シリコン膜およびフッ素含有酸化シリコン膜の少なくともいずれかが配されている、
    ことを特徴とする請求項２５乃至２８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
30. 前記金属酸化膜は、酸化ハフニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ニオブ膜、酸化チタン膜および酸化バナジウム膜のいずれかである第１金属酸化膜と、酸化タンタル膜および酸化チタン膜のいずれかである第２金属酸化膜と、を含み、前記第１金属酸化膜が前記第２金属酸化膜と前記半導体層との間に配されている、
    ことを特徴とする請求項２５乃至２９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
31. 請求項１乃至３０のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
    前記光電変換装置に光学像を形成する光学系、および
    前記光電変換装置で得られた情報を表示する表示装置、の少なくとも一方と、
    を備えることを特徴とする機器。