JP2023174187A - 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、撮像システム、移動体、および機器 - Google Patents

光電変換装置、光電変換装置の製造方法、撮像システム、移動体、および機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2023174187A
JP2023174187A JP2022086895A JP2022086895A JP2023174187A JP 2023174187 A JP2023174187 A JP 2023174187A JP 2022086895 A JP2022086895 A JP 2022086895A JP 2022086895 A JP2022086895 A JP 2022086895A JP 2023174187 A JP2023174187 A JP 2023174187A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
light
conversion device
trench
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022086895A
Other languages
English (en)
Inventor
英明 石野
Hideaki Ishino
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2022086895A priority Critical patent/JP2023174187A/ja
Priority to US18/318,488 priority patent/US20230387157A1/en
Publication of JP2023174187A publication Critical patent/JP2023174187A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

【課題】パッド開口部を介して侵入する迷光を抑制する。【解決手段】複数の光電変換部が形成された第１面、および第１面に対向する第２面を有する半導体基板と、第２面に設けられ、光が入射する絶縁層と、光電変換部が配され、受光画素領域と、受光画素領域に隣接し、絶縁層の上に遮光膜が形成された第１遮光領域と、絶縁層および半導体基板を貫通し、第１面の側に設けられたボンディングパッドを露出させる開口部を含む周辺領域と、第１遮光領域および周辺領域の間に位置し、絶縁層の上に遮光膜が形成された第２遮光領域とを備え、第２遮光領域の半導体基板には第１トレンチが形成され、第２遮光領域の絶縁層には、絶縁層を貫通する第２トレンチが形成され、第２トレンチの側面および底面は遮光膜で覆われ、平面視において、第１トレンチおよび第２トレンチは互いに重なる部分を有する光電変換装置。【選択図】図４Ａ

Description

本発明は、光電変換装置、光電変換装置の製造方法、撮像システム、移動体、および機器に関する。
特許文献１には、ＯＢ（Ｏｐｉｔｉｃａｌ Ｂｌａｃｋ）画素領域と周辺領域を遮光膜により遮光する裏面照射型の光電変換装置が開示されている。当該光電変換装置においては、光電変換部が形成された半導体基板と遮光膜との間に、固定電荷膜を含む絶縁膜からなる絶縁層が形成されている。
特開２０１９－２１２７３７号公報
特許文献１に示される裏面照射型の光電変換装置は、チップ外周部において、ボンディングパッドと、光の入射面側からボンディングパッドを露出するパッド開口部とを備え得る。当該光電変換装置においては、パッド開口部から入射した光が半導体基板内や半導体基板と遮光膜との間に位置する絶縁層内を伝搬してＯＢ画素領域に侵入する迷光の抑制が不十分であった。このような迷光によって電荷が発生すると、例えば光電変換装置の暗時特性が悪化する。
本発明は上述の課題に鑑みてなされたものであって、パッド開口部を介して侵入する迷光を抑制することを目的とする。
本明細書の一開示における光電変換装置は、複数の光電変換部が形成された第１面、および前記第１面に対向する第２面を有する半導体基板と、前記第２面に設けられ、光が入射する絶縁層と、前記光電変換部が配され、前記絶縁層を透過した光を前記光電変換部において受光可能な受光画素領域と、前記受光画素領域に隣接し、前記絶縁層の上に遮光膜が形成された第１遮光領域と、前記絶縁層および前記半導体基板を貫通し、前記第１面の側に設けられたボンディングパッドを露出させる開口部を含む周辺領域と、前記第１遮光領域および前記周辺領域の間に位置し、前記絶縁層の上に前記遮光膜が形成された第２遮光領域とを備え、前記第２遮光領域の前記半導体基板には第１トレンチが形成され、前記第２遮光領域の前記絶縁層には、前記絶縁層を貫通する第２トレンチが形成され、前記第２トレンチの側面および底面は前記遮光膜で覆われ、前記半導体基板の平面視において、前記第１トレンチおよび前記第２トレンチは互いに重なる部分を有する。
本明細書の他の開示における光電変換装置の製造方法は、複数の光電変換部が形成された第１面、および前記第１面に対向する第２面を有する半導体基板と、前記第２面に設けられ、光が入射する絶縁層と、前記光電変換部が配され、前記絶縁層を透過した光を前記光電変換部において受光可能な受光画素領域と、前記受光画素領域に隣接し、前記絶縁層の上に遮光膜が形成された第１遮光領域と、前記絶縁層および前記半導体基板を貫通し、前記第１面の側に設けられたボンディングパッドを露出させる開口部を含む周辺領域と、前記第１遮光領域および前記周辺領域の間に位置し、前記絶縁層の上に前記遮光膜が形成された第２遮光領域とを備える光電変換装置の製造方法であって、前記第２遮光領域の前記半導体基板に第１トレンチを形成するステップと、前記第２遮光領域の前記絶縁層に、前記絶縁層を貫通する第２トレンチを形成するステップと、を有し、前記第２トレンチの側面および底面は前記遮光膜で覆われ、前記半導体基板の平面視において、前記第１トレンチおよび前記第２トレンチは互いに重なる部分を有する。
本発明によれば、パッド開口部を介して侵入する迷光を抑制できる。
第１実施形態に係る光電変換装置のブロック図である。 第１実施形態に係る画素の等価回路図である。 第１実施形態に係る光電変換装置の構造を示す平面図である。 第１実施形態に係る光電変換装置の断面模式図である。 第１実施形態に係る光電変換装置の平面図である。 第１実施形態に係る光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図である。 第１実施形態に係る光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図である。 第１実施形態に係る光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図である。 第１実施形態に係る光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図である。 第１実施形態に係る光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図である。 第１実施形態に係る光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図である。 第１実施形態に係る光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図である。 第１実施形態に係る光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図である。 第１実施形態に係る光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図である。 第２実施形態に係る光電変換装置の断面模式図である。 第３実施形態に係る光電変換装置の断面模式図である。 第４実施形態に係る光電変換装置の断面模式図である。 第４実施形態に係る光電変換装置の平面図である。 第５実施形態に係る光電変換装置の断面模式図である。 第５実施形態に係る光電変換装置の平面図である。 第６実施形態に係る光電変換装置の平面図である。 第７実施形態に係る撮像システムの概略構成を示すブロック図である。 第８実施形態に係る撮像システムおよび移動体の構成例を示す図である。 第９実施形態に係る機器の概略構成を示すブロック図である。
本発明の実施形態に係る光電変換装置を、図面を参照しながら具体的に説明する。各図面を通じて共通する機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略または簡略化することがある。
［第１実施形態］
図１は、本実施形態に係る光電変換装置のブロック図である。光電変換装置は、例えばＣＭＯＳイメージセンサであって、画素アレイ１０、垂直走査回路１１、列回路１２、水平走査回路１３、出力回路１４、タイミング生成回路１５を備える。光電変換装置が積層基板によって構成される場合、例えば、画素アレイ１０は第１の基板に形成され、垂直走査回路１１、列回路１２、水平走査回路１３、出力回路１４、タイミング生成回路１５は第２の基板に形成され得る。
画素アレイ１０は、行列状に配列された複数の画素Ｐを備える。複数の画素Ｐの各々は、入射光に基づき信号電荷を生成および蓄積する光電変換部を備える。なお、本明細書において、行方向（Ｄ２方向）とは図１における水平方向を示し、列方向（Ｄ１方向）とは図１において行方向に交差する垂直方向を示すものとする。また、厚み方向（Ｄ３方向）とは、列方向および行方向にそれぞれ交差する垂直方向を示すものとする。図１には、行Ｒ１～Ｒｎ、列Ｃ１～Ｃｍのｎ行ｍ列の画素Ｐが示されている。画素Ｐ上にはマイクロレンズ、カラーフィルタが配置され得る。カラーフィルタは例えば赤、青、緑の原色フィルタであって、ベイヤー配列に従って各画素Ｐに設けられている。
画素アレイ１０は、受光画素領域と遮光領域とを含む。受光画素領域に含まれる画素Ｐには遮光膜が形成されておらず、入射光に応じた画素信号を出力可能である。遮光領域は、受光画素領域の周囲に配置されたオプティカル・ブラック（ＯＢ）画素領域である。なお、光電変換部、受光画素領域および遮光領域の詳細については後述する。
また、画素アレイ１０には、焦点検出用の画素信号を出力する焦点検出画素が配された測距行と、画像を生成するための画素信号を出力する撮像画素が配された複数の撮像行とが設けられ得る。列信号線１６は各列の複数の画素Ｐに接続され、同一列の複数の画素Ｐは順次、共通の列信号線１６に画素信号を出力する。
垂直走査回路１１はシフトレジスタ、ゲート回路、バッファ回路などから構成され、垂直同期信号、水平同期信号、クロック信号などに基づいて、列信号線１６を介して画素Ｐに制御信号を出力し、行毎に画素Ｐを駆動する。
列回路１２は各列信号線１６に接続され、列信号線１６における画素信号を増幅するとともに、ＡＤ（Ａｎａｌｏｇｕｅ ｔｏ Ｄｉｇｉｔａｌ）変換を行う。列回路１２のＡＤ変換部は、参照信号と画素信号とを比較する比較器、比較結果およびカウント信号を保持するメモリなどから構成され得る。
水平走査回路１３はデコーダ、シフトレジスタを備え、列回路１２のメモリに保持されたカウント値をデジタル信号として順に読み出し、チップ（撮像装置）の内部または外部に設けられた信号処理部に出力する。信号処理部はデジタル・シグナル・プロセッサを備え、デジタルゲイン、デジタル相関二重サンプリング、デジタルオフセット、リニアリティ補正などのデジタル信号処理を行う。
出力回路１４はＬＶＤＳ（Ｌｏｗ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）方式のシリアル出力回路を備え、信号処理されたデジタル信号を高速、低消費電力にて固体撮像装置の外部へと出力する。
タイミング生成回路１５は、クロック、同期信号に基づき様々な制御信号、駆動信号を生成し、垂直走査回路１１、列回路１２、水平走査回路１３、出力回路１４を制御する。また、タイミング生成回路１５は、時間とともに電圧が変化する参照信号（ランプ信号）を生成する参照信号出力回路、参照信号に同期したカウント信号を生成するカウンタ回路を備え得る。カウンタ回路は、参照信号の電位の変化と同時に計数を開始し、カウント信号を列回路１２に供給する。列回路１２は、画素信号と参照信号との大小関係が反転したタイミングにおいて、カウント信号をメモリに保持し、ＡＤ変換後のデジタル信号として出力することができる。
上述のように構成された光電変換装置において、遮光領域から得られるダーク信号は、当該行の受光画素領域から得られる画素信号の補正用データとして用いられる。例えば、画素信号からダーク信号を減じた信号が補正後の信号として出力される。ダーク信号を用いた補正処理は、光電変換装置の内部の信号処理部で行ってもよく、光電変換装置の外部の回路において行ってもよい。
図２は、本実施形態に係る画素Ｐの等価回路図である。画素Ｐは、光電変換部ＰＤ、転送トランジスタＴＸ、フローティングディフュージョンＦＤ、リセットトランジスタＲＳ、ソースフォロワトランジスタＳＦ、選択トランジスタＳＬを含み得る。以下の説明では、特に断りのない限り、トランジスタはＮ型ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタによって構成されるものとする。バックゲート端子（不図示）には基準電圧（接地電圧）ＶＷＥＬ（例えば０［Ｖ］）が供給される。また、リセットトランジスタＲＳ、ソースフォロワトランジスタＳＦは基準電圧（電源電圧）ＶＤＤ（例えば３［Ｖ］）に接続されている。基準電圧ＶＤＤ、ＶＷＥＬは電圧供給線（不図示）から供給され得る。なお、Ｎ型ＭＯＳトランジスタに代えて、Ｐ型ＭＯＳトランジスタが用いられてもよい。この場合は、制御信号などのＰ型ＭＯＳトランジスタに印加される制御信号の電位は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタにおける制御信号の電位に対して反転したものとなる。
光電変換部ＰＤは、例えばフォトダイオードであって、入射光による光電変換および電荷の蓄積を行なう。なお、フォトダイオードに代えて、有機材料の光電変換膜、フォトゲートなどのように光電効果を生じさせる構成が用いられても良い。１つの画素Ｐが有する光電変換部ＰＤの数も限定されず、２個、４個またはそれ以上の光電変換部ＰＤが１つのマイクロレンズを共有するように設けられても良い。更に、埋め込み型のフォトダイオードを構成することで、暗電流ノイズを低減できる。光電変換部ＰＤにはマイクロレンズが設けられており、マイクロレンズにより集光された光が光電変換部ＰＤに入射する。
転送トランジスタＴＸは光電変換部ＰＤに対応して設けられ、転送トランジスタＴＸのゲート端子には制御信号ＰＴＸが与えられる。制御信号ＰＴＸが活性化されると、光電変換部ＰＤにおいて受光により発生および蓄積された電荷が、転送トランジスタＴＸを介してフローティングディフュージョンＦＤに転送される。
ソースフォロワトランジスタＳＦのドレイン端子には基準電圧ＶＤＤが印加される。ソースフォロワトランジスタＳＦのソース電位は、フローティングディフュージョンＦＤに転送された電荷量の変動に応じて変化する。
選択トランジスタＳＬはソースフォロワトランジスタＳＦと列信号線１６との間に設けられている。複数行の画素Ｐの選択トランジスタＳＬは、共通の列信号線１６に接続されており、共通の定電流源１７と各ソースフォロワトランジスタＳＦでソースフォロワを構成する。選択トランジスタＳＬのゲート端子には、制御信号ＰＳＥＬが与えられる。制御信号ＰＳＥＬが活性化されると、選択トランジスタＳＬはソースフォロワトランジスタＳＦのソース電位に応じた出力ＶＯＵＴを列信号線１６に出力し得る。
リセットトランジスタＲＳのソースはフローティングディフュージョンＦＤに接続され、ドレイン端子には基準電圧ＶＤＤが印加される。リセットトランジスタＲＳのゲート端子には、制御信号ＰＲＥＳが与えられる。制御信号ＰＲＥＳが活性化されると、リセットトランジスタＲＳはフローティングディフュージョンＦＤの電位をリセットし得る。
列信号線１６には定電流源１７が電気的に接続されており、定電流源１７は列信号線１６を介してソースフォロワトランジスタＳＦのソース端子に一定のバイアス電流を供給する。
図３は、本実施形態に係る光電変換装置の構造を示す平面図である。図３には、１チップ分の光電変換装置が示されている。光電変換装置は、受光画素領域Ａ１、第１遮光領域Ａ２、第２遮光領域Ａ３、周辺領域Ａ４を備えている。
受光画素領域Ａ１には、複数の画素Ｐが配され、受光画素領域Ａ１は入射光を光電変換部ＰＤにおいて受光可能である。第１遮光領域Ａ２は、受光画素領域Ａ１に隣接し、受光画素領域Ａ１の周囲に配されている。第１遮光領域Ａ２は後述する遮光膜により遮光されている。第１遮光領域Ａ２には、遮光された画素Ｐ、周辺回路が配置され得る。
第２遮光領域Ａ３は、第１遮光領域Ａ２に隣接するとともに、第１遮光領域Ａ２の周囲に配されている。すなわち、第２遮光領域Ａ３は第１遮光領域Ａ２および周辺領域Ａ４の間に位置する。第２遮光領域Ａ３は第１遮光領域Ａ２と同様に遮光膜により遮光されている。周辺領域Ａ４は第２遮光領域Ａ３に隣接するとともに、第２遮光領域Ａ３の周囲に配されている。周辺領域Ａ４は、チップの外縁と第２遮光領域Ａ３との間に位置する。周辺領域Ａ４には複数のパッド開口部ＯＰが形成され、複数のパッド開口部ＯＰのそれぞれは光電変換装置の内部に設けられたボンディングパッドを露出させる。なお、図３においては、パッド開口部ＯＰがチップの対向する２辺にのみ配されているが、４辺に配されてもよい。
図４Ａは、本実施形態に係る光電変換装置の断面模式図であって、図３のＩ－Ｉ’線に沿った断面を表している。図４Ｂは、本実施形態に係る光電変換装置の平面図である。図４Ｂは、図４Ａに対応する平面図である。なお、図４Ａの受光画素領域Ａ１および第１遮光領域Ａ２のそれぞれには１つの画素のみが示され、図４Ｂの受光画素領域Ａ１、第１遮光領域Ａ２のそれぞれには３行３列の画素が示されているが、実際には画素の数は図４Ａ、図４Ｂにおいて一致し得る。また、画素の数は図４Ａ、図４Ｂの例に限定されない。
光電変換装置は、基板１および基板２の積層構造によって構成される。基板１は、半導体基板１００、配線構造体１１０、積層構造体１２０を含む。基板２は、支持基板２００、構造体２１０を含む。
半導体基板１００は、シリコン等から形成されている。半導体基板１００は、面Ｆ１と、面Ｆ１と対向する面Ｆ２とを有する。半導体基板１００の受光画素領域Ａ１および第１遮光領域Ａ２の面Ｆ１には拡散層１０１を有する光電変換部ＰＤが形成されている。
図４Ａの断面視において、半導体基板１００の第２遮光領域Ａ３には、面Ｆ１から面Ｆ２に向かって（＋Ｄ３方向に）第１トレンチ構造ＴＲ１が延在している。本実施形態において、第１トレンチ構造ＴＲ１の端部は面Ｆ２に達していない。すなわち、第１トレンチ構造ＴＲ１の深さＴは半導体基板１００の厚さＤよりも小さく、第１トレンチ構造ＴＲ１の端部は面Ｆ２から（Ｄ－Ｔ）だけ離れて位置している。また、第１トレンチ構造ＴＲ１の深さＴは半導体基板１００の厚さＤに対して十分に大きいことが好ましく、例えばＤ／２≦Ｔが成り立つことが望ましい。これにより、迷光抑制の効果を高めることが可能となる。
また、図４Ｂの平面視において、第１トレンチ構造ＴＲ１は、第２遮光領域Ａ３において複数のパッド開口部ＯＰの配列方向（Ｄ１方向）に延在している。更に、図３の平面視において、第１トレンチ構造ＴＲ１は、第１遮光領域Ａ２を囲むように形成され得る。
第１トレンチ構造ＴＲ１は、ディープトレンチアイソレーション単体で構成されていてもよく、それ以外でもよい。例えば、第１トレンチ構造ＴＲ１はディープトレンチアイソレーションとシャロートレンチアイソレーションとの２段で構成され得る。
第１トレンチ構造ＴＲ１がディープトレンチアイソレーションとシャロートレンチアイソレーションとの２段で構成される場合は、ディープトレンチアイソレーションはシャロートレンチアイソレーションよりも先に形成される。ディープトレンチアイソレーションを形成する場合には、先ずディープトレンチが形成される。次に、ディープトレンチ内にシリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、シリコンオキサイド、空気などが埋め込まれることでディープトレンチアイソレーションが形成される。一方、シャロートレンチアイソレーションを形成する場合には、先ずシャロートレンチが形成される。そして、シャロートレンチ内にシリコンオキサイドが埋め込まれることでシャロートレンチアイソレーションが形成される。これにより、ディープトレンチアイソレーションがシャロートレンチアイソレーションの底部から面Ｆ２に向かって（＋Ｄ３方向に）延在し、ディープトレンチアイソレーションおよびシャロートレンチアイソレーションからなる第１トレンチ構造ＴＲ１が形成される。
第１トレンチ構造ＴＲ１内には、半導体基板１００とは異なる屈折率を有する部材が埋め込まれる。例えば、半導体基板１００がシリコンにより形成される場合は、ディープトレンチ内にシリコンナイトライド（窒化シリコン）、シリコンオキシナイトライド（酸窒化シリコン）、シリコンオキサイド（酸化シリコン）、空気、などの部材が埋め込まれる。これにより、ディープトレンチアイソレーション単体による第１トレンチ構造ＴＲ１が形成され得る。また、シャロートレンチ内にシリコンオキサイド（酸化シリコン）が埋め込まれることでシャロートレンチアイソレーション単体による第１トレンチ構造ＴＲ１が形成され得る。
配線構造体１１０は、半導体基板１００の面Ｆ１上に設けられている。配線構造体１１０は、層間絶縁膜、銅またはアルミニウムを主成分とする配線、半導体基板１００と配線とを接続するコンタクト、配線間を接続するビアなどから形成される。なお、配線構造体１１０の層内には、ゲート電極１１１も形成される。
積層構造体１２０は、半導体基板１００の面Ｆ２上に設けられている。積層構造体１２０は、絶縁層１２１、遮光膜１２２、絶縁膜１２３、カラーフィルタ１２４、マイクロレンズ１２５を含む。
絶縁層１２１は、半導体基板の面Ｆ２を覆うように形成され、複数の膜の積層構造であり得る。例えば、絶縁層１２１はアルミニウムオキサイドまたはハフニウムオキサイドの第１層、タンタルオキサイドの第２層、シリコンオキサイドの第３層を含み、面Ｆ２に第１層、第２層、第３層が順に積層され得る。絶縁層１２１は、光を透過する性質を有している。
遮光膜１２２は、絶縁層１２１の表面を部分的に覆い、第１遮光領域Ａ２および第２遮光領域Ａ３を画定する。遮光膜１２２は、アルミニウムまたはタングステンなどから構成されてもよく、少量の銅が含有されたアルミニウムなどから構成されてもよい。また、遮光膜１２２は、アルミニウムおよびチタンナイトライドの積層、または、少量の銅が含有されたアルミニウムおよびチタンナイトライドの積層であってもよい。
絶縁膜１２３は、絶縁層１２１および遮光膜１２２を覆う。絶縁膜１２３は、例えば、酸化シリコン等により形成され、絶縁膜１２３の表面は平坦化され得る。
カラーフィルタ１２４は、受光画素領域Ａ１における絶縁膜１２３の上に形成され、マイクロレンズ１２５は、カラーフィルタ１２４の上に形成されている。カラーフィルタ１２４およびマイクロレンズ１２５としては公知の材料を用いることができる。
なお、本実施形態では、積層構造体１２０は、絶縁膜１２３、カラーフィルタ１２４およびマイクロレンズ１２５から構成されるが、積層構造体１２０の構成はこれに限られない。積層構造体１２０は、絶縁膜１２３のみの単純な構造も取り得る。また、積層構造体１２０は、層内レンズを更に含んでもよい。
第２トレンチ構造ＴＲ２は、第２遮光領域Ａ３における絶縁層１２１に形成されている。図４Ｂにおいて、第２トレンチ構造ＴＲ２は、第１トレンチ構造ＴＲ１と同様に、第２遮光領域Ａ３において複数のパッド開口部ＯＰの配列方向（Ｄ１方向）に延在している。更に、図３において、第２トレンチ構造ＴＲ２は、第１トレンチ構造ＴＲ１と同様に、第１遮光領域Ａ２を囲むように形成され得る。図４Ａにおいて、第２トレンチ構造ＴＲ２は、絶縁層１２１の表面から半導体基板１００の面Ｆ２に向かって延在し、絶縁層１２１を貫通している。第２トレンチ構造ＴＲ２の側面と底面は、遮光膜１２２で覆われている。このため、パッド開口部ＯＰから絶縁層１２１および半導体基板１００へ伝搬する迷光を効率よく抑制できる。
また、平面視において、第２トレンチ構造ＴＲ２および第１トレンチ構造ＴＲ１は互いに重なる部分を有している。第１トレンチ構造ＴＲ１と第２トレンチ構造ＴＲ２との重なり幅ｄは十分に長いことが好ましい。例えば、第１トレンチ構造ＴＲ１の幅ｗ１が第２トレンチ構造ＴＲ２の幅ｗ２より小さい場合、重なり幅ｄは幅ｗ１の１／２、１／３、あるいは１／４などの比率で有り得る。なお、第１トレンチ構造ＴＲ１の幅ｗ１、第２トレンチ構造ＴＲ２の幅ｗ２、重なり幅ｄは図４Ａ、図４Ｂの例に限定されない。例えば、第１トレンチ構造ＴＲ１の幅ｗ１が第２トレンチ構造ＴＲ２の幅ｗ２よりも大きいことは妨げられない。
なお、図４Ａの例では、第２トレンチ構造ＴＲ２は絶縁層１２１を貫通し、第２トレンチ構造ＴＲ２の底面は半導体基板１００の面Ｆ２と連続している。しかし、第２トレンチ構造ＴＲ２の底面は必ずしも面Ｆ２と連続していなくてもよい。例えば、第２トレンチ構造ＴＲ２は半導体基板１００の内部まで延在し、第２トレンチ構造ＴＲ２の底面が面Ｆ２よりも半導体基板１００の内側に位置してもよい。
支持基板２００は、シリコン等から形成されている。支持基板２００は、素子が形成されていない半導体基板であってもよく、また、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、メモリなどの回路が形成された基板であってもよい。
構造体２１０は、支持基板２００の表面上に設けられている。支持基板２００にトランジスタなどの回路素子が形成されていない場合、構造体２１０は絶縁膜のみを含み得る。また、支持基板２００に回路素子が形成されている場合、構造体２１０は配線層、層間絶縁膜を含み得る。半導体基板１００と支持基板２００は、配線構造体１１０の表面と構造体２１０の表面を接合面Ｆ３として接合される。
ボンディングパッド２１１は、アルミニウム、銅などから構成され、周辺領域Ａ４における構造体２１０内部に形成されている。なお、ボンディングパッド２１１は、配線構造体１１０の内部に形成されてもよく、配線構造体１１０および構造体２１０の両方に形成されてもよい。
パッド開口部ＯＰは、周辺領域Ａ４において、積層構造体１２０、半導体基板１００、配線構造体１１０を貫通し、更に構造体２１０内のボンディングパッド２１１に達している。これにより、ボンディングパッド２１１の一部が、パッド開口部ＯＰによって露出される。なお、パッド開口部ＯＰのうち、半導体基板１００を通る部分が絶縁膜からなる隔壁（不図示）によって囲まれてもよい。
上述したように、半導体基板１００の平面視で、第２トレンチ構造ＴＲ２および第１トレンチ構造ＴＲ１は互いに重なる部分を有するように配置される。第２トレンチ構造ＴＲ２および第１トレンチ構造ＴＲ１が平面視において互いに重ならない場合と比較して、第１トレンチ構造ＴＲ１および第２トレンチ構造ＴＲ２の間隔が狭まる。すなわち、半導体基板１００および絶縁層１２１における光の伝搬経路が狭まる。このため、パッド開口部ＯＰから入射した迷光が半導体基板１００および絶縁層１２１を伝搬して第１遮光領域Ａ２に侵入するのを効率よく抑制することが可能となる。
図５Ａ乃至図５Ｉを参照して、本実施形態の光電変換装置の製造方法を説明する。図５Ａ乃至図５Ｉは、本実施形態に係る光電変換装置の製造方法を説明する断面模式図である。
まず、図５Ａに示すように、シリコンからなる半導体基板１００が準備される。半導体基板１００は、面Ｆ１、面Ｆ１と対向する面Ｆ２′を有する。
次に、半導体基板１００の第２遮光領域Ａ３において、第１トレンチ構造ＴＲ１が形成される。第１トレンチ構造ＴＲ１は、半導体基板１００の面Ｆ１から面Ｆ２′に向かって（＋Ｄ３方向に）延在している。
次に、半導体基板１００の受光画素領域Ａ１および第１遮光領域Ａ２における面Ｆ１において、イオン注入により拡散層１０１が形成される。半導体基板１００の面Ｆ１上には、ゲート電極１１１などの電極または配線がパターンニングにより形成される。ゲート電極１１１は、例えばポリシリコンから構成され得る。このようにして、受光画素領域Ａ１および第１遮光領域Ａ２において、光電変換部ＰＤを含む画素が形成される。
半導体基板１００の面Ｆ１上には、配線構造体１１０が形成される。配線構造体１１０は、層間絶縁膜と、銅、アルミニウムを主成分とする配線と、半導体基板１００および配線を接続するコンタクトと、配線間を接続するビアとを含み得る。
次に、図５Ｂに示すように、支持基板２００が準備される。支持基板２００は、回路が形成されていないシリコン基板であってもよく、あるいは、ＡＳＩＣ、メモリなどの回路が形成された基板であってもよい。支持基板２００の表面には、配線層、層間絶縁膜などを含む構造体２１０が設けられる。構造体２１０には、回路部と電気的に接続されたボンディングパッド２１１が形成される。
次に、図５Ｃに示すように、基板１と基板２とが接合される。具体的には、半導体基板１００の配線構造体１１０の表面と支持基板２００の構造体２１０の表面とが接合面Ｆ３として合わせられる。基板の接合方法は限定されないが、基板表面をプラズマ照射により活性化させて接合する所謂常温接合法が用いられ得る。更に、例えば接着性を有する接合部材などを介して、配線構造体１１０と構造体２１０とが接着されることで基板１と基板２とが接合されてもよい。
次に、図５Ｄに示すように、半導体基板１００が面Ｆ２′の側から薄化されることにより、半導体基板１００の新たな面Ｆ２が形成される。半導体基板１００は、上述の式Ｄ／２≦Ｔが成り立つように薄化され得る。なお薄化の工程においては、グラインダ装置、ウェットエッチング装置、ＣＭＰ装置などが用いられ得る。
次に、図５Ｅに示すように、半導体基板１００の面Ｆ２の上には、絶縁層１２１が形成される。絶縁層１２１は複数の膜の積層構造であり得る。
次に、図５Ｆに示すように、第２遮光領域Ａ３には、絶縁層１２１を貫通するように第２トレンチ構造ＴＲ２が形成される。上述したように、平面視において、第２トレンチ構造ＴＲ２は第１トレンチ構造ＴＲ１と部分的に重なる。
次に、図５Ｇに示すように、遮光膜１２２が絶縁層１２１の表面、第２トレンチ構造ＴＲ２の側面および底面を覆うように形成される。第１遮光領域Ａ２と第２遮光領域Ａ３以外の遮光膜１２２がパターンニングにより除去され、第１遮光領域Ａ２と第２遮光領域Ａ３における遮光膜１２２が残る。
次に、図５Ｈに示すように、絶縁層１２１および遮光膜１２２が絶縁膜１２３により覆われ、絶縁膜１２３の表面が平坦化される。更に、受光画素領域Ａ１における絶縁膜１２３の上にはカラーフィルタ１２４、マイクロレンズ１２５が形成される。これにより、半導体基板１００の面Ｆ２上には、絶縁層１２１、遮光膜１２２、絶縁膜１２３、カラーフィルタ１２４、マイクロレンズ１２５からなる積層構造体１２０が形成される。
次に、図５Ｉに示すように、周辺領域Ａ４において、積層構造体１２０の表面から構造体２１０の内部まで延在するパッド開口部ＯＰが形成される。これにより、半導体基板１００の面Ｆ１の側に設けられたボンディングパッド２１１の一部が露出される。以上の方法により、本実施形態に係る光電変換装置が製造される。
上述の実施形態において説明した光電変換装置は以下の実施形態のようにも構成することができる。なお、各実施形態においては、第１実施形態の図中において付与した符号と共通する符号は同一の対象を示す。
［第２実施形態］
図６は本実施形態に係る光電変換装置の断面模式図である。以下、本実施形態について、第１実施形態と異なる構成を中心に説明する。
本実施形態に係る光電変換装置は、半導体基板１００内における第１トレンチ構造ＴＲ１の位置が第１実施形態の場合と異なる。図６に示すように、半導体基板１００の第２遮光領域Ａ３において、第１実施形態の場合と異なり、第１トレンチ構造ＴＲ１は面Ｆ２から面Ｆ１に向かって（－Ｄ３方向に）延在し、第１トレンチ構造ＴＲ１の端部は面Ｆ１から（Ｄ－Ｔ）だけ離れて位置している。本実施形態においても、第１トレンチ構造ＴＲ１の深さＴは半導体基板１００の厚さＤに対して十分に大きいことが好ましく、例えばＤ／２≦Ｔが成り立つことが望ましい。これにより、迷光抑制の効果を高めることが可能となる。
続いて、本実施形態における光電変換装置の製造方法について、第１実施形態と比較しながら説明する。本実施形態においては、第１実施形態の場合と異なり、図５Ａの工程では第１トレンチ構造ＴＲ１は形成されない。その代わりに、図５Ｄの半導体基板１００の薄化後に、第１トレンチ構造ＴＲ１が面Ｆ２から面Ｆ１に延在するように形成される。次に、図５Ｅの工程では、絶縁層１２１が第１トレンチ構造ＴＲ１の端部および面Ｆ２の上に形成される。
以上のように、本実施形態に係る光電変換装置においても、第１実施形態の場合と同様に、パッド開口部ＯＰから半導体基板１００および絶縁層１２１を伝搬する迷光を効率よく抑制できる。
［第３実施形態］
図７は本実施形態に係る光電変換装置の断面模式図である。以下、本実施形態について、第１実施形態と異なる構成を中心に説明する。
本実施形態に係る光電変換装置は、半導体基板１００内における第１トレンチ構造ＴＲ１の深さが上述した実施形態と異なる。図７に示すように、半導体基板１００の第２遮光領域Ａ３には、Ｄ３方向において半導体基板１００を貫通するように第１トレンチ構造ＴＲ１が形成されている。本実施形態においては、第１トレンチ構造ＴＲ１の深さＴは半導体基板１００の厚さＤに一致し、Ｄ＝Ｔが成り立つ。また、平面視において、第２トレンチ構造ＴＲ２および第１トレンチ構造ＴＲ１は重なり幅ｄを有している。
本実施形態に係る光電変換装置によれば、第１トレンチ構造ＴＲ１がＤ３方向において半導体基板１００を貫通し、第１トレンチ構造ＴＲ１は第２トレンチ構造ＴＲ２と連続している。このため、上述した実施形態の場合と比較して、パッド開口部ＯＰからの迷光を更に効果的に抑制することが可能である。
［第４実施形態］
図８Ａは、本実施形態に係る光電変換装置の断面模式図であり、図８Ｂは本実施形態に係る光電変換装置の平面図である。以下、本実施形態について、第１実施形態と異なる構成を中心に説明する。
本実施形態において、第１トレンチ構造ＴＲ１は、複数のトレンチＴＲ１１～ＴＲ１３から構成されている。図８Ａに示すように、複数のトレンチＴＲ１１～ＴＲ１３は面Ｆ１から面Ｆ２に向かって（＋Ｄ３方向に）延在し、複数のトレンチＴＲ１１～ＴＲ１３の端部は面Ｆ２から（Ｄ－Ｔ）だけ離れて位置している。本実施形態においても、迷光を効果的に抑制するため、Ｄ／２≦Ｔが成り立つことが望ましい。
図８Ｂにおいて、複数のトレンチＴＲ１１～ＴＲ１３のそれぞれは、所定の幅を有し、所定の間隔で並んで配されている。複数のトレンチＴ１１～ＴＲ１３は互いに交差せず、平行に配置されている。
なお、複数のトレンチＴＲ１１～ＴＲ１３は、第２実施形態と同様に、面Ｆ２から面Ｆ１に向かって（－Ｄ３方向に）延在して形成されてもよい。また、第３実施形態と同様に、複数のトレンチＴＲ１１～ＴＲ１３は半導体基板１００を貫通するように形成されてもよい。更に、第１トレンチ構造ＴＲ１を構成するトレンチの数は３に限定されず、２でもよく、４以上でもよい。トレンチの数が増えるに従い、迷光を抑制する効果が更に高まる。
本実施形態において、第１トレンチ構造ＴＲ１は上述の実施形態における幅ｗ１よりも大きな幅ｗ１０を有しており、幅ｗ１０は第２トレンチ構造ＴＲ２の幅ｗ２において十分に大きい。このため、平面視において、第１トレンチ構造ＴＲ１および第２トレンチ構造ＴＲ２が互いに重なる部分も大きくなる。また、上述したように、第１トレンチ構造ＴＲ１は複数のトレンチから構成されているため、迷光を更に効果的に抑制することが可能である。なお、トレンチＴＲ１１～ＴＲ１３の全体が、平面視において第２トレンチ構造ＴＲ２と重なり合わなくもよい。例えば、平面視で、トレンチＴＲ１１～ＴＲ１３の一部のみが第２トレンチ構造ＴＲ２と重なってもよい。また、第１トレンチ構造ＴＲ１の幅ｗ１０が第２トレンチ構造ＴＲ２の幅ｗ２よりも大きく構成されてもよい。
以上のように、本実施形態に係る光電変換装置によれば、第１トレンチ構造ＴＲ１が複数のトレンチＴＲ１１～ＴＲ１３から構成されるため、迷光を更に効果的に抑制することが可能となる。
［第５実施形態］
図９Ａは本実施形態に係る光電変換装置の断面模式図であり、図９Ｂは本実施形態に係る光電変換装置の平面図である。以下、本実施形態について、第１実施形態と異なる構成を中心に説明する。
平面視において、第１トレンチ構造ＴＲ１の全体が第２トレンチ構造ＴＲ２と重なっている。更に、第１トレンチ構造ＴＲ１および第２トレンチ構造ＴＲ２の幅方向（Ｄ２）において、第１トレンチ構造ＴＲ１は、第２トレンチ構造ＴＲ２の中央に位置している。このため、第１実施形態と比較して、第１トレンチ構造ＴＲ１と第２トレンチ構造ＴＲ２との重なり幅が広くなり、迷光抑制効果を更に高めることが可能である。
本実施形態においても、第１トレンチ構造ＴＲ１は、第２実施形態と同様に、面Ｆ２から面Ｆ１に向かって（－Ｄ３方向に）延在して形成されてもよい。また、第３実施形態と同様に、第１トレンチ構造ＴＲ１は半導体基板１００を貫通するように形成されてもよい。
［第６実施形態］
図１０は本実施形態に係る光電変換装置の平面図である。以下、本実施形態について、第１実施形態と異なる構成を中心に説明する。
図１０には、受光画素領域Ａ１、第１遮光領域Ａ２、第２遮光領域Ａ３、周辺領域Ａ４が示されている。第１実施形態と同様に、受光画素領域Ａ１の周囲には第１遮光領域Ａ２が配される。また、第１遮光領域Ａ２の周囲には第２遮光領域Ａ３が配され、第２遮光領域Ａ３の周囲には周辺領域Ａ４が配される。平面視において、第１トレンチ構造ＴＲ１、第２トレンチ構造ＴＲ２は第１遮光領域Ａ２の周囲に形成され、また、第１トレンチ構造ＴＲ１の全体が平面視において第２トレンチ構造ＴＲ２に重なっている。すなわち、第１トレンチ構造ＴＲ１と第２トレンチ構造ＴＲ２の重なり部は、第１遮光領域Ａ２を囲むように形成されている。パッド開口部ＯＰから入射した迷光は、周辺領域Ａ４、第２遮光領域Ａ３において様々な方向に伝搬し得る。本実施形態によれば、第１トレンチ構造ＴＲ１、第２トレンチ構造ＴＲ２の重なり部によって、このような迷光が第１遮光領域Ａ２へ侵入するのを効果的に抑制することが可能となる。
［第７実施形態］
本実施形態に係る撮像システムを説明する。図１１は、本実施形態に係る撮像システムの概略構成を示すブロック図である。図１１に例示した撮像システム３００は、撮像装置３０１、被写体の光学像を撮像装置３０１に結像させるレンズ３０２、レンズ３０２を通過する光量を可変にするための絞り３０４、レンズ３０２の保護のためのバリア３０６を有する。レンズ３０２、絞り３０４は、撮像装置３０１に光を集光する光学系である。撮像装置３０１は、第１乃至第６実施形態のいずれかで説明した光電変換装置であって、レンズ３０２により結像された光学像を画像データに変換する。
撮像システム３００は、撮像装置３０１より出力される出力信号の処理を行う信号処理部３０８を有する。信号処理部３０８は、撮像装置３０１が出力するデジタル信号から画像データの生成を行う。また、信号処理部３０８は必要に応じて各種の補正、圧縮を行って画像データを出力する動作を行う。撮像装置３０１は、信号処理部３０８で処理されるデジタル信号を生成するＡＤ変換部を備え得る。ＡＤ変換部は、撮像装置３０１の光電変換部が形成された半導体層（半導体基板）に形成されていてもよいし、撮像装置３０１の光電変換部が形成された半導体層とは別の半導体基板に形成されていてもよい。また、信号処理部３０８が撮像装置３０１と同一の半導体基板に形成されていてもよい。
撮像システム３００は、更に、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部３１０、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部（外部Ｉ／Ｆ部）３１２を有する。更に撮像システム３００は、撮像データの記録または読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体３１４、記録媒体３１４に記録または読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部（記録媒体制御Ｉ／Ｆ部）３１６を有する。なお、記録媒体３１４は、撮像システム３００に内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。
更に撮像システム３００は、各種演算とデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部３１８、撮像装置３０１と信号処理部３０８に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部３２０を有する。ここで、タイミング信号などは外部から入力されてもよく、撮像システム３００は少なくとも撮像装置３０１と、撮像装置３０１から出力された出力信号を処理する信号処理部３０８とを有すればよい。
撮像装置３０１は、撮像信号を信号処理部３０８に出力する。信号処理部３０８は、撮像装置３０１から出力される撮像信号に対して所定の信号処理を実施し、画像データを出力する。信号処理部３０８は、撮像信号を用いて、画像を生成する。
このように、本実施形態によれば、第１乃至第６実施形態による光電変換装置を適用した撮像システムを実現することができる。
［第８実施形態］
本実施形態に係る撮像システムおよび移動体について説明する。図１２は、本実施形態に係る撮像システムおよび移動体の構成を示す図である。
図１２（ａ）は、車載カメラに関する撮像システムの一例を示したものである。撮像システム４００は、撮像装置４１０を有する。撮像装置４１０は、上記第１乃至第６実施形態のいずれかに記載の光電変換装置である。撮像システム４００は、撮像装置４１０により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部４１２と、撮像システム４００により取得された複数の画像データから視差（視差画像の位相差）の算出を行う視差取得部４１４を有する。また、撮像システム４００は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離取得部４１６と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部４１８と、を有する。ここで、視差取得部４１４や距離取得部４１６は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部４１８はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）やＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
撮像システム４００は車両情報取得装置４２０と接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの車両情報を取得することができる。また、撮像システム４００は、衝突判定部４１８での判定結果に基づいて、車両に対して制動力を発生させる制御信号を出力する制御手段である制御ＥＣＵ４３０が接続されている。また、撮像システム４００は、衝突判定部４１８での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置４４０とも接続されている。例えば、衝突判定部４１８の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ＥＣＵ４３０はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置４４０は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムなどの画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。
本実施形態では、車両の周囲、例えば前方または後方を撮像システム４００で撮像する。図１２（ｂ）は、車両前方（撮像範囲４５０）を撮像する場合の撮像システムを示す。車両情報取得装置４２０が、撮像システム４００ないしは撮像装置４１０に指示を送る。このような構成により、測距の精度をより向上させることができる。
上記では、他の車両と衝突しないように制御する例を説明したが、他の車両に追従して自動運転する制御や、車線からはみ出さないように自動運転する制御などにも適用可能である。更に、撮像システムは、自車両等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機あるいは産業用ロボットなどの移動体（移動装置）に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム（ＩＴＳ）等、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。
［第９実施形態］
本実施形態に係る機器について説明する。図１３は、本実施形態に係る機器の概略構成を示すブロック図である。
図１３に例示した光電変換装置ＡＰＲは、第１実施形態と同様の機能を備える。光電変換装置ＡＰＲの全部または一部が、半導体デバイスＩＣである。本例の光電変換装置ＡＰＲは、例えば、イメージセンサやＡＦ（Ａｕｔｏ Ｆｏｃｕｓ）センサ、測光センサ、測距センサとして用いることができる。半導体デバイスＩＣは、光電変換部を含む画素回路ＰＸＣが行列状に配列された画素エリアＰＸを有する。半導体デバイスＩＣは画素エリアＰＸの周囲に周辺エリアＰＲを有することができる。周辺エリアＰＲには画素回路以外の回路を配置することができる。
光電変換装置ＡＰＲは、複数の光電変換部が設けられた第１半導体チップと、周辺回路が設けられた第２半導体チップとを積層した構造（チップ積層構造）を有していてもよい。第２半導体チップにおける周辺回路は、ぞれぞれ、第１半導体チップの画素列に対応した列回路とすることができる。また、第２半導体チップにおける周辺回路は、それぞれ、第１半導体チップの画素あるいは画素ブロックに対応したマトリクス回路とすることもできる。第１半導体チップと第２半導体チップとの接続は、貫通電極（ＴＳＶ）、銅等の導電体の直接接合によるチップ間配線、チップ間のマイクロバンプによる接続、ワイヤボンディングによる接続などを採用することができる。
光電変換装置ＡＰＲは、半導体デバイスＩＣの他に、半導体デバイスＩＣを収容するパッケージＰＫＧを含みうる。パッケージＰＫＧは、半導体デバイスＩＣが固定された基体と、半導体デバイスＩＣに対向するガラス等の蓋体と、基体に設けられた端子と半導体デバイスＩＣに設けられた端子とを接続するボンディングワイヤやバンプ等の接続部材と、を含みうる。
機器ＥＱＰは、光学装置ＯＰＴ、制御装置ＣＴＲＬ、処理装置ＰＲＣＳ、表示装置ＤＳＰＬ、記憶装置ＭＭＲＹ、機械装置ＭＣＨＮのうちの少なくともいずれかを更に備えうる。光学装置ＯＰＴは、光電変換装置としての光電変換装置ＡＰＲに対応するものであり、例えばレンズやシャッター、ミラーである。制御装置ＣＴＲＬは、光電変換装置ＡＰＲを制御するものであり、例えばＡＳＩＣなどの半導体デバイスである。処理装置ＰＲＣＳは、光電変換装置ＡＰＲから出力された信号を処理するものであり、ＡＦＥ（アナログフロントエンド）あるいはＤＦＥ（デジタルフロントエンド）を構成する。処理装置ＰＲＣＳは、ＣＰＵ（中央処理装置）やＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）などの半導体デバイスである。表示装置ＤＳＰＬは、光電変換装置ＡＰＲで得られた情報（画像）を表示する、ＥＬ表示装置や液晶表示装置である。記憶装置ＭＭＲＹは、光電変換装置ＡＰＲで得られた情報（画像）を記憶する、磁気デバイスや半導体デバイスである。記憶装置ＭＭＲＹは、ＳＲＡＭやＤＲＡＭなどの揮発性メモリ、或いは、フラッシュメモリやハードディスクドライブなどの不揮発性メモリである。機械装置ＭＣＨＮは、モーターやエンジン等の可動部あるいは推進部を有する。機器ＥＱＰでは、光電変換装置ＡＰＲから出力された信号を表示装置ＤＳＰＬに表示したり、機器ＥＱＰが備える通信装置（不図示）によって外部に送信したりする。そのために、機器ＥＱＰは、光電変換装置ＡＰＲが有する記憶回路部や演算回路部とは別に、記憶装置ＭＭＲＹや処理装置ＰＲＣＳを更に備えることが好ましい。
図１３に示した機器ＥＱＰは、撮影機能を有する情報端末（例えばスマートフォンやウエアラブル端末）やカメラ（例えばレンズ交換式カメラ、コンパクトカメラ、ビデオカメラ、監視カメラ）などの電子機器でありうる。カメラにおける機械装置ＭＣＨＮはズーミングや合焦、シャッター動作のために光学装置ＯＰＴの部品を駆動することができる。また、機器ＥＱＰは、車両や船舶、飛行体などの輸送機器（移動体）でありうる。また、機器ＥＱＰは、内視鏡やＣＴスキャナーなどの医療機器でありうる。また、機器ＥＱＰは、内視鏡やＣＴスキャナーなどの医療機器でありうる。
輸送機器における機械装置ＭＣＨＮは移動装置として用いられうる。輸送機器としての機器ＥＱＰは、光電変換装置ＡＰＲを輸送するものや、撮影機能により運転（操縦）の補助および／または自動化を行うものに好適である。運転（操縦）の補助および／または自動化のための処理装置ＰＲＣＳは、光電変換装置ＡＰＲで得られた情報に基づいて移動装置としての機械装置ＭＣＨＮを操作するための処理を行うことができる。
本実施形態による光電変換装置ＡＰＲは、その設計者、製造者、販売者、購入者および／または使用者に、高い価値を提供することができる。そのため、光電変換装置ＡＰＲを機器ＥＱＰに搭載すれば、機器ＥＱＰの価値も高めることができる。よって、機器ＥＱＰの製造、販売を行う上で、本実施形態の光電変換装置ＡＰＲの機器ＥＱＰへの搭載を決定することは、機器ＥＱＰの価値を高める上で有利である。
［変形実施形態］
本発明は、上述の実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
なお、上述の実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
本実施形態の開示は、以下の構成および方法を含む。
（構成１）
複数の光電変換部が形成された第１面、および前記第１面に対向する第２面を有する半導体基板と、
前記第２面に設けられ、光が入射する絶縁層と、
前記光電変換部が配され、前記絶縁層を透過した光を前記光電変換部において受光可能な受光画素領域と、
前記受光画素領域に隣接し、前記絶縁層の上に遮光膜が形成された第１遮光領域と、
前記絶縁層および前記半導体基板を貫通し、前記第１面の側に設けられたボンディングパッドを露出させる開口部を含む周辺領域と、
前記第１遮光領域および前記周辺領域の間に位置し、前記絶縁層の上に前記遮光膜が形成された第２遮光領域とを備え、
前記第２遮光領域の前記半導体基板には第１トレンチが形成され、
前記第２遮光領域の前記絶縁層には、前記絶縁層を貫通する第２トレンチが形成され、
前記第２トレンチの側面および底面は前記遮光膜で覆われ、
前記半導体基板の平面視において、前記第１トレンチおよび前記第２トレンチは互いに重なる部分を有する、ことを特徴とする光電変換装置。
（構成２）
前記第１トレンチには、前記半導体基板とは異なる屈折率を有する部材が埋め込まれている、
ことを特徴とする構成１に記載の光電変換装置。
（構成３）
前記第１トレンチは、前記第１面から前記第２面に向かって延在し、前記第１トレンチの端部は前記第２面に達しない、
ことを特徴とする構成１または２に記載の光電変換装置。
（構成４）
前記第１トレンチは、前記第２面から前記第１面に向かって延在し、前記第１トレンチの端部は前記第１面に達しない、
ことを特徴とする構成１または２に記載の光電変換装置。
（構成５）
前記半導体基板の厚さをＤ、前記第１トレンチの深さをＴとしたときに、Ｄ／２≦Ｔが成り立つ、
ことを特徴とする構成３または４に記載の光電変換装置。
（構成６）
前記第１トレンチは、前記半導体基板を貫通する、
ことを特徴とする構成１または２に記載の光電変換装置。
（構成７）
前記第１トレンチは、複数のトレンチを含み、
前記複数のトレンチは、平面視において、互いに交差しない、
ことを特徴とする構成１乃至６のいずれかに記載の光電変換装置。
（構成８）
前記複数のトレンチは、平面視において、並んで配されている、
ことを特徴とする構成７に記載の光電変換装置。
（構成９）
前記第１遮光領域は、前記光電変換部および回路部の一方または両方を備える、
ことを特徴とする構成１乃至８のいずれかに記載の光電変換装置。
（構成１０）
前記受光画素領域には、層内レンズ、カラーフィルタ、マイクロレンズのうちの少なくとも１つが形成される、
ことを特徴とする構成１乃至９のいずれかに記載の光電変換装置。
（構成１１）
前記第２トレンチは、平面視で、前記第１トレンチの全体と重なる、
ことを特徴とする構成１乃至１０のいずれかに記載の光電変換装置。
（構成１２）
前記第１遮光領域は、平面視で、前記第１トレンチと前記第２トレンチにより囲まれる、
ことを特徴とする構成１乃至１１のいずれかに記載の光電変換装置。
（構成１３）
前記部材は、前記半導体基板がシリコンにより形成されている場合、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、アルミニウムオキサイド、ハフニウムオキサイド、タンタルオキサイド、空気のいずれかである、
ことを特徴とする構成２に記載の光電変換装置。
（構成１４）
前記絶縁層は、複数の膜を積層することにより形成されている、
ことを特徴とする構成１乃至１３のいずれかに記載の光電変換装置。
（構成１５）
前記絶縁層は、アルミニウムオキサイドまたはハフニウムオキサイドにより形成された第１層と、タンタルオキサイドにより形成された第２層と、シリコンオキサイドにより形成された第３層とを含む、
ことを特徴とする構成１４に記載の光電変換装置。
（方法１）
複数の光電変換部が形成された第１面、および前記第１面に対向する第２面を有する半導体基板と、前記第２面に設けられ、光が入射する絶縁層と、前記光電変換部が配され、前記絶縁層を透過した光を前記光電変換部において受光可能な受光画素領域と、前記受光画素領域に隣接し、前記絶縁層の上に遮光膜が形成された第１遮光領域と、前記絶縁層および前記半導体基板を貫通し、前記第１面の側に設けられたボンディングパッドを露出させる開口部を含む周辺領域と、前記第１遮光領域および前記周辺領域の間に位置し、前記絶縁層の上に前記遮光膜が形成された第２遮光領域とを備える光電変換装置の製造方法であって、
前記第２遮光領域の前記半導体基板に第１トレンチを形成するステップと、
前記第２遮光領域の前記絶縁層に、前記絶縁層を貫通する第２トレンチを形成するステップと、を有し、
前記第２トレンチの側面および底面は前記遮光膜で覆われ、
前記半導体基板の平面視において、前記第１トレンチおよび前記第２トレンチは互いに重なる部分を有する、
ことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
（方法２）
前記第１トレンチには、前記半導体基板とは異なる屈折率を有する部材が埋め込まれている、
ことを特徴とする方法１に記載の光電変換装置の製造方法。
（構成１６）
請求項１乃至１５のいずれかに記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
（構成１７）
移動体であって、
構成１乃至１５のいずれかに記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする移動体。
（構成１８）
請求項１乃至１５のいずれかに記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置に対応する光学装置、
前記光電変換装置を制御する制御装置、
前記光電変換装置から出力された信号を処理する処理装置、
前記光電変換装置で得られた情報に基づいて制御される機械装置、
前記光電変換装置で得られた情報を表示する表示装置、および、
前記光電変換装置で得られた情報を記憶する記憶装置、の少なくとも１つと、
を備えることを特徴とする機器。
Ａ１ 受光画素領域
Ａ２ 第１遮光領域
Ａ３ 第２遮光領域
Ａ４ 周辺領域
ＯＰ パッド開口部
ＴＲ１ 第１トレンチ構造
ＴＲ２ 第２トレンチ構造
１ 基板
２ 基板
１０ 画素アレイ
１００ 半導体基板
１１０ 配線構造体
１２０ 積層構造体
１２１ 絶縁層
１２２ 遮光膜
１２３ 絶縁膜
２００ 支持基板
２１０ 構造体
２１１ ボンディングパッド

Claims (21)

  1. 複数の光電変換部が形成された第１面、および前記第１面に対向する第２面を有する半導体基板と、
    前記第２面に設けられ、光が入射する絶縁層と、
    前記光電変換部が配され、前記絶縁層を透過した光を前記光電変換部において受光可能な受光画素領域と、
    前記受光画素領域に隣接し、前記絶縁層の上に遮光膜が形成された第１遮光領域と、
    前記絶縁層および前記半導体基板を貫通し、前記第１面の側に設けられたボンディングパッドを露出させる開口部を含む周辺領域と、
    前記第１遮光領域および前記周辺領域の間に位置し、前記絶縁層の上に前記遮光膜が形成された第２遮光領域とを備え、
    前記第２遮光領域の前記半導体基板には第１トレンチが形成され、
    前記第２遮光領域の前記絶縁層には、前記絶縁層を貫通する第２トレンチが形成され、
    前記第２トレンチの側面および底面は前記遮光膜で覆われ、
    前記半導体基板の平面視において、前記第１トレンチおよび前記第２トレンチは互いに重なる部分を有する、
    ことを特徴とする光電変換装置。
  2. 前記第１トレンチには、前記半導体基板とは異なる屈折率を有する部材が埋め込まれている、
    ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
  3. 前記第１トレンチは、前記第１面から前記第２面に向かって延在し、前記第１トレンチの端部は前記第２面に達しない、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
  4. 前記第１トレンチは、前記第２面から前記第１面に向かって延在し、前記第１トレンチの端部は前記第１面に達しない、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
  5. 前記半導体基板の厚さをＤ、前記第１トレンチの深さをＴとしたときに、Ｄ／２≦Ｔが成り立つ、
    ことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
  6. 前記半導体基板の厚さをＤ、前記第１トレンチの深さをＴとしたときに、Ｄ／２≦Ｔが成り立つ、
    ことを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
  7. 前記第１トレンチは、前記半導体基板を貫通する、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
  8. 前記第１トレンチは、複数のトレンチを含み、
    前記複数のトレンチは、平面視において、互いに交差しない、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
  9. 前記複数のトレンチは、平面視において、並んで配されている、
    ことを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。
  10. 前記第１遮光領域は、前記光電変換部および回路部の一方または両方を備える、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
  11. 前記受光画素領域には、層内レンズ、カラーフィルタ、マイクロレンズのうちの少なくとも１つが形成される、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
  12. 前記第２トレンチは、平面視で、前記第１トレンチの全体と重なる、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
  13. 前記第１遮光領域は、平面視で、前記第１トレンチと前記第２トレンチにより囲まれる、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
  14. 前記部材は、前記半導体基板がシリコンにより形成されている場合、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、アルミニウムオキサイド、ハフニウムオキサイド、タンタルオキサイド、空気のいずれかである、
    ことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
  15. 前記絶縁層は、複数の膜を積層することにより形成されている、
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
  16. 前記絶縁層は、アルミニウムオキサイドまたはハフニウムオキサイドにより形成された第１層と、タンタルオキサイドにより形成された第２層と、シリコンオキサイドにより形成された第３層とを含む、
    ことを特徴とする請求項１５に記載の光電変換装置。
  17. 複数の光電変換部が形成された第１面、および前記第１面に対向する第２面を有する半導体基板と、前記第２面に設けられ、光が入射する絶縁層と、前記光電変換部が配され、前記絶縁層を透過した光を前記光電変換部において受光可能な受光画素領域と、前記受光画素領域に隣接し、前記絶縁層の上に遮光膜が形成された第１遮光領域と、前記絶縁層および前記半導体基板を貫通し、前記第１面の側に設けられたボンディングパッドを露出させる開口部を含む周辺領域と、前記第１遮光領域および前記周辺領域の間に位置し、前記絶縁層の上に前記遮光膜が形成された第２遮光領域とを備える光電変換装置の製造方法であって、
    前記第２遮光領域の前記半導体基板に第１トレンチを形成するステップと、
    前記第２遮光領域の前記絶縁層に、前記絶縁層を貫通する第２トレンチを形成するステップと、を有し、
    前記第２トレンチの側面および底面は前記遮光膜で覆われ、
    前記半導体基板の平面視において、前記第１トレンチおよび前記第２トレンチは互いに重なる部分を有する、
    ことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
  18. 前記第１トレンチには、前記半導体基板とは異なる屈折率を有する部材が埋め込まれている、
    ことを特徴とする請求項１７に記載の光電変換装置の製造方法。
  19. 請求項１または２に記載の光電変換装置と、
    前記光電変換装置から出力される信号を処理する信号処理部と、
    を備えることを特徴とする撮像システム。
  20. 移動体であって、
    請求項１または２に記載の光電変換装置と、
    前記光電変換装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
    前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と、
    を備えることを特徴とする移動体。
  21. 請求項１または２に記載の光電変換装置と、
    前記光電変換装置に対応する光学装置、
    前記光電変換装置を制御する制御装置、
    前記光電変換装置から出力された信号を処理する処理装置、
    前記光電変換装置で得られた情報に基づいて制御される機械装置、
    前記光電変換装置で得られた情報を表示する表示装置、および、
    前記光電変換装置で得られた情報を記憶する記憶装置、の少なくとも１つと、
    を備えることを特徴とする機器。
JP2022086895A 2022-05-27 2022-05-27 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、撮像システム、移動体、および機器 Pending JP2023174187A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022086895A JP2023174187A (ja) 2022-05-27 2022-05-27 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、撮像システム、移動体、および機器
US18/318,488 US20230387157A1 (en) 2022-05-27 2023-05-16 Photoelectric conversion device, manufacturing method of photoelectric conversion device, imaging system, moving unit, and equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022086895A JP2023174187A (ja) 2022-05-27 2022-05-27 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、撮像システム、移動体、および機器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023174187A true JP2023174187A (ja) 2023-12-07

Family

ID=88876738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022086895A Pending JP2023174187A (ja) 2022-05-27 2022-05-27 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、撮像システム、移動体、および機器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20230387157A1 (ja)
JP (1) JP2023174187A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
US20230387157A1 (en) 2023-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107564925B (zh) 成像装置、成像系统和可移动物体
JP6755679B2 (ja) 撮像装置
JP7214373B2 (ja) 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法、撮像システム
US11631712B2 (en) Photoelectric conversion device, imaging system, and moving body with upper electrode and conductive layer at same potential or connected to each other
US11417695B2 (en) Photoelectric conversion apparatus, imaging system, and moving body
US20220285410A1 (en) Semiconductor apparatus and device
JP7286445B2 (ja) 撮像装置および機器
JP7116591B2 (ja) 撮像装置及びその製造方法
US20230038959A1 (en) Photoelectric conversion device
US11616925B2 (en) Photoelectric conversion apparatus and equipment
JP2023174187A (ja) 光電変換装置、光電変換装置の製造方法、撮像システム、移動体、および機器
US11495629B2 (en) Photoelectric conversion apparatus and equipment
JP2022052529A (ja) 光電変換装置、撮像装置、半導体装置及び光電変換システム
JP2021125491A (ja) 半導体装置、半導体システム、移動体
JP6574808B2 (ja) 撮像装置
WO2024117027A1 (ja) 光電変換装置、機器
JP7427646B2 (ja) 光電変換装置、光電変換システム、移動体
US20230420468A1 (en) Photoelectric conversion device
WO2023132001A1 (ja) 光電変換装置、光電変換システム、および移動体
JP2021106222A (ja) 光電変換装置
JP2024059085A (ja) 光電変換装置、機器
JP2024019961A (ja) 光電変換装置、機器
JP2023032550A (ja) 光電変換装置、光電変換システム、移動体
JP2024127607A (ja) 光電変換装置及び光電変換システム
JP2023178688A (ja) 光電変換装置、機器

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20220630