JP6086715B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
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Description
一例として、従来の表面照射型撮像素子に対して受光面を裏面に形成し、光の利用効率を向上させて感度向上を図った撮像技術がある(特許文献1参照。)。
また、裏面照射型撮像素子のさらなる感度向上を図るため、裏面から入射した後に利用されずに表面側へ通過してしまう光を、表面側に形成された金属層とマイクロレンズとで反射及び屈折させることで、フォトダイオードへ再入射させることも提案されている(特許文献3参照。)。
また、特許文献3の裏面照射型撮像素子では、表面側に形成される読出し回路を考慮に入れると、金属層で反射される光を集光する表面側マイクロレンズの有効面積が小さくなり、光の有効利用が十分行えないという問題がある。
図1は、本実施形態の固体撮像素子1の断面図である。固体撮像素子1は、CMOS型の固体撮像素子であり、複数のフォトダイオードと、フォトダイオードが行う光電変換によって発生した信号電荷を読み出す読み出し回路とが配置された第一基板(主基板)10と、第一基板10の一方の面に形成された入光部20と、第一基板10の他方の面に形成された配線部30と、配線部30上に設けられた支持基板40とを備えている。第一基板10、入光部20、配線部30、および支持基板40の境界には、それぞれシリコン酸化膜等からなる絶縁層50が設けられており、各部が互いに絶縁されている。なお、図1において、説明の便宜のため読み出し回路は省略している。また、以下の説明において、少なくともフォトダイオードと読み出し回路とを備えた部をフォトダイオード部11と記載する。
入光部20に入射した光は、マイクロレンズ21およびカラーフィルタ22を通って各フォトダイオード部11に入射する。フォトダイオード部11に入射する光は光電変換されるが、シリコンに対する侵入深さが大きい長波長領域の光の一部は、光電変換されずにフォトダイオード部11を通過する。フォトダイオード部11を通過した未利用光は、配線部30の導光部32に入射し、反射部41で第一基板10に向かって反射される。反射された未利用光は、再び導光部32内を通ってフォトダイオード部11に入射する。フォトダイオード部11通過後に導光部32内を往復した分だけ未利用光の光路長が延びており、未利用光の侵入深さに対しても十分な長さとなっているため、フォトダイオード部11に再入射した未利用光は光電変換される。
図2は、固体撮像素子101の断面において、画素分離部102周辺を示す部分拡大図である。画素分離部102は、固体撮像素子101の厚さ方向に延びる第二反射部103と、第二反射部103の延在方向両端に設けられたP+型半導体104とを備えている。
一方、Cu(銅)も貫通電極材料としてよく用いられているが、Cuはシリコンに対する拡散係数が大きいため、Cuを用いて直接シリコンに接する形で第二反射部を形成すると、Cu原子がシリコン内部に拡散し、いわゆる重金属汚染を引き起こすため避けた方がよい。Cuを用いる場合は、Cuとシリコンとの間に他の材質でバリア層を設ける等により、Cuとシリコンとが直接接触しないように第二反射部を形成するのが好ましい。
図3(b)は、第一基板10を支持基板40側から見た部分拡大図である。なお、説明の便宜のため、導光部32は省略するが、図1等で省略していた読み出し回路105については省略せずに図示している。各単位画素Upは、フォトダイオード部11と画素分離部102とを備える。配線31は、読み出し回路105を制御するための制御線や読み出し回路105からの信号を外部へ導く信号線などで構成されている。このようにフォトダイオード部11を形成することで、第二反射部103を各フォトダイオード部11の周囲に切れ目無く配置することができる。ここで、読み出し回路105の形状及び配置は一例を示したもので、第二反射部103及びP+型半導体104に囲まれたフォトダイオード部11の周辺であれば形状及び配置を変更することができる。
図2に示すように、配線31の一部は、第一基板10の電位を固定するためのコンタクト31aとなっており、絶縁層50を貫通して回路側のP+型半導体104と接続されている。
さらに、裏面照射型であるため、スミアノイズを低減するためにポリシリコンゲート202を覆う遮光メタル等を形成する必要がなく、構造を簡素にすることができる。
図5(a)に示すように、第一基板10よりも大きい屈折率の材料で形成した導光部33を配置することで、反射部41に対する角度を変化させてより多くの光を反射部に到達させることができる。さらに、第一基板10よりも屈折率の大きい材料を2種類用意し、より屈折率の大きい材料35を反射部41側に、材料35よりも屈折率の小さい材料34を第一基板側に配置して導光部36を形成すると、より効率よく光を反射部に到達させることができる。このとき、相対的に屈折率の大きい材料35の厚さt2が、相対的に屈折率の小さい材料34の厚さt1よりも大きく設定されると、光を反射部に到達させやすく、好ましい。
さらに、第一基板よりも屈折率の大きい材料を3種類以上用いて多層構造の導光部を形成することももちろん可能である。
10、210 第一基板(主基板)
11 フォトダイオード部
12、102、212 画素分離部
20 入光部
30 配線部
32、33、36 導光部
41 反射部
103 第二反射部
104 P+型半導体
105 読み出し回路
202 保護層(配線部)
220 N型半導体基板
221 第二導光部
Claims (6)
- 複数のフォトダイオードと、該複数のフォトダイオードで光電変換により発生した信号を読み出す読み出し回路とが配置された主基板と、
前記主基板の一方の面に設けられた入光部と、
前記主基板の他方の面に設けられ、前記読み出し回路が読み出した信号を伝送する配線部と、
前記配線部を貫通して設けられ、前記主基板よりも屈折率の大きい材料で形成されており、前記入光部から入射して前記フォトダイオードを通過した光が入射する導光部と、
前記配線部上に設けられた支持基板の前記配線部側の面に形成されており、前記導光部に入射した光を前記主基板に向けて反射する反射部と、
前記複数のフォトダイオード間に配置された画素分離部と、
を備えることを特徴とする固体撮像素子。 - 前記導光部は、前記主基板よりも屈折率の大きい材料を複数種類用いて形成されることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記画素分離部は、前記主基板の厚さ方向にわたって形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像素子。
- 前記画素分離部は、前記主基板よりも高い反射率を有する第二反射部を有することを特徴とする請求項3に記載の固体撮像素子。
- 前記画素分離部は、前記主基板の厚さ方向における一方の端部にP+型半導体を有することを特徴とする請求項3または4に記載の固体撮像素子。
- 前記入光部と前記主基板との間に配置されたN型半導体基板と、
前記N型半導体基板に設けられ、前記入光部に入射した光を前記フォトダイオードに導く第二導光部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の固体撮像素子。
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