JP4491323B2 - 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光電変換膜積層型カラー固体撮像装置の表面模式図である。光電変換膜積層型カラー固体撮像装置100には、多数の受光部101が、この例では正方格子状に配列されている。光電変換膜積層型カラー固体撮像装置100を構成する半導体基板の表面部には、後述する青色光検出用フォトダイオード及び赤色光検出用フォトダイオードと、MOSトランジスタ回路で構成される信号読出回路が集積回路技術を用いて形成され、この半導体基板の上層に、光電変換膜が製膜技術等により積層されている。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る光電変換膜積層型カラー固体撮像装置200の表面模式図である。図1に示す第1の実施形態に係る光電変換膜積層型カラー固体撮像装置100と比較して、各受光部101の信号読出回路と行選択走査部102とを接続する読出信号線208が追加されている点が異なる。
図10は、本発明の第3の実施形態に係る光電変換膜積層型カラー固体撮像装置の表面模式図である。図1に示す第1の実施形態では、半導体基板の深さ方向に2つのn型半導体層123,124を設け、光の侵入距離が波長依存性を持つことを利用して青色信号と赤色信号とを分離して検出する構成としたが、本実施形態では、色分離性能を高めるために、従来と同様に、カラーフィルタを用いて赤色信号と青色信号を分離する構成としている。即ち、図1に「R」と記載した受光部101に赤色フィルタを形成し、「B」と記載した受光部101に青色フィルタを形成している。
101 受光部
102 行選択走査部
103 画像信号出力部
105r,105g,105b 列信号線(画像信号線)
106 行選択信号線
107 リセット信号線
110 光遮蔽膜
111 開口
112 画素電極膜
114r,114g,114b 信号読出回路(電荷検出部)
120 n型半導体
121 pウェル層
122 ゲート絶縁膜
123,124 n型半導体層
126〜130 透明絶縁膜
140 光電変換膜
141 共通電極膜(対向電極膜)
143 電位障壁用トランジスタ
251 n型半導体領域
251a 電荷蓄積部
251b 電位障壁部
Claims (8)
- 3原色のうちの第1色用の信号読出回路と第2色用の信号読出回路と第3色用の信号読出回路とがMOSトランジスタ回路により形成されると共に前記第1色の入射光受光用フォトダイオードと前記第2色の入射光受光用フォトダイオードとが形成された半導体基板と、該半導体基板の上に積層され前記第3色の入射光を受光して光電荷を発生させる光電変換膜と、該光電変換膜に画素毎に分離して被着された画素電極膜を前記半導体基板に形成されたコンタクト部に接続する縦配線と、前記半導体基板に形成され前記コンタクト部と前記第3色用の信号読出回路との間に設けられた電位障壁部とを備えることを特徴とする光電変換膜積層型カラー固体撮像装置。
- 前記信号読出回路は、信号電荷を電圧信号に変換する出力用トランジスタと、行選択用トランジスタと、信号電荷をリセットするリセット用トランジスタとで構成されることを特徴とする請求項1に記載の光電変換膜積層型カラー固体撮像装置。
- 前記電位障壁部は電位障壁用トランジスタであり、該電位障壁用トランジスタのソースが前記コンタクト部として形成され、前記電位障壁用トランジスタのドレインが前記第3色用の信号読出回路に電気的に接続され、前記電位障壁用トランジスタのゲートが直流電源に接続されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光電変換膜積層型カラー固体撮像装置。
- 前記電位障壁部と前記信号読出回路との間に電荷蓄積部を設けたことを特徴とする請求項1に記載の光電変換膜積層型カラー固体撮像装置。
- 前記縦配線から前記コンタクト部を通して流れ込む信号電荷を蓄積する導電型の第1の半導体層と、該第1の半導体層の上側に設けられ該第1の半導体層と反対導電型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層の下側に設けられ該第1の半導体層と反対導電型の第3の半導体層との3層構造を備えると共に該3層構造と前記第3色用の信号読出回路との間に読出用トランジスタを備え、前記3層構造のうちの前記第1の半導体層の厚みまたは不純物密度が小さく形成された部分を前記電位障壁部にすると共に前記3層構造のうちの前記第1の半導体層の厚みまたは不純物密度が前記電位障壁部より大きく形成された部分を前記電荷蓄積部とし、前記第1の半導体層の前記電位障壁部側の端子が前記コンタクト部に電気的に接続され、前記第1の半導体層の前記電荷蓄積部側の端子が前記読出用トランジスタのソースに電気的に接続されていることを特徴とする請求項4に記載の光電変換膜積層型カラー固体撮像装置。
- 前記第1色の入射光受光用フォトダイオードと前記第2色の入射光受光用フォトダイオードは、前記半導体基板の深さ方向に積層して設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の光電変換膜積層型カラー固体撮像装置。
- 前記第1色の入射光受光用フォトダイオードと前記第2色の入射光受光用フォトダイオードとは前記半導体基板の表面部に市松状に配列形成され、前記第1色の入射光受光用フォトダイオードの上には前記第1色の入射光を透過すると共に前記第2色の入射光を遮断するカラーフィルタが積層され、前記第2色の入射光受光用フォトダイオードの上には前記第2色の入射光を透過すると共に前記第1色の入射光を遮断するカラーフィルタが積層されていることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の光電変換膜積層型カラー固体撮像装置。
- 前記第1色は青色であり、前記第2色は赤色であり、前記第3色は緑色であることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の光電変換膜積層型カラー固体撮像装置。
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