JP6120094B2 - 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Description
本開示の第2の側面の固体撮像装置は、絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通し、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている絶縁構造体を備え、前記絶縁構造体は、前記シリコン層を開口して露出された多層配線層の一部で形成された電極パッド部より外側に配置されたチップ周辺ガードリングである。
本開示の第3の側面の固体撮像装置は、少なくともフォトダイオードが形成されている第1の半導体基板と、少なくともロジック回路が形成されている第2の半導体基板とを貼り合わせて形成され、絶縁性の物質により少なくとも前記第1の半導体基板のシリコン層を貫通し、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている2つの絶縁構造体を備え、前記2つの絶縁構造体の間に充填された接続導体が、前記第1の半導体基板の配線層と前記第2の半導体基板の配線層のいずれとも接続されるシェアコンタクト構造を有する。
本開示の第3の側面においては、少なくともフォトダイオードが形成されている第1の半導体基板と、少なくともロジック回路が形成されている第2の半導体基板とを貼り合わせて形成され、絶縁性の物質により少なくとも前記第1の半導体基板のシリコン層を貫通し、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている2つの絶縁構造体が設けられ、前記2つの絶縁構造体の間に充填された接続導体が、前記第1の半導体基板の配線層と前記第2の半導体基板の配線層のいずれとも接続されるシェアコンタクト構造を有する。
本開示の第4の側面においては、第1の基板と、フォトダイオードが形成されているシリコン層を含む第2の基板が貼り合わせられた後、前記第2の基板の受光面側から、前記シリコン層を開口して露出される多層配線層の一部で形成される電極パッド部の周囲に、少なくとも前記シリコン層の深さまで縦方向に掘り込み、開口された部分に、絶縁性の物質が充填されることにより、絶縁構造体としてのパッド周辺ガードリングが形成される。
1.固体撮像装置の全体構成
2.第1の実施の形態(積層型の裏面照射型固体撮像装置の構成例)
3.第2の実施の形態(非積層型の裏面照射型固体撮像装置の構成例)
4.第3の実施の形態(ボーイング形状を有するガードリング構造)
5.第4の実施の形態(ボーイング形状を有する画素間トレンチ部の構造)
6.電子機器への適用例
<固体撮像装置の概略構成例>
図1は、本開示に係る固体撮像装置の概略構成を示している。
図1の固体撮像装置1は、図2に示されるような大判の半導体ウエハ21に複数配列されている各々の固体撮像装置1を分割したものに相当する。すなわち、大判の半導体ウエハ21のスクライブ領域LAに沿ってブレード(図示なし)を用いてダイシングされることにより、半導体ウエハ21が各々の固体撮像装置1に分割され、図1の固体撮像装置1が形成される。
<断面構成図>
図6は、固体撮像装置1の所定の1か所のパッド開口部PK付近の構成を示す断面図である。
次に、図7及び図8を参照して、図6の固体撮像装置1の製造方法について説明する。
図10は、パッド周辺ガードリングPGとしての絶縁材料の充填方法の変形例を示している。
図11は、パッド周辺ガードリングPGの深さの変形例を示している。
図12は、電極パッド部PADから電源を取り出すための配線の例を示している。
図13は、電極パッド部PADに対して、ワイヤーボンディングではなく貫通電極を用いて外部接続する固体撮像装置1の構成例を示している。
図14は、パッド周辺ガードリングPGと同様の製造方法で貫通ビアを形成し、シェアコンタクト構造に利用した例を示している。
図15は、図14に示したシェアコンタクト構造の製造方法を説明する図である。
<非積層型の固体撮像装置の例>
上述した第1の実施の形態では、本開示のパッド周辺ガードリングPGを、2枚の半導体基板を貼り合わせた積層型の固体撮像装置に適用した例について説明したが、従来からある非積層型の裏面照射型の固体撮像装置にも適用可能である。
図17及び図18を参照して、図16の固体撮像装置1の製造方法について説明する。
図19は、非積層型の固体撮像装置1におけるパッド周辺ガードリングPGの深さの変形例を示している。
図20は、非積層型の固体撮像装置1において電極パッド部PADから電源を取り出すための配線の例を示している。
<ガードリング構造>
上述した例では、パッド周辺ガードリングPGとチップ周辺ガードリングCGを、受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状とする構造について説明した。以下では、パッド周辺ガードリングPGとチップ周辺ガードリングCGのその他の構造について説明する。
図26を参照して、ボーイング形状を有するチップ周辺ガードリングCGの製造方法について説明する。
<画素間トレンチ部への適用例>
ボーイング形状または庇形状に成形して基板深さ方向に掘り込む構造は、上述したパッド周辺ガードリングPGやチップ周辺ガードリングCG等のガードリング以外に、フォトダイオードPDを分離する画素間トレンチ部にも適用することができる。
図28及び図29を参照して、図27の固体撮像装置1の製造方法について説明する。
<電子機器の構成例>
さらに本開示の技術は、固体撮像装置への適用に限られるものではない。即ち、本開示の技術は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像装置を用いる複写機など、画像取込部(光電変換部)に固体撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像装置は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
(1)
絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通する絶縁構造体を備え、
前記絶縁構造体は、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている
固体撮像装置。
(2)
前記絶縁構造体は、電極パッド部の周囲に配置されたパッド周辺ガードリングである
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記絶縁構造体は、スクライブ領域の側部に配置されたチップ周辺ガードリングである
前記(1)または(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記絶縁構造体は、反射防止膜に利用される材料、シリコン化合物、オンチップレンズに利用される共重合系の樹脂材料、または、エアギャップの少なくとも一つで形成されている
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(5)
少なくともフォトダイオードが形成されている第1の半導体基板と、少なくともロジック回路が形成されている第2の半導体基板とを貼り合わせて形成された積層型の固体撮像装置である
前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(6)
前記絶縁構造体は、受光面側の前記第1の半導体基板を貫通し、前記第2の半導体基板の配線層に接続するまで掘り込まれている
前記(5)に記載の固体撮像装置。
(7)
前記絶縁構造体は、受光面側の前記第1の半導体基板を貫通し、前記第2の半導体基板のシリコン層に接続するまで掘り込まれている
前記(5)に記載の固体撮像装置。
(8)
2つの前記絶縁構造体を有し、
2つの前記接続構造体の間に充填された接続導体が、前記第1の半導体基板の配線層と前記第2の半導体基板の配線層のいずれとも接続されるシェアコンタクト構造を有する
前記(5)に記載の固体撮像装置。
(9)
支持基板に前記シリコン層が形成された半導体基板を貼り合わせた裏面照射型の固体撮像装置である
前記(1)乃至(8)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(10)
前記絶縁構造体は、前記半導体基板の前記シリコン層の下の複数の配線層のうちの最下層に接続するまで掘り込まれている
前記(9)に記載の固体撮像装置。
(11)
前記絶縁構造体と接続されている配線層は、孤立されている
前記(1)乃至(10)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(12)
第1の基板と、フォトダイオードが形成されているシリコン層を含む第2の基板を貼り合わせた後、
前記第2の基板の受光面側から、少なくとも前記シリコン層の深さまで縦方向に掘り込み、開口された部分に、絶縁性の物質を充填する
固体撮像装置の製造方法。
(13)
絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通する絶縁構造体を備え、
前記絶縁構造体は、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている
固体撮像装置
を備える電子機器。
(1)
半導体基板を深さ方向に掘り込み、その内部に絶縁性材料を埋め込んだ絶縁性構造体を備え、
前記絶縁性構造体は、前記半導体基板の最上面よりも下の位置に最大径を有する部分を有し、前記半導体基板の最上面の径は前記最大径よりも小さい
固体撮像装置。
(2)
前記絶縁性材料は、スピンコート法によって回転塗布される塗布系材料である
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記絶縁性構造体の上部は、ボーイング形状を有する
前記(1)または(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記絶縁性構造体の上部は、前記半導体基板の最上面において内側方向に張り出した庇部を有する庇形状を有する
前記(1)または(2)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記絶縁性材料は、前記半導体基板の上面に形成される平坦化膜の形成と同時に、前記絶縁構造体に埋め込まれる
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(6)
前記絶縁性構造体は、ガードリングである
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(7)
前記絶縁性構造体は、前記半導体基板において画素単位で形成されるフォトダイオードを分離する画素間トレンチ部である
前記(1)乃至(3)のいずれかに記載の固体撮像装置。
(8)
半導体基板を深さ方向に掘り込み、前記半導体基板の最上面よりも下の位置に最大径を有する部分をもつ絶縁性構造体を形成し、
形成された前記絶縁性構造体の内部に、スピンコート法により、前記絶縁性材料を埋め込む
固体撮像装置の製造方法。
(9)
半導体基板を深さ方向に掘り込み、その内部に絶縁性材料を埋め込んだ絶縁性構造体を備え、
前記絶縁性構造体は、前記半導体基板の最上面よりも下の位置に最大径を有する部分を有し、前記半導体基板の最上面の径は前記最大径よりも小さい
固体撮像装置
を備える電子機器。
Claims (13)
- 絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通し、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている絶縁構造体を備え、
前記絶縁構造体は、前記シリコン層を開口して露出された多層配線層の一部で形成された電極パッド部の周囲に配置されたパッド周辺ガードリングである
固体撮像装置。 - 前記絶縁構造体として、スクライブ領域の側部に配置されたチップ周辺ガードリングをさらに備える
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記絶縁構造体は、反射防止膜に利用される材料、シリコン化合物、オンチップレンズに利用される共重合系の樹脂材料、または、エアギャップの少なくとも一つで形成されている
請求項1または2に記載の固体撮像装置。 - 少なくともフォトダイオードが形成されている第1の半導体基板と、少なくともロジック回路が形成されている第2の半導体基板とを貼り合わせて形成された積層型の固体撮像装置である
請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記絶縁構造体は、受光面側の前記第1の半導体基板を貫通し、前記第2の半導体基板の配線層に接続するまで掘り込まれている
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記絶縁構造体は、受光面側の前記第1の半導体基板を貫通し、前記第2の半導体基板のシリコン層に接続するまで掘り込まれている
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通し、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている絶縁構造体を備え、
前記絶縁構造体は、前記シリコン層を開口して露出された多層配線層の一部で形成された電極パッド部より外側に配置されたチップ周辺ガードリングである
固体撮像装置。 - 少なくともフォトダイオードが形成されている第1の半導体基板と、少なくともロジック回路が形成されている第2の半導体基板とを貼り合わせて形成され、
絶縁性の物質により少なくとも前記第1の半導体基板のシリコン層を貫通し、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている2つの絶縁構造体を備え、
前記2つの絶縁構造体の間に充填された接続導体が、前記第1の半導体基板の配線層と前記第2の半導体基板の配線層のいずれとも接続されるシェアコンタクト構造を有する
固体撮像装置。 - 支持基板に前記シリコン層が形成された半導体基板を貼り合わせた裏面照射型の固体撮像装置である
請求項1乃至8のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 前記絶縁構造体は、前記半導体基板の前記シリコン層の下の複数の配線層のうちの最下層に接続するまで掘り込まれている
請求項9に記載の固体撮像装置。 - 前記絶縁構造体と接続されている配線層は、孤立されている
請求項1乃至10のいずれかに記載の固体撮像装置。 - 第1の基板と、フォトダイオードが形成されているシリコン層を含む第2の基板を貼り合わせた後、
前記第2の基板の受光面側から、前記シリコン層を開口して露出される多層配線層の一部で形成される電極パッド部の周囲に、少なくとも前記シリコン層の深さまで縦方向に掘り込み、開口された部分に、絶縁性の物質を充填することにより、絶縁構造体としてのパッド周辺ガードリングを形成する
固体撮像装置の製造方法。 - 絶縁性の物質により少なくとも受光面側のシリコン層を貫通し、前記シリコン層の受光面側である上部のトップ径が底部のボトム径よりも大きい順テーパ形状となっている絶縁構造体を備え、
前記絶縁構造体は、前記シリコン層を開口して露出された多層配線層の一部で形成された電極パッド部の周囲に配置されたパッド周辺ガードリングである
固体撮像装置
を備える電子機器。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10672823B2 (en) | 2017-11-14 | 2020-06-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9640456B2 (en) * | 2013-03-15 | 2017-05-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Support structure for integrated circuitry |
JP6303803B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2018-04-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP6120094B2 (ja) | 2013-07-05 | 2017-04-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2015076569A (ja) * | 2013-10-11 | 2015-04-20 | ソニー株式会社 | 撮像装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
US9536920B2 (en) * | 2014-03-28 | 2017-01-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Stacked image sensor having a barrier layer |
US9614000B2 (en) * | 2014-05-15 | 2017-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Biased backside illuminated sensor shield structure |
JP6578676B2 (ja) * | 2015-03-03 | 2019-09-25 | セイコーエプソン株式会社 | 画像読取装置および半導体装置 |
TWI692859B (zh) * | 2015-05-15 | 2020-05-01 | 日商新力股份有限公司 | 固體攝像裝置及其製造方法、以及電子機器 |
US10355039B2 (en) | 2015-05-18 | 2019-07-16 | Sony Corporation | Semiconductor device and imaging device |
WO2017018216A1 (ja) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP6725231B2 (ja) * | 2015-10-06 | 2020-07-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
JP6700811B2 (ja) * | 2016-01-26 | 2020-05-27 | キヤノン株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
FR3059143B1 (fr) * | 2016-11-24 | 2019-05-31 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Puce de capteur d'image |
EP3355355B1 (en) * | 2017-01-27 | 2019-03-13 | Detection Technology Oy | Asymmetrically positioned guard ring contacts |
JP7158846B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2022-10-24 | キヤノン株式会社 | 半導体装置および機器 |
TWI646678B (zh) * | 2017-12-07 | 2019-01-01 | 晶相光電股份有限公司 | 影像感測裝置 |
KR102385105B1 (ko) * | 2018-02-27 | 2022-04-08 | 삼성전자주식회사 | 크랙 검출용 칩 및 이를 이용한 크랙 검출 방법 |
CN108520886A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-11 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法 |
US11069729B2 (en) * | 2018-05-01 | 2021-07-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, and equipment |
US11756977B2 (en) * | 2018-06-21 | 2023-09-12 | Semiconductor Components Industries, Llc | Backside illumination image sensors |
CN111048536A (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-21 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
JP7282500B2 (ja) | 2018-10-19 | 2023-05-29 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、機器、半導体装置の製造方法 |
US11227836B2 (en) * | 2018-10-23 | 2022-01-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pad structure for enhanced bondability |
JP7175159B2 (ja) * | 2018-11-05 | 2022-11-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
KR102593777B1 (ko) * | 2018-11-14 | 2023-10-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
JP7273488B2 (ja) * | 2018-12-04 | 2023-05-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置、及び電子機器 |
CN112242405A (zh) * | 2019-07-18 | 2021-01-19 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
US11094650B1 (en) * | 2020-02-11 | 2021-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Semiconductor arrangement and method of making |
JP7437987B2 (ja) * | 2020-03-23 | 2024-02-26 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
KR20210120399A (ko) | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 삼성전자주식회사 | 관통 실리콘 비아를 포함하는 집적 회로 반도체 소자 |
KR20210122525A (ko) | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 장치 |
KR20210122526A (ko) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 장치 |
US11515227B2 (en) * | 2020-04-02 | 2022-11-29 | Sandisk Technologies Llc | Semiconductor die including edge ring structures and methods for making the same |
US11289388B2 (en) * | 2020-04-02 | 2022-03-29 | Sandisk Technologies Llc | Semiconductor die including edge ring structures and methods for making the same |
US11342286B2 (en) | 2020-04-02 | 2022-05-24 | Sandisk Technologies Llc | Semiconductor die including edge ring structures and methods for making the same |
JP2020102656A (ja) * | 2020-04-06 | 2020-07-02 | キヤノン株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR20210137677A (ko) | 2020-05-11 | 2021-11-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 장치 |
KR20220079300A (ko) * | 2020-12-04 | 2022-06-13 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
WO2024042996A1 (ja) * | 2022-08-26 | 2024-02-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 積層基板及び半導体装置 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10173052A (ja) * | 1996-12-13 | 1998-06-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4427949B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2010-03-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP4028393B2 (ja) * | 2003-01-09 | 2007-12-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4046069B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2008-02-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
JP4815769B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP4470170B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-06-02 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4816601B2 (ja) | 2007-09-07 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
KR20090033636A (ko) * | 2007-10-01 | 2009-04-06 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
KR20090035262A (ko) * | 2007-10-05 | 2009-04-09 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그의 제조 방법 |
JP4609497B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2011-01-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ |
US8274777B2 (en) * | 2008-04-08 | 2012-09-25 | Micron Technology, Inc. | High aspect ratio openings |
JP4655137B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JP5353201B2 (ja) * | 2008-11-21 | 2013-11-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2010219425A (ja) | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2010232284A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Sony Corp | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
JP5453947B2 (ja) * | 2009-06-17 | 2014-03-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
JP5532867B2 (ja) | 2009-11-30 | 2014-06-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに固体撮像素子の製造方法及び半導体装置 |
JP5568969B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP2011124501A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP5172819B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2013-03-27 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP5630027B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-11-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器、半導体装置 |
JP2010212735A (ja) | 2010-06-17 | 2010-09-24 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及びカメラ |
JP2012084609A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP5888985B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2016-03-22 | キヤノン株式会社 | 光電変換素子、およびこれを用いた光電変換装置、撮像システム |
JP2012178496A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-13 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器、半導体装置、固体撮像装置の製造方法 |
JP5826511B2 (ja) | 2011-04-26 | 2015-12-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
CN106449676A (zh) * | 2011-07-19 | 2017-02-22 | 索尼公司 | 半导体装置和电子设备 |
JP2013062382A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013115289A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-06-10 | Sony Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 |
JP2013123000A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2013197113A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Sony Corp | 固体撮像装置およびカメラシステム |
CN103367374B (zh) * | 2012-04-02 | 2017-06-09 | 索尼公司 | 固体摄像装置及其制造方法、半导体器件的制造装置和方法、电子设备 |
KR101934864B1 (ko) * | 2012-05-30 | 2019-03-18 | 삼성전자주식회사 | 관통 실리콘 비아 구조물 및 그 제조 방법, 이를 포함하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
JP6120094B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2017-04-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
-
2014
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2017
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2021
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10672823B2 (en) | 2017-11-14 | 2020-06-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors |
US10971537B2 (en) | 2017-11-14 | 2021-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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