JP4825542B2 - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Description
前記第一電極は、前記多数の光電変換部毎に分割されており、前記第二電極は、前記多数の光電変換部で共通であって、前記固体撮像素子は、平面視において、前記光電変換部が形成される光電変換領域と、前記固体撮像素子に電源を接続するための多数の電極パッドが形成されるパッド領域と、前記光電変換領域と前記パッド領域と間の境界領域とを含み、前記多数の電極パッドは、前記第二の電極に電源を接続するための電極パッドである第二電極用パッドと、それ以外の他の電極パッドとからなり、前記基板上方に、前記第一電極を形成する第一電極形成工程と、前記基板上に、少なくとも一部を露出させた前記各電極パッドを形成する電極パッド形成工程と、前記境界領域の前記基板上に、前記第二電極用パッドと電気的に接続される第三電極であって、少なくとも一部を露出させた第三電極を形成する第三電極形成工程と、前記境界領域の前記第三電極及び前記基板上に、前記光電変換領域と前記パッド領域とを分離する分離部材を、平面視において前記分離部材と前記光電変換領域との間に前記第三電極の露出面が存在するように形成する分離部材形成工程と、前記第三電極の露出面と前記多数の電極パッドの露出面を少なくとも覆う第一のマスクを介して前記第一電極上に前記光電変換層を形成する光電変換層形成工程とを含み、前記光電変換層を形成した後、前記多数の電極パッドの露出面を少なくとも覆う第二のマスクを介して、前記光電変換層上と、前記光電変換領域と前記分離部材との間にある前記第三電極の露出面の少なくとも一部上とに前記第二電極を形成する第二電極形成工程を含む。
また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記第一の分離部材と前記第二の分離部材上に、前記第一の分離部材及び前記第二の分離部材よりも前記光電変換領域側の領域を保護する透明な保護部材を配置する保護部材形成工程を含む。
本実施形態で説明する固体撮像素子100は、基板となるp型シリコン基板1上方に積層されたITO等からなる透明な第一電極11と、第一電極11上に形成された入射光のうちのGの波長を検出する光電変換層12と、光電変換層12上に形成されたITO等からなる透明な第二電極13とを含む光電変換部が、p型シリコン基板1上方の同一平面上に多数配列された構成となっている。第二電極13上には、第二電極13表面を保護するための透明な絶縁材料等からなる保護層25が形成されている。
固体撮像素子100は、平面視において、上述した光電変換部が形成される光電変換領域14と、固体撮像素子100に電源を接続するための多数の電極パッドがそれぞれ形成されるパッド領域17,19と、光電変換領域14とパッド領域17との間の境界領域16と、光電変換領域14とパッド領域19との間の境界領域18とを含む。パッド領域17とパッド領域19とに形成される多数の電極パッドには、それぞれ光電変換領域14にある第二電極13に電源を接続するための電極パッドである第二電極用パッドが1つ含まれる。光電変換領域14は、平面視における光電変換層12の面積と同一である。境界領域とは、平面視において、光電変換層12の端部と電極パッド20の光電変換領域側の端部との間の領域のことである。
図3〜図8は、固体撮像素子100の各製造工程後の状態を示す図である。図3〜図6において、(a)はシリコンウェハの1つの固体撮像素子が形成される部分を1チップとしたときの2チップ分の平面模式図、(b)は(a)に示すA−A線断面模式図、(c)は(b)に示す断面模式図の境界領域16付近の拡大図である。図7,8では、平面模式図は省略し、(a)をA−A線断面模式図とし、(b)を(a)に示す断面模式図の境界領域16付近の拡大図としている。
11 第一電極
12 光電変換層
13 第二電極
20 電極パッド
21 第三電極
22 分離部材
23 第一のマスク
26 第二のマスク
27 カバーガラス
Claims (5)
- 基板上方に積層された第一電極と、前記第一電極上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第二電極とを含む光電変換部が、前記基板上方の同一平面上に多数配列された固体撮像素子の製造方法であって、
前記第一電極は、前記多数の光電変換部毎に分割されており、
前記第二電極は、前記多数の光電変換部で共通であって、
前記固体撮像素子は、平面視において、前記光電変換部が形成される光電変換領域と、前記固体撮像素子に電源を接続するための多数の電極パッドが形成されるパッド領域と、前記光電変換領域と前記パッド領域と間の境界領域とを含み、
前記多数の電極パッドは、前記第二の電極に電源を接続するための電極パッドである第二電極用パッドと、それ以外の他の電極パッドとからなり、
前記基板上方に、前記第一電極を形成する第一電極形成工程と、
前記基板上に、少なくとも一部を露出させた前記各電極パッドを形成する電極パッド形成工程と、
前記境界領域の前記基板上に、前記第二電極用パッドと電気的に接続される第三電極であって、少なくとも一部を露出させた第三電極を形成する第三電極形成工程と、
前記境界領域の前記第三電極及び前記基板上に、前記光電変換領域と前記パッド領域とを分離する分離部材を、平面視において前記分離部材と前記光電変換領域との間に前記第三電極の露出面が存在するように形成する分離部材形成工程と、
前記第三電極の露出面と前記多数の電極パッドの露出面を少なくとも覆う第一のマスクを介して前記第一電極上に前記光電変換層を形成する光電変換層形成工程とを含み、
前記光電変換層を形成した後、前記多数の電極パッドの露出面を少なくとも覆う第二のマスクを介して、前記光電変換層上と、前記光電変換領域と前記分離部材との間にある前記第三電極の露出面の少なくとも一部上とに前記第二電極を形成する第二電極形成工程を含む固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記パッド領域は、前記光電変換領域を挟んで対向する第一のパッド領域と第二のパッド領域を含み、
前記境界領域は、前記光電変換領域と前記第一のパッド領域との間の第一の境界領域と、前記光電変換領域と前記第二のパッド領域との間の第二の境界領域とを含み、
前記電極パッド形成工程では、前記第一のパッド領域と前記第二のパッド領域の各々に前記第二電極用パッドを形成し、
前記第三電極形成工程では、前記第一の境界領域と前記第二の境界領域の各々に前記第三電極を形成し、
前記分離部材形成工程では、前記第一の境界領域の前記第三電極及び前記基板上に前記光電変換領域と前記第一のパッド領域とを分離する第一の分離部材を形成し、前記第二の境界領域の前記第三電極及び前記基板上に、前記光電変換領域と前記第二のパッド領域とを分離する第二の分離部材を形成する固体撮像素子の製造方法。 - 請求項2記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第一の分離部材と前記第二の分離部材上に、前記第一の分離部材及び前記第二の分離部材よりも前記光電変換領域側の領域を保護する透明な保護部材を配置する保護部材形成工程を含む固体撮像素子の製造方法。 - 請求項3記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記各工程によって多数の前記固体撮像素子を同一のウェハに形成する工程と、
前記ウェハをダイシングして前記多数の固体撮像素子をそれぞれ分離する分離工程とを含む固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記分離部材として金属を用いる固体撮像素子の製造方法。
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