JP2011198853A - マイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板121と、半導体基板121の光入射側上層に積層された光電変換膜130と、半導体基板121の表面部に形成され光電変換膜130が入射光量に応じて検出した信号電荷量に応じた信号を撮像画像信号として外部に読み出す信号読出手段(図示省略)と、光電変換膜130の光入射側上層に透明樹脂を接着材として貼り付けられた透明基板(図示省略)と、前記信号読出手段に配線接続され半導体基板121に貫通して設けられると共に半導体基板121の光電変換膜130が設けられた面と反対側の面に露出して設けられた電気的接続端子113とを備える。
【選択図】図4
Description
21 撮影レンズ
26 デジタル信号処理部
29 システム制御部
100 光電変換膜積層型固体撮像素子
101 撮像素子チップ
102 透明樹脂(接着材)
103 透明ガラス基板
104 隙間
105 黒色の樹脂
110 半導体ウェハ
112 撮像領域
113 接続パッド
115 円板状の透明ガラス基板
121 半導体基板
125 画素電極膜
130 光電変換膜
131 対向電極膜
132 保護膜
Claims (16)
- 半導体基板と、該半導体基板の光入射側上層に積層された光電変換膜と、前記半導体基板の表面部に形成され前記光電変換膜が入射光量に応じて検出した信号電荷量に応じた信号を撮像画像信号として外部に読み出す信号読出手段と、前記光電変換膜の光入射側上層に透明樹脂を接着材として貼り付けられた透明基板と、前記信号読出手段に配線接続され前記半導体基板に貫通して設けられると共に該半導体基板の前記光電変換膜が設けられた面と反対側の面に露出して設けられた電気的接続端子とを備えるマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 請求項1に記載のマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子であって、前記電気的接続端子が露出した前記反対側の面と前記透明基板の表面との距離が全体の厚さとなるマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 請求項1又は請求項2に記載のマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子であって、前記透明基板と前記半導体基板とが同面積であるマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 請求項3に記載のマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子であって、前記透明基板の代わりに前記透明樹脂を厚手に形成したマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 請求項1又は請求項2に記載のマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子であって、前記透明基板が前記半導体基板より小面積であるマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 請求項1又は請求項2に記載のマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子であって、前記透明基板が前記半導体基板より大面積であるマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 請求項5又は請求項6に記載のマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子であって、前記透明基板と前記半導体基板との面積の違いによる段差部分を樹脂で埋めて全体を完全な矩形体としたマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子であって、側面が黒色に塗られているマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 半導体基板と、該半導体基板の光入射側上層に積層された光電変換膜と、前記半導体基板の表面部に形成され前記光電変換膜が入射光量に応じて検出した信号電荷量に応じた信号を撮像画像信号として外部に読み出す信号読出手段とを備えるマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法であって、前記信号読出手段及び前記光電変換膜が形成された前記半導体基板が他の前記半導体基板と分離される前の複数の該半導体基板の集合体でなる半導体ウェハの前記光入射側上層に該半導体ウェハと同等面積の透明基板を透明樹脂で貼り合わせ、該貼り合わせ後に該半導体基板及び該透明基板をダイシングして個片化するマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法。
- 半導体基板と、該半導体基板の光入射側上層に積層された光電変換膜と、前記半導体基板の表面部に形成され前記光電変換膜が入射光量に応じて検出した信号電荷量に応じた信号を撮像画像信号として外部に読み出す信号読出手段とを備えるマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法であって、前記信号読出手段及び前記光電変換膜が形成された前記半導体基板が他の前記半導体基板と分離される前の複数の該半導体基板の集合体でなる半導体ウェハのうち良品の前記半導体基板の前記光入射側上層に個片化された前記透明基板を透明樹脂で貼り付け、該貼り付け後にダイシングして前記半導体ウェハを個片化するマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法。
- 半導体基板と、該半導体基板の光入射側上層に積層された光電変換膜と、前記半導体基板の表面部に形成され前記光電変換膜が入射光量に応じて検出した信号電荷量に応じた信号を撮像画像信号として外部に読み出す信号読出手段とを備えるマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法であって、前記信号読出手段及び前記光電変換膜が形成された前記半導体基板が他の前記半導体基板と分離される前の複数の該半導体基板の集合体でなる半導体ウェハの前記光入射側上層に厚手の透明樹脂を積層して硬化させ、該硬化後にダイシングして前記半導体ウェハを個片化するマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法。
- 半導体基板と、該半導体基板の光入射側上層に積層された光電変換膜と、前記半導体基板の表面部に形成され前記光電変換膜が入射光量に応じて検出した信号電荷量に応じた信号を撮像画像信号として外部に読み出す信号読出手段とを備えるマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法であって、複数の前記信号読出手段及び前記光電変換膜が形成された前記半導体基板を前記光入射側上層の側を1枚の透明基板に透明樹脂で貼り付け、該貼り付け後に該透明基板をダイシングして前記半導体基板を個片化するマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法。
- 請求項12に記載のマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法であって、前記1枚の透明基板に複数の前記半導体基板を貼り付けた後に隣接する該半導体基板間の隙間を樹脂で充填し、該樹脂が硬化した後、該樹脂及び前記透明基板をダイシングして前記半導体基板を個片化するマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法。
- 請求項13に記載のマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法であって、前記樹脂は光学的に黒色の樹脂であるマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法。
- 請求項9乃至請求項14のいずれかに記載のマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法で製造したマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
- 請求項1乃至請求項8のいずれか、又は、請求項15に記載のマイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子を搭載した撮像装置。
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