JP2012074418A - 固体撮像素子及び撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】撮像画像品質を向上させることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板6上方に二次元状に配列された複数の画素電極21と、画素電極21の上層に形成された抵抗が100kΩ/□以下の透明導電性酸化物で構成される対向電極23と、画素電極21と対向電極23との間に形成された有機材料を含む光電変換層を含む受光層22と、対向電極23に印加するバイアス電圧を供給する電圧供給線4と対向電極23との電気的接続を行う接続部3とを備え、平面視において画素電極21が配列された略矩形の領域を画素領域2とし、画素領域2のサイズは5インチ以下であり、接続部3は、画素領域2より外側の周辺領域のうち、画素領域2の4辺のうちの少なくとも1辺の近傍で当該1辺に沿った領域、又は、画素領域2の4つの角のうちの少なくとも2つの角の近傍領域に形成され、対向電極23は接続部3上にまで伸びて形成されている。
【選択図】図1
【解決手段】半導体基板6上方に二次元状に配列された複数の画素電極21と、画素電極21の上層に形成された抵抗が100kΩ/□以下の透明導電性酸化物で構成される対向電極23と、画素電極21と対向電極23との間に形成された有機材料を含む光電変換層を含む受光層22と、対向電極23に印加するバイアス電圧を供給する電圧供給線4と対向電極23との電気的接続を行う接続部3とを備え、平面視において画素電極21が配列された略矩形の領域を画素領域2とし、画素領域2のサイズは5インチ以下であり、接続部3は、画素領域2より外側の周辺領域のうち、画素領域2の4辺のうちの少なくとも1辺の近傍で当該1辺に沿った領域、又は、画素領域2の4つの角のうちの少なくとも2つの角の近傍領域に形成され、対向電極23は接続部3上にまで伸びて形成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、固体撮像素子及び撮像装置に関する。
半導体基板内にフォトダイオードを有する一般的な固体撮像素子は、画素サイズが微細化の限界に達しており、感度等の性能向上が難しくなっている。そこで、半導体基板上方に光電変換層を設けて開口率100%を達成できるようにした高感度の積層型固体撮像素子が提案されている(特許文献1参照)。
特許文献1に記載された積層型固体撮像素子は、半導体基板上方に複数の画素電極が配列形成され、複数の画素電極の上方に1つの光電変換層が形成され、この光電変換層の上方に1つの対向電極が形成された構成である。このような積層型固体撮像素子は、対向電極にバイアス電圧を印加することで光電変換層に電界を加え、光電変換層で発生した電荷を画素電極に移動させ、画素電極に接続された読み出し回路によって当該電荷に応じた信号を読み出す。
対向電極にはバイアス電圧を供給する配線が接続されるが、対向電極は抵抗値を持つため、この配線が接続された位置から遠い位置ほど電圧降下が大きくなり、この結果、対向電極全体で印加されるバイアス電圧にムラが生じる。このムラは撮像画像のムラ(感度ムラ)となるため、撮像画像品質を低下させる。
このような感度ムラは、光電変換層と対向電極の抵抗率、複数の画素電極が配置される受光部のサイズ等を選択することで、理論的には無視できるほど小さくすることができる。
しかし、このような理想的な設計値のもとで、光電変換層として有機材料を含む構成とし、対向電極を透明導電性酸化物で構成し、バイアス電圧を供給する電圧供給部に接続される配線と対向電極とを電気的に接続するための接続部を対向電極に接触させて設け、この接続部を介して対向電極にバイアス電圧を印加する構成とした積層型固体撮像素子を作製したところ、接続部の配置によっては、理論的には発生しないはずの感度ムラが発生することがわかった。
この感度ムラは、接続部の抵抗値、画素電極の製造時にできる表面の凹凸、光電変換層が有機材料であること等、種々の要因で発生していると考えられるが、その要因は定かではない。
特許文献1には、対向電極にバイアス電圧を印加するための具体的な構成については記載されておらず、上記種々の要因で発生する感度ムラをなくす方法についての記載はない。
また、特許文献2には、積層型固体撮像素子に含まれる矩形の対向電極の対角の2点にバイアス電圧供給線が接続される構成が開示されている。しかし、特許文献2では光電変換層が無機材料で構成されており、また、対向電極へのバイアス電圧供給線の接続方法については具体的に記載されていないため、上記種々の要因が発生する構成になっていない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、撮像画像品質を向上させることが可能な固体撮像素子及び撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像素子は、基板上方に二次元状に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上層に形成された抵抗が100kΩ/□以下の透明導電性酸化物で構成される対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極との間に形成された有機材料を含む光電変換層を含む受光層と、前記対向電極に印加するバイアス電圧を供給する電圧供給線と前記対向電極との電気的接続を行う接続部とを備え、平面視において前記複数の画素電極が配列された矩形の領域を画素領域とし、前記画素領域のサイズは5インチ以下であり、前記接続部は、前記画素領域より外側の周辺領域の前記画素領域の4辺のうちの少なくとも1辺の近傍で当該1辺に沿った領域、又は、前記画素領域の4つの角のうちの少なくとも2つの角の近傍領域に形成され、前記対向電極は前記接続部上にまで伸びて形成されているものである。なお、本明細書において1インチは、SI単位で2.54cmを意味する。
この構成によれば、対向電極の電圧降下以外の要因で発生する感度ムラを抑制することができる。
本発明の撮像装置は、前記固体撮像素子を備えるものである。
本発明によれば、撮像画像品質を向上させることが可能な固体撮像素子及び撮像装置を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の一実施形態を説明するための固体撮像素子の概略構成を示す平面模式図である。図1に示す固体撮像素子1は、矩形の画素領域2とそれ以外の周辺領域とを備える。周辺領域には詳細は後述する2つの接続部3が形成されている。画素領域2と周辺領域の一部には対向電極23が形成されている。
周辺領域には、対向電極23にバイアス電圧を供給する電圧供給部5が形成され、電圧供給部5にはバイアス電圧供給線4が接続されている。このバイアス電圧供給線4が、2つの接続部3の各々の下方にまで伸びて形成され、接続部3の下方で図示しないプラグにより接続部3と電気的に接続されている。
画素領域2は、複数の光電変換素子が水平方向Yとこれに直交する垂直方向Xに二次元状(例えば正方格子状)に配列して形成された領域である。
画素領域2には、半導体基板6上方に複数の画素電極が二次元状に配列され、この複数の画素電極全体の上方に1枚構成の受光層が形成されており、この受光層の上方に1枚構成の対向電極23が形成されている。各画素電極とこれに対向する対向電極23と、これら電極の間の受光層とにより、光電変換素子が構成される。
接続部3は、対向電極23とバイアス電圧供給線4との電気的接続を図るためのものであり、導電性材料で形成されている。図1の例では、固体撮像素子1の周辺領域の、画素領域2の4辺のうちの水平方向Yに伸びる2辺の各々の隣に、この辺に沿って接続部3が形成されている。
図2は、図1に示した固体撮像素子1におけるA−A線断面模式図である。
図2に示すように、半導体基板6上には絶縁層7が形成されている。画素領域2には、絶縁層7の表面に画素電極21が二次元状に配列形成され、複数の画素電極21の上に1つの受光層22が形成されている。受光層22上には対向電極23が形成されており、対向電極23は、画素領域2だけでなく、それよりも外側の周辺領域にある絶縁層7上にまで伸びて形成されている。
受光層22は、少なくとも光電変換層を含み、この光電変換層は有機材料を含んで構成されている。
固体撮像素子1では、対向電極23のバイアス電圧の供給点(図1の例では接続部3)からの距離に起因する電圧降下が無視できるほど小さくなるよう、受光層22と対向電極23の抵抗値、複数の画素電極21が配置される画素領域2のサイズが選択されている。
具体的には、画素領域2のサイズ(矩形の対角線の長さ)は5インチ以下であり、かつ、受光層22と対向電極23の抵抗値の比が2桁以上となっている。受光層22の抵抗値は、実用的な材料を使うと少なくとも10MΩ/□以上になる。このため、より具体的には、画素領域2のサイズが5インチ以下で、かつ、対向電極23の抵抗値が100kΩ/□以下となっている。
画素電極21は、受光層22に含まれる光電変換層で発生した電荷を捕集する電極である。画素電極21は導電性材料で構成されていればよい。画素電極21としては、TiN、W,Cr,ITO,Al,Cu,AlCuの少なくとも1つを含む構成が好ましい。
対向電極23は、透明導電性酸化物で構成されている。透明導電性酸化物として好ましくはITOを用いることができる。
図3は、ITOの膜厚と透過率との関係を示した図である。感度を高くするには、対向電極23の透過率が95%以上、好ましくは98%以上あることが好ましい。このため、対向電極としてITOを用いた場合には、図3に示すデータから膜厚を20nm以下(好ましくは10nm)とすることが好ましい。
画素領域2内の半導体基板6には、各画素電極21に対応して読み出し回路25が形成されている。
読み出し回路25は、対応する画素電極21で捕集された電荷に応じた信号を読み出すものであり、例えばCCD又はMOS回路等で構成されている。読み出し回路25は、半導体基板6の代わりにガラス基板等を用いた場合にはTFT回路で構成してもよい。
各画素電極21とそれに対応する読み出し回路25とは、絶縁層7内に埋設された導電性プラグ24によって電気的に接続されている。
図2において画素領域2の右隣と左隣の周辺領域には、画素電極21と同じ層に接続部3が形成されている。接続部3は、導電性材料で構成されていればよいが、画素電極21に含まれる導電性材料と同じ導電性材料を含む構成にすることで、これを画素電極21と同時に形成することができ、製造工程を簡略化することができる。
接続部3は、周辺領域に形成された対向電極23の下に形成されており、対向電極23と直接接触することで、バイアス電圧供給線4から供給されるバイアス電圧を対向電極23に印加する。
接続部3よりも下層には、低抵抗のバイアス電圧供給線4が形成されている。接続部3とバイアス電圧供給線4は、接続部3下に設けられた導電性プラグ3aによって電気的に接続されている。なお、接続部3は、水平方向Yに細長い形状であるため、バイアス電圧が安定して供給されるように、複数箇所で導電性プラグ3aによってバイアス電圧供給線4と接続してもよい。
バイアス電圧供給線4よりも上層には電圧供給部5が形成されている。電圧供給部5は、半導体基板6に形成された読み出し回路25の電源電圧よりも高いバイアス電圧を供給するものである。
例えば、電圧供給部5は、半導体基板6に形成された読み出し回路25の電源電圧を昇圧してバイアス電圧を生成する昇圧回路で構成されている。又は、電圧供給部5を固体撮像素子1外部から電気的接続が可能な電極パッドとし、この電極パッドに、固体撮像素子1外部の電源から上記電源電圧よりも高いバイアス電圧を供給する構成としてもよい。
この電圧供給部5の出力端子における電位と、接続部3のバイアス電圧供給線4との接続部分における電位との差は、0.1V以下とすることが好ましく、このような値になるように、バイアス電圧供給線4の抵抗値や配線長等を決定することが好ましい。バイアス電圧供給線4は、低抵抗化を図るために、複数層配線で構成してもよい。
図4は、光電変換層に有機材料を用いた有機光電変換素子におけるバイアス電圧と感度との関係を示す図である。図4では、画素電極で正孔を捕集する場合のデータを示した。
図4に示すように、有機光電変換素子の感度は、対向電極に印加するバイアス電圧(対向電圧)が大きいほど高くなるが、20V以上では飽和している。この特性は受光層の材料等によってもばらつくが、バイアス電圧が30V以上であれば、大概の素子の感度は飽和する。
なお、画素電極で電子を捕集する場合には、−30V以下であれば、大概の素子の感度は飽和する。このため、電圧供給部5が供給するバイアス電圧は、正孔を信号として読み出すのであれば0V〜30Vの範囲の値を選択すればよく、電子を信号として読み出すのであれば−30V〜0Vの範囲の値を選択すればよい。
以上のような構成の固体撮像素子1によれば、対向電極23を透明導電性酸化物で構成し、光電変換層として有機材料を含むものを用い、かつ、対向電極23に接続部3を介してバイアス電圧を供給する構成であっても、対向電極23のバイアス電圧の供給点(図1の例では接続部3)からの距離に起因する電圧降下による感度ムラとは別の要因で生じる感度ムラを低く抑えることができる。
なお、接続部3の構成は、以下のようなものであっても、上記別の要因で生じる感度ムラを抑えることができる。
例えば、周辺領域の、画素領域2の4辺のうちの隣り合う2つの辺の隣の、この2つの辺に沿って伸びる領域に接続部3を設けた図5に示した構成とすることで、同様に感度ムラを抑えることができる。
また、周辺領域の、画素領域2の4辺のうちの1つの辺の隣の、この1つの辺に沿って伸びる領域にのみ接続部3を設けた図6に示した構成とすることで、同様に感度ムラを抑えることができる。
また、周辺領域の、画素領域2の4辺のうちの3つの辺の隣の、この3つの辺に沿って伸びる領域に接続部3を設けた構成(不図示)とすることで、同様に感度ムラを抑えることができる。
また、周辺領域の、画素領域2の4辺のうちの全ての辺の隣の、この4つの辺に沿って伸びる領域に接続部3を設けた図7に示した構成とすることで、同様に感度ムラを抑えることができる。
また、周辺領域の、画素領域2の4つの角のうちの対角にある2つの角の各々の近傍領域に接続部3を設けた図8に示した構成とすることで、同様に感度ムラを抑えることができる。
また、周辺領域の、画素領域2の4つの角のうちの隣り合う2つの角の各々の近傍領域に接続部3を設けた図9に示した構成とすることで、同様に感度ムラを抑えることができる。
また、周辺領域の、画素領域2の4つの角のうちの3つの角の各々の近傍領域に接続部3を設けた構成(不図示)とすることで、同様に感度ムラを抑えることができる。
また、周辺領域の、画素領域2の4つの角のうちの全ての角の各々の近傍領域に接続部3を設けた図10に示した構成とすることで、同様に感度ムラを抑えることができる。
一方、周辺領域の、画素領域2の矩形の4つの角のうちの1の角の近傍領域にのみ接続部3を設けた図11に示した構成では、実用上問題となる程度に感度ムラが大きくなる。
このように、周辺領域の、画素領域2の4辺のうちの少なくとも1つの辺の隣の、この少なくとも1つの辺に沿って伸びる領域に接続部3を設ける構成、又は、画素領域2の4つの角のうちの少なくとも2つの角の各々の近傍領域に接続部3を設ける構成にすることで、感度ムラを実用上問題ないレベルまで改善することができる。
なお、上記感度ムラは、画素電極21と接続部3を同時に形成してそれぞれの材料及び厚みを同じにしたことが要因で発生していることも考えられる。したがって、画素電極21と接続部3が同じ材料及び膜厚になっている固体撮像素子において本発明が特に有効である。
また、固体撮像素子1の接続部3は画素電極21と同一層に形成され、この接続部3と接触するために、対向電極23は、受光層22の側壁も覆う構成となっている。このような構成によって、対向電極23の電圧降下以外の感度ムラの要因が発生していることも考えられる。このため、受光層22の側壁に対向電極23が接している構成となっている固体撮像素子において本発明が特に有効である。
また、固体撮像素子1は、対向電極23に印加するバイアス電圧が絶対値で0〜30Vと低い。このため、特許文献2に記載の素子のように5000〜15000Vという大きなバイアス電圧を印加するものと比べると、バイアス電圧の変化が感度ムラにも影響しやすい。したがって、本発明の構成を採用することが有効となる。
以下では、受光層22の好ましい構成について説明する。
<受光層>
図12は、受光層22の構成の一例を示す断面である。図12に示すように受光層22は、画素電極21上に形成された電荷ブロッキング層22bと、電荷ブロッキング層22b上に形成された光電変換層22aとを含む。
<受光層>
図12は、受光層22の構成の一例を示す断面である。図12に示すように受光層22は、画素電極21上に形成された電荷ブロッキング層22bと、電荷ブロッキング層22b上に形成された光電変換層22aとを含む。
電荷ブロッキング層22bは、暗電流を抑制する機能を有する。電荷ブロッキング層は複数層で構成してもよい。このように、電荷ブロッキング層22bを複数層にすることにより、複数の電荷ブロッキング層の間に界面が形成され、各層に存在する中間準位に不連続性が生じることで、中間準位を介して電荷担体が移動しにくくなり、暗電流を強く抑制することができる。
光電変換層22aは、p型有機半導体とn型有機半導体とを含む。p型有機半導体とn型有機半導体を接合させてドナー‐アクセプタ界面を形成することにより励起子解離効率を増加させることができる。このために、p型有機半導体とn型有機半導体を接合させた構成の光電変換層22aは高い光電変換効率を発現する。特に、p型有機半導体とn型有機半導体を混合した光電変換層22aは、接合界面が増大して光電変換効率が向上するので好ましい。
p型有機半導体(化合物)は、ドナー性有機半導体であり、主に正孔輸送性有機化合物に代表され、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。更に詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物は、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、フタロシアニン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物(ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体)、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等を用いることができる。なお、これに限らず、上記したように、n型(アクセプタ性)化合物として用いた有機化合物よりもイオン化ポテンシャルの小さい有機化合物であればドナー性有機半導体として用いてよい。
n型有機半導体(化合物)は、アクセプタ性有機半導体であり、主に電子輸送性有機化合物に代表され、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。更に詳しくは、n型有機半導体とは、2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプタ性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、縮合芳香族炭素環化合物(ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体)、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する5〜7員のヘテロ環化合物(例えばピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、テトラザインデン、オキサジアゾール、イミダゾピリジン、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、ジベンズアゼピン、トリベンズアゼピン等)、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、シリル化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。なお、これに限らず、上記したように、p型(ドナ性)化合物として用いた有機化合物よりも電子親和力の大きな有機化合物であればアクセプタ性有機半導体として用いてよい。
p型有機半導体、又はn型有機半導体としては、いかなる有機色素を用いても良いが、好ましくは、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素(ゼロメチンメロシアニン(シンプルメロシアニン)を含む)、3核メロシアニン色素、4核メロシアニン色素、ロダシアニン色素、コンプレックスシアニン色素、コンプレックスメロシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、スピロ化合物、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、ペリノン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キナクリドン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ジケトピロロピロール色素、ジオキサン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、金属錯体色素、縮合芳香族炭素環系色素(ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体)が挙げられる。
n型有機半導体として、電子輸送性に優れた、フラーレン又はフラーレン誘導体を用いることが特に好ましい。フラーレンとは、フラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC76、フラーレンC78、フラーレンC80、フラーレンC82、フラーレンC84、フラーレンC90、フラーレンC96、フラーレンC240、フラーレン540、ミックスドフラーレン、フラーレンナノチューブを表し、フラーレン誘導体とはこれらに置換基が付加された化合物のことを表す。
光電変換層22aがフラーレン又はフラーレン誘導体を含むことで、フラーレン分子又はフラーレン誘導体分子を経由して、光電変換により発生した電子を画素電極21又は対向電極23まで早く輸送できる。フラーレン分子又はフラーレン誘導体分子が連なった状態になって電子の経路が形成されていると、電子輸送性が向上して光電変換素子の高速応答性が実現可能となる。このためにはフラーレン又はフラーレン誘導体が光電変換層22aに40%以上含まれていることが好ましい。もっとも、フラーレン又はフラーレン誘導体が多すぎるとp型有機半導体が少なくなって接合界面が小さくなり励起子解離効率が低下してしまう。
光電変換層22aにおいて、フラーレン又はフラーレン誘導体と共に混合されるp型有機半導体として、特許第4213832号公報等に記載されたトリアリールアミン化合物を用いると光電変換素子の高SN比が発現可能になり、特に好ましい。光電変換層22a内のフラーレン又はフラーレン誘導体の比率が大きすぎると該トリアリールアミン化合物が少なくなって入射光の吸収量が低下する。これにより光電変換効率が減少するので、光電変換層22aに含まれるフラーレン又はフラーレン誘導体は85%以下の組成であることが好ましい。
電荷ブロッキング層22bには、電子供与性有機材料を用いることができる。具体的には、低分子材料では、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)や4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)等の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポリフィリン化合物、トリアゾール誘導体、オキサジザゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アニールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体などを用いることができ、高分子材料では、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、ジアセチレン等の重合体や、その誘導体を用いることができる。電子供与性化合物でなくとも、充分な正孔輸送性を有する化合物であれば用いることは可能である。
電荷ブロッキング層22bとしては無機材料を用いることもできる。一般的に、無機材料は有機材料よりも誘電率が大きいため、電荷ブロッキング層22bに用いた場合に、光電変換層22aに電圧が多くかかるようになり、光電変換効率を高くすることができる。電荷ブロッキング層22bとなりうる材料としては、酸化カルシウム、酸化クロム、酸化クロム銅、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム銅、酸化ストロンチウム銅、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化インジウム銅、酸化インジウム銀、酸化イリジウム等がある。
複数層からなる電荷ブロッキング層22bにおいて、複数層のうち光電変換層22aと隣接する層が該光電変換層22aに含まれるp型有機半導体と同じ材料からなる層であることが好ましい。電荷ブロッキング層22bにも同じp型有機半導体を用いることで、光電変換層22aと隣接する層の界面に中間準位が形成されるのを抑制し、暗電流を更に抑制することができる。
電荷ブロッキング層22bが単層の場合にはその層を無機材料からなる層とすることができ、複数層の場合には1つ又は2以上の層を無機材料からなる層とすることができる。
(実施例1)
図1に示した固体撮像素子を作製した。画素領域のサイズは1/4インチとし、対向電極は抵抗が10kΩ/□となるように膜厚を設計した。また、受光層22は図4に示した感度を有する構成とし、対向電圧として電圧供給部に15V印加した。画素電極及び接続部はTiNで構成し、対向電極と電圧供給部の電位差が100mV以下となるような構成とした。
図1に示した固体撮像素子を作製した。画素領域のサイズは1/4インチとし、対向電極は抵抗が10kΩ/□となるように膜厚を設計した。また、受光層22は図4に示した感度を有する構成とし、対向電圧として電圧供給部に15V印加した。画素電極及び接続部はTiNで構成し、対向電極と電圧供給部の電位差が100mV以下となるような構成とした。
(実施例2)
接続部3の数及び配置とバイアス電圧供給線4のレイアウトを図5,6,8,9に示した構成に変更した以外は実施例1と同様にして固体撮像素子を作製した。
接続部3の数及び配置とバイアス電圧供給線4のレイアウトを図5,6,8,9に示した構成に変更した以外は実施例1と同様にして固体撮像素子を作製した。
(比較例1)
接続部3の数及び配置とバイアス電圧供給線4のレイアウトを図11に示した構成に変更した以外は実施例1と同様にして固体撮像素子を作製した。
接続部3の数及び配置とバイアス電圧供給線4のレイアウトを図11に示した構成に変更した以外は実施例1と同様にして固体撮像素子を作製した。
作製した全ての固体撮像素子に一様光を照射し、10×10画素の分割エリア毎の出力の平均値を取得した。ただし、明らかな欠陥画素の出力値は平均値算出の対象からは除外した。
全ての画素の出力平均値を算出して基準値とし(欠陥画素は除外)、分割エリア毎の出力平均値の当該基準値に対する比{(出力平均値÷基準値)×100}(%)を算出した。当該比が最も小さい分割エリアの比を100%から引いた値を、その固体撮像素子の感度ムラと定義した。各固体撮像素子の感度ムラの結果を表1に示す。
対向電極の電圧降下が無視できるような画素領域のサイズ及び対向電極の抵抗値にしているにも関わらず、比較例1に示す固体撮像素子では、感度ムラが1.2%と大きい値になった。実施例1〜5の固体撮像素子では感度ムラが実用上問題ないレベルである0.5%以下となっており、本発明の構成によって感度ムラが抑えられることが分かった。
なお、以上説明した固体撮像素子は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、電子内視鏡装置、カメラ付携帯電話機等の撮像装置に搭載して用いることができる。
本明細書には以下の事項が開示されている。
開示された固体撮像素子は、基板上方に二次元状に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上層に形成された抵抗が100kΩ/□以下の透明導電性酸化物で構成される対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極との間に形成された有機材料を含む光電変換層を含む受光層と、前記対向電極に印加するバイアス電圧を供給する電圧供給線と前記対向電極との電気的接続を行う接続部とを備え、平面視において前記複数の画素電極が配列された略矩形の領域を画素領域とし、前記画素領域のサイズは5インチ以下であり、前記接続部は、前記画素領域より外側の周辺領域の、前記画素領域の4辺のうちの少なくとも1辺の近傍で当該1辺に沿った領域、又は、前記画素領域の4つの角のうちの少なくとも2つの角の近傍領域に形成され、前記対向電極は前記接続部上にまで伸びて形成されているものである。
開示された固体撮像素子は、前記接続部が前記画素電極と同じ層に形成されているものである。
開示された固体撮像素子は、前記接続部が、前記画素電極を構成する導電性材料と同じ導電性材料を含んで構成されているものである。
開示された固体撮像素子は、前記導電性材料が、TiN、W、Cr、ITO、Al、Cu、AlCuの少なくとも1つを含むものである。
開示された固体撮像素子は、前記接続部が、前記対向電極とは異なる導電性材料で構成されているものである。
開示された固体撮像素子は、前記透明導電性酸化物がITOであるものである。
開示された固体撮像素子は、前記対向電極の透過率が95%以上であるものである。
開示された固体撮像素子は、前記対向電極が、前記受光層の側壁を覆って前記接続部上まで伸びているものである。
開示された固体撮像素子は、前記接続部と前記電圧供給線が複数箇所で電気的に接続されているものである。
開示された固体撮像素子は、前記接続部は、前記周辺領域のうち、前記画素領域の4辺のうちの2辺の各々の近傍で当該各々の辺に沿った領域に形成されているものである。
開示された固体撮像素子は、前記2辺が、対向する2辺であるものである。
開示された固体撮像素子は、前記2辺が、隣り合う2辺であるものである。
開示された固体撮像素子は、前記接続部は、前記周辺領域のうち、前記画素領域の全ての辺の近傍で当該辺に沿った領域に形成されているものである。
開示された固体撮像素子は、前記接続部は、前記周辺領域のうち、前記画素領域の4つの角のうちの2つの角の各々の近傍領域に形成されているものである。
開示された固体撮像素子は、前記2つの角が、対角の2つの角であるものである。
開示された固体撮像素子は、前記2つの角が、隣り合う2つの角であるものである。
開示された固体撮像素子は、前記接続部は、前記周辺領域のうち、前記画素領域の全ての角の近傍領域に形成されているものである。
開示された固体撮像素子は、前記電圧供給線に前記バイアス電圧を供給する電圧供給部を備えるものである。
開示された固体撮像素子は、前記バイアス電圧の絶対値が、0V〜30Vの範囲の値であるものである。
開示された固体撮像素子は、前記電圧供給部の電位と前記接続部の電位との電位差が0.1V以下であるものである。
開示された固体撮像素子は、前記基板には前記画素電極で捕集された電荷に応じた信号を読み出す読み出し部が形成され、前記バイアス電圧は、前記読み出し部に供給される電源電圧よりも高いものである。
開示された固体撮像素子は、前記電圧供給部が、前記電源電圧を昇圧して前記バイアス電圧を生成する昇圧回路であるものである。
開示された固体撮像素子は、前記電圧供給部が、外部電源と接続されるパッドであるものである。
開示された固体撮像素子は、前記電圧供給線が複数層で構成されているものである。
開示された撮像装置は、前記固体撮像素子を備えるものである
1 固体撮像素子
2 画素領域
3 接続部
4 バイアス電圧供給線
5 電圧供給部
6 半導体基板
21 画素電極
22 受光層
23 対向電極
2 画素領域
3 接続部
4 バイアス電圧供給線
5 電圧供給部
6 半導体基板
21 画素電極
22 受光層
23 対向電極
Claims (25)
- 基板上方に二次元状に配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の上層に形成された抵抗が100kΩ/□以下の透明導電性酸化物で構成される対向電極と、
前記複数の画素電極と前記対向電極との間に形成された有機材料を含む光電変換層を含む受光層と、
前記対向電極に印加するバイアス電圧を供給する電圧供給線と前記対向電極との電気的接続を行う接続部とを備え、
平面視において前記複数の画素電極が配列された矩形の領域を画素領域とし、
前記画素領域のサイズは5インチ以下であり、
前記接続部は、前記画素領域より外側の周辺領域の、前記画素領域の4辺のうちの少なくとも1辺の近傍で当該1辺に沿った領域、又は、前記画素領域の4つの角のうちの少なくとも2つの角の近傍領域に形成され、
前記対向電極は前記接続部上にまで伸びて形成されている固体撮像素子。 - 請求項1記載の固体撮像素子であって、
前記接続部が前記画素電極と同じ層に形成されている固体撮像素子。 - 請求項2記載の固体撮像素子であって、
前記接続部が、前記画素電極を構成する導電性材料と同じ導電性材料を含んで構成されている固体撮像素子。 - 請求項3記載の固体撮像素子であって、
前記導電性材料が、TiN、W、Cr、ITO、Al、Cu、AlCuの少なくとも1つを含む固体撮像素子。 - 請求項1〜3のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記接続部が、前記対向電極とは異なる導電性材料で構成されている固体撮像素子。 - 請求項1〜5のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記透明導電性酸化物がITOである固体撮像素子。 - 請求項1〜6のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記対向電極の透過率が95%以上である固体撮像素子。 - 請求項1〜7のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記対向電極が、前記受光層の側壁を覆って前記接続部上まで伸びている固体撮像素子。 - 請求項1〜8のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記接続部と前記電圧供給線が複数箇所で電気的に接続されている固体撮像素子。 - 請求項1〜9のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記接続部は、前記周辺領域のうち、前記画素領域の4辺のうちの2辺の各々の近傍で当該各々の辺に沿った領域に形成されている固体撮像素子。 - 請求項10記載の固体撮像素子であって、
前記2辺が、対向する2辺である固体撮像素子。 - 請求項10記載の固体撮像素子であって、
前記2辺が、隣り合う2辺である固体撮像素子。 - 請求項1〜9のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記接続部は、前記周辺領域のうち、前記画素領域の全ての辺の近傍で当該辺に沿った領域に形成されている固体撮像素子。 - 請求項1〜9のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記接続部は、前記周辺領域のうち、前記画素領域の4つの角のうちの2つの角の各々の近傍領域に形成されている固体撮像素子。 - 請求項14記載の固体撮像素子であって、
前記2つの角が、対角の2つの角である固体撮像素子。 - 請求項14記載の固体撮像素子であって、
前記2つの角が、隣り合う2つの角である固体撮像素子。 - 請求項1〜9のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記接続部は、前記周辺領域のうち、前記画素領域の全ての角の近傍領域に形成されている固体撮像素子。 - 請求項1〜17のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記電圧供給線に前記バイアス電圧を供給する電圧供給部を備える固体撮像素子。 - 請求項18記載の固体撮像素子であって、
前記バイアス電圧の絶対値が、0V〜30Vの範囲の値である固体撮像素子。 - 請求項18又は19記載の固体撮像素子であって、
前記電圧供給部の電位と前記接続部の電位との電位差が0.1V以下である固体撮像素子。 - 請求項18〜20のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記基板には前記画素電極で捕集された電荷に応じた信号を読み出す読み出し部が形成され、
前記バイアス電圧は、前記読み出し部に供給される電源電圧よりも高い固体撮像素子。 - 請求項21記載の固体撮像素子であって、
前記電圧供給部が、前記電源電圧を昇圧して前記バイアス電圧を生成する昇圧回路である固体撮像素子。 - 請求項18〜21のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記電圧供給部が、外部電源と接続されるパッドである固体撮像素子。 - 請求項1〜23のいずれか1項記載の固体撮像素子であって、
前記電圧供給線が複数層で構成されている固体撮像素子。 - 請求項1〜24のいずれか1項記載の固体撮像素子を備える撮像装置。
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