JPH10284710A - 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH10284710A JPH10284710A JP9090579A JP9057997A JPH10284710A JP H10284710 A JPH10284710 A JP H10284710A JP 9090579 A JP9090579 A JP 9090579A JP 9057997 A JP9057997 A JP 9057997A JP H10284710 A JPH10284710 A JP H10284710A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent film
- film
- solid
- transparent
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 59
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 200
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】固体撮像素子の感度を向上させるためのオンチ
ップの機械的強度を改善し、ケースの構造を簡単にする
ことであった。 【解決手段】酸化シリコン膜などからなる透明膜１２に
等方性エッチにより凹部１５−１を形成し、この中に窒
化シリコン膜でなる高屈折率の透明膜１６を埋設し、上
面を平坦化することによりレンズとしている。このため
機械的強度が高く、耐熱性が高い。またレンズ上面に空
間を必要としないため、ケースが簡素化でき、コスト低
減できる。
ップの機械的強度を改善し、ケースの構造を簡単にする
ことであった。 【解決手段】酸化シリコン膜などからなる透明膜１２に
等方性エッチにより凹部１５−１を形成し、この中に窒
化シリコン膜でなる高屈折率の透明膜１６を埋設し、上
面を平坦化することによりレンズとしている。このため
機械的強度が高く、耐熱性が高い。またレンズ上面に空
間を必要としないため、ケースが簡素化でき、コスト低
減できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体撮像素子、その
製造方法及び固体撮像装置に関し、特に高感度の固体撮
像素子、その製造方法及び固体撮像装置に関する。
製造方法及び固体撮像装置に関し、特に高感度の固体撮
像素子、その製造方法及び固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下、現在もっと広く用いられているＣ
ＣＤ型固体撮像素子を例にあげて説明するが、ＭＯＳ型
など他の撮像素子についても同様の当てはめることがで
きる。
ＣＤ型固体撮像素子を例にあげて説明するが、ＭＯＳ型
など他の撮像素子についても同様の当てはめることがで
きる。
【０００３】従来、高感度の固体撮像素子としては図１
０に示した第１の従来例があった。
０に示した第１の従来例があった。
【０００４】この第１の従来例の固体撮像素子は、Ｎ型
シリコン基板０１（表面部にＰウェル２を有している）
表面近傍にＮ型拡散層０５を有するフォトダイオード、
その横に読出ゲート領域０２ＴＧを介してＮ型の電荷転
送領域０４を有し、またシリコン基板上にはゲート絶縁
膜０７を有し、その上に電荷転送電極０８を有し、その
上に酸化シリコン膜０９をはさんで遮光膜１０を有し、
この遮光膜１０のＮ型拡散層０５の上に当たる部分に開
口２０を有している。更に、絶縁膜１１及び平坦化膜２
１を有し、この平坦化膜２１の開口２０の直上に当たる
位置にオンチップレンズ２２を有していた。平坦化膜２
１は通常フォトレジストなどの塗布膜を焼き固めて形成
され、またオンチップレンズ２２は、リソグラフィー技
術によりフォトレジスト膜などのパターンを形成したの
ち１５０〜２００℃熱硬化させ半球状にしていた。
シリコン基板０１（表面部にＰウェル２を有している）
表面近傍にＮ型拡散層０５を有するフォトダイオード、
その横に読出ゲート領域０２ＴＧを介してＮ型の電荷転
送領域０４を有し、またシリコン基板上にはゲート絶縁
膜０７を有し、その上に電荷転送電極０８を有し、その
上に酸化シリコン膜０９をはさんで遮光膜１０を有し、
この遮光膜１０のＮ型拡散層０５の上に当たる部分に開
口２０を有している。更に、絶縁膜１１及び平坦化膜２
１を有し、この平坦化膜２１の開口２０の直上に当たる
位置にオンチップレンズ２２を有していた。平坦化膜２
１は通常フォトレジストなどの塗布膜を焼き固めて形成
され、またオンチップレンズ２２は、リソグラフィー技
術によりフォトレジスト膜などのパターンを形成したの
ち１５０〜２００℃熱硬化させ半球状にしていた。
【０００５】また、第２の従来例として、図１１に示し
たものがあり、日本国特許特許公開平成２年第６５１７
１号公報に示されている。
たものがあり、日本国特許特許公開平成２年第６５１７
１号公報に示されている。
【０００６】これは遮光膜１０と転送電極０８によって
囲まれた、Ｎ型拡散層０５の上のくぼみをシリカガラス
２３と屈折率の高い窒化シリコン膜などで埋設し、上面
を平坦化し凸レンズ２４を形成していた。
囲まれた、Ｎ型拡散層０５の上のくぼみをシリカガラス
２３と屈折率の高い窒化シリコン膜などで埋設し、上面
を平坦化し凸レンズ２４を形成していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の固体撮
像素子のうち、現在広く用いられている第１の従来例で
はオンチップレンズ２２はフォトレジスト膜を熱処理す
ることにより形成しているのが強度で低く、また凸状で
あるので傷がつきやすくまたゴミがのこりやすく一旦ゴ
ミが付着すると除去が困難である。このため従来の固体
撮像素子を扱う半導体装置製造ラインは拡散終了後も組
立工程終了後までは換気の高清浄度を保つ必要があり、
ライン設備に多大な費用がかかる。
像素子のうち、現在広く用いられている第１の従来例で
はオンチップレンズ２２はフォトレジスト膜を熱処理す
ることにより形成しているのが強度で低く、また凸状で
あるので傷がつきやすくまたゴミがのこりやすく一旦ゴ
ミが付着すると除去が困難である。このため従来の固体
撮像素子を扱う半導体装置製造ラインは拡散終了後も組
立工程終了後までは換気の高清浄度を保つ必要があり、
ライン設備に多大な費用がかかる。
【０００８】またケースに組み立てる際、レンズ２２の
上は空間を設けるか、またはレンズ２２にくらべ十分に
屈折率の低い物質を充填する必要がある。さもないとレ
ンズ作用をしなくなる。
上は空間を設けるか、またはレンズ２２にくらべ十分に
屈折率の低い物質を充填する必要がある。さもないとレ
ンズ作用をしなくなる。
【０００９】このためケースの構造が複雑になり高価に
なった。最近はパソコンカメラや電子スチルカメラ、ド
アーホンカメラなど安価な製品が多く、そのため固体撮
像素子のコストも低減する必要がある。ところが、従来
の固体撮像素子では上述したようにチップを載せるケー
スにかなりのコストがかかり、コスト低減の妨げとなっ
ていた。
なった。最近はパソコンカメラや電子スチルカメラ、ド
アーホンカメラなど安価な製品が多く、そのため固体撮
像素子のコストも低減する必要がある。ところが、従来
の固体撮像素子では上述したようにチップを載せるケー
スにかなりのコストがかかり、コスト低減の妨げとなっ
ていた。
【００１０】また、第２の従来例では、第１の従来例の
傷がつきやすく、ゴミが付着し易い欠点は改善されるも
のの凸レンズ２４は電荷転送電極０８で囲まれた絶縁膜
１１のくぼみに形成されるので、電荷転送電極０８の直
上などは凸レンズ２４が形成されず、この部分への入射
光は無駄になるので、感度が低下するという問題があ
る。
傷がつきやすく、ゴミが付着し易い欠点は改善されるも
のの凸レンズ２４は電荷転送電極０８で囲まれた絶縁膜
１１のくぼみに形成されるので、電荷転送電極０８の直
上などは凸レンズ２４が形成されず、この部分への入射
光は無駄になるので、感度が低下するという問題があ
る。
【００１１】本発明の目的は、感度を犠牲にすることな
く、第１の従来例のもつ上述の問題点の改善された固体
撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置を提供するこ
とにある。
く、第１の従来例のもつ上述の問題点の改善された固体
撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置を提供するこ
とにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、基板上に多数配置された光電変換部上に表面が平坦
な第１の透明膜を有し、前記各光電変換部の上にあたる
位置の前記第１の透明膜に中心部にいくに従い単調に深
くなる第１の凹部をそれぞれ有し、前記各第１の凹部に
前記第１の透明膜よりも屈折率が高い第２の透明膜がそ
れぞれ埋設されているというものである。
は、基板上に多数配置された光電変換部上に表面が平坦
な第１の透明膜を有し、前記各光電変換部の上にあたる
位置の前記第１の透明膜に中心部にいくに従い単調に深
くなる第１の凹部をそれぞれ有し、前記各第１の凹部に
前記第１の透明膜よりも屈折率が高い第２の透明膜がそ
れぞれ埋設されているというものである。
【００１３】この場合、第２の透明膜は単層膜であって
もよいし、第１の透明膜よりも屈折率が高い第３の透明
膜を含む多層膜であってもよい。又、第２の透明膜の表
面は平坦であってもよいし、第２の凹部を有していても
よい。
もよいし、第１の透明膜よりも屈折率が高い第３の透明
膜を含む多層膜であってもよい。又、第２の透明膜の表
面は平坦であってもよいし、第２の凹部を有していても
よい。
【００１４】本発明の固体撮像素子の製造方法は、基板
上に多数配置された光電変換部上に第１の透明膜を形成
する工程と、前記第１の透明膜を耐エッチング性膜で被
覆し前記各光電変換部の上に当たる位置近傍にそれぞれ
開口を形成する工程と、前記第１の透明膜を前記耐エッ
チング性膜の前記各開口部より等方性エッチングを行い
前記各開口部を中心とする第１の凹部をそれぞれ形成す
る工程と、前記各第１の凹部に前記第１の透明膜よりも
屈折率が高い第２の透明膜をそれぞれ埋設する工程とを
有するというものである。
上に多数配置された光電変換部上に第１の透明膜を形成
する工程と、前記第１の透明膜を耐エッチング性膜で被
覆し前記各光電変換部の上に当たる位置近傍にそれぞれ
開口を形成する工程と、前記第１の透明膜を前記耐エッ
チング性膜の前記各開口部より等方性エッチングを行い
前記各開口部を中心とする第１の凹部をそれぞれ形成す
る工程と、前記各第１の凹部に前記第１の透明膜よりも
屈折率が高い第２の透明膜をそれぞれ埋設する工程とを
有するというものである。
【００１５】この場合第１の凹部を形成した後第１の液
状物質を全面に塗布する工程と、前記第１の液状物質を
固化させそれと同時に体積を縮減させ前記各第１の凹部
底部にその中心に近づくにしたがい厚さが厚くなりかつ
上部が凹んでいる第２の透明膜をそれぞれ形成する工程
とを有し、前記第２の透明膜が前記第１の透明膜よりも
屈折率が高いものとすることができる。
状物質を全面に塗布する工程と、前記第１の液状物質を
固化させそれと同時に体積を縮減させ前記各第１の凹部
底部にその中心に近づくにしたがい厚さが厚くなりかつ
上部が凹んでいる第２の透明膜をそれぞれ形成する工程
とを有し、前記第２の透明膜が前記第１の透明膜よりも
屈折率が高いものとすることができる。
【００１６】更に第１の凹部を形成した後第１の液状物
質を全面に塗布する工程と、前記第１の液状物質を固化
させそれと同時に体積を縮減させ前記各第１の凹部底部
にその中心に近づくにしたがい厚さが厚くなりかつ上部
が凹んでいる第３の透明膜をそれぞれ形成し、前記各第
３の透明膜上部に第４の透明膜を埋設することにより第
２の透明膜を形成する工程とを有し、前記第３または前
記第４の透明膜の少なくとも一方が前記第１の透明膜よ
りも屈折率が高いものとすることができる。
質を全面に塗布する工程と、前記第１の液状物質を固化
させそれと同時に体積を縮減させ前記各第１の凹部底部
にその中心に近づくにしたがい厚さが厚くなりかつ上部
が凹んでいる第３の透明膜をそれぞれ形成し、前記各第
３の透明膜上部に第４の透明膜を埋設することにより第
２の透明膜を形成する工程とを有し、前記第３または前
記第４の透明膜の少なくとも一方が前記第１の透明膜よ
りも屈折率が高いものとすることができる。
【００１７】更に又、第１の液状質としてシリカ塗布液
を使用することができる。
を使用することができる。
【００１８】あるいは、第１の透明膜の等方性エッチン
グに対するエッチングレートがその表面から厚さ方向に
遅くなる性質を有しているものとすることができる。
グに対するエッチングレートがその表面から厚さ方向に
遅くなる性質を有しているものとすることができる。
【００１９】この場合、不純物濃度が表面から厚さ方向
に減少して分布している酸化シリコン膜を第１の透明膜
として形成することができる。酸化シリコン膜を堆積し
不純物をイオン注入してもよいし、不純物ソースガスの
供給量を制御しつつＣＶＤ法で酸化シリコン膜を堆積し
てもよい。
に減少して分布している酸化シリコン膜を第１の透明膜
として形成することができる。酸化シリコン膜を堆積し
不純物をイオン注入してもよいし、不純物ソースガスの
供給量を制御しつつＣＶＤ法で酸化シリコン膜を堆積し
てもよい。
【００２０】本発明の固体撮像装置は、基板上に多数配
置された光電変換部上に第１の透明膜を有し、前記各光
電変換部の上にあたる位置の前記第１の透明膜の中心部
にいくに従い単調に深くなる凹部をそれぞれ有し、前記
各凹部に前記第１の透明膜よりも屈折率が高い第２の透
明膜がそれぞれ埋設されている固体撮像素子チップと、
前記固体撮像素子チップの上面に密着して透明封止材が
設けられているというものである。
置された光電変換部上に第１の透明膜を有し、前記各光
電変換部の上にあたる位置の前記第１の透明膜の中心部
にいくに従い単調に深くなる凹部をそれぞれ有し、前記
各凹部に前記第１の透明膜よりも屈折率が高い第２の透
明膜がそれぞれ埋設されている固体撮像素子チップと、
前記固体撮像素子チップの上面に密着して透明封止材が
設けられているというものである。
【００２１】この場合、透明封止材の上面に撮影レンズ
が設けられていてもよい。撮影レンズは透明封止材と一
体の固定焦点レンズであってもよい。
が設けられていてもよい。撮影レンズは透明封止材と一
体の固定焦点レンズであってもよい。
【００２２】本発明の固体撮像素子は、第１の透明膜の
第１の凹部に埋設して第２の透明膜を設け、これらの屈
折率の差を利用してレンズ作用をもたせているので、第
２の透明膜の表面を凸状にしなくてよい。更に、第１，
第２の透明膜を無機絶縁膜とすることにより、硬質にで
きる。又、第２の透明膜の表面を平坦にすると、ケース
に組み立てるとき、チップ上に空間を設けなくてもレン
ズ作用は変らない。更に、第２の透明膜に第２の凹部を
設けても、屈折率差を大きくしてレンズ作用を強くして
おけば、チップ上に空間を設けなくても総合的に十分な
レンズ作用を保つことができる。
第１の凹部に埋設して第２の透明膜を設け、これらの屈
折率の差を利用してレンズ作用をもたせているので、第
２の透明膜の表面を凸状にしなくてよい。更に、第１，
第２の透明膜を無機絶縁膜とすることにより、硬質にで
きる。又、第２の透明膜の表面を平坦にすると、ケース
に組み立てるとき、チップ上に空間を設けなくてもレン
ズ作用は変らない。更に、第２の透明膜に第２の凹部を
設けても、屈折率差を大きくしてレンズ作用を強くして
おけば、チップ上に空間を設けなくても総合的に十分な
レンズ作用を保つことができる。
【００２３】このような本発明の固体撮像素子を透明封
止材によりケースに組み立てることができる。その場
合、透明封止材と一体化して固定焦点レンズを設けるこ
とができる。
止材によりケースに組み立てることができる。その場
合、透明封止材と一体化して固定焦点レンズを設けるこ
とができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は本発明の固体撮像素
子の第１の実施の形態を示す平面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
子の第１の実施の形態を示す平面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。
【００２５】この実施の形態は、Ｎ型シリコン基板０１
の表面部にＰウェル０２を有している。Ｐウェル０２の
表面部にはＰ型の素子分離領域０３で区画されたＮ型拡
散層０５（表面にＰ+ 型拡散層０６を有している。）が
複数個配置されてフォトダイオード列を構成している。
このフォトダイオード列と平行にＮ型の電荷転送領域０
４（埋込みチャネル）が設けられている。フォトダイオ
ード列と埋込みチャネルとを含んで画素列が構成され、
複数の画素列が並列配置されて撮像領域が構成される。
各Ｎ型拡散層０５と電荷転送領域０４との間にそれぞれ
読出ゲート領域０２ＴＧが設けられている。読出ゲート
領域とこれに隣接する電荷転送領域０４はゲート絶縁膜
０７を介して第１の電荷転送電極０８で被覆されてい
る。第１の電荷転送電極０８は画素列の各画素毎にそれ
ぞれ１個もうけられ、更に電荷転送領域０４の走向方向
（垂直方向）と直交する方向（水平方向）に配置されて
いる各画素列の第１の電荷転送電極０８は相互に連結さ
れている。水平方向に連結された第１の電荷転送電極の
間には第２の電荷転送電極（図示しない）が設けられて
いる。
の表面部にＰウェル０２を有している。Ｐウェル０２の
表面部にはＰ型の素子分離領域０３で区画されたＮ型拡
散層０５（表面にＰ+ 型拡散層０６を有している。）が
複数個配置されてフォトダイオード列を構成している。
このフォトダイオード列と平行にＮ型の電荷転送領域０
４（埋込みチャネル）が設けられている。フォトダイオ
ード列と埋込みチャネルとを含んで画素列が構成され、
複数の画素列が並列配置されて撮像領域が構成される。
各Ｎ型拡散層０５と電荷転送領域０４との間にそれぞれ
読出ゲート領域０２ＴＧが設けられている。読出ゲート
領域とこれに隣接する電荷転送領域０４はゲート絶縁膜
０７を介して第１の電荷転送電極０８で被覆されてい
る。第１の電荷転送電極０８は画素列の各画素毎にそれ
ぞれ１個もうけられ、更に電荷転送領域０４の走向方向
（垂直方向）と直交する方向（水平方向）に配置されて
いる各画素列の第１の電荷転送電極０８は相互に連結さ
れている。水平方向に連結された第１の電荷転送電極の
間には第２の電荷転送電極（図示しない）が設けられて
いる。
【００２６】第１，第２の電荷転送電極は酸化シリコン
膜０９を介して遮光膜１０で被覆されている。遮光膜１
０にはＮ型拡散層０４上に開口２０が設けられている
（ここまでの構造はＣＣＤ固体撮像素子として普通のも
のであり本発明に特有のものではない）。更に、絶縁膜
１１及び表面が平坦な第１の透明膜１２を有し、第１の
透明膜１２のＮ型拡散層０５（光電変換部）の直上にあ
たる部分に、半球面状の凹部１５−１を有し、この凹部
１５−１に第２の透明膜１６が埋設されており、第２の
透明膜１６の光の屈折率は第１の透明膜１２の屈折率に
比べ高くなっており、凸レンズを形成している。
膜０９を介して遮光膜１０で被覆されている。遮光膜１
０にはＮ型拡散層０４上に開口２０が設けられている
（ここまでの構造はＣＣＤ固体撮像素子として普通のも
のであり本発明に特有のものではない）。更に、絶縁膜
１１及び表面が平坦な第１の透明膜１２を有し、第１の
透明膜１２のＮ型拡散層０５（光電変換部）の直上にあ
たる部分に、半球面状の凹部１５−１を有し、この凹部
１５−１に第２の透明膜１６が埋設されており、第２の
透明膜１６の光の屈折率は第１の透明膜１２の屈折率に
比べ高くなっており、凸レンズを形成している。
【００２７】次に、第１の実施の形態の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
【００２８】まず、図２（ａ）に示すように、Ｎ型シリ
コン基板０１表面にＰ型不純物を導入し、Ｐウェル０２
を形成する。次にＰ型の素子分離領域０３、Ｎ型の電荷
転送領域０４、Ｎ型の拡散層０５（光電変換部）、Ｐ+
型領域０６（Ｎ型拡散層０５の表面に形成されている）
をそれぞれ不純物を導入して形成する。
コン基板０１表面にＰ型不純物を導入し、Ｐウェル０２
を形成する。次にＰ型の素子分離領域０３、Ｎ型の電荷
転送領域０４、Ｎ型の拡散層０５（光電変換部）、Ｐ+
型領域０６（Ｎ型拡散層０５の表面に形成されている）
をそれぞれ不純物を導入して形成する。
【００２９】次に、図２（ｂ）に示すように、酸化シリ
コン膜、窒化シリコン膜の多層膜または単層膜より成る
ゲート絶縁膜０７を形成する。次に、リンなどを含むポ
リシリコン膜を堆積後パターニングし、第１の電荷転送
電極０８を形成する。次に熱酸化により第１の電荷転送
電極０８の表面及び側面を酸化し酸化シリコン膜を形成
する。次に、ポリシリコン膜を堆積後パターニングして
図示しない第２の電荷転送電極を形成し、その表面及び
側面を酸化シリコン膜などで被覆したのちアルミニウム
膜やタングステン膜またはこれらを積層した多層膜を例
えば膜厚２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚に堆積しパター
ニングを行い、遮光膜１０と開口２０を形成する。次に
絶縁膜１１を堆積する。ここまでは、ごく普通のＣＣＤ
固体撮像素子や第１の従来例の場合と同じである。
コン膜、窒化シリコン膜の多層膜または単層膜より成る
ゲート絶縁膜０７を形成する。次に、リンなどを含むポ
リシリコン膜を堆積後パターニングし、第１の電荷転送
電極０８を形成する。次に熱酸化により第１の電荷転送
電極０８の表面及び側面を酸化し酸化シリコン膜を形成
する。次に、ポリシリコン膜を堆積後パターニングして
図示しない第２の電荷転送電極を形成し、その表面及び
側面を酸化シリコン膜などで被覆したのちアルミニウム
膜やタングステン膜またはこれらを積層した多層膜を例
えば膜厚２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚に堆積しパター
ニングを行い、遮光膜１０と開口２０を形成する。次に
絶縁膜１１を堆積する。ここまでは、ごく普通のＣＣＤ
固体撮像素子や第１の従来例の場合と同じである。
【００３０】つぎに、図２（ｃ）に示すように、第１の
透明膜１２、例えば酸化シリコン膜を厚さ２〜５μｍ程
度に堆積する。この厚さはレンズ（１６）の焦点距離な
どに対応して適宜決めればよい。又、第１の透明膜１２
にリンやボロンなどを含む酸化シリコン膜を用いれば、
応力によるクラックが起きにくい。また、応力緩和のた
めに応力の異なる多層の膜を形成してもよい。また第１
の透明膜上部の平坦性を高める必要がある場合には、Ｃ
ＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシュ）法により平
坦化を行ってもよい。
透明膜１２、例えば酸化シリコン膜を厚さ２〜５μｍ程
度に堆積する。この厚さはレンズ（１６）の焦点距離な
どに対応して適宜決めればよい。又、第１の透明膜１２
にリンやボロンなどを含む酸化シリコン膜を用いれば、
応力によるクラックが起きにくい。また、応力緩和のた
めに応力の異なる多層の膜を形成してもよい。また第１
の透明膜上部の平坦性を高める必要がある場合には、Ｃ
ＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシュ）法により平
坦化を行ってもよい。
【００３１】つぎに、フォトレジスト膜１３により各Ｎ
型拡散層０５の直上にそれぞれ小さな開口１４を設け
る。つづいて、希フッ酸溶液などにより透明膜１２を等
方性エッチングを行う。これにより透明膜１２に半球状
のくぼみ（凹部１５−１）が形成される。この等方性エ
ッチングは、フォトレジスト膜が剥れて漂うようになる
直前まで行なうことができるが、個々の製品において感
度などの特性が最も良くなるように、エッチング時間を
調整すればよい。透明膜１２の上に窒化シリコン膜など
の耐エッチング性膜（図示しない）を形成したのち、フ
ォトレジスト膜１３をマスクにこの耐エッチング性膜を
エッチングすることにより開口を形成し、それをマスク
に透明膜１２を等方性エッチングしてもよい。
型拡散層０５の直上にそれぞれ小さな開口１４を設け
る。つづいて、希フッ酸溶液などにより透明膜１２を等
方性エッチングを行う。これにより透明膜１２に半球状
のくぼみ（凹部１５−１）が形成される。この等方性エ
ッチングは、フォトレジスト膜が剥れて漂うようになる
直前まで行なうことができるが、個々の製品において感
度などの特性が最も良くなるように、エッチング時間を
調整すればよい。透明膜１２の上に窒化シリコン膜など
の耐エッチング性膜（図示しない）を形成したのち、フ
ォトレジスト膜１３をマスクにこの耐エッチング性膜を
エッチングすることにより開口を形成し、それをマスク
に透明膜１２を等方性エッチングしてもよい。
【００３２】つぎに、図１に示すように、くぼみ（第１
の凹部１５）に透明膜１６を埋設し、透明膜１２とでほ
ぼ表面が平坦になるようにする。透明膜１６は窒化シリ
コン膜（屈折率約２．０）など透明膜１２（酸化シリコ
ン膜の屈折率は約１．６）よりも屈折率の高いものを使
用する。つぎに透明膜１２，１６の上部をＣＭＰ法など
により平坦化するのが好ましい。つぎに窒化シリコン膜
などの硬度の高いカバー膜１９を形成することもでき
る。
の凹部１５）に透明膜１６を埋設し、透明膜１２とでほ
ぼ表面が平坦になるようにする。透明膜１６は窒化シリ
コン膜（屈折率約２．０）など透明膜１２（酸化シリコ
ン膜の屈折率は約１．６）よりも屈折率の高いものを使
用する。つぎに透明膜１２，１６の上部をＣＭＰ法など
により平坦化するのが好ましい。つぎに窒化シリコン膜
などの硬度の高いカバー膜１９を形成することもでき
る。
【００３３】フォトレジスト膜１３のパターンはＮ型拡
散層０５や遮光膜１０の開口形状により適宜変更しても
よい。例えば撮像素子の画素が長方形の場合、フォトレ
ジスト１３の開口１４パターンも細長くすれば、形成さ
れるレンズ１７の平面形状も長円形状となり、撮像領域
に入った光を無駄なく効率的にＮ型拡散層０５に導くこ
とができる。
散層０５や遮光膜１０の開口形状により適宜変更しても
よい。例えば撮像素子の画素が長方形の場合、フォトレ
ジスト１３の開口１４パターンも細長くすれば、形成さ
れるレンズ１７の平面形状も長円形状となり、撮像領域
に入った光を無駄なく効率的にＮ型拡散層０５に導くこ
とができる。
【００３４】またレンズの焦点距離は、透明膜１２，１
６の屈折率の比と、第１の凹部１５−１の曲率半径によ
りきまるので、第１の透明膜１２の厚さと、これらのパ
ラメータを最適な値に設定すればよい。
６の屈折率の比と、第１の凹部１５−１の曲率半径によ
りきまるので、第１の透明膜１２の厚さと、これらのパ
ラメータを最適な値に設定すればよい。
【００３５】光電変換部（Ｎ型拡散層０５）毎に設けら
れたレンズが表面から突き出た形になっていないので傷
損をうけにくい。又、フォトレジスト膜などに比較して
硬い酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を使用しているの
でゴミが付着しても除去し易い（硬度の高い窒化シリコ
ン膜をカバー膜として全面を覆うと一層よい。）。更に
ケースに組み立てる場合、カバー膜１９上に空間を設け
る必要はなく、例えば樹脂封止を行なうことができ低コ
スト比に適している。
れたレンズが表面から突き出た形になっていないので傷
損をうけにくい。又、フォトレジスト膜などに比較して
硬い酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を使用しているの
でゴミが付着しても除去し易い（硬度の高い窒化シリコ
ン膜をカバー膜として全面を覆うと一層よい。）。更に
ケースに組み立てる場合、カバー膜１９上に空間を設け
る必要はなく、例えば樹脂封止を行なうことができ低コ
スト比に適している。
【００３６】図３は本発明の固体撮像素子の第２の実施
の形態を示す断面図である。
の形態を示す断面図である。
【００３７】本実施の形態では、凹部１５−１Ａに、表
面に凹部１５−２を有する透明膜１８を埋設し、凹部１
５−２に透明膜１６Ａを埋設している。透明膜１６Ａの
表面は平坦とする。透明膜１６Ａは凹部１５−１Ａ，１
５−２の中心に近づくほど厚みを増している。この実施
の形態の製造方法について説明する。第１の実施の形態
と同様にして透明膜１２Ａ、凹み１５−１Ａの形成まで
を行なう。
面に凹部１５−２を有する透明膜１８を埋設し、凹部１
５−２に透明膜１６Ａを埋設している。透明膜１６Ａの
表面は平坦とする。透明膜１６Ａは凹部１５−１Ａ，１
５−２の中心に近づくほど厚みを増している。この実施
の形態の製造方法について説明する。第１の実施の形態
と同様にして透明膜１２Ａ、凹み１５−１Ａの形成まで
を行なう。
【００３８】次に、例えばシリカガラスを形成するため
の塗布液を用いて塗布膜を全面に形成しベークし、透明
膜１８（ＳＯＧ膜）を形成する。これにより、半球状で
あった凹部１５−１は透明膜１８により下部が埋設され
浅くなり、楕円体状の凹部１５−２になる。つぎに窒化
シリコン膜などの透明膜１６Ａを凹部１５−２に埋設
し、好ましくは表面を平坦化する。次に必要があればカ
バー膜１９を形成する。
の塗布液を用いて塗布膜を全面に形成しベークし、透明
膜１８（ＳＯＧ膜）を形成する。これにより、半球状で
あった凹部１５−１は透明膜１８により下部が埋設され
浅くなり、楕円体状の凹部１５−２になる。つぎに窒化
シリコン膜などの透明膜１６Ａを凹部１５−２に埋設
し、好ましくは表面を平坦化する。次に必要があればカ
バー膜１９を形成する。
【００３９】この実施の形態の場合、透明膜１２Ａの酸
化シリコン膜と透明膜１８のＳＯＧ膜とは、屈折率がほ
ぼ等しく、また透明膜１６Ａの窒化シリコン膜の屈折率
が高い。そのため、透明膜１６Ａのみがレンズとしては
たらく。
化シリコン膜と透明膜１８のＳＯＧ膜とは、屈折率がほ
ぼ等しく、また透明膜１６Ａの窒化シリコン膜の屈折率
が高い。そのため、透明膜１６Ａのみがレンズとしては
たらく。
【００４０】シリカ塗布直後は塗布膜上面は平坦である
が、ベークなどにより収縮すると、凹部１５−２が形成
される。すなわち、凹部１５−１Ａの断面がほぼ半円形
状であるのに対し、凹部１５−２の断面形状は、例えば
シリカ塗布膜の収縮率が１／２であれば、長径・短径の
比が２の楕円形となる。このためレンズの曲率半径は、
凹部１５−１Ａに直接透明膜１６を埋設した第１の実施
の形態に比べ約２倍となり、焦点距離も約２倍となる。
シリカ塗布膜をベークしてＳＯＧ膜化するときの収縮率
はシリカガラス膜を形成するための塗布液の含水量など
の調整することにより簡単に変更できるので、レンズの
焦点距離は容易に調整することが可能である。また必要
ならばこのシリカ塗布・ベークの作業を複数回行っても
焦点の調整をおこなってもよい。
が、ベークなどにより収縮すると、凹部１５−２が形成
される。すなわち、凹部１５−１Ａの断面がほぼ半円形
状であるのに対し、凹部１５−２の断面形状は、例えば
シリカ塗布膜の収縮率が１／２であれば、長径・短径の
比が２の楕円形となる。このためレンズの曲率半径は、
凹部１５−１Ａに直接透明膜１６を埋設した第１の実施
の形態に比べ約２倍となり、焦点距離も約２倍となる。
シリカ塗布膜をベークしてＳＯＧ膜化するときの収縮率
はシリカガラス膜を形成するための塗布液の含水量など
の調整することにより簡単に変更できるので、レンズの
焦点距離は容易に調整することが可能である。また必要
ならばこのシリカ塗布・ベークの作業を複数回行っても
焦点の調整をおこなってもよい。
【００４１】これによって、第１の実施の形態の場合の
透明膜１２Ａ，１６Ａの屈折率の比と、凹部１５−１Ａ
の曲率半径、透明膜１２Ａの厚さに加え、透明膜１８と
透明膜１６Ａの屈折率と、両者の厚さ（凹部１５−
２）、及び透明膜１２Ａの厚さによっても焦点を調整す
ることができる。これにより、よりきめ細かい焦点調整
が可能になり（設計の自由度が増し）、制御性が向上し
た。
透明膜１２Ａ，１６Ａの屈折率の比と、凹部１５−１Ａ
の曲率半径、透明膜１２Ａの厚さに加え、透明膜１８と
透明膜１６Ａの屈折率と、両者の厚さ（凹部１５−
２）、及び透明膜１２Ａの厚さによっても焦点を調整す
ることができる。これにより、よりきめ細かい焦点調整
が可能になり（設計の自由度が増し）、制御性が向上し
た。
【００４２】次に本発明の第３の実施の形態について図
４を参照しながら説明する。本発明の第３の実施の形態
の固体撮像素子は、透明膜１２Ｂの凹部１５−１Ｂの中
に、屈折率が透明膜１２Ｂより高い透明膜１６Ｂを有
し、透明膜１６Ｂは上部が凹状で、また透明膜１６Ｂの
厚さは凹部１５−１Ｂの中心に近づくほど厚くなってい
る。
４を参照しながら説明する。本発明の第３の実施の形態
の固体撮像素子は、透明膜１２Ｂの凹部１５−１Ｂの中
に、屈折率が透明膜１２Ｂより高い透明膜１６Ｂを有
し、透明膜１６Ｂは上部が凹状で、また透明膜１６Ｂの
厚さは凹部１５−１Ｂの中心に近づくほど厚くなってい
る。
【００４３】この実施の形態の製造方法について次に説
明する。第１の実施の形態と同様にして透明膜１２Ｂ，
凹部１５−１Ｂの形成までを行なう。つぎに、屈折率
が、透明膜１２Ｂ（酸化シリコン膜）に比べ高いガラス
膜を形成するための塗布液、たとえばＴｉＯ２（屈折率
は２．３〜２．５）やＳｒＴｉＯ３とシリカガラスとの
混合物などを含む塗布液を塗布し、ベークし、透明膜１
６Ｂを形成する。次に、必要があればカバー膜１９を形
成する。
明する。第１の実施の形態と同様にして透明膜１２Ｂ，
凹部１５−１Ｂの形成までを行なう。つぎに、屈折率
が、透明膜１２Ｂ（酸化シリコン膜）に比べ高いガラス
膜を形成するための塗布液、たとえばＴｉＯ２（屈折率
は２．３〜２．５）やＳｒＴｉＯ３とシリカガラスとの
混合物などを含む塗布液を塗布し、ベークし、透明膜１
６Ｂを形成する。次に、必要があればカバー膜１９を形
成する。
【００４４】本実施の形態の場合も、第２の実施の形態
と同様に塗布膜をベークしてガラス化するときの収縮率
を変えることにより、容易にレンズの焦点調整ができ
る。
と同様に塗布膜をベークしてガラス化するときの収縮率
を変えることにより、容易にレンズの焦点調整ができ
る。
【００４５】本実施の形態では透明膜１６Ｂ又はカバー
膜１９Ａの表面は平坦にならないが、レンズ作用をなす
透明膜１６Ｂと透明膜１２Ｂとの界面は露出していない
のでレンズの損傷は受け難い。又、樹脂封止などを行な
っても、透明膜１６Ｂの表面の凹部の曲率は大きく、カ
バー膜１９Ａ上に空間を設けないことによる焦点距離の
変化は小さく、予めそれを考慮して設計しておけばよ
い。
膜１９Ａの表面は平坦にならないが、レンズ作用をなす
透明膜１６Ｂと透明膜１２Ｂとの界面は露出していない
のでレンズの損傷は受け難い。又、樹脂封止などを行な
っても、透明膜１６Ｂの表面の凹部の曲率は大きく、カ
バー膜１９Ａ上に空間を設けないことによる焦点距離の
変化は小さく、予めそれを考慮して設計しておけばよ
い。
【００４６】第２および第３の実施の形態において用い
たシリカガラス系の透明膜の代りに、低融点ガラスのよ
うに、塗布時に液状で、後で固化し、収縮するものであ
れば使用できる。
たシリカガラス系の透明膜の代りに、低融点ガラスのよ
うに、塗布時に液状で、後で固化し、収縮するものであ
れば使用できる。
【００４７】次に第４の実施の形態を図５を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
【００４８】第４の実施の形態の固体撮像素子は、透明
膜１２Ｃの表面の凹部１５−１Ｃに埋設する透明膜１６
Ｃの断面が楕円形状をしている。これは透明膜１６Ｃと
して質の異なる多層膜や質が連続的に変化しているもの
を用いることにより形成できる。すなわち、第１の実施
例と同様にして絶縁膜１１の堆積までを行なう。
膜１２Ｃの表面の凹部１５−１Ｃに埋設する透明膜１６
Ｃの断面が楕円形状をしている。これは透明膜１６Ｃと
して質の異なる多層膜や質が連続的に変化しているもの
を用いることにより形成できる。すなわち、第１の実施
例と同様にして絶縁膜１１の堆積までを行なう。
【００４９】つぎに、ＣＶＤ（化学的気相成長）法等に
より、酸化シリコン膜を堆積し、透明膜１２Ｃを形成す
る。このとき、透明膜１２Ｃの表面付近のリン濃度が高
くなるようにする。方法としては、ノンドープの酸化シ
リコン膜堆積後にイオン注入法などによりリンを導入す
るか、酸化シリコン膜堆積の際に、シラン系ガスととも
にホスフィン（ＰＨ３）などのリン含有物を添加する量
を制御することにより、リン濃度が表面から厚さ方向に
単調に減少する酸化シリコン膜を堆積することができ
る。つぎに、図６（ａ）に示すように、フォトレジスト
膜１３によりＮ型拡散層０５の直上に小さな開口１４を
設ける。つづいて、希フッ酸溶液などにより透明膜１２
Ｃを等方性エッチングを行う。このとき、透明膜１２Ｃ
のエッチングレートは、図６（ｂ）に示すように、深く
なるにしたがい遅くなるので、凹部１５−１Ｃの形状
は、第１の実施の形態のように透明膜１２のエッチレー
トが等しい場合は図７に示すように凹部１５−１はほぼ
半球状ないしかまぼこ状になるのに対して、図６（ａ）
に示すように上下に押しつぶされたようなほぼ楕円体に
なる。凹部１５−１Ｃの形状は透明膜１２Ｃへのイオン
注入条件やリンソース添加条件により調整することがで
きる。
より、酸化シリコン膜を堆積し、透明膜１２Ｃを形成す
る。このとき、透明膜１２Ｃの表面付近のリン濃度が高
くなるようにする。方法としては、ノンドープの酸化シ
リコン膜堆積後にイオン注入法などによりリンを導入す
るか、酸化シリコン膜堆積の際に、シラン系ガスととも
にホスフィン（ＰＨ３）などのリン含有物を添加する量
を制御することにより、リン濃度が表面から厚さ方向に
単調に減少する酸化シリコン膜を堆積することができ
る。つぎに、図６（ａ）に示すように、フォトレジスト
膜１３によりＮ型拡散層０５の直上に小さな開口１４を
設ける。つづいて、希フッ酸溶液などにより透明膜１２
Ｃを等方性エッチングを行う。このとき、透明膜１２Ｃ
のエッチングレートは、図６（ｂ）に示すように、深く
なるにしたがい遅くなるので、凹部１５−１Ｃの形状
は、第１の実施の形態のように透明膜１２のエッチレー
トが等しい場合は図７に示すように凹部１５−１はほぼ
半球状ないしかまぼこ状になるのに対して、図６（ａ）
に示すように上下に押しつぶされたようなほぼ楕円体に
なる。凹部１５−１Ｃの形状は透明膜１２Ｃへのイオン
注入条件やリンソース添加条件により調整することがで
きる。
【００５０】つぎに凹部１５−１Ｃに透明膜１６Ｃを埋
設し、上面を平坦化しレンズを形成する。透明膜１６Ｃ
は窒化シリコン膜など透明膜１２Ｃより屈折率の高いも
のを使用する。つぎに透明膜１６Ｃの上部をＣＭＰ法な
どにより平坦化するのが好ましい。つぎに必要があれば
カバー膜１９を形成する。
設し、上面を平坦化しレンズを形成する。透明膜１６Ｃ
は窒化シリコン膜など透明膜１２Ｃより屈折率の高いも
のを使用する。つぎに透明膜１６Ｃの上部をＣＭＰ法な
どにより平坦化するのが好ましい。つぎに必要があれば
カバー膜１９を形成する。
【００５１】以上説明した各実施の形態の固体撮像素子
において、単板式カラーカメラに用いる場合、各画素に
着色したカラーフィルターを形成する必要があるが、そ
の場合は絶縁膜１１と透明膜１６，１６Ａ等の間に形成
するか、透明膜１６，１６Ａ等の上に形成すればよい。
において、単板式カラーカメラに用いる場合、各画素に
着色したカラーフィルターを形成する必要があるが、そ
の場合は絶縁膜１１と透明膜１６，１６Ａ等の間に形成
するか、透明膜１６，１６Ａ等の上に形成すればよい。
【００５２】図８（ａ）は本発明の固体撮像装置の第１
の実施の形態の平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＸ−
Ｘ線断面図である。
の実施の形態の平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＸ−
Ｘ線断面図である。
【００５３】本発明の固体撮像素子の第１〜第４の実施
の形態のいずれか一つが作り込まれた固体撮像素子チッ
プ２５（複数の画素列が並列配置された撮像領域ＩＡが
ほぼ中央部に設けられている。ＩＡに隣接して、図示し
ない水平ＣＣＤレジスタや増幅器等が設けられているも
のとする。）の周囲を覆って透明樹脂２８で封止されて
いる。固体撮像素子チップ２５と透明樹脂２８は図示の
ように直接接していてもよいし、固体撮像素子チップ表
面保護のためシリコーン樹脂等を間にはさんでもよい。
カラーフィルターを使用した場合もカラーフィルター上
面は平坦になるので適用可能である。
の形態のいずれか一つが作り込まれた固体撮像素子チッ
プ２５（複数の画素列が並列配置された撮像領域ＩＡが
ほぼ中央部に設けられている。ＩＡに隣接して、図示し
ない水平ＣＣＤレジスタや増幅器等が設けられているも
のとする。）の周囲を覆って透明樹脂２８で封止されて
いる。固体撮像素子チップ２５と透明樹脂２８は図示の
ように直接接していてもよいし、固体撮像素子チップ表
面保護のためシリコーン樹脂等を間にはさんでもよい。
カラーフィルターを使用した場合もカラーフィルター上
面は平坦になるので適用可能である。
【００５４】次に、本実施の形態の固体撮像装置の製造
方法をしめす。まず、固体撮像素子チップ２５をリード
フレームのアイランド３１にマウントして、次にボンデ
ィングワイヤー２７で固体撮像素子チップ上の各端子
（パッド）とピン２６−１（アイランド３１に連結して
いる）、２６−２（アイランド３１とは切り離されてい
る）とをそれぞれ接続する。次に、透明樹脂２８により
封止し、ピン２６−１、２６−２をフレームから切り離
し、ピンの折り曲げを行なう。
方法をしめす。まず、固体撮像素子チップ２５をリード
フレームのアイランド３１にマウントして、次にボンデ
ィングワイヤー２７で固体撮像素子チップ上の各端子
（パッド）とピン２６−１（アイランド３１に連結して
いる）、２６−２（アイランド３１とは切り離されてい
る）とをそれぞれ接続する。次に、透明樹脂２８により
封止し、ピン２６−１、２６−２をフレームから切り離
し、ピンの折り曲げを行なう。
【００５５】前述した本発明の固体撮像素子の第１，第
２，第４の実施の形態では平面が平坦であるので、透明
樹脂膜２８の屈折率が透明膜１６，１６Ａ，１６Ｃと異
なっていてもレンズ作用に影響はない。第３の実施の形
態では多少の影響はあるが、透明膜１６Ｂの上面の曲率
が凹部１５−１Ｂの曲率より大きいのでレンズ作用は失
われないので、透明樹脂２８による影響を予め考慮に入
れて焦点距離等を設計しておけばよい。
２，第４の実施の形態では平面が平坦であるので、透明
樹脂膜２８の屈折率が透明膜１６，１６Ａ，１６Ｃと異
なっていてもレンズ作用に影響はない。第３の実施の形
態では多少の影響はあるが、透明膜１６Ｂの上面の曲率
が凹部１５−１Ｂの曲率より大きいのでレンズ作用は失
われないので、透明樹脂２８による影響を予め考慮に入
れて焦点距離等を設計しておけばよい。
【００５６】固体撮像素子チップの上面に空間を設ける
必要がなく、直接透明樹脂等を接触させることができる
ので、樹脂封止可能であり安価に製造できる。
必要がなく、直接透明樹脂等を接触させることができる
ので、樹脂封止可能であり安価に製造できる。
【００５７】図９（ａ）は本発明の固体撮像装置の第２
の実施の形態を示す平面図、図９（ｂ）は図９（ｂ）の
Ｘ−Ｘ線断面図である。
の実施の形態を示す平面図、図９（ｂ）は図９（ｂ）の
Ｘ−Ｘ線断面図である。
【００５８】これは透明樹脂２８Ａ（樹脂封止材）の表
面を凸状にして固定焦点レンズ２９を設け、またレンズ
２９以外の透明樹脂２８Ａ表面を遮光膜３０（絶縁性の
黒色塗料）で覆っている。製造方法は、透明樹脂２８Ａ
形成時にレンズ２９も一緒にモールド形成する。そのあ
と、レンズ面以外の透明樹脂表面に遮光膜３０を形成す
ればよい。
面を凸状にして固定焦点レンズ２９を設け、またレンズ
２９以外の透明樹脂２８Ａ表面を遮光膜３０（絶縁性の
黒色塗料）で覆っている。製造方法は、透明樹脂２８Ａ
形成時にレンズ２９も一緒にモールド形成する。そのあ
と、レンズ面以外の透明樹脂表面に遮光膜３０を形成す
ればよい。
【００５９】固定焦点レンズを撮像レンズとして使用で
きるので、簡易型カメラとして好適である。なお、樹脂
封止材で固定焦点レンズを構成する代りに、ガラス製の
レンズを貼り付けてもよい。
きるので、簡易型カメラとして好適である。なお、樹脂
封止材で固定焦点レンズを構成する代りに、ガラス製の
レンズを貼り付けてもよい。
【００６０】以上、ＣＣＤ型固体撮像素子及びＣＣＤ型
固体撮像装置を例にして説明したが、ＭＯＳ型などそれ
以外の固体撮像素子及び固体撮像装置にも本発明は適用
可能である。
固体撮像装置を例にして説明したが、ＭＯＳ型などそれ
以外の固体撮像素子及び固体撮像装置にも本発明は適用
可能である。
【００６１】
【発明の効果】本発明の固体撮像素子は、第１の透明膜
と第１の凹部を設けて第２の透明膜を埋設したレンズを
有しているのでレンズが突出していないので機械的損傷
をうけにく、ゴミ付着しても、ブロワーなどを使い簡単
に除去できる。このため製造ラインはクリーン度が低く
てもすみコストが低減できる。また表面が平坦もしくは
ほぼ平坦であるので、上面に空間を有してケースに組立
てる必要がないのでケースが簡素化でき、コスト低減が
可能である。更に、透明樹脂で封止して固定焦点レンズ
を設ければ、簡易型カメラを安価に提供できる。
と第１の凹部を設けて第２の透明膜を埋設したレンズを
有しているのでレンズが突出していないので機械的損傷
をうけにく、ゴミ付着しても、ブロワーなどを使い簡単
に除去できる。このため製造ラインはクリーン度が低く
てもすみコストが低減できる。また表面が平坦もしくは
ほぼ平坦であるので、上面に空間を有してケースに組立
てる必要がないのでケースが簡素化でき、コスト低減が
可能である。更に、透明樹脂で封止して固定焦点レンズ
を設ければ、簡易型カメラを安価に提供できる。
【００６２】また、レンズを窒化シリコン膜などの樹脂
膜に比べて硬い無機物で構成することにより機械的強度
や耐熱性を向上できる。更に全面を硬度の高いカバー膜
で被覆しておくことができるので、機械的損傷に一層強
くすることができる。
膜に比べて硬い無機物で構成することにより機械的強度
や耐熱性を向上できる。更に全面を硬度の高いカバー膜
で被覆しておくことができるので、機械的損傷に一層強
くすることができる。
【図１】本発明の固体撮像素子の第１の実施の形態を示
す平面図（図１（ａ））および図１（ａ）のＸ−Ｘ線断
面図（図１（ｂ））である。
す平面図（図１（ａ））および図１（ａ）のＸ−Ｘ線断
面図（図１（ｂ））である。
【図２】本発明の固体撮像素子の第１の実施の形態の製
造方法について説明するための（ａ）〜（ｃ）に分図し
て示す工程順断面図である。
造方法について説明するための（ａ）〜（ｃ）に分図し
て示す工程順断面図である。
【図３】本発明の固体撮像素子の第２の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】本発明の固体撮像素子の第３の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】本発明の固体撮像素子の第４の実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図６】本発明の固体撮像素子の第４の実施の形態の製
造法について説明するための断面図（図６（ａ））及び
グラフ（図６（ｂ））である。
造法について説明するための断面図（図６（ａ））及び
グラフ（図６（ｂ））である。
【図７】本発明の固体撮像素子の第４の実施の形態の製
造方法について説明するための断面図（図７（ａ））及
びグラフ（図７（ｂ））である。
造方法について説明するための断面図（図７（ａ））及
びグラフ（図７（ｂ））である。
【図８】本発明の固体撮像装置の第１の実施の形態の平
面図（図８（ａ））及び図８（ａ）のＸ−Ｘ線断面図
（図８（ｂ））である。
面図（図８（ａ））及び図８（ａ）のＸ−Ｘ線断面図
（図８（ｂ））である。
【図９】本発明の固体撮像装置の第２の実施の形態の平
面図（図９（ａ））及び図９（ａ）のＸ−Ｘ線断面図で
ある。
面図（図９（ａ））及び図９（ａ）のＸ−Ｘ線断面図で
ある。
【図１０】固体撮像素子の第１の従来例を示す断面図で
ある。
ある。
【図１１】固体撮像素子の第２の従来例を示す断面図で
ある。
ある。
０１ Ｎ型シリコン基板 ０２ Ｐウェル ０３ 素子分離領域 ０４ 電荷転送領域 ０５ Ｎ型拡散層（光電変換部） ０６ Ｐ＋型拡散層 ０７ ゲート絶縁膜 ０８ 第１の電荷転送電極 ０９ 酸化シリコン膜 １０ 遮光膜 １１ 絶縁膜 １２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ 透明膜 １３ フォトレジスト膜 １４ 開口 １５−１，１５−１Ａ，１５−１Ｂ，１５−１Ｃ，１５
−２ 凹部 １６，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ 透明膜 １８ 透明膜 １９ カバー膜 ２０ 開口 ２１ 平坦化層 ２２ オンチップレンズ ２３ シリカガラス ２４ 凸レンズ ２５，２５Ａ 固体撮像素子チップ ２６−１，２６−２ ピン ２７ ボンディングワイヤ ２８，２８Ａ 透明樹脂 ２９ レンズ ３０ 遮光膜 ３１ アイランド
−２ 凹部 １６，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ 透明膜 １８ 透明膜 １９ カバー膜 ２０ 開口 ２１ 平坦化層 ２２ オンチップレンズ ２３ シリカガラス ２４ 凸レンズ ２５，２５Ａ 固体撮像素子チップ ２６−１，２６−２ ピン ２７ ボンディングワイヤ ２８，２８Ａ 透明樹脂 ２９ レンズ ３０ 遮光膜 ３１ アイランド
Claims (16)
- 【請求項１】 基板上に多数配置された光電変換部上に
表面が平坦な第１の透明膜を有し、前記各光電変換部の
上にあたる位置の前記第１の透明膜に中心部にいくに従
い単調に深くなる第１の凹部をそれぞれ有し、前記各第
１の凹部に前記第１の透明膜よりも屈折率が高い第２の
透明膜がそれぞれ埋設されていることを特徴とする固体
撮像素子。 - 【請求項２】 第２の透明膜が単層膜である請求項１記
載の固体撮像素子。 - 【請求項３】 第２の透明膜が第１の透明膜よりも屈折
率が高い第３の透明膜を含む多層膜である請求項１記載
の固体撮像素子。 - 【請求項４】 第２の透明膜の表面が平坦である請求項
２又は３記載の固体撮像素子。 - 【請求項５】 第２の透明膜に第２の凹部を有している
請求項１，２又は３項記載の固体撮像素子。 - 【請求項６】 基板上に多数配置された光電変換部上に
第１の透明膜を形成する工程と、第１の透明膜を耐エッ
チング性膜で被覆し前記各光電変換部の上に当たる位置
近傍にそれぞれ開口を形成する工程と、前記第１の透明
膜を前記耐エッチング性膜の前記各開口部より等方性エ
ッチングを行い前記各開口部を中心とする第１の凹部を
それぞれ形成する工程と、前記各第１の凹部に前記第１
の透明膜よりも屈折率が高い第２の透明膜をそれぞれ埋
設する工程とを有することを特徴とする固体撮像素子の
製造方法。 - 【請求項７】 第１の凹部を形成した後第１の液状物質
を全面に塗布する工程と、前記第１の液状物質を固化さ
せそれと同時に体積を縮減させ前記各第１の凹部底部に
その中心に近づくにしたがい厚さが厚くなりかつ上部が
凹んでいる第２の透明膜をそれぞれ形成する工程とを有
し、前記第２の透明膜が前記第１の透明膜よりも屈折率
が高い請求項６記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項８】 第１の凹部を形成した後第１の液状物質
を全面に塗布する工程と、前記第１の液状物質を固化さ
せそれと同時に体積を縮減させ前記各第１の凹部底部に
その中心に近づくにしたがい厚さが厚くなりかつ上部が
凹んでいる第３の透明膜をそれぞれ形成し、前記各第３
の透明膜上部に第４の透明膜を埋設することにより第２
の透明膜を形成する工程とを有し、前記第３または前記
第４の透明膜の少なくとも一方が前記第１の透明膜より
も屈折率が高い請求項６記載の固体撮像素子の製造方
法。 - 【請求項９】 第１の液状質はシリカ塗布液である請求
項７又は８記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項１０】 第１の透明膜の等方性エッチングに対
するエッチングレートがその表面から厚さ方向に遅くな
る性質を有している請求項６記載の固体撮像素子の製造
方法。 - 【請求項１１】 不純物濃度が表面から厚さ方向に減少
して分布している酸化シリコン膜を第１の透明膜として
形成する固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項１２】 酸化シリコン膜を堆積し不純物をイオ
ン注入する請求項１１記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項１３】 不純物ソースガスの供給量を制御しつ
つＣＶＤ法で酸化シリコン膜を堆積する請求項１１記載
の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項１４】 基板上に多数配置された光電変換部上
に第１の透明膜を有し、前記各光電変換部の上にあたる
位置の前記第１の透明膜の中心部にいくに従い単調に深
くなる凹部をそれぞれ有し、前記各凹部に前記第１の透
明膜よりも屈折率が高い第２の透明膜がそれぞれ埋設さ
れている固体撮像素子チップと、前記固体撮像素子チッ
プの上面に密着して透明封止材が設けられていることを
特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項１５】 透明封止材の上面に撮影レンズが設け
られている請求項１４記載の固体撮像装置。 - 【請求項１６】 撮影レンズが透明封止材と一体の固定
焦点レンズである請求項１５記載の固体撮像装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09057997A JP3447510B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置 |
| KR1019980012370A KR100302466B1 (ko) | 1997-04-09 | 1998-04-08 | 감도및제조단가면에서향상된고체촬상소자,그제조방법및이를이용한고체촬상장치 |
| US09/056,858 US6104021A (en) | 1997-04-09 | 1998-04-08 | Solid state image sensing element improved in sensitivity and production cost, process of fabrication thereof and solid state image sensing device using the same |
| CN98101260A CN1118876C (zh) | 1997-04-09 | 1998-04-09 | 改进的固态图像传感元件,其制造方法和含其的传感器件 |
| US09/585,620 US6291811B1 (en) | 1997-04-09 | 2000-06-02 | Solid state image sensing element improved in sensitivity and production cost, process of fabrication thereof and solid state image sensing device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09057997A JP3447510B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10284710A true JPH10284710A (ja) | 1998-10-23 |
| JP3447510B2 JP3447510B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=14002356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09057997A Expired - Fee Related JP3447510B2 (ja) | 1997-04-09 | 1997-04-09 | 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6104021A (ja) |
| JP (1) | JP3447510B2 (ja) |
| KR (1) | KR100302466B1 (ja) |
| CN (1) | CN1118876C (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001111019A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-04-20 | Sharp Corp | 二次元画像検出器 |
| JP2004180116A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Exquisite Optical Technology Co Ltd | 微小化実装した映像取入チップモジュール |
| JP2006106732A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Sharp Corp | Ｃｍｐ停止層を使用する基板上へのマイクロレンズの形成方法 |
| JP2007103967A (ja) * | 1999-08-04 | 2007-04-19 | Sharp Corp | 二次元画像検出器 |
| US7585691B2 (en) | 2004-02-13 | 2009-09-08 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device and method for producing the same |
| JP2011096782A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
| US8253142B1 (en) * | 1999-08-27 | 2012-08-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of fabricating the same |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3447510B2 (ja) * | 1997-04-09 | 2003-09-16 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置 |
| JP3620237B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2005-02-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| JPH11284158A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Sony Corp | 固体撮像素子と固体撮像素子の製造方法 |
| JP4232213B2 (ja) * | 1998-04-15 | 2009-03-04 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| US7157302B2 (en) * | 1998-06-04 | 2007-01-02 | Micron Technology, Inc. | Imaging device and method of manufacture |
| US6307243B1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-10-23 | Micron Technology, Inc. | Microlens array with improved fill factor |
| US6245610B1 (en) * | 1999-09-28 | 2001-06-12 | United Microelectronics Corp. | Method of protecting a well at a floating stage |
| KR100477784B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2005-03-22 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 트렌치 내부의 공기로 이루어지는 집광층을 구비하는이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| US6462365B1 (en) * | 2001-11-06 | 2002-10-08 | Omnivision Technologies, Inc. | Active pixel having reduced dark current in a CMOS image sensor |
| US6730914B2 (en) * | 2002-02-05 | 2004-05-04 | E-Phocus, Inc. | Photoconductor-on-active-pixel (POAP) sensor utilizing equal-potential pixel electrodes |
| JP2003264284A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| KR20050057519A (ko) * | 2002-09-27 | 2005-06-16 | 소니 가부시끼 가이샤 | 고체 촬상소자 및 그 제조방법 |
| JP2004253573A (ja) | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US20040179249A1 (en) * | 2003-03-10 | 2004-09-16 | Jackson Hsieh | Simplified image sensor module |
| US20040211881A1 (en) * | 2003-04-23 | 2004-10-28 | Pierre Liu | Image sensor capable of avoiding lateral light interference |
| TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20050045927A1 (en) * | 2003-09-03 | 2005-03-03 | Jin Li | Microlenses for imaging devices |
| US7115853B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Micro-lens configuration for small lens focusing in digital imaging devices |
| KR100549589B1 (ko) * | 2003-09-29 | 2006-02-08 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 및 그 제조 방법 |
| JP4170950B2 (ja) * | 2003-10-10 | 2008-10-22 | 松下電器産業株式会社 | 光学デバイスおよびその製造方法 |
| US7205526B2 (en) * | 2003-12-22 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating layered lens structures |
| US20060169870A1 (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-03 | Silsby Christopher D | Image sensor with embedded optical element |
| US20060198008A1 (en) * | 2005-03-07 | 2006-09-07 | Micron Technology, Inc. | Formation of micro lens by using flowable oxide deposition |
| JP4340248B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2009-10-07 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体撮像装置を製造する方法 |
| US7553689B2 (en) * | 2005-07-13 | 2009-06-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device with micro-lens and method of making the same |
| US7879631B2 (en) * | 2006-10-24 | 2011-02-01 | Hong Jim T | Systems and methods for on-die light sensing with low leakage |
| US20080304819A1 (en) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Thin active camera cover for an electronic device |
| KR100905596B1 (ko) * | 2007-11-16 | 2009-07-02 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US8183510B2 (en) * | 2008-02-12 | 2012-05-22 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with buried self aligned focusing element |
| US7589306B2 (en) * | 2008-02-12 | 2009-09-15 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with buried self aligned focusing element |
| US7759755B2 (en) | 2008-05-14 | 2010-07-20 | International Business Machines Corporation | Anti-reflection structures for CMOS image sensors |
| US8003425B2 (en) * | 2008-05-14 | 2011-08-23 | International Business Machines Corporation | Methods for forming anti-reflection structures for CMOS image sensors |
| CA2769878A1 (en) | 2008-08-07 | 2010-02-11 | Bioactive Surgical, Inc. | Stem cell capture and immobilization coatings for medical devices and implants |
| JP2010239076A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| JP5553707B2 (ja) * | 2009-08-21 | 2014-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光検出装置 |
| JP2011100900A (ja) | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法と設計方法並びに電子機器 |
| US8642205B2 (en) | 2010-08-09 | 2014-02-04 | Motorola Mobility Llc | Electrochemical battery pack with reduced magnetic field emission and corresponding devices |
| US8552517B1 (en) * | 2010-09-14 | 2013-10-08 | Amkor Technology, Inc. | Conductive paste and mold for electrical connection of photovoltaic die to substrate |
| CN105321975A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-02-10 | 上海瑞艾立光电技术有限公司 | 图像传感器和图像探测器 |
| CN107275356B (zh) * | 2017-06-27 | 2020-06-05 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种传感器微透镜的制造方法 |
| CN108628034B (zh) * | 2018-05-25 | 2021-07-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种彩膜基板、液晶显示面板及彩膜基板的制备方法 |
| CN117497551B (zh) * | 2023-12-25 | 2024-04-30 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 图像传感器及其制备方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61268059A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-27 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH0384685U (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-28 | ||
| JPH04233759A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH04322466A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPH0521770A (ja) * | 1990-11-16 | 1993-01-29 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPH06188399A (ja) * | 1992-12-21 | 1994-07-08 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置用マイクロレンズの製造方法 |
| JPH07106538A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH07106537A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH0927608A (ja) * | 1995-05-11 | 1997-01-28 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01146545U (ja) | 1988-03-30 | 1989-10-09 | ||
| JP2737946B2 (ja) * | 1988-08-30 | 1998-04-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH0384685A (ja) * | 1989-08-29 | 1991-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | データ検索装置 |
| JP3166199B2 (ja) | 1990-05-16 | 2001-05-14 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH0521700A (ja) | 1991-07-17 | 1993-01-29 | Fuji Electric Co Ltd | スイツチング回路のノイズ抑止形ダイオ−ド |
| JPH05134111A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-05-28 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| JPH05291546A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP2833941B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-12-09 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
| JP3456000B2 (ja) * | 1993-05-17 | 2003-10-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2821421B2 (ja) * | 1996-05-21 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP3180043B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2001-06-25 | シャープ株式会社 | 画像入力装置 |
| JP3447510B2 (ja) * | 1997-04-09 | 2003-09-16 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置 |
-
1997
- 1997-04-09 JP JP09057997A patent/JP3447510B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-08 KR KR1019980012370A patent/KR100302466B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-04-08 US US09/056,858 patent/US6104021A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-09 CN CN98101260A patent/CN1118876C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-06-02 US US09/585,620 patent/US6291811B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61268059A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-27 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPH0384685U (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-28 | ||
| JPH0521770A (ja) * | 1990-11-16 | 1993-01-29 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JPH04233759A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH04322466A (ja) * | 1991-04-22 | 1992-11-12 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPH06188399A (ja) * | 1992-12-21 | 1994-07-08 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置用マイクロレンズの製造方法 |
| JPH07106538A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH07106537A (ja) * | 1993-09-30 | 1995-04-21 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH0927608A (ja) * | 1995-05-11 | 1997-01-28 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001111019A (ja) * | 1999-08-04 | 2001-04-20 | Sharp Corp | 二次元画像検出器 |
| JP2007103967A (ja) * | 1999-08-04 | 2007-04-19 | Sharp Corp | 二次元画像検出器 |
| US8253142B1 (en) * | 1999-08-27 | 2012-08-28 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of fabricating the same |
| US8729650B2 (en) | 1999-08-27 | 2014-05-20 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method of fabricating the same |
| JP2004180116A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Exquisite Optical Technology Co Ltd | 微小化実装した映像取入チップモジュール |
| US7585691B2 (en) | 2004-02-13 | 2009-09-08 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device and method for producing the same |
| JP2006106732A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Sharp Corp | Ｃｍｐ停止層を使用する基板上へのマイクロレンズの形成方法 |
| JP4544466B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2010-09-15 | シャープ株式会社 | Ｃｍｐ停止層を使用する基板上へのマイクロレンズの形成方法 |
| JP2011096782A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3447510B2 (ja) | 2003-09-16 |
| KR100302466B1 (ko) | 2001-11-22 |
| CN1118876C (zh) | 2003-08-20 |
| CN1196580A (zh) | 1998-10-21 |
| US6104021A (en) | 2000-08-15 |
| US6291811B1 (en) | 2001-09-18 |
| KR19980081184A (ko) | 1998-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3447510B2 (ja) | 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置 | |
| KR100540421B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| US7453130B2 (en) | Semiconductor apparatus and method for fabricating the same | |
| US20090179289A1 (en) | Image sensor microlens structures and methods of forming the same | |
| JPH1140787A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| KR100832710B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| CN100511694C (zh) | Cmos图像传感器及其制造方法 | |
| US7692260B2 (en) | Solid state imaging device and manufacturing method thereof | |
| JP2000196053A (ja) | イメ―ジセンサ及びその製造方法 | |
| JP2006332347A (ja) | 層内レンズ、固体撮像素子、電子情報装置、層内レンズの形成方法および固体撮像素子の製造方法 | |
| JP4153426B2 (ja) | 集積イメージセンサを製造するための方法 | |
| KR100394304B1 (ko) | 고체 촬상 장치의 마이크로 렌즈 형성 방법 | |
| JP4549195B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| KR20010061308A (ko) | 박막 이미지센서의 제조 방법 | |
| JP2007305683A (ja) | 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 | |
| JP2006032967A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
| JP2007042801A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JP4774649B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2006351759A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| KR100449951B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| JP4345210B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JP2007188964A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2004055669A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
| JP2002094038A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2006319133A (ja) | カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子の製造方法、カラーフィルタ、固体撮像素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000613 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070704 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080704 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |