JP2003248240A - アクティブマトリクス基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機絶縁膜と、該有機絶縁膜と接触する透明
導電膜や無機絶縁膜との密着性に優れ、信頼性の高い表
示素子を得ることができる表示素子用基板およびその製
造方法並びにその製造装置を提供する。 【解決手段】 画素部における断面構造が、絶縁性基板
１１／ゲート絶縁膜としての無機絶縁膜１３／層間絶縁
膜としての有機絶縁膜１９／画素電極としての透明導電
膜１７・１７’となっているアクティブマトリクス基板
において、上記有機絶縁膜１９を形成する樹脂に、シラ
ザン、クロロシランからなる群より選ばれる少なくとも
一種の化合物をブレンドし、かつ上記有機絶縁膜１９を
１．５μｍ以上の膜厚で形成する。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、例えば大型表示装
置、カーナビゲーション、ラップトップ型パソコン等の
ＯＡ（オフィスオートメーション）機器やＡＶ（オーデ
ィオビジュアル）機器等に用いられる表示素子用基板に
関するものである。 【０００２】 【従来の技術】近年、ＯＡ機器やＡＶ機器として用いら
れる例えば大型表示装置、カーナビゲーション、ラップ
トップ型パソコン等は、軽量化、薄型化、低消費電力化
が要求されている。そこで、軽量かつ薄型で、消費電力
が小さい液晶表示素子等の表示素子は、きたるマルチメ
ディア社会でのキーデバイスとして、各種ＯＡ、ＡＶ機
器分野等で応用開発が進められている。 【０００３】このような液晶表示素子としては、従来、
スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Th
in Film Transistor）を備えたものが知られている。こ
のような構成を有する液晶表示素子には、電極基板近傍
でネマティック液晶分子が約９０℃ねじれているＴＮ
（Twisted Nematic)表示モードや、上記ネマティック液
晶分子が１８０℃以上ねじれているＳＴＮ（Super Twis
ted Nematic)表示モードが多用されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】このような液晶表示素
子において、開口率は、光の透過率、消費電力、視野角
特性等の液晶表示素子としての表示性能に大きく関係す
る。 【０００５】そこで、開口率を向上させるために、例え
ば、絶縁性基板上に、ゲート信号線とソース信号線と
が互いに交差するように設けられ、ゲート信号線とソー
ス信号線との交差部近傍にスイッチング素子が設けら
れ、このスイッチング素子のゲート電極にゲート信号線
が接続される一方、ソース電極に上記ソース信号線が接
続され、上記スイッチング素子、ゲート信号線およびソ
ース信号線の上部に、可視光領域において高透過率の感
光性有機薄膜からなる層間絶縁膜、透明導電膜からなる
画素電極が順次積層され、この画素電極に上記スイッチ
ング素子のドレイン電極が接続されているアクティブマ
トリクス基板や、絶縁性基板上に、ゲート信号線とソ
ース信号線とが互いに交差するように設けられ、ゲート
信号線とソース信号線との交差部近傍にスイッチング素
子が設けられ、このスイッチング素子のゲート電極にゲ
ート信号線が接続される一方、ソース電極に上記ソース
信号線が接続され、ドレイン電極に、透明導電膜からな
る接続電極を介して画素電極が設けられ、上記スイッチ
ング素子、ゲート信号線、ソース信号線、および接続電
極の上部に、可視光領域において高透過率の感光性有機
薄膜からなる層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜上
に、上記画素電極が、少なくともゲート信号線およびソ
ース信号線のうち少なくとも何れか一方と、少なくとも
一部が重なるように設けられたアクティブマトリクス基
板を有する透過型液晶表示素子が考えられる。 【０００６】以下に、例えば、上記の構成を有するア
クティブマトリクス基板および該アクティブマトリクス
基板を用いた液晶表示素子の概略構成について、本発明
で使用する図１および図２を参照して以下に説明する。
図１は、上記構成を有するアクティブマトリクス基板の
１画素部分の構成を示す平面図であり、図２は図１に示
すアクティブマトリクス基板のＡ−Ａ線矢視断面図であ
る。 【０００７】上記液晶表示素子において、アクティブマ
トリクス基板には、図１に示すように、複数の画素電極
１がマトリクス状に設けられている。そして、これらの
画素電極１の周囲には、走査配線としてのゲート信号線
２と、信号配線としてのソース信号線３とが、画素電極
１の外周部分において互いに直交（オーバーラップ）す
るように設けられている。また、ゲート信号線２とソー
ス信号線３との交差部分には、画素電極１に接続される
スイッチング素子としてのＴＦＴ４が設けられている。
さらに、ＴＦＴ４のドレイン電極は、接続電極５および
コンタクトホール６を介して画素電極１と接続されると
共に、接続電極５を介して画素の付加容量の一方の電極
５ａと接続されている。一方、付加容量の他方の電極７
は、対向基板に設けられる対向電極（図示せず）に接続
されている。 【０００８】上記アクティブマトリクス基板は、図２に
示すように、ガラス等からなる透明な絶縁性基板１１上
に、ゲート電極１２、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜
１３、半導体層１４、チャネル保護層１５、ソース電極
１６ａおよびドレイン電極１６ｂとなるｎ⁺ Ｓｉ層、第
１の透明導電膜である透明導電膜１７・１７’、金属層
１８・１８’、有機絶縁膜からなる層間絶縁膜１９、お
よび画素電極１となる第２の透明導電膜が、順次形成さ
れた構成である。そして、上記画素電極１は、図１およ
び図２に示すように、層間絶縁膜１９を貫くコンタクト
ホール６を介して、接続電極５である透明導電膜１７’
によりＴＦＴ４のドレイン電極１６ｂに接続されてい
る。 【０００９】そして、上記画素電極１上には、図示しな
い配向膜が形成され、図示しない対向基板と上記アクテ
ィブマトリクス基板とを貼り合わせ、その間隙に液晶
（図示せず）を導入することにより、透過型液晶表示素
子が形成される。 【００１０】このように、上記の構成では、層間絶縁膜
１９が、ゲート信号線２およびソース信号線３と画素電
極１との間に形成されているため、上記ゲート信号線２
およびソース信号線３に対して画素電極１をオーバーラ
ップさせることが可能となる。従って、上記の構成によ
れば、開口率の高い透過型液晶表示素子を得ることがで
きる。 【００１１】上記の説明からも判るように、上記、
の構成を有する液晶表示素子における画素部でのアクテ
ィブマトリクス基板の断面構造は、例えば絶縁性基板／
第１の透明導電膜または無機絶縁膜／有機絶縁膜／第２
の透明導電膜／配向膜であり、該液晶表示素子における
シール部付近の断面構造は絶縁性基板／第１の透明導電
膜または無機絶縁膜／有機絶縁膜／シール部材となって
いる。 【００１２】しかしながら、上記構成において、透明導
電膜および無機絶縁膜に対する有機絶縁膜の密着性は良
好であるとは言い難い。上記アクティブマトリクス基板
あるいはこのアクティブマトリクス基板を用いた液晶表
示素子は、接着強度が５ｋｇ／ｃｍ² 〜８ｋｇ／ｃｍ²
程度と低く、また、例えば、プレッシャークッカーテス
ト（ＰＣＴ）で１８時間保存後、シール部あるいは画素
部において透明導電膜または無機絶縁膜と有機絶縁膜と
の間で膜剥がれが生じる。尚、上記ＰＣＴとは、温度１
２１℃、圧力２ａｔｍ、湿度９９％における保存試験の
ことである。 【００１３】また、上記有機絶縁膜と、透明導電膜を構
成するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や、金属層を構成す
るＴａ、Ａ１等の金属との密着性にも問題がある。この
ため、例えば、コンタクトホール開口後の洗浄工程にお
いて、コンタクトホールの開口部から、有機絶縁膜と、
透明導電膜や金属層との間の界面に洗浄液が浸入し、有
機絶縁膜である層間絶縁膜が剥がれるという問題を引き
起こす。 【００１４】さらに、上記有機絶縁膜上に積層した透明
導電膜をパターニングして画素電極を形成する際にも、
レジスト剥離液（例えばＤＭＳＯ等）によって有機絶縁
膜を構成する樹脂が膨潤し、やはり膜剥がれが生じる。 【００１５】このような膜剥がれは、液晶表示素子等の
表示素子の寿命を速めると共に、信頼性の低下につなが
る。このため、有機絶縁膜と、該有機絶縁膜と接触する
透明導電膜や無機絶縁膜との密着性に優れた表示素子用
基板が嘱望されている。 【００１６】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、その目的は、有機絶縁膜と、該有機絶縁膜と接
触する透明導電膜や無機絶縁膜との密着性に優れ、信頼
性の高い表示素子を得ることができる表示素子用基板お
よびその製造方法並びにその製造装置を提供することに
ある。 【００１７】 【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板は、上記の課題を解決するために、画素部に
おける断面構造が、絶縁性基板／ゲート絶縁膜としての
無機絶縁膜／層間絶縁膜としての有機絶縁膜／画素電極
としての透明導電膜となっているアクティブマトリクス
基板において、上記有機絶縁膜を形成する樹脂に、シラ
ザン、クロロシランからなる群より選ばれる少なくとも
一種の化合物がブレンドされており、かつ上記有機絶縁
膜が１．５μｍ以上の膜厚で形成されていることを特徴
としている。 【００１８】上記の構成によれば、有機絶縁膜と、該有
機絶縁膜と接触する無機絶縁膜および／または透明導電
膜との間の密着性（接着強度）が向上する。 【００１９】この結果、有機絶縁膜と、該有機絶縁膜と
接触する透明導電膜や無機絶縁膜との密着性に優れる信
頼性の高い表示素子用基板を提供することができる。上
記表示素子用基板は、透明導電膜や無機絶縁膜と有機絶
縁膜との密着性に格段に優れ、例えば、上記表示素子用
基板、あるいは、上記表示素子用基板を用いた表示素子
を、温度１２１℃、圧力２ａｔｍ、湿度９９％の条件下
で２４時間保存した場合でも、画素部、あるいは、表示
素子を形成する場合のシール部において、透明導電膜や
無機絶縁膜と有機絶縁膜との間で膜剥がれが生じない。
また、上記表示素子用基板を有機溶媒に浸漬した場合に
も、有機絶縁膜が膨潤して剥がれることがない。 【００２０】また、上記有機絶縁膜がシラン化合物を含
む場合、シラン化合物を例えば塗布することにより膜の
表面処理を行う場合と比較して、処理回数が少なくて済
むので、より好ましい。 【００２１】なお、シラン化合物を含むガスを流入させ
る流入口が設けられたチャンバーを有する基板表面処理
手段を備えている表示素子用基板の製造装置を用いれ
ば、表示素子用基板を構成する例えば無機絶縁膜や透明
導電膜、有機絶縁膜の表面にシラン化合物を効率良く付
着させることができる。このように、無機絶縁膜または
透明導電膜の表面にシラン化合物を付着させることで、
透明導電膜や無機絶縁膜と、該透明導電膜や無機絶縁膜
上に積層される有機絶縁膜との密着性を高め、信頼性の
高い表示素子用基板を提供することができる。 【００２２】 【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について図
１ないし図６に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。 【００２３】最初に、本実施の形態における表示素子用
基板としてのアクティブマトリクス基板、および、該ア
クティブマトリクス基板を用いた表示素子としての液晶
表示素子の概略構成について、製造方法と共に、図１お
よび図２を参照しながら説明する。 【００２４】上記アクティブマトリクス基板には、図１
に示すように、複数の画素電極１がマトリクス状に設け
られている。そして、これらの画素電極１の周囲には、
走査配線としてのゲート信号線２と、信号配線としての
ソース信号線３とが、画素電極１の外周部分において互
いに直交（オーバーラップ）するように設けられてい
る。また、ゲート信号線２とソース信号線３の交差部分
には、画素電極１に接続されるスイッチング素子として
の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）
４が設けられている。このＴＦＴ４のゲート電極にはゲ
ート信号線２が接続され、ゲート信号線２からゲート電
極に走査信号が入力される。また、ＴＦＴ４のソース電
極にはソース信号線３が接続され、ソース信号線３から
ソース電極にデータ信号が入力される。さらに、ＴＦＴ
４のドレイン電極は、接続電極５およびコンタクトホー
ル６を介して画素電極１と接続されると共に、接続電極
５を介して画素の付加容量の一方の電極５ａと接続され
ている。一方、付加容量の他方の電極７は、対向基板に
設けられる対向電極（図示せず）に接続されている。 【００２５】上記アクティブマトリクス基板を形成する
際には、まず、透明な絶縁性基板１１上に、図１に示す
ように、互いに平行に配置されるゲート信号線２と、付
加容量の電極７とを形成する。また、上記ゲート信号線
２と同時に、ＴＦＴ４のゲート電極が形成される。 【００２６】上記ＴＦＴ４は、図２に示すように、ガラ
ス等からなる透明な絶縁性基板１１上に、ゲート電極１
２、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１３、半導体層１
４、チャネル保護層１５、ソース電極１６ａおよびドレ
イン電極１６ｂとなるｎ⁺ Ｓｉ層を、周知の方法により
順次積層することにより構成されている。 【００２７】上記構成において、ゲート電極１２は、図
１に示すゲート信号線２に接続されており、ゲート絶縁
膜１３は、上記ゲート電極１２を覆うように絶縁性基板
１１上に設けられている。また、ゲート絶縁膜１３上に
は、上記半導体層１４が、ゲート絶縁膜１３を介してゲ
ート電極１２に重なるように設けられ、半導体層１４中
央部上にはチャネル保護層１５が設けられている。そし
て、上記ｎ⁺ Ｓｉ層は、上記ゲート絶縁膜１３上に、チ
ャネル保護層１５の両端部及び半導体層１４を包み込む
ように、チャネル保護層１５上で分断された状態で設け
られている。 【００２８】上記ＴＦＴ４のチャネル保護層１５上で分
断された一方のｎ⁺ Ｓｉ層であるドレイン電極１６ｂの
端部上には、第１の透明導電膜である透明導電膜１７’
と、金属層１８’とが設けられ、透明導電膜１７’は延
長されて、ドレイン電極１６ｂと画素電極１とを接続す
ると共に付加容量の一方の電極５ａに接続される接続電
極５となっている。また、チャネル保護層１５上で分断
されたもう一方のｎ⁺Ｓｉ層であるソース電極１６ａの
端部上には、ソース信号線３となる透明導電膜１７と金
属層１８とが設けられている。 【００２９】本実施の形態では、上記したように、ソー
ス信号線３を、透明導電膜１７と、金属層１８とによる
二層構造とした。上記構造は、金属層１８の一部に欠陥
があったとしても透明導電膜１７によって電気的接続が
保たれるので、ソース信号線３の断線を防止できるとい
う点で効果的である。 【００３０】また、上記ＴＦＴ４、ゲート信号線２、ソ
ース信号線３、および接続電極５の上部には、有機絶縁
膜からなる層間絶縁膜１９が形成されている。そして、
この層間絶縁膜１９を貫くように、上記接続電極５上
に、コンタクトホール６が形成される。上記アクティブ
マトリクス基板において、コンタクトホール６を形成す
る際には、まず、上記層間絶縁膜１９の材料として例え
ば感光性のアクリル樹脂を、上記ＴＦＴ４、ゲート信号
線２、ソース信号線３、接続電極５上に、例えばスピン
塗布法により３μｍの膜厚で形成する。次に、上記アク
リル樹脂を所望のパターンに従って露光し、アルカリ性
の溶液によって現像処理する。これにより、層間絶縁膜
１９における露光された部分のみがアルカリ性の溶液に
よってエッチングされ、層間絶縁膜１９を貫通するコン
タクトホール６が形成される。続いて、この層間絶縁膜
１９上に、透明導電膜をスパッタ法により成膜してパタ
ーニングすることにより、画素電極１が形成される。 【００３１】上記画素電極１は、図１および図２に示す
ように、層間絶縁膜１９を貫くコンタクトホール６を介
して、接続電極５である透明導電膜１７’によりＴＦＴ
４のドレイン電極１６ｂに接続される。そして、上記ア
クティブマトリクス基板の画素電極１上には、図示しな
い配向膜がさらに形成される。 【００３２】以上の工程により、スイッチング素子とし
てのＴＦＴ４がマトリクス状に配置され、ＴＦＴ４に走
査信号を供給するゲート信号線２および上記ＴＦＴ４に
データ信号を供給するソース信号線３が互いに直交して
形成されたアクティブマトリクス基板を作成することが
できる。 【００３３】上記の構成によれば、層間絶縁膜１９が、
ゲート信号線２、ソース信号線３と画素電極１との間に
形成されているため、開口率を向上させることができ
る。しかも、上記ゲート信号線２、ソース信号線３に対
して画素電極１をオーバーラップさせることが可能とな
る。これにより、信号線に起因する電界をシールドし、
液晶の配向不良を抑制できる。また、上記ドレイン電極
１６ｂと画素電極１とを接続する接続電極５が透明導電
膜により形成されていることで、一層開口率を向上させ
ることができる。 【００３４】また、上記アクティブマトリクス基板を、
透明絶縁膜基板の表面にブラックマトリクスやカラーフ
ィルタ、対向電極、および配向膜を順次積層してなる図
示しない対向基板と貼り合わせ、その間隙に液晶（図示
せず）を導入することにより、液晶表示素子が形成され
る。 【００３５】このようにして得られた上記アクティブマ
トリクス基板は、その画素部における断面構造が、例え
ば絶縁性基板１１／透明導電膜１７’またはゲート絶縁
膜１３／層間絶縁膜１９／画素電極１／配向膜であり、
液晶表示素子を形成する際のシール部付近の断面構造が
絶縁性基板１１／透明導電膜１７’またはゲート絶縁膜
１３／層間絶縁膜１９／シール部材となっている。 【００３６】本発明において、上記層間絶縁膜１９の材
料は、感光性ポリマーであることが好ましい。上記層間
絶縁膜１９を構成する樹脂に感光性ポリマーを用いるこ
とで、コンタクトホール６を形成する際に、パターニン
グ工程を露光のみによって行うことができるので、製造
工程を簡略化することができる。また、上記のアクティ
ブマトリクス基板において、層間絶縁膜１９の膜厚は、
１．５μｍ以上とすることが好ましい。上記の構成で
は、画素電極１、層間絶縁膜１９、およびスイッチング
素子であるＴＦＴ４が寄生容量を形成するので、層間絶
縁膜１９の膜厚を１．５μｍ以上とすることにより、寄
生容量を小さく抑えることが可能となる。 【００３７】この結果、上記の構成を用いて液晶表示素
子を形成した場合、良好な表示品位を得ることができ
る。 【００３８】本発明において用いられる感光性ポリマー
は、可視光領域において透明であることが好ましく、そ
の光透過率は可視光領域において９０％以上であること
が好ましい。上記感光性ポリマーとしては、特に限定さ
れるものではないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、
ウレタン樹脂、ポリイミド、ポリエステル、ラバー、ジ
アリルフタレート樹脂、ポリプロピレン、ＥＰＤＭ（ey
hlene propylene diene methylene ）樹脂、メラミン樹
脂、ＡＢＳ（acrylonitrile butadiene styrene)樹脂、
塩化ビニル系感光性ポリマーからなる群より選ばれる少
なくとも一種の樹脂であることが好ましい。 【００３９】また、感光性ポリマーが感光剤とベースポ
リマーとで構成されている場合には、ネガ型のベースポ
リマーとしては、例えば、クロルメチル化ポリスチレ
ン、クロルメチル化ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ
（クロルα−メチルスチレン）、ポリクロルメチルスチ
レン、ポリハロゲノスチレン等のスチレン系ポリマー
や、エポキシアクリレート樹脂等が挙げられる。また、
ポジ型のベースポリマーとしては、例えば、ポリグリシ
ジルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート等が挙
げられる。ポジ型感光剤としてはナフトキノンジアジド
等が挙げられ、ネガ型感光剤としてはジアゾニウム塩系
化合物等が挙げられる。上記感光性ポリマーのなかで
も、可視光領域において透明であるエポキシアクリレー
ト樹脂、ポリグリシジルメタクリレート、スチレン系ポ
リマーが好ましい。 【００４０】尚、上記層間絶縁膜１９を構成する感光性
ポリマーが着色している場合でも、上記感光性ポリマー
を任意の形状にパターニングした後、例えば、感光性ポ
リマーに使用されている感光剤に紫外線を照射すること
により感光剤の消色を行うことができる。これにより、
上記層間絶縁膜１９の可視光領域の透過率を向上させる
ことができる。 【００４１】また、上記ゲート絶縁膜１３としては、Ｓ
ｉＮｘ（シリコン窒化膜）が好ましく、透明導電膜１７
・１７’および画素電極１としては、ＩＴＯが好まし
い。 【００４２】また、上記ゲート絶縁膜１３および透明導
電膜１７・１７’あるいは層間絶縁膜１９を積層する際
には、これらゲート絶縁膜１３および透明導電膜１７・
１７’あるいは層間絶縁膜１９に対してシラン化合物に
よる処理が施される。 【００４３】本発明において用いられるシラン化合物と
しては、特に限定されるものではないが、シランカップ
リング剤、シラザン、クロロシラン、アルコキシシラン
からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物である
ことが好ましい。 【００４４】本発明において用いられる上記シランカッ
プリング剤とは、一般式（１） 【００４５】 【化１】 【００４６】（式中、Ｘは有機材料と反応する官能基を
表し、Ｒは無機材料と反応する加水分解性の官能基を表
す）で表される化合物であり、同一分子内に異なる２種
の官能基を有し、有機材料界面と無機材料界面との接着
において、仲立ちの役割を果たす。 【００４７】上記Ｘで表される官能基としては、有機材
料と反応する官能基であれば、特に限定されるものでは
ないが、具体的には、例えば、アミノ基、ビニル基、エ
ポキシ基、メルカプト基、グリシドキシ基、メタクリル
基、クロル基等が挙げられる。 【００４８】また、上記Ｒで表される加水分解性の官能
基としては、無機材料と反応する官能基であれば、特に
限定されるものではないが、具体的には、例えば、アル
コキシ基、クロル基等が挙げられる。そして、そのなか
でも、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。 【００４９】上記シランカップリング剤としては、具体
的には、例えば、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β−アミノエチル−
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、特に限定
されるものではない。 【００５０】上記シランカップリング剤は、ゲート絶縁
膜１３あるいは透明導電膜１７・１７’の表面の処理に
好適に用いることができることは勿論、プライマーの成
分として、層間絶縁膜１９の上記ゲート絶縁膜１３ある
いは透明導電膜１７・１７’に対する接着性の向上に特
に有効に作用する。 【００５１】また、上記シラザンとしては、例えば、ジ
シラザン、トリシラザン、ヘキサメチルジシラザン等が
挙げられるが、特に限定されるものではない。 【００５２】上記シランカップリング剤として例示の化
合物以外のクロロシランとしては、例えば、トリメチル
クロロシラン、エチルトリクロロシラン、メチルクロロ
シラン、メチルジクロロシラン、ジメチルジクロロシラ
ン、メチルトリクロロシラン、テトラメチルシラン、ト
リクロロシラン、エチルジクロロシラン、ジエチルジク
ロロシラン、トリエチルクロロシラン、エチル−ｎ−プ
ロピル−ジクロロシラン、エチルイソブチル−ジクロロ
シラン、ジ−ｎ−プロピル−ジクロロシラン、ｎ−プロ
ピル−トリクロロシラン、ジ−イソプロピルジクロロシ
ラン、ジ−ｎ−ブチル−ジクロロシラン、ｎ−ブチル−
トリクロロシラン、ジ−ｔ−ブチル−ジクロロシラン、
フェニルジクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、
ジフェニルジクロロシラン等が挙げられるが、特に限定
されるものではない。 【００５３】上記シランカップリング剤として例示の化
合物以外のアルコキシシランとしては、例えば、次式 【００５４】 【化２】 【００５５】で表されるポリエーテルトリメトキシシラ
ンや、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ジメチルジエト
キシシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラ
ン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシ
ラン等が挙げられるが、特に限定されるものではない。 【００５６】これらシラン化合物は、一種類のみを用い
てもよいし、適宜、二種類以上を混合して用いてもよ
い。これらシラン化合物のなかでも、アルキル基、ジア
ルキル基等の長鎖の炭化水素基やポリエーテル基を有す
ると共に、アルコキシ基（特にメトキシ基、エトキシ
基）を有する化合物が好ましく、上記一般式（２）で表
されるポリエーテルトリメトキシシランが特に好まし
い。 【００５７】上記シラン化合物によりゲート絶縁膜１
３、透明導電膜１７・１７’、層間絶縁膜１９を処理す
る場合には、上記各膜を構成する材料や、処理方法、膜
に対する濡れ性等に応じて用いるシラン化合物を適宜設
定すればよい。 【００５８】本発明において上記ゲート絶縁膜１３、透
明導電膜１７・１７’、および層間絶縁膜１９から選ば
れる少なくとも一種の膜をシラン化合物で処理するため
の処理方法としては、特に限定されるものではないが、
例えば、(i) 上記層間絶縁膜１９を形成する樹脂にシラ
ン化合物をブレンドする方法や、(ii)上記ゲート絶縁膜
１３表面や透明導電膜１７・１７’表面をシラン化合物
により改質する方法等種々の方法を用いることができ
る。 【００５９】また上記(ii)の方法を採用する場合には、
該当する膜（例えばゲート絶縁膜１３、透明導電膜１７
・１７’）を積層した後、次の工程に移る前に、該当す
る膜をシラン化合物で処理してもよいし、層間絶縁膜１
９を積層する前に、層間絶縁膜１９と接触するゲート絶
縁膜１３表面や透明導電膜１７・１７’表面にシラン化
合物による処理を施してもよい。 【００６０】まず、上記(i) の方法について説明する。 【００６１】上記層間絶縁膜１９を形成する樹脂にシラ
ン化合物をブレンドする場合には、該樹脂とシラン化合
物とを混合した後、この混合物を、例えばスピンコータ
ー等を用いて上記ＴＦＴ４、ゲート信号線２、ソース信
号線３、および接続電極５上に塗布すればよい。 【００６２】上記シラン化合物の使用量は、用いるシラ
ン化合物の種類にもよるが、上記層間絶縁膜１９を構成
する樹脂（有機材料）に対し、０．０１重量％〜１０重
量％の範囲内であることが好ましい。上記シラン化合物
の使用量、即ち、樹脂に対するブレンド濃度は、上記層
間絶縁膜１９と隣接する膜の種類やシラン化合物の種類
に応じて、上記範囲内において最も密着性が向上するよ
うに適宜設定される。 【００６３】上記(i) の方法は、使用方法が簡単であ
り、製造工程に組み込み易いことから、上記アクティブ
マトリクス基板を簡素かつ容易に製造する方法である。
また、上記(i) の方法は、層間絶縁膜１９にシラン化合
物をブレンドするだけで、現行のプロセスを変更するこ
となく層間絶縁膜１９と、該層間絶縁膜１９と接触する
ゲート絶縁膜１３、透明導電膜１７・１７’、および画
素電極１との密着性を向上させることができる。さら
に、層間絶縁膜１９と金属層１８との間の界面における
層間絶縁膜１９の剥がれも抑えることができる。 【００６４】上記(i) の方法を採用する場合に用いられ
るシラン化合物としては、層間絶縁膜１９と、該層間絶
縁膜１９と接触するゲート絶縁膜１３、透明導電膜１７
・１７’、および画素電極１との密着性を同時に向上さ
せることができることから、上記一般式（２）で表され
るポリエーテルトリメトキシシランが特に好ましい。 【００６５】次に、上記(ii)の方法について説明する。 【００６６】上記(ii)の方法としては、例えば、プライ
マー法や気体処理法等が挙げられる。上記シラン化合物
を、適当な溶剤と混合し、例えばスピンコーター等を用
いてゲート絶縁膜１３表面や透明導電膜１７・１７’表
面に塗布した後、乾燥させる方法がプライマー法であ
り、シラン化合物を含む溶液を乾燥空気や窒素ガス等の
ガスでゲート絶縁膜１３表面や透明導電膜１７・１７’
表面に噴霧することにより処理する方法が気体処理法で
ある。 【００６７】上記溶剤としては、例えば、水、アルコー
ル、酢酸水溶液（濃度０．０１重量％〜０．１重量
％）、トルエン、キシレン、酢酸エチル、メチルエチル
ケトン、アセトン等が挙げられるが、シラン化合物を溶
解あるいは分散させることが可能な溶剤であれば、特に
限定されるものではない。これら溶剤は、一種類のみを
用いてもよく、適宜二種類以上を混合して用いてもよ
い。これら溶剤のなかでも、アルコールまたはアルコー
ルと水との混合溶剤が好ましい。 【００６８】上記シラン化合物の濃度は、特に限定され
るものではないが、０．０１重量％〜１０重量％の範囲
内が好ましい。また、ゲート絶縁膜１３表面や透明導電
膜１７・１７’表面に塗布したシラン化合物を含む溶液
を乾燥させる際の乾燥条件は、特に限定されるものでは
なく、シラン化合物に添加した溶剤が除去できさえすれ
ばよい。上記乾燥温度（加熱温度）としては、用いる溶
剤にもよるが、１２０℃〜１４０℃の範囲内が好まし
い。乾燥時間（加熱時間）としては、用いる溶剤の種類
や乾燥温度に応じて適宜設定すればよく、特に限定され
るものではないが、約１０分間が一つの目安である。 【００６９】上記シラン化合物の使用量、即ち、必要な
シラン化合物の量は、シラン化合物の最小被覆面積によ
って決まる。つまり、シラン化合物の使用量は、次式 【００７０】 【数１】 【００７１】で与えられる。このとき、シラン化合物の
膜厚は、用いるシラン化合物の種類にもよるが、１ｎｍ
〜５０ｎｍの範囲内となるように設定することが好まし
く、上記処理による効果を最も高めるためには、シラン
化合物が単分子膜を形成するように設定することが最も
好ましい。 【００７２】また、上記気体処理法を用いる場合には、
例えば、図３に示す基板表面処理手段としてのシラン化
合物処理装置を備える表示素子用基板製造装置が好適に
用いられる。上記シラン化合物処理装置は、シラン化合
物を含むガスの流入口２２と流出口２３とを有するチャ
ンバー２１を備え、上記チャンバー２１内には、基板を
載置し、加熱するための基板吸着口付きホットステージ
（以下、単にホットステージと記す）２５が設けられて
いる。 【００７３】上記製造装置を用いて処理対象となる膜、
例えばゲート絶縁膜１３表面をシラン化合物で処理する
場合には、まず、上記ホットステージ２５上に、ゲート
絶縁膜１３形成後の絶縁性基板１１（以下、基板２４と
記す）を載置する。次に、乾燥空気または乾燥窒素を９
９容量％の割合で含むガス２６を、シラン化合物含有溶
液２８を入れた容器２７内に導入してバブリングし、ガ
ス状のシラン化合物を含有する空気または窒素等の混合
ガスを、流入口２２よりチャンバー２１内に導入する。
そして、チャンバー２１内を上記混合ガスで置換した
後、上記ホットステージ２５によって上記基板２４を加
熱することにより、基板２４をシラン化合物により表面
処理する。 【００７４】尚、上記図３では、チャンバー２１に流出
口２３を設けたが、ガス置換可能であれば、流出口２３
は省略してもよい。また、上記ホットステージ２５は、
基板２４が乾燥していれば省略してもよい。 【００７５】上記気体処理法を用いる場合には、上記表
示素子用基板製造装置を用いずに、シラン化合物含有溶
液２８を直接基板２４に噴霧し、ホットステージ２５上
で乾燥させる方法を用いることもできる。しかしなが
ら、上記表示素子用基板製造装置を用いることで、基板
２４にシラン化合物を均一に付着させることが可能であ
り、また、チャンバー２１内の混合ガス濃度を高め、し
かも、基板２４をホットステージ２５で加熱する際の熱
損失を少なくすることができる。従って、上記製造装置
を用いることで、シラン化合物によりゲート絶縁膜１３
表面や透明導電膜１７・１７’表面をより一層効率的か
つ容易に処理することができる。 【００７６】また、上記気体処理法を用いる場合のチャ
ンバー２１内の圧力は、特に限定されるものではない
が、０．５気圧以上に設定することが好ましい。 【００７７】尚、上記(ii)では、ゲート絶縁膜１３表面
や透明導電膜１７・１７’表面の表面処理について述べ
たが、これに限定されるものではなく、透明導電膜から
なる画素電極１表面や層間絶縁膜１９表面についても同
様に処理することができる。 【００７８】また、このように、画素電極１に対しても
シラン化合物により表面処理を施すことで、画素電極１
と配向膜との密着性や、画素電極１の物理的強度を高
め、さらに信頼性の高いアクティブマトリクス基板を得
ることができる。 【００７９】また、上記(ii)の方法を採用する場合に
は、シラン化合物による処理対象となる膜を構成する材
料の種類に応じて、用いるシラン化合物を使い分けるこ
とができる。つまり、膜の種類に応じて、最も効果的な
シラン化合物を用いることにより、さらに密着性や物理
的強度に優れるアクティブマトリクス基板を得ることが
できる。 【００８０】例えば、ゲート絶縁膜１３がＳｉＮｘから
なり、層間絶縁膜１９がアクリル樹脂からなる場合に、
ゲート絶縁膜１３表面をシラン化合物処理することによ
りゲート絶縁膜１３と層間絶縁膜１９との密着性の向上
を図る場合には、アルキル基およびアルコキシ基を末端
基として有するシラン化合物や、エポキシ基、アミノ
基、ポリエーテル基からなる群より選ばれる一種の官能
基とアルコキシ基とを末端基として有するシラン化合物
等を用いることが好ましい。そして、上記シラン化合物
のなかでも、アルキル基およびアルコキシ基を末端基と
して有する化合物（具体的には、ＡＹ４３−２０４（商
品名；東レダウコーニング社製ｎ−ブチルトリメトキシ
シラン）、ＳＺ−６０７８（商品名；東レダウコーニン
グ社製ジメチルジエトキシシラン）等）や、ポリエーテ
ル基とエトキシ基とを有する化合物（例えばＫＢＭ−６
４１（商品名；信越化学工業株式会社製ポリエーテルト
リメチルシラン）等）、アミノ基とエトキシ基とを有す
る化合物（例えばＫＢＭ−９０３（商品名；信越化学工
業株式会社製γ−アミノプロピルトリエトキシシラン）
等）がさらに好ましく、濡れ性の点から、アルキル基お
よびアルコキシ基を末端基として有する化合物およびポ
リエーテル基とエトキシ基とを有する化合物が特に好ま
しい。また、上記濡れ性は、例えば、膜に対する接触角
により評価することができる。この場合には、接触角が
１０°以下となるようなシラン化合物が好ましい。尚、
上記シラン化合物処理を行う前に紫外線等により洗浄処
理を行うことで濡れ性を向上させることができる。 【００８１】また、透明導電膜１７・１７’がＩＴＯか
らなり、層間絶縁膜１９がアクリル樹脂からなる場合
に、透明導電膜１７・１７’表面をシラン化合物処理す
ることにより透明導電膜１７・１７’と層間絶縁膜１９
との密着性の向上を図る場合には、ポリエーテル基とエ
トキシ基とを有するシラン化合物（例えばＫＢＭ−６４
１（商品名；信越化学工業株式会社製ポリエーテルトリ
メチルシラン）等）等を用いることが好ましい。 【００８２】このように、ゲート絶縁膜１３、透明導電
膜１７・１７’、あるいは層間絶縁膜１９をシラン化合
物で処理すると、図４に示すように、例えば、上記ゲー
ト絶縁膜１３や透明導電膜１７・１７’を構成する無機
材料と、層間絶縁膜１９を構成する有機材料との間に化
学共有結合が生じる。まず、シラン化合物が加水分解を
受けてシラノールとなり、無機材料の表面とシロキサン
結合を形成する。一方、前記Ｘで表される官能基が有機
物表面と反応して架橋する。 【００８３】従って、上記ゲート絶縁膜１３や透明導電
膜１７・１７’、あるいは層間絶縁膜１９をシラン化合
物で処理することで、例えば無機材料の有機材料に対す
る接着性を向上させることができ、上記ゲート絶縁膜１
３、透明導電膜１７・１７’と層間絶縁膜１９との密着
性を向上させることができる。しかも、上記ゲート絶縁
膜１３、透明導電膜１７・１７’、および層間絶縁膜１
９から選ばれる少なくとも一種の膜をシラン化合物で処
理することで、各々の膜の物理的強度を高め、得られる
アクティブマトリクス基板の物理的強度を向上させるこ
とができると共に、得られるアクティブマトリクス基板
の高湿度下における物理的強度の低下を抑えることがで
きる。 【００８４】このようにして得られた上記アクティブマ
トリクス基板および該アクティブマトリクス基板を用い
た液晶表示素子の接着強度は１０ｋｇ／ｃｍ² 〜３０ｋ
ｇ／ｃｍ² と、従来と比べて格段に向上する。また、上
記アクティブマトリクス基板および液晶表示素子は、Ｐ
ＣＴで２４時間保存した後でも、シール部あるいは画素
部において、ゲート絶縁膜１３、透明導電膜１７・１
７’と層間絶縁膜１９との間で膜剥がれが生じない。し
かも、例えばコンタクトホール６開口後の洗浄工程にお
いて、層間絶縁膜１９が膨潤して剥がれることがなく、
アクティブマトリクス基板あるいは液晶表示素子として
の性能が損なわれることがない。従って、上記の構成に
よれば、保存安定性を高め、信頼性の高いアクティブマ
トリクス基板を得ることができる。 【００８５】また、上記の説明では、画素電極１とドレ
イン電極１６ｂとを接続する際に、接続電極５として、
透明導電膜１７’を用いた構成としたが、画素電極１と
ドレイン電極１６ｂとがコンタクトホール６を介して直
接接続されている構成としてもよい。 【００８６】さらに、上記の説明では、ゲート電極１２
が絶縁性基板１１側に設けられたいわゆる逆スタガ型の
ＴＦＴ４を有するアクティブマトリクス基板について説
明したが、ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂ
が絶縁性基板１１側に設けられたいわゆるスタガ型のＴ
ＦＴを用いてもよい。 【００８７】また、上記スイッチング素子としては、Ｔ
ＦＴに限定されるものではなく、例えば、ＭＩＭ（Meta
l-insulator-metal(diode)) 等、種々のスイッチング素
子を用いることもできる。 【００８８】また、本実施の形態では、表示素子用基板
として、アクティブマトリクス基板を用いたが、上記表
示素子用基板としては、有機絶縁膜と無機絶縁膜あるい
は透明導電膜とが接触する構成を有するものであれば、
特に限定されるものではない。また、本実施の形態で
は、上記表示素子用基板を用いた表示素子として、液晶
表示素子を例に挙げて説明したが、これに限定されるも
のではなく、電気光学特性を有する表示媒体を有する表
示素子全般に適用することができる。 【００８９】何れの場合でも、透明導電膜や無機絶縁膜
と有機絶縁膜とが接触する場合に、透明導電膜や無機絶
縁膜あるいは有機絶縁膜をシラン化合物で処理すること
により、透明導電膜や無機絶縁膜と有機絶縁膜との密着
性に優れた表示素子用基板を得ることができる。従っ
て、上記表示素子用基板を用いれば、信頼性の高い表示
素子を得ることができる。 【００９０】上記表示素子用基板は、例えば大型表示装
置、カーナビゲーション、ラップトップ型パソコン等の
ＯＡ機器やＡＶ機器等に用いられる表示素子に好適に用
いられる。 【００９１】 【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるも
のではない。尚、以下の実施例では、透明導電膜、無機
絶縁膜に対する有機絶縁膜の密着性について評価した。
以下、上記透明導電膜にはＩＴＯを用い、無機絶縁膜に
はＳｉＮｘを用い、有機絶縁膜には、アルカリ性溶液で
現像できる透明な感光性のアクリル樹脂を用いた。ま
た、上記アクリル樹脂のベースポリマーには、メタクリ
ル酸とグリシルメタクリレートとを重合させてなるポリ
マーを用い、感光剤には、ポジ型感光剤としてのナフト
キシジアジド系化合物を用いた。また、実施例に記載の
「％」は「重量％」を示す。 〔実施例１〕まず、有機絶縁膜となるアクリル樹脂に、
シラン化合物としてのＫＢＭ−６４１（商品名；信越化
学工業株式会社製ポリエーテルトリメチルシラン）を、
各々、(a) ０．２５％、(b) ０．５％、(c) １．０％、
(d) ２．０％、(e) ４．０％となるように混合して、超
音波で１０分間均一に攪拌して混合物を得た。 【００９２】その後、上記混合物を、ＮａＯＨ２％水溶
液で２０分間超音波洗浄した後、純水でさらに１０分間
超音波洗浄した。 【００９３】次に、予めＩＰＡ(isopropyl alcohol) を
用いて２４０秒間蒸気乾燥を施した５インチ角のＳｉＮ
ｘ基板およびＩＴＯ基板上に、上記混合物をスピンコー
ターで塗布することにより、有機絶縁膜を形成した。こ
のときのスピン条件は、以下に示す通りである。 【００９４】 （スピン条件） ０ｒｐｍ → ８００ｒｐｍ → ０ｒｐｍ 1.6sec. 10sec. 1.6sec. 次に、上記有機絶縁膜を、９０℃で３００秒間プリベー
クした後、２２０℃で６０分間ポストベークした。 【００９５】その後、上記有機絶縁膜が積層された各基
板（以下、基板３１と記す）を、８．５ｃｍ×２．０ｃ
ｍとなるように切断した。次いで、図５に示すように、
上記基板３１上に、５μｍのスペーサーを混合した熱硬
化型のシール材（三井東圧化学株式会社製；商品名 ス
トラクトボンドＸＮ−２１Ｓ）３２を一定量滴下して、
８０℃で３０分間レベリングした。続いて、この基板３
１を、この基板３１と同一サイズのＩＴＯ基板３３と十
字に貼り合わせ、クリップで固定した後、１８０℃で９
０分間焼成して十字セル３４を得た。 【００９６】その後、上記十字セル３４を固定台３５上
に配置して、基板３１における上記シール材３２の中心
から２．５ｃｍの位置に、直径１０ｍｍの球３６を載置
して加重することにより、いわゆるピーリングテストを
行い、十字セル３４の接着強度（ｋｇ／ｃｍ² ）を測定
した。尚、ピーリングテストは、島津製作所製オートグ
ラフを用いて、上記(a) 〜(e) の各濃度のものにつき３
セルづつ行った。 【００９７】上記基板３１としてＳｉＮｘ基板を用いた
ときの測定結果を図６に示す。上図において、横軸は、
アクリル樹脂に対するＫＢＭ−６４１のブレンド濃度を
示し、縦軸は、有機絶縁膜にＫＢＭ−６４１によるシラ
ン処理を施していない場合における十字セル３４の接着
強度を１としたときの平均の相対強度（接着強度比）を
示す。 【００９８】さらに、上記十字セル３４を用いてプレッ
シャークッカーテスト（ＰＣＴ）を行い、２４時間保存
後の十字セル３４に対して上記と同様のピーリングテス
トを行った。この結果を併せて図６に示す。 【００９９】図６の結果から、上記ＫＢＭ−６４１によ
る処理を行った十字セル３４の接着強度は、何れもＫＢ
Ｍ−６４１による処理を施していない十字セル３４の接
着強度に比べて高いことが判った。さらに、ＫＢＭ−６
４１を用いた場合、ＫＢＭ−６４１を０．５％混合した
ときにＰＣＴ前の接着強度比が最大になるが、ＫＢＭ−
６４１を０．２５％混合したときにＰＣＴ後の接着力の
低下が最も小さいことが判った。従って、上記ブレンド
濃度を０．２５％としたときに、ＰＣＴ前後で共に十字
セル３４の接着強度に優れることから、ＫＢＭ−６４１
の最適な添加量は０．２５％であることが判る。上記ブ
レンド法は、現行のプロセス装置を変更することなく、
層間絶縁膜１９を構成する有機材料にシラン化合物を混
ぜるだけでよいので非常に簡便である。 〔参考例１〕まず、水：メタノール＝１：２の混合溶媒
に対し、上記ＫＢＭ−６４１を１％の割合で加え、超音
波で１０分間均一に撹絆することにより混合溶液を得
た。次いで、予めＩＰＡを用いて２４０秒間蒸気乾燥を
施した５インチ角のＩＴＯ基板、ＳｉＮｘ基板上に、上
記混合溶液をスピンコーターで塗布した。スピン条件は
以下に示す通りである。 【０１００】 （スピン条件） ０ｒｐｍ → １５００ｒｐｍ → ０ｒｐｍ １sec. 20sec. １sec. その後、上記混合溶液塗布後の各基板を、１２０℃で１
０分間焼成した。 【０１０１】次に、上記各基板上に、アクリル樹脂を、
スピンコーターを用いて実施例１と同様のスピン条件に
より塗布して有機絶縁膜を形成した。次いで、この有機
絶縁膜を、９０℃で３００秒間プリベークした後、２２
０℃で６０分間ポストベークした。 【０１０２】その後、有機絶縁膜が積層された上記各基
板を用いて、実施例１と同様の方法により十字セル３４
を形成し、実施例１と同様のピーリングテストを行っ
た。これにより、ＫＢＭ−６４１によるシラン処理を施
していないＩＴＯ基板あるいはＳｉＮｘ基板を用いた場
合における十字セル３４の接着強度を１としたときの平
均の相対強度（接着強度比）を求めた。 【０１０３】さらに、上記十字セル３４を用いてプレッ
シャークッカーテスト（ＰＣＴ）を行い、２４時間保存
後の十字セル３４に対して上記と同様のピーリングテス
トを行った。この結果を併せて表１に示す。 【０１０４】 【表１】 【０１０５】表１に記載の結果から、ＫＢＭ−６４１に
より処理した基板がＩＴＯ基板であるかＳｉＮｘ基板で
あるかに関わらず、ＰＣＴ前の接着強度は、シラン化合
物処理を行っていない場合と比較して向上することが判
った。また、ＫＢＭ−６４１により処理した基板がＳｉ
Ｎｘ基板の場合にはＰＣＴ後の接着強度の向上は見られ
なかったが、シラン化合物により処理した基板がＩＴＯ
基板の場合には、ＰＣＴ後の接着強度についてもシラン
化合物処理を行っていない場合と比較して向上すること
が判った。 〔実施例２〕上記実施例１および参考例１において、Ｋ
ＢＭ−６４１に代えて、シラン化合物として、ＫＢＭ−
３０３（商品名；信越化学工業株式会社製β−（３，４
−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン）、ＫＢＥ−４０２（商品名；信越化学工業株式会社
製γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラ
ン）、ＫＢＭ−６０３（商品名；信越化学工業株式会社
製Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメト
キシシラン）、ＫＢＭ−９０３（商品名；信越化学工業
株式会社製γ−アミノプロピルトリエトキシシラン）、
ＡＹ４３−２０４（商品名；東レダウコーニング社製ｎ
−ブチルトリメトキシシラン）、またはＳＺ−６０７８
（商品名；東レダウコーニング社製ジメチルジエトキシ
シラン）を用いた以外は、実施例１および参考例１と同
様の方法を用いて十字セル３４の接着強度比を求めた。 【０１０６】この結果、有機絶縁膜となるアクリル樹脂
へのブレンド処理では、ＫＢＭ−６０３およびＫＢＭ−
９０３は樹脂材料がゲル化し、ＫＢＭ−３０３およびＫ
ＢＥ−４０２については、基板の種類に関わらず接着強
度の向上が見られず、ＩＴＯ基板とＩＴＯ基板との組み
合わせにおけるプライマー処理では何れの化合物を用い
た場合でも接着強度はほとんど向上しなかった。しかし
ながら、ＩＴＯ基板とＳｉＮｘ基板との組み合わせでは
何れも接着強度の向上が認められた。これらの結果か
ら、上記ＫＢＭ−６０３、ＫＢＭ−９０３、ＫＢＭ−３
０３、およびＫＢＥ−４０２は、ＳｉＮｘ基板表面への
プライマー処理を行う場合に効果的であることが判る。 【０１０７】また、上記ＳＺ−６０７８は、ＩＴＯ基板
とＩＴＯ基板との組み合わせでは接着強度の向上は見ら
れなかったが、ＩＴＯ基板とＳｉＮｘ基板との組み合わ
せでは、ブレンド処理、プライマー処理ともに接着強度
の向上が認められた。特に、上記ＳＺ−６０７８を用い
た場合、プライマー処理では、接着強度比３．７と、従
来と比較して非常に高い接着強度が得られた。さらに、
上記ＡＹ４３−２０４を用いた場合には、ブレンド処
理、および、ＩＴＯ基板とＩＴＯ基板との組み合わせに
おけるプライマー処理では接着強度の向上は見られなか
ったが、ＩＴＯ基板とＳｉＮｘ基板との組み合わせにお
けるプライマー処理では、接着強度比３．０と、従来と
比較して非常に高い接着強度が得られた。 【０１０８】 【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス基板は、
以上のように、画素部における断面構造が、絶縁性基板
／ゲート絶縁膜としての無機絶縁膜／層間絶縁膜として
の有機絶縁膜／画素電極としての透明導電膜となってい
るアクティブマトリクス基板において、上記有機絶縁膜
を形成する樹脂に、シラザン、クロロシランからなる群
より選ばれる少なくとも一種の化合物がブレンドされて
おり、かつ上記有機絶縁膜が１．５μｍ以上の膜厚で形
成されている構成である。 【０１０９】上記の構成によれば、有機絶縁膜と、該有
機絶縁膜と接触する無機絶縁膜および／または透明導電
膜との間の密着性（接着強度）が向上する。 【０１１０】この結果、有機絶縁膜と、該有機絶縁膜と
接触する透明導電膜や無機絶縁膜との密着性に優れる信
頼性の高い表示素子用基板を提供することができる。上
記表示素子用基板は、透明導電膜や無機絶縁膜と有機絶
縁膜との密着性に格段に優れ、例えば、上記表示素子用
基板、あるいは、上記表示素子用基板を用いた表示素子
を、温度１２１℃、圧力２ａｔｍ、湿度９９％の条件下
で２４時間保存した場合でも、画素部、あるいは、表示
素子を形成する場合のシール部において、透明導電膜や
無機絶縁膜と有機絶縁膜との間で膜剥がれが生じない。
また、上記表示素子用基板を有機溶媒に浸漬した場合に
も、有機絶縁膜が膨潤して剥がれることがない。 【０１１１】また、上記有機絶縁膜がシラン化合物を含
む場合、シラン化合物を例えば塗布することにより膜の
表面処理を行う場合と比較して、処理回数が少なくて済
むので、より好ましい。 【０１１２】このように、無機絶縁膜または透明導電膜
の表面にシラン化合物を付着させることで、透明導電膜
や無機絶縁膜と、該透明導電膜や無機絶縁膜上に積層さ
れる有機絶縁膜との密着性を高め、信頼性の高い表示素
子用基板を提供することができるという効果を併せて奏
する。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の実施の一形態に係る表示素子用基板と
してのアクティブマトリクス基板の１画素部分の概略構
成を示す平面図である。尚、画素電極は二点鎖線で示
す。 【図２】図１のアクティブマトリクス基板におけるＡ−
Ａ線矢視断面図である。 【図３】表示素子用基板の製造装置におけるシラン化合
物処理装置を模式的に示す断面図である。 【図４】本発明のシラン化合物処理による化学反応のメ
カニズムについて説明する図である。 【図５】ピーリングテスト用の十字セルとその測定方法
について説明する図である。 【図６】有機絶縁膜材料として、シラン化合物をブレン
ドした感光性ポリマーを用いて十字セルを形成した場合
における十字セルの接着強度比とシラン化合物の濃度と
の関係を示すグラフである。 【符号の説明】 １ 画素電極（第２透明導電膜） ２ ゲート信号線 ３ ソース信号線 ４ ＴＦＴ ５ 接続電極（第１透明導電膜） ６ コンタクトホール １１ 絶縁性基板 １２ ゲート電極 １３ ゲート絶縁膜（無機絶縁膜） １４ 半導体層 １６ａ ソース電極 １６ｂ ドレイン電極 １７ 透明導電膜（第１透明導電膜） １７’ 透明導電膜（第１透明導電膜） １８ 金属層 １８’ 金属層 １９ 層間絶縁膜（有機絶縁膜） ２１ チャンバー ２２ 流入口 ２３ 流出口 ２４ 基板 ２５ ホットステージ ２６ ガス ２７ 容器 ２８ シラン化合物含有溶液

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 GA12 GA17 GA29 HA02 HA04 JA24 JA34 JA46 JB01 JB56 KA12 KB25 MA01 MA12 NA18 NA25 5C094 AA31 BA03 BA43 DA15 EA04 EA05 FB01 FB15 HA08 JA08 5F058 AA05 AA08 AD09 AD11 AG10 AH02 5F110 AA16 AA26 BB01 CC05 CC07 DD02 FF03 HK02 HK07 HK09 HK21 HL07 HL23 NN04 NN12 NN27 NN36 NN39 NN73

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】画素部における断面構造が、絶縁性基板／
   ゲート絶縁膜としての無機絶縁膜／層間絶縁膜としての
   有機絶縁膜／画素電極としての透明導電膜となっている
   アクティブマトリクス基板において、 上記有機絶縁膜を形成する樹脂に、シラザン、クロロシ
   ランからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物が
   ブレンドされており、かつ上記有機絶縁膜が１．５μｍ
   以上の膜厚で形成されていることを特徴とするアクティ
   ブマトリクス基板。