JPH1048586A

JPH1048586A - 表示素子用基板およびその製造方法並びにその製造装置

Info

Publication number: JPH1048586A
Application number: JP8205045A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Terashita; 慎一寺下; Shinji Yamagishi; 慎治山岸
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-08-02
Filing date: 1996-08-02
Publication date: 1998-02-20

Abstract

(57)【要約】【課題】膜同士の密着性に優れる信頼性の高い表示素
子用基板を提供する。【解決手段】絶縁性基板１１上に、ゲート電極１２、
無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１３、半導体層１４、
チャネル保護層１５、ソース電極１６ａおよびドレイン
電極１６ｂとなるｎ⁺Ｓｉ層を順に積層することでＴＦ
Ｔ４を形成する。次いで、上記ソース電極１６ａおよび
ドレイン電極１６ｂの端部に、透明導電膜１７・１７’
および金属層１８・１８’を形成する。その後、上記各
膜が積層された絶縁性基板１１を真空紫外線により洗浄
処理した後、さらに層間絶縁膜１９、画素電極１を順に
積層することにより、真空紫外線処理された膜と、該真
空紫外線処理された膜に隣接する膜との密着性に優れる
表示素子用基板を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば大型表示装
置、カーナビゲーション、ラップトップ型パソコン等の
ＯＡ（オフィスオートメーション）機器やＡＶ（オーデ
ィオビジュアル）機器等に用いられる表示素子用基板お
よびその製造方法並びに製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＯＡ機器やＡＶ機器として用いら
れる例えば大型表示装置、カーナビゲーション、ラップ
トップ型パソコン等は、軽量化、薄型化、低消費電力化
が要求されている。そこで、軽量かつ薄型で、消費電力
が小さい液晶表示素子等の表示素子は、きたるマルチメ
ディア社会でのキーデバイスとして、各種ＯＡ、ＡＶ機
器分野等で応用開発が進められている。

【０００３】上記液晶表示素子としては、従来、スイッ
チング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Fil
m Transistor）を備えたものが知られている。このよう
な構成を有する液晶表示素子には、電極基板近傍でネマ
ティック液晶分子が約９０℃ねじれているＴＮ（Twiste
d Nematic)表示モードや、上記ネマティック液晶分子が
１８０℃以上ねじれているＳＴＮ（Super Twisted Nema
tic)表示モードが多用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような液晶表示素
子において、開口率は、光の透過率、消費電力、視野角
特性等の液晶表示素子としての表示性能に大きく関係す
る。

【０００５】そこで、開口率を向上させるために、例え
ば、絶縁性基板上に、ゲート信号線とソース信号線と
が互いに交差するように設けられ、ゲート信号線とソー
ス信号線との交差部近傍にスイッチング素子が設けら
れ、このスイッチング素子のゲート電極にゲート信号線
が接続される一方、ソース電極に上記ソース信号線が接
続され、上記スイッチング素子、ゲート信号線およびソ
ース信号線の上部に、可視光領域において高透過率の感
光性有機薄膜からなる層間絶縁膜、透明導電膜からなる
画素電極が順に積層され、この画素電極に上記スイッチ
ング素子のドレイン電極が接続されているアクティブマ
トリクス基板や、絶縁性基板上に、ゲート信号線とソース信号線とが互
いに交差するように設けられ、ゲート信号線とソース信
号線との交差部近傍にスイッチング素子が設けられ、こ
のスイッチング素子のゲート電極にゲート信号線が接続
される一方、ソース電極に上記ソース信号線が接続さ
れ、ドレイン電極に、透明導電膜からなる接続電極を介
して画素電極が設けられ、上記スイッチング素子、ゲー
ト信号線、ソース信号線、および接続電極の上部に、可
視光領域において高透過率の感光性有機薄膜からなる層
間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜上に、上記画素電極
が、少なくともゲート信号線およびソース信号線のうち
少なくとも何れか一方と、少なくとも一部が重なるよう
に設けられたアクティブマトリクス基板を有する透過型
液晶表示素子が考えられる。

【０００６】以下に、例えば、上記の構成を有するア
クティブマトリクス基板および該アクティブマトリクス
基板を用いた液晶表示素子の概略構成について、本発明
で使用する図１および図２を参照して以下に説明する。
図１は、上記構成を有するアクティブマトリクス基板の
１画素部分の構成を示す平面図であり、図２は図１に示
すアクティブマトリクス基板のＡ−Ａ線矢視断面図であ
る。

【０００７】上記液晶表示素子において、アクティブマ
トリクス基板には、図１に示すように、複数の画素電極
１がマトリクス状に設けられている。そして、これらの
画素電極１の周囲には、走査配線としてのゲート信号線
２と、信号配線としてのソース信号線３とが、画素電極
１の外周部分において互いに直交（オーバーラップ）す
るように設けられている。また、ゲート信号線２とソー
ス信号線３との交差部分には、画素電極１に接続される
スイッチング素子としてのＴＦＴ４が設けられている。
さらに、ＴＦＴ４のドレイン電極は、接続電極５および
コンタクトホール６を介して画素電極１と接続されると
共に、接続電極５を介して画素の付加容量の一方の電極
５ａと接続されている。一方、付加容量の他方の電極７
は、対向基板に設けられる対向電極（図示せず）に接続
されている。

【０００８】上記アクティブマトリクス基板は、図２に
示すように、ガラス等からなる透明な絶縁性基板１１上
に、ゲート電極１２、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜
１３、半導体層１４、チャネル保護層１５、ソース電極
１６ａおよびドレイン電極１６ｂとなるｎ⁺Ｓｉ層、第
１の透明導電膜である透明導電膜１７・１７’、金属層
１８・１８’、有機絶縁膜からなる層間絶縁膜１９、お
よび画素電極１となる第２の透明導電膜が、順次形成さ
れた構成である。そして、上記画素電極１は、図１およ
び図２に示すように、層間絶縁膜１９を貫くコンタクト
ホール６を介して、接続電極５である透明導電膜１７’
によりＴＦＴ４のドレイン電極１６ｂに接続されてい
る。

【０００９】そして、上記画素電極１上には、図示しな
い配向膜が形成され、図示しない対向基板と上記アクテ
ィブマトリクス基板とを貼り合わせ、その間隙に液晶
（図示せず）を導入することにより、透過型液晶表示素
子が形成される。

【００１０】このように、上記の構成では、層間絶縁膜
１９が、ゲート信号線２およびソース信号線３と画素電
極１との間に形成されているため、上記ゲート信号線２
およびソース信号線３に対して画素電極１をオーバーラ
ップさせることが可能となる。従って、上記の構成によ
れば、開口率の高い透過型液晶表示素子を得ることがで
きる。

【００１１】上記の説明からも判るように、上記、
の構成を有する液晶表示素子における画素部でのアクテ
ィブマトリクス基板の断面構造は、絶縁性基板／第１の
透明導電膜または無機絶縁膜／有機絶縁膜／第２の透明
導電膜／配向膜であり、シール部付近の断面構造は絶縁
性基板／第１の透明導電膜または無機絶縁膜／有機絶縁
膜／シール部材となっている。

【００１２】しかしながら、上記透明導電膜および無機
絶縁膜に対する有機絶縁膜の密着性はあまり良くない。
このため、上記アクティブマトリクス基板あるいはこの
アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示素子は、接
着強度が５ｋｇ／ｃｍ²〜８ｋｇ／ｃｍ²程度と低く、
また、例えば、プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）
で１８時間保存後、シール部あるいは画素部において透
明導電膜または無機絶縁膜と有機絶縁膜との間で膜剥が
れが生じる。尚、上記ＰＣＴとは、温度１２１℃、圧力
２ａｔｍ、湿度９９％における保存試験のことである。

【００１３】また、上記有機絶縁膜と、透明導電膜を構
成するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）や、金属層を構成す
るＴａ、Ａ１等の金属との密着性にも問題がある。この
ため、例えば、コンタクトホール開口後の洗浄工程にお
いて、コンタクトホールの開口部から、有機絶縁膜と、
透明導電膜や金属層との間の界面に洗浄液が浸入し、有
機絶縁膜である層間絶縁膜が剥がれるという問題を引き
起こす。

【００１４】さらに、上記有機絶縁膜上に積層した透明
導電膜をパターニングして画素電極を形成する際にも、
レジスト剥離液（例えばＤＭＳＯ等）によって有機絶縁
膜を構成する樹脂が膨潤し、やはり膜剥がれが生じる。

【００１５】このような膜剥がれは、これら液晶表示素
子等の表示素子の寿命を速めると共に、信頼性の低下に
つながる。このため、これら表示素子に用いられる基板
を構成する膜同士の密着性に優れる基板が嘱望されてい
る。

【００１６】ところで、上記表示素子に用いられる基板
を構成する膜同士、例えば、無機絶縁膜や透明導電膜と
有機絶縁膜との密着性を向上させる方法としては、例え
ば、透明導電膜や無機絶縁膜の表面を洗浄する方法が考
えられる。従来、上記の洗浄方法としては、主に１８５
ｎｍおよび２５４ｎｍの光を放射する低圧水銀ランプを
用いた洗浄方法が知られている。

【００１７】上記低圧水銀ランプによる洗浄機構は以下
の通りである。Ｏ₂＋ｈν（１８５ｎｍの紫外線）→ Ｏ₃ …（Ｉ）Ｏ₃＋ｈν（２５４ｎｍの紫外線）→ Ｏ₂＋Ｏ(¹Ｄ） …（II）Ｃ_kＨ_mＯ_n＋ｈν（１８５ｎｍの紫外線） → kＣ¹＋m Ｈ¹＋ nＯ¹ …（III) kＣ¹＋ mＨ¹＋ nＯ¹＋Ｏ(¹Ｄ） →a ＣＯ＋ bＣＯ₂＋ cＨ₂Ｏ …（IV）まず、一般式（Ｉ）に示すように、１８５ｎｍの紫外線
が空気中の酸素に吸収されてオゾンが発生する。次い
で、一般式（II）に示すように、このオゾンに２５４ｎ
ｍの紫外線が吸収されて励起酸素原子が生成する。そし
て、一般式（III)に示すように、基板等に付着した有機
物が光子エネルギーの強い１８５ｎｍの短波長紫外線に
より分解され、さらに、この分解物と酸化力の強い励起
酸素原子とが反応して二酸化炭素や水等の揮発性物質に
変化する。

【００１８】しかしながら、上記低圧水銀ランプによる
洗浄は、上記透明導電膜や無機絶縁膜と有機絶縁膜との
密着性を充分に向上させ得るものではなく、上記透明導
電膜や無機絶縁膜を低圧水銀ランプの光照射後に純水で
洗浄した場合の上記密着性はほとんど向上しない。

【００１９】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、その目的は、表示素子用基板を構成する膜同士
の密着性に優れ、信頼性の高い表示素子を得ることがで
きる表示素子用基板およびその製造方法並びにその製造
装置を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
表示素子用基板は、上記の課題を解決するために、真空
紫外線で処理された処理表面を有する第１の膜（例えば
透明導電膜であるＩＴＯ膜および／または無機絶縁膜）
上に第２の膜（例えば有機絶縁膜）が積層されているこ
とを特徴としている。

【００２１】本発明の請求項２記載の表示素子用基板
は、上記の課題を解決するために、オゾン雰囲気下で紫
外線処理された処理表面を有する第１の膜上に第２の膜
が積層されていることを特徴としている。

【００２２】本発明の請求項３記載の表示素子用基板
は、上記の課題を解決するために、請求項１または２記
載の表示素子用基板において、上記処理表面がさらに純
水または有機溶剤で洗浄されていることを特徴としてい
る。

【００２３】本発明の請求項４記載の表示素子用基板
は、上記の課題を解決するために、請求項１〜３の何れ
か１項に記載の表示素子用基板において、上記第１の膜
および第２の膜のうち少なくとも一方の膜がシラン化合
物で処理されていることを特徴としている。

【００２４】本発明の請求項５記載の表示素子用基板の
製造方法は、上記の課題を解決するために、第１の膜の
表面を真空紫外線で処理した後、上記第１の膜上に第２
の膜を積層することを特徴としている。

【００２５】本発明の請求項６記載の表示素子用基板の
製造方法は、上記の課題を解決するために、第１の膜の
表面をオゾン雰囲気下で紫外線処理した後、上記第１の
膜上に第２の膜を積層することを特徴としている。

【００２６】本発明の請求項７記載の表示素子用基板の
製造装置は、上記の課題を解決するために、表示素子用
基板に真空紫外線を照射する真空紫外線照射部（例えば
真空紫外線発生部としてのエキシマーランプ）を有する
基板洗浄手段（真空紫外線処理装置）が設けられている
ことを特徴としている。

【００２７】本発明の請求項８記載の表示素子用基板の
製造装置は、上記の課題を解決するために、表示素子用
基板に紫外線を照射する紫外線照射部（例えば紫外線発
生部としての低圧水銀ランプ）と、上記紫外線照射部に
よる紫外線照射域をオゾン雰囲気にするためのオゾン発
生部（例えばオゾン発生装置）とを有する基板洗浄手段
（例えば紫外線処理装置）が設けられていることを特徴
としている。

【００２８】以上のように、上記第１の膜の表面を真空
紫外線処理あるいはオゾン雰囲気下で紫外線処理するこ
とにより、膜同士の密着性に優れる表示素子用基板を提
供することができる。また、上記真空紫外線処理あるい
はオゾン雰囲気下で紫外線処理された第１の膜をさらに
純水および／または有機溶剤で洗浄したり、上記第１の
膜および第２の膜から選ばれる少なくとも一方の膜をシ
ラン化合物で処理することで、より一層膜同士の密着性
を向上させることができる。従って、上記表示素子用基
板を用いれば、信頼性の高い表示素子を得ることができ
る。

【００２９】上記表示素子用基板は、該表示素子用基板
を構成する膜同士の密着性に格段に優れ、例えば、上記
表示素子用基板あるいは上記表示素子用基板を用いた表
示素子を、温度１２１℃、圧力２ａｔｍ、湿度９９％の
条件下で２４時間保存した場合でも、画素部、あるい
は、表示素子を形成する場合のシール部において、膜剥
がれが生じない。つまり、例えば、上記第１の膜とし
て、有機絶縁膜と隣接する膜、例えば、無機絶縁膜（透
明導電膜からなる接続電極を有する場合には、無機絶縁
膜および透明導電膜）の表面を真空紫外線処理あるいは
オゾン雰囲気下で紫外線処理することで、有機絶縁膜の
膜剥がれを防止することができる。また、上記の方法に
よれば、その製造工程で、上記表示素子用基板を有機溶
媒に浸漬した場合にも、有機絶縁膜が膨潤して剥がれる
ことがない。

【００３０】

【発明の実施の形態】

〔実施の形態１〕本発明の実施の一形態について図１な
いし図６に基づいて説明すれば、以下のとおりである。

【００３１】最初に、本実施の形態における表示素子用
基板としてのアクティブマトリクス基板、および、該ア
クティブマトリクス基板を用いた表示素子としての液晶
表示素子の概略構成について、製造方法と共に、図１お
よび図２を参照しながら説明する。

【００３２】上記アクティブマトリクス基板には、図１
に示すように、複数の画素電極１がマトリクス状に設け
られている。そして、これらの画素電極１の周囲には、
走査配線としてのゲート信号線２と、信号配線としての
ソース信号線３とが、画素電極１の外周部分において互
いに直交（オーバーラップ）するように設けられてい
る。また、ゲート信号線２とソース信号線３の交差部分
には、画素電極１に接続されるスイッチング素子として
の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）
４が設けられている。このＴＦＴ４のゲート電極にはゲ
ート信号線２が接続され、ゲート信号線２からゲート電
極に走査信号が入力される。また、ＴＦＴ４のソース電
極にはソース信号線３が接続され、ソース信号線３から
ソース電極にデータ信号が入力される。さらに、ＴＦＴ
４のドレイン電極は、接続電極５およびコンタクトホー
ル６を介して画素電極１と接続されると共に、接続電極
５を介して画素の付加容量の一方の電極５ａと接続され
ている。一方、付加容量の他方の電極７は、対向基板に
設けられる対向電極（図示せず）に接続されている。

【００３３】上記アクティブマトリクス基板を形成する
際には、まず、透明な絶縁性基板１１上に、図１に示す
ように、互いに平行に配置されるゲート信号線２と、付
加容量の電極７とを形成する。また、上記ゲート信号線
２と同時に、ＴＦＴ４のゲート電極が形成される。

【００３４】上記ＴＦＴ４は、図２に示すように、ガラ
ス等からなる透明な絶縁性基板１１上に、ゲート電極１
２、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１３、半導体層１
４、チャネル保護層１５、ソース電極１６ａおよびドレ
イン電極１６ｂとなるｎ⁺Ｓｉ層を、周知の方法により
順次積層することにより構成されている。

【００３５】上記構成において、ゲート電極１２は、図
１に示すゲート信号線２に接続されており、ゲート絶縁
膜１３は、上記ゲート電極１２を覆うように絶縁性基板
１１上に設けられている。また、ゲート絶縁膜１３上に
は、上記半導体層１４が、ゲート絶縁膜１３を介してゲ
ート電極１２に重なるように設けられ、半導体層１４中
央部上にはチャネル保護層１５が設けられている。そし
て、上記ｎ⁺Ｓｉ層は、上記ゲート絶縁膜１３上に、チ
ャネル保護層１５の両端部及び半導体層１４を包み込む
ように、チャネル保護層１５上で分断された状態で設け
られている。

【００３６】上記ＴＦＴ４のチャネル保護層１５上で分
断された一方のｎ⁺Ｓｉ層であるドレイン電極１６ｂの
端部上には、第１の透明導電膜である透明導電膜１７’
と、金属層１８’とが設けられ、透明導電膜１７’は延
長されて、ドレイン電極１６ｂと画素電極１とを接続す
ると共に付加容量の一方の電極５ａに接続される接続電
極５となっている。また、チャネル保護層１５上で分断
されたもう一方のｎ⁺Ｓｉ層であるソース電極１６ａの
端部上には、ソース信号線３となる透明導電膜１７と金
属層１８とが設けられている。

【００３７】本実施の形態では、上記したように、ソー
ス信号線３を、透明導電膜１７と、金属層１８とによる
二層構造とした。上記構造は、金属層１８の一部に欠陥
があったとしても透明導電膜１７によって電気的接続が
保たれるので、ソース信号線３の断線を防止できるとい
う点で効果的である。

【００３８】また、上記ＴＦＴ４、ゲート信号線２、ソ
ース信号線３、および接続電極５の上部には、有機絶縁
膜からなる層間絶縁膜１９が形成されている。そして、
この層間絶縁膜１９を貫くように、上記接続電極５上
に、コンタクトホール６が形成される。上記アクティブ
マトリクス基板において、コンタクトホール６を形成す
る際には、まず、上記層間絶縁膜１９の材料として例え
ば感光性のアクリル樹脂を、上記ＴＦＴ４、ゲート信号
線２、ソース信号線３、接続電極５上に、例えばスピン
塗布法により３μｍの膜厚で形成する。次に、上記アク
リル樹脂を所望のパターンに従って露光し、アルカリ性
の溶液によって現像処理する。これにより、層間絶縁膜
１９における露光された部分のみがアルカリ性の溶液に
よってエッチングされ、層間絶縁膜１９を貫通するコン
タクトホール６が形成される。続いて、この層間絶縁膜
１９上に、透明導電膜をスパッタ法により成膜してパタ
ーニングすることにより、画素電極１が形成される。

【００３９】上記画素電極１は、図１および図２に示す
ように、層間絶縁膜１９を貫くコンタクトホール６を介
して、接続電極５である透明導電膜１７’によりＴＦＴ
４のドレイン電極１６ｂに接続される。そして、上記ア
クティブマトリクス基板の画素電極１上には、図示しな
い配向膜がさらに形成される。

【００４０】以上の工程により、スイッチング素子とし
てのＴＦＴ４がマトリクス状に配置され、ＴＦＴ４に走
査信号を供給するゲート信号線２および上記ＴＦＴ４に
データ信号を供給するソース信号線３が互いに直交して
形成されたアクティブマトリクス基板を作成することが
できる。

【００４１】上記の構成によれば、層間絶縁膜１９が、
ゲート信号線２、ソース信号線３と画素電極１との間に
形成されているため、開口率を向上させることができ
る。しかも、上記ゲート信号線２、ソース信号線３に対
して画素電極１をオーバーラップさせることが可能とな
る。これにより、信号線に起因する電界をシールドし、
液晶の配向不良を抑制できる。また、上記ドレイン電極
１６ｂと画素電極１とを接続する接続電極５が透明導電
膜により形成されていることで、一層開口率を向上させ
ることができる。

【００４２】また、上記アクティブマトリクス基板を、
透明絶縁膜基板の表面にブラックマトリクスやカラーフ
ィルタ、対向電極、および配向膜を順次積層してなる図
示しない対向基板と貼り合わせ、その間隙に液晶（図示
せず）を導入することにより、液晶表示素子が形成され
る。

【００４３】このようにして得られた上記アクティブマ
トリクス基板は、その画素部における断面構造が、例え
ば絶縁性基板１１／透明導電膜１７’またはゲート絶縁
膜１３／層間絶縁膜１９／画素電極１／配向膜であり、
液晶表示素子を形成する際のシール部付近の断面構造が
絶縁性基板１１／透明導電膜１７’またはゲート絶縁膜
１３／層間絶縁膜１９／シール部材となっている。

【００４４】本発明において、上記層間絶縁膜１９の材
料は、感光性ポリマーであることが好ましい。上記層間
絶縁膜１９を構成する樹脂に感光性ポリマーを用いるこ
とで、コンタクトホール６を形成する際に、パターニン
グ工程を露光のみによって行うことができるので、製造
工程を簡略化することができる。また、上記のアクティ
ブマトリクス基板において、層間絶縁膜１９の膜厚は、
１．５μｍ以上とすることが好ましい。上記の構成で
は、画素電極１、層間絶縁膜１９、およびスイッチング
素子であるＴＦＴ４が寄生容量を形成するので、層間絶
縁膜１９の膜厚を１．５μｍ以上とすることにより、寄
生容量を小さく抑えることが可能となる。この結果、上
記の構成を用いて液晶表示素子を形成した場合、良好な
表示品位を得ることができる。

【００４５】本発明において用いられる感光性ポリマー
は、可視光領域において透明であることが好ましく、そ
の光透過率は可視光領域において９０％以上であること
が好ましい。上記感光性ポリマーとしては、特に限定さ
れるものではないが、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、
ウレタン樹脂、ポリイミド、ポリエステル、ラバー、ジ
アリルフタレート樹脂、ポリプロピレン、ＥＰＤＭ（ey
hlene propylene diene methylene ）樹脂、メラミン樹
脂、ＡＢＳ（acrylonitrile butadiene styrene)樹脂、
塩化ビニル系感光性ポリマーからなる群より選ばれる少
なくとも一種の樹脂であることが好ましい。

【００４６】また、感光性ポリマーが感光剤とベースポ
リマーとで構成されている場合には、ネガ型のベースポ
リマーとしては、例えば、クロルメチル化ポリスチレ
ン、クロルメチル化ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ
（クロルα−メチルスチレン）、ポリクロルメチルスチ
レン、ポリハロゲノスチレン等のスチレン系ポリマー
や、エポキシアクリレート樹脂等が挙げられる。また、
ポジ型のベースポリマーとしては、例えば、ポリグリシ
ジルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート等が挙
げられる。ポジ型感光剤としてはナフトキノンジアジド
等が挙げられ、ネガ型感光剤としてはジアゾニウム塩系
化合物等が挙げられる。上記感光性ポリマーのなかで
も、可視光領域において透明であるエポキシアクリレー
ト樹脂、ポリグリシジルメタクリレート、スチレン系ポ
リマーが好ましい。

【００４７】尚、上記層間絶縁膜１９を構成する感光性
ポリマーが着色している場合でも、上記感光性ポリマー
を任意の形状にパターニングした後、例えば、感光性ポ
リマーに使用されている感光剤に紫外線を照射すること
により感光剤の消色を行うことができる。これにより、
上記層間絶縁膜１９の可視光領域の透過率を向上させる
ことができる。

【００４８】また、上記ゲート絶縁膜１３としては、Ｓ
ｉＮｘ（シリコン窒化膜）が好ましく、透明導電膜１７
・１７’および画素電極１としては、ＩＴＯが好まし
い。

【００４９】本発明において、上記ゲート絶縁膜１３や
透明導電膜１７・１７' を積層する際には、第１の膜と
しての上記ゲート絶縁膜１３や透明導電膜１７・１７'
と第２の膜としての層間絶縁膜１９との密着性を向上さ
せるために、上記ゲート絶縁膜１３や透明導電膜１７・
１７' を積層した後、これらゲート絶縁膜１３や透明導
電膜１７・１７' の表面を洗浄してから次の工程に移行
する。

【００５０】上記ゲート絶縁膜１３や透明導電膜１７・
１７' の表面の洗浄には、真空紫外線や紫外線の照射に
より生成する励起酸素原子が用いられる。そして、この
励起酸素原子濃度と光照射強度との２つの因子により、
膜表面の洗浄度や平滑度並びに洗浄速度が決定される。
尚、酸素からは１４７ｎｍ、オゾンからは２２０〜３１
０ｎｍの波長により励起酸素原子状態への遷移が起こ
る。従って、励起酸素原子への遷移数を増大させ、量子
効率を向上させるには、上記波長領域にできるだけ近い
波長の紫外線あるいは真空紫外線を用いることが好まし
い。

【００５１】上記励起酸素原子の生成に真空紫外線を用
いる場合には、例えば、キセノンガスが封入された誘電
体バリア放電エキシマーランプを用いることができる。
上記エキシマーランプは、幅１００ｎｍ程度、ピークト
ップ１７２ｎｍの輝線の光である。

【００５２】上記洗浄処理に上記のようなエキシマーラ
ンプを用いる場合の洗浄機構は以下の通りである。Ｏ₂＋ｈν（１７２ｎｍの紫外線）→ Ｏ₃ …（Ｖ）Ｏ₃＋ｈν（１７２ｎｍの紫外線）→ Ｏ₂＋Ｏ(¹Ｄ） …（VI）Ｏ₂＋ｈν（１７２ｎｍの紫外線）→ ２Ｏ(¹Ｄ） …（VII) Ｃ_kＨ_mＯ_n＋ｈν（１７２ｎｍの紫外線） → kＣ¹＋m Ｈ¹＋ nＯ¹ …（VIII) kＣ¹＋ mＨ¹＋ nＯ¹＋Ｏ(¹Ｄ） →a ＣＯ＋ bＣＯ₂＋ cＨ₂Ｏ …（IX）上記洗浄処理において、上記エキシマーランプの中心波
長は、上述したように１７２ｎｍの輝線である。この真
空紫外線は、大気中の酸素に吸収されてオゾンを生成し
て励起酸素原子を生成する過程と、大気中の酸素に吸収
されて直接励起酸素原子を生成する過程とを同時に進行
させる。

【００５３】つまり、上記洗浄機構では、一方では、ま
ず、一般式（Ｖ）に示すように、１７２ｎｍの真空紫外
線が空気中の酸素に吸収されてオゾンが発生する。次い
で、一般式（VI）に示すように、このオゾンに１７２ｎ
ｍの真空紫外線が吸収されて励起酸素原子が生成する。
他方、上記洗浄機構では、一般式（VII)に示すように、
１７２ｎｍの真空紫外線が空気中の酸素に吸収されて、
直接、励起酸素原子が生成する。そして、酸化力の強い
これらの励起酸素原子は、一般式（VIII) に示すよう
に、基板等に付着した有機物が光子エネルギーの強い１
７２ｎｍの真空紫外線により分解されて得られた分解物
と反応し、一般式（IX）に示すように、二酸化炭素や水
等の揮発性物質に変化する。

【００５４】上記洗浄機構において、基板等に付着した
有機物が分解されて揮発性物質に変化する過程は、低圧
水銀ランプを用いた場合と同様である。しかしながら、
真空紫外線は、低圧水銀ランプと比較して光子エネルギ
ーが強く、励起酸素原子の生成効率が向上する。従っ
て、上記ゲート絶縁膜１３や透明導電膜１７・１７' の
表面を洗浄する際に真空紫外線、特にエキシマーランプ
を用いると、上記膜の表面の洗浄度や平滑度並びに洗浄
効率を従来と比較して向上させることができる。

【００５５】特に、エキシマーランプは、従来の低圧水
銀ランプと比較して以下の点で特に優れている。 (i) 高出力型低圧水銀ランプに比べて洗浄速度が１０倍
以上速い。 (ii)発光波長が１７２ｎｍの真空紫外線領域の単色光で
あるため、真空中では伝導するが、大気中ではあまり伝
導しない。このため、ランプに密着しないかぎり人体へ
の影響が少なく、安全である。 (iii) 低圧水銀ランプの１／３の電力で瞬時点灯、点滅
点灯が可能である。

【００５６】上記透明導電膜１７・１７’やゲート絶縁
膜１３の表面を真空紫外線で処理する場合の処理条件等
は、特に限定されるものではなく、処理方法も特に限定
されるものではない。

【００５７】上記透明導電膜１７・１７’やゲート絶縁
膜１３の表面を真空紫外線を用いて処理する場合には、
例えば、図３に示す基板洗浄手段としての真空紫外線処
理装置を備えた表示素子用基板製造装置を用いることが
好ましい。上記真空紫外線処理装置は、上記表示素子用
基板に真空紫外線を照射するための真空紫外線照射部と
しての真空紫外線発生源４４を少なくとも備えると共
に、オゾンの流入および流出が可能な通気口４１・４２
と、上記表示素子用基板を載置するための可動ステージ
４３とを有するダクト付きチャンバー４０を備えてい
る。上記真空紫外線発生源４４としては、真空紫外線を
発生させることができるものであれば、特に限定される
ものではないが、例えば上述したエキシマーランプが好
適に用いられる。

【００５８】上記真空紫外線発生源４４は、上記ダクト
付きチャンバー４０の内部に設けられてもよく、外部に
設けられていてもよいが、好ましくは、上記ダクト付き
チャンバー４０の外部に設けられる。上記真空紫外線発
生源４４をダクト付きチャンバー４０の外部に設けるこ
とにより、上記ダクト付きチャンバー４０内を例えば減
圧した状態で真空紫外線処理することができる。

【００５９】上記真空紫外線発生源４４をダクト付きチ
ャンバー４０の外部に設ける場合には、図３に示すよう
に、ダクト付きチャンバー４０における真空紫外線発生
源４４との対向面が、真空紫外線をダクト付きチャンバ
ー４０内に透過させることが可能な光透過材料で構成さ
れる。

【００６０】上記光透過材料としては、真空紫外線を透
過させることができるものであれば、特に限定されるも
のではなく、例えば石英等が好適に用いられる。

【００６１】上記真空紫外線処理装置を用いて真空紫外
線照射を行う場合には、まず、該当する基板４５（例え
ば透明導電膜１７・１７’もしくはゲート絶縁膜１３形
成後の絶縁性基板１１）を上記可動ステージ４３上に載
置する。そして、上記可動ステージ４３を、図示しない
可動システムにより上下させることによって、基板４５
表面から真空紫外線発生源４４までの距離Ｄを調節す
る。その後、真空紫外線発生源４４から基板４５表面に
真空紫外線を照射することにより、基板４５表面を洗浄
処理する。

【００６２】この場合、基板４５の洗浄速度は、真空紫
外線照射強度、および真空紫外線発生源４４からの照射
距離と励起酸素原子量によって決定される。上記基板４
５表面から真空紫外線発生源４４までの距離Ｄは、特に
限定されるものではないが、０ｍｍ＜Ｄ≦２０ｍｍであ
ることが好ましく、０ｍｍ＜Ｄ≦６ｍｍであることがさ
らに好ましい。上記距離Ｄは、外気置換が可能であれば
短い程好ましい。

【００６３】また、上記真空紫外線処理装置には、オゾ
ン濃度をさらに高めることを目的として、図示しないオ
ゾン発生装置を設けてもよい。上記オゾン濃度（オゾン
発生量）としては、洗浄処理されるべき膜の種類（材
料）にもよるが、４０ｍｇ／ｍｉｎ以上であることが好
ましい。

【００６４】また、上記励起酸素原子の生成に紫外線を
用いる場合には、前記した波長領域にできるだけ近い波
長の紫外線を用いることが好ましいと同時に、オゾン雰
囲気下において紫外線照射を行うことが好ましい。つま
り、膜表面の洗浄度や平滑度並びに洗浄速度は、励起酸
素原子濃度と光照射強度との２つの因子により決定され
るため、酸素原子濃度を高めるためには、オゾン濃度を
高めることが非常に有効な手段である。

【００６５】上記励起酸素原子の生成に紫外線を用いる
場合には、例えば、前記した低圧水銀ランプを用いるこ
ともできる。但し、上記紫外線照射時には、オゾン発生
装置等を用いて、オゾン雰囲気にする必要がある。この
場合のオゾン発生量としては、洗浄処理されるべき膜の
種類（材料）にもよるが、４０ｍｇ／ｍｉｎ以上である
ことが好ましい。上記オゾン発生量が４０ｍｇ／ｍｉｎ
未満であれば、ゲート絶縁膜１３や透明導電膜１７・１
７' と層間絶縁膜１９との密着性を充分に向上させるこ
とができない虞れがある。

【００６６】上記精密洗浄に低圧水銀ランプを用いる場
合の洗浄機構は、前述した通りである。しかしながら、
オゾン雰囲気下で紫外線照射を行うことにより、励起酸
素原子の生成効率が向上し、ゲート絶縁膜１３や透明導
電膜１７・１７' の表面の洗浄度や平滑度並びに洗浄効
率を従来と比較して向上させることができる。

【００６７】上記透明導電膜１７・１７’やゲート絶縁
膜１３の表面を紫外線を用いて処理する場合には、例え
ば、図４に示す基板洗浄手段としての紫外線処理装置を
備えた表示素子用基板製造装置を用いることが好まし
い。上記紫外線処理装置は、上記表示素子用基板に紫外
線を照射するための紫外線照射部としての紫外線発生源
５４と、上記紫外線発生源５４による紫外線照射域をオ
ゾン雰囲気にするためのオゾン発生部としてのオゾン発
生装置５５とを少なくとも備えると共に、オゾンの流入
および流出が可能な通気口５１・５２と、上記表示素子
用基板を載置するための可動ステージ５３とを有するダ
クト付きチャンバー５０を備えている。上記紫外線発生
源５４としては、紫外線を発生させることができるもの
であれば、特に限定されるものではないが、例えば上述
した低圧水銀ランプを用いることができる。

【００６８】この場合にも、上記紫外線発生源５４は、
上記ダクト付きチャンバー５０の内部に設けられてもよ
く、外部に設けられていてもよいが、好ましくは、上記
ダクト付きチャンバー５０の外部に設けられる。上記紫
外線発生源５４をダクト付きチャンバー５０の外部に設
けることにより、上記ダクト付きチャンバー５０内を例
えば減圧した状態で紫外線処理することができる。

【００６９】上記紫外線発生源５４をダクト付きチャン
バー５０の外部に設ける場合には、図４に示すように、
ダクト付きチャンバー５０における紫外線発生源５４と
の対向面が、紫外線をダクト付きチャンバー５０内に透
過させることが可能な光透過材料で構成される。

【００７０】上記光透過材料としては、紫外線を透過さ
せることができるものであれば、特に限定されるもので
はなく、例えば石英等が好適に用いられる。

【００７１】上記紫外線処理装置を用いて紫外線照射を
行う場合には、まず、該当する基板４５（例えば透明導
電膜１７・１７’もしくはゲート絶縁膜１３形成後の絶
縁性基板１１）を上記可動ステージ５３上に載置する。
上記可動ステージ５３は、上記可動ステージ５３を、図
示しない可動システムにより上下させることによって、
基板４５表面から紫外線発生源５４までの距離Ｄを調節
する。その後、オゾン発生装置５５で発生したオゾンを
通気口５１を通じてダクト付きチャンバー５０内に流入
させると共に、紫外線発生源５４から基板４５表面に紫
外線を照射することにより、基板４５表面を洗浄処理す
る。

【００７２】この場合にも、上記基板４５表面から紫外
線発生源５４までの距離Ｄは、０ｍｍ＜Ｄ≦２０ｍｍで
あることが好ましく、０ｍｍ＜Ｄ≦６ｍｍであることが
さらに好ましい。

【００７３】このように、上記ゲート絶縁膜１３や透明
導電膜１７・１７' の表面を洗浄する際に、真空紫外線
洗浄処理あるいはオゾン雰囲気下における紫外線洗浄処
理を行うことにより、ゲート絶縁膜１３や透明導電膜１
７・１７' の表面の洗浄度や平滑度を従来と比較して向
上させることができる。この結果、ゲート絶縁膜１３や
透明導電膜１７・１７' と層間絶縁膜１９や金属層１８
・１８’との密着性（接着強度）を向上させることがで
き、信頼性の高いアクティブマトリクス基板を得ること
ができる。また、上記の方法によれば、従来と比較して
基板洗浄工程にかかる時間を短縮させることができると
共に、省エネルギー化や安全性の向上を図ることができ
る。

【００７４】尚、上記真空紫外線や紫外線による洗浄処
理を絶縁性基板１１に適用すれば、絶縁性基板１１とゲ
ート絶縁膜１３との密着性を向上させることができる。
また、上記真空紫外線や紫外線による洗浄処理を画素電
極１に適用すれば、画素電極１と画素電極１上に設けら
れる例えば配向膜との密着性を向上させることができ
る。

【００７５】また、層間絶縁膜１９形成後、露光処理あ
るいは現像処理が不充分であり、層間絶縁膜１９がコン
タクトホール６形成域に残存していることに由来するコ
ンタクトホール６の導通不良を防止する目的や、層間絶
縁膜１９表面の改質を行うことにより層間絶縁膜１９と
画素電極１との密着性を向上させる目的で、例えば上記
エキシマーランプによる層間絶縁膜１９のアッシング処
理を行うことは好ましい。尚、上記アッシング処理を行
う場合には、表面改質を行い、粗度を高めて表面積を大
きくすることで密着性が向上される。

【００７６】つまり、上記第１の膜としては、上記ゲー
ト絶縁膜１３や透明導電膜１７・１７' に限定されるも
のでなく、互いに隣接して積層されている膜の下層側の
膜であり、紫外線あるいは真空紫外線による処理が可能
な材料で構成されている膜であれば処理されるべき第１
の膜としての対象となる。

【００７７】また、上記ゲート絶縁膜１３や透明導電膜
１７・１７' を、真空紫外線や紫外線で洗浄処理した
後、処理する膜の材料に応じて、さらに純水および／ま
たは有機溶剤で洗浄することで、第１の膜と第２の膜と
の密着性（例えば、上記ゲート絶縁膜１３や透明導電膜
１７・１７' と層間絶縁膜１９との密着性）をさらに向
上させることができる。この場合、上記有機溶剤として
は、特に限定されるものではないが、ＩＰＡ(isopropyl
alcohol) を用いることが好ましい。

【００７８】このとき、処理すべき膜がＩＴＯからなる
膜である場合、真空紫外線あるいは紫外線による洗浄処
理後、純水洗浄、さらに好ましくは純水洗浄後、ＩＰＡ
洗浄乾燥を行うことにより、上記純水洗浄やＩＰＡ洗浄
乾燥を行わない場合と比較して、保存条件に関わらず、
透明導電膜１７・１７' と層間絶縁膜１９との密着性を
より一層向上させることができる。

【００７９】また、処理すべき膜がＳｉＮｘからなる膜
である場合、真空紫外線あるいは紫外線による洗浄処理
後、ＩＰＡ洗浄乾燥を施すことにより、ＩＰＡ洗浄乾燥
を行わなかった場合と比較して、ＰＣＴを行わない場合
におけるゲート絶縁膜１３と層間絶縁膜１９との密着性
をより一層向上させることができる。

【００８０】また、上記ゲート絶縁膜１３や透明導電膜
１７・１７' と層間絶縁膜１９との密着性をさらに向上
させる方法として、上記ゲート絶縁膜１３や透明導電膜
１７・１７’の表面を真空紫外線あるいは紫外線で処理
した後、これらゲート絶縁膜１３や透明導電膜１７・１
７’あるいは層間絶縁膜１９をシラン化合物で処理する
方法が挙げられる。

【００８１】本発明において用いられるシラン化合物と
しては、特に限定されるものではないが、シランカップ
リング剤、シラザン、クロロシラン、アルコキシシラン
からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物である
ことが好ましい。

【００８２】本発明において用いられる上記シランカッ
プリング剤とは、一般式（１）

【００８３】

【化１】

【００８４】（式中、Ｘは有機材料と反応する官能基を
表し、Ｒは無機材料と反応する加水分解性の官能基を表
す）で表される化合物であり、同一分子内に異なる２種
の官能基を有し、有機材料界面と無機材料界面の接着に
おいて、仲立ちの役割を果たす。

【００８５】上記Ｘで表される官能基としては、有機材
料と反応する官能基であれば、特に限定されるものでは
ないが、具体的には、例えば、アミノ基、ビニル基、エ
ポキシ基、メルカプト基、グリシドキシ基、メタクリル
基、クロル基等が挙げられる。

【００８６】また、上記Ｒで表される加水分解性の官能
基としては、無機材料と反応する官能基であれば、特に
限定されるものではないが、具体的には、例えば、アル
コキシ基、クロル基等が挙げられる。そして、そのなか
でも、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。

【００８７】上記シランカップリング剤としては、具体
的には、例えば、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β−アミノエチル−
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、特に限定
されるものではない。

【００８８】上記シランカップリング剤は、ゲート絶縁
膜１３あるいは透明導電膜１７・１７’の表面の処理に
好適に用いることができることは勿論、プライマーの成
分として、層間絶縁膜１９の上記ゲート絶縁膜１３ある
いは透明導電膜１７・１７’に対する接着性の向上に特
に有効に作用する。

【００８９】また、上記シラザンとしては、例えば、ジ
シラザン、トリシラザン、ヘキサメチルジシラザン等が
挙げられるが、特に限定されるものではない。

【００９０】上記シランカップリング剤として例示の化
合物以外のクロロシランとしては、例えば、トリメチル
クロロシラン、エチルトリクロロシラン、メチルクロロ
シラン、メチルジクロロシラン、ジメチルジクロロシラ
ン、メチルトリクロロシラン、テトラメチルシラン、ト
リクロロシラン、エチルジクロロシラン、ジエチルジク
ロロシラン、トリエチルクロロシラン、エチル−ｎ−プ
ロピル−ジクロロシラン、エチルイソブチル−ジクロロ
シラン、ジ−ｎ−プロピル−ジクロロシラン、ｎ−プロ
ピル−トリクロロシラン、ジ−イソプロピルジクロロシ
ラン、ジ−ｎ−ブチル−ジクロロシラン、ｎ−ブチル−
トリクロロシラン、ジ−ｔ−ブチル−ジクロロシラン、
フェニルジクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、
ジフェニルジクロロシラン等が挙げられるが、特に限定
されるものではない。

【００９１】上記シランカップリング剤として例示の化
合物以外のアルコキシシランとしては、例えば、一般式
（２）

【００９２】

【化２】

【００９３】で表されるポリエーテルトリメトキシシラ
ンや、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ジメチルジエト
キシシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラ
ン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシ
ラン等が挙げられるが、特に限定されるものではない。

【００９４】これらシラン化合物は、一種類のみを用い
てもよいし、適宜、二種類以上を混合して用いてもよ
い。これらシラン化合物のなかでも、アルキル基、ジア
ルキル基等の長鎖の炭化水素基やポリエーテル基を有す
ると共に、アルコキシ基（特にメトキシ基、エトキシ
基）を有する化合物が好ましく、上記一般式（２）で表
されるポリエーテルトリメトキシシランが特に好まし
い。

【００９５】上記シラン化合物によりゲート絶縁膜１
３、透明導電膜１７・１７’、層間絶縁膜１９を処理す
る場合には、上記各膜を構成する材料や、処理方法、膜
に対する濡れ性等に応じて用いるシラン化合物を適宜設
定すればよい。

【００９６】本発明において上記ゲート絶縁膜１３、透
明導電膜１７・１７’、および層間絶縁膜１９から選ば
れる少なくとも一種の膜をシラン化合物で処理するため
の処理方法としては、特に限定されるものではないが、
例えば、(i) 上記層間絶縁膜１９を形成する樹脂にシラ
ン化合物をブレンドする方法や、(ii)上記ゲート絶縁膜
１３表面や透明導電膜１７・１７’表面をシラン化合物
により改質する方法等種々の方法を用いることができ
る。

【００９７】また上記(ii)の方法を採用する場合には、
該当する膜（例えばゲート絶縁膜１３、透明導電膜１７
・１７’）を積層した後、次の工程に移る前に、該当す
る膜をシラン化合物で処理してもよいし、層間絶縁膜１
９を積層する前に、層間絶縁膜１９と接触するゲート絶
縁膜１３表面や透明導電膜１７・１７’表面にシラン化
合物による処理を施してもよい。

【００９８】まず、上記(i) の方法について説明する。
上記層間絶縁膜１９を形成する樹脂にシラン化合物をブ
レンドする場合には、該樹脂とシラン化合物とを混合し
た後、この混合物を、例えばスピンコーター等を用いて
上記ＴＦＴ４、ゲート信号線２、ソース信号線３、およ
び接続電極５上に塗布すればよい。

【００９９】上記シラン化合物の使用量は、用いるシラ
ン化合物の種類にもよるが、上記層間絶縁膜１９を構成
する樹脂（有機材料）に対し、０．０１重量％〜１０重
量％の範囲内であることが好ましい。上記シラン化合物
の使用量、即ち、樹脂に対するブレンド濃度は、上記層
間絶縁膜１９と隣接する膜の種類やシラン化合物の種類
に応じて、上記範囲内において最も密着性が向上するよ
うに適宜設定される。

【０１００】上記(i) の方法は、使用方法が簡単であ
り、製造工程に組み込み易いことから、上記アクティブ
マトリクス基板を簡素かつ容易に製造する方法である。
また、上記(i) の方法は、層間絶縁膜１９にシラン化合
物をブレンドするだけで、現行のプロセスを変更するこ
となく層間絶縁膜１９と、該層間絶縁膜１９と接触する
ゲート絶縁膜１３、透明導電膜１７・１７’、および画
素電極１との密着性を向上させることができる。さら
に、層間絶縁膜１９と金属層１８との間の界面における
層間絶縁膜１９の剥がれも抑えることができる。

【０１０１】上記(i) の方法を採用する場合に用いられ
るシラン化合物としては、層間絶縁膜１９と、該層間絶
縁膜１９と接触するゲート絶縁膜１３、透明導電膜１７
・１７’、および画素電極１との密着性を同時に向上さ
せることができることから、上記一般式（２）で表され
るポリエーテルトリメトキシシランが特に好ましい。

【０１０２】次に、上記(ii)の方法について説明する。
上記(ii)の方法としては、例えば、プライマー法や気体
処理法等が挙げられる。上記シラン化合物を、適当な溶
剤と混合し、例えばスピンコーター等を用いてゲート絶
縁膜１３表面や透明導電膜１７・１７’表面に塗布した
後、乾燥させる方法がプライマー法であり、シラン化合
物を含む溶液を乾燥空気や窒素ガス等のガスでゲート絶
縁膜１３表面や透明導電膜１７・１７’表面に噴霧する
ことにより処理する方法が気体処理法である。

【０１０３】上記溶剤としては、例えば、水、アルコー
ル、酢酸水溶液（濃度０．０１重量％〜０．１重量
％）、トルエン、キシレン、酢酸エチル、メチルエチル
ケトン、アセトン等が挙げられるが、シラン化合物を溶
解あるいは分散させることが可能な溶剤であれば、特に
限定されるものではない。これら溶剤は、一種類のみを
用いてもよく、適宜二種類以上を混合して用いてもよ
い。これら溶剤のなかでも、アルコールまたはアルコー
ルと水との混合溶剤が好ましい。

【０１０４】上記シラン化合物の濃度は、特に限定され
るものではないが、０．０１重量％〜１０重量％の範囲
内が好ましい。また、ゲート絶縁膜１３表面や透明導電
膜１７・１７’表面に塗布したシラン化合物を含む溶液
を乾燥させる際の乾燥条件は、特に限定されるものでは
なく、シラン化合物に添加した溶剤が除去できさえすれ
ばよい。上記乾燥温度（加熱温度）としては、用いる溶
剤にもよるが、１２０℃〜１４０℃の範囲内が好まし
い。乾燥時間（加熱時間）としては、用いる溶剤の種類
や乾燥温度に応じて適宜設定すればよく、特に限定され
るものではないが、約１０分間が一つの目安である。

【０１０５】上記シラン化合物の使用量、即ち、必要な
シラン化合物の量は、シラン化合物の最小被覆面積によ
って決まる。つまり、シラン化合物の使用量は、次式

【０１０６】

【数１】

【０１０７】で与えられる。このとき、シラン化合物の
膜厚は、用いるシラン化合物の種類にもよるが、１ｎｍ
〜５０ｎｍの範囲内となるように設定することが好まし
く、上記処理による効果を最も高めるためには、シラン
化合物が単分子膜を形成するように設定することが最も
好ましい。

【０１０８】また、上記気体処理法を用いる場合には、
例えば、図５に示す基板表面処理手段としてのシラン化
合物処理装置を備える表示素子用基板製造装置が好適に
用いられる。上記シラン化合物処理装置は、シラン化合
物を含むガスの流入口２２と流出口２３とを有するチャ
ンバー２１を備え、上記チャンバー２１内には、基板を
載置し、加熱するための基板吸着口付きホットステージ
（以下、単にホットステージと記す）２５が設けられて
いる。

【０１０９】上記製造装置を用いて処理対象となる膜、
例えばゲート絶縁膜１３表面をシラン化合物で処理する
場合には、まず、上記ホットステージ２５上に、ゲート
絶縁膜１３形成後の絶縁性基板１１（以下、基板２４と
記す）を載置する。次に、乾燥空気または乾燥窒素を９
９容量％の割合で含むガス２６を、シラン化合物含有溶
液２８を入れた容器２７内に導入してバブリングし、ガ
ス状のシラン化合物を含有する空気または窒素等の混合
ガスを、流入口２２よりチャンバー２１内に導入する。
そして、チャンバー２１内を上記混合ガスで置換した
後、上記ホットステージ２５によって上記基板２４を加
熱することにより、基板２４をシラン化合物により表面
処理する。

【０１１０】尚、上記図５では、チャンバー２１に流出
口２３を設けたが、ガス置換可能であれば、流出口２３
は省略してもよい。また、上記ホットステージ２５は、
基板２４が乾燥していれば省略してもよい。

【０１１１】上記気体処理法を用いる場合には、上記表
示素子用基板製造装置を用いずに、シラン化合物含有溶
液２８を直接基板２４に噴霧し、ホットステージ２５上
で乾燥させる方法を用いることもできる。しかしなが
ら、上記表示素子用製造装置を用いることで、基板２４
にシラン化合物を均一に付着させることが可能であり、
また、チャンバー２１内の混合ガス濃度を高め、しか
も、基板２４をホットステージ２５で加熱する際の熱損
失を少なくすることができる。従って、上記表示素子用
製造装置を用いることで、シラン化合物によりゲート絶
縁膜１３表面や透明導電膜１７・１７’表面をより一層
効率的かつ容易に処理することができる。

【０１１２】また、上記気体処理法を用いる場合のチャ
ンバー２１内の圧力は、特に限定されるものではない
が、０．５気圧以上に設定することが好ましい。

【０１１３】尚、上記(ii)では、ゲート絶縁膜１３表面
や透明導電膜１７・１７’表面の表面処理について述べ
たが、これに限定されるものではなく、透明導電膜から
なる画素電極１表面や層間絶縁膜１９表面についても同
様に処理することができる。また、このように、画素電
極１に対してもシラン化合物により表面処理を施すこと
で、画素電極１と配向膜との密着性や、画素電極１の物
理的強度を高め、さらに信頼性の高いアクティブマトリ
クス基板を得ることができる。

【０１１４】また、上記(ii)の方法を採用する場合に
は、シラン化合物による処理対象となる膜を構成する材
料の種類に応じて、用いるシラン化合物を使い分けるこ
とができる。つまり、膜の種類に応じて、最も効果的な
シラン化合物を用いることにより、さらに密着性や物理
的強度に優れるアクティブマトリクス基板を得ることが
できる。

【０１１５】例えば、ゲート絶縁膜１３がＳｉＮｘから
なり、層間絶縁膜１９がアクリル樹脂からなる場合に、
ゲート絶縁膜１３表面をシラン化合物処理することによ
りゲート絶縁膜１３と層間絶縁膜１９との密着性の向上
を図る場合には、アルキル基およびアルコキシ基を末端
基として有するシラン化合物や、エポキシ基、アミノ
基、ポリエーテル基からなる群より選ばれる一種の官能
基とアルコキシ基とを末端基として有するシラン化合物
等を用いることが好ましい。そして、上記シラン化合物
のなかでも、アルキル基およびアルコキシ基を末端基と
して有する化合物（具体的には、ＡＹ４３−２０４（商
品名；東レダウコーニング社製ｎ−ブチルトリメトキシ
シラン）、ＳＺ−６０７８（商品名；東レダウコーニン
グ社製ジメチルジエトキシシラン）等）や、ポリエーテ
ル基とエトキシ基とを有する化合物（例えばＫＢＭ−６
４１（商品名；信越化学工業株式会社製ポリエーテルト
リメチルシラン）等）、アミノ基とエトキシ基とを有す
る化合物（例えばＫＢＭ−９０３（商品名；信越化学工
業株式会社製γ−アミノプロピルトリエトキシシラン）
等）がさらに好ましく、アルキル基およびアルコキシ基
を末端基として有する化合物およびポリエーテル基とエ
トキシ基とを有する化合物が特に好ましい。

【０１１６】また、透明導電膜１７・１７’がＩＴＯか
らなり、層間絶縁膜１９がアクリル樹脂からなる場合
に、透明導電膜１７・１７’表面をシラン化合物処理す
ることにより透明導電膜１７・１７’と層間絶縁膜１９
との密着性の向上を図る場合には、ポリエーテル基とエ
トキシ基とを有するシラン化合物（例えばＫＢＭ−６４
１（商品名；信越化学工業株式会社製ポリエーテルトリ
メチルシラン）等）等を用いることが好ましい。

【０１１７】このように、ゲート絶縁膜１３、透明導電
膜１７・１７’、あるいは層間絶縁膜１９をシラン化合
物で処理すると、図６に示すように、例えば、上記ゲー
ト絶縁膜１３や透明導電膜１７・１７’を構成する無機
材料と、層間絶縁膜１９を構成する有機材料との間に化
学共有結合が生じる。この場合、まず、シラン化合物が
加水分解を受けてシラノールとなり、無機材料の表面と
シロキサン結合を形成する。一方、前記Ｘで表される官
能基が有機物表面と反応して架橋する。

【０１１８】従って、上記ゲート絶縁膜１３や透明導電
膜１７・１７’、あるいは層間絶縁膜１９をシラン化合
物で処理することで、例えば無機材料の有機材料に対す
る接着性を向上させることができ、上記ゲート絶縁膜１
３、透明導電膜１７・１７’と層間絶縁膜１９との密着
性を向上させることができる。しかも、上記ゲート絶縁
膜１３、透明導電膜１７・１７’、および層間絶縁膜１
９から選ばれる少なくとも一種の膜をシラン化合物で処
理することで、各々の膜の物理的強度を高め、得られる
アクティブマトリクス基板の物理的強度を向上させるこ
とができると共に、得られるアクティブマトリクス基板
の高湿度下における物理的強度の低下を抑えることがで
きる。

【０１１９】このようにして得られた上記アクティブマ
トリクス基板および該アクティブマトリクス基板を用い
た液晶表示素子の接着強度は、シラン化合物処理を行わ
ない場合でも１０ｋｇ／ｃｍ²〜２０ｋｇ／ｃｍ²、シ
ラン化合物処理を行った場合には２０ｋｇ／ｃｍ²〜６
０ｋｇ／ｃｍ²と、従来と比べて格段に向上する。ま
た、上記アクティブマトリクス基板および液晶表示素子
は、ＰＣＴで２４時間保存した後でも、シール部あるい
は画素部において、ゲート絶縁膜１３、透明導電膜１７
・１７’と層間絶縁膜１９との間で膜剥がれが生じな
い。しかも、例えばコンタクトホール６開口後の洗浄工
程において、層間絶縁膜１９が膨潤して剥がれることが
なく、アクティブマトリクス基板あるいは液晶表示素子
としての性能が損なわれることがない。従って、上記の
構成によれば、保存安定性を高め、信頼性の高いアクテ
ィブマトリクス基板を得ることができる。

【０１２０】また、上記の説明では、画素電極１とドレ
イン電極１６ｂとを接続する際に、接続電極５として、
透明導電膜１７’を用いた構成としたが、画素電極１と
ドレイン電極１６ｂとがコンタクトホール６を介して直
接接続されている構成としてもよい。

【０１２１】さらに、上記の説明では、ゲート電極１２
が絶縁性基板１１側に設けられたいわゆる逆スタガ型の
ＴＦＴ４を有するアクティブマトリクス基板について説
明したが、ソース電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂ
が絶縁性基板１１側に設けられたいわゆるスタガ型のＴ
ＦＴを用いてもよい。

【０１２２】また、上記スイッチング素子としては、Ｔ
ＦＴに限定されるものではなく、例えば、ＭＩＭ（Meta
l-insulator-metal(diode)) 等、種々のスイッチング素
子を用いることもできる。つまり、スイッチング素子を
備えたアクティブマトリクス基板が、開口率を向上すべ
く有機絶縁膜と無機絶縁膜あるいは透明導電膜とが接触
する構成を有するものであれば、本発明を適用すること
ができる。

【０１２３】尚、本実施の形態では、表示素子用基板と
して、アクティブマトリクス基板を用いたが、上記表示
素子用基板としては、互いに隣接して積層された少なく
とも一組の膜を有する基板であれば、特に限定されるも
のではない。また、本実施の形態では、上記表示素子用
基板を用いた表示素子として、液晶表示素子を例に挙げ
て説明したが、これに限定されるものではなく、電気光
学特性を有する表示媒体を有する表示素子全般に適用す
ることができる。

【０１２４】何れの場合でも、互いに隣接して積層され
る膜の下層側の膜である第１の膜の表面を真空紫外線処
理あるいはオゾン雰囲気下で紫外線処理することによ
り、第１の膜と第２の膜との密着性に優れる表示素子用
基板を得ることができる。従って、上記表示素子用基板
を用いれば、信頼性の高い表示素子を得ることができ
る。

【０１２５】上記表示素子用基板は、例えば大型表示装
置、カーナビゲーション、ラップトップ型パソコン等の
ＯＡ機器やＡＶ機器等に用いられる表示素子に好適に用
いられる。

【０１２６】

【実施例】以下、実施例により、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるも
のではない。尚、以下の実施例では、透明導電膜、無機
絶縁膜に対する有機絶縁膜の密着性について評価した。
以下、上記透明導電膜にはＩＴＯを用い、無機絶縁膜に
はＳｉＮｘを用い、有機絶縁膜には、アルカリ性溶液で
現像できる透明な感光性のアクリル樹脂を用いた。ま
た、上記アクリル樹脂のベースポリマーには、メタクリ
ル酸とグリシルメタクリレートとを重合させてなるポリ
マーを用い、感光剤には、ポジ型感光剤としてのナフト
キシジアジド系化合物を用いた。また、実施例に記載の
「％」は「重量％」を示す。

【０１２７】〔実施例１〕まず、図３に示すように、基
板４５として５インチ角のＩＴＯ基板およびＳｉＮｘ基
板を用い、各基板４５を真空紫外線処理装置のダクト付
きチャンバー４０中に設けられた可動ステージ４３上に
載置した。次いで、真空紫外線発生源４４としてのエキ
シマーランプを用いて上記各基板４５表面に１７２ｎｍ
の真空紫外線を３０秒間照射した。このとき、上記エキ
シマーランプから各基板４５表面までの距離は１ｍｍと
した。

【０１２８】次いで、上記真空紫外線照射後の各基板４
５に対し、各々条件を変えて３種類の洗浄・乾燥処理を
行った。上記洗浄・乾燥条件は、以下の通りである。窒素ブローを行った。超音波を用いて５分間、純水による洗浄を行った後、
窒素ブローを行った。超音波を用いて５分間、純水による洗浄を行った後、
ＩＰＡ蒸気を用いて洗浄乾燥を２４０秒間行った。

【０１２９】次に、上記洗浄・乾燥処理後の基板４５上
にスピンコータを用いて透明性樹脂材料であるアクリル
樹脂を塗布することにより、有機絶縁膜を形成した。こ
のときのスピン条件は以下の通りである。

【０１３０】その後、塗布した透明性樹脂材料を９０℃で３００秒間
プリベークした後、２２０℃で６０分間ポストベークし
た。

【０１３１】その後、上記有機絶縁膜が積層された各基
板（以下、基板３１と記す）を、８．５ｃｍ×２．０ｃ
ｍとなるように切断した。次いで、図７に示すように、
上記基板３１上に、５μｍのスペーサーを混合した熱硬
化型のシール材（三井東圧化学株式会社製；商品名ス
トラクトボンドＸＮ−２１Ｓ）３２を一定量滴下して、
８０℃で３０分間レベリングした。続いて、この基板３
１を、この基板３１と同一サイズのＩＴＯ基板３３と十
字に貼り合わせ、クリップで固定した後、１８０℃で９
０分間焼成して十字セル３４を得た。

【０１３２】その後、上記十字セル３４を固定台３５上
に配置して、基板３１における上記シール材３２の中心
から２．５ｃｍの位置に、直径１０ｍｍの球３６を載置
して加重することにより、いわゆるピーリングテストを
行い、十字セル３４の接着強度（ｋｇ／ｃｍ²）を測定
した。尚、ピーリングテストは、島津製作所製オートグ
ラフを用いて、上記〜の各洗浄工程を行った各十字
セル３４について、それぞれ３セルづつ行った。また、
上記洗浄処理（真空紫外線洗浄、純水洗浄、ＩＰＡ洗浄
乾燥）を行わないで得られた十字セル３４についても同
様に接着強度（ｋｇ／ｃｍ²）を測定した。

【０１３３】さらに、上記十字セル３４を用いてプレッ
シャークッカーテスト（ＰＣＴ）を行い、２４時間保存
後の十字セル３４に対して上記と同様のピーリングテス
トを行った。この結果を併せて表１に示すと共に、上記
基板３１としてＳｉＮｘ基板を用いたときの測定結果を
図８に、ＩＴＯ基板を用いたときの測定結果を図９に示
す。尚、図８および図９において、縦軸は、洗浄処理を
施していない場合における十字セル３４の接着強度を１
としたときの平均の相対接着強度を示す。

【０１３４】

【表１】

【０１３５】上記表１および図８・９の結果から、エキ
シマーランプによる真空紫外線洗浄を行うと、後の洗浄
方法に関わらず、十字セル３４の接着強度が向上するこ
とが判る。また、ＰＣＴで２４時間保存後の接着強度
も、真空紫外線洗浄を施さなかった場合に比べて向上す
ることが判る。

【０１３６】尚、上記エキシマーランプに代えて、図４
に示す紫外線処理装置を用いて洗浄処理を行った場合に
も同様の効果が得られる。

【０１３７】〔実施例２〕まず、有機絶縁膜となるアク
リル樹脂に、シラン化合物としてのＫＢＭ−６４１（商
品名；信越化学工業株式会社製ポリエーテルトリメチル
シラン）を０．２５％の割合で混合した後、超音波で１
０分間均一に攪拌して混合物を得た。

【０１３８】一方、実施例１と同様の方法により、５イ
ンチ角のＩＴＯ基板およびＳｉＮｘ基板に、真空紫外線
洗浄並びに〜に示す各洗浄・乾燥処理を行った。

【０１３９】次に、上記洗浄・乾燥処理後の各基板上に
スピンコータを用いて上記混合物を塗布することによ
り、有機絶縁膜を形成した。このときのスピン条件は実
施例１と同じである。その後、塗布した混合物を９０℃
で３００秒間プリベークした後、２２０℃で６０分間ポ
ストベークした。

【０１４０】その後、上記有機絶縁膜が積層された各基
板を、８．５ｃｍ×２．０ｃｍとなるように切断し、実
施例１と同様の方法によりピーリングテストを行った。
この結果、上記ＫＢＭ−６４１による処理を行った十字
セル３４の接着強度は、ＫＢＭ−６４１による処理を施
さず、洗浄処理のみを行った場合と比較して、何れも２
倍〜４倍の割合で向上した。また、ＰＣＴで２４時間保
存後の接着強度についても同等の向上が確認された。上
記ブレンド法は、現行のプロセス装置を変更することな
く、層間絶縁膜１９を構成する有機材料にシラン化合物
を混ぜるだけでよいので非常に簡便である。

【０１４１】〔実施例３〕まず、水：メタノール＝１：
２の混合溶媒に対し、上記ＫＢＭ−６４１を１％の割合
で加え、超音波で１０分間均一に撹絆することにより混
合溶液を得た。

【０１４２】一方、実施例１と同様の方法により、５イ
ンチ角のＩＴＯ基板およびＳｉＮｘ基板に、真空紫外線
洗浄並びに〜に示す各洗浄・乾燥処理を行った。

【０１４３】次に、上記洗浄・乾燥処理後の各基板上に
スピンコータを用いて上記混合溶液を塗布した。スピン
条件は以下に示す通りである。その後、上記混合溶液塗布後の各基板を、１２０℃で１
０分間焼成した。

【０１４４】次に、上記各基板上に、実施例１と同様の
条件・方法を用いて有機絶縁膜を形成した。次いで、こ
の有機絶縁膜を、９０℃で３００秒間プリベークした
後、２２０℃で６０分間ポストベークした。

【０１４５】その後、上記有機絶縁膜が積層された各基
板を、８．５ｃｍ×２．０ｃｍとなるように切断し、実
施例１と同様の方法によりピーリングテストを行った。
この結果、上記ＫＢＭ−６４１による処理を行った十字
セル３４の接着強度は、ＫＢＭ−６４１による処理を施
さず、洗浄処理のみを行った場合と比較して、何れも２
倍〜３倍の割合で向上した。また、ＰＣＴで２４時間保
存後の接着強度についても同等の向上が確認された。

【０１４６】〔実施例４〕まず、絶縁性基板１１として
のガラス基板上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１
３、半導体層１４、チャネル保護層１５、並びに、ソー
ス電極１６ａおよびドレイン電極１６ｂとなるｎ⁺Ｓｉ
層を、周知の方法により順次積層することにより、ＴＦ
Ｔ４を形成した。次に、上記ソース電極１６ａおよびド
レイン電極１６ｂの端部上に、透明導電膜１７・１７’
および金属層１８・１８’を、スパッタ法により順次、
所定形状に形成した。

【０１４７】その後、上記透明導電膜１７・１７’およ
び金属層１８・１８’形成後の絶縁性基板１１を、実施
例１と同様の方法により真空紫外線洗浄した後、超純水
で洗浄し、乾燥させた。

【０１４８】次いで、上記ＴＦＴ４、透明導電膜１７・
１７’および金属層１８・１８’上に、前述のアクリル
樹脂を塗布し、プリベーク後の膜厚が５μｍとなるよう
に層間絶縁膜１９を形成した。そして、上記層間絶縁膜
１９を所定のパターンに従って露光し、無機アルカリ性
溶液（テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド：Ｔ
ＭＡＨ）により現像処理した。この結果、露光された部
分のみが無機アルカリ性溶液によりエッチングされ、層
間絶縁膜１９を貫くコンタクトホール６が形成された。
その後、露光されずに残った部分を全面露光し、感光剤
の消失処理を行った。このときの層間絶縁膜１９の光透
過率は９０％以上であった。

【０１４９】次いで、上記層間絶縁膜１９上に、画素電
極１となる透明導電膜をスパッタ法により形成し、パタ
ーニングした。このとき、上記画素電極１となる透明導
電膜をパターニングするために使用したレジストは、レ
ジスト剥離液（ＤＭＳＯ：Dimethyl Sulfoxide）により
剥離した。上記レジスト剥離において、層間絶縁膜１９
の膨潤による膜はがれは生じなかった。

【０１５０】以上のようにして、画素電極１が、層間絶
縁膜１９を貫くコンタクトホール６と上記透明導電膜１
７’とを介してＴＦＴ４のドレイン電極１６ｂと電気的
に接続されたアクティブマトリクス基板を得た。その
後、このアクティブマトリクス基板をシール部材を介し
て対向基板と張り合わせ、両基板間に液晶を注入し、表
示部の外側に、駆動回路等の周辺回路を実装することで
液晶表示装置を得た。

【０１５１】この液晶表示装置をＰＣＴで２４時間保存
した。この結果、シール部および画素部における透明導
電膜１７’と層間絶縁膜１９との間における膜はがれは
生じず、液晶表示装置としての性能は損なわれなかっ
た。

【０１５２】尚、エキシマーランプに代えて、図４に示
す紫外線処理装置を用いて洗浄処理を行った場合にも同
様の効果が得られる。

【０１５３】

【発明の効果】本発明の請求項１に記載の表示素子用基
板は、以上のように、真空紫外線で処理された処理表面
を有する第１の膜上に第２の膜が積層されている構成で
ある。

【０１５４】本発明の請求項２記載の表示素子用基板
は、以上のように、オゾン雰囲気下で紫外線処理された
処理表面を有する第１の膜上に第２の膜が積層されてい
る構成である。

【０１５５】本発明の請求項３記載の表示素子用基板
は、以上のように、請求項１または２記載の表示素子用
基板において、上記処理表面がさらに純水および／また
は有機溶剤で洗浄されている構成である。

【０１５６】本発明の請求項４記載の表示素子用基板
は、以上のように、請求項１〜３の何れか１項に記載の
表示素子用基板において、上記第１の膜および第２の膜
のうち少なくとも一方の膜がシラン化合物で処理されて
いる構成である。

【０１５７】本発明の請求項５記載の表示素子用基板の
製造方法は、以上のように、第１の膜の表面を真空紫外
線で処理した後、上記第１の膜上に第２の膜を積層する
構成である。

【０１５８】本発明の請求項６記載の表示素子用基板の
製造方法は、以上のように、第１の膜の表面をオゾン雰
囲気下で紫外線処理した後、上記第１の膜上に第２の膜
を積層する構成である。

【０１５９】本発明の請求項７記載の表示素子用基板の
製造装置は、以上のように、表示素子用基板に真空紫外
線を照射する真空紫外線照射部が備えられている構成で
ある。

【０１６０】本発明の請求項８記載の表示素子用基板の
製造装置は、以上のように、表示素子用基板に紫外線を
照射する紫外線照射部と、上記紫外線照射部による紫外
線照射域をオゾン雰囲気にするためのオゾン発生部とが
備えられている構成である。

【０１６１】上記の構成によれば、上記第１の膜の表面
を真空紫外線処理あるいはオゾン雰囲気下で紫外線処理
することにより、膜同士の密着性に優れる表示素子用基
板を提供することができる。また、上記真空紫外線処理
あるいはオゾン雰囲気下で紫外線処理された第１の膜を
さらに純水および／または有機溶剤で洗浄したり、上記
第１の膜および第２の膜から選ばれる少なくとも一方の
膜をシラン化合物で処理することで、より一層膜同士の
密着性を向上させることができる。従って、上記表示素
子用基板を用いれば、信頼性の高い表示素子を得ること
ができる。

【０１６２】上記表示素子用基板は、該表示素子用基板
を構成する膜同士の密着性に格段に優れ、例えば、上記
表示素子用基板あるいは上記表示素子用基板を用いた表
示素子を、温度１２１℃、圧力２ａｔｍ、湿度９９％の
条件下で２４時間保存した場合でも、画素部、あるい
は、表示素子を形成する場合のシール部において、膜剥
がれが生じない。つまり、例えば、上記第１の膜とし
て、有機絶縁膜と隣接する膜、例えば、無機絶縁膜（透
明導電膜からなる接続電極を有する場合には、無機絶縁
膜および透明導電膜）の表面を真空紫外線処理あるいは
オゾン雰囲気下で紫外線処理することで、有機絶縁膜の
膜剥がれを防止することができる。また、上記の方法に
よれば、その製造工程で、上記表示素子用基板を有機溶
媒に浸漬した場合にも、有機絶縁膜が膨潤して剥がれる
ことがないという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態に係る表示素子用基板と
してのアクティブマトリクス基板の１画素部分の概略構
成を示す平面図である。尚、画素電極は二点鎖線で示
す。

【図２】図１のアクティブマトリクス基板におけるＡ−
Ａ線矢視断面図である。

【図３】本発明の表示素子用基板の製造装置における真
空紫外線処理装置を模式的に示す断面図である。

【図４】本発明の表示素子用基板の他の製造装置におけ
る紫外線処理装置を模式的に示す断面図である。

【図５】本発明の表示素子用基板のさらに他の製造装置
におけるシラン化合物処理装置を模式的に示す断面図で
ある。

【図６】本発明のシラン化合物処理による化学反応のメ
カニズムについて説明する図である。

【図７】ピーリングテスト用の十字セルとその測定方法
について説明する図である。

【図８】ＳｉＮｘ基板に対する真空紫外線洗浄処理後の
洗浄・乾燥処理方法と、十字セルの接着強度比との関係
を示すグラフである。

【図９】ＩＴＯ基板に対する真空紫外線洗浄処理後の洗
浄・乾燥処理方法と、十字セルの接着強度比との関係を
示すグラフである。

【符号の説明】

１画素電極（第２透明導電膜）２ゲート信号線３ソース信号線４ＴＦＴ５接続電極（第１透明導電膜）６コンタクトホール１１絶縁性基板１２ゲート電極１３ゲート絶縁膜（無機絶縁膜、第１の膜）１４半導体層１６ａソース電極１６ｂドレイン電極１７透明導電膜（第１透明導電膜、第１の膜）１７’ 透明導電膜（第１透明導電膜、第１の膜）１８金属層１８’ 金属層１９層間絶縁膜（有機絶縁膜、第２の膜）２１チャンバー２２流入口２３流出口２４基板２５ホットステージ２６ガス２７容器２８シラン化合物含有溶液４０ダクト付きチャンバー４１通気口４２通気口４３可動ステージ４４真空紫外線発生源（真空紫外線照射部）４５基板５０ダクト付きチャンバー５１通気口５２通気口５３可動ステージ５４紫外線発生源（紫外線照射部）５５オゾン発生装置（オゾン発生部）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空紫外線で処理された処理表面を有する
第１の膜上に第２の膜が積層されていることを特徴とす
る表示素子用基板。
【請求項２】オゾン雰囲気下で紫外線処理された処理表
面を有する第１の膜上に第２の膜が積層されていること
を特徴とする表示素子用基板。
【請求項３】上記処理表面がさらに純水および／または
有機溶剤で洗浄されていることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の表示素子用基板。
【請求項４】上記第１の膜および第２の膜のうち少なく
とも一方の膜がシラン化合物で処理されていることを特
徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の表示素子用
基板。
【請求項５】第１の膜の表面を真空紫外線で処理した
後、上記第１の膜上に第２の膜を積層することを特徴と
する表示素子用基板の製造方法。
【請求項６】第１の膜の表面をオゾン雰囲気下で紫外線
処理した後、上記第１の膜上に第２の膜を積層すること
を特徴とする表示素子用基板の製造方法。
【請求項７】表示素子用基板に真空紫外線を照射する真
空紫外線照射部を有する基板洗浄手段が設けられている
ことを特徴とする表示素子用基板の製造装置。
【請求項８】表示素子用基板に紫外線を照射する紫外線
照射部と、上記紫外線照射部による紫外線照射域をオゾ
ン雰囲気にするためのオゾン発生部とを有する基板洗浄
手段が設けられていることを特徴とする表示素子用基板
の製造装置。