CN1893108B - 平板显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种包括具有界定像素的开口的栅极绝缘层的平板显示装置。该平板显示装置包括：衬底；形成在衬底上的源极和漏极；接触源极和漏极的半导体层；形成在源极和漏极以及像素电极上方的绝缘层，该绝缘层具有开口；形成在绝缘层上方的栅极；以及通过绝缘层的开口部分显露的像素电极，其中该像素电极直接形成在衬底上，且直接连接到源极和漏极之一或者从源极和漏极之一延伸。绝缘层作为栅极绝缘层和界定像素电极的像素界定层。

Description

平板显示装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及平板显示装置，更具体而言，涉及包括具有界定像素的开口的栅极绝缘层的有机电致发光(EL)显示装置以及制造该有机EL显示装置的方法。

背景技术

通常所使用的柔性有机电致发光(EL)显示装置包括比如塑料衬底的柔性衬底。因为塑料衬底不是很耐热，所以柔性有机EL显示装置应该在低温下制造。可以在低温下工作的有机薄膜晶体管(OTFT)可以用作柔性有机EL显示装置中的开关器件。人们已经对OTFT进行了积极的研究，OTFT可能成为下一代显示装置的驱动器件。OTFT使用有机层作为半导体层，而非使用硅层。根据有机材料，OTFT可以分类为比如寡聚噻吩和并五苯的低聚合物OTFT和比如聚噻吩的高聚合物OTFT。

根据自有机层的发光路径，有机EL显示装置可以划分后发射型装置、前发射型装置和双发射型装置。在后发射型EL显示装置中，从有机发光层发射的光向衬底发射。在前发射型EL显示装置中，从有机发光层发射的光在相反的方向上远离衬底发射。另外，在双发射型EL显示装置中，从有机发光层发射的光向衬底发射和在相反的方向上远离衬底发射。

包括根据传统技术的OTFT的有机EL显示装置包括有：薄膜晶体管(TFT)，该TFT包括衬底上的源极、漏极、半导体层和栅极；TFT上的保护层；有机发光层，包括保护层上的下电极、有机层和上电极。栅极绝缘层形成在源极和漏极以及栅极之间。下电极通过形成在保护层中的过孔连接到TFT的源极和漏极之一。像素分隔层包括显露部分下电极的开口。有机层形成在开口中显露的下电极上，然后上电极形成在有机层上。

制造具有上述结构的有机EL显示装置的方法包括：形成TFT，其包括源极、漏极、半导体层和栅极；形成保护层；使用掩模形成过孔；在保护层上形成通过过孔连接到TFT的下电极；形成显露下电极的开口；以及形成有机层和上电极。上述这些制造有机EL显示装置的工艺非常复杂。

发明内容

本发明提供了一种包括用作像素分隔层的栅极绝缘层的平板显示装置。

本发明还提供了一种制造平板显示装置的方法，其中使用激光去除方法形成了具有界定像素的开口的栅极绝缘层。

本发明还提供了一种制造平板显示装置的方法，其中使用喷墨方法形成了具有界定像素的开口的栅极绝缘层。

根据本发明的一个方面，一种平板显示装置包括：衬底；形成在衬底上的源极和漏极；接触源极和漏极的半导体层；形成在所述源极和漏极以及像素电极上方的绝缘层，所述绝缘层具有开口；形成在所述绝缘层上方的栅极；以及通过所述绝缘层的开口部分显露的像素电极，其中所述像素电极直接形成在所述衬底上，且直接连接到所述源极和漏极之一或者从所述源极和漏极之一延伸。

半导体层优选地包括有机半导体材料，源极和漏极由不同的材料形成，并且当像素电极从源极和漏极之一延伸时其由与源极或漏极相同的材料形成。源极或漏极是透明电极或反射电极，透明电极由选自下述材料形成：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO和In₂O₃，反射电极包括由反射材料和透明导电材料形成的叠层，反射材料选自：Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合物，而透明材料则选自：ITO、IZO、ZnO和In₂O₃。源极和漏极中的另一个由选自Au、Pd和Pt的材料形成，从而具有匹配比半导体层的功函数高的导电材料。

半导体层也可以由有机半导体材料形成，当像素电极直接连接到源极或漏极时其由不同于源极和漏极的材料形成。源极和漏极中的另一个由选自Au、Pd和Pt的导电材料形成从而具有比半导体层高的功函数。下电极可以是透明电极或反射电极，透明电极由选自下述材料形成的：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO和In₂O₃，反射电极包括由反射材料和透明导电材料形成的叠层，反射材料选自：Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合物，透明材料选自：ITO、IZO、ZnO和In₂O₃。

半导体层也可以由有机半导体材料形成，源极和漏极由不同的材料形成，像素电极可以包括：从源极和漏极之一延伸的反射层；以及与反射电极重叠的透明电极层。像素电极的反射层以及源极和漏极之一由选自Ag、Mg、 Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或这些材料的组合物的形成，并且透明电极由选自ITO、IZO、ZnO和In₂O₃的材料形成。源极和漏极中的另一个由选自Au、Pt、Pd、MoW氧化物和聚乙撑二氧噻吩(polyethylenedioxythiophenePEDOT)的导电材料形成从而具有比半导体层高的功函数。

绝缘层可以是有机绝缘材料层、无机绝缘材料层和有机-无机混合层之一，并且绝缘层形成为单层或多层。绝缘层可以由选自下述的材料形成：SiO₂、SiNx、Al₂O₃、Ta₂O₅、BST、PZT、聚苯乙烯(PS)、苯基聚合物、丙稀基聚合物、酰亚胺基聚合物(比如聚酰亚胺)、芳基醚聚合物、氨基聚合物、氟基聚合物、p-二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和聚对二甲苯。

绝缘层可以吸收激光束，并且由选自下述的材料形成：SiO₂、聚酰亚胺、聚乙烯苯、聚对二甲苯或PI/Al₂O₃。绝缘层由选自下述的材料形成：聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，其与有吸收激光束的能带的载色体混合或其为共聚物。绝缘层中含有0.005wt％的载色体。

绝缘层由可以使用喷墨方法形成且形成的材料选自：PI/Al₂O₃、聚酰亚胺、PVP、聚对二甲苯、PVA、PVC和PMMA的材料形成。

绝缘层可以由可以使用激光转移的材料形成，并且材料可以通过混合两种或两种以上的聚合物或低分子材料与聚合物来获得。该聚合物可以是聚酰亚胺、聚乙烯苯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对二甲苯或聚苯乙烯中之一，并且低分子材料是氧化锆或氧化铝。聚合物和低分子材料以1∶1-1∶3的比率混合。半导体层以及源极和漏极的厚度的和小于 

半导体层以及源极和漏极的厚度的和在 

的范围内。

绝缘层的开口布置来形成显露在每个像素区域中设置的像素电极的一部分的网孔，或形成为平行于栅线或数据线的线条，从而显露沿栅线布置的每个像素区域中的部分像素电极或显露在沿数据线布置的每个像素区域中部分像素电极。

根据本发明的另一方面，一种制造平板显示装置的方法包括：在衬底上形成源极、漏极和半导体层，半导体层接触源极和漏极；直接在所述衬底上形成像素电极，其中所述像素电极直接连接到所述源极和漏极之一或者从所述源极和漏极之一延伸；在所述源极和漏极及所述像素电极上方形成包括显露部分所述像素电极的开口的绝缘层；形成对应于半导体层的部分绝缘层的栅极。

形成绝缘层可以包括：在衬底的整个表面上沉积可以吸收激光能的绝缘 材料；以及使用激光去除工艺蚀刻对应于开口的绝缘材料。形成绝缘层的步骤还可以包括使用喷墨方法除对应于开口的部分衬底之外在衬底上施加绝缘材料。处理衬底的表面的方法如下进行：使用Ar和O₂等离子体处理对应于开口的部分衬底的表面；使用比如CF₄或C₃F₈的氟基等离子体处理除对应于开口的部分衬底外的衬底的整个表面。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参考对下面的详细说明，本发明变得更好理解，因此本发明的更完整的理解及其许多附带的优点将变得更容易明了，在附图中类似的标号指代相同或相似的部件，其中：

图1是根据本发明实施例的有机EL显示装置的剖面图；

图2A到2C图示了根据本发明的有机EL显示装置的栅极绝缘层中的开口的图案的平面图；

图3A到图3D是根据本发明实施例的使用激光去除方法来制造图1所示的有机EL显示装置的方法的剖面图；

图4A到图4D示出了根据本发明实施例的使用喷墨方法制造图1所示的有机EL显示装置的方法的剖面图；

图5A到图5D是根据本发明实施例的使用激光诱导热成像方法来制造图1所示的有机EL显示装置的方法的剖面图；

图6是根据本发明另一个实施例的有机EL显示装置的剖面图；

图7A到图7D是根据本发明实施例的使用激光去除方法来制造图6所示的有机EL显示装置的方法的剖面图；

图8A到图8D示出了根据本发明实施例的使用喷墨方法制造图6所示的有机EL显示装置的方法的剖面图；

图9A到图9D是根据本发明实施例的使用激光诱导成像方法来制造图6所示的有机EL显示装置的方法的剖面图；

图10是根据本发明另一个实施例的有机EL显示装置的剖面图；

图11A到图11D是根据本发明实施例的使用激光去除方法来制造图10所示的有机EL显示装置的方法的剖面图；

图12A到图12D示出了根据本发明实施例的使用喷墨方法制造图10所示的有机EL显示设备的方法的剖面图；以及

图13A到图13D是根据本发明实施例的使用激光诱导成像方法来制造图10所示的有机EL显示装置的方法的剖面图。

具体实施方式

图1是根据本发明实施例的有机EL显示装置的剖面图。

该有机EL显示装置100包括在衬底上排列为矩阵的多个像素。每个像素包括：薄膜晶体管(TFT)，例如开关TFT和驱动TFT；电容器；和有机EL器件。图1图示了有机EL器件和用于驱动该有机EL器件的驱动TFT。

参考图1，源极121和漏极125形成在衬底110上，下电极160延伸自源极121和漏极125之一，例如漏极125。下电极160作为每个像素中的像素电极。半导体层130分别接触源极121和漏极125。

绝缘层140形成在衬底110上，栅极150形成在绝缘层140上。绝缘层140包括对应于下电极160的开口145，因此作为界定下电极160的像素分隔层，并且作为在栅极150下的区域中的栅极绝缘层。

有机层170形成在开口145中的下电极160上，上电极180形成在整个衬底110上。有机层170可以包括选自空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和空穴抑制层中的一层或多层有机层。在本实施例中，有机层170形成在绝缘层140的开口145中，但是本发明并不限于此。发光层(未示出)可以形成在开口145中，并与相邻像素的发光层相分离，电荷传输层即公共层可以形成在整个衬底110上方。

衬底110可以是玻璃板、塑料衬底或金属衬底。金属衬底可以是不锈钢(SUS)衬底。塑料衬底可以由塑料构成，所述塑料选自聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二酸乙二醇酯(polyethyelenenapthalate，PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫(polyphenylenesulfide，PPS)、聚烯丙烯酯(polyallylate)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate，CAP)。

半导体层130可以为有机半导体层，所述有机半导体层由选自下列的材料形成：并五苯、并四苯、蒽、萘、α-6-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、红荧烯及其衍生物、晕苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酰亚胺(perylenetetracarboxylic diimide)及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酐(perylenetetracarboxylic dianhydride)及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚对二萘嵌苯亚乙烯(polyparaperylenevinylene)及其衍生物、聚氟烯(polyflorene)及其 衍生物、聚噻吩亚乙烯(polythiophenevinylene)及其衍生物、聚对苯及其衍生物、聚噻吩-杂环(polythiophene-heteroring)芳香族化合物共聚物及其衍生物、寡酞烯(oligophthalene)及其衍生物、α-5-噻吩寡噻吩及其衍生物、含金属或不含金属的酞菁染料及其衍生物、均苯四酸二酐(pyromelliticdianhydride)及其衍生物、均苯四酸二酰亚胺(pyromellitic diimide)及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸二酐(perylenetetracarboxylic acid dianhydride)及其衍生物、萘四羧酸二酰亚胺(naphthalene tetracarboxylic acid diimide)及其衍生物、萘四羧酸二酐(naphthalene tetracarboxylic acid dianhydride)及其衍生物。半导体层130包括硅层，比如非晶硅层或多晶硅层，并且可以包括掺杂有高浓度杂质并与源极121和漏极125分别接触的源极/漏极区域。

绝缘层140可以是无机绝缘层、有机绝缘层或无机-有机混合绝缘层，并且可以形成单层或多层。无机绝缘层可以由选自SiO₂、SiNx、Al₂O₃、Ta₂O₅、BST和PZT的材料形成。有机绝缘层包括由选自下述组的材料形成的一种或多种有机绝缘层：聚苯乙烯(PS)、苯基聚合物、丙稀基聚合物、酰亚胺基聚合物(比如聚酰亚胺)、芳基醚聚合物、氨基聚合物、氟基聚合物、p-二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和聚对二甲苯。

另外，绝缘层140可以是可由激光去除的材料形成。绝缘层140可以由能够吸收激光能的材料形成，例如SiO₂、PI/Al₂O₃、或芳香族化合物材料，即选自包括苯功能团的材料，例如聚酰亚胺、聚乙烯苯(PVP)或聚对二甲苯。绝缘层140可以由不吸收激光能的材料形成，例如，聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。在该情形中，该材料混合了0.005wt％或更多的具有吸收激光束波长的能带的载色体，或者可以使用绝缘共聚物。

绝缘层140可以由可在喷墨印刷操作中印刷的材料形成。该绝缘层可以是选自下述组的材料形成：PI/Al₂O₃、聚酰亚胺、PVP、聚对二甲苯、PVA、PVC和PMMA。

另外，绝缘层140可以使用激光诱导热成像(LITI)方法形成，并且可以由常见聚合物形成，例如，聚酰亚胺、PVP、PVA、PVC、PMMA、聚对二甲苯或聚苯乙烯。由于对于LITI工艺，绝缘层140应该引起相分离，所以两种不同的常见聚合物可以被混合，或者比如氧化锆或氧化铝的低分子材料可以与常见聚合物混合。该低分子材料可以与常见聚合物以1∶1-1∶3的比 率混合。另外，半导体层130以及源极121和漏极125分别应该具有小于5000的组合厚度，以充分地进行LITI工艺。例如，半导体层130以及源极121和漏极125的总厚度可以为2000-3000

。

在有机EL显示装置100，源极121和漏极125可以由不同的材料形成。为了获得源极121和半导体层130之间低的接触电阻，源极121可以由基于半导体层130的功函数的材料形成。即，源极121可以包括功函数比有机半导体层130的高的电极材料，以及包括选自Au、Pt和Pd的金属电极材料。

另外，通过绝缘层140显露的部分漏极125作为下电极160，即阳极电极，并且因此，漏极125可以包括下电极材料。例如，如果有机EL显示装置100具有后发射结构，则下电极160可以是透明电极。下电极160可以由比如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明导电材料构成。如果有机EL显示装置具有前发射结构，则下电极160可以是反射电极，并且因此下电极160可以包括透明导电层和在透明导电层下的高反射率的反射层。透明导电层可以由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成，反射层可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合物形成。

如果有机EL显示装置100是后反射型装置，则上电极180可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的组合物形成的反射电极。如果有机EL显示装置100是前发射型装置，则上电极180可以是具有堆叠结构的透明电极，在该堆叠结构中堆叠了金属层和透明导电层。该金属层可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的组合物形成，并且透明导电层可以由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成。

图2A到2C图示了根据本发明的有机EL显示装置的绝缘层中的开口的图案的示例。

在有机EL显示装置100中，多条栅线101和多条数据线103界定了多个像素区域105，它们布置在衬底110上。每个像素区域105包括有机EL器件，该EL器件具有下电极160(即像素电极)以及用于驱动该有机EL器件的TFT。另外，用于提供电压的电源线(未示出)与栅线101相交叉，并且平行于数据线103。

在图2A所示的实施例中，绝缘层140形成在衬底110上，并且绝缘层140的开口145形成显露设置在像素区域105上的像素电极160的某些部分的网孔。在图2B所示的实施例中，绝缘层140的开口145形成平行于数据 线103的线条从而显露像素电极160的某些部分。在图2C所示的实施例中，绝缘层140的开口145形成平行于栅线101的线条从而显露像素电极160的某些部分。

图3A到图3D是根据本发明实施例的使用激光去除方法来制造图1所示的有机EL显示装置的方法的剖面图。

参考图3A，源极121和漏极125形成在衬底110上，并且半导体层130形成来与源极121和漏极125分别接触。漏极125的部分160作为像素电极。漏极125可以在形成源极121之后形成，或者源极121可以形成漏极125之后形成。

参考图3B，栅极绝缘层140形成在衬底110上。栅极绝缘层140可以是能够吸收激光的无机绝缘层、有机绝缘层或无机-有机混合层，并且形成为单层或多层。栅极绝缘层140可以由比如SiO₂、聚酰亚胺、聚乙烯苯(PVP)、聚对二甲苯或PI/Al₂O₃的材料形成。如果该材料例如是聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，或氟基聚合物材料，并因此不能吸收激光能，那么可以在该材料中混合0.005wt％或更多的具有吸收激光束波长的能带的载色体，或者可以使用共聚物的绝缘材料。

参考图3C，使用激光去除方法将激光束5照射到栅极绝缘层140对应于漏极125的部分。栅极绝缘层140因此被蚀刻来形成开口145。栅极绝缘层140具有如图2A到2C所示的开口145。通过栅极绝缘层140的开口145显露的漏极125的部分变为下电极160，即像素电极。

用来产生激光束5的激光器(未示出)为准分子激光器。该准分子激光器产生248nm或308nm的波长的光。当栅极绝缘层140吸收波长为248nm或308nm的光时，进行激光去除方法。对此，栅极绝缘层140可以吸收至少0.005％的激光束波长。在本实施例中，由准分子激光器产生激光束5，但是本发明不限于此。另外，栅极绝缘层140的开口145可以使用光刻工艺而非激光去除方法来形成。

参考图3D，栅极150形成在栅极绝缘层140对应于半导体层130的部分上。另外，有机层170和上电极180形成在衬底110上。

图4A到图4D示出了根据本发明实施例的使用喷墨方法制造图1所示的有机EL显示装置的方法的剖面图。

参考图4A，源极121和漏极125形成在衬底110上，并且半导体层130 形成来与源极121和漏极125接触。参考图4B，将从源极121和漏极125中的一个(例如漏极125)延伸的下电极的表面进行表面处理。使用氟基等离子体15进行表面处理来使表面160a憎水。使用氟基等离子体15的表面处理可以使用比如CF₄或C₃F₈的氟基气体进行。

参考图4C，包括用于形成栅极绝缘层140的绝缘材料的溶液从喷墨头(未示出)释放到衬底110上，从而形成栅极绝缘层140。栅极绝缘层140未形成在下电极160的表面处理部分160a上，由此可以形成显露下电极160的开口145。

栅极绝缘层140具有如图2A到2C所示的开口145，下电极160作为像素电极。栅极绝缘层140可以由选自如下组中的材料形成：PI/Al₂O₃、聚酰亚胺、聚乙烯苯(PVP)、聚对二甲苯、聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。

如果衬底110的表面和墨水没有牢固地附着，即如果衬底110的表面是憎水性的，那么除对应于显露漏极125的部分(即下电极160)的开口145的部分之外的衬底110的表面可以被处理来形成具有开口145的栅极绝缘层140。即，除对应于开口145的漏极125的表面160a之外的整个表面可以使用Ar和O₂等离子体来处理，从而衬底110的表面是亲水性的。包括栅极绝缘材料的墨水被释放到衬底110上，并且因此栅极绝缘层140可以被涂覆到表面处理部分上。因此，栅极绝缘层140没有形成在未用等离子体处理过的漏极125的表面160a上。

参考图4D，栅极150形成在半导体层130上方的栅极绝缘层140的部分上。另外，有机层170和上电极180形成在衬底110上，因此完成有机EL显示装置100的制造。

图5A到图5D是根据本发明实施例的使用激光诱导热成像方法来制造图1所示的有机EL显示装置的方法的剖面图。

参考图5A，源极121和漏极125形成在衬底110上，并且半导体层130形成来与源极121和漏极125分别接触。参考图5B，制备用于形成栅极绝缘层的施主膜10。施主膜10包括基膜11、光/热转换层12和转移层13。基膜11是支撑膜，包括透明聚合物。例如，基膜11可以由比如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙稀酸、聚环氧树脂或聚苯乙烯的聚酯形成。

光/热转换层12包括吸收红外线和可见光的光吸收材料。通过将形成栅 极绝缘层140的材料沉积或涂覆在光/热转换层12上来形成转移层13。施主膜10不限于图5B所示的结构，而是可以具有多种结构。例如，可以涂覆抗反射层来防止转移层13由于光的反射所导致的劣化，或还可以在光/热转换层12之下形成气体产生层来增加施主膜10的灵敏度。

参考图5B和5C，施主膜10附着到衬底110，将激光照射到除待形成开口145的位置之外的整个施主膜10上，由此将转移层13附着到衬底110并且形成具有显露部分下电极160(即阳极电极)的开口145的栅极绝缘层140。栅极绝缘层140具有如图2A到2C所示的开口145。参考图5D，栅极150形成在对应于半导体层130的栅极绝缘层140的部分上。另外，有机层170和上电极180形成在衬底110上，由此完成有机EL显示装置100。

图6是根据本发明另一个实施例的有机EL显示装置的剖面图。

该有机EL显示装置200包括在衬底上排列为矩阵的多个像素。每个像素包括：TFT，例如开关TFT和驱动TFT；电容器；和有机EL器件。图6图示了有机EL器件和用于驱动该有机EL器件的驱动TFT。

参考图6，源极221和漏极225形成在衬底210上，下电极260形成在衬底210上，并且分别连接到源极221和漏极225之一，例如漏极225。如前一个实施例那样，衬底210可以是玻璃衬底、塑料衬底或金属衬底。下电极260作为像素电极。半导体层230形成在衬底210上以分别接触源极221和漏极225。半导体层230可以是有机半导体层或硅层。

绝缘层240形成在衬底210上，栅极250形成在绝缘层240上。绝缘层240作为界定下电极260的像素分隔层，在对应于下电极260的部分中具有开口245，并且作为在栅极250下的栅极绝缘层。有机层270形成在开口245中的下电极260上，上电极280形成在整个衬底210上方。有机层270可以包括选自空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和空穴抑制层中的一层或多层。在本实施例中，有机层270形成在绝缘层240的开口245中，但是本发明并不限于此。每个像素的发光层(未示出)可以形成在开口245中，并与相邻像素的发光层相分离，且电荷传输层即公共层可以形成在整个衬底210上方。

绝缘层240包括显露下电极260的开口245。开口245可以形成如图2A到2C所示的网孔或线条。绝缘层240可以是无机绝缘层、有机绝缘层或无机-有机混合层，并且可以形成单层或多层。无机绝缘层可以由选自SiO₂、 SiNx、Al₂O₃、Ta₂O₅、BST和PZT的材料形成。有机绝缘层包括由一种或多种有机绝缘层形成，所述有机绝缘层选自下述组的材料：聚苯乙烯(PS)、苯基聚合物、丙稀基聚合物、酰亚胺基聚合物(比如聚酰亚胺)、芳基醚聚合物、氨基聚合物、氟基聚合物、p-二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和聚对二甲苯。

另外，绝缘层240可以是可由激光去除的材料形成。绝缘层240可以能够吸收激光能的材料形成，例如SiO₂、PI/Al₂O₃或芳香族材料，即选自包括苯功能团的材料，例如聚酰亚胺、聚乙烯苯(PVP)或聚对二甲苯。绝缘层240可以由不吸收激光能的材料形成，例如，聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。在该情形中，该材料混合了0.005wt％或更多的具有吸收激光束波长的能带的载色体，或者可以使用绝缘共聚物。

绝缘层240可以由可以在喷墨印刷操作中印刷的材料形成。该绝缘材料可以是选自下述组的材料形成：PI/Al₂O₃、聚酰亚胺、PVP、聚对二甲苯、PVA、PVC和PMMA。

另外，绝缘层240可以使用LITI方法形成，并且可以由常见聚合物形成，例如，聚酰亚胺、PVP、PVA、PVC、PMMA、聚对二甲苯或聚苯乙烯。由于对于LITI工艺，绝缘层240应该引起相分离，所以两种不同的常见聚合物可以被混合，或者比如氧化锆或氧化铝的低分子材料可以与常见聚合物混合。该低分子材料可以与常见聚合物以1∶1-1∶3的比率混合。另外，半导体层230以及源极221和漏极225分别应该具有小于5000的组合厚度，以充分地进行LITI工艺。例如，半导体层230与源极221和漏极225的总厚度可以分别为2000-3000

。

为了获得源极221、漏极225和半导体层230之间低的接触电阻，源极221和漏极225可以由基于半导体层230的功函数的材料形成。即，源极121和漏极225可以包括功函数比有机半导体层230的高的电极材料，以及包括选自Au、Pt和Pd的金属电极材料。

如果有机EL显示装置200是后反射型装置，则下电极260可以是透明电极。该下电极260可以有由比如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明材料形成。如果有机EL显示装置200是前发射型装置，则下电极260可以是反射电极，并且因此下电极260可以包括透明导电层和设置在透明导电层下具有高反射率的反射层。该透明导电层可以由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成，并且该反 射层可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合物形成。

如果有机EL显示装置200是后反射型装置，则上电极280可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的组合物形成的反射电极。如果该有机EL显示装置是前发射型装置，则上电极280可以是具有堆叠结构的透明电极，在该堆叠结构中堆叠了金属层和透明导电层。该金属层可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的组合物形成，并且透明导电层可以由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成。

图7A到图7D是根据本发明实施例的使用激光去除方法来制造图6所示的有机EL显示装置的方法的剖面图。

参考图7A，源极221和漏极225形成在衬底210上，下电极260分别连接到源极221和漏极225之一，例如漏极225。另外，半导体层230形成来与源极221和漏极225分别接触。在本实施例中，半导体层230在形成下电极260之后形成，但是下电极260可以在形成半导体层230之后形成，只要有机EL器件200的特性不受影响。

参考图7B，栅极绝缘层240形成在衬底210上。栅极绝缘层240可以是能够吸收激光的无机绝缘层、有机绝缘层或无机-有机混合层，并且形成为单层或多层。栅极绝缘层240可以由比如SiO₂、聚酰亚胺、聚乙烯苯(PVP)、聚对二甲苯或PI/Al₂O₃的材料形成。如果该材料例如是聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，或氟基聚合物材料，并因此不能吸收激光能，那么可以在该材料中混合0.005wt％或更多的具有吸收激光束波长的能带的载色体，或者可以使用共聚物的绝缘材料。

参考图7C，使用激光去除方法将激光束6照射到栅极绝缘层240对应于漏极225的部分。栅极绝缘层240因此被蚀刻来形成开口245。栅极绝缘层240具有如图2A到2C所示的开口245。

激光器6优选为准分子激光器。该准分子激光器产生波长为248nm或308nm的光。当栅极绝缘层240吸收波长为248nm或308nm的光时，进行激光去除方法。对此，栅极绝缘层240可以吸收至少0.005％的激光束波长。在本实施例中，激光器6优选为准分子激光器，但是本发明不限于此。另外，栅极绝缘层240的开口245可以使用光刻工艺而非激光去除方法来形成。

参考图7D，栅极250形成在对应于半导体层230的栅极绝缘层240的 部分上。另外，有机层270和上电极280(参见图6)形成在衬底210上，由此可以制造有机EL显示装置200。

图8A到图8D示出了根据本发明实施例的使用喷墨方法制造图6所示的有机EL显示设备的方法的剖面图。

参考图8A，源极221和漏极225形成在衬底210上，下电极260形成来连接到源极221或漏极225，例如漏极225。另外，半导体层230形成来优选地与源极221和漏极225接触。参考图8B，将下电极260的表面260a部分处理。使用氟基等离子体25来进行该表面处理，从而使表面260a为憎水性的。该使用氟基等离子体25的表面处理可以使用比如CF₄或C₃F₈的氟基气体进行。

参考图8C，包括用于形成栅极绝缘层240的绝缘材料的溶液从喷墨头(未示出)释放到衬底210上，从而形成栅极绝缘层240。栅极绝缘层240未形成在下电极260的表面处理部分260a上，由此可以形成显露下电极260的开口245。栅极绝缘层240包括对应于如图2A到2C所示的开口145的开口245。栅极绝缘层240可以由选自如下组中的材料形成：PI/Al₂O₃、聚酰亚胺、聚乙烯苯(PVP)、聚对二甲苯、聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。

如果衬底210的表面和墨水没有牢固地附着，即如果衬底210的表面是憎水性的，那么除对应于显露部分漏极225(即下电极260)的开口245的部分之外衬底210的表面可以被处理来形成包括开口245的栅极绝缘层240。即，除对应于开口245的下电极260的表面260a之外的整个表面可以使用Ar和O₂等离子体来处理，从而衬底210的表面是亲水性的。包括栅极绝缘材料的墨水被释放到衬底210上，并且因此栅极绝缘层240可以被涂覆到表面处理部分上。因此，栅极绝缘层240没有形成在未用等离子体处理过的下电极260的表面260a上。

参考图8D，栅极250形成在半导体层230上方的栅极绝缘层240的部分上。另外，有机层270和上电极280(见图6)形成在衬底210上，因此完成有机EL显示装置200的制造。

图9A到图9D是根据本发明实施例的使用激光诱导成像方法来制造图6所示的有机EL显示装置的方法的剖面图。

参考图9A，源极221和漏极225形成在衬底210上，下电极260分别 连接到源极221和漏极225之一，例如漏极225，并且半导体层230形成来与源极221和漏极225分别接触。参考图9B，制备用于形成栅极绝缘层的施主膜20。该施主膜20具有与上述施主膜10相同的结构。即，施主膜20包括基膜21、光/热转换层22和转移层23。转移层23包括用于形成栅极绝缘层240的层。

参考图9B和9C，施主膜20附着到衬底210，将激光照射到除待形成开口245的位置之外的整个施主膜20上，由此将转移层23附着到衬底210并且形成具有显露部分下电极260(即阳极电极)的开口245的栅极绝缘层240。栅极绝缘层240具有对应于如图2A到2C所示的开口145的开口245。参考图9D，栅极250形成在对应于半导体层230的栅极绝缘层240的部分上。另外，有机层270和上电极280(参见图6)形成在衬底210上，由此完成有机EL显示装置200。

图10是根据本发明另一个实施例的有机EL显示装置的剖面图。

该有机EL显示装置300包括在衬底上排列为矩阵的多个像素。每个像素包括：TFT，例如开关TFT和驱动TFT；电容器；和有机EL器件。图10图示了有机EL器件和用于驱动该有机EL器件的驱动TFT。

参考图10，源极321和漏极325形成在衬底310上，下电极360形成在衬底310上从而分别连接到源极321和漏极325之一，例如漏极325。如前一个实施例那样，衬底310可以是玻璃衬底、塑料衬底或金属衬底。半导体层330分别接触源极321和漏极325，可以是有机半导体层或硅层。下电极360作为像素电极。

绝缘层340形成在衬底310上，栅极350形成在绝缘层340上。绝缘层340具有在对应于下电极360的部分形成网孔或线条的开口345。绝缘层340作为界定下电极360的像素分隔层，并且作为栅极绝缘层。有机层370形成在开口345中的下电极360上，上电极380形成在整个衬底310上方。有机层370可以包括选自空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和空穴抑制层中的一层或多层。在本实施例中，有机层370形成在绝缘层340的开口345中，但是本发明并不限于此。每个像素的发光层(未示出)可以形成在开口345中，并与相邻像素的发光层相分离，电荷传输层即公共层可以形成在整个衬底310上方。

绝缘层340可以是无机绝缘层、有机绝缘层或无机-有机混合层，并且 可以形成单层或多层。无机绝缘层可以由选自SiO₂、SiNx、Al₂O₃、Ta₂O₅、BST和PZT的材料形成。有机绝缘层包括由一种或多种有机绝缘层形成，所述有机绝缘层选自下述组的材料：聚苯乙烯(PS)、苯基聚合物、丙稀基聚合物、酰亚胺基聚合物(比如聚酰亚胺)、芳基醚聚合物、氨基聚合物、氟基聚合物、p-二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和聚对二甲苯。

另外，绝缘层340可以是可由激光去除的材料形成。绝缘层340可以能够吸收激光能的材料形成，例如SiO₂、PI/Al₂O₃或芳香族材料，即选自包括苯功能团的材料，例如聚酰亚胺、聚乙烯苯(PVP)或聚对二甲苯。绝缘层340可以由不吸收激光能的材料形成，例如，聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。在该情形中，该材料混合了0.005wt％或更多的具有吸收激光束波长的能带的载色体，或者可以使用绝缘共聚物。

绝缘层340可以由可以在喷墨印刷操作中印刷的材料形成。该绝缘材料可以由选自下述组的材料形成：PI/Al₂O₃、聚酰亚胺、PVP、聚对二甲苯、PVA、PVC和PMMA。

另外，绝缘层340可以使用LITI方法形成，并且可以由常见聚合物形成，例如，聚酰亚胺、PVP、PVA、PVC、PMMA、聚对二甲苯或聚苯乙烯。由于对于激光转移操作，绝缘层340应该引起相分离，所以两种不同的常见聚合物可以被混合，或者比如氧化锆或氧化铝的低分子材料可以与常见聚合物混合。该低分子材料可以与常见聚合物以1∶1-1∶3的比率混合。另外，半导体层330以及源极321和漏极325分别应该具有小于5000

的组合厚度，以充分地进行LITI工艺。例如，半导体层330与源极321和漏极325的总厚度分别可以为2000-3000

。

在有机EL显示装置300中，源极321和漏极325可以由不同的材料形成。为了获得源极321和半导体层330之间低的接触电阻，源极321可以由基于半导体层330的功函数的材料形成。即，源极321可以包括功函数比有机半导体层330的高的电极材料，以及包括选自Au、Pt、Pd、MoW氧化物和聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)的导电材料。漏极325作为下电极360的反射层361，并且因此由具有高反射率的材料形成，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合物。

下电极360作为在每个像素中的像素电极，并且包括反射层361和透明电极365。反射层361从漏极325延伸，并且由具有高反射率的材料形成， 例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合物。透明电极365包括由比如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的材料形成的透明导电层。

有机EL显示装置300是前发射型器件，因此上电极380包括透明电极。上电极380具有堆叠结构，在该堆叠结构中堆叠了金属层和透明导电层。上电极380中的金属层由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的组合物形成，并且透明导电层可以由ITO、IZO、ZnO或In₂O₃形成。

图11A到图11D是根据本发明实施例的使用激光去除方法来制造图10所示的有机EL显示装置的方法的剖面图。

参考图11A，源极321和漏极325形成在衬底310上。另外，下电极360通过沉积透明电极365形成从而与源极321和漏极325之一重叠，例如漏极325。下电极360具有堆叠结构，其中堆叠从漏极325延伸的反射层361和透明电极365。另外，半导体层330形成来与源极321和漏极325分别接触。漏极325可以在形成源极321之后形成，或者源极321可以在形成漏极325之后形成。而且，在本实施例中，半导体层330在形成透明电极365之后形成，但是透明电极365可以在形成半导体层330之后形成，只要有机EL器件300的特性不受影响。

参考图11B，栅极绝缘层340形成在衬底310上。栅极绝缘层340可以是能够吸收激光的无机绝缘层、有机绝缘层或无机-有机混合层，并且形成为单层或多层。栅极绝缘层340可以由比如SiO₂、聚酰亚胺、聚乙烯苯(PVP)、聚对二甲苯或PI/Al₂O₃的材料形成。如果该材料例如是聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，或氟基聚合物材料，并因此不能吸收激光能，那么可以在该材料中混合0.005wt％或更多的具有吸收激光束波长的能带的载色体，或者可以使用共聚物的绝缘材料。

参考图11C，使用激光去除方法将激光束7照射到栅极绝缘层340对应于漏极325的部分。栅极绝缘层340因此被蚀刻来形成开口345。栅极绝缘层340具有如图2A到2C所示的开口145的开口345。

激光束7优选由准分子激光器产生。该准分子激光器产生波长为248nm或308nm的光。当栅极绝缘层340吸收波长为348nm或308nm的光时，进行激光去除方法。对此，栅极绝缘层340可以吸收至少0.005％的激光束波长。在本实施例中，激光束7优选由准分子激光器产生，但是本发明不限于此。另外，栅极绝缘层340的开口345可以使用光刻工艺而非激光去除方法 来形成。

参考图11D，栅极350形成在对应于半导体层330的栅极绝缘层340的部分上。另外，有机层370和上电极380(参见图10)形成在衬底310上，由此可以制造有机EL显示装置300。

图12A到图12D示出了根据本发明实施例的使用喷墨方法制造图10所示的有机EL显示装置的方法的剖面图。

参考图12A，源极321和漏极325形成在衬底310上。另外，透明电极365形成来与源极321和漏极325之一重叠，例如漏极325。另外，半导体层330形成来与源极321和漏极325分别接触。参考图12B，将下电极360的表面360a部分处理。使用氟基等离子体35来进行该表面处理，从而使表面360a为憎水性的。该使用氟基等离子体35的表面处理可以使用比如CF₄或C₃F₈的氟基气体进行。

参考图12C，包括用于形成栅极绝缘层340的绝缘材料的溶液从喷墨头(未示出)释放到衬底310上，从而形成栅极绝缘层340。栅极绝缘层340未形成在下电极360的表面处理部分360a上，由此可以形成显露下电极360的开口345。栅极绝缘层440包括对应于如图3A到3C所示的开口145的开口345。栅极绝缘层340可以包括由选自如下组中的材料形成的层：PI/Al₂O₃、聚酰亚胺、聚乙烯苯(PVP)、聚对二甲苯、聚乙烯醇(PVA)、聚氯乙烯(PVC)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。

如果衬底310的表面和墨水没有牢固地附着，即如果衬底310的表面是憎水性的，那么除对应于显露下电极360的部分的开口345的部分之外的衬底310的表面可以被处理来形成具有开口345的栅极绝缘层340。即，除对应于开口345的下电极360的表面360a之外的整个表面可以使用Ar和O₃等离子体来处理，从而衬底的该表面是亲水性的。包括栅极绝缘材料的墨水被释放到衬底310上，并且因此栅极绝缘层340可以被涂覆到表面处理部分上。因此，栅极绝缘层340没有形成在未用等离子体处理过的下电极360的表面360a上。

参考图12D，栅极350形成在半导体层330上方的栅极绝缘层340的部分上。另外，有机层370和上电极380(参见图10)形成在衬底310上，因此完成有机EL显示装置300的制造。

图13A到图13D是根据本发明实施例的使用激光诱导成像方法来制造 图10所示的有机EL显示装置的方法的剖面图。

参考图13A，源极321和漏极325形成在衬底310上，透明电极365形成来与源极321和漏极325之一重叠，例如漏极325，并且半导体层330形成来与源极321和漏极325分别接触。参考图13B，制备用于形成栅极绝缘层的施主膜30。该施主膜30具有与上述施主膜10相同的结构。即，施主膜30包括基膜31、光/热转换层32和转移层33。转移层33包括用于形成栅极绝缘层240的层。

参考图13B和13C，施主膜30附着到衬底310，将激光照射到除待形成开口345的位置之外的整个施主膜30上，由此将转移层33附着到衬底310并且形成具有显露部分下电极360(即阳极电极)的开口345的栅极绝缘层340。栅极绝缘层340具有对应于如图2A到2C所示的开口145的开口345。参考图13D，栅极350形成在对应于半导体层330的栅极绝缘层340的部分上。另外，有机层370和上电极380(参见图10)形成在衬底310上，由此完成有机EL显示装置300。

在本发明的实施例中，由于栅极绝缘层作为像素分隔层，所以上电极直接接触栅电极。但是，栅电极和上电极可以通过在它们之间形成绝缘层而彼此电隔离，这虽然在图中未示出。

在本文所描述的本发明的实施例中，栅极绝缘层用作界定包括有机TFT的有机EL显示装置中的像素电极的像素分隔层，但是栅极绝缘层可以应用到其它平板显示装置，比如使用TFT作为开关器件的液晶显示装置。

另外，根据本文所描述的本发明的实施例，有机EL显示装置包括顶栅极型TFT，但是本发明不限于此。本发明也可以应用到其中栅极绝缘层用作像素分隔层的结构。

另外，在本文所描述的本发明的实施例中，驱动TFT和有机EL器件在像素区域中，但是该有机EL显示装置可以具有各种像素结构。

根据本发明的有机EL显示装置和制造该有机EL显示装置的方法，由于栅极绝缘层作为界定像素电极的像素分隔层，所以不需要用于形成连接像素电极到TFT的源极或漏极的过孔以及形成界定像素电极的发光区域的像素界定层的掩模工艺。所以，简化了器件的结构以及形成器件的工艺。

另外，当根据本发明使用激光去除法、LITI方法或喷墨方法将用于界定像素电极的开口形成在栅极绝缘层中时，不需要进行常规技术中形成开口的 光刻方法。因此，不会残留剩余的光敏材料，所以可以防止有缺陷的图案。

虽然参考本发明的示范性实施例具体的示出和说明了本发明，但是本领域的普通技术人员应该理解，在不脱离权利要求所界定的本发明的精神和范围的情形，可以进行各种形式和细节上的改变。

Claims (28)

1.一种平板显示装置，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的源极和漏极；

接触所述源极和漏极的半导体层；

形成在所述源极和漏极以及像素电极上方的绝缘层，所述绝缘层具有开口；

形成在所述绝缘层上方的栅极；以及

通过所述绝缘层的开口部分显露的所述像素电极，

其中所述像素电极直接形成在所述衬底上，且直接连接到所述源极和漏极之一或者从所述源极和漏极之一延伸。

2.根据权利要求1的平板显示装置，其中，所述半导体层包括有机半导体材料，所述源极和漏极由不同的材料形成，并且当所述像素电极从所述源极和漏极之一延伸时，所述像素电极由与所述源极和漏极所述之一相同的材料形成。

3.根据权利要求1的平板显示装置，其中，所述源极和漏极所述之一是透明电极和反射电极之一，所述透明电极由选自下述材料形成：氧化铟锡、氧化铟锌、ZnO和In₂O₃，所述反射电极包括由反射材料和透明导电材料形成的叠层，所述反射材料选自：Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合物，而所述透明材料则选自：氧化铟锡、氧化铟锌、ZnO和In₂O₃。

4.根据权利要求3的平板显示装置，其中，所述源极和漏极的另一个由选自Au、Pd和Pt并具有比所述半导体层高的功函数的导电材料形成。

5.根据权利要求1的平板显示装置，其中，所述半导体层由有机半导体材料形成，当所述像素电极直接连接到所述源极和漏极之一时，所述像素电极由不同于所述源极和漏极的材料形成。

6.根据权利要求5的平板显示装置，其中，所述源极和漏极中的另一个由选自Au、Pd和Pt并具有比所述半导体层高的功函数的导电材料形成。

7.根据权利要求5的平板显示装置，其中，所述像素电极是透明电极和反射电极之一，所述透明电极由选自下述材料形成：氧化铟锡、氧化铟锌、ZnO和In₂O₃，所述反射电极包括由反射材料和透明导电材料形成的叠层，所述反射材料选自：Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合物，所述透明材料选自：氧化铟锡、氧化铟锌、ZnO和In₂O₃。

8.根据权利要求1的平板显示装置，其中，所述半导体层由有机半导体材料形成，所述源极和漏极由不同的材料形成，并且其中，所述像素电极包括：

从所述源极和漏极之一延伸的反射层；以及

与所述反射电极重叠的透明电极层。

9.根据权利要求1的平板显示装置，其中，所述像素电极的反射层以及所述源极和漏极之一由选自Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或这些材料的组合物形成，并且其中，所述透明电极由选自氧化铟锡、氧化铟锌、ZnO和In₂O₃的材料形成。

10.根据权利要求8的平板显示装置，其中，所述源极和漏极中的另一个由选自Au、Pt、Pd、MoW氧化物和聚乙撑二氧噻吩并具有比所述半导体层高的功函数的导电材料形成。

11.根据权利要求1的平板显示装置，其中，所述绝缘层是有机绝缘材料层、无机绝缘材料层和有机-无机混合层之一，并且所述绝缘层形成为单层或多层。

12.根据权利要求1的平板显示装置，其中，所述绝缘层由选自下述的材料形成：SiO₂、SiNx、Al₂O₃、Ta₂O₅、BST、PZT、聚苯乙烯、苯基聚合物、丙稀基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚聚合物、氨基聚合物、氟基聚合物、p-二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和聚对二甲苯。

13.根据权利要求1的平板显示装置，其中，所述绝缘层吸收激光束，并且由选自下述的材料形成：SiO₂、聚酰亚胺、聚乙烯苯、聚对二甲苯或PI/Al₂O₃。

14.根据权利要求1的平板显示装置，其中，所述绝缘层由选自下述的材料形成：

选自聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯的一种材料；和

载色体与共聚物材料之一，所速载色体具有吸收激光束的能带。

15.根据权利要求14的平板显示装置，其中，所述绝缘层含有0.005wt％的载色体。

16.根据权利要求1的平板显示装置，其中，所述绝缘层由可以使用喷墨方法形成且材料选自：PI/Al₂O₃、聚酰亚胺、聚乙烯苯、聚对二甲苯、聚乙烯醇、聚氯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯。

17.根据权利要求1的平板显示装置，其中，所述绝缘层由可以使用激光转移的材料形成，并且材料通过混合两种或两种以上的聚合物或低分子材料与聚合物来获得。

18.根据权利要求17的平板显示装置，其中，所述聚合物是聚酰亚胺、聚乙烯苯、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对二甲苯或聚苯乙烯中之一，并且所述低分子材料是氧化锆和氧化铝。

19.根据权利要求17的平板显示装置，其中，所述聚合物和所述低分子材料以1∶1-1∶3的比率混合。

20.根据权利要求17的平板显示装置，其中，所述半导体层以及所述源极和漏极的厚度的和小于

21.根据权利要求20的平板显示装置，其中，所述半导体层以及所述源极和漏极的厚度之和在的范围内。

22.根据权利要求1的平板显示装置，还包括：

多条栅线和多条数据线，在所述衬底上彼此交叉；以及

由所述多条栅线和多条数据线界定的多个像素区域；

其中，每个像素区域包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括所述源极和漏极、半导体层和栅极，其中所述像素电极连接到所述薄膜晶体管的源极和漏极之一，并且其中，所述绝缘层的开口布置来形成为显露每个所述像素区域中的部分像素电极的网孔，或形成为平行于所述栅线和数据线之一的线条从而显露每个所述像素区域中的部分像素电极。

23.一种制造平板显示装置的方法，包括如下步骤：

在衬底上形成源极、漏极和半导体层，所述半导体层接触所述源极和漏极；

直接在所述衬底上形成像素电极，其中所述像素电极直接连接到所述源极和漏极之一或者从所述源极和漏极之一延伸；

在所述源极和漏极及所述像素电极上方形成包括显露部分所述像素电极的开口的绝缘层；

在对应于半导体层的部分绝缘层上形成栅极。

24.根据权利要求23的方法，其中形成所述绝缘层的步骤包括：

在所述衬底的整个表面上沉积可吸收激光能的绝缘材料；以及

使用激光去除方法蚀刻对应于所述开口的绝缘材料。

25.根据权利要求23的方法，其中形成所述绝缘层的步骤包括：

使用喷墨方法，除对应于所述开口的部分衬底之外，在所述衬底上施加绝缘材料。

26.根据权利要求25的方法，还包括步骤：

在形成所述绝缘层之前，使用等离子体对所述衬底的表面进行处理。

27.根据权利要求26的方法，其中处理所述衬底的表面的方法包括如下之一：使用Ar和O₂等离子体处理对应于所述开口的部分衬底；使用包括CF₄或C₃F₈的氟基等离子体处理除对应于所述开口的部分衬底外的衬底。

28.根据权利要求26的方法，其中所述绝缘层是使用激光诱导热成像方法形成的。

Images