JP4732084B2 - 発光素子用の基板、その製造方法、発光素子用の電極、及びこれを備えた発光素子 - Google Patents
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Description
2 金属ライン、
3 構造体、
4 ポリマーライン。
Claims (34)
- 基底基板と、
前記基底基板上に配置され、ライン状に形成された金属より構成された層構造体と、
前記金属の層構造体上に配置された伝導性ポリマーの層構造体と、
を備え、
前記伝導性ポリマーの層構造体は、前記金属より構成された層構造体の少なくとも上面および一側面が覆われるように、ライン状に形成されることを特徴とする発光素子用の基板。 - 前記金属は、銀、銅、および金よりなる群から選択される何れか一種であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子用の基板。
- 前記金属の層構造体は、ライン状に形成された複数の金属ラインより形成されたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光素子用の基板。
- 前記金属ラインは、50μmないし150μmの幅と10nmないし200nmの高さとを有し、隣接した金属ライン間の距離は、100μmないし1500μmであることを特徴とする請求項3に記載の発光素子用の基板。
- 前記伝導性ポリマーは、ポリエチレンジオキシチオフェンまたはポリアニリンであることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の発光素子用の基板。
- 前記伝導性ポリマーの層構造体は、層厚が30nmないし300nmである連続層より形成されたことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の発光素子用の基板。
- 前記伝導性ポリマーの層構造体は、ライン状に形成された複数のポリマーラインより形成されたことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の発光素子用の基板。
- 前記ポリマーラインは、100μmないし400μmの幅と、10nmないし200nmの高さとを有し、隣接したポリマーライン間の距離は、100μmないし1500μmであることを特徴とする請求項7に記載の発光素子用の基板。
- 前記伝導性ポリマーの層構造体において、前記ポリマーラインは、前記金属ラインの少なくとも上面および一側面を覆うように形成されることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の発光素子用の基板。
- 前記伝導性ポリマーの層構造体において、前記ポリマーラインは、前記金属ラインを完全に覆うことによって埋設されるように形成されることを特徴とする請求項7または請求項8に記載の発光素子用の基板。
- ライン状の金属の層構造体が伝導性ポリマーによって少なくとも上面および一側面を覆うように形成される、伝導性ポリマー構造体を有する発光素子用の基板の製造方法であって、
基底基板上に、50μmないし150μmの幅と10nmないし200nmの高さを有する金属層を付着するステップと、
100μmないし400μmの幅と10nmないし200nmの高さを有する、伝導性ポリマーの層構造体を付着するステップと、
を含むことを特徴とする発光素子用の基板の製造方法。 - 前記ライン状に付着された金属ラインは、金属を含むインクのインクジェットプリンティングにより付着されたことを特徴とする請求項11に記載の発光素子用の基板の製造方法。
- 前記伝導性ポリマーは、スピンコーティングまたはプリンティングにより付着されたことを特徴とする請求項11または請求項12に記載の発光素子用の基板の製造方法。
- 銀、銅、および金よりなる群から選択される何れか一種は、前記金属として使用され、
ポリエチレンジオキシチオフェンまたはポリアニリンは、前記伝導性ポリマーとして使用されることを特徴とする請求項11〜請求項13のいずれか一項に記載の発光素子用の基板の製造方法。 - 基底基板上に配置され、50μmないし150μmの幅と10nmないし200nmの高さとを有する金属より構成された層と、
前記金属の層構造体上に100μmないし400μmの幅と10nmないし200nmの高さを有する伝導性ポリマーの層と、
を備え、
前記金属層は、前記伝導性ポリマー層によって少なくとも上面および一側面が覆われるように、ライン状に形成されることを特徴とする発光素子用の電極。 - 前記金属は、銀、銅、および金よりなる群から選択される何れか一種であることを特徴とする請求項15に記載の発光素子用の電極。
- 前記金属層は、ライン状に形成された複数の金属ラインより形成されたことを特徴とする請求項15または請求項16に記載の発光素子用の電極。
- 前記金属ラインは、50μmないし150μmの幅と、10nmないし200nmの高さとを有し、隣接した金属ライン間の距離は、100μmないし1500μmであることを特徴とする請求項17に記載の発光素子用の電極。
- 前記伝導性ポリマーは、ポリエチレンジオキシチオフェンまたはポリアニリンであることを特徴とする請求項15〜請求項18のいずれか一項に記載の発光素子用の電極。
- 前記伝導性ポリマーの層構造体は、層厚が30nmないし300nmである連続層より形成されたことを特徴とする請求項15から請求項19のいずれか一項に記載の発光素子用の電極。
- 前記伝導性ポリマーの層構造体は、ライン状に形成された複数のポリマーラインより形成されたことを特徴とする請求項19または請求項20に記載の発光素子用の電極。
- 前記ポリマーラインは、100μmないし400μmの幅と、10nmないし200nmの高さとを有し、隣接したポリマーライン間の距離は、100μmないし1500μmであることを特徴とする請求項21に記載の発光素子用の電極。
- 前記伝導性ポリマーの層構造体において、前記ポリマーラインは、前記金属ラインの少なくとも上面および一側面を覆うように形成されることを特徴とする請求項21または請求項22に記載の発光素子用の電極。
- 前記伝導性ポリマー層構造体において、前記ポリマーラインは、前記金属ラインを完全に覆うことによって埋設するように形成されることを特徴とする請求項21〜請求項23いずれか一項に記載の発光素子用の電極。
- 基底基板上に配置され、50μmないし150μmの幅と10nmないし200nmの高さとを有する金属より構成された層構造体、及び前記金属の層構造体上に配置された、100μmないし400μmの幅と10nmないし200nmの高さを有する伝導性ポリマーの層を備え、前記金属層は、前記伝導性ポリマー層によって少なくとも上面および一側面が覆われるように、ライン状に形成される伝導性ポリマー層構造体からなる第1電極と、
前記第1電極と対向された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に介在される発光層と、を備えることを特徴とする発光素子。 - 前記金属は、銀、銅、および金よりなる群から選択される何れか一種であることを特徴とする請求項25に記載の発光素子。
- 前記金属の層構造体は、ライン状に形成された複数の金属ラインより形成されたことを特徴とする請求項25または請求項26に記載の発光素子。
- 前記金属ラインは、50μmないし150μmの幅と、10nmないし200nmの高さとを有し、隣接した金属ライン間の距離は、100μmないし1500μmであることを特徴とする請求項27に記載の発光素子。
- 前記伝導性ポリマーは、ポリエチレンジオキシチオフェンまたはポリアニリンであることを特徴とする請求項25〜請求項28のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記伝導性ポリマーの層構造体は、層厚が30nmないし300nmである連続層より形成されたことを特徴とする請求項25から請求項29のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記伝導性ポリマーの層構造体は、ライン状に形成された複数のポリマーラインより形成されたことを特徴とする請求項25から請求項30のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記ポリマーラインは、100μmないし400μmの幅と、10nmないし200nmの高さとを有し、隣接したポリマーライン間の距離は、100μmないし1500μmであることを特徴とする請求項31に記載の発光素子。
- 前記ポリマーラインは、前記金属ラインの少なくとも上面および一側面を覆うように形成されることを特徴とする請求項31または請求項32に記載の発光素子。
- 前記ポリマーラインは、前記金属ラインを完全に覆うことによって埋設するように形成されることを特徴とする請求項31または請求項32に記載の発光素子。
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