JP2006502535A - 実質的に透明な伝導層構成の製造方法 - Google Patents
実質的に透明な伝導層構成の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006502535A JP2006502535A JP2004529947A JP2004529947A JP2006502535A JP 2006502535 A JP2006502535 A JP 2006502535A JP 2004529947 A JP2004529947 A JP 2004529947A JP 2004529947 A JP2004529947 A JP 2004529947A JP 2006502535 A JP2006502535 A JP 2006502535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- silver
- conductive
- group
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 90
- -1 phenyl-substituted ethylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 54
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 36
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 23
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 4
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000005654 1,2-cyclohexylene group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([*:2])C([H])([*:1])C1([H])[H] 0.000 claims abstract description 3
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000001570 methylene group Chemical class [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 claims abstract description 3
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims abstract 3
- 125000005717 substituted cycloalkylene group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 89
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 84
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 claims description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 24
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 claims description 24
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 claims description 24
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 claims description 24
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 claims description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 12
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 10
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 10
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 claims description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 8
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- NRUVOKMCGYWODZ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenepalladium Chemical group [Pd]=S NRUVOKMCGYWODZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 289
- 239000000463 material Substances 0.000 description 67
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 56
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 48
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 34
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 25
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000011161 development Methods 0.000 description 20
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 20
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 15
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 14
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 13
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 13
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 9
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- GGZHVNZHFYCSEV-UHFFFAOYSA-N 1-Phenyl-5-mercaptotetrazole Chemical class SC1=NN=NN1C1=CC=CC=C1 GGZHVNZHFYCSEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229920000447 polyanionic polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 5
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 5
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical class [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012822 chemical development Methods 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNOOCRQGKGWSJE-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydro-2h-thieno[3,4-b][1,4]dioxepine Chemical compound O1CCCOC2=CSC=C21 WNOOCRQGKGWSJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101001123543 Caenorhabditis elegans Phosphoethanolamine N-methyltransferase 1 Proteins 0.000 description 2
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- XZMCDFZZKTWFGF-UHFFFAOYSA-N Cyanamide Chemical compound NC#N XZMCDFZZKTWFGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101001123538 Nicotiana tabacum Putrescine N-methyltransferase 1 Proteins 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical class C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N hexadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCO BXWNKGSJHAJOGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002650 laminated plastic Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920002851 polycationic polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 2
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 2
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- AVBCFBRGFCGJKX-UHFFFAOYSA-N thieno[3,4-d][1,3]dioxole Chemical compound S1C=C2OCOC2=C1 AVBCFBRGFCGJKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006276 transfer reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006163 transport media Substances 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- CAFFRONNGPFZKV-UHFFFAOYSA-N 1-(3,4-dichlorophenyl)-2h-tetrazole-5-thione Chemical compound C1=C(Cl)C(Cl)=CC=C1N1C(=S)N=NN1 CAFFRONNGPFZKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-1-ol Chemical compound CCC(O)OC LHENQXAPVKABON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAAIPIWKKXCNOC-UHFFFAOYSA-N 1h-tetrazol-1-ium-5-thiolate Chemical class SC1=NN=NN1 JAAIPIWKKXCNOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGMUDSKJLAUMTC-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctanamide Chemical compound NC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F UGMUDSKJLAUMTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INVVMIXYILXINW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1h-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidin-7-one Chemical compound CC1=CC(=O)N2NC=NC2=N1 INVVMIXYILXINW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNFCXVRWFNAHQX-UHFFFAOYSA-N 9,9'-spirobi[fluorene] Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C21C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C21 SNFCXVRWFNAHQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100476480 Mus musculus S100a8 gene Proteins 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBXUTWUXKZRCGN-UHFFFAOYSA-N O=C1OCCOC(=O)C2=CC=C1C1=CC=CC=C21 Chemical compound O=C1OCCOC(=O)C2=CC=C1C1=CC=CC=C21 ZBXUTWUXKZRCGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYZGMENMNUBUFC-UHFFFAOYSA-N P.[S-2].[Zn+2] Chemical compound P.[S-2].[Zn+2] NYZGMENMNUBUFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 101100241858 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) OAC1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010064127 Solar lentigo Diseases 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000008052 alkyl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- MPJHCHQZABSXMJ-UHFFFAOYSA-N aluminum;quinolin-8-ol Chemical class [Al+3].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MPJHCHQZABSXMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- YOALFLHFSFEMLP-UHFFFAOYSA-N azane;2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctanoic acid Chemical compound [NH4+].[O-]C(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YOALFLHFSFEMLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- ZEUDGVUWMXAXEF-UHFFFAOYSA-L bromo(chloro)silver Chemical compound Cl[Ag]Br ZEUDGVUWMXAXEF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- ABDBNWQRPYOPDF-UHFFFAOYSA-N carbonofluoridic acid Chemical class OC(F)=O ABDBNWQRPYOPDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000541 cetyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000005340 laminated glass Substances 0.000 description 1
- 230000005577 local transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical class C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical class C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Chemical class C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000243 photosynthetic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 101150092906 pmt1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical class O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M silver bromide Chemical compound [Ag]Br ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- HELHAJAZNSDZJO-OLXYHTOASA-L sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O HELHAJAZNSDZJO-OLXYHTOASA-L 0.000 description 1
- APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M sodium docusate Chemical compound [Na+].CCCCC(CC)COC(=O)CC(S([O-])(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC APSBXTVYXVQYAB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001433 sodium tartrate Substances 0.000 description 1
- 229960002167 sodium tartrate Drugs 0.000 description 1
- 235000011004 sodium tartrates Nutrition 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000005402 stannate group Chemical group 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical compound FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- JUWGUJSXVOBPHP-UHFFFAOYSA-B titanium(4+);tetraphosphate Chemical compound [Ti+4].[Ti+4].[Ti+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O JUWGUJSXVOBPHP-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- HTVULPNMIHOVRU-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC(C)OCC1CO1 HTVULPNMIHOVRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical class [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
- H01B1/124—Intrinsically conductive polymers
- H01B1/127—Intrinsically conductive polymers comprising five-membered aromatic rings in the main chain, e.g. polypyrroles, polythiophenes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/48—Conductive polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/54—Electrolytes
- H01G11/56—Solid electrolytes, e.g. gels; Additives therein
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
- H05K3/106—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam by photographic methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
- H10K30/83—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising arrangements for extracting the current from the cell, e.g. metal finger grid systems to reduce the serial resistance of transparent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Abstract
Description
真性伝導性重合体、例えばPEDOT/PSSを含有する第一の層および銀パターンである第二の層を含んでなる多層構成中で写真処理を用いて銀グリッドを製造することにより、PEDOT/PSS層または銀パターンを最外側に有する構成を得ることが可能になって、機能層をその最外側層に容易に適用しうることが驚くべきことに見出された。
発明の詳細な記述
図1は、4種の銀パターン、すなわち、面積が3×3cm2の連続銀層を表わすパターン(a)、平行片が10mm離れており且つ1mmの幅を有する規則的片パターンを表わすパターン(b)、平行な片が5mm離れており且つ150μmの幅を有する規則的片パターンを表わすパターン(c)、および銀現像なしを表わすパターン(d)を示す。
アルキルという用語は、アルキル基中の各炭素数に関して可能な全ての変種、すなわち、炭素数3に関してはn−プロピルおよびイソプロピル、炭素数4に関してはn−ブチル、イソブチルおよび第三級−ブチル、炭素数5に関してはn−ペンチル、1,1−ジメチルプロピル、2,2−ジメチルプロピルおよび2−メチル−ブチルなどを意味する。
本発明の局面は、支持体上の実質的に透明な伝導層構成の製造方法であって、層構成が真性伝導性重合体を含有する第一の層および伝導性銀の非連続層よりなる第二の層を少なくとも任意の順序で含んでなり、この方法が写真処理により第二の層を生成せしめる段階を含んでなる方法により実現される。
本発明で使用される真性伝導性重合体は、当該技術で既知のいずれかの真性伝導性重合体、例えばポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェンなど、でありうる。適する真性伝導性重合体の詳細は、例えば“Advances in Synthetic Metals”, ed. P.Bernier, S.Lefrant, and G.Bidan, Elsevier, 1999; “Intrinsically Conducting Polymers: An Emerging Technology”, Kluwer (1993); “Conducting Polymer Fundamentals and Applications, A Practical Approach”, P.Chandrasekhar, Kluwer, 1999; および“Handbook of Organic Conducting Molecules and Polymers”, Ed. Walwa, Vol.1−4, Marcel Dekker Inc.(1997)の如き教本に見ることができる。
により示される構造単位を含有する。
ゾール化合物
本発明の局面は、層構成がフェニル基が少なくとも1個の電子受容性基で置換された1−フェニル−5−メルカプト−テトラゾール化合物をさらに含有する本発明に従う方法により得られうる層構成によっても実現される。
本発明に従う方法の第十七の態様によると、第一の層は真性伝導性重合体を含有するインキまたはペーストを用いる印刷方法により適用される。
本発明に従う層構成の第三の態様によると、層構成は界面活性剤をさらに含んでなる。
界面活性剤番号01=デュポン(DuPont)からのゾニル(ZONYL)TMFSN、イソプロパノールの水中50重量%溶液中のF(CF2CF2)1−9CH2CH2O(CH2CH2O)xH[式中、x=0〜約25である]の40重量%溶液;
界面活性剤番号02=デュポンからのゾニルTMFSN−100:F(CF2CF2)1−9CH2CH2O(CH2CH2O)xH[式中、x=0〜約25である];
界面活性剤番号03=デュポンからのゾニルTMFS300、弗素化された界面活性剤の40重量%水溶液;
界面活性剤番号04=デュポンからのゾニルTMFSO、エチレングリコールの水中50重量%溶液中の式F(CF2CF2)1−7CH2CH2O(CH2CH2O)yH[式中、y=0〜約15である]を有するエトキシル化された非イオン性フルオロ−界面活性剤の混合物の50重量%溶液;
界面活性剤番号05=デュポンからのゾニルTMFSO−100、式F(CF2CF2)1−7CH2CH2O(CH2CH2O)yH[式中、y=0〜約15である]を有するデュポンからのエトキシル化された非イオン性フルオロ−界面活性剤の混合物;
界面活性剤番号06=ゴールドシュミット(Goldschmidt)からのテゴグリド(Tegoglide)TM410、ポリシロキサン−重合体共重合体界面活性剤;
界面活性剤番号07=ゴールドシュミットからのテゴウェット(Tegowet)TM、ポリシロキサン−ポリエステル共重合体界面活性剤;
界面活性剤番号08=3Mからのフルオラド(FLUORAD)TMFC431:CF3(CF2)7SO2(C2H5)N−CH2CO−(OCH2CH2)nOH;
界面活性剤番号09=3MからのフルオラドTMFC126、ペルフルオロカルボン酸のアンモニウム塩の混合物;
界面活性剤番号10=ポリオキシエチレン−10−ラウリルエーテル
界面活性剤番号11=3MからのフルオラドTMFC430、98.5%活性フルオロ脂肪族エステル;
本発明に従う層構成の第五の態様によると、層構成はアニオン性界面活性剤をさらに含有する。
界面活性剤番号12=デュポンからのゾニルTM7950、弗素化された界面活性剤;
界面活性剤番号13=デュポンからのゾニルTMFSA、イソプロパノールの水中50重量%溶液中のF(CF2CF2)1−9CH2CH2SCH2CH2COOLiの25重量%溶液;
界面活性剤番号14=デュポンからのゾニルTMFSE、70重量%水性エチレングリコール溶液中の[F(CF2CF2)1−7CH2CH2O]xP(O)(ONH4)y[式中、x=1または2であり、y=2または1であり、そしてx+y=3である]の14重量%溶液;
界面活性剤番号15=デュポンからのゾニルTMFSJ、イソプロパノールの水中25重量%溶液中のF(CF2CF2)1−7CH2CH2O]xP(O)(ONH4)y[式中、x=1または2であり、y=2または1であり、そしてx+y=3である]と炭化水素界面活性剤との配合物の40重量%溶液;
界面活性剤番号16=デュポンからのゾニルTMFSP、イソプロパノールの水中69.2重量%溶液中の[F(CF2CF2)1−7CH2CH2O]xP(O)(ONH4)y[式中、x=1または2であり、y=2または1であり、そしてx+y=3である]の35重量%溶液;
界面活性剤番号17=デュポンからのゾニルTMUR:[F(CF2CF2)1−7CH2CH2O]xP(O)(OH)y[式中、x=1または2であり、y=2または1であり、そしてx+y=3である];
界面活性剤番号18=デュポンからのゾニルTMTBS、酢酸の水中4.5重量%溶液中のF(CF2CF2)3−8CH2CH2SO3Hの33重量%溶液;
界面活性剤番号19=3Mからのペルフルオロ−オクタン酸のアンモニウム塩
結合剤
本発明に従う層構成の第六の態様によると、層構成は結合剤をさらに含有する。
本発明に従う層構成の第七の態様によると、層構成は架橋結合剤をさらに含有する。
本発明に従う層構成の第八の態様によると、層構成はエレクトロルミネセント蛍燐光体の層をさらに含有する。
本発明に従う層構成の第十三の態様によると、層構成は誘電層をさらに含有する。
本発明に従う層構成の第十四の態様によると、支持体は透明または半透明である。
本発明の特徴は、本発明に従い製造される層構成を含んでなる本発明に従うエレクトロルミネセント装置により、実現される。
本発明の局面は、本発明に従い製造される層構成を含んでなる本発明に従う光電池装置により実現される。
本発明の局面は、本発明に従い製造される層構成を含んでなる本発明に従うトランジスターにより実現される。
真性伝導性重合体を含んでなる第一の層および伝導性銀の非連続層よりなる第二の層を少なくとも含んでなる層構成は、広範囲の電子装置、例えば光電池装置、太陽電池、電池、コンデンサ、発光ダイオード、有機および無機エレクトロルミネセント装置、スマート・ウィンドー、エレクトロクロミック装置、有機および生物有機物質用のセンサー並びに電界効果トランジスターにおいて使用することができる[Handbook of Oligo− and Polythiophenes, Edited by D.Fichou, Wiley−VCH, Heinheim(1999)の10章も参照のこと]。
最外側のPEDOT/PSS層を有するハロゲン化銀乳剤の現像により製造される伝導性Ag−パターン
写真乳剤層の製造:
ゼラチン中の写真AgCl(63.29%)Br(36.31%)I(0.40%)乳剤を二重噴射沈殿技術を用いて製造した。平均ハロゲン化銀粒子寸法は300nmであった。沈殿段階後に、乳剤を洗浄しそして種々の量のゼラチンを加えて表1に挙げられたゼラチン対AgNO3(g/g)比を生じた。この乳剤を化学的に熟成しそして分光増感して乳剤をHe/Neレーザー露出に感受性にした。乳剤を下塗りされた100μm厚さのポリエチレンテレフタレート支持体の上に1平方メートル当り5gのAgNO3に相当する被覆率までコーティングした。これが写真材料Aである。
表面抵抗測定:
表面抵抗測定は以下の通りにして行われた:層電極構成を幅が3.5cmの片に切断して電極材料の完全な配置を確実にし、線接触を生成可能でありそしてテフロン(TEFLON)TM絶縁体上に設置されているそれぞれ長さが35mm、幅が3mmであり且つ35mm離れた平行な銅電極を片の最外側伝導層と接触させて3.5×3.5cm2の接触面積を与え、テフロンTM台の上に4kgの重りを置くことにより一定の接触力を確保し、そして表面抵抗を次にフルケ(Fluke)−77IIIマルチメーターを用いて直接測定した。
PEDOT/PSS分散液の製造
欧州特許出願公開第686662号明細書(米国特許第5,766,515号明細書)は実施例の中で1.2%PEDOT/PSS水中分散液の製造を開示している。15mLのゾニルTMFSO100の2%水溶液、1.25gのダウ・コーニング(DOW CORNING)からのシランであるZ6040および25gのジエチレングリコールを106gのこの分散液に加えて以下の実施例で使用するPEDOT/PSS分散液を与えた。
材料Bの二重層電極構成の製造:
露出されていない材料A4をPEDOT/PSS分散液で50μmの湿潤厚さまでコーティングしそして次に20分間にわたり120℃で乾燥した。PEDOT/PSS層の表面抵抗は約500Ω/平方であった。生じた層構成を次に図1に示されたパターンを有するアグファ−ゲベルトTMアバントラ記録計で露出しそして上記の通りにして現像した。
材料Cの二重層電極構成の製造:
PEDOT/PSS−分散液を処理された材料A4の上に50μmの湿潤厚さまでコーティングしそして次に20分間にわたり120℃で乾燥し、それにより材料Cを製造した。PEDOT/PSS層の表面抵抗は露出されなかった領域材料A4では約500Ω/平方であった。
材料A4(露出されそして現像された)、BおよびCの評価:
材料BおよびCのPEDOT/PSS最外側層でコーティングされた現像された銀パターンを有する二重層電極構成に関して上記の通りにして測定した表面抵抗を、対照材料としてのPEDOT/PSS最外側層を有していない露出されそして現像された材料A4に関するものと一緒に、表2に示す。
頂部に伝導性PEDOT/PSSを有するDTRにより製造される伝導性Ag−パターン
対照材料である材料Dの製造:
物理的現像核(PdS)の製造は欧州特許出願公開第0769723号明細書の実施例に記載されている。この実施例から、溶液A1、B1およびC1を使用して核を製造した。1000mLのこのPdS分散液に、10gのアメリカン・シアナミド(American Cyanamid)からのアエロゾル(Aerosol)TMOTの10g/L水溶液および5gのペルフルオルカプリルアミド−ポリグリコールの50g/L水溶液を加えた。次にこの分散液を4μm厚さのゼラチン下塗り層を有するポリ(エチレンテレフタレート)支持体の上に13.5μmの湿潤層厚さまでコーティングしそして次に60分間にわたり25℃で乾燥した。これが材料Dである。
材料Eの製造:
上記のPEDOT/PSS分散液を使用して材料Dを40μmの湿潤厚さまでコーティングしそして次に15分間にわたり100℃で乾燥し、それにより材料Eを製造した。
転写乳剤層の製造:
クロロ臭化銀乳剤の製造および転写乳剤層の製造は、適用されるハロゲン化銀の被覆率が2g/m2の代わりに1.25g/m2のAgNO3に相当したこと以外は、欧州特許出願公開第769723号明細書に開示された通りであった。
材料DおよびEの露出および現像:
転写乳剤層を図1に示されているように像通りに露出しそして受容体(材料Dおよび材料E)と接触させて25℃で10秒間にわたりアグファ−ゲベルトTMCP297現像剤溶液を用いて処理した。
二重層電極構成の製造:
処理した材料Dを上記のPEDOT/PSS−分散液で50μmの湿潤層厚さまでコーティングしそして次に20分間にわたり120℃で乾燥した。PEDOT/PSS層の表面抵抗は材料Dの露出されなかった領域では約500オーム/平方であった。材料Fがそれにより製造された。
材料D、EおよびFの評価:
図1に示されたパターンに従う露出および現像後の表面抵抗および光学濃度(完成材料)を表3に示す。
ハライドイオンの存在下における腐食および化学現像後のAg0−像の表面コンダクタンスの改良
DTR法は物理的現像であるという事実によって、生ずるAg0−粒子は滑らかであり且つ丸い。より危険性である化学現像がより高い粒子重複度および粒子接触を生じそしてその結果としてより高い伝導率を有するパターンを生ずるであろう。しかしながら、このタイプの現像はDTR法においては生じない。DTR法により得られるAg0−像の表面コンダクタンスを改良するためには、DTR法により得られる伝導性Ag0−パターンを最初にそれを酸化剤およびハライドイオンを含有する腐食溶液で処理し(それにより使用するハライドによってAg0をAgCl、AgBrまたはAgBrClとして存在するAg+に部分的に酸化され)、次に新たに形成されたハロゲン化銀の危険なすなわち化学的な現像をもたらすグラフィック現像剤(Graphic developer)を用いて現像し、そして最後に定着しそして洗浄することによりさらに処理される。この方法をアグファ−ゲベルトTMIPDプラス現像剤およびアグファ−ゲベルトTMG333定着剤を用いて「a」パターンを有する新たに製造された処理された材料Dに適用した場合には、表面抵抗における18%までの減少(=表面コンダクタンスにおける18%の増加)が得られた。腐食浴組成および腐食時間を表4に示す。
材料B中の最外側のPEDOT/PSS層の表面抵抗はアグファ−ゲベルトIPDプラス現像剤との30秒間の接触で実質的に増加しなかったが、アグファ−ゲベルトTMオルガコン(ORGACON)フィルムのPEDOT/PSS層の表面抵抗は30秒間のそれとの接触で500Ω/平方から〜3000Ω/平方に増加した。しかしながら、元の表面抵抗は特定の酸化剤の溶液を用いる30秒間にわたる25℃における処理により大きく改良されうることが見出された。使用される酸化剤の溶液の組成、並びにIPDプラス現像剤との接触前、IPDプラス現像剤との接触後、およびその後の特定酸化剤との接触後に得られた表面抵抗結果は表6に示されている。
実施例3
パターン化された伝導性PEDOT/PSSを頂部に有する拡散転写反応により製造される伝導性Ag−パターン
時々、高伝導性金属パターンの頂部にパターン化された透明な伝導層を有することが必要である(例えば、実施例5)。これは、パターン化されたPEDOT/PSSを露出および現像前に乳剤層の頂部に(実施例1に記載されたように)適用するかまたはパターン化されたPEDOT/PSSを露出および現像前に核層の頂部に(実施例2に記載されたように)適用することにより、行うことができる。同様に、実施例1および2(比較例)に記載されているように、パターン化されたPEDOT/PSSをAg−パターンの生成後に適用することもできる。PEDOT/PSSのパターン化はその伝導性を破壊することにより減少させるか(例えば、欧州特許出願公開第1054414号明細書、欧州特許出願公開第1079397号明細書)またはフレキソ印刷、スクリーン印刷、タンポン印刷、オフセット印刷およびインキジェット印刷のような印刷技術を使用することにより増加させることができる。
対照材料である材料Gの製造:
1000mLの上記のPdS分散液に10mLのGAFからのアンタロックス(Antarox)CO630の50g/L水溶液を加えた。この分散液を次に2μm厚さのゼラチン下塗り層を有するPET基質上に13.5μmの湿潤層厚さまでコーティングしそして次に60分間にわたり25℃で乾燥して材料Gを与えた。
PEDOT/PSSのスクリーン印刷ペーストの製造
反応器中で3.47kgの1,2−プロパンジオールおよび0.38kgのジエチレングリコールを2.56kgの1:2.4のPEDOT対PSSの重量比を有するPEDOT/PSSの1.2重量%分散液に加え、次に62℃の油浴を用いて攪拌下で31〜55ミリバールの間で変動する減圧下で234分間の期間にわたり加熱することにより1.5Lの水を蒸留除去し、生じた混合物を20℃に冷却しそして次に60.5℃の油浴を用いて攪拌しながら24〜16ミリバールの間で変動する減圧下で287分間の期間にわたり加熱することによりさらに0.49Lの水を蒸留除去することにより、スクリーン印刷ペーストを製造した。3.8kgの製造されたペースト中の水含有量は、カール・フィッシャー(Karl Fischer)法により測定すると、3.9重量%であった。
材料Hの製造:
スクリーン印刷ペーストを手動印刷機およびP120スクリーンを用いて材料G上にシルクスクリーン印刷して図1に示された最終像を被覆し、それにより材料Hを与えた。
材料GおよびHの露出および現像:
転写乳剤層を図1に示されているようにして像通りに露出しそして受容体(材料Gおよび材料H)と接触させて25℃で10秒間にわたりアグファ−ゲベルトTMCP297現像剤溶液を用いて処理した。
材料Iの二重層電極構成の製造:
スクリーン印刷ペーストを手動印刷機およびP120スクリーンを用いて処理した材料G上にシルクスクリーン印刷して図1に示された最終像を被覆し、それにより材料Iを製造した。
材料G、HおよびIの評価:
図1のパターンに従う露出および現像後の表面抵抗および光学濃度(完成材料)を表7に示す。
実施例4
頂部に拡散転写反応により製造される伝導性Ag−パターンを有する伝導性PEDOT/PSS
対照材料としての材料Jの製造:
上記のPEDOT/PSS分散液を使用して4μmのゼラチン下塗り層を有するポリエチレンテレフタレート支持体を40μmの湿潤厚さまでコーティングしそして次に15分間にわたり100℃で乾燥し、それにより材料Jを製造した。
材料Kの製造:
1000mLの上記のPdS分散液に10gのアメリカン・シアナミドからのアエロゾルOTの10g/L水溶液および5gのペルフルオロカプリルアミドポリグリコールの50g/L溶液を加えた。この分散液を次に材料J上に13.5μmの湿潤層厚さでコーティングしそして次に60分間にわたり25℃で乾燥した。この材料は材料Kである。
材料Kの露出および現像:
転写乳剤層を図1に示されているようにして像通りに露出しそして受容体(材料K)と接触させて25℃で10秒間にわたりアグファ−ゲベルトTMCP297現像剤溶液を用いて処理した。図1のパターンに従う露出および現像後の表面抵抗および光学濃度(完成材料)を表8に示す。
薄膜太陽電池の製造におけるパターン化された伝導性PEDOT/PSSでコーティングされた伝導性Ag−パターンの適用
図2は、単一の光電池、2個の直列接続された光電池および3個の直列接続された光電池を有するモジュールを6段階方法を用いて組み立てるための連続的方法の側面(上方)および頂部(下方)図を示し、ここで
A=下塗りされた支持体であり、
B=ゼラチン層であり、
C=硫化パラジウム核生成層であり、
D=伝導性銀パターンであり、
E=高伝導性PEDOT/PSS−層であり、
F=分路抵抗妨害層であり、
G=光電池配合物であり、
H=弗化リチウム/アルミニウム電極である。
実施例6
0.014のゼラチン対銀比を有する記録計フィルムを用いて概念実験を行った。40μmの離隔距離を有する電極としての1×3cm2の露出された領域は、従来のグラフィック処理による処理で伝導性銀パターンを与えた。生じた電極パターンは50〜100オーム/平方の表面抵抗を有していた。
Claims (12)
- 支持体上の実質的に透明な伝導層構成の製造方法であって、該層構成が真性伝導性重合体を含有する第一の層および伝導性銀の非連続層よりなる第二の層を少なくとも任意の順序で含んでなり、該方法が写真処理により該第二の層を製造する段階を含んでなる方法。
- 該写真処理が、ハロゲン化銀およびゼラチンを0.05〜0.3の範囲内のゼラチン対ハロゲン化銀の重量比で含有する層をコーティングし、該ハロゲン化銀−含有層を像通りに露出し、そして該露出されたハロゲン化銀−含有層を現像して該第二の層を生成せしめる段階を含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 該写真処理が、支持体を核生成剤の層でコーティングし、銀塩拡散転写を用いて該核生成層上に非連続的な銀層を生成せしめる段階を含んでなる請求項1に記載の方法。
- 該核生成剤が硫化パラジウムである請求項3に記載の方法。
- 該方法が写真処理により該第二の層を生成せしめる前に該第一の層をコーティングすることをさらに含んでなる請求項1に記載の方法。
- 該方法が銀パターンを含んでなる該第二の層の上に該第一の層をコーティングすることをさらに含んでなる請求項1に記載の方法。
- 支持体上の実質的に透明な伝導層構成の製造方法により得ることができる層構成であって、該層構成が真性伝導性重合体を含有する第一の層および伝導性銀の非連続層よりなる第二の層を少なくとも任意の順序で含んでなり、該方法が写真処理により該第二の層を生成せしめる段階を含んでなり、ここで該層構成がフェニル基が少なくとも1個の電子受容性基で置換された1−フェニル−5−メルカプト−テトラゾール化合物をさらに含有する層構成。
- 支持体上の実質的に透明な伝導層構成の製造方法により製造される層構成を含んでなる発光ダイオードであって、該層構成が真性伝導性重合体を含有する第一の層および伝導性銀の非連続層よりなる第二の層を少なくとも任意の順序で含んでなり、該方法が写真処理により該第二の層を生成せしめる段階を含んでなる発光ダイオード。
- 支持体上の実質的に透明な伝導層構成の製造方法により製造される層構成を含んでなる光電池装置(photovoltaic device)であって、該層構成が真性伝導性重合体を含有する第一の層および伝導性銀の非連続層よりなる第二の層を少なくとも任意の順序で含んでなり、該方法が写真処理により該第二の層を生成せしめる段階を含んでなる光電池装置。
- 支持体上の実質的に透明な伝導層構成の製造方法により製造される層構成を含んでなるトランジスターであって、該層構成が真性伝導性重合体を含有する第一の層および伝導性銀の非連続層よりなる第二の層を少なくとも任意の順序で含んでなり、該方法が写真処理により該第二の層を生成せしめる段階を含んでなるトランジスター。
- 支持体上の実質的に透明な伝導層構成の製造方法により製造される層構成を含んでなるエレクトロルミネセント装置(electroluminescent device)であって、該層構成が真性伝導性重合体を含有する第一の層および伝導性銀の非連続層よりなる第二の層を少なくとも任意の順序で含んでなり、該方法が写真処理により該第二の層を生成せしめる段階を含んでなるエレクトロルミネセント装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2002/009429 WO2004019666A1 (en) | 2002-08-22 | 2002-08-22 | Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006502535A true JP2006502535A (ja) | 2006-01-19 |
JP4292154B2 JP4292154B2 (ja) | 2009-07-08 |
Family
ID=31896813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004529947A Expired - Fee Related JP4292154B2 (ja) | 2002-08-22 | 2002-08-22 | 実質的に透明な伝導層構成の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1535499B1 (ja) |
JP (1) | JP4292154B2 (ja) |
AU (1) | AU2002333686A1 (ja) |
DE (1) | DE60216825T2 (ja) |
WO (1) | WO2004019666A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006093123A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Samsung Sdi Co Ltd | 発光素子用の基板、その製造方法、発光素子用の電極、及びこれを備えた発光素子 |
JP2009087843A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電フィルム |
WO2012131747A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 富士通株式会社 | 光電変換素子の製造方法及び光電変換素子 |
JP2013206649A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Konica Minolta Inc | 透明電極、透明電極の製造方法及び電子デバイス |
WO2014175181A1 (ja) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体、及び、電子デバイス |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004086462A2 (en) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cell with mesh electrode |
EP1638155A1 (de) * | 2004-09-21 | 2006-03-22 | Samsung SDI Germany GmbH | Verbesserung der Leitfähigkeit einer Polymerelektrode durch Aufbringen einer darunterliegenden Metallschicht |
DE102005038392B4 (de) * | 2005-08-09 | 2008-07-10 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Muster bildenden Kupferstrukturen auf einem Trägersubstrat |
US9603256B2 (en) * | 2005-08-24 | 2017-03-21 | A.M. Ramp & Co. Gmbh | Process for producing articles having an electrically conductive coating |
GB0518611D0 (en) | 2005-09-13 | 2005-10-19 | Eastman Kodak Co | Transparent conductive system |
WO2008122027A2 (en) | 2007-04-02 | 2008-10-09 | Konarka Technologies, Inc. | Novel electrode |
US8563967B2 (en) | 2007-07-11 | 2013-10-22 | Koninklijke Philips N.V. | Organic functional device and manufacturing method therefor |
GB0807211D0 (en) * | 2008-04-21 | 2008-05-28 | Univ Denmark Tech Dtu | Photvolotaic device |
WO2012078517A1 (en) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | Plextronics, Inc. | Inks for solar cell inverted structures |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07126616A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-05-16 | Ryuichi Yamamoto | ポリチオフェンを用いたel素子 |
JPH0848858A (ja) * | 1994-05-06 | 1996-02-20 | Bayer Ag | 伝導性被覆 |
JP2001101937A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-04-13 | Agfa Gevaert Nv | 支持体上に電気伝導性パターンを生成させる方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1055073A (en) * | 1964-06-15 | 1967-01-11 | Ibm | Improvements in or relating to photographic processes |
DE1938373A1 (de) * | 1969-07-29 | 1971-02-11 | Agfa Gevaert Ag | Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen,Widerstaenden und Kapazitaeten fuer die Mikroelektronik auf photographischem Wege |
US3664837A (en) * | 1970-01-16 | 1972-05-23 | Trw Inc | Production of a line pattern on a glass plate |
DE19627071A1 (de) * | 1996-07-05 | 1998-01-08 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen |
-
2002
- 2002-08-22 EP EP02807725A patent/EP1535499B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-22 JP JP2004529947A patent/JP4292154B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-22 AU AU2002333686A patent/AU2002333686A1/en not_active Abandoned
- 2002-08-22 DE DE60216825T patent/DE60216825T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-08-22 WO PCT/EP2002/009429 patent/WO2004019666A1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07126616A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-05-16 | Ryuichi Yamamoto | ポリチオフェンを用いたel素子 |
JPH0848858A (ja) * | 1994-05-06 | 1996-02-20 | Bayer Ag | 伝導性被覆 |
JP2001101937A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-04-13 | Agfa Gevaert Nv | 支持体上に電気伝導性パターンを生成させる方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006093123A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Samsung Sdi Co Ltd | 発光素子用の基板、その製造方法、発光素子用の電極、及びこれを備えた発光素子 |
JP4732084B2 (ja) * | 2004-09-21 | 2011-07-27 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光素子用の基板、その製造方法、発光素子用の電極、及びこれを備えた発光素子 |
JP2009087843A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電フィルム |
WO2012131747A1 (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-04 | 富士通株式会社 | 光電変換素子の製造方法及び光電変換素子 |
JP5673799B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2015-02-18 | 富士通株式会社 | 光電変換素子の製造方法及び光電変換素子 |
JP2013206649A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Konica Minolta Inc | 透明電極、透明電極の製造方法及び電子デバイス |
WO2014175181A1 (ja) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電体、及び、電子デバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60216825D1 (de) | 2007-01-25 |
WO2004019666A1 (en) | 2004-03-04 |
JP4292154B2 (ja) | 2009-07-08 |
EP1535499B1 (en) | 2006-12-13 |
DE60216825T2 (de) | 2007-10-04 |
EP1535499A1 (en) | 2005-06-01 |
AU2002333686A1 (en) | 2004-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7118836B2 (en) | Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration | |
US7820078B2 (en) | Layer configuration with improved stability to sunlight exposure | |
KR101400533B1 (ko) | 일광 노출에 대한 안정성이 개선된 층 구성체 | |
Chen et al. | Efficiency enhancement of hybrid perovskite solar cells with MEH-PPV hole-transporting layers | |
JP4292154B2 (ja) | 実質的に透明な伝導層構成の製造方法 | |
Gurunathan et al. | Electrochemically synthesised conducting polymeric materials for applications towards technology in electronics, optoelectronics and energy storage devices | |
US7026079B2 (en) | Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration | |
DE60304363T2 (de) | Schichtaufbau mit verbesserter stabilität gegenüber der einwirkung von sonnenlicht | |
JP2005501373A (ja) | 安定なエレクトロルミネッセント装置 | |
US6977390B2 (en) | Layer configuration comprising an electron-blocking element | |
US7147936B2 (en) | Layer configuration with improved stability to sunlight exposure | |
US7056600B2 (en) | Layer configuration comprising an electron-blocking element | |
JP4295727B2 (ja) | 実質的に透明な伝導層の製造方法 | |
JP5420560B2 (ja) | 太陽光暴露に対する安定性が向上した層構成 | |
WO2004019346A1 (en) | Layer configuration comprising an electron-blocking element | |
WO2004019348A1 (en) | Layer configuration comprising an electron-blocking element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080319 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080701 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081001 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081008 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081031 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081110 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081128 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090331 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090406 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140410 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |