DE1938373A1 - Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen,Widerstaenden und Kapazitaeten fuer die Mikroelektronik auf photographischem Wege - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen,Widerstaenden und Kapazitaeten fuer die Mikroelektronik auf photographischem WegeInfo
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Description
AG 536
AGFA-GEVAERT AKTIENGESELLSCHAFT, Leverkusen 21. 7. 69
Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen, Widerständen und Kapazitäten für die Mikroelektronik auf photographischem Wege
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Leiterbahnen, Widerständen, Kapazitäten und deren Kombinationen auf photographischem
Wege unter Verwendung lichtempfindlicher Halogensilberschichten,
aus denen elektrisch leitfähiges Silber nach Aufbelichten von Mustern entwickelt wird»
Die Herstellung von passiven elektrischen Elementen für MikroSchaltungen
erfolgt industriell nach den Methoden der Halbleiter-, Dünnfilm- und Siebdrucktechnik, Bei der Halbleiter- und
Dünnfilmtechnik handelt es sich um diskontinuierliche Verfahren,
bei denen Metalle, Metallegierungen und Metalloxide in bestimmten Anordnungen auf Träger im Hochvakuum aufgedampft werden. Jede
einzelne Schicht wird dann zur Herstellung der gewünschten Muster einem Ätzprozeß unterworfen. Mit dieser Technik lassen
sich extrem dünne Schichten in der Größenordnung von ca. 0,1 yu
herstellen. Nach dem Prinzip des Vierfarbendruckes arbeitet man in der Siebdrucktechnik. Dabei trägt man Metalle in Pastenform
auf; geeignete keramische Träger auf. Die Pasten werden getrocknet
und anschließend eingebrannt. Der Nachteil dieses Verfahrens liegt in der Konturenunschärfe und einer schwer reproduzierbaren
Dicke des aufgetragenen Belages. Die Beschichtungen sind bis zu 1 000 mal dicker als in der Dünnfilmtechnik und liegen
im Bereich von IQ - 100 au Ebenfalls bekannt ist die Herstellung
von leitfähigem Silber durch Aufdampfen von Halogensilberverbindungen
auf einem Schichtträger im Vakuum und anschließende Belichtung und Entwicklung dieser Schichten. In den englischen
Patenten 953 431 - 33 sind Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen unter Anwendung photographischer Methoden beschrieben.
Es wird dabei ein anhydrolysierter Triacetatschichtträger in einer Diazoniumlösung gebadet, anschließend belichtet
und mit einer Quecksilbersalzlösung behandelt. Die entstandenen Quecksilberkeime werden durch eine physikalische Entwicklung zu
einer elektrisch leitfähigen Schicht verstärkt.
009887/17^1
Die Leitfähigkeit kann durch mechanische oder Wärmebehandlung noch
gesteigert werden« Beschrieben ist ferner die Herstellung von gedruckten Schaltungen mittels eines photographischen Filmes, auf
den ein Muster aufbelichtet und das entwickelte Silber mit der Gelatine nach bekannten Methoden entfernt wird, so daß ein Relief aus
gelatinehaltigem Silberhalogenid stehen bleibt. In dieses Relief wird leitfähiges Material in Form von Metallpulvern eingebracht und
durch geeignete Methoden das Haften auf der Unterlage erreicht. Ih
dem niederländischen Patent 6710843 ist die Herstellung elektrisch leitfähiger Silberschichten durch eine Diffusionsumkehrentwicklung
von photographischen Halogensilberschichten beschrieben. Als Entwickler wird ein Hydrochinon-p-Formaldehydentwickler, dem Salizylsäure zugesetzt wird, verwendet. Für die Zweitentwicklung benützt
man einen kräftig wirkenden Hydrochinon-Phenidon-Rhodanid-Entwickler. Die auf diese Weise entwickelten Schichten zeigen einen Flächenwiderstand von weniger als 5 Ohm.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur rationellen
Herstellung von Leiterbahnen, Widerst'änden, Kapazitäten und RC-Gliedern durch Negativentwickluhg eines lichtempfindlichen Mehrschichtenmaterial auf Halogensilberbasis, indem man dieses Material, bestehend aus einem nichtleiteriden Schichtträger und zwei
übereinanderliegenden, für unterschiedliche Spektralbereiche sensibilisierte, gelatinehaltige Chlorbromsilberemulsionen, deren Gelatine/Silberverhältnis wenigstens 1:3 beträgt und einer, zwischen den beiden lichtempfindlichen Schichten angeordneten, für
photographische Bäder durchlässige, dielektrische Schicht, in Anwesenheit an sich bekannter Entwicklungsbeschleuniger entwickelt.
Das photographische Mehrschichtenmaterial kann mittels Belichtungsautomaten hinter entsprechenden Masken belichtet und anschließend in Entwicklungsaaschlnen kontinuierlich entwickelt
werden. Es ergibt sich so eine hohe Fertigungsgeschwindigkeit für die Herstellung einer photographischen Abbildung bzw. nach
dem der Erfindung zugrundeliegenden Verfahren einer fertigen
Schaltung mit passiven elektrischen Elementen.
-3- . ' 009.8$7/Ί741
Für die Herstellung leitfähiger Schichte., hat es sich als vorteilhaft
erwiesen, feinstkörnige Chlorbromsilber-Emulsionen zu verwenden, die mit einer möglichst geringen Gelatinemenge hergestellt
werden. Man verwendet nur soviel Gelatine, daß das Halogensilberkorn gerade noch geschützt ist und keine Sedimentation auftritt.
Das Gelatine/S über verhältnis derartiger Emulsionen liegt bei ca.
1:3.
Erfindungsgemäß wird auf einen geeigneten isolierenden Schichtträger,
wie z. B. Triacetat- oder Polyester-Unterlage eine für den blauen, grünen oder roten Spektralbereich empfindliche feinstkörnige
Chlorbromsilber-Emulsion aufgetragen. Um einen gleichmäßigen
Auftrag der Emulsion zu erzielen, ist es zweckmäßig, auf den Schichtträger erst einen dünnen Gelatine-Unterguß zu gießen. Auf
diese erste Emulsionsschicht wird im einfachsten Falle eine dünne Gelatineschicht aufgegossen. Die Dicke dieser Zwischenschicht liegt
vorzugsweise zwischen 3 bis 4 ,u. Dieser Zwischenschicht können verschiedene dielektrisch wirksame Substanzen aus der Klasse der
Metalloxide,wie z. B. TiO2, Al9O3, SiO2 in feinverteilter Form zugesetzt
werden. Der Gelatine-Zwischenschicht können auch wasserlösliche Polymere, wie z; B. Polyvinylpyrrolidon, Polyvinylalkohol,
Polyvinylalkoholacetat. Dextran etc. oder wasserunlösliche
Polymerisate in dispergiertcr Fcrm, wie z. B. Polyäthylacrylat, Polystyrol etc. zugefügt werden. Ebenso kann man organische wasserunlösliche
Verbindungen, wie z. B. Nitrobenzol, Benzylalkohol, Dibutylphthalat etc. in dispergierter Form in die Zwischenschicht
einbringen.
Nach dem Auftrag der Zwischenschicht wird die obere Emulsionsschicht
aufgegossen, für welche man die gleiche Emulsion wie für die untere Schicht verwendet. Sie wird vorzugsweise für einen anderen
Spektralbereich sensibilisiert, damit das Überschneiden von Leiterbahnen möglich wird und man Widerstände bedarfsweise in der
oberen oder unteren Emulsionsschicht herstellen kann.
009887/mi
Es hat sich als günstig erwiesen, die untere Emulsionsschicht für
den roten Spektralbereich und die obere für den grünen Spektralbereich
zu sensibilisieren.
Zum Schutz gegen Verkratzen und Verschrammen ist es vorteilhaft, das Mehrschichtenmaterial mit einer wasserlöslichen Schutzschicht
zu überziehen. Für diesen Zweck kann man wasser- oder alkalilösliche Polymere, wie z. B. Polyvinylalkohol, Polyvinylacetat, Polyvinylpyrrolidon,
Natriumalginat, Polyacrylsäure u. ä. verwenden.
Um eine elektrische Schaltung auf dem erfindungsgemäßen Material
herzustellen, wird in folgender Weise vorgegangen: Der Entwurf
einer Schaltung mit Leiterbahnen, Widerständen und Kondensatoren wird als Negativ auf einem feinkörnigen Kopiermaterial abgebildet.
Diese Vorlage, kombiniert mit Masken, wird auf das beschriebene Mehrschichtenmaterial aufbelichtet, und zwar mit zwei Lichtfarben, entweder gleichzeitig oder getrennt hintereinander, für
welche das lichtempfindliche Material sensibilisiert ist. Anschließend
wird das belichtete Material in einem Metol-Hydrochinon- bzw.
Phenidon-Hydrochinon-Entwickler, dem Entwicklungsbeschleuniger zugesetzt sind, entwickelt. Als Entwicklungsbeschleuniger eignen
sich insbesondere Polyäthylenoxide mit deren Kondensationsprodukte,
quaternäre Ammoniumsalze und Amine. Die optimale Konzentration für
die Entwicklungsbeschleuniger kann man durch entsprechende Vorversuche
mit derselben Emulsion, wie dies dem Fachmann bekannt ist, bestimmen. Nach der Entwicklung wird fixiert und gewässert. Der
getrocknete Film bedarf keiner weiteren Behandlung mehr. Die Leiterbahnen
haben einen Flachenwiderstand bei einer Dicke der Emulsionsschicht von 1,5 ,u von unter 10 Ohm. Für die ausfixierten
Flächen liegt der Widerstand über dem Megohm-Bereich. Ein ca. 25 yU
dicker Strich von 1 cm Länge zeigt einen Widerstand von ca. 1,2 Kilo. Höhere Widerstände können entweder durch noch schmälere Leiterbahnen
oder durch Aufbelichtung mäanderförmiger Figuren erhalten werden. Niedrigere Widerstände erhält man durch breitere Leiterbahnen.
2 Die Kapazitäten liegen in dem Bereich von 1 bis IO Nanofarad/cm .
009887/1741
Eine Durchkontaktierung von der unteren zur oberen elektrisch leitenden
Schicht ist möglich, wenn man die als Dielektrikum wirkende Zwischenschicht in Streifen mit den erforderlichen Zwischenräumen
aufträgt. Der streifenförmige Auftrag kann mittels einer Nutenwalze im Anspülverfahren, durch Abblasen der Zwischenschicht in freibleibenden
Zwischenräumen mit einer technisch entsprechend ausgeführten Luftbürste oder mit Hilfe von Schlitzgießern erzielt werden.
Wird das Material an den dielektrisch freien Stellen getrennt, entsteht die Möglichkeit zur Durchkontaktierung in den Randzonen
der beiden leitfähigen Schichten. Mit dem erfindungsgemäß hergestellten
photographischen Element, bestehend aus Leiterbahnen, Widerständen und Kondensatoren, können beliebig konventionelle oder
für die Hybridtechnik hergestellten Dioden und Transistoren kombiniert
werden. Das Kontaktieren dieser aktiven Elemente auf der oberen elektrisch leitenden Silberschicht kann beispielsweise mittels
Leitlack erfolgen.
In den nachfolgenden Beispielen wird das Verfahren zur Herstellung
der passiven Elemente und des photographischen Mehrschichtenmaterials näher beschrieben:
Ein elektrisch nichtleitender Schichtträger wird mit einer feinkörnigen
orthochromatisch sensibilisierten Chlorbr oms über emulsion
beschichtet, deren Gelatine/Silberverhältnis 1 : 3,2 beträgt.
Die aufgegossene Emulsionsschicht hat eine Schichtdicke von ca.
1,5 ,u und einen■Schichtsilberwert von 4,2 g AgNO3/m . Der Emulsion
wird vor "dem Verguß als Stabilisator Triazaindolizin und ein geeignetes Netzmittel zugesetzt. Auf die getrocknete Emulsionsschicht
gießt man eine 2%ige Polyvinylalkoholacetatlösung als
Schutzschicht, um ein Verkratzen und Verschrammen der gegen mechanische Einwirkungen sehr empfindlichen Schicht zu vermeiden. Die
Schutzschicht wird durch eine 2 Minuten dauernde Vorwässerung vor der Entwicklung weitgehend entfernt. Man entwickelt in einem Phenidon-Hydrochinon-Entwickler
mit einem Gehalt von 6 g Hydrochinon
009887/1741 -6-
(ο
und 0,2 g Phenidon/1-Entwickler, der auf einen pH-Wert von 10,7
eingestellt wird und dem man 1,6 g KBr/1-Entwickler zusetzt. Diesem Entwickler werden als Entwicklungsbeschleuniger Polyglykol
10 000, N-Benzyl-pyridinium-perehlorat sowie Äthylendiaminhydrat
zugesetzt. In der nachfolgenden Tabelle sind die Zusatzmengen des jeweils verwendeten Entwicklungsbeschleunigers und die bei
einer Entwicklungszeit von 5 Minuten bei 22 °C erhaltenen Flächenwiderstände zusammengestellt. Entwicklungszeit und Entwicklungstemperatur wurden so gewählt, daß das Material bereits ohne
Zusatz von Entwicklungsbeschleuniger ausentwickelt ist. Nach der Entwicklung wird in einem neutralen Fixierbad fixiert und gewässert.
Entwicklungsbeschleuniger |
Menge in g/l
Entwickler |
Flächenwiderstand
in 0hm/cm2 |
Vergleich ohne | - | 115 |
Polyglykol 10 000 | 0,08 | 14,5 |
Polyglykol 10 000 | 0,40 | 9,5 |
Polyglykol 10 000 | 2,00 | 6,5 |
Polyglykol 10 000 | 10,00 | 2,6 |
N-Benzy1-pyr idi nium-
perchlorat |
2,00 | 23 |
N-Benzyl-pyridinium-
perchlorat |
4,00 | 13 |
N-Benzyl-pyridinium-
perchlorat |
6,00 | 4,4 |
Äthylendiaminhydrat | 0,4 | 48 |
Äthylendiaminhydrat | 2,0 | 24 |
äthylendiaminhydrat | 10,0 | 9,6 |
Auf einer mit Antihaloschicht versehenen Polyester-Unterlage wird
eine 1-2 ,u dicke Gelatineschicht aufgetragen. Auf die Gelatine-
009887/1741
-7-
schicht gießt man eine feinkörnige panchromatisch sensibilisierte Chlorbromsilber-Emulsion. Die hier verwendete Emulsion hat einen
Bromsilberanteil von 25 % und ein Gelatine/Silberverhältnis von 1 · 3,2. Die Schichtdicke der aufgetragenen Emulsion liegt bei
J 2
ca. 1,5 ,u und der Silberauftrag bei 5,5 g AgNOg/m . Auf diese
Emulsion wird eine Gelatineschicht mit einer Dicke von 4 ^u aufgetragen
und anschließend eine orthochromatisch sensibilisierte Chlorbromsüber-Emulsion mit den gleichen charakteristischen
Eigenschaften wie die erste Emulsionsschicht. Dieser Emulsion
wird eine lO%ige Borax-Borsäurelösung (Verhältnis Borax : Borsäure
= 1 : 3) in einer Menge von 18 ml/25 g AgNO3 hinzugefügt.
Durch den Zusatz dieser Lösung wird die Erstarrung der aufzugießenden, teilhydrolysierten Polyvinylacetat lösung, die als Schutzschicht
dient, bewirkt. Man verwendet für diesen Zweck vorteilhafterweise eine 2%ige Lösung von dem unter dem Handelsnamen bekannten Moviol N 70/88.
Dieser Film wird hinter einer Maske entsprechend Fig. 1 belichtet und in einem Entwickler nach Beispiel 1, der als Entwicklungsbeschleuniger
Polyglykol 10 000 enthält, 3 Minuten bei 20 °C entwickelt. Anschließend wird ca. 2 Minuten in einer lo%igen Lösung
von Fixiernatron fixiert und IC Minuten gewässert. Beide Emulsionsschichten
müssen an den belichteten Stellen total durchgeschwärzt sein.
Das Ergebnis der elektrischen Messungen für die Werte der Kapazität
C und der Güte Q bei drei verschiedenen Frequenzen und einer
Plattenfläche von 2 cm ist in der folgenden Tabelle zusammengestellt.
Kapazität
η F/2 cm2 |
Güte Q | |
100 kHz
1 kHz 10 kHz |
1,20
1,25 1,20 |
35
18 200 |
009887/1741 ~8~
Die in der Tabelle angeführten Werte erhält man bei einer Dicke der Gelatineschicht von 4 yU. Die Kapazität wird größer bei erniedrigter
Schichtdicke und kleiner bei erhöhter Dicke der Zwischenschicht.
Bei der angegebenen Schichtdicke des Dielektrikums liegt die Durchschlagsfestigkeit höher als die Meßspannung von
30 Volt,
Der Schichtaufbau des Materials entspricht Beispiel 1, wobei der
als Dielektrikum wirkenden GeIa tίnezwischenschicht hochdisperses
TiOo zugesetzt wird. Diese Schicht hat folgende Zusammensetzung:
Lösung A: lO%ige Gelatinelösung 220 ml
5rti(;e Netzmitte]lof-.unrj: 40 ml
Lösung B: lO%ige wäßrige TiO9-
Dispersion '" 75 ml
3%ige Netzmittellösung 75 ml H2O 190 ml
Als Netzmittel wird Pentndecenyl-Bernsteinsäurediglykolid-Natrium
verwendet. Lösung B wird in Lösung A eingerührt und anschließend mit der angegebenen-WassermenRr verdünnt.
Diese Zwischenschicht gibt. mit einer Schichtdicke von 3,1 λχ gegossen,
nach Belichtung und Entwicklung entsprechend Beispiel 1, folgende Werte für die elektrischen Eigenschaften eines Kondensators:
Kapazität C η F/2 cm2 |
Güte Q | |
100 kHz 1 kHz 10 kHz |
3,5 3,5 3,4 |
28 25 200 |
009887/1741
Der Gelatine-Zwischenschicht des Beispiels 1 wird eine Dispersion
von Polyäthylacrylat oder anderen hydrophoben Vinylpolymeren oder deren Mischpolymerisaten hinzugefügt. Eine Zwischenschicht mit
Polyäthylacrylat zeigt z. B. folgende Zusammensetzung:
Polyäthylacrylat zeigt z. B. folgende Zusammensetzung:
lO%ige Gelatinelösung
20%ige Dispersion von Polyäthylacrylat Wasser
150 ml 75 ml
375 ml
Ein Aufbau mit dieser Zwischenschicht gibt bei einer Schichtdicke von 4,2 ^u für die Zwischenschicht, nach Belichtung und Entwicklung
entsprechend Beispiel 1 und einer auf 5 Minuten verlängerten Entwicklungszeit, folgende Werte für die elektrischen Eigenschaften
eines Kondensators:
Kapazität C η F/2 cm2 |
Güte Q | |
1 kHz 10 kHz |
1,9 1,8 |
40 ISO |
Das Dielektrikum bestehend aus Gelatine und Polyäthylacrylat zeigt
hier speziell eine Verbesserung der Güte im Frequenzbereich von
1 kHz gegenüber einer einfachen Gelatineschicht.
1 kHz gegenüber einer einfachen Gelatineschicht.
Der Schichtaufbau des Schichtmaterials entspricht wieder Beispiel 1,
wobei der als Dielektrikum wirkenden Gelatineschicht ein wasserlösliches
Polymeres, nämlich Polyvinylpyrrolidon zugefügt wird. Als
solches wurde das unter dem Handelsnamen Luviskol K 30 bekannte
eingesetzt. Eine derartige Zwischenschicht mit Polyvinylpyrrolidon besitzt folgende Zusammensetzung:
solches wurde das unter dem Handelsnamen Luviskol K 30 bekannte
eingesetzt. Eine derartige Zwischenschicht mit Polyvinylpyrrolidon besitzt folgende Zusammensetzung:
009887/1741
-lo-
lO%ige Gelatinelösung 10%ige Lösung von PVP
5%ige Netzmittellösung Wasser
Λ Ο
ml | 1 | 938373 | |
150 | ml | ||
150 | ml | ||
40 | ml | ||
260 | |||
Ein Schichtaufbau mit dieser Zwischenschicht ergibt bei einer Schichtdicke von 2,7 /U, nach Belichtung und Entwicklung entsprechend
Beispiel 1 mit einer auf 5 Minuten verlängerten Entwicklungszeit, folgende Werte für die elektrischen Eigenschaften
eines Kondensators:
Kapazität C
η F/2 cm2 |
Güte Q | |
1 kHz
10 kHz |
5,3
5,1 |
27
180 |
Die Kombination von Gelatine mit Polyvinylpyrrolidon bewirkt speziell eine Erhöhung der Kapazität des Kondensators im Vergleich
zu einer reinen Gelatine-Zwischenschicht,
Beispiel β
Han belichtet ein erfindungsgemäßes Material, hergestellt entspre
chend Beispiel 2, im Kontakt hinter Masken wie in Fig. 2 und 3 dargestellt. Die quadratischen Flächen der aufbelichteten Muster
2
sind je 1 cm groß und die Striche haben eine Länge von 1 cm und eine Breite von 30 bis 40 ,u auf der Kopie. Damit die Abbildung des Striches nur in der oberen oder unteren Emulsionsschicht erfolgt, werden auf die Masken Grünfilter bzw. Rotfilter montiert. Die Belichtung erfolgt mit zwei Lichtfarben, einmal hinter Grünfilter mit einem Durchlässigkeitsmaximua von 530 Ai und anschließend hinter Rotfilter mit einem Durchlüssigkeitsmaximun von 650
sind je 1 cm groß und die Striche haben eine Länge von 1 cm und eine Breite von 30 bis 40 ,u auf der Kopie. Damit die Abbildung des Striches nur in der oberen oder unteren Emulsionsschicht erfolgt, werden auf die Masken Grünfilter bzw. Rotfilter montiert. Die Belichtung erfolgt mit zwei Lichtfarben, einmal hinter Grünfilter mit einem Durchlässigkeitsmaximua von 530 Ai und anschließend hinter Rotfilter mit einem Durchlüssigkeitsmaximun von 650
009887/1741
-11-
Die Belichtungszeiten betragen bei einer Leuchtstärke von 43 Lux
240 sec hinter dem Grünfilter und 60 see hinter dem Rotfilter.
Man wählt die Belichtung so, daß die belichteten Stellen zur maximalen Schwärzung entwickelt werden können. Überbelichtungen
vermeidet man möglichst, da sie die Schärfe der Abbildung verschlechtern. Entwickelt wird in einem Entwickler gemäß Beispiel
Die aufbelichteten Muster stellen elektrisch entsprechend den Schaltbildern von Figur 2 und 3 Kombinationen von Kondensatoren
mit Widerständen dar. Bei der ersten Schaltung entsprechend Fig.2 sind zwei Kondensatoren mit einem Widerstand in Reihe geschaltet,
und bei der zweiten Schaltung wie in Fig. 3 dargestellt, liegen wiederum zwei Kondensatoren mit einem Widerstand in Reihe und dazu befindet sich parallel geschaltet ein zweiter Widerstand. Die
Kapazitäten C, und C„ wurden bei 10 kHz zu ca. 5,2 η F bestimmt.
Die Widerstände R1 R1 und R2 liegen im Bereich von 1,1 - 1,7 Kiloohm und sind in ihrer Größe abhängig von der Strichstärke und
der Dicke der Schicht. Nach dem gleichen Prinzip können beliebige andere Schaltungen auch mit Anschlußstellen für Dioden und Transistoren hergestellt werden.
-12-009887/1741
Claims (1)
- Patentansprüche:1.) Verfahren zur Herstellung von passiven Elementen wie Widerständen, Kapazitäten, RC-Gliedern und Leiterbahnen durch Negativentwicklung mit Hilfe eines lichtempfindlichen Mehrschichtenmaterials auf Halogensilberbasis, dadurch gekennzeichnet« daß ein Mehrschichtenmaterial, bestehend aus einem nichtleitenden Schichtträger und zwei übereinanderliegenden, für unterschiedliche Spektralbereich sensibilisierte, gelatinehaltige Chlorbromsilberemulsionen mit einem Gelatine/ Silberverhältnis von mindestens 1 : 3, die durch eine für photographische Bäder durchlässige, dielektrische Schicht getrennt sind, in Anwesenheit an sich bekannter Entwicklungsbeschleuniger entwickelt wird.2, Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Entwicklungsbeschleuniger Polyäthylenoxiden, deren Kondensationsprodukte, quaternäre Ammoniumsalze und/oder Amine verwendet werden. '3. Elektrqtechnisches Material entsprechend Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem nichtleitenden Schichtträger als erste Schicht eine für den roten Spektralbereich sensibilisierte, gelatinearme Halogensilberemulsion, als zweite Schicht eine Gelatineschicht und als dritte Schicht eine ge'-latinearrae Halogensilberemulsion, die im blauen bzw. grünen Spektralbereich empfindlich ist, aufgetragen ist.4. Elektrotechnisches Material entsprechend Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,, daß die gelatinehaltige, dielektrische Schicht die Dielektrizitätskonstante beeinflussende, wasserunlösliche Stoffe, wie Titandioxid, Siliciumdioxid, Polyäthylacrulat,00 98 87/1741Polystyrol, Dibutylphthalat, Xylol, Toluol in dispergierter Form oder wasserlösliche Stoffe, wie Polyvinylpyrrolidon, Polyvinylalkohol, Dextran enthält.Elektrotechnisches Material entsprechend Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die mittlere als Dielektrikum wirkende Schicht in streifenförmigen Bahnen mit beliebigen Zwischenräumen aufgetragen ist, wodurch sich bei dem entwickelten Material Stellen der direkten Berührung der beiden elektrisch leitenden Schichten ergeben, so daß eine Durchkontaktierung bei entsprechend herausgeschnittenen Bahnen möglich ist.6. Elektrotechnisches Material nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die lichtempfindlichen Schichten an sich bekannte Entwicklungsbeschleuniger enthalten.009887/1741L e e r s e i f e
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691938373 DE1938373A1 (de) | 1969-07-29 | 1969-07-29 | Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen,Widerstaenden und Kapazitaeten fuer die Mikroelektronik auf photographischem Wege |
BE753269D BE753269A (nl) | 1969-07-29 | 1970-07-10 | Werkwijze voor de vervaardiging van geleidende banen weerstanden en condensatoren langs fotografische weg |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19691938373 DE1938373A1 (de) | 1969-07-29 | 1969-07-29 | Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen,Widerstaenden und Kapazitaeten fuer die Mikroelektronik auf photographischem Wege |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE1938373A1 true DE1938373A1 (de) | 1971-02-11 |
Family
ID=5741181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19691938373 Pending DE1938373A1 (de) | 1969-07-29 | 1969-07-29 | Verfahren zur Herstellung von Leiterbahnen,Widerstaenden und Kapazitaeten fuer die Mikroelektronik auf photographischem Wege |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE753269A (de) |
DE (1) | DE1938373A1 (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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1970
- 1970-07-10 BE BE753269D patent/BE753269A/nl unknown
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