JP2015138861A - 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】デバイス特性の向上を図る。【解決手段】固体撮像素子は、半導体基板に対して積層される絶縁膜と、絶縁膜によって画素ごとに分離して形成される下部透明電極膜と、絶縁膜および下部透明電極膜が混在する平面上に積層される疎水化処理層と、疎水化処理層に対して積層される有機光電変換層と、有機光電変換層に対して積層される上部透明電極膜とを備えて構成され、疎水化処理層は、絶縁膜および下部透明電極膜の表面に対してシリル化剤による表面処理を行うことにより形成される。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。【選択図】図１

Description

本開示は、固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器に関し、特に、デバイス特性の向上を図ることができるようにした固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器に関する。
従来、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像機能を備えた電子機器においては、例えば、CCD（Charge Coupled Device）やCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサなどの固体撮像素子が使用されている。固体撮像素子は、光電変換を行うＰＤ（photodiode：フォトダイオード）と複数のトランジスタとが組み合わされた画素を有しており、平面的に配置された複数の画素から出力される画素信号に基づいて画像が構築される。
また、近年、同一の画素の深さ方向に緑色、青色、および赤色の光電変換部を積層した固体撮像素子の開発が進められている。
例えば、特許文献１には、シリコン基板内の深さ方向に青色の光を光電変換する光電変換部と赤色の光を光電変換する光電変換部とを形成し、シリコン基板の受光面側の表面上層に緑色の光を光電変換する有機光電変換層を備える固体撮像素子が開示されている。この固体撮像素子は、カラーフィルタによる光の損失が発生しないことによって感度特性の向上を図ることができるとともに、画素間の補間処理を行わないことによって偽色の発生を回避することができる。
このような有機光電変換層における有機分子の配向は、吸光度や移動度、イオン化エネルギーなどの電子物性に大きな影響を与えることが知られており、この配向を制御することはデバイス特性の向上を図るために重要である。
例えば、特許文献２には、高分子化合物を含有する層を積層した半導体素子において、結晶性や配向性の高い有機半導体層を形成することができる高分子化合物の構造が開示されている。
また、特許文献３には、ゲート絶縁膜および有機半導体薄膜の間に、所定の化合物により形成される閾値電圧制御膜を設けることで、容易に閾値電圧を制御することができる有機薄膜トランジスタが開示されている。
特開２０１１−２９３３７号公報 特開２００７−１０３９２１号公報 特開２００５−３２７７４号公報
ところで、特許文献１に開示されている有機光電変換層を備える固体撮像素子では、透明電極と絶縁膜とが混在する平面上に有機光電変換層を成膜する構成が採用される。また、上述したように、有機光電変換層における有機分子の配向は、吸光度や移動度、イオン化エネルギーなどの電子物性に大きな影響を与えることが知られており、この配向を制御することによってデバイス特性を向上させることができる。
ところが、従来、透明電極と絶縁膜とが混在する平面上に成膜される有機光電変換層における有機分子の配向を制御することは行われていなかったため、その制御を行うことによってデバイス特性の向上を図ることが求められていた。
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、デバイス特性の向上を図ることができるようにするものである。
本開示の一側面の固体撮像素子は、半導体基板に対して積層される絶縁膜と、前記絶縁膜によって画素ごとに分離して形成される下部透明電極膜と、前記絶縁膜および前記下部透明電極膜が混在する平面上に積層される疎水化処理層と、前記疎水化処理層に対して積層される有機光電変換層と、前記有機光電変換層に対して積層される上部透明電極膜とを備える。
本開示の一側面の製造方法は、半導体基板に対して絶縁膜を積層し、前記絶縁膜によって画素ごとに分離される下部透明電極膜を形成し、前記絶縁膜および前記下部透明電極膜が混在する平面上に疎水化処理層を積層し、前記疎水化処理層に対して有機光電変換層を積層し、前記有機光電変換層に対して上部透明電極膜を積層するステップを含む。
本開示の一側面の電子機器は、半導体基板に対して積層される絶縁膜と、前記絶縁膜によって画素ごとに分離して形成される下部透明電極膜と、前記絶縁膜および前記下部透明電極膜が混在する平面上に積層される疎水化処理層と、前記疎水化処理層に対して積層される有機光電変換層と、前記有機光電変換層に対して積層される上部透明電極膜とを有する固体撮像素子を備える。
本開示の一側面においては、半導体基板に対して絶縁膜が積層され、絶縁膜によって画素ごとに分離される下部透明電極膜が形成され、絶縁膜および下部透明電極膜が混在する平面上に疎水化処理層が積層される。そして、疎水化処理層に対して有機光電変換層が積層され、有機光電変換層に対して上部透明電極膜が積層される。
本開示の一側面によれば、デバイス特性の向上を図ることができる。
本技術を適用した固体撮像素子の第１の実施の形態の構成例を示す図である。 疎水化処理層を形成するための表面処理について説明する図である。 有機蒸着膜の結晶配向状態について説明する図である。 固体撮像素子の製造方法について説明する図である。 固体撮像素子の第２の実施の形態の構成例を示す図である。 電子機器の構成例を示すブロック図である。
以下、本技術を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本技術を適用した固体撮像素子の第１の実施の形態の構成例を示す図である。
図１には、固体撮像素子１１の１画素を構成する部分的な断面構成が示されており、以下適宜、図１において上側を向く面を上面とし、下側を向く面を下面と称する。
固体撮像素子１１は、下側から順に、半導体基板１２、絶縁膜１３、疎水化処理層１４、有機光電変換層１５、および上部透明電極膜１６が積層されて構成される。また、固体撮像素子１１では画素ごとに、光電変換領域１７および１８が半導体基板１２に形成されるとともに、下部透明電極膜１９が疎水化処理層１４を介して有機光電変換層１５に接するように形成される。
半導体基板１２は、例えば、高純度シリコンの単結晶が薄くスライスされたシリコンウェハである。
絶縁膜１３は、例えば、絶縁性を備えた酸化膜により形成され、半導体基板１２の上面に対して積層される。
疎水化処理層１４は、絶縁膜１３および下部透明電極膜１９の上面に対して、シリル化剤による表面処理を行うことにより形成される。疎水化処理層１４を形成するためのシリル化剤として、例えば、ヘキサメチルシラザン（HMDS）を用いた場合にはHMDS層が形成され、その表面処理については図２を参照して後述する。
有機光電変換層１５は、例えば、真空蒸着法によりキナクリドンを成膜することによって、疎水化処理層１４の上面に対して形成される。例えば、有機光電変換層１５は、緑色の光を光電変換する。
上部透明電極膜１６は、有機光電変換層１５の上面に対して積層される導電性を有する透明な材料、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜により形成される。
光電変換領域１７および１８は、半導体基板１２の内部におけるＰＮ接合により構成され、それぞれ受光した光を光電変換する。図１の構成例では、光電変換領域１８よりも深い位置に光電変換領域１７が配置されるように構成されており、例えば、光電変換領域１７は赤色の光を光電変換し、光電変換領域１８は青色の光を光電変換する。
下部透明電極膜１９は、絶縁膜１３によって画素ごとに分離され、疎水化処理層１４を介して有機光電変換層１５の下面に接するように形成される。下部透明電極膜１９は、上部透明電極膜１６と同様に、導電性を有する透明な材料、例えば、ＩＴＯ膜により形成される。また、下部透明電極膜１９は、図示しない転送トランジスタに接続されており、上部透明電極膜１６との間に配置される有機光電変換層１５により光電変換された電荷の転送に利用される。
このように固体撮像素子１１は構成されており、絶縁膜１３と下部透明電極膜１９とが混在する平面上に疎水化処理層１４を形成した後に有機光電変換層１５を成膜することで、有機光電変換層１５の配向特性を制御することができる。
次に、図２を参照して、疎水化処理層１４を形成するための表面処理について説明する。
疎水化処理層１４は、絶縁膜１３および下部透明電極膜１９に対してシリル化剤による表面処理を行うことにより形成される。なお、図２には、絶縁膜１３だけが図示されているが、下部透明電極膜１９に対しても同様の表面処理が行われる。
絶縁膜１３の表面は親水性を有しており、有機光電変換層１５を形成する有機蒸着成膜処理を行う前に、絶縁膜１３の表面に対してシリル化剤による表面処理（疎水化処理）が施される。ここで、表面処理に用いるシリル化剤として、上述したHMDS（ヘキサメチルシラザン：[Si(CH3)3]2NH）の他、例えば、TMDS（1,1,3,3,-テトラメチルジシラザン：[SiH(CH3)2]2NH）、TMSDMA（N-トリメチルシリルジメチルアミン：(CH3)5NSi）、DMSDMA（N-ジメチルシリルジメチルアミン：(CH3)4HNSi）、TMSPyrole（1-Trimethylsilylpyrole）、BSTFA（N,O-Bis (trimethylsilyl) trifluoroacetamide）、BDMADMS（Bis (dimethylamino) dimethylsilane）などを用いることができる。
このようなシリル化剤による表面処理を行って、絶縁膜１３の表面に疎水化処理層１４を形成することにより、図２の下側に示すように、疎水性を有する疎水化処理層１４に対して、疎水性を有する有機光電変換層１５が成膜される。これにより、有機光電変換層１５と絶縁膜１３および下部透明電極膜１９との密着性を向上させることができ、有機光電変換層１５の剥がれを抑制することができる。
また、このように成膜される有機光電変換層１５は、好適な結晶配向状態と知られている配向状態、即ち、基板に対して平行（face-on）な配向状態となるように制御することができる。
ここで、図３を参照して、有機光電変換層１５に用いられる有機蒸着膜の結晶配向状態について説明する。
図３Ａには、有機光電変換層１５に用いられる有機蒸着膜を構成するキナクリドン（ＱＤ）分子の分子構造と、そのＣ軸方向が示されている。
そして、図３Ｂに示すように、シリル化剤による表面処理が行われない場合には、キナクリドン分子のＣ軸が膜面に対してほぼ垂直配向な配向状態となるように有機蒸着膜が成膜される。このとき、有機蒸着膜では、Ｘ線回折における６°のピークが強い傾向が表れるとともに、その剥離強度は低くなる。
これに対し、シリル化剤による表面処理が行われる場合には、キナクリドン分子のＣ軸が膜面に対してほぼ平行な配向状態となるように有機蒸着膜が成膜される。このとき、有機蒸着膜では、Ｘ線回折における６°のピークが弱い傾向が表れる（ピークが出ない）とともに、その剥離強度は高くなる。
なお、シリル化剤による表面処理の程度によって、キナクリドン分子のＣ軸が膜面に対してランダムとなるような有機蒸着膜を成膜することができる。このとき、有機蒸着膜では、Ｘ線回折における６°のピークが弱い傾向が表れる。
以上のように、固体撮像素子１１では、絶縁膜１３および下部透明電極膜１９の上面に対してシリル化剤による表面処理を行い疎水化処理層１４を形成することによって、疎水化処理層１４に対して成膜される有機光電変換層１５が、好適な結晶配向状態となるように配向特性を制御することができる。このように、有機光電変換層１５の配向特性を制御することによって、固体撮像素子１１のデバイス特性（例えば、変換効率や接合性、電子特性など）の向上を図ることができる。
次に、図４を参照して、固体撮像素子１１の製造方法について説明する。
第１の工程において、図１に示したような光電変換領域１７および１８が形成された半導体基板１２に対して、絶縁膜１３が成膜され、画素が形成される領域に対応して下部透明電極膜１９が形成される。
下部透明電極膜１９には、例えば、50〜200nmの膜厚のＩＴＯが用いられる。また、下部透明電極膜１９には、ＩＴＯの他、酸化錫（ＴＯ）、ドーパントを添加した酸化スズ（ＳｎＯ２）系材料、あるいは酸化亜鉛（ＺｎＯ）にドーパントを添加してなる酸化亜鉛系材料を用いてもよい。また、酸化亜鉛系材料としては、例えば、ドーパントとしてアルミニウム（Ａｌ）を添加したアルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム（Ｇａ）添加のガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、インジウム（Ｉｎ）添加のインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が挙げられる。また、この他にも、ＩＧＺＯ、ＣｕＩ、ＩｎＳｂＯ４、ＺｎＭｇＯ、ＣｕＩｎＯ２、ＭｇＩＮ２Ｏ４、ＣｄＯ、ＺｎＳｎＯ３等が用いられてもよい。
次に、第２の工程において、絶縁膜１３および下部透明電極膜１９の上面に対してシリル化処理を実施することにより疎水化処理層１４を形成する。なお、疎水化処理層１４としてHMDS層以外を用いてもよい。また、その形成方法は、特に限定されることはなく、例えば、ＣＶＤ法などの気相法により形成してもよいし、スピンコート法やディピング法などの液相を用いた方法によって形成してもよい。また、疎水化処理層１４の膜厚は、１分子層程度とすることができ、例えば、１ｎｍ未満とすることが好適である。
その後、第３の工程において、有機光電変換層１５を形成する。有機光電変換層１５は、例えば、p,i,n層や前後をバッファ層で挿む構造など、多層種の有機膜で積層された構造を採用することができる。また、それらの有機膜には、例えば、ペンタセンやオリゴチオフェン等の有機低分子、ポリチオフェン等の有機高分子、フタロシアニン等の金属錯体、Ｃ６０、Ｃ７０、金属内包フラーレン等のフラーレン類、および、カーボンナノチューブ類の群から選択される１種以上の膜を利用することができる。
そして、第４の工程において、有機光電変換層１５の上面に対して上部透明電極膜１６を形成する。上部透明電極膜１６は、上述したような下部透明電極膜１９と同様の材料を用いることができる。
以上のような製造方法により、固体撮像素子１１を製造することができる。
次に、図５は、固体撮像素子１１の第２の実施の形態の構成例を示す図である。
図５に示すように、固体撮像素子１１Ａは、絶縁膜１３および下部透明電極膜１９と、疎水化処理層１４との間に無機バッファ層２０が設けられる点で、図１の固体撮像素子１１と異なる構成とされている。なお、固体撮像素子１１Ａは、その他の点で、図１の固体撮像素子１１と同様に構成されており、共通する構成要素については同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
固体撮像素子１１Ａでは、絶縁膜１３および下部透明電極膜１９の上面に対して無機バッファ層２０を形成した後に、シリル化剤による表面処理を行って疎水化処理層１４を形成し、有機光電変換層１５を形成する有機蒸着成膜処理が行われる。無機バッファ層２０としては、例えば、酸化チタン（TiO2）、五酸化タンタル（Ta2O5）、または、酸化亜鉛（ZnO）などを使用することができる。
このような無機バッファ層２０を設けることによって、固体撮像素子１１Ａでは、有機光電変換層１５と下部透明電極膜１９との接合性をさらに向上させることができる。また、有機光電変換層１５における暗電流の発生を抑制することができる。
なお、上述したような各実施の形態の固体撮像素子１１は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
図６は、電子機器に搭載される撮像装置の構成例を示すブロック図である。
図６に示すように、撮像装置１０１は、光学系１０２、撮像素子１０３、信号処理回路１０４、モニタ１０５、およびメモリ１０６を備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。
光学系１０２は、１枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの像光（入射光）を撮像素子１０３に導き、撮像素子１０３の受光面（センサ部）に結像させる。
撮像素子１０３としては、上述した各実施の形態の固体撮像素子１１が適用される。撮像素子１０３には、光学系１０２を介して受光面に結像される像に応じて、一定期間、電子が蓄積される。そして、撮像素子１０３に蓄積された電子に応じた信号が信号処理回路１０４に供給される。
信号処理回路１０４は、撮像素子１０３から出力された画素信号に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路１０４が信号処理を施すことにより得られた画像（画像データ）は、モニタ１０５に供給されて表示されたり、メモリ１０６に供給されて記憶（記録）されたりする。
このように構成されている撮像装置１０１では、上述した各実施の形態の固体撮像素子１１を適用することによって、例えば、より高画質な画像を得ることができる。
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
半導体基板に対して積層される絶縁膜と、
前記絶縁膜によって画素ごとに分離して形成される下部透明電極膜と、
前記絶縁膜および前記下部透明電極膜が混在する平面上に積層される疎水化処理層と、
前記疎水化処理層に対して積層される有機光電変換層と、
前記有機光電変換層に対して積層される上部透明電極膜と
を備える固体撮像素子。
（２）
前記疎水化処理層は、前記絶縁膜および前記下部透明電極膜の表面に対してシリル化剤による表面処理を行うことにより形成される
上記（１）に記載の固体撮像素子。
（３）
前記疎水化処理層を形成する表面処理に用いられるシリル化剤として、ヘキサメチルシラザンが用いられる
上記（２）に記載の固体撮像素子。
（４）
前記疎水化処理層を形成する表面処理に用いられるシリル化剤として、TMDS（1,1,3,3,-テトラメチルジシラザン：[SiH(CH3)2]2NH）、TMSDMA（N-トリメチルシリルジメチルアミン：(CH3)5NSi）、DMSDMA（N-ジメチルシリルジメチルアミン：(CH3)4HNSi）、TMSPyrole（1-Trimethylsilylpyrole）、BSTFA（N,O-Bis (trimethylsilyl) trifluoroacetamide）、または、BDMADMS（Bis (dimethylamino) dimethylsilane）が用いられる
上記（２）に記載の固体撮像素子。
（５）
前記絶縁膜および前記下部透明電極膜と前記疎水化処理層との間に、無機バッファ層が設けられる
上記（１）から（４）までのいずれかに記載の固体撮像素子。
（６）
半導体基板に対して絶縁膜を積層し、
前記絶縁膜によって画素ごとに分離される下部透明電極膜を形成し、
前記絶縁膜および前記下部透明電極膜が混在する平面上に疎水化処理層を積層し、
前記疎水化処理層に対して有機光電変換層を積層し、
前記有機光電変換層に対して上部透明電極膜を積層する
ステップを含む固体撮像素子の製造方法。
（７）
前記疎水化処理層は、前記絶縁膜および前記下部透明電極膜の表面に対してシリル化剤による表面処理を行うことにより形成される
上記（６）に記載の製造方法。
（８）
前記疎水化処理層を形成する表面処理に用いられるシリル化剤として、ヘキサメチルシラザンが用いられる
上記（７）に記載の製造方法。
（９）
前記疎水化処理層を形成する表面処理に用いられるシリル化剤として、TMDS（1,1,3,3,-テトラメチルジシラザン：[SiH(CH3)2]2NH）、TMSDMA（N-トリメチルシリルジメチルアミン：(CH3)5NSi）、DMSDMA（N-ジメチルシリルジメチルアミン：(CH3)4HNSi）、TMSPyrole（1-Trimethylsilylpyrole）、BSTFA（N,O-Bis (trimethylsilyl) trifluoroacetamide）、または、BDMADMS（Bis (dimethylamino) dimethylsilane）が用いられる
上記（７）に記載の製造方法。
（１０）
前記絶縁膜および前記下部透明電極膜と前記疎水化処理層との間に、無機バッファ層が設けられる
上記（６）から（９）までのいずれかに記載の製造方法。
（１１）
半導体基板に対して積層される絶縁膜と、
前記絶縁膜によって画素ごとに分離して形成される下部透明電極膜と、
前記絶縁膜および前記下部透明電極膜が混在する平面上に積層される疎水化処理層と、
前記疎水化処理層に対して積層される有機光電変換層と、
前記有機光電変換層に対して積層される上部透明電極膜と
を有する固体撮像素子を備える電子機器。
（１２）
前記疎水化処理層は、前記絶縁膜および前記下部透明電極膜の表面に対してシリル化剤による表面処理を行うことにより形成される
上記（１１）に記載の電子機器。
（１３）
前記疎水化処理層を形成する表面処理に用いられるシリル化剤として、ヘキサメチルシラザンが用いられる
上記（１２）に記載の電子機器。
（１４）
前記疎水化処理層を形成する表面処理に用いられるシリル化剤として、TMDS（1,1,3,3,-テトラメチルジシラザン：[SiH(CH3)2]2NH）、TMSDMA（N-トリメチルシリルジメチルアミン：(CH3)5NSi）、DMSDMA（N-ジメチルシリルジメチルアミン：(CH3)4HNSi）、TMSPyrole（1-Trimethylsilylpyrole）、BSTFA（N,O-Bis (trimethylsilyl) trifluoroacetamide）、または、BDMADMS（Bis (dimethylamino) dimethylsilane）が用いられる
上記（１２）に記載の電子機器。
（１５）
前記絶縁膜および前記下部透明電極膜と前記疎水化処理層との間に、無機バッファ層が設けられる
上記（１１）から（１４）までのいずれかに記載の電子機器。
なお、本実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
１１ 固体撮像素子， １２ 半導体基板， １３ 絶縁膜， １４ 疎水化処理層， １５ 有機光電変換層， １６ 上部透明電極膜， １７および１８ 光電変換領域， １９ 下部透明電極膜， ２０ 無機バッファ層

Claims (15)

  1. 半導体基板に対して積層される絶縁膜と、
    前記絶縁膜によって画素ごとに分離して形成される下部透明電極膜と、
    前記絶縁膜および前記下部透明電極膜が混在する平面上に積層される疎水化処理層と、
    前記疎水化処理層に対して積層される有機光電変換層と、
    前記有機光電変換層に対して積層される上部透明電極膜と
    を備える固体撮像素子。
  2. 前記疎水化処理層は、前記絶縁膜および前記下部透明電極膜の表面に対してシリル化剤による表面処理を行うことにより形成される
    請求項１に記載の固体撮像素子。
  3. 前記疎水化処理層を形成する表面処理に用いられるシリル化剤として、ヘキサメチルシラザンが用いられる
    請求項２に記載の固体撮像素子。
  4. 前記疎水化処理層を形成する表面処理に用いられるシリル化剤として、TMDS（1,1,3,3,-テトラメチルジシラザン：[SiH(CH3)2]2NH）、TMSDMA（N-トリメチルシリルジメチルアミン：(CH3)5NSi）、DMSDMA（N-ジメチルシリルジメチルアミン：(CH3)4HNSi）、TMSPyrole（1-Trimethylsilylpyrole）、BSTFA（N,O-Bis (trimethylsilyl) trifluoroacetamide）、または、BDMADMS（Bis (dimethylamino) dimethylsilane）が用いられる
    請求項２に記載の固体撮像素子。
  5. 前記絶縁膜および前記下部透明電極膜と前記疎水化処理層との間に、無機バッファ層が設けられる
    請求項１に記載の固体撮像素子。
  6. 半導体基板に対して絶縁膜を積層し、
    前記絶縁膜によって画素ごとに分離される下部透明電極膜を形成し、
    前記絶縁膜および前記下部透明電極膜が混在する平面上に疎水化処理層を積層し、
    前記疎水化処理層に対して有機光電変換層を積層し、
    前記有機光電変換層に対して上部透明電極膜を積層する
    ステップを含む固体撮像素子の製造方法。
  7. 前記疎水化処理層は、前記絶縁膜および前記下部透明電極膜の表面に対してシリル化剤による表面処理を行うことにより形成される
    請求項６に記載の製造方法。
  8. 前記疎水化処理層を形成する表面処理に用いられるシリル化剤として、ヘキサメチルシラザンが用いられる
    請求項７に記載の製造方法。
  9. 前記疎水化処理層を形成する表面処理に用いられるシリル化剤として、TMDS（1,1,3,3,-テトラメチルジシラザン：[SiH(CH3)2]2NH）、TMSDMA（N-トリメチルシリルジメチルアミン：(CH3)5NSi）、DMSDMA（N-ジメチルシリルジメチルアミン：(CH3)4HNSi）、TMSPyrole（1-Trimethylsilylpyrole）、BSTFA（N,O-Bis (trimethylsilyl) trifluoroacetamide）、または、BDMADMS（Bis (dimethylamino) dimethylsilane）が用いられる
    請求項７に記載の製造方法。
  10. 前記絶縁膜および前記下部透明電極膜と前記疎水化処理層との間に、無機バッファ層が設けられる
    請求項６に記載の製造方法。
  11. 半導体基板に対して積層される絶縁膜と、
    前記絶縁膜によって画素ごとに分離して形成される下部透明電極膜と、
    前記絶縁膜および前記下部透明電極膜が混在する平面上に積層される疎水化処理層と、
    前記疎水化処理層に対して積層される有機光電変換層と、
    前記有機光電変換層に対して積層される上部透明電極膜と
    を有する固体撮像素子を備える電子機器。
  12. 前記疎水化処理層は、前記絶縁膜および前記下部透明電極膜の表面に対してシリル化剤による表面処理を行うことにより形成される
    請求項１１に記載の電子機器。
  13. 前記疎水化処理層を形成する表面処理に用いられるシリル化剤として、ヘキサメチルシラザンが用いられる
    請求項１２に記載の電子機器。
  14. 前記疎水化処理層を形成する表面処理に用いられるシリル化剤として、TMDS（1,1,3,3,-テトラメチルジシラザン：[SiH(CH3)2]2NH）、TMSDMA（N-トリメチルシリルジメチルアミン：(CH3)5NSi）、DMSDMA（N-ジメチルシリルジメチルアミン：(CH3)4HNSi）、TMSPyrole（1-Trimethylsilylpyrole）、BSTFA（N,O-Bis (trimethylsilyl) trifluoroacetamide）、または、BDMADMS（Bis (dimethylamino) dimethylsilane）が用いられる
    請求項１２に記載の電子機器。
  15. 前記絶縁膜および前記下部透明電極膜と前記疎水化処理層との間に、無機バッファ層が設けられる
    請求項１１に記載の電子機器。
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