CN112786668A - 一种双面显示面板 - Google Patents

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CN112786668A CN202110021460.2A CN202110021460A CN112786668A CN 112786668 A CN112786668 A CN 112786668A CN 202110021460 A CN202110021460 A CN 202110021460A CN 112786668 A CN112786668 A CN 112786668A
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Abstract

本发明提供了一种双面显示面板,该双面显示面板包括衬底、设置在衬底上的驱动电路层以及设置在驱动电路层上的发光层,发光层包括相邻第一发光器件和第二发光器件,第一发光器件和第二发光器件出光方向相反,第一发光器件和第二发光器件共同与一个驱动TFT电性连接,从而减少了薄膜晶体管的数量和TFT像素电路占用的面积,可以增大整个发光层的发光区的面积,提高双面显示面板的开口率。

Description

一种双面显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种双面显示面板。
背景技术
双面显示装置是指正反面同时拥有显示屏幕,满足对屏幕不同的需求。常见的双面显示装置通常由两个背对设置的第一显示面板和第二显示面板组成,而每个显示面板均包括发光像素、与所述发光像素电性连接的印刷电路板及集成电路(IC),印刷电路板及集成电路(IC)控制发光像素的开启与关闭,每个显示面板由两块玻璃基板组成,从而使双面显示装置至少需要四块玻璃基板组成,因此会导致这样的双面显示装置成本高昂,同时不利于双面液晶显示装置的轻薄化发展。
另外一种AMOLED双面显示装置中发光器件层具有顶发光和底发光模式,顶发光和底发光器件放置于同一个面板,可达到双面显示效果。现有AMOLED双面显示产品开口率较低(开口率=像素发光面积/像素面积×100%),若AMOLED器件使用双面显示,顶发光和底发光模式交错设置在像素定义层,产品开口率更低,显示效果较差,降低TFT器件稳定性及有机发光材料使用寿命。
综上所述,需要设计出一种新的双面显示面板,以解决现有技术中的OLED双面显示面板的顶发光和底发光像素交错设置在像素定义层中,产品开口率更低,显示效果较差,降低TFT器件稳定性及有机发光材料使用寿命。
发明内容
本发明提供一种双面显示面板,能够解决现有技术中的OLED双面显示面板的顶发光和底发光像素交错设置在像素定义层中,产品开口率更低,显示效果较差,降低TFT器件稳定性及有机发光材料使用寿命。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种双面显示面板,包括衬底、设置在所述衬底上的驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的发光层,其中,所述发光层包括相邻设置的第一发光器件和第二发光器件,所述第一发光器件和所述第二发光器件的出光方向相反,且所述第一发光器件和所述第二发光器件共同与一个驱动TFT电性连接。
根据本发明一优选实施例,所述发光层还包括像素定义层和位于所述像素定义层上的间隔设置的第一隔离墙和第二隔离墙,其中,所述第一隔离墙和所述第二隔离墙为环形的,所述第一隔离墙围绕所述第一发光器件设置,所述第二隔离墙围绕所述第二发光器件设置。
根据本发明一优选实施例,所述第一发光器件与所述第二发光器件的数量和/或发光面积在所述显示区占比相同。
根据本发明一优选实施例,所述第一发光器件与所述第二发光器件呈行或列设置,且所述第一发光器件行与所述第二发光器件行交替设置,或所述第一发光器件列与所述第二发光器件列交替设置。
根据本发明一优选实施例,所述第一发光器件与所述第二发光器件呈区块设置,且所述第一发光器件区块与所述第二发光器件区块在第一方向和/或第二方向间隔交替设置。
根据本发明一优选实施例,所述第一发光器件区块和/或所述第二发光器件区块均至少包括一个发光器件,且每个发光器件区块内的发光器件以矩形或方形形式阵列分布。
根据本发明一优选实施例,所述驱动电路层包括透明层和TFT层,所述TFT层设置有所述驱动TFT,所述第一发光器件与所述TFT层对位设置,所述第二发光器件与所述透明层对位设置,所述透明层的材质为透明的聚酰亚胺。
根据本发明一优选实施例,所述第一发光器件的阳极直接与所述驱动TFT的漏极电性连接,所述第二发光器件的阳极通过透明金属线与所述驱动TFT的漏极电性连接,所述第一发光器件和所述第二发光器件的阴极与电源的负极电性连接,所述驱动TFT的源极与电源的正极电性连接,所述驱动TFT的栅极与开关电路电性连接,所述开关电路为N型薄膜晶体管。
根据本发明一优选实施例,所述第一发光器件的阳极和所述第二发光器件的阴极均采用遮光金属,所述第二发光器件的阳极和所述第一发光器件的阴极均采用透明金属。
根据本发明一优选实施例,所述驱动TFT至少包括位于衬底上的遮光层、位于所述遮光层上方的有源层、位于所述有源层上方的源极和漏极,且所述源极通过信号过孔和所述遮光层电性连接,其中,所述遮光层包括叠层设置在所述衬底上的金属层、扩散阻挡层和刻蚀阻挡层,所述金属层的材质包括铜和钼,所述扩散阻挡层的材料为钼、钛和钽中一种或两种以上的材料,所述刻蚀阻挡层的材料为铟镓锌氧化物或铟锡氧化物。
本发明的有益效果:本发明提供了一种双面显示面板,该双面显示面板包括衬底、设置在衬底上的驱动电路层以及设置在驱动电路层上的发光层,发光层包括相邻第一发光器件和第二发光器件,第一发光器件和第二发光器件出光方向相反,第一发光器件和第二发光器件共同与一个驱动TFT电性连接,从而减少了薄膜晶体管的数量和TFT像素电路占用的面积,可以增大整个发光层的发光区的面积,提高双面显示面板的开口率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供一种双面显示面板中的第一发光器件和第二发光器件电性连接示意图。
图2和图3为本发明提供一种双面显示面板中的第一发光器件和第二发光器件的排布示意图。
图4和5为本发明提供一种双面显示面板膜层结构示意图。
图6至20为本发明提供一种双面显示面板的制备工艺示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示,图中虚线表示在结构中并不存在的,仅仅说明结构的形状和位置。
本发明针对现有技术中的OLED双面显示面板的顶发光和底发光像素交错设置在像素定义层中,产品开口率更低,显示效果较差,降低TFT器件稳定性及有机发光材料使用寿命的技术问题,本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示,本发明提供一种双面显示面板,双面显示面板包括像素驱动电路11、与像素驱动电路11电性连接的第一发光器件14和第二发光器件16,第一发光器件14和第二发光器件16为相邻设置,第一发光器件14周围设置有第一隔离墙13,第二发光器件16周围设置有第二隔离墙17,第一发光器件14和第二发光器件16共用一个像素驱动电路11,像素驱动电路11可以为常规的3T1C或5T1C电路结构,还可以为其他的像素结构驱动电路,本实施对像素驱动电路11的具体结构不做限定,像素驱动电路11设置在第一发光器件14的正下方,第二发光器件16出光方向的膜层优选为透明层或通孔。像素驱动电路11至少包括一个驱动TFT,第一发光器件14的阳极12直接与驱动TFT的漏极电性连接,第二发光器件16的阳极161通过透明金属线15与驱动TFT的漏极电性连接。
本实施例中的第一发光器件为顶发光器件,第二发光器件为底发光器件,第一发光器件的阳极和第二发光器件的阴极优选采用遮光金属,第二发光器件的阳极和第一发光器件的阴极优选采用透明金属。由于相邻的顶发光器件和底发光器件共用一个像素驱动电路11,从而减少了薄膜晶体管的数量和TFT像素电路占用的面积,从而可以增大整个发光层的发光区的面积,提高双面显示面板的开口率。
本发明的双面显示面板包括相邻设置的第一发光器件和第二发光器件,第一发光器件和第二发光器件的出光方向不同,且第一发光器件和第二发光器件共同与一个驱动TFT电性连接。第一发光器件与第二发光器件的数量和/或发光面积在显示区占比相同。第一发光器件与第二发光器件呈行或列设置,且第一发光器件行与第二发光器件行交替设置,或第一发光器件列与第二发光器件列交替设置。第一发光器件与第二发光器件优选呈区块设置,且第一发光器件区块与第二发光器件区块在第一方向和/或第二方向间隔交替设置。第一发光器件区块和/或第二发光器件区块均至少包括一个发光器件,且每个发光器件区块内的发光器件以矩形或方形形式阵列分布。
为了说明本发明的第一发光器件和第二发光器件的排布方式,发明人选择以第一发光器件行与第二发光器件行交替设置为例进行说明,其他的排布方式跟图2类似,不再一一具体描述。
如图2和图3所示,本发明提供一种双面显示面板中像素排列示意图。双面显示面板包括显示区18,显示区的第一行设置有第一发光器件14,显示区的第二行设置有第二发光器件16,显示区的第三行设置有第一发光器件14,显示区的第四行设置有第二发光器件16,显示区的第五行设置有第一发光器件14,显示区的第六行设置有第二发光器件16,依次类推。第一发光器件14和第二发光器件16隔行均匀交替设置在双面显示面板的显示区,第一发光器件14和第二发光器件16在显示区占比均为50%,第一发光器件14出射光线S1为顶发光,第二发光器件16出射光线S2为底发光。
具体地,图4为图3中的A1-A2截面示意图,图5为图3中的B1-B2截面示意图,如图4和图5所示,本发明提供一种双面显示面板的膜层结构示意图,双面显示面板包括相邻设置的顶发光像素1011和底发光像素1012。
如图4所示,顶发光像素1011包括衬底102、位于衬底上的TFT层、位于TFT层上的第一发光器件105以及位于第一发光器件105上的封装层1046。TFT层内设置有驱动TFT,驱动TFT包括设于衬底102上的遮光层1031、设于衬底102上且覆盖遮光层1031的缓冲层1032、设于缓冲层1032上的有源层1033、设于有源层1033上的栅绝缘层1034、设于栅绝缘层1034上的栅极1035、设于缓冲层1032上且覆盖栅极1035与有源层1033的层间绝缘层1036、设于层间绝缘层1036上的源极1037与漏极1038、以及设于层间绝缘层1036上且覆盖源极1035与漏极1038的钝化层1039。
层间绝缘层1036与缓冲层1032上设有对应于遮光层1031上方的信号过孔,源极1037通过信号过孔和遮光层1031电性连接。遮光层1031包括叠层设置在衬底上的金属层10311、扩散阻挡层10312和刻蚀阻挡层10313,金属层10311的材质包括铜和钼,扩散阻挡层10312的材料为钼、钛和钽中一种或两种以上的材料,刻蚀阻挡层10313的材料为铟镓锌氧化物或铟锡氧化物。
本实施例中的钝化层1039上设置有像素定义层1041、位于像素定义层1041上的第一隔离墙1042,第一隔离墙1042包括左侧隔离墙10421和右侧隔离墙10422,第一隔离墙1042内设置有第一发光器件105,第一发光器件105包括依次叠层设于像素定义层1041上的第一阳极1051、空穴注入层1052、空穴传输层1053、R/G/B色阻层1054、有机发光层1055、电子传输层1056、电子注入层1057以及第一阴极层1058,第一阳极1051为钼、铜、镁、铝或铝合金中的一种或一种以上组合材料,第一阴极1058为透明ITO电极层,第一发光单元1055一侧或两侧设置有R/G/B色阻层1054。增加顶发光像素的彩色亮度,本实施中将第一阳极1051设置为不透光的金属层,将第一阴极1058设置为透光的ITO电极层,增加顶发光像素发光的均匀性和效率。
本实施例中为了实现顶发光像素能够正产发光,该驱动晶体管的源极1037与外接电源的正极相连,驱动TFT的源极与电源的正极电性连接,驱动TFT的栅极与开关电路电性连接,开关电路为N型薄膜晶体管,柔性印刷电路板贴附有相应驱动芯片,柔性印刷电路板与开关电路电性连接,为驱动晶体管的栅极提供开启和关闭的电性号,第一阳极1051与驱动晶体管的漏极1038电性连接,外接电源的负极通过绑定区,将相应电性号传递到电源走线层,最后电源走线层将相应电性号传递到显示区中的第一阴极1058,当外接电源正负两极为2V至10V的直流电压时,第一阳极1051产生空穴,第一阴极1058产生电子,在第一发光单元1055相遇,电子和空穴分别带负电和正电,它们相互吸引,激发第一发光单元1055中有机材料发光,以实现顶发光像素的正常工作。
如图5所示,底发光像素1012的发光原理跟上述的类似,底发光像素1012包括衬底102、依次叠层设置在衬底102上的缓冲层1032、层间绝缘层1036、钝化1039、像素定义层1041以及第二隔离墙1044,第二隔离墙1044包括左侧隔离墙10441和右侧隔离墙10442,第二隔离墙1044内设置有第二发光器件106,第二发光器件106包括依次叠层设于像素定义层1041上的第二阳极1061、空穴注入层1062、空穴传输层1063、R/G/B色阻层1064、有机发光层1065、电子传输层1066、电子注入层1067以及第二阴极层1068,第二阴极1068为钼、铜、镁、铝或铝合金中的一种或一种以上组合材料,第二阳极1061为透明ITO电极层,第二阳极1061包括透明金属线10611和与透明金属线10611电性连接的透明ITO电极层10612,透明金属线10611通过像素定义层1041中的第二阳极过孔与驱动晶体管的漏极1038电性连接。本实施例的透明层为第二发光器件106下方的缓冲层1032、层间绝缘层1036和钝化1039的部分,透明层优选透明的聚酰亚胺。
本实施例中的第一阳极1051和第二阳极1061共用1个驱动TFT的漏极1038,即相邻的顶发光像素和底发光像素共用一个像素驱动电路,从而减少了薄膜晶体管的数量和TFT像素电路占用的面积,从而可以增大整个发光层的发光区的面积,提高双面显示面板的开口率。
依据上述双面显示面板,本发明还提供一种双面显示面板的制备方法,所示步骤包括:
步骤S10,提供衬底,在所述衬底上制备驱动电路层,其中,所述驱动电路层包括TFT层和透明层;
步骤S20,在所述TFT层和所述透明层上分别制备出光方向不同的第一发光器件和第二发光器件,所述第一发光器件和所述第二发光器件同时与所述TFT层中驱动TFT电性连接。
具体的,如图6至图12所示,提供衬底102,在衬底102上制备金属层10311、扩散阻挡层10312和刻蚀阻挡层10313,形成遮光层1031,在衬底102上制备缓冲层1032,缓冲层1032覆盖遮光层1031,在缓冲层1032上制备有源层1033,在有源层1033上制备栅绝缘层1034,在栅绝缘层1034上制备栅极1035,在缓冲层1032上制备层间绝缘层1036,层间绝缘层1036覆盖有源层1033、栅绝缘层1034和栅极1035,在层间绝缘层1036上制备源极1037和漏极1038,在层间绝缘层1036上制备钝化层1039,钝化层1039覆盖源极1037和漏极1038,源极1037通过信号过孔与遮光层1031电性连接,完成驱动电路层的制备,驱动电路层包括TFT层和透明层,该驱动电路层跟常规的阵列基板的结构类似,此处不再赘述各个膜层的材料以及制备的具体过程,仅描述膜层的连接关系。
如图13至图16所示,驱动电路层上的第一发光器件的制备工艺结构示意图。如图13所示,顶发光像素1011对应TFT层上制备像素定义层1041,在像素定义层1041上制备第一隔离墙1042,第一隔离墙1042内制备第一阳极1051。如图14所示,第一阳极1051上制备空穴注入层1052、空穴传输层1053、R/G/B色阻层1054,色阻层1054包括红色色阻层10541、绿色色阻层10542和蓝色色阻层10543。如图15所示,在R/G/B色阻层1054上依次制备有机发光层1055、电子传输层1056、电子注入层1057以及第二阴极层1058。如图16所示,在第二阴极层1058上制备封装层1046。
如图17至图20所示,驱动电路层上的第二发光器件的制备工艺结构示意图。如图17所示,在钝化层1039上制备像素定义层1041,在像素定义层1041上制备第二隔离墙1044,在第二隔离墙1044内制备第二阳极1061,第二阳极1061包括透明金属线10611和与透明金属线10611电性连接的透明ITO电极层10612,透明金属线10611通过像素定义层1041中的第二阳极过孔与驱动晶体管的漏极1038电性连接。如图18所示,第二阳极1061上制备空穴注入层1062、空穴传输层1063、R/G/B色阻层1064,色阻层1064包括红色色阻层10641、绿色色阻层10642和蓝色色阻层10643。如图19所示,在R/G/B色阻层1064上依次制备有机发光层1065、电子传输层1066、电子注入层1067以及第二阴极层1068。如图20所示,在第二阴极层1068上制备封装层1046。
本发明提供了一种双面显示面板,该双面显示面板包括衬底、设置在衬底上的驱动电路层以及设置在驱动电路层上的发光层,发光层包括相邻第一发光器件和第二发光器件,第一发光器件和第二发光器件出光方向相反,第一发光器件和第二发光器件共同与一个驱动TFT电性连接,从而减少了薄膜晶体管的数量和TFT像素电路占用的面积,可以增大整个发光层的发光区的面积,提高双面显示面板的开口率。
综上,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种双面显示面板,包括衬底、设置在所述衬底上的驱动电路层以及设置在所述驱动电路层上的发光层,其特征在于,所述发光层包括相邻设置的第一发光器件和第二发光器件,所述第一发光器件和所述第二发光器件的出光方向相反,且所述第一发光器件和所述第二发光器件共同与一个驱动TFT电性连接。
2.根据权利要求1所述的双面显示面板,其特征在于,所述发光层还包括像素定义层和位于所述像素定义层上的间隔设置的第一隔离墙和第二隔离墙,其中,所述第一隔离墙和所述第二隔离墙为环形的,所述第一隔离墙围绕所述第一发光器件设置,所述第二隔离墙围绕所述第二发光器件设置。
3.根据权利要求2所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一发光器件与所述第二发光器件的数量和/或发光面积在所述显示区占比相同。
4.根据权利要求3所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一发光器件与所述第二发光器件呈行或列设置,且所述第一发光器件行与所述第二发光器件行交替设置,或所述第一发光器件列与所述第二发光器件列交替设置。
5.根据权利要求3所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一发光器件与所述第二发光器件呈区块设置,且所述第一发光器件区块与所述第二发光器件区块在第一方向和/或第二方向间隔交替设置。
6.根据权利要求5所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一发光器件区块和/或所述第二发光器件区块内均至少包括一个发光器件,且每个发光器件区块内的发光器件以矩形或方形形式阵列分布。
7.根据权利要求1所述的双面显示面板,其特征在于,所述驱动电路层包括透明层和TFT层,所述TFT层设置有所述驱动TFT,所述第一发光器件与所述TFT层对位设置,所述第二发光器件与所述透明层对位设置,所述透明层的材质为透明的聚酰亚胺。
8.根据权利要求7所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一发光器件的阳极直接与所述驱动TFT的漏极电性连接,所述第二发光器件的阳极通过透明金属线与所述驱动TFT漏极电性连接,所述第一发光器件和所述第二发光器件的阴极与电源的负极电性连接,所述驱动TFT的源极与电源的正极电性连接,所述驱动TFT的栅极与开关电路电性连接,所述开关电路为N型薄膜晶体管。
9.根据权利要求1所述的双面显示面板,其特征在于,所述第一发光器件的阳极和所述第二发光器件的阴极均采用遮光金属,所述第二发光器件的阳极和所述第一发光器件的阴极均采用透明金属。
10.根据权利要求1所述的双面显示面板,其特征在于,所述驱动TFT至少包括位于衬底上的遮光层、位于所述遮光层上方的有源层、位于所述有源层上方的源极和漏极,且所述源极通过信号过孔和所述遮光层电性连接,其中,所述遮光层包括叠层设置在所述衬底上的金属层、扩散阻挡层和刻蚀阻挡层,所述金属层的材质包括铜和钼,所述扩散阻挡层的材料为钼、钛和钽中一种或两种以上的材料,所述刻蚀阻挡层的材料为铟镓锌氧化物或铟锡氧化物。
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