CN1551690A - 有机电致发光显示面板 - Google Patents
有机电致发光显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1551690A CN1551690A CNA2003101249117A CN200310124911A CN1551690A CN 1551690 A CN1551690 A CN 1551690A CN A2003101249117 A CNA2003101249117 A CN A2003101249117A CN 200310124911 A CN200310124911 A CN 200310124911A CN 1551690 A CN1551690 A CN 1551690A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- organic
- display panel
- supply voltage
- pixel electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 24
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 22
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- -1 district Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种有机电致发光显示面板，包括：绝缘衬底；形成在衬底上的多晶硅层；形成在多晶硅层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅极线；形成在栅极线上的第二绝缘层；形成在第二绝缘层上并包括第一和第二部分的数据线；与数据线的第一部分连接的像素电极；限定像素电极上的区域的隔离物；形成在像素电极上的该区域中的有机发光部件；形成在发光部件上的公共电极；以及，设置在像素电极与衬底之间并且与数据线的第二部分连接的平面电源电压电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光显示面板。
背景技术
通常，有机电致发光(EL)显示器是自发射显示器件，通过激励发射性有机材料使其发光而显示图像。该有机EL显示器包括阳极(空穴注入电极)、阴极(电子注入电极)和夹在其间的有机发光层。当空穴和电子注入到发光层时，它们复合并且成对湮灭同时产生光。该发光层还包括电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)以及电子注入层(EIL)和空穴注入层(HIL)，用于增强光发射。
以矩阵的形式设置并且以无源矩阵(或者简单矩阵)寻址或者有源矩阵寻址的方式驱动多个像素的有机EL显示器，每个像素都包括阳极、阴极和发光层。
无源矩阵型有机EL显示器包括多条阳极线、与阳极线相交的多条阴极线、以及多个像素，每个像素都包括发光层。选择阳极线之一和阴极线之一使位于选定信号线交点处的像素发光。
有源矩阵型有机EL显示器包括多个像素，每个像素包括开关晶体管、驱动晶体管和存储电容器以及阳极、阴极和发光层。EL显示器还包括传输栅信号的多条栅极线和传输数据电压的多条数据线。开关晶体管与栅极线之一和数据线之一连接，并且响应栅信号从数据线传输数据电压。驱动晶体管从开关晶体管接收数据电压，并且驱动由数据电压与预定电压(例如电源电压)之间的差确定其幅度的电流。来自驱动晶体管的电流进入发光层以便引起强度取决于电流的发光。存储电容器连接在数据电压与电压源之间以便保持它们的电压差。通过控制数据电压以便调整由驱动晶体管驱动的电流来实现有源矩阵型EL显示器的灰度色标(gray scaling)。通过提供红色、绿色和蓝色发光层获得EL显示器的彩色显示。
同时，电源电压的降低减小了由驱动晶体管驱动的电流，使得显示的图像比预期的暗。例如，用于显示较高灰度的具有较高幅度的数据电压经历较高的电压降，使得由驱动晶体管驱动的电流减小得非常厉害。较小的电流使与其相关的像素发射更暗的光，从而产生干扰，当期望发射亮光的像素数量增加时，这种情况更加严重。
发明内容
本发明的目的是解决上述问题。
根据本发明的技术方案，提供一种有机电致发光显示面板，包括：绝缘衬底；形成在衬底上的多晶硅层；形成在多晶硅层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅极线；形成在栅极线上的第二绝缘层；形成在第二绝缘层上并包括第一和第二部分的数据线；与数据线的第一部分连接的像素电极；限定像素电极上的区域的隔离物；形成在像素电极上的该区域中的有机发光部件；形成在发光部件上的公共电极；以及，设置在像素电极与衬底之间并且与数据线的第二部分连接的平面电源电压电极。
电源电压电极可直接设置在衬底上。
有机电致发光显示面板还可包括形成在衬底上的阻挡层。阻挡层可具有露出部分电源电压电极的开口，第一和第二绝缘层具有通过开口暴露电源电压电极的露出部分的接触孔，且数据线的第二部分通过开口和接触孔连接到电源电压电极。开口可比接触孔更大。
多晶硅层可包括第一和第二晶体管部分，每个部分都包括沟道区、源极区和漏极区，栅极线包括分别与第一和第二晶体管部分交叠的第一和第二栅极电极，数据线包括与第一晶体管部分的源极区连接的第一源极电极、与第一晶体管部分的漏极区和第二栅极电极连接的第一漏极电极、与第二晶体管部分的源极区和电源电压电极连接的第二源极电极、以及与第二晶体管部分的漏极区和像素电极连接的第二漏极电极。
多晶体层还可包括与第二晶体管部分的源极区连接的存储电极区，而栅极线还包括与存储电极区交叠并且与第二栅极电极连接的存储电极。
像素电极可由与数据线相同的层或者相同的材料构成。
有机电致发光显示面板还可包括连接在电源电压电极与第二源极电极之间的辅助电极。辅助电极包括与栅极线相同的层。
隔离物优选包括黑色光致抗蚀剂。
像素电极可以是不透明的，而公共电极是透明的。或者，像素电极是透明的，而公共电极是不透明的。
当像素电极是透明的时，电源电压电极优选具有面对发光部件的透射部分，用于透过来自发光部件的光。
电源电压电极优选具有面对至少部分多晶硅层的开口。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明的实施例，本发明将变得更加明显易懂，附图中：
图1是根据本发明实施例的有机EL显示面板的布局图；
图2是沿线II-II’截取的图1所示的有机EL显示面板的截面图；
图3是沿线III-III’截取的图1所示有机EL显示面板的截面图；
图4A是在根据本发明实施例的制造方法的第一步骤中，图1至3所示的有机EL显示面板的布局图；
图4B和4C分别是沿着线IVB-IVB’和IVC-IVC’截取的图4A所示的有机EL显示面板的截面图；
图5A是在图4A至4C所示步骤之后的步骤中图1至3所示有机EL显示面板的布局图；
图5B和5C分别是沿着线VB-VB’和VC-VC’截取的图5A所示有机EL显示面板的截面图；
图6A是在图5A至5C所示步骤之后的步骤中图1至3所示有机EL显示面板的布局图；
图6B和6C分别是沿着线VIB-VIB’和VIC-VIC’截取的图6A所示有机EL显示面板的截面图；
图7A是在图6A至6C所示步骤之后的步骤中图1至3所示有机EL显示面板的布局图；
图7B和7C分别是沿着线VIIB-VIIB’和VIIC-VIIC’截取的图7A所示有机EL显示面板的截面图；
图8A是在图7A至7C所示步骤之后的步骤中图1至3所示有机EL显示面板的布局图；
图8B和8C分别是沿着线VIIIB-VIIIB’和VIIIC-VIIIC’截取的图8A所示有机EL显示面板的截面图；
图9A是在图8A至8C所示步骤之后的步骤中图1至3所示有机EL显示面板的布局图；
图9B和9C分别是沿着线IXB-IXB’和IXC-IXC’截取的图9A所示有机EL显示面板的截面图；
图10A是在图9A至9C所示步骤之后的步骤中图1至3所示有机EL显示面板的布局图；
图10B和10C分别是沿着线XB-XB’和XC-XC’截取的图10A所示有机EL显示面板的截面图；
图11是根据本发明实施例的底部发射型有机EL显示面板的布局图；
图12是沿着线XII-XII’截取的图11所示显示面板的典型截面图；
图13是沿着线XIII-XIII’截取的图11所示显示面板的典型截面图；
图14是沿着线XIII-XIII’截取的图11所示显示面板的另一个典型截面图；以及
图15是沿着线XIII-XIII’截取的图11所示显示面板的再一个典型截面图。
具体实施方式
下面将参考附图更加全面地描述本发明，其中示出了本发明的优选实施例。然而，本发明可以以多种不同的形式实施，不应认为限于这里所阐述的实施例。
在附图中，为了清楚起见，放大了层和区的厚度。相同的附图标记始终表示相同的部件。应理解，当将诸如层、膜、区、衬底或者面板的元件描述为在另一个元件“上”时，它可以直接在另一个元件上，也可以存在夹在其间的元件。相反，当元件描述为“直接在另一个元件上”时，就不存在夹在其间的元件。
下面，将参考附图描述根据本发明实施例的有机电致发光显示器及其制造方法。
首先，参考图1至3详细描述根据本发明实施例的有机EL显示器。
图1是根据本发明实施例的有机EL显示面板的布局图，图2是沿着线II-II’截取的图1所示有机EL显示面板的截面图，而图3是沿着线III-III’截取的图1所示有机EL显示面板的截面图。
在优选由透明玻璃或硅晶片制成的绝缘衬底110上形成施加有诸如电源电压的预定电压的电源电压电极112。电源电压电极112优选由具有低电阻率的导电材料(例如Al、Al合金、Ag或Ag合金)制成，并且基本上覆盖衬底110的整个表面，以便具有平面形状而不会形成带状。
在电源电压电极112上形成优选由氧化硅或者氮化硅制成的阻挡层111。
在阻挡层111上形成多晶硅层，该多晶硅层包括多对用于开关薄膜晶体管(TFT)的第一晶体管部分150a和用于驱动TFT的第二晶体管部分150b。
第一晶体管部分150a包括多个以n型杂质掺杂并且彼此分离的杂质区和多个本征区，所述杂质区例如为(第一)源极区153a、中间区152a和(第一)漏极区155a，所述本征区例如为设置在杂质区153a、152a与155a之间的成对的(第一)沟道区154a。第一源极区153a延伸而形成存储电极区157。
第二晶体管部分150b包括以p型杂质掺杂的多个杂质区和一本征区，所述杂质区例如是(第二)源极区153b和(第二)漏极区155b，所述本征区例如是设置在杂质区153b与155b之间的(第二)沟道区154b。
可选的，根据驱动条件，用p型杂质掺杂第一晶体管部分150a的杂质区153a、152a和155a，同时用n型杂质掺杂第二晶体管部分150b的杂质区153b和155b。
优选由氧化硅或者氮化硅制成的栅极绝缘层140形成在多晶硅层150a和150b上。
在栅极绝缘层140上形成多条栅极线121，栅极线121包括优选由低电阻率材料(例如Al或者Al合金)制成的多对第一栅极电极123a和第二栅极电极123b。每对第一栅极电极123a都从栅极线121分岔并且与第一晶体管部分150a相交，使得它们与成对的第一沟道区154a交叠。每个第二栅极电极123b与栅极线121分离，并且与第二晶体管部分150b相交，使得它与第二沟道区154b交叠。第二栅极电极123b延伸而形成与多晶硅层150a和150b的存储电极区157交叠的存储电极133，从而形成存储电容器。
在栅极线121和第一及第二栅极电极123a和123b上形成第一层间绝缘膜801。
在第一层间绝缘膜801上形成多条数据线171，每条数据线都包括多个第一源极电极173a、多个第二源极电极173b和多个第一及第二漏极电极175a和175b。
每个第一源极电极173a从数据线171分岔并且通过穿过第一层间绝缘膜801和栅极绝缘层140的接触孔181与第一源极区153a连接。每个第一漏极电极175a通过穿过第一层间绝缘膜801和栅极绝缘层140的接触孔182与第一漏极区155a连接。第一漏极电极175a还通过穿过第一层间绝缘膜801和栅极绝缘层140的接触孔183与第二栅极电极123b连接。
每个第二源极电极173b都呈岛状，它通过穿过第一层间绝缘膜801和栅极绝缘层140的接触孔184与第二源极区153b连接。每个第二漏极电极175b通过穿过第一层间绝缘膜801和栅极绝缘层140的接触孔186与第二漏极区155b连接。第二源极电极173b还通过穿过第一层间绝缘膜801、栅极绝缘层140和阻挡层111的接触孔187与电源电压电极112连接。
在数据线171、源极电极173a和173b、以及漏极电极175a和175b上形成第二层间绝缘膜802。第二层间绝缘膜802优选由氮化硅、氧化硅或者有机绝缘材料制成，并且它具有露出第二漏极电极175b的多个接触孔185。
在第二层间绝缘膜802上形成多个像素电极190。每个像素电极190都通过接触孔185与第二漏极电极175b连接，并且其优选由反射性不透明材料(例如Al或者Ag合金)制成。然而，像素电极190可以由透明的导电材料(例如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌))制成。像素电极190可以与第二漏极电极175b结合，用于降低制造成本。
在第二层间绝缘膜802和像素电极190上形成用于分开有机EL显示面板的像素的隔离物803。隔离物803像土堤一样围绕像素电极190，以便限定用有机发光材料填充的凹陷区。隔离物803优选由有机绝缘材料、更优选由包括黑色颜料的光敏材料制成，对其曝光并显影，使得隔离物803起到挡光部件的作用，从而简化其制造方法。
多个发光部件70形成在像素电极190上并且设置在由隔离物803限定的凹陷区中。发光部件70优选由发射基色光(例如红、绿和蓝光)的有机材料制成。周期性地设置发射红、绿和蓝光的部件70。
在发光部件70和隔离物803上形成缓冲层804。如果不需要，也可以省略该缓冲层804。
在缓冲层804上形成施加有预定电压的公共电极270。公共电极270优选由透明导电材料(例如ITO和IZO)制成。如果像素电极190是透明的，则公共电极270优选由反射性不透明金属(例如Al)制成。
可选地设置由低电阻率材料制成的辅助电极(未示出)，用于补偿公共电极270的电导率。辅助电极可以设置在公共电极270与缓冲层804之间或者设置在公共电极270上，并且优选具有矩阵形式并且沿着隔离物803设置，使得其不与发光部件70交叠。
在上述有机EL显示面板中，第一晶体管部分150a、与栅极线121连接的第一栅极电极123a、与数据线171连接的第一源极电极153a、以及第一漏极电极155a形成开关TFT。此外，第二晶体管部分150b、与第一漏极电极155a连接的第二栅极电极123b、与电源电压电极112连接的第二源极电极153b、以及与像素电极190连接的第二漏极电极155b形成驱动TFT。另外，像素电极190和公共电极270分别作为阳极和阴极，与第一漏极电极155a连接的存储电极区157和通过第二源极电极153b与电源电压电极112连接的存储电极133形成存储电容器。
响应于来自栅极线121的栅信号，开关TFT将数据电压从数据线171传输给驱动TFT。在接收到数据电压时，驱动TFT产生电流，该电流的幅度取决于数据电压与电源电压之间的差。此外，数据电压给存储电容器充电，并在开关TFT关断之后保持。由驱动TFT驱动的电流通过像素电极190进入发光部件70，并且到达公共电极270。发光部件170中的电流流动意味着正电荷载流子(例如空穴)和负电荷载流子(例如电子)分别从阳极190和阴极270注入到发光部件70中，并且通过由阳极190与阴极270之间的电压差产生的电场漂移。然后发光部件70中的空穴和电子彼此相遇，复合为激子，发出预定波长的光。发光强度取决于由驱动TFT驱动并且流入发光部件70的电流。
发射的光在经过公共电极270或者像素电极190之后离开显示面板。透明的公共电极270和不透明的像素电极190可以应用于顶部发射型EL显示器，这种显示器在其顶表面上显示图像。相反，透明的像素电极190和不透明的公共电极270可以应用于底部发射型EL显示器，这种显示器在其底表面上显示图像。对于前者，电源电压电极112可以具有在发光部件70与衬底111之间的各种不同的位置或者设置。对于后者，电源电压电极112可以至少部分是透明的，以便传送从发光部件70发射的光。
如上所述，由于电源电压电极112具有覆盖有机EL显示面板整个表面的平面形状，因此施加于像素的电源电压的幅度几乎是恒定的。此外，由于电源电压电极112具有表面电阻，因此电压降基本上不能够分辩施加给像素的电源电压的幅度。因此，明显减少了由像素之间的亮度差产生的干扰。
下面将参考图4A至10C以及图1至3描述图1至3所示的有机EL显示面板的制造方法。
图4A、5A、6A、7A、8A、9A和10A是在根据本发明实施例的有机EL显示面板的制造方法的中间步骤中、图1至3所示的有机EL显示面板的布局图，图4B、5B、6B、7B、8B、9B和10B分别是沿着线IVB-IVB’、VB-VB’、VIB-VIB’、VIIB-VIIB’、VIIIB-VIIIB’和XB-XB’截取的图4A、5A、6A、7A、8A、9A和10A所示有机EL显示面板的截面图，图4C、5C、6C、7C、8C、9C和10C分别是沿着线IVC-IVC’、VB-VB’、VIC-VIC’、VIIC-VIIC’、VIIIC-VIIIC’、IXC-IXC’和XC-XC’截取的图4A、5A、6A、7A、8A、9A和10A所示的有机EL显示面板的截面图。
参考图4A至4C，在绝缘衬底110上沉积导电材料，以便形成电源电压电极112。可以光刻电源电压电极112以便在其中形成开口或者透射部分。
优选由氧化硅制成的阻挡层111形成在绝缘衬底110上，并在阻挡层111上沉积非晶硅层。优选通过LPCVD(低温化学汽相沉积)、PECVD(等离子增强化学汽相沉积)或者溅射进行非晶硅层的沉积。接着，激光退火非晶硅层，以便结晶为多晶硅层。
然后，光刻该多晶硅层以便形成多对第一和第二晶体管部分150a和150b。
参考图5A至5C，在多晶硅层150a和150b上沉积栅极绝缘层140。
接着，在栅极绝缘层140上沉积栅极金属层，并且涂覆光致抗蚀剂膜，曝光和显影，以便形成第一光致抗蚀剂PR1。利用第一光致抗蚀剂PR1作为蚀刻掩模蚀刻栅极金属层，以便形成包括存储电极133的多个栅极电极123b和多个栅极金属部件120。将P型杂质注入多晶硅层的第二晶体管部分150b的暴露部分中，以便形成多个P型杂质区153b和155b。此时，多晶硅层的第一晶体管部分150a被第一光致抗蚀剂PR1和栅极金属部件120覆盖，以避免杂质注入。
参考图6A至6C，除去第一光致抗蚀剂PR1，涂覆另一层光致抗蚀剂膜，曝光和显影，以便形成第二光致抗蚀剂PR2。利用第二光致抗蚀剂PR2作为蚀刻掩模蚀刻栅极金属层120，以便形成包括栅极电极123a的多条栅极线121。将N型杂质注入到多晶硅层的第一晶体管部分150a的暴露部分中，以便形成多个N型杂质区153a和155a。此时，多晶硅层的第二晶体管部分150b被第二光致抗蚀剂PR2覆盖，以避免杂质注入。
参考图7A至7C，在栅极线121和栅极电极123a和123b上沉积第一层间绝缘膜801。光刻第一层间绝缘膜801、栅极绝缘层140和阻挡层111，以便形成分别暴露杂质区153a、155a、153b和155b的多个接触孔181、182、184和186，以及暴露栅极电极123b和部分电源电压电极112的接触孔183和187。
参考图8A至8C，沉积并光刻数据金属层，以便形成包括第一源极电极173a的多条数据线171、多个第二源极电极173b、多个第一和第二漏极电极175a和175b。
参考图9A至9C，在数据线171、源极电极173a和173b、以及漏极电极175a和175b上、以及在第一层间绝缘膜801上沉积第二层间绝缘膜802。光刻第二层间绝缘膜以便形成暴露第二漏极电极175b的多个接触孔185。
参考图10A至10C，沉积并构图透明导电材料或者低电阻率反射材料，以便形成多个像素电极190。当像素电极190由反射性不透明材料制成时，像素电极可以与数据线171一起由数据金属层形成。
参考图1至3，在像素电极190和第二层间绝缘膜802上涂覆包括黑色颜料的有机膜，曝光并显影以便形成在像素电极190上限定多个凹陷区的隔离物803。此后，通过掩模之后的沉积或者喷墨印刷在凹陷区中形成多个有机发光部件70。有机发光部件70优选具有多层结构。
然后，在发光部件70上沉积有机导电材料，以便形成缓冲层804，并在缓冲层804上沉积ITO或者IZO以便形成公共电极270。
可以在形成公共电极270之前或者之后形成由低电阻率材料(如Al)制成的辅助电极(未示出)。
如上所述，根据本实施例的顶部发射型有机EL显示面板包括不透明的像素电极和透明的公共电极270，并在其顶表面显示图像。可以将电源电压电极112设置在有机发光部件70下面的其它位置。
下面，参考图11至15详细描述底部发射型有机EL显示面板，该有机EL显示面板包括透明的像素电极和不透明的公共电极，用于在其底表面上显示图像。
图11是根据本发明实施例的底部发射型有机EL显示面板的布局图，图12和13分别是沿着线XII-XII’和XIII-XIII’截取的图11所示显示面板的典型截面图。
如图11至13所示，根据本实施例的有机EL显示面板的结构类似于图1至3所示的面板结构。
详细而言，电源电压电极112和阻挡层111依次形成在绝缘衬底110上。多晶硅层形成在阻挡层111上，并在上面形成栅极绝缘层140，该多晶硅层包括多对用于开关TFT的第一晶体管部分150a和用于驱动TFT的第二晶体管部分150b。第一晶体管部分150a包括多个杂质区和设置在杂质区153a、152a和155a之间的一对第一沟道区154a，杂质区例如是第一源极区153a、中间区152a、以及第一漏极区155a。第二部分150b包括第二源极区153b、第二漏极区155b和设置在第二源极区153b与第二漏极区155a之间的第二沟道区154a。包括第一栅极电极123a的多条栅极线121和包括存储电极133的多个第二栅极电极123b形成在栅极绝缘层140上，并在其上形成第一层间绝缘膜801。包括第一源极电极173a的多条数据线171、多个第二源极电极173b和多个第一和第二漏极电极175a和175b形成在第一层间绝缘膜801上，并在其上形成第二层间绝缘膜802。多个像素电极190和在像素电极190上限定多个凹陷区的隔离物803形成在第二层间绝缘膜802上，而多个有机发光部件70形成在像素电极190上的凹陷区中。缓冲层804形成在有机发光部件70和隔离物803上，公共电极270形成在缓冲层804上。
像素电极190是透明的，而公共电极270是不透明的。电源电压电极112具有多个面对像素电极190的透射部分T，用于透射从发光部件70发射的光。此外，电源电压电极112具有面对第一晶体管部分150a的沟道区154a的多个开口S，用于使电源电压对开关TFT的影响最小。
根据本发明实施例，图11至13所示的有机EL显示面板的制造方法、通过在沉积电源电压电极112之后利用光刻工艺构图电源电压电极112形成了开口S和透射部分T。
与常规的直线形电源电压电极相比，可以增加根据本实施例的平面电源电压电极112的透射部分T的面积。
图14是沿着线XIII-XIII’截取的图11所示的显示面板的另一个典型截面图。
参考图14，用于补偿电源电压电极112与第二源极电极173b之间的连接的多个辅助部件127形成在栅极绝缘层140上。辅助部件127通过穿透栅极绝缘层140和阻挡层111的接触孔147连接到电源电压电极112，并且还通过穿透第一层间绝缘膜801的接触孔187连接到第二源极电极173b。辅助部件127优选由与栅极线121相同的层的制成。
图15是沿着线XIII-XIII’截取的图11所示的显示面板的另一个典型截面图。
参考图15，阻挡层111具有暴露电源电压电极112的多个开口117，以及在开口117中形成穿透第一层间绝缘膜801和栅极绝缘层140和尺寸比开口117小的多个接触孔187。第二源极电极173b通过接触孔187与电源电压电极112连接。
尽管上面已经详细描述了本发明的优选实施例，但应清楚地理解，对于本领域技术而言，将有对此处教导的基本发明理念的许多变化和/或修改，其都属于如所附权利要求所限定的本发明的精神和范围内。
Claims (15)
1.一种有机电致发光显示面板，包括：
绝缘衬底；
形成在该衬底上的多晶硅层；
形成在多晶硅层上的第一绝缘层；
形成在第一绝缘层上的栅极线；
形成在栅极线上的第二绝缘层；
形成在第二绝缘层上并包括第一和第二部分的数据线；
与数据线的第一部分连接的像素电极；
限定像素电极上的区域的隔离物；
形成在像素电极上的该区域中的有机发光部件；
形成在发光部件上的公共电极；以及
设置在像素电极与衬底之间并且与数据线的第二部分连接的平面电源电压电极。
2.根据权利要求1的有机电致发光显示面板，其中电源电压电极直接设置在该衬底上。
3.根据权利要求1的有机电致发光显示面板，还包括形成在该衬底上的阻挡层。
4.根据权利要求3的有机电致发光显示面板，其中该阻挡层具有露出部分电源电压电极的开口，第一和第二绝缘层具有通过该开口暴露电源电压电极的露出部分的接触孔，且数据线的第二部分通过该开口和该接触孔连接到电源电压电极。
5.根据权利要求4的有机电致发光显示面板，其中该开口比该接触孔更大。
6.根据权利要求1的有机电致发光显示面板，其中多晶硅层包括第一和第二晶体管部分，每个部分都包括沟道区、源极区和漏极区，栅极线包括分别与第一和第二晶体管部分交叠的第一和第二栅极电极，数据线包括与第一晶体管部分的源极区连接的第一源极电极、与第一晶体管部分的漏极区和第二栅极电极连接的第一漏极电极、与第二晶体管部分的源极区和电源电压电极连接的第二源极电极、以及与第二晶体管部分的漏极区和像素电极连接的第二漏极电极。
7.根据权利要求6的有机电致发光显示面板，其中多晶硅层还包括与第二晶体管部分的源极区连接的存储电极区，而栅极线还包括与存储电极区交叠并且与第二栅极电极连接的存储电极。
8.根据权利要求7的有机电致发光显示面板，其中像素电极由与数据线相同的层或者相同的材料构成。
9.根据权利要求7的有机电致发光显示面板，还包括连接在电源电压电极与第二源极电极之间的辅助电极。
10.根据权利要求9的有机电致发光显示面板，其中辅助电极包括与栅极线相同的层。
11.根据权利要求1的有机电致发光显示面板，其中该隔离物包括黑色光致抗蚀剂。
12.根据权利要求1的有机电致发光显示面板，其中像素电极是不透明的，而公共电极是透明的。
13.根据权利要求1的有机电致发光显示面板，其中像素电极是透明的，而公共电极是不透明的。
14.根据权利要求1的有机电致发光显示面板，其中像素电极是透明的，电源电压电极具有面对发光部件的透射部分，用于透过来自发光部件的光。
15.根据权利要求1的有机电致发光显示面板，其中电源电压电极具有面对至少部分多晶硅层的开口。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR0078744/2002 | 2002-12-11 | ||
| KR1020020078744A KR100895313B1 (ko) | 2002-12-11 | 2002-12-11 | 유기 발광 표시판 |
| KR0078744/02 | 2002-12-11 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2008102111639A Division CN101359681A (zh) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | 有机电致发光显示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1551690A true CN1551690A (zh) | 2004-12-01 |
| CN100487906C CN100487906C (zh) | 2009-05-13 |
Family
ID=32709689
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2008102111639A Pending CN101359681A (zh) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | 有机电致发光显示面板 |
| CNB2003101249117A Expired - Lifetime CN100487906C (zh) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | 有机电致发光显示面板 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2008102111639A Pending CN101359681A (zh) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | 有机电致发光显示面板 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6946791B2 (zh) |
| JP (1) | JP4813015B2 (zh) |
| KR (1) | KR100895313B1 (zh) |
| CN (2) | CN101359681A (zh) |
| TW (1) | TWI339543B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100456481C (zh) * | 2005-09-22 | 2009-01-28 | 三星电子株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
| CN1886013B (zh) * | 2005-06-21 | 2010-05-12 | 三星电子株式会社 | 发光元件及其制造方法和具有其的显示基板 |
| US7812895B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-10-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor (TFT) array panel with TFTs having varying leakage currents |
| CN101296539B (zh) * | 2007-04-25 | 2012-01-11 | 精工爱普生株式会社 | 有机场致发光装置 |
| CN103579532A (zh) * | 2012-08-10 | 2014-02-12 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| CN107845642A (zh) * | 2016-09-19 | 2018-03-27 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7710019B2 (en) | 2002-12-11 | 2010-05-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes |
| KR101026812B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2011-04-04 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 |
| KR100554494B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-03-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| KR100984362B1 (ko) * | 2004-04-02 | 2010-09-30 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시판 |
| KR101080353B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2011-11-07 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
| KR100603361B1 (ko) * | 2004-08-05 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 |
| KR100669720B1 (ko) * | 2004-08-06 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 |
| US7446037B2 (en) * | 2004-08-18 | 2008-11-04 | Alford Terry L | Cladded silver and silver alloy metallization for improved adhesion and electromigration resistance |
| KR101061850B1 (ko) | 2004-09-08 | 2011-09-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
| KR100696479B1 (ko) * | 2004-11-18 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| US7652291B2 (en) | 2005-05-28 | 2010-01-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Flat panel display |
| KR101152134B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2012-06-15 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5269305B2 (ja) * | 2005-11-17 | 2013-08-21 | 三星ディスプレイ株式會社 | 有機発光表示装置 |
| KR20070082685A (ko) * | 2006-02-17 | 2007-08-22 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP2010055070A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-03-11 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| KR101649225B1 (ko) * | 2009-03-24 | 2016-08-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치와 그 제조방법 |
| KR101391244B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2014-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20120079351A (ko) * | 2011-01-04 | 2012-07-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101899477B1 (ko) * | 2011-11-18 | 2018-09-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시장치 |
| KR102097023B1 (ko) | 2013-06-17 | 2020-04-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102543577B1 (ko) | 2016-04-07 | 2023-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102660829B1 (ko) * | 2016-10-20 | 2024-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN109037273B (zh) | 2017-06-08 | 2020-06-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| TWI840337B (zh) * | 2017-11-30 | 2024-05-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示面板、顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示面板的製造方法 |
| CN109166802A (zh) * | 2018-08-06 | 2019-01-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Ltps阵列基板及其制造方法、显示面板 |
| KR102562902B1 (ko) * | 2018-09-14 | 2023-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR102200386B1 (ko) * | 2019-05-10 | 2021-01-08 | 셀로코아이엔티 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR20210031583A (ko) | 2019-09-11 | 2021-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102294114B1 (ko) * | 2019-11-20 | 2021-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102136634B1 (ko) * | 2019-11-20 | 2020-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN111430414A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4003933A (en) * | 1975-07-16 | 1977-01-18 | Phillips Petroleum Company | Hydrogenation of nitriles in absence of secondary reaction suppressant |
| JPH043933A (ja) * | 1990-04-20 | 1992-01-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JP3830238B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2006-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型装置 |
| KR100459482B1 (ko) * | 1998-10-02 | 2005-06-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터및그제조방법 |
| JP2000182779A (ja) * | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Futaba Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2000228284A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| JP2001148291A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| JP4485078B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR100481593B1 (ko) * | 2000-04-21 | 2005-04-08 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치 |
| JP2003068469A (ja) * | 2000-08-11 | 2003-03-07 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| SG136795A1 (en) * | 2000-09-14 | 2007-11-29 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| TW522752B (en) * | 2000-10-20 | 2003-03-01 | Toshiba Corp | Self-luminous display panel and method of manufacturing the same |
| JP3695308B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2005-09-14 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JP4096585B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2008-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置並びに電子機器 |
| JP3613257B2 (ja) * | 2001-05-02 | 2005-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | カラー表示用基板、カラーフィルタ用基板、カラー発光用基板、カラー表示用基板の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
| JP2002343578A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Nec Corp | 発光体、発光素子、および発光表示装置 |
| TW548860B (en) * | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| TW546857B (en) * | 2001-07-03 | 2003-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
| US6639246B2 (en) * | 2001-07-27 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| DE10147353C2 (de) * | 2001-09-26 | 2003-12-18 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterlaser mit mindestens zwei optisch aktiven Bereichen |
| JP2003234186A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-08-22 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| KR100635042B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100484591B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
| US7045861B2 (en) * | 2002-03-26 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same |
| KR100489591B1 (ko) * | 2002-11-13 | 2005-05-16 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
-
2002
- 2002-12-11 KR KR1020020078744A patent/KR100895313B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-12-10 JP JP2003411967A patent/JP4813015B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-11 TW TW092135034A patent/TWI339543B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-11 CN CNA2008102111639A patent/CN101359681A/zh active Pending
- 2003-12-11 US US10/732,280 patent/US6946791B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-11 CN CNB2003101249117A patent/CN100487906C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-08-16 US US11/204,042 patent/US20050280039A1/en not_active Abandoned
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7812895B2 (en) | 2005-01-07 | 2010-10-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor (TFT) array panel with TFTs having varying leakage currents |
| CN1886013B (zh) * | 2005-06-21 | 2010-05-12 | 三星电子株式会社 | 发光元件及其制造方法和具有其的显示基板 |
| CN100456481C (zh) * | 2005-09-22 | 2009-01-28 | 三星电子株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
| CN101296539B (zh) * | 2007-04-25 | 2012-01-11 | 精工爱普生株式会社 | 有机场致发光装置 |
| CN103579532A (zh) * | 2012-08-10 | 2014-02-12 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| CN103579532B (zh) * | 2012-08-10 | 2016-03-09 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
| US9312322B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-04-12 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
| US9379170B2 (en) | 2012-08-10 | 2016-06-28 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same |
| CN107845642A (zh) * | 2016-09-19 | 2018-03-27 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6946791B2 (en) | 2005-09-20 |
| JP2004193129A (ja) | 2004-07-08 |
| TW200421906A (en) | 2004-10-16 |
| CN100487906C (zh) | 2009-05-13 |
| KR20040050945A (ko) | 2004-06-18 |
| JP4813015B2 (ja) | 2011-11-09 |
| US20040135173A1 (en) | 2004-07-15 |
| US20050280039A1 (en) | 2005-12-22 |
| TWI339543B (en) | 2011-03-21 |
| KR100895313B1 (ko) | 2009-05-07 |
| CN101359681A (zh) | 2009-02-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1551690A (zh) | 有机电致发光显示面板 | |
| CN101615624B (zh) | 发光显示面板及其制造方法 | |
| CN106601778B (zh) | Oled背板及其制作方法 | |
| CN1700828B (zh) | 有机电致发光显示器及其制造方法 | |
| CN1196378C (zh) | 有机场致发光器件中的阴极接触结构 | |
| CN1735302A (zh) | 显示板 | |
| KR20040025383A (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| JP5094477B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
| CN1878438A (zh) | 有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
| CN1658726A (zh) | 有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
| CN101043047A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| CN1399504A (zh) | 简化制造工艺的有源矩阵有机电致发光器件及其制造方法 | |
| CN1457220A (zh) | 有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
| CN1636235A (zh) | 有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
| CN1668148A (zh) | 顶部发射型有机发光显示器件及其制造方法 | |
| CN1622715A (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
| CN1496203A (zh) | 透射型有机电致发光显示器件及其制造方法 | |
| CN1700814A (zh) | 有机电致发光显示设备及其制造方法 | |
| CN1460295A (zh) | 显示装置 | |
| CN1711640A (zh) | 电致发光器件及其制造 | |
| CN1645979A (zh) | 有机发光显示器及其制造方法 | |
| CN101047199A (zh) | 有机电激发光显示元件及其制造方法 | |
| CN101075612A (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| CN1816228A (zh) | 主动式发光元件与主动式发光显示装置 | |
| CN1573883A (zh) | 平板显示器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG MONITOR CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. Effective date: 20121026 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20121026 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Patentee after: SAMSUNG DISPLAY Co.,Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Patentee before: Samsung Electronics Co.,Ltd. |
|
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20090513 |