JP4813015B2 - 有機発光表示板 - Google Patents
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Description
本発明は有機発光表示板に関する。
一般に、有機発光装置は蛍光性有機物質を電気的に励起発光させて画像を表示する表示装置であって、正孔注入電極（アノード）及び電子注入電極（カソード）とこれらの間に形成されている有機発光層を含み、有機発光層に電荷を注入すれば電子と正孔が対となった後、消滅しながら発光する自己発光型表示装置である。この時、有機発光層の発光効率を向上させるために、電子輸送層（ＥＴＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）などを含む構成とすることができ、電子注入層（ＥＩＬ）と正孔注入層（ＨＩＬ）などをさらに含む構成とすることができる。マトリックス状に配列されている有機発光セルを駆動する方法として、単純マトリックス方式と薄膜トランジスタを利用した能動マトリックス方式がある。
単純マトリックス（ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式は、アノードラインとカソードラインを互いに交差するように配置して特定画素に対応するラインを選択駆動するもので、能動マトリックス（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式は、各有機発光セルのアノード電極に駆動薄膜トランジスタとコンデンサーを接続して、コンデンサー容量によって電圧を維持する駆動方式である。この時、有機発光セルに発光のための電流を供給する駆動薄膜トランジスタの電流量は、スイッチングトランジスタを通じて印加されるデータ電圧によって制御され、スイッチングトランジスタのゲートとソースはそれぞれ互いに交差して配置されているゲート信号線（またはスキャンライン）とデータ信号線に連結される。従って、ゲート信号線を通じて伝えられた信号によってスイッチングトランジスタがＯＮになれば、データラインを通じてデータ電圧が駆動薄膜トランジスタのゲート電圧に印加され、これを通じて駆動薄膜トランジスタを通じて有機発光セルに電流が流れて発光が生じる。ここで、それぞれのセルに配置されている駆動薄膜トランジスタのソースは電源電極に共通に連結され、ソースには電源電圧が伝達されるが、駆動薄膜トランジスタを通じて流れる電流量は電源電圧とデータ電圧差によって決まる。従って、階調によるデータ電圧を印加することにより、駆動薄膜トランジスタの電流量を多様に調節して階調を定めることができ、このような有機発光セルはＲ、Ｇ、Ｂ画素毎に備えられてカラー画面を実現する。
しかし、電源電圧が減少すれば、同一なデータ電圧を印加しても駆動薄膜トランジスタに流れる電流量が減少して、所望の階調より暗い階調で画像が表示される。つまり、特定の画素に明るい色を表示する時には、信号線を通じて伝達される電源電圧に対して電圧降下が激しく発生し、所望のデータ電圧を印加しても駆動薄膜トランジスタを通じて流れる電流は激減する。従って、電圧降下が発生した信号線に連結されている画素は所望の階調より暗い階調で画像を表示して、クロストークが発生し、明るい色を表示する画素が増加する分クロストークの発生はさらに増加する。
本発明が目的とする技術的課題は、電圧降下を最少化できる有機発光表示板を提供することである。
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成される電源電圧用電極と、前記電源電圧用電極上に形成され、絶縁層からなる遮断層と、前記遮断層上に形成されている多結晶シリコン層と、前記多結晶シリコン層上に形成されている第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成されているゲート配線と、前記ゲート配線上に形成されている第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成されており、第１部分と第２部分とを有するデータ配線と、前記データ配線の前記第１部分と連結されている画素電極と、前記画素電極上部に形成されている有機発光層と、前記有機発光層の領域を限定している隔壁と、前記有機発光層と接している共通電極と、を含み、前記電源電圧用電極は、複数の前記画素電極と重なるように前記絶縁基板の上部面の全体に面状に形成されており、前記遮断層は前記電源電圧用電極の一部分を露出させる開口部を有し、記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、前記開口部を通じて前記電源電圧用電極の露出された部分を露出させる接触孔を有し、前記データ配線の前記第２部分は、前記開口部と前記接触孔を通じて前記電源電圧用電極と連結される有機発光表示板を提供する。
前記開口部の幅は前記接触孔の幅より大きい。
前記開口部の幅は前記接触孔の幅より大きい。
前記多結晶シリコン層は第１、第２トランジスタ部と、第２トランジスタ部と連結されている維持電極部とを含み、前記ゲート配線は前記第１、第２トランジスタ部及び前記維持電極部とそれぞれ重なる第１、第２ゲート電極及び維持電極を含み、前記データ配線はデータ線と、前記データ線及び前記第１トランジスタ部のソース領域と連結されている第１ソース電極と、前記第１トランジスタ部のドレーン領域及び前記第２ゲート電極と連結されている第１ドレーン電極と、前記電源電圧用電極及び前記第２トランジスタ部のソース領域と連結されている第２ソース電極と、前記画素電極及び前記第２トランジスタ部のドレーン領域と連結されている第２ドレーン電極を有する。
前記画素電極は前記データ配線と同一物質で形成される層からなる。
前記電源電圧用電極と前記第２ソース電極との間に形成されている電源電圧用補助電極をさらに含む。
前記隔壁は黒色感光剤で形成されている。
前記電源電圧用電極と前記第２ソース電極との間に形成されている電源電圧用補助電極をさらに含む。
前記隔壁は黒色感光剤で形成されている。
また、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成される電源電圧用電極と、前記電源電圧用電極上に形成され、絶縁層からなる遮断層と、前記遮断層上に形成されている多結晶シリコン層と、前記多結晶シリコン層上に形成されている第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成されているゲート配線と、前記ゲート配線上に形成されている第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成されており、第１部分と第２部分とを有するデータ配線と、前記データ配線の前記第１部分と連結されている画素電極と、前記画素電極上部に形成されている有機発光層と、前記有機発光層の領域を限定している隔壁と、前記有機発光層と接している共通電極と、を含み、前記電源電圧用電極は、前記有機発光層に対応する部分に前記有機発光層から発生する光を透過させる透過部を有し、前記電源電圧用電極は、複数の前記画素電極と重なるように前記絶縁基板上に面状に形成されており、前記遮断層は前記電源電圧用電極の一部分を露出させる開口部を有し、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、前記開口部を通じて前記電源電圧用電極の露出された部分を露出させる接触孔を有し、前記データ配線の前記第２部分は、前記開口部と前記接触孔を通じて前記電源電圧用電極と連結される有機発光表示板を提供する。
前記開口部の幅は前記接触孔の幅より大きい。
前記開口部の幅は前記接触孔の幅より大きい。
また、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成される電源電圧用電極と、前記電源電圧用電極上に形成され、絶縁層からなる遮断層と、前記遮断層上に形成されている多結晶シリコン層と、前記多結晶シリコン層上に形成されている第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成されているゲート配線と、前記ゲート配線上に形成されている第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に形成されており、第１部分と第２部分とを有するデータ配線と、前記データ配線の前記第１部分と連結されている画素電極と、前記画素電極上部に形成されている有機発光層と、前記有機発光層の領域を限定している隔壁と、前記有機発光層と接している共通電極と、を含み、前記電源電圧用電極は、少なくとも前記多結晶シリコン層の一部に対応する位置に形成されている第１開口部を有し、前記電源電圧用電極は、複数の前記画素電極と重なるように前記絶縁基板上に面状に形成されており、前記遮断層は、前記電源電圧用電極の一部分を露出させる第２開口部を有し、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、前記第２開口部を通じて前記電源電圧用電極の露出された部分を露出させる接触孔を有し、前記データ配線の前記第２部分は、前記第２開口部と前記接触孔を通じて前記電源電圧用電極と連結される有機発光表示板を提供する。
前記第２開口部の幅は前記接触孔の幅より大きい。
前記第２開口部の幅は前記接触孔の幅より大きい。
本発明による有機発光表示板は、全面に形成された電源電圧用電極を有し、複数の画素に伝達される電源電圧はほぼ同一で、電圧降下が生じても面抵抗として作用して表示板全体にほぼ同一の電源電圧がそれぞれの画素に伝達され、任意の画素に対して輝度差異が激しいことなく、クロストークを防止することができる。また、電源電圧用電極を全面的に形成し、透過部を形成することによって透過部の面積を極大化することができる。
添付した図面を参照して本発明の実施例に対して本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されない。
図面は種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時は、中間に他の部分がないことを意味する。
以下、図面を参照して本発明の実施例による有機発光表示板について説明する。
図１は本発明の実施例による有機発光表示板で、図２は図１のII-II'線に沿った断面図で、図３は図１のIII-III'線に沿った断面図である。
絶縁基板１１０上にはアルミニウムやアルミニウム合金、銀や銀合金などと、低抵抗の導電物質を含む電源電圧用電極１１２が形成されている。この時、電源電圧用電極１１２は線形にパターニングされておらず、基板１１０上全面に積層されて面の形態を有する。
電源電圧用電極１１２上部には酸化ケイ素または窒化ケイ素などからなる遮断層１１１が形成され、遮断層１１１上に多結晶シリコン層１５３ａ、１５４ａ、１５５ａ、１５３ｂ、１５４ｂ、１５５ｂ、１５７が形成されている。多結晶シリコン層１５３ａ、１５４ａ、１５５ａ、１５３ｂ、１５４ｂ、１５５ｂ、１５７は第１トランジスタ部１５３ａ、１５４ａ、１５５ａと第２トランジスタ部１５３ｂ、１５４ｂ、１５５ｂ及び維持電極部１５７を含む。第１トランジスタ部１５３ａ、１５４ａ、１５５ａのソース領域（第１ソース領域）１５３ａとドレーン領域（第１ドレーン領域）１５５ａはｎ型不純物でドーピングされ、第２トランジスタ部１５３ｂ、１５４ｂ、１５５ｂのソース領域（第２ソース領域）１５３ｂとドレーン領域（第２ドレーン領域）１５５ｂはｐ型不純物でドーピングされている。この時、駆動条件によっては第１ソース領域１５３ａ及びドレーン領域１５５ａがｐ型不純物でドーピングされ、第２ソース領域１５３ｂ及びドレーン領域１５５ｂがｎ型不純物でドーピングされることもある。ここで、第１トランジスタ部１５３ａ、１５４ａ、１５５ａはスイッチング薄膜トランジスタの半導体であり、第２トランジスタ部１５３ｂ、１５４ｂ、１５５ｂは駆動薄膜トランジスタの半導体である。
多結晶シリコン層１５３ａ、１５４ａ、１５５ａ、１５３ｂ、１５４ｂ、１５５ｂ、１５７上には、酸化ケイ素または窒化ケイ素からなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上には、アルミニウムやアルミニウム合金などのような低抵抗の導電物質からなる導電膜を含むゲート線１２１と、第１、第２ゲート電極１２３ａ、１２３ｂ及び維持電極１３３が形成されている。第１ゲート電極１２３ａはゲート線１２１の枝のように形成され、第１トランジスタのチャンネル部（第１チャンネル部）１５４ａと重なっており、第２ゲート電極１２３ｂはゲート線１２１とは分離され、第２トランジスタのチャンネル部（第２チャンネル部）１５４ｂと重なっている。維持電極１３３は第２ゲート電極１２３ｂと連結され、多結晶シリコン層の維持電極部１５７と重なっている。
ゲート線１２１と第１、第２ゲート電極１２３ａ、１２３ｂ及び維持電極１３３の上には第１層間絶縁膜８０１が形成され、第１層間絶縁膜８０１上にはデータ線１７１と第１、第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ及び第１、第２ドレーン電極１７５ａ、１７５ｂが形成されている。第１ソース電極１７３ａは第１データ線１７１ａの分枝として第１層間絶縁膜８０１とゲート絶縁膜１４０を貫通している接触孔１８１を通じて第１ソース領域１５３ａと連結されている。第２ソース電極１７３ｂは島状で、第１層間絶縁膜８０１とゲート絶縁膜１４０を貫通している接触孔１８４を通じて第２ソース領域１５３ｂと連結され、第１層間絶縁膜８０１とゲート絶縁膜１４０及び遮断層１１１を貫通している接触孔１８７を通じて電源電圧用電極１１２と連結されている。第１ドレーン電極１７５ａは第１層間絶縁膜８０１とゲート絶縁膜１４０を貫通している接触孔１８２、１８３を通じて第１ドレーン領域１５５ａ及び第２ゲート電極１２３ｂと接触してこれらを互いに電気的に連結している。第２ドレーン電極１７５ｂは第１層間絶縁膜８０１とゲート絶縁膜１４０を貫通している接触孔１８６を通じて第２ドレーン領域１５５ｂと連結され、データ線１７１と同一物質で構成されている。
データ配線１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７５ａ、１７５ｂ上には、窒化ケイ素や酸化ケイ素または有機絶縁物質などからなる第２層間絶縁膜８０２が形成され、第２層間絶縁膜８０２は第２ドレーン電極１７５ｂを露出する接触孔１８５を有する。
第２層間絶縁膜８０２上部には、接触孔１８５を通じて第２ドレーン電極１７５ｂと連結されている画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０はアルミニウムまたは銀合金などの反射性の良い物質で形成することが好ましい。しかし、必要によって画素電極１９０をＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透明な絶縁物質で形成することもできる。透明な導電物質からなる画素電極１９０は表示板の下方向に画像を表示するボトム放出方式の有機発光に適用し、この場合、電源電圧用電極１１２は以降形成される有機発光層７０から発光する光が透過できるように透過部を有する必要がある。これに関しては、後に図面を参照して具体的に説明する。不透明な導電物質からなる画素電極１９０は表示板の上方向に画像を表示するトップ放出方式の有機発光に適用し、この場合、電源電圧用電極１１２は有機発光層７０と基板１１１との間に多様に配置できる。製造コストの安価のために画素電極１９０は第２ドレーン電極１７５ｂと一体で形成することもできる。
第２層間絶縁膜８０２上部には、有機絶縁物質から構成されて有機発光セルを分離させるための隔壁８０３が形成されている。隔壁８０３は画素電極１９０周辺を囲って有機発光層７０が充填される領域を限定している。隔壁８０３は黒色の顔料を含む感光剤を露光、現像することによって遮光膜の役割をすると同時に、形成工程も単純化することができる。隔壁８０３に囲まれた画素電極１９０上の領域には有機発光層７０が形成されている。有機発光層７０は赤色、緑色、青色の一つの光を放出する有機物質からなり、赤色、緑色及び青色の有機発光層７０が順番に繰り返して配置されている。
有機発光層７０と隔壁８０３の上にはバッファー層８０４が形成されており、バッファー層８０４は場合によって省略できる。
バッファー層８０４の上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質から構成される。そして、画素電極１９０がＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質から構成される場合には、共通電極２７０はアルミニウムなどの反射性の良い金属で構成することができる。
一方、図示していないが、共通電極２７０の電導性を補完するために低抵抗の金属で補助電極を形成することもできる。補助電極は共通電極２７０とバッファー層８０４との間または共通電極２７０上に形成することができ、有機発光層７０とは重ならないように隔壁８０２に沿ってマトリックス状に形成することが好ましい。
このような有機発光表示板の駆動について簡単に説明する。ゲート線１２１にＯＮパルスが印加されれば第１トランジスタがＯＮになり、第１データ線１７１を通じて印加される画像信号電圧またはデータ電圧が第２ゲート電極１２３ｂに伝達される。第２ゲート電極１２３ｂに画像信号電圧が印加されれば第２トランジスタがＯＮになり、データ電圧による電流が画素電極１９０と有機発光層７０に流れるようになって有機発光層７０は特定波長帯の光を放出する。この時、第２薄膜トランジスタを通じて流れる電流の量によって有機発光層７０が放出する光の量が変わり輝度が変わる。この時、第２トランジスタが流せる電流量は第１トランジスタを通じて伝えられる画像信号電圧と電源電圧用電極１１２を通じて伝えられる電源電圧との差の大きさによって定まる。
このような本発明の第１の実施例による有機発光表示板では、電源電圧用電極１１２が全面的に形成されて複数の画素に伝達される電源電圧はほぼ同一であり、電圧降下が生じても面抵抗として作用して表示板全体にほぼ同一の電源電圧がそれぞれの画素に伝達され、任意の画素に対する輝度の差が減少し、クロストークを防止することができる。
以下、このような有機発光表示板を製造する方法を図４ａ〜図１０及び図１〜３を参照して説明する。
まず、図４ａ〜図４ｃに示すように、絶縁基板１１０上に導電物質を積層して電源電圧用電極１１２を形成する。この時、電源電圧用電極１１２に開口部または透過部を形成するためにマスクを利用した写真エッチング工程で電源電圧用電極１１２をパターニングすることもできる。次に、酸化ケイ素などを蒸着して遮断層１１１を形成し、遮断層１１１上に非晶質シリコン層を蒸着する。非晶質シリコン層の蒸着はＬＰＣＶＤ（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＥＣＶＥ（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはスパッタリングによって行うことができる。次に、非晶質シリコン層をレーザー熱処理して多結晶シリコンに変換する。
次に、多結晶シリコン層を写真エッチングして第１、第２トランジスタ部１５０ａ、１５０ｂと維持電極部１５７を形成する。
次に、図５ａ〜図５ｃに示すように、多結晶シリコン層１５０ａ、１５０ｂ、１５７上にゲート絶縁膜１４０を蒸着する。次いで、ゲート用金属層１２０を蒸着して感光膜を塗布し、露光及び現像して第１感光膜パターンＰＲ１を形成する。第１感光膜パターンＰＲ１をマスクとしてゲート金属層１２０をエッチングすることによって第２ゲート電極１２３ｂと維持電極１３３を形成し、露出されている第２トランジスタ部１５０ｂ多結晶シリコン層にｐ型不純物イオンを注入して第２ソース領域１５３ｂと第２ドレーン領域１５５ｂを形成する。この時、第２トランジスタ部１５０ａ多結晶シリコン層は第１感光膜パターンＰＲ１及びゲート金属層１２０に覆われて保護される。
次に、図６ａ〜図６ｃに示すように、第１感光膜パターンＰＲ１を除去し、感光膜を新しく塗布して、露光及び現像して第２感光膜パターンＰＲ２を形成する。第２感光膜パターンＰＲ２をマスクとしてゲート金属層１２０をエッチングすることによって第１ゲート電極１２３ａ及びゲート線１２１を形成し、露出されている第１トランジスタ部１５０ａ多結晶シリコン層にｎ型不純物イオンを注入して第１ソース領域１５３ａと第１ドレーン領域１５５ａを形成する。この時、第２トランジスタ部１５０ａは第２感光膜パターンＰＲ２に覆われて保護される。
次に、図７ａ〜図７ｃに示すように、ゲート配線１２１、１２３ａ、１２３ｂ、１３３上に第１層間絶縁膜８０１を積層し、ゲート絶縁膜１４０と一緒にエッチングして第１ソース領域１７３ａ、第１ドレーン領域１７５ａ、第２ソース領域１７３ｂ及び第２ドレーン領域１７５ｂをそれぞれ露出させる接触孔１８１、１８２、１８４、１８６と、第２ゲート電極１２３ｂの一端部を露出させる接触孔１８３を形成する。この時、接触孔１８４に隣接するように電源電圧用電極１１２の一部を露出する接触孔１８７も一緒に形成する。
次に、図８ａ〜図８ｃに示すように、データ金属層を積層して写真エッチングしてデータ配線１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７５ａ、１７５ｂを形成する。この時、画素電極１９０をデータ配線１７１ａ、１７１ｂ、１７３ａ、１７３ｂ、１７５ａと共に一体で形成することもでき、画素電極１９０をＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成する場合にはデータ配線１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７５ａ、１７５ｂとは別の写真エッチング工程によって形成する。
次に、図９ａ〜図９ｃのように、データ配線１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７５ａ、１７５ｂを覆う第２層間絶縁膜８０２を積層し、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングして、第２ドレーン電極１７５ｂを露出する接触孔１８５を形成する。
次に、図１０ａ〜図１０ｃのように、透明な導電物質または低抵抗を有する導電物質を積層しパターニングして画素電極１９０を形成する。
次に、図１〜図３に示すように、画素電極１９０が形成されている第２層間絶縁膜８０２上に黒色顔料を含む有機膜を塗布し、露光及び現像して隔壁８０３を形成し、各画素領域に有機発光層７０を形成する。この時、有機発光層７０は多層構造から構成されることが一般的である。有機発光層７０はマスキングした後、蒸着、インクジェットプリンティングなどの方法によって形成する。
次に、有機発光層７０上に電導性有機物質を塗布してバッファー層８０４を形成し、バッファー層８０４上にＩＴＯまたはＩＺＯを蒸着して共通電極２７０を形成する。この時、図示していないが、共通電極２７０形成の前後にアルミニウムなどの低抵抗物質で補助電極を形成することができる。また、画素電極１９０を透明導電物質で形成する場合には共通電極２７０を反射性の優れた金属で形成する。
本発明の第１の実施例による有機発光表示板及びその製造方法において、画素電極１９０を不透明な導電膜で形成し、共通電極２７０を透明な導電物質で形成して、画像を表示板の上部方向に表示するトップ発光方式について説明した。ここで、電源電圧用電極１１２は有機発光層７０下部の別の位置に形成することができ、遮断層１１１の下部に位置することに限定されない。
一方、前述のように、画素電極１９０を透明導電物質で形成し、共通電極２７０を不透明な導電物質で形成する場合には、画像を表示板の下部に表示するボトム放出方式の表示板に適用する。この時、電源電圧用電極１１２は有機発光層７０から発生した光が基板１１０の下部方向に透過できるように開口部や透過部を有することが必要である。これに対して図面を参照して具体的に説明する。
図１１は本発明の第２の実施例による有機発光表示板の構造を示す配置図で、図１２は図１１のXIb-XIb'線に沿った断面図で、図１３は図１１のXIc-XIc'線に沿った断面図で、図１４は本発明の第３の実施例による有機発光表示板の構造を示す断面図で、図１５は本発明の第４の実施例による有機発光表示板の構造を示す断面図である。
図１１〜図１３のように、構造においては第１の実施例と概ね同様であるが、画素電極１９０に対応する電源電圧用電極１１２が、画像を表示するために有機発光層７０から発光する光を透過できるように透過部Ｔを有している。この時、電源電圧によるスイッチング薄膜トランジスタの影響を最少化するために、第１トランジスタ部１５３ａ、１５４ａ、１５５ａのソース領域１５３ａとドレーン領域１５５ａとの間のチャンネル部に対応する電源電圧用電極１１２には開口部Ｓが形成されている。
このような本発明の第２の実施例による有機発光表示板の製造工程では、電源電圧用電極１１２を積層し、マスクを利用した写真エッチング工程でパターニングして開口部Ｓと透過部Ｔを形成する。このような本発明の第２の実施例による有機発光表示板は、第１の実施例による効果のみだけでなく、電源電圧用電極１１２を全面に形成し、透過部Ｔを形成することによって、電源電圧を伝達するための信号線を線形に形成する場合より透過部の面積を極大化することができる。
図１４のように、本発明の第３の実施例による有機発光表示板にはゲート配線１２１、１２３ａ、１２３ｂ、１３３と、同一層に電源電圧用補助パターン１２７が形成されている。ここで、ゲート絶縁膜１４０には電源電圧用補助パターン１２７と電源電圧用電極１１２を連結するための接触孔１４７が設けられ、第１層間絶縁膜８０１上部に形成されている第２ソース電極１７３ｂは接触孔１８７を通じて電源電圧用補助パターン１２７と連結されている。
図１５のように、本発明の第４の実施例による有機発光表示板では、遮断層１１１には開口部１１７が形成され、第２ソース電極１７３ｂと電源電圧用電極１１２を連結するために第１層間絶縁膜８０１、ゲート絶縁膜１４０及び遮断層１１１を貫通している接触孔１８７が遮断層１１７の開口部１１７の内側に位置している。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
７０ 有機発光層
１１２ 電源電圧用電極
１２３ａ、１２３ｂ ゲート電極
１５３ａ、１５３ｂ ソース領域
１５５ａ、１５５ｂ ドレーン領域
１５４ａ、１５４ｂ チャンネル部
１７１ａ 第１データ線
１７３ａ、１７３ｂ ソース電極
１７５ａ ドレーン電極
１９０ 画素電極
２７０ 共通電極
１１２ 電源電圧用電極
１２３ａ、１２３ｂ ゲート電極
１５３ａ、１５３ｂ ソース領域
１５５ａ、１５５ｂ ドレーン領域
１５４ａ、１５４ｂ チャンネル部
１７１ａ 第１データ線
１７３ａ、１７３ｂ ソース電極
１７５ａ ドレーン電極
１９０ 画素電極
２７０ 共通電極
Claims (10)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成される電源電圧用電極と、
前記電源電圧用電極上に形成され、絶縁層からなる遮断層と、
前記遮断層上に形成されている多結晶シリコン層と、
前記多結晶シリコン層上に形成されている第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されているゲート配線と、
前記ゲート配線上に形成されている第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成されており、第１部分と第２部分とを有するデータ配線と、
前記データ配線の前記第１部分と連結されている画素電極と、
前記画素電極上部に形成されている有機発光層と、
前記有機発光層の領域を限定している隔壁と、
前記有機発光層と接している共通電極と、
を含み、
前記電源電圧用電極は、複数の前記画素電極と重なるように前記絶縁基板の上部面の全体に面状に形成されており、
前記遮断層は前記電源電圧用電極の一部分を露出させる開口部を有し、
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、前記開口部を通じて前記電源電圧用電極の露出された部分を露出させる接触孔を有し、
前記データ配線の前記第２部分は、前記開口部と前記接触孔を通じて前記電源電圧用電極と連結される有機発光表示板。 - 前記開口部の幅は前記接触孔の幅より大きい請求項１に記載の有機発光表示板。
- 前記多結晶シリコン層は第１、第２トランジスタ部と、第２トランジスタ部と連結されている維持電極部とを含み、
前記ゲート配線は前記第１、第２トランジスタ部及び前記維持電極部とそれぞれ重なる第１、第２ゲート電極及び維持電極を含み、
前記データ配線はデータ線と、前記データ線及び前記第１トランジスタ部のソース領域と連結されている第１ソース電極と、前記第１トランジスタ部のドレーン領域及び前記第２ゲート電極と連結されている第１ドレーン電極と、前記電源電圧用電極及び前記第２トランジスタ部のソース領域と連結されている第２ソース電極と、前記画素電極及び前記第２トランジスタ部のドレーン領域と連結されている第２ドレーン電極を有する請求項１に記載の有機発光表示板。 - 前記画素電極は前記データ配線と同一物質で形成される層からなる請求項３に記載の有機発光表示板。
- 前記電源電圧用電極と前記第２ソース電極との間に形成されている電源電圧用補助電極をさらに含む請求項３に記載の有機発光表示板。
- 前記隔壁は黒色感光剤で形成された請求項１に記載の有機発光表示板。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成される電源電圧用電極と、
前記電源電圧用電極上に形成され、絶縁層からなる遮断層と、
前記遮断層上に形成されている多結晶シリコン層と、
前記多結晶シリコン層上に形成されている第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されているゲート配線と、
前記ゲート配線上に形成されている第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成されており、第１部分と第２部分とを有するデータ配線と、
前記データ配線の前記第１部分と連結されている画素電極と、
前記画素電極上部に形成されている有機発光層と、
前記有機発光層の領域を限定している隔壁と、
前記有機発光層と接している共通電極と、
を含み、
前記電源電圧用電極は、前記有機発光層に対応する部分に前記有機発光層から発生する光を透過させる透過部を有し、
前記電源電圧用電極は、複数の前記画素電極と重なるように前記絶縁基板上に面状に形成されており、
前記遮断層は前記電源電圧用電極の一部分を露出させる開口部を有し、
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、前記開口部を通じて前記電源電圧用電極の露出された部分を露出させる接触孔を有し、
前記データ配線の前記第２部分は、前記開口部と前記接触孔を通じて前記電源電圧用電極と連結される有機発光表示板。 - 前記開口部の幅は前記接触孔の幅より大きい請求項７に記載の有機発光表示板。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成される電源電圧用電極と、
前記電源電圧用電極上に形成され、絶縁層からなる遮断層と、
前記遮断層上に形成されている多結晶シリコン層と、
前記多結晶シリコン層上に形成されている第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されているゲート配線と、
前記ゲート配線上に形成されている第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成されており、第１部分と第２部分とを有するデータ配線と、
前記データ配線の前記第１部分と連結されている画素電極と、
前記画素電極上部に形成されている有機発光層と、
前記有機発光層の領域を限定している隔壁と、
前記有機発光層と接している共通電極と、
を含み、
前記電源電圧用電極は、少なくとも前記多結晶シリコン層の一部に対応する位置に形成されている第１開口部を有し、
前記電源電圧用電極は、複数の前記画素電極と重なるように前記絶縁基板上に面状に形成されており、
前記遮断層は、前記電源電圧用電極の一部分を露出させる第２開口部を有し、
前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜は、前記第２開口部を通じて前記電源電圧用電極の露出された部分を露出させる接触孔を有し、
前記データ配線の前記第２部分は、前記第２開口部と前記接触孔を通じて前記電源電圧用電極と連結される有機発光表示板。 - 前記第２開口部の幅は前記接触孔の幅より大きい請求項９に記載の有機発光表示板。
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| KR100459482B1 (ko) * | 1998-10-02 | 2005-06-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터및그제조방법 |
| JP2000182779A (ja) * | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Futaba Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2000228284A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| JP2001148291A (ja) * | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| JP4485078B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2010-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP3591513B2 (ja) * | 2000-04-21 | 2004-11-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置およびプロジェクタ |
| JP2003068469A (ja) * | 2000-08-11 | 2003-03-07 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| SG143972A1 (en) * | 2000-09-14 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| TW522752B (en) * | 2000-10-20 | 2003-03-01 | Toshiba Corp | Self-luminous display panel and method of manufacturing the same |
| JP3695308B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2005-09-14 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JP4096585B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2008-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置並びに電子機器 |
| JP3613257B2 (ja) * | 2001-05-02 | 2005-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | カラー表示用基板、カラーフィルタ用基板、カラー発光用基板、カラー表示用基板の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
| JP2002343578A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-29 | Nec Corp | 発光体、発光素子、および発光表示装置 |
| TW548860B (en) * | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| TW546857B (en) * | 2001-07-03 | 2003-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment |
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| KR100484591B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2005-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
| US7045861B2 (en) * | 2002-03-26 | 2006-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same |
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