CN109411505B - 显示基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域,公开了一种显示基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法。所述显示基板的至少部分像素单元设置有辅助电极和连接结构,所述连接结构通过在辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述辅助电极和第一电极的电连接,从而在显示过程中,通过辅助电极向第一电极施加辅助电压,其中,所述辅助电压与该像素电压的压差小于设定值,从而克服了IR drop较大导致第一电极无法实现所需显示的问题,保证显示效果,进而保证产品的显示品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称“OLED”),具有全固态结构、高亮度、全视角、响应速度快、工作温度范围宽、可实现柔性显示等一系列优点。尤其在柔性显示领域,其可以被卷曲、折叠,因此在便携产品或穿戴产品领域有着极为宽广的前景。
其中,OLED根据出光侧的不同分为顶发射和底发射。目前OLED显示产品采用顶发射OLED,可以实现高PPI,提高开口率。但是,由于顶发射OLED的光线从阴极所在侧的出射,阴极需要采用透明导电材料,导致阴极的IR drop较大,影响面板均匀性,进而影响显示品质。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法,用以解决显示产品的显示用电极的IR drop较大时,会影响显示品质的问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例中提供一种显示基板,包括多个像素单元,每一像素单元包括设置在一基底上的第一电极和第二电极,其中,至少部分像素单元还包括设置在所述基底上的辅助电极和连接结构,所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接。
如上所述的显示基板,其中,所述第一电极在所述基底上的正投影与所述辅助电极在所述基底上的正投影存在交叠,形成交叠区域;
所述显示基板还包括位于所述第一电极和辅助电极之间的隔离层;
所述隔离层包括第一部分,所述第一部分在所述基底上的正投影位于所述交叠区域内,且所述第一部分的厚度小于所述隔离层的其它部分的厚度,所述第一部分通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用下发生电击穿,实现导体化,由导体化后的所述第一部分形成所述连接结构。
如上所述的显示基板,其中,所述显示基板为有机电致发光二极管显示基板,每一像素单元包括有机电致发光二极管,所述隔离层与至少部分的有机电致发光二极管的发光层由同一薄膜制得。
如上所述的显示基板,其中,每一像素单元还包括薄膜晶体管,所述显示基板还包括覆盖所述薄膜晶体管上的平坦层,所述有机电致发光二极管设置在所述平坦层上;
所述平坦层中具有多个容纳孔,所述辅助电极位于所述容纳孔内。
如上所述的显示基板,其中,所述容纳孔的与所述基底所在平面平行的横截面为多边形;
所述隔离层位于所述容纳孔内,所述第一部分至少位于所述容纳孔的孔壁上。
如上所述的显示基板,其中,所述有机电致发光二极管为顶发射有机电致发光二极管,所述第一电极为所述有机电致发光二极管的阴极,所述阴极相对所述发光层的背离基底的一侧。
如上所述的显示基板,其中,所述辅助电极与所述有机电致发光二极管的阳极由同一薄膜制得。
本发明实施例中还提供一种如上所述的显示基板的制作方法,所述显示基板包括多个像素单元,所述制作方法包括在一基底上形成每一像素单元的第一电极和第二电极的步骤,其中,所述制作方法还包括:
在所述基底上形成辅助电极和连接结构的步骤,所述辅助电极和连接结构位于至少部分像素单元,所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接。
如上所述的制作方法,其中,所述第一电极在所述基底上的正投影与所述辅助电极在所述基底上的正投影存在交叠,形成交叠区域;
所述制作方法还包括:
在所述第一电极和辅助电极之间形成隔离层,所述隔离层包括第一部分,所述第一部分在所述基底上的正投影位于所述交叠区域内,且所述第一部分的厚度小于所述隔离层的其它部分的厚度;
形成所述连接结构的步骤具体为:
向所述辅助电极和第一电极上施加预定压差的电压,所述第一部分通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用下发生电击穿,实现导体化,由导体化后的所述第一部分形成所述连接结构。
如上所述的制作方法,其中,所述显示基板为有机电致发光二极管显示基板,所述制作方法还包括:
形成每一像素单元的有机电致发光二极管;
具体利用同一发光材料,通过一次构图工艺形成所述隔离层与至少部分的有机电致发光二极管的发光层。
如上所述的制作方法,其中,所述制作方法还包括:
形成每一像素单元的薄膜晶体管;
形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦层,具体在所述平坦层上形成所述有机电致发光二极管;
在所述平坦层中形成多个容纳孔,所述辅助电极位于所述容纳孔内,所述第一部分至少位于所述容纳孔的孔壁上。
如上所述的制作方法,其中,所述有机电致发光二极管为顶发射有机电致发光二极管,所述第一电极为所述有机电致发光二极管的阴极;
具体通过对同一金属薄膜的构图工艺形成所述辅助电极与所述有机电致发光二极管的阳极。
本发明实施例中提供一种显示装置,包括如上所述的显示基板;
所述显示装置还包括驱动单元,所述驱动单元与所述第一电极和辅助电极电性连接,用于向所述第一电极提供像素电压,向所述辅助电极施加辅助电压,所述辅助电压与所述像素电压的压差小于设定值。
如上所述的显示装置,其中,所述显示基板为顶发射OLED显示基板;
所述显示装置的像素单元呈矩阵分布,包括交叉分布的多行像素单元和多列像素单元;
所述驱动单元设置在所述显示基板的位于行方向上的一侧,从驱动单元所在的一侧到相对的另一侧,仅设置部分列的至少部分像素单元包括辅助电极。
如上所述的显示装置,其中,相邻两列辅助电极之间的像素单元的列数相同。
如上所述的显示装置,其中,对于位于同一列的辅助电极,相邻的两个辅助电极之间的像素单元的行数相同。
本发明实施例中还提供一种如上所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,包括:
在显示过程中,向所述辅助电极施加辅助电压,其中,所述辅助电压与在显示过程中提供给所述第一电极的像素电压的压差小于设定值。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
上述技术方案中,通过在至少部分像素单元设置辅助电极和连接结构,所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接,通过辅助电极向第一电极施加辅助电压,减小与像素电压的压差,使第一电极实现所需的显示,以不影响显示效果,保证显示品质,克服了因IR drop较大导致第一电极无法实现所需显示的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示本发明实施例中显示基板的结构示意图;
图2表示本发明实施例中平坦层的俯视图。
具体实施方式
本发明提供一种显示基板,用以解决信号在传输过程中的IR drop较大,导致传输至像素单元的显示用电极的实际电压(为了便于描述,定义该实际电压为第一电压)与对应的像素电压的压差较大,影响显示效果的问题。
其中,所述像素电压为驱动单元提供给显示用电极的电压,该电压经过信号线传输至显示用电极。在不考虑IR drop的情况下,显示用电极上的电压即为像素电压,用于控制对应的像素单元实现所需的显示,包括:像素单元的显示颜色、灰阶等。
为了解决上述技术问题,本发明设置至少部分像素单元包括辅助电极和连接结构。所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接,通过所述辅助电极向显示用电极施加辅助电压。其中,所述辅助电压与提供给显示用电极的像素电压的压差小于设定值,大致相同,从而能够克服由于IR drop较大,导致显示用电极上的实际电压与对应的像素电压压差较大,影响显示效果的问题,保证显示品质。
可以在显示基板的制程中,增加向所述辅助电极和第一电极上施加预定压差的电压的步骤,所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接,以保证显示效果。
其中,驱动单元可以向显示用电极和辅助电极提供大小相同的电压,均为像素电压。提供给辅助电极的像素电压在传输过程中的IR drop较小,则实际传输至辅助电极上的辅助电压与该像素电压的压差小于设定值,大致相同,通过辅助电极向显示用电极施加辅助电压,可以保证像素单元的显示效果,进而保证显示品质。
为了实现提供给辅助电极的像素电压在传输过程中的IR drop较小,所述辅助电极和/或用于向辅助电极传输电压信号的辅助信号线采用电阻率较小的材料。
可以理解的是,驱动单元也可以向显示用电极和辅助电极提供不同大小的电压。具体为:驱动单元向辅助电极提供的电压大于向显示用电极提供的像素电压,则即使IRdrop相同,传输至辅助电极上的辅助电压也大于传输至显示用电极上的第一电压。由于辅助电极上的辅助电压与提供给显示用电极的像素电压的压差小于设定值,大致相同,在显示过程中通过辅助电极向显示用电极施加辅助电压,可以保证显示效果,进而保证显示品质。
本发明的显示用电极为能够控制显示过程的电极,如:液晶显示基板的公共电极、像素电极,有机电致发光二极管显示基板(以下简称OLED显示基板)的有机电致发光二极管(以下简称OLED)的阴极和阳极。
需要说明的是,本发明中的像素电压可以为提供给公共电极、阴极的基准电压,也可以为提供给像素电极、阳极等的电压。
当本发明的第一电极为像素电极或阳极时,所有像素单元的第一电极彼此独立,绝缘设置。而用于向第一电极传输信号的信号线通常由金属材料制得,IR drop较小,对显示效果基本没有影响。
而当本发明的第一电极为公共电极或阴极时,具体可以为覆盖整个显示区域的板状电极,当公共电极或阴极由透明导电材料等高电阻率的材料制得时,基准电压在传输过程中的IR drop较大,会严重影响显示效果。通过本发明的技术方案,能够实现在显示区域通过多点向公共电极或阴极施加辅助电压,提高公共电极和阴极的电压均一性,提升显示品质。
因此,本发明的第一电极优选为覆盖整个显示区域且电阻率较大的板状电极,能够获得更好的改善效果。进一步地,可以仅在部分像素单元设置本发明的辅助电极和连接结构,在显示区域通过多点向第一电极施加辅助电压,提高第一电极的电压均一性,提升显示品质。
下面将结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
实施例一
结合图1和图2所示,本实施例中提供一种显示基板,包括多个像素单元,每一像素单元包括设置在一基底100上的第一电极1和第二电极2,第一电极1和第二电极2用于控制显示过程。例如:对于液晶显示基板,第一电极1和第二电极2分别公共电极和像素电极。对于OLED显示基板,第一电极1和第二电极2分别OLED的阴极和阳极。
至少部分像素单元还包括设置在基底100上的辅助电极3和连接结构4,连接结构4通过在辅助电极3和第一电极1上施加的预定压差的电压的作用实现第一电极1和辅助电极3的电连接,在显示过程中通过辅助电极3向第一电极1施加辅助电压。
在显示过程中,辅助电极3上的辅助电压与提供给第一电极1上的像素电压的压差小于设定值,大致相同,通过辅助电极3向第一电极1施加辅助电压,可以保证显示效果。
上述技术方案通过在至少部分像素单元设置辅助电极和连接结构,所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接,在显示过程中通过辅助电极向第一电极施加辅助电压,减小与像素电压的压差,实现所需的显示,以不影响显示效果,保证显示品质,克服了因IR drop较大导致第一电极无法实现所需显示的问题。
本发明的具体原理为:
在显示过程中,驱动单元提供第一电极显示所需的像素电压。当该像素电压在传输过程中的IR drop较大时,则实际传输至第一电极上的第一电压与该像素电压的压差较大,影响显示效果。通过设置所述辅助电极上的辅助电压与驱动单元提供给第一电极的像素电压的压差小于设定值,大致相同,在显示过程中通过辅助电极向第一电极施加辅助电压,从而克服由于IR drop较大导致第一电极上的第一电压与对应的像素电压压差较大,影响显示效果的问题,保证显示品质。
需要说明的是,本发明中一电极上的电压为施加在该电极上的实际电压,因为IRdrop的影响,该实际电压会与驱动单元提供给该电极的电压不同,两者的差值等于IR drop产生的压降。
本实施例中,第一电极1为覆盖整个显示区域且电阻率较大的板状电极,驱动单元提供给第一电极1的像素电压为基准电压,例如:液晶显示基板的公共电极,或顶发射OLED显示基板的阴极。由于提供给第一电极1的像素电压在传输过程中的IR drop较大,影响显示效果。而采用本发明的技术方案能够有效克服由于IR drop较大影响显示效果的问题。
进一步地,只需在部分像素单元设置辅助电极3和连接结构4,即可克服IR drop造成的第一电极1上的电压偏离基准电压太大的问题,提升第一电极1上基准电压的均一性,同时又能简化结构。
其中,辅助电极以及用于向辅助电极传输电压信号的辅助信号线可以采用电阻率较低的金属材料,以降低提供给辅助电极的电压在传输过程中的IRdrop。具体的,驱动单元提供给辅助电极和第一电极的电压可以均为基准电压,由于提供给辅助电极的电压在传输过程中的IR drop较小,实际施加在辅助电极上的辅助电压与基准电压的压差小于设定值,而且易于控制辅助电极上的辅助电压大小。因此,通过辅助电极向第一电极施加辅助电压,能够使第一电极实现所需的显示,保证显示效果。
本实施例中的连接结构利用电击穿的原理来实现上述功能,具体为:
设置第一电极1在基底100上的正投影与辅助电极3在基底100上的正投影存在交叠,形成交叠区域。
所述显示基板还包括位于第一电极1和辅助电极3之间的隔离层。隔离层40包括第一部分,所述第一部分在基底100上的正投影位于所述交叠区域内,且所述第一部分的厚度小于隔离层40的其它部分的厚度。所述第一部分通过在辅助电极3和第一电极1上施加的预定压差的电压的作用下发生电击穿,实现导体化,由导体化后的所述第一部分形成连接结构4。
上述连接结构由于位于第一电极和辅助电极之间且厚度较薄、并在电击穿后实现导体化的隔离层形成,通过导体化的隔离层来电连接位于其两侧的辅助电极和第一电极,从而通过辅助电极向第一电极施加辅助电压。
当然,具有上述功能的连接结构的具体实现方式并不局限于上述一种,例如:所述连接结构可以包括电子开关,在辅助电极和第一电极上的预定压差的电压作用下,实现电子开关的闭合,短接辅助电极和第一电极。至于其它具体实现方式,在此不再一一列举。
本发明的技术方案适用于利用电极控制显示过程的所有显示装置,例如:液晶显示装置、OLED显示装置。
对于液晶显示装置,通过公共电极和像素电极形成驱动液晶分子偏转的电场来控制显示过程,其中,公共电极和像素电极通常均由透明导电材料制得,对于一像素单元,公共电压和像素电压在传输过程中产生的IR drop基本相同,对利用两者的压差形成的驱动电场影响很小,因此,对显示品质的影响也很小。
而对于OLED显示基板,采用的OLED的类型不同,阴极和阳极的材料不同,例如:对于顶发射OLED,阳极采用金属材料,阴极采用透明导电材料,由于透明导电材料的电阻率较大,IR drop较大,会影响显示品质。
因此,本发明的技术方案尤其适用于两个显示用电极的材料不同的显示装置。所述第一电极优选为覆盖整个显示区域且电阻率较大的板状电极,能够有效克服由于IRdrop较大影响显示效果的问题。
下面以所述显示基板为OLED显示基板来具体介绍本发明的技术方案。
对于OLED显示基板,每一像素单元包括发出特定颜色光线的OLED,OLED包括阴极、阳极以及位于阴极和阳极之间的发光层,还可以包括电子传输层、空穴传输层、电子注入层、空穴注入层等功能层,具体的结构在此不再详述。
至少部分像素单元包括辅助电极和连接结构,所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接,由于所述辅助电极上的辅助电压与第一电极对应的像素电压的压差小于设定值,大致相同,因此,通过所述辅助电极向所述第一电极施加辅助电压,能够使第一电极实现所需的显示,保证显示效果。
对于顶发射OLED,阴极相对所述发光层更靠近显示侧,采用透明导电材料,而阳极采用金属材料。由于阴极为覆盖整个显示区域的板状电极,IR drop较大,极大影响了显示效果。
采用本发明的技术方案,设置第一电极1为顶发射OLED的阴极,用以克服阴极因IRdrop较大影响显示效果的问题,且效果显著。则第二电极2为顶发射OLED的阳极。
进一步地,顶发射OLED显示基板的辅助电极3采用电阻率较低的金属材料。辅助电极3可以与OLED的阳极2同层设置,由同一金属薄膜制得,以简化制作工艺。
具体可以设置驱动单元向辅助电极3和阴极1均提供基准电压,由于辅助电极3的IR drop较小,实际施加在辅助电极3上的辅助电压与基准电压的压差小于设定值,大致相同。因此,通过辅助电极3向阴极1施加辅助电压,能够保证显示效果。
作为一个具体的实施方式,连接结构4由位于阴极1和辅助电极3之间的隔离层40的第一部分形成,所述第一部分通过在辅助电极3和阴极1上施加的预定压差的电压的作用下发生电击穿,实现导体化,导体化后的所述第一部分电连接辅助电极3和阴极1,对应的具体结构已在上面内容中描述,在此不再赘述。
可选的,位于阴极1和辅助电极3之间的隔离层40与至少部分的有机电致发光二极管的发光层同层设置,利用同一薄膜通过一次构图工艺同时制得,简化制作工艺。
上述具体实施方式中,顶发射OLED的连接结构由位于辅助电极和阴极之间且厚度较薄、并在电击穿后实现导体化的隔离层形成。
有源有机电致发光二极管显示装置因具有更宽的视角、更高的刷新率和更薄的尺寸,得到越来越广泛的应用。
对于有源有机电致发光二极管显示基板(以下简称AMOLED显示基板),每一像素单元还包括薄膜晶体管(图中未示出),所述薄膜晶体管上覆盖有平坦层101,OLED设置在平坦层101上。
平坦层101中具有多个容纳孔10,辅助电极3位于容纳孔10内,以不影响产品的厚度。
优选地,设置容纳孔10的与基底100所在平面平行的横截面为多边形,使容纳孔10具有尖角。隔离层40位于容纳孔10内,所述第一部分至少位于容纳孔10的孔壁上。当利用电击穿原理使位于辅助电极3和第一电极1之间的隔离层40的第一部分导体化,导体化后的第一部分电连接辅助电极3和第一电极1。而所述第一部分位于容纳孔的尖角处,因为在尖角处能够形成较大的电场,更易击穿,实现所述第一部分的导体化。其中,容纳孔10的孔壁是指通过光刻工艺在平坦层101形成容纳孔10时形成的刻蚀面,所述刻蚀面的形状会受到刻蚀工艺以及刻蚀材料的影响呈现不同的形状。当通过干法刻蚀工艺在平坦层101(通常由有机树脂材料制得)形成容纳孔10时,容纳孔10的与基底100所在平面垂直的纵截面大致呈梯形,且容纳孔10的靠近基底100一侧的孔径呈小于远离基底100一侧的孔径的趋势。
进一步地,当隔离层40与至少部分的有机电致发光二极管的发光层同层设置,由同一薄膜制得时,隔离层40位于容纳孔10内,隔离层40的第一部分位于容纳孔10的孔壁上,由于发光材料的延展性较差,所以在容纳孔10的孔壁上,第一部分的厚度较薄,容易击穿。上述技术方案不需要增加单独的制作工艺来使隔离层具有厚度较薄的第一部分,仅利用容纳孔及发光材料的特性即可实现。
当AMOLED显示基板采用顶发射OLED时,第一电极1为OLED的阴极,阴极1为覆盖整个显示区域的板状电极,其上施加基准电压。辅助电极3位于平坦层101中的容纳孔10内,可以与OLED的阳极2同层设置,由同一金属薄膜制得,以简化制作工艺。辅助电极3和阴极1之间设置有隔离层40,隔离层40与至少的有机电致发光二极管的发光层同层设置,由于发光材料的延展性较差,使得位于容纳孔10的孔壁上的隔离层40的第一部分的厚度较薄,在辅助电极3和阴极1上施加的预定压差的电压的作用下容易电击穿,电连接辅助电极3和阴极1,克服IR drop影响显示效果的问题,保证显示质量。
可以理解的是,对于AMOLED显示基板,驱动单元提供的电压通过数据线(由金属制得)传输至阳极,IR drop较小,不影响显示效果。
需要说明的是,以上仅是以OLED显示基板为例具体介绍本发明的技术方案。本发明的技术方案也适用于其他显示技术,如:液晶显示基板,所述第一电极为公共电极,具体的实现方式和原理与OLED显示基板类似,在此不一一详述。
实施例二
基于同一发明构思,本实施例中提供一种实施例一中的显示基板的制作方法,所述显示基板包括多个像素单元,所述制作方法包括在一基底上形成每一像素单元的第一电极和第二电极的步骤,所述第一电极和第二电极用于控制显示过程。
所述制作方法还包括:
在所述基底上形成辅助电极和连接结构的步骤,所述辅助电极和连接结构位于至少部分像素单元,所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接。
上述制作方法通过在至少部分像素形成辅助电极和连接结构,所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接。从而在显示过程中通过所述辅助电极向第一电极施加辅助电压,能够减小与像素电压的压差,实现所需的显示,以不影响显示效果,保证显示品质,克服了因IR drop较大导致第一电极无法实现所需显示的问题。
其中,所述辅助电压和提供给第一电极的像素电压的压差小于设定值,大致相同。
所述辅助电极以及用于向辅助电极传输电压信号的辅助信号线可以但并不局限于由电阻率较低的金属材料制得,从而使提供给辅助电极的电压在传输过程中的IR drop较小,易于控制辅助电极上的辅助电压大小。
本实施例中的显示基板包括位于所述第一电极和辅助电极之间的隔离层,所述隔离层包括第一部分,所述第一部分通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用下发生电击穿,实现导体化,由导体化后的所述第一部分形成所需的连接结构,来电连接辅助电极和第一电极,对应的具体结构已在上面内容中描述,在此不再赘述。则,所述第一电极在所述基底上的正投影与所述辅助电极在所述基底上的正投影存在交叠,形成交叠区域。所述显示基板的制作方法还包括:
在所述第一电极和辅助电极之间形成隔离层,所述隔离层包括第一部分,所述第一部分在所述基底上的正投影位于所述交叠区域内,且所述第一部分的厚度小于所述隔离层的其它部分的厚度;
形成所述连接结构的步骤具体为:
向所述辅助电极和第一电极上施加预定压差的电压,所述第一部分通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用下发生电击穿,实现导体化,由导体化后的所述第一部分形成所述连接结构。
通过上述步骤制得的连接结构由位于第一电极和辅助电极之间且部分厚度较薄、并在电击穿后实现导体化的隔离层形成,电连接所述第一电极和辅助电极,通过辅助电极向第一电极施加辅助电压。
下面以所述显示基板为OLED显示基板来具体介绍本发明的技术方案。
对于OLED显示基板,所述制作方法还包括:
形成每一像素单元的有机电致发光二极管;
具体利用同一发光材料,通过一次构图工艺形成所述隔离层与至少部分的有机电致发光二极管的发光层。
上述步骤的隔离层与至少部分的OLED的发光层同层设置,可以简化制作工艺。
本发明的第一电极优选为OLED的阴极,因为所有像素单元的OLED的阳极彼此独立,绝缘设置,驱动单元提供给阳极的电压一般通过金属信号线传输至阳极,在传输过程中的IR drop较小。而对于OLED的阴极,尤其是顶发射OLED的阴极,由于阴极由透明导电制得,一般为覆盖整个显示区域的板状电极,因此,驱动单元提供给阴极的基准电压从显示区域的一侧传输至另一侧时,IR drop较大,导致远离驱动单元所在侧的像素单元对应的阴极上的实际电压越来越偏离基准电压,影响显示效果。
因此,本发明的技术方案尤其适用于顶发射OLED。其中,所述辅助电极可以与OLED的阳极同层设置,由同一金属薄膜制得,以简化制作工艺,降低成本。
对于顶发射OLED,所述制作方法还包括:
形成每一像素单元的薄膜晶体管;
形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦层,具体在所述平坦层上形成所述有机电致发光二极管;
在所述平坦层中形成多个容纳孔,所述辅助电极位于所述容纳孔内。
上述步骤制得的OLED显示基板为AMOLED显示基板,通过在覆盖薄膜晶体管的平坦层中制作容纳孔,并将辅助电极设置在容纳孔内,可以不影响产品的厚度。
优选地,设置所述容纳孔的与所述基底所在平面平行的横截面为多边形,使容纳孔具有尖角。隔离层40位于容纳孔10内,所述第一部分至少位于容纳孔10的孔壁上。当利用电击穿原理使位于辅助电极3和第一电极1之间的隔离层40的第一部分导体化,导体化后的第一部分形成连接结构电连接辅助电极3和第一电极1,而所述第一部分位于容纳孔的尖角处,因为在尖角处能够形成较大的电场,更易击穿。同时,所述隔离层设置在容纳孔内,不会增加产品的厚度。当所述隔离层由发光材料制得时,由于发光材料的延展性较差,位于容纳孔的孔壁上的第一部分厚度较薄,容易击穿,不需要增加单独的制作工艺来使隔离层具有厚度较薄的第一部分,仅利用容纳孔及发光材料的特性即可实现。
实施例三
本实施例中提供一种显示装置,包括实施例一中的显示基板和驱动单元,所述驱动单元与第一电极和辅助电极电性连接,用于向第一电极提供像素电压,向所述辅助电极施加辅助电压。所述显示基板的至少部分像素单元包括辅助电极和连接结构,所述连接结构通过在辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现第一电极和辅助电极的电连接。在显示过程中通过辅助电极向第一电极施加辅助电压,所述辅助电压与提供给第一电极的像素电压的压差小于设定值,大致相同,从而克服了由于IR drop较大,使传输至第一电极上的实际电压与对应的像素电压压差较大,影响显示效果的问题,保证了产品的显示品质。
其中,所述显示装置的像素单元通常呈矩阵分布,包括交叉分布的多行像素单元和多列像素单元。
当所述显示基板为顶发射OLED显示基板时,所述第一电极为OLED的阴极,为覆盖整个显示区域的板状电极。所述驱动单元设置在所述显示基板的位于行方向上的一侧,从驱动单元所在的一侧到相对的另一侧,可以仅设置部分列的至少部分像素单元包括辅助电极,即可实现在显示区域的多点向阴极施加辅助电压,增加阴极的电压均一性,保证显示效果。
具体的,可以设置相邻两列辅助电极之间的像素单元的列数相同。进一步地,对于位于同一列的辅助电极,还可以设置相邻的两个辅助电极之间的像素单元的行数相同。
实施例四
本实施例中提供一种实施例三中的显示装置的驱动方法,包括:
在显示过程中,向所述辅助电极施加辅助电压,其中,所述辅助电压与在显示过程中提供给所述第一电极的像素电压的压差小于设定值。
上述驱动方法在显示过程中,能够通过辅助电极向所述第一电极施加辅助电压,减小与像素电压的压差,使第一电极实现所需的显示,以不影响显示效果,保证显示品质,克服了因IR drop较大导致第一电极无法实现所需显示的问题。
其中,设置辅助电压与像素电压的压差小于设定值,是为了通过辅助电极向第一电极施加辅助电压时,能够保证第一电极实现所需的显示效果。所述设定值的取值与某一颜色对应一灰阶显示允许的压差变化范围相关。
本实施例中,所述驱动方法还可以包括:
在显示之前,向辅助电极和第一电极上施加预定压差的电压,所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接。
上述驱动方法在显示装置的第一次显示之前,连接结构完成电连接所述辅助电极和第一电极,从而在显示过程中,能够通过辅助电极向第一电极施加辅助电压。
以所述连接结构由位于第一电极和辅助电极之间的隔离层的第一部分在电击穿后,实现导体化形成(具体的结构参见上面的内容,在此不再详述)为例,所述预定压差的设置需要满足所述第一部分能够实现电击穿。因此,所述预定压差的取值与所述连接结构的具体结构相关,在此不再一一详述。
当然,所述连接结构完成电连接所述辅助电极和第一电极的步骤也可以在显示基板的制作过程中完成。
需要说明的是,所述辅助电极和第一电极的电连接是一次性完成的,即,辅助电极和第一电极一旦电连接,即永久电连接。
当所述第一电极覆盖整个显示区域且电阻率较高时,提供给第一电极的像素电压为基准电压,在传输过程中的IR drop较大。采用本发明的技术方案,具体可以仅设置部分像素单元包括辅助电极和连接结构,所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接,在显示过程中,通过辅助电极向第一电极施加辅助电压(与基准电压的压差小于设定值,大致相同),从而在显示区域通过多点向第一电极施加辅助电压,提升第一电极的电压均一性,保证显示效果。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
Claims (17)
1.一种显示基板,包括多个像素单元,每一像素单元包括设置在一基底上的第一电极和第二电极,其特征在于,至少部分像素单元还包括设置在所述基底上的辅助电极和连接结构,所述连接结构用于电连接所述辅助电极和所述第一电极,所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接;
所述连接结构在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用下发生电击穿,实现导体化;或者所述连接结构包括电子开关,在辅助电极和第一电极上的预定压差的电压作用下,实现电子开关的闭合。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极在所述基底上的正投影与所述辅助电极在所述基底上的正投影存在交叠,形成交叠区域;
所述显示基板还包括位于所述第一电极和辅助电极之间的隔离层;
所述隔离层包括第一部分,所述第一部分在所述基底上的正投影位于所述交叠区域内,且所述第一部分的厚度小于所述隔离层的其它部分的厚度,所述第一部分通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用下发生电击穿,实现导体化,由导体化后的所述第一部分形成所述连接结构。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板为有机电致发光二极管显示基板,每一像素单元包括有机电致发光二极管,所述隔离层与至少部分有机电致发光二极管的发光层由同一薄膜制得。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,每一像素单元还包括薄膜晶体管,所述显示基板还包括覆盖所述薄膜晶体管上的平坦层,所述有机电致发光二极管设置在所述平坦层上;
所述平坦层中具有多个容纳孔,所述辅助电极位于所述容纳孔内。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述容纳孔的与所述基底所在平面平行的横截面为多边形;
所述隔离层位于所述容纳孔内,所述第一部分至少位于所述容纳孔的孔壁上。
6.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述有机电致发光二极管为顶发射有机电致发光二极管,所述第一电极为所述有机电致发光二极管的阴极,所述阴极位于所述发光层的背离基底的一侧。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述辅助电极与所述有机电致发光二极管的阳极由同一薄膜制得。
8.一种权利要求1-7任一项所述的显示基板的制作方法,所述显示基板包括多个像素单元,所述制作方法包括在一基底上形成每一像素单元的第一电极和第二电极的步骤,其特征在于,所述制作方法还包括:
在所述基底上形成辅助电极和连接结构的步骤,其中所述辅助电极和连接结构位于至少部分像素单元,所述连接结构通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用实现所述第一电极和辅助电极的电连接。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述第一电极在所述基底上的正投影与所述辅助电极在所述基底上的正投影存在交叠,形成交叠区域;
所述制作方法还包括:
在所述第一电极和辅助电极之间形成隔离层,所述隔离层包括第一部分,所述第一部分在所述基底上的正投影位于所述交叠区域内,且所述第一部分的厚度小于所述隔离层的其它部分的厚度;
形成所述连接结构的步骤具体为:
向所述辅助电极和第一电极上施加预定压差的电压,所述第一部分通过在所述辅助电极和第一电极上施加的预定压差的电压的作用下发生电击穿,实现导体化,由导体化后的所述第一部分形成所述连接结构。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述显示基板为有机电致发光二极管显示基板,所述制作方法还包括:
形成每一像素单元的有机电致发光二极管;
具体利用同一发光材料,通过一次构图工艺形成所述隔离层与至少部分的有机电致发光二极管的发光层。
11.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
形成每一像素单元的薄膜晶体管;
形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦层,具体在所述平坦层上形成所述有机电致发光二极管;
在所述平坦层中形成多个容纳孔,所述辅助电极位于所述容纳孔内,所述第一部分至少位于所述容纳孔的孔壁上。
12.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述有机电致发光二极管为顶发射有机电致发光二极管,所述第一电极为所述有机电致发光二极管的阴极;
具体通过对同一金属薄膜的构图工艺形成所述辅助电极与所述有机电致发光二极管的阳极。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7任一项所述的显示基板;
所述显示装置还包括驱动单元,所述驱动单元与所述第一电极和辅助电极电性连接,用于向所述第一电极提供像素电压,向所述辅助电极施加辅助电压,所述辅助电压与所述像素电压的压差小于设定值。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其特征在于,所述显示基板为顶发射OLED显示基板;
所述显示装置的像素单元呈矩阵分布,包括交叉分布的多行像素单元和多列像素单元;
所述驱动单元设置在所述显示基板的位于行方向上的一侧,从驱动单元所在的一侧到相对的另一侧,仅设置部分列的至少部分像素单元包括辅助电极。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其特征在于,相邻两列辅助电极之间的像素单元的列数相同。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其特征在于,对于位于同一列的辅助电极,相邻的两个辅助电极之间的像素单元的行数相同。
17.一种权利要求13-16任一项所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,包括:
在显示过程中,向所述辅助电极施加辅助电压,其中,所述辅助电压与在显示过程中提供给所述第一电极的像素电压的压差小于设定值。
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