CN107425044A - 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107425044A
CN107425044A CN201710662899.7A CN201710662899A CN107425044A CN 107425044 A CN107425044 A CN 107425044A CN 201710662899 A CN201710662899 A CN 201710662899A CN 107425044 A CN107425044 A CN 107425044A
Authority
CN
China
Prior art keywords
insulating film
interlayer insulating
layer
gate insulator
flexible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710662899.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107425044B (zh
Inventor
李小龙
刘政
王本莲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201710662899.7A priority Critical patent/CN107425044B/zh
Publication of CN107425044A publication Critical patent/CN107425044A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107425044B publication Critical patent/CN107425044B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明公开了一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置，该柔性显示面板，包括：柔性基底，以及位于柔性基底之上的有源层、栅极层，以及源漏金属层；其中，有源层与栅极层之间设有栅极绝缘层，栅极层与源漏金属层之间设有层间绝缘层；在显示区内，栅极绝缘层和/或层间绝缘层的图形在柔性基底上的正投影，位于有源层，栅极层以及源漏金属层的图形在柔性基底上的正投影的区域内。由于在显示区内，有源层，栅极层以及源漏金属层的图形在柔性基底上的正投影以外的区域，不设置栅极绝缘层和/或层间绝缘层的图形，相比于现有技术中栅极绝缘层和层间绝缘层整层设置，减小了柔性显示面板中无机膜层的应力，提高了柔性显示面板的耐弯折性能。

Description

一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
主动矩阵有机电致发光显示器(Active-matrix organic light emittingdiode，AMOLED)具有亮度高、色域宽、分辨率高、功耗低等特点被认为是下一代显示器的最佳选择，而AMOLED显示技术中其背板技术一般采用载流子迁移率较高的低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，LTPS)薄膜晶体管。LTPS-AMOLED技术同时可以极大的应用于柔性显示器。
现有技术中，柔性显示器由于本身柔性基底的不平整性、无机膜层的应力过大，以及后续需经历多次弯折等原因，导致背板内部的无机膜层易发生开裂。在柔性低温多晶硅薄膜晶体管在制备过程中，采用较厚的层间介电层(Inter-Layer Dielectric，ILD)作为层间绝缘层，层间绝缘层中SiNx的厚度约因此膜层内部存在较大的拉应力，从而易导致后续在弯折测试中引起开裂，同理，栅极绝缘层(GI层)中SiNx也具有拉应力，也容易引起膜层开裂。
目前，通常解决膜层开裂问题的方法是调整无机膜沉积工艺或者调整厚度使压应力与拉应力进行抵消，但是该方法应力可调整范围较为有限或者工艺较为复杂，很难起到彻底解决应力问题的作用。
因此，如何改善柔性显示器中无机膜层的应力是急需解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置，用以解决现有技术中存在的无法解决柔性显示器中无机膜层容易开裂的问题。
本发明实施例提供了一种柔性显示面板，包括：柔性基底，以及位于所述柔性基底之上的有源层、栅极层，以及源漏金属层；其中，
所述有源层与所述栅极层之间设有栅极绝缘层，所述栅极层与所述源漏金属层之间设有层间绝缘层；
在显示区内，所述栅极绝缘层和/或所述层间绝缘层的图形在所述柔性基底上的正投影，位于所述有源层，所述栅极层以及所述源漏金属层的图形在所述柔性基底上的正投影的区域内。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述柔性显示面板中，所述层间绝缘层的图形在所述柔性衬底上的正投影的面积，小于所述栅极绝缘层的图形在所述柔性衬底上的正投影的面积。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述柔性显示面板中，在所述柔性基底之上，除所述有源层、所述栅极层以及所述源漏金属层的图形之外的所述显示区内，填充有机材料。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述柔性显示面板中，填充的所述有机材料的厚度，小于所述层间绝缘层背离所述柔性基底一侧的表面与所述缓冲层背离所述柔性基底一侧的表面之间的最大距离。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述柔性显示面板中，所述层间绝缘层由聚酰亚胺材料构成。
本发明实施例还提供了一种柔性显示面板的制作方法，包括：
在柔性基底上形成有源层；
在所述有源层之上形成栅极绝缘层以及栅极层；
在所述栅极层之上形成层间绝缘层以及源漏金属层；其中，
在显示区内，所述栅极绝缘层和/或所述层间绝缘层的图形在所述柔性基底上的正投影，位于所述有源层，所述栅极层以及所述源漏金属层的图形在所述柔性基底上的正投影的区域内。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述栅极绝缘层的图形按以下方法得到：
在形成所述栅极绝缘层之后，以及形成所述栅极层之前，对所述栅极绝缘层进行刻蚀，得到所述栅极绝缘层的图形。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述层间绝缘层的图形按以下方法得到：
在形成所述层间绝缘层之后，以及形成所述源漏金属层之前，对所述层间绝缘层进行刻蚀，得到所述层间绝缘层的图形。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层的图形按以下方法得到：
在形成所述层间绝缘层之后，对所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层进行刻蚀，得到所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的图形。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：上述柔性显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的柔性显示面板、其制作方法及显示装置，该柔性显示面板，包括：柔性基底，以及位于柔性基底之上的有源层、栅极层，以及源漏金属层；其中，有源层与栅极层之间设有栅极绝缘层，栅极层与源漏金属层之间设有层间绝缘层；在显示区内，栅极绝缘层和/或层间绝缘层的图形在柔性基底上的正投影，位于有源层，栅极层以及源漏金属层的图形在柔性基底上的正投影的区域内。本发明实施例提供的柔性显示面板中，在显示区内，有源层，栅极层以及源漏金属层的图形在柔性基底上的正投影以外的区域，不设置栅极绝缘层和/或层间绝缘层的图形，相比于现有技术中栅极绝缘层和层间绝缘层整层设置，减小了柔性显示面板中无机膜层的应力，提高了柔性显示面板的耐弯折性能。
附图说明
图1a为本发明实施例提供的柔性显示面板的结构示意图之一；
图1b为本发明实施例提供的柔性显示面板的结构示意图之二；
图2为本发明实施例提供的柔性显示面板的制作方法流程图；
图3为本发明实施例中柔性显示面板的制作方法的流程结构图之一；
图4为本发明实施例中柔性显示面板的制作方法的流程结构图之二；
图5为本发明实施例中柔性显示面板的制作方法的流程结构图之三；
其中，100、衬底基板；101、柔性基底；102、有源层；103、栅极层；104、源漏金属层；105、栅极绝缘层；106、层间绝缘层；107、缓冲层；108、平坦层；201、开关区；202、走线区；203、电容区。
具体实施方式
针对现有技术中存在的无法解决柔性显示器中无机膜层容易开裂的问题，本发明实施例提供了一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置。
下面结合附图，对本发明实施例提供的柔性显示面板、其制作方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种柔性显示面板，如图1a所示，包括：柔性基底101，以及位于柔性基底101之上的有源层102、栅极层103，以及源漏金属层104；其中，
有源层102与栅极层103之间设有栅极绝缘层105，栅极层103与源漏金属层104之间设有层间绝缘层106；
在显示区内，栅极绝缘层105和/或层间绝缘层106的图形在柔性基底101上的正投影，位于有源层102，栅极层103以及源漏金属层104的图形在柔性基底101上的正投影的区域内。
本发明实施例提供的柔性显示面板中，在显示区内，有源层，栅极层以及源漏金属层的图形在柔性基底上的正投影以外的区域，不设置栅极绝缘层和/或层间绝缘层的图形，相比于现有技术中栅极绝缘层和层间绝缘层整层设置，减小了柔性显示面板中无机膜层的应力，提高了柔性显示面板的耐弯折性能。
在实际应用中，本发明实施例中，上述柔性显示面板至少具有三种情况：第一：栅极绝缘层105的图形在柔性基底101上的正投影，位于有源层102，栅极层103以及源漏金属层104的图形在柔性基底101上的正投影的区域内，层间绝缘层106整层设置；第二：层间绝缘层106的图形在柔性基底101上的正投影，位于有源层102，栅极层103以及源漏金属层104的图形在柔性基底101上的正投影的区域内，栅极绝缘层105整层设置；第三：栅极绝缘层105和层间绝缘层106的图形在柔性基底101上的正投影，均位于有源层102，栅极层103以及源漏金属层104的图形在柔性基底101上的正投影的区域内。这三种情况，相比于现有技术中，栅极绝缘层105和层间绝缘层106均整层设置，减少了这两层的拉应力，提高了柔性显示面板的耐弯折性能。
本发明实施例提供的上述柔性显示面板，优选为应用于OLED显示器中，在具体实施时，也可以应用于其他显示器中，例如液晶显示器，此处不做限定。上述有源层优选为采用载流子迁移率较高的低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)材料，也可以采用其他材料，此处不做限定，有源层的厚度优选为之间。
在具体实施时，参照图1a，在制作上述柔性显示面板的过程中，上述柔性基底101先形成于衬底基板100上，待柔性显示面板制作完成后，再将柔性基底101与衬底基板100剥离，该衬底基板100可以采用玻璃或硅等材料，柔性基底101可以采用聚酰亚胺(PI)材料，厚度优选为5μm～15μm之间。
在有源层102与柔性基底101之间还可以设置一层缓冲层107，以避免衬底基板100中的杂质金属离子在加热工艺中扩散到有源层102，也能起到改善有源层102下表面的作用，具体地，缓冲层107可以采用SiO2或SiNx材料制作，也可以分别采用者两种材料制作两个膜层堆叠沉积作为缓冲层107，缓冲层107的厚度可以在之间，这样可以起到更好的阻挡层和平坦化的作用，同时，也有利于薄膜之间的应力释放。
具体地，上述栅极绝缘层可以由一层二氧化硅(SiO2)层，以及位于该SiO2层之上的氮化硅(SiNx)层构成，该SiO2层的厚度优选为该SiNx层的厚度优选为层间绝缘层也可以由一层SiO2层和一层SiNx层构成，该SiO2层的厚度优选为该SiNx层的厚度优选为上述栅极层的材料优选为钼(Mo)，厚度优选为 之间。上述源漏金属层可以由钛-铝-钛三层金属层构成，其中，钛(Ti)金属层的厚度优选为铝(Al)金属层的厚度优选为
此外，在源漏金属层104之上，还可以设置一层平坦层108，以对柔性显示面板进行平坦化，平坦层108的厚度优选为1.5μm～2μm之间，以达到比较好的平坦化作用。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述柔性显示面板中，参照图1a和图1b，上述显示区，可以分为开关区201，走线区202以及电容区203；其中，
开关区201中至少包括一个薄膜晶体管，该薄膜晶体管可以由有源层102的图形，栅极绝缘层105的图形，栅极层103的图形，层间绝缘层106的图形以及源漏金属层104的图形构成；图1a和图1b中以构成顶栅型薄膜晶体管为例进行示意，在具体实施时，也可以为底栅型薄膜晶体管或双栅型薄膜晶体管，或其他种类的开关，此处不对开关区201的开关种类进行限定。
走线区202中至少包括一层金属层，也可以包括两层或更多层金属层交叠设置，图1a中以包括两层相互交叠的金属层为例进行示意，且走线区202中的金属层与开关区201中的栅极层103和源漏金属层104同层设置，在制作过程中，可以采用同一构图工艺，节约工艺制程，如图1b所示，走线区202中的金属层也可以仅由栅极层103的图形构成，且栅极层103的图形与有源层102的图形具有交叠区域。
电容区203一般由两层相对的金属层构成电容结构，在具体实施时，可以在有源层102中掺杂金属材料，将有源层102与一层金属膜层构成电容使用，具体地，如图1a和图1b所示，可以将有源层102与栅极层103构成电容结构，构成电容结构的有源层102和栅极层103之间通过栅极绝缘层105隔开。此外，还可以将源漏金属层104与有源层102构成电容结构，构成电容结构的源漏金属层104与有源层102之间可以通过栅极绝缘层105和/或层间绝缘层106隔开。
进一步地，本发明实施例提供的上述柔性显示面板中，参照图1a和图1b，上述层间绝缘层106的图形在柔性衬底101上的正投影的面积，小于栅极绝缘层105的图形在柔性衬底101上的正投影的面积。
这样某些位置处可以省略层间绝缘层106的图形，可以减小柔性显示面板的应力，也可以减薄柔性显示面板的厚度。在具体实施时，如图1a和图1b所示，在电容区203中，有源层102的图形与栅极层103的图形之间设有栅极绝缘层105，栅极层103之上还设有平坦层108，因而，可以省去电容区203中，位于栅极层103之上的层间绝缘层106，从而，减薄柔性显示面板的厚度，以及降低柔性显示面板的应力。
本发明实施例中，上述在显示区内，栅极绝缘层和/或层间绝缘层的图形在柔性基底上的正投影，位于有源层，栅极层以及源漏金属层的图形在柔性基底上的正投影的区域内，也可以理解为，栅极绝缘层和/或层间绝缘层在显示区内，除开关区，走线区以及电容区以外的区域无图形。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述柔性显示面板中，在柔性基底101之上，除有源层102、栅极层103以及源漏金属层104的图形之外的显示区内，填充有机材料。
具体地，填充的有机材料可以采用柔性基底101相同的材料，例如，可以采用聚酰亚胺，也可以采用其他有机材料，此处不做限定。通过在开关区201，走线区202以及电容区203以外的位置填充有机材料，可以进一步减小无机膜层的应力，提高柔性显示面板的耐弯折特性。
在具体实施时，在除有源层、栅极层以及源漏金属层的图形之外的显示区内，若存在一层栅极绝缘层，则填充的有机材料位于栅极绝缘层之上，若存在一层层间绝缘层，则填充的有机材料位于层间绝缘层之上，若在该区域内，栅极绝缘层和层间绝缘层都没有图形，则一般填充的有机材料位于缓冲层之上。
具体地，填充的有机材料的厚度，小于层间绝缘层106背离柔性基底101一侧的表面与缓冲层107背离柔性基底101一侧的表面之间的最大距离。也可以根据实际需要来调整填充的有机材料的厚度，例如，参照图1a，填充的有机材料的上表面可以与电容区203的栅极层103的上表面齐平，或者与走线区202的源漏金属层104的上表面平齐，此处只是举例说明，并不对填充的有机材料的厚度进行限定。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述柔性显示面板中，层间绝缘层可以由聚酰亚胺材料构成。
聚酰亚胺材料为有机材料，相比于采用无机材料，层间绝缘层采用聚酰亚胺材料，可以进一步减小该膜层的应力。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种柔性显示面板的制作方法。由于该制作方法解决问题的原理与上述柔性显示面板相似，因此该制作方法的实施可以参见上述柔性显示面板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例还提供了一种柔性显示面板的制作方法，如图2所示，包括：
S301、在柔性基底101上形成有源层102，如图3所示；
S302、在有源层102之上形成栅极绝缘层105以及栅极层103，如图4所示；
S303、在栅极层103之上形成层间绝缘层106以及源漏金属层104，如图5所示；其中，
在显示区内，栅极绝缘层105和/或层间绝缘层106的图形在柔性基底101上的正投影，位于有源层102，栅极层103以及源漏金属层104的图形在柔性基底101上的正投影的区域内。
本发明实施例提供的柔性显示面板的制作方法中，在显示区内，有源层，栅极层以及源漏金属层的图形在柔性基底上的正投影以外的区域，不设置栅极绝缘层和/或层间绝缘层的图形，相比于现有技术中栅极绝缘层和层间绝缘层整层设置，减小了柔性显示面板中无机膜层的应力，提高了柔性显示面板的耐弯折性能。
上述步骤S301之前，还可以包括：在清洗后的衬底基板100上采用柔性工艺形成柔性基底101，柔性基底101优选为采用聚酰亚胺材料，厚度优选为5μm～15μm之间，待柔性显示面板制作完成后，再将柔性基底101与衬底基板100剥离。为了避免衬底基板100中的杂质金属离子在加热工艺中扩散到有源层102，以及改善有源层102下表面，还可以在柔性基底101之上形成一层缓冲层107，缓冲层107可以采用SiO2或SiNx材料制作，也可以分别采用者两种材料制作两个膜层堆叠沉积作为缓冲层107，缓冲层107的厚度可以在之间，这样可以起到更好的阻挡层和平坦化的作用，同时，也有利于薄膜之间的应力释放。
在上述步骤S301中，可以采用等离子体化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)法在缓冲层107之上沉积一层非晶硅(a-Si)，非晶硅的厚度优选为之间，将形成非晶硅薄膜的衬底基板100放置于退火炉中进行去氢处理，以防止发生氢爆，去氢的温度一般为400℃～450℃，时间约为60min～90min，去氢处理以后，可以使非晶硅薄膜中氢含量小于2％，然后采用准分子激光退火(ExcimerLaser Anneal，ELA)工艺，将非晶硅转化为多晶硅(P-Si)，激光能量可以控制在350mJ/cm2～450mJ/cm2之间，然后采用曝光显影工艺形成有源层102的图形。
在上述步骤S302中，在形成栅极绝缘层105之前，采用0.5％～1％浓度的氢氟酸(HF)清洗有源层102的表面，以改善有源层102的多晶硅表面的粗糙程度。
上述步骤S302可以采用以下工艺实现：
采用PECVD工艺完成栅极绝缘层105的沉积，栅极绝缘层105可以由一层二氧化硅(SiO2)层，以及位于该SiO2层之上的氮化硅(SiNx)层构成，该SiO2层的厚度优选为该SiNx层的厚度优选为
采用涂胶、曝光显影、掺杂以及剥离等工艺完成位于电容区203的有源层102的掺杂，以形成电容结构的下电极，掺杂的能量可以控制在70keV～80keV范围内，掺杂的计量可以在1E15～2E15，掺杂的气体源可以采用B2H6；
采用溅射工艺沉积一层钼金属层作为栅极层103，栅极层103的厚度优选为之间，然后采用刻蚀工艺形成栅极层103的图形；
在开关区201的薄膜晶体管的源漏极的对应的位置处，对有源层102进行掺杂，该掺杂的工艺条件可以采用与上述电容区203的掺杂相同的工艺条件，此处不再赘述。
上述步骤S303可以具体由以下工艺实现：
在栅极层103之上形成层间绝缘层106，层间绝缘层106也可以由一层SiO2层和一层SiNx层构成，该SiO2层的厚度优选为该SiNx层的厚度优选为
进行活化处理，温度可以在430℃～450℃之间，时间可以在1.5h～2h之间。然后采用刻蚀工艺，在薄膜晶体管的源漏极的位置处，形成贯穿层间绝缘层106和栅极绝缘层105的过孔；
进行氢化处理，温度可以在350℃左右，时间可以在2h左右；
采用溅射工艺制作源漏金属层104，以及采用刻蚀工艺对源漏金属层104进行图形化，源漏金属层104可以由钛-铝-钛三层金属层构成，其中，钛(Ti)金属层的厚度优选为铝(Al)金属层的厚度优选为
参照图5，在上述S303之后，还可以包括：在源漏金属层104之上形成一层平坦层108，以对柔性显示面板进行平坦化，平坦层108的厚度优选为1.5μm～2μm之间，以达到比较好的平坦化作用。
在具体实施时，本发明实施例提供的上述制作方法中，上述栅极绝缘层105的图形和层间绝缘层106的图形可以由以下两种方式形成：
实现方式一：
栅极绝缘层105的图形按以下方法得到：
在形成栅极绝缘层105之后，以及形成栅极层103之前，对栅极绝缘层105进行刻蚀，得到栅极绝缘层105的图形。
层间绝缘层106的图形按以下方法得到：
在形成层间绝缘层106之后，以及形成源漏金属层104之前，对层间绝缘层106进行刻蚀，得到层间绝缘层106的图形。
实现方式二：栅极绝缘层105和层间绝缘层106的图形按以下方法得到：
在形成层间绝缘层106之后，对层间绝缘层106和栅极绝缘层105进行刻蚀，得到层间绝缘层106和栅极绝缘层105的图形。
在实现方式一中，对于栅极绝缘层105和层间绝缘层106都进行图案化的情况，先对栅极绝缘层105进行刻蚀，之后对层间绝缘层106进行刻蚀时，相比于实现方式二中栅极绝缘层105和层间绝缘层106一起刻蚀，实现方式一中，由于分两次进行刻蚀，刻蚀的厚度较小，比较容易刻蚀，刻蚀过程中使用的刻蚀能量较小。实现方式二中，将栅极绝缘层105和层间绝缘层106一起进行刻蚀，可以节省工艺流程，节约成本。
在具体实施时，上述实现方式二中，对层间绝缘层106和栅极绝缘层105进行刻蚀，是在形成层间绝缘层106之后进行的，可以在形成源漏金属层104之前，也可以在形成栅极绝缘层105之后。具体地，对除开关区201、走线区202以及电容区203以外的区域的栅极绝缘鞥和层间绝缘层106的刻蚀，可以与开关区201源漏极的位置处的栅极绝缘层105和层间绝缘层106的刻蚀，采用同一刻蚀工艺，这样，可以节省一步制作工艺，节约成本。
在具体实施时，在对层间绝缘层进行刻蚀时，可以采用半透光的掩模板(HalftoneMask)，根据实际需要设计该掩模板的透光区域的透光率，这样，刻蚀得到层间绝缘层的厚度可以不一致，例如，考虑到走线区的层间绝缘层不能太薄，可以调整走线区对应的位置处的掩模板的透光率，以使该区域刻蚀掉的较少，从而使该区域得到的图形较厚，此外，根据不同的需求，对其他膜层进行刻蚀时，也可以采用半透光的掩模板。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述柔性显示面板，该显示装置可以应用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置解决问题的原理与上述柔性显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见上述柔性显示面板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的柔性显示面板、其制作方法及显示装置中，在显示区内，有源层，栅极层以及源漏金属层的图形在柔性基底上的正投影以外的区域，不设置栅极绝缘层和/或层间绝缘层的图形，相比于现有技术中栅极绝缘层和层间绝缘层整层设置，减小了柔性显示面板中无机膜层的应力，且不会改变薄膜晶体管的性能，不会影响柔性显示面板的正常工作，可以从根本上解决无机膜层容易开裂的问题，提高了柔性显示面板的耐弯折性能。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种柔性显示面板，其特征在于，包括：柔性基底，以及位于所述柔性基底之上的有源层、栅极层，以及源漏金属层；其中，
所述有源层与所述栅极层之间设有栅极绝缘层，所述栅极层与所述源漏金属层之间设有层间绝缘层；
在显示区内，所述栅极绝缘层和/或所述层间绝缘层的图形在所述柔性基底上的正投影，位于所述有源层，所述栅极层以及所述源漏金属层的图形在所述柔性基底上的正投影的区域内。
2.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，所述层间绝缘层的图形在所述柔性衬底上的正投影的面积，小于所述栅极绝缘层的图形在所述柔性衬底上的正投影的面积。
3.如权利要求1所述的柔性显示面板，其特征在于，在所述柔性基底之上，除所述有源层、所述栅极层以及所述源漏金属层的图形之外的所述显示区内，填充有机材料。
4.如权利要求3所述的柔性显示面板，其特征在于，填充的所述有机材料的厚度，小于所述层间绝缘层背离所述柔性基底一侧的表面与所述缓冲层背离所述柔性基底一侧的表面之间的最大距离。
5.如权利要求1～4任一项所述的柔性显示面板，其特征在于，所述层间绝缘层由聚酰亚胺材料构成。
6.一种柔性显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在柔性基底上形成有源层；
在所述有源层之上形成栅极绝缘层以及栅极层；
在所述栅极层之上形成层间绝缘层以及源漏金属层；其中，
在显示区内，所述栅极绝缘层和/或所述层间绝缘层的图形在所述柔性基底上的正投影，位于所述有源层，所述栅极层以及所述源漏金属层的图形在所述柔性基底上的正投影的区域内。
7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的图形按以下方法得到：
在形成所述栅极绝缘层之后，以及形成所述栅极层之前，对所述栅极绝缘层进行刻蚀，得到所述栅极绝缘层的图形。
8.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述层间绝缘层的图形按以下方法得到：
在形成所述层间绝缘层之后，以及形成所述源漏金属层之前，对所述层间绝缘层进行刻蚀，得到所述层间绝缘层的图形。
9.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层的图形按以下方法得到：
在形成所述层间绝缘层之后，对所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层进行刻蚀，得到所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层的图形。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1～5任一项所述的柔性显示面板。
CN201710662899.7A 2017-08-04 2017-08-04 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 Active CN107425044B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710662899.7A CN107425044B (zh) 2017-08-04 2017-08-04 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710662899.7A CN107425044B (zh) 2017-08-04 2017-08-04 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107425044A true CN107425044A (zh) 2017-12-01
CN107425044B CN107425044B (zh) 2021-03-23

Family

ID=60437433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710662899.7A Active CN107425044B (zh) 2017-08-04 2017-08-04 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107425044B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108172693A (zh) * 2017-12-18 2018-06-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN108899326A (zh) * 2018-06-28 2018-11-27 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN109950252A (zh) * 2019-02-25 2019-06-28 昆山国显光电有限公司 阵列基板的制作方法、阵列基板、显示屏及显示设备
CN110211971A (zh) * 2019-05-16 2019-09-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2019184319A1 (zh) * 2018-03-28 2019-10-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110993624A (zh) * 2019-12-16 2020-04-10 云谷（固安）科技有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置
WO2021035848A1 (zh) * 2019-08-28 2021-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
US20220309963A1 (en) * 2020-08-06 2022-09-29 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Flexible display panel and rollable display device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102637636A (zh) * 2011-08-24 2012-08-15 京东方科技集团股份有限公司 有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置
CN103928406A (zh) * 2014-04-01 2014-07-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制备方法、阵列基板、显示装置
US20150108484A1 (en) * 2013-10-23 2015-04-23 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and method of manufacturing the flexible display device
CN104716091A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 昆山国显光电有限公司 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件
CN104766804A (zh) * 2015-04-24 2015-07-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
CN106601133A (zh) * 2017-02-28 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102637636A (zh) * 2011-08-24 2012-08-15 京东方科技集团股份有限公司 有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置
US20150108484A1 (en) * 2013-10-23 2015-04-23 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device and method of manufacturing the flexible display device
CN104716091A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 昆山国显光电有限公司 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件
CN103928406A (zh) * 2014-04-01 2014-07-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制备方法、阵列基板、显示装置
CN104766804A (zh) * 2015-04-24 2015-07-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
CN106601133A (zh) * 2017-02-28 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108172693A (zh) * 2017-12-18 2018-06-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
WO2019119560A1 (zh) * 2017-12-18 2019-06-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
US10784450B2 (en) 2017-12-18 2020-09-22 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device
WO2019184319A1 (zh) * 2018-03-28 2019-10-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US11894389B2 (en) 2018-03-28 2024-02-06 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and method for preparing the same, and display device
CN108899326A (zh) * 2018-06-28 2018-11-27 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN109950252A (zh) * 2019-02-25 2019-06-28 昆山国显光电有限公司 阵列基板的制作方法、阵列基板、显示屏及显示设备
CN110211971A (zh) * 2019-05-16 2019-09-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
WO2021035848A1 (zh) * 2019-08-28 2021-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN110993624A (zh) * 2019-12-16 2020-04-10 云谷（固安）科技有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置
US20220309963A1 (en) * 2020-08-06 2022-09-29 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Flexible display panel and rollable display device
US11670198B2 (en) * 2020-08-06 2023-06-06 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Flexible display panel and rollable display device

Also Published As

Publication number Publication date
CN107425044B (zh) 2021-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107425044A (zh) 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
US7563659B2 (en) Method of fabricating poly-crystalline silicon thin film and method of fabricating transistor using the same
WO2018188146A1 (zh) 一种阵列基板、显示装置及其制作方法
WO2015165164A1 (zh) 低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
CN103745978A (zh) 显示装置、阵列基板及其制造方法
WO2015074420A1 (zh) 阵列基板及其制备方法和显示装置
CN106783628B (zh) 薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示器
CN106098628A (zh) Tft背板的制作方法及tft背板
CN107818989A (zh) 阵列基板及其制作方法
US7544550B2 (en) Method of fabricating semiconductor device and semiconductor fabricated by the same method
CN102654698A (zh) 液晶显示器阵列基板及其制造方法、液晶显示器
US20220302321A1 (en) Thin film transistor array substrate, display panel and display device
CN107275390A (zh) 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
CN107170759A (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106847837A (zh) 一种互补型薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板
US8975124B2 (en) Thin film transistor, array substrate and preparation method thereof
CN103745954A (zh) 显示装置、阵列基板及其制造方法
CN106298645B (zh) 一种tft基板的制备方法
US9837542B2 (en) Polycrystalline silicon thin-film transistor
CN107393830A (zh) 薄膜晶体管的制备方法
CN107039284A (zh) 一种制作低温多晶硅薄膜晶体管的方法
US20040023446A1 (en) Method of manufacturing thin film transistor, method of manufacturing flat panel display, thin film transistor, and flat panel display
CN107464849B (zh) 薄膜晶体管及制备方法、显示基板、显示装置
EP3340309B1 (en) Thin film transistor and manufacturing method thereof
JP2004253520A (ja) 表示装置とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant