WO2021035848A1 - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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WO2021035848A1
WO2021035848A1 PCT/CN2019/107273 CN2019107273W WO2021035848A1 WO 2021035848 A1 WO2021035848 A1 WO 2021035848A1 CN 2019107273 W CN2019107273 W CN 2019107273W WO 2021035848 A1 WO2021035848 A1 WO 2021035848A1
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layer
insulating layer
contact area
electrode
hole
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PCT/CN2019/107273
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French (fr)
Inventor
黄雨田
宋辉
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武汉华星光电半导体显示技术有限公司
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    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Definitions

  • the invention relates to the field of display, in particular to a display panel and a preparation method thereof.
  • the low-temperature polysilicon active matrix organic light-emitting diode (LTPS-AMOLED) display device has a stress concentration area where the interlayer dielectric layer (ILD) covers the gate (GE) step, which is prone to cracking under the condition of multiple bending , Cracks will occur in the interlayer dielectric layer at this location and expand up and down.
  • the Young's modulus of aluminum (Al) is about 1/5 of that of molybdenum (Mo).
  • first and second capacitor electrodes are made of titanium/aluminum/
  • the titanium laminated structure replaces the current molybdenum, that is, the gate and the source and drain metal layers adopt a titanium/aluminum/titanium laminated structure with a smaller Young's modulus, which can effectively prevent cracks during bending and improve device bending Life, at the same time, the resistivity of aluminum is small, only half of that of molybdenum.
  • the double gate metal after hydrogen activation below the aluminum recrystallization temperature has a lower resistance value.
  • a hydrofluoric acid cleaner HFC
  • the silicon oxide film is a dense oxide film formed by the oxidation of the O3 unit and polysilicon in the HFC process before the formation of the first insulating layer.
  • aluminum metal is relatively active, it will react with hydrofluoric acid during the HFC cleaning process, causing the gate metal to be corroded by hydrofluoric acid.
  • the data results show that the metal resistance of the first and second capacitor electrodes after HFC cleaning increases exponentially, resulting in an abnormality in most of the electrical parameters of the thin film transistor.
  • the object of the present invention is to provide a display panel and a manufacturing method thereof, by quantitatively etching the protective layer of the first contact area and the second contact area, so that the first through hole and the second The through holes contact the surface of the active layer, and HFC is not used to clean the protective layer, which effectively prevents the first capacitor electrode and the second capacitor electrode from being corroded by HF, thereby obtaining a stable TFT circuit.
  • Sexual parameters
  • the present invention provides a display panel, including: a flexible substrate; an active layer disposed on the flexible substrate, having a first contact area, a second contact area, and connecting the first contact area and A functional area of the second contact area; a protective layer, arranged on the side of the active layer away from the flexible substrate; a first insulating layer, arranged on the active layer and the flexible substrate; first The capacitor electrode is arranged on the side of the first insulating layer away from the flexible base; the second insulating layer is arranged on the first capacitor electrode and the first insulating layer; the second capacitor electrode is arranged on the The second insulating layer is on the side away from the first insulating layer; the interlayer insulating layer is provided on the second capacitor electrode and the second insulating layer; the source and drain metal layer is provided on the interlayer insulation Layer away from the side of the second insulating layer; the interlayer insulating layer has a first through hole and a second through hole; the first through hole corresponds to the first contact area and
  • the source-drain metal layer includes a source electrode and a drain electrode; the source electrode is connected to the first contact area through the first through hole; the drain electrode is connected to the first contact area through the second through hole The second contact area.
  • first capacitor electrode and the second capacitor electrode both include: a first metal layer; a second metal layer provided on the first metal layer; a third metal layer provided on the second metal layer The metal layer is away from the first metal layer; the material of the first metal layer and the third metal layer is metallic titanium; the material of the second metal layer is metallic aluminum.
  • the material of the protective layer is silicon oxide; the thickness of the protective layer is 40-50 angstroms.
  • the material of the active layer is polysilicon; the thickness of the active layer is 400-410 angstroms.
  • the flexible substrate includes: a substrate; a first base layer provided on the substrate; a barrier layer provided on a side of the first base layer away from the substrate; a second base layer provided on the barrier layer The side away from the first base layer; the buffer layer is provided on the side of the second base layer away from the barrier layer; the intermediate layer is provided on the side of the buffer layer away from the second base layer.
  • it further includes: a planarization layer provided on the source and drain metal layer and the interlayer insulating layer; a first electrode provided on the side of the planarization layer away from the interlayer insulating layer; The pixel definition layer is provided on the first electrode and the planarization layer; wherein, the first electrode is electrically connected to the source and drain metal layer, the pixel definition layer has a slot, and the opening The groove exposes the surface of the first electrode; the pixel defining block is arranged on the pixel defining layer and surrounds the groove.
  • the first electrode is connected to the source and drain metal layer.
  • the present invention also provides a method for manufacturing a display panel, including: providing a flexible substrate; depositing an active layer on the flexible substrate, the active layer having a first contact area, a second contact area, and connecting the second contact area. A contact area and a functional area of the second contact area; forming a protective layer on the active layer; depositing a first insulating layer on the active layer and the flexible substrate; depositing a first capacitor An electrode is deposited on the first insulating layer; a second insulating layer is deposited on the first capacitor electrode and the first insulating layer; a second capacitor electrode is deposited on the second insulating layer; an interlayer is deposited An insulating layer is formed on the second capacitor electrode and the second insulating layer; in the first contact area, a penetrating interlayer insulating layer, the second insulating layer, and a portion of the first insulating layer are formed And the protective layer up to the first through hole on the surface of the active layer; in the second contact area, a penetrating through the
  • the method further includes sequentially depositing a source and drain metal layer, a planarization layer, a first electrode, a pixel defining layer, and a pixel defining block on the interlayer insulating layer.
  • the present invention provides a display panel and a manufacturing method thereof.
  • the first through hole and the second through hole are in contact with each other.
  • the surface of the active layer, and the source and drain metal layers can be connected to the active layer through the first through hole and the second through hole, and the protective layer is not cleaned by HFC, which is effective Prevent the first capacitor electrode and the second capacitor electrode from being corroded by HF, thereby obtaining stable TFT electrical parameters.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of the structure of a display panel provided by the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram of the structure of a flexible substrate provided by the present invention.
  • Second capacitor electrode 107 interlayer insulating layer 108; planarization layer 110;
  • Source and drain metal layer 109 substrate 1011; first base layer 1012;
  • the present invention provides a display panel 100, including: a flexible substrate 101, an active layer 102, a protective layer 103, a first insulating layer 104, a first capacitor electrode 105, a second insulating layer 106, and a second insulating layer.
  • the flexible substrate 101 includes: a substrate 1011, a first base layer 1012, a barrier layer 1013, a second base layer 1014, a buffer layer 1015 and an intermediate layer 1016.
  • the first base layer 1012 is disposed on the substrate 1011; the material of the first base layer 1012 is polyimide.
  • the barrier layer 1013 is disposed on the side of the first base layer 1012 away from the substrate 1011.
  • the second base layer 1014 is disposed on the side of the barrier layer 1013 away from the first base layer 1012; the material of the second base layer 1014 is polyimide.
  • the buffer layer 1015 is disposed on the side of the second base layer 1014 away from the barrier layer 1013.
  • the intermediate layer 1016 is disposed on the side of the buffer layer 1015 away from the second base layer 1014; the intermediate layer 1016 is generally used for adhesion and can protect the flexible substrate 101.
  • the active layer 102 is disposed on the flexible substrate 101.
  • the active layer 102 has a first contact area 1021, a second contact area 1023, and a connection between the first contact area 1021 and the flexible substrate 101.
  • the functional area 1022 of the second contact area 1023 is described.
  • the material of the active layer 102 is polysilicon; the thickness of the active layer 102 is 400-410 angstroms.
  • the protective layer 103 is disposed on a side of the active layer 102 away from the flexible substrate 101; the material of the protective layer 103 is silicon oxide; the thickness of the protective layer 103 is 40-50 angstroms.
  • the protective layer 103 is a dense oxide film formed by oxidation of O3 and polysilicon.
  • the first insulating layer 104 is disposed on the active layer 102 and the flexible substrate 101; the first capacitor electrode 105 is disposed on the side of the first insulating layer 104 away from the flexible substrate 101.
  • the second insulating layer 106 is disposed on the first capacitor electrode 105 and the first insulating layer 104; the second capacitor electrode 107 is disposed on the second insulating layer 106 away from the first insulating layer 104 One side.
  • the interlayer insulating layer 108 is disposed on the second capacitor electrode 107 and the second insulating layer 106.
  • the interlayer insulating layer 108 has a first through hole 1081 and a second through hole 1082 thereon.
  • the first through hole 1081 corresponds to the first contact region 1021 and penetrates the interlayer insulating layer 108, the second insulating layer 106, a portion of the first insulating layer 104, and the protective layer 103 until the The surface of the active layer 102.
  • the second through hole 1082 corresponds to the second contact area 1023 and penetrates the interlayer insulating layer 108, the second insulating layer 106, a portion of the first insulating layer 104, and the protective layer 103 until the The surface of the active layer 102.
  • the source and drain metal layer 109 is disposed on a side of the interlayer insulating layer 108 away from the second insulating layer 106, and the source and drain metal layer 109 includes a source electrode 1091 and a drain electrode 1092.
  • the present invention quantitatively etches the protective layer 103 of the first contact area 1021 and the second contact area 1023, so that the first through hole 1081 and the second through hole 1082 expose the active layer 102
  • the surface of the source and drain metal layer 109 can be connected to the active layer 102 through the first through hole 1081 and the second through hole 1082, and HFC is not used to clean the protective layer 103, which is effective This prevents the first capacitor electrode 105 and the second capacitor electrode 107 from being corroded by HF, thereby obtaining stable TFT electrical parameters.
  • the source electrode 1091 is connected to the first contact region 1021 through the first through hole 1081; the drain electrode 1092 is connected to the second contact region 1023 through the second through hole 1082.
  • the first capacitor electrode 105 and the second capacitor electrode 107 both include: a first metal layer, a second metal layer, and a third metal layer.
  • the second metal layer is provided on the first metal layer; the third metal layer is provided on the second metal layer away from the first metal layer.
  • the material of the first metal layer and the third metal layer is metallic titanium; the material of the second metal layer is metallic aluminum. Because the Young's modulus of Al is about 1/5 of Mo, it can effectively prevent fracture and increase the bending life of the device. At the same time, the resistivity of Al is small, only half of that of Mo, and hydrogen is below the recrystallization temperature of Al. After the integration, the first capacitor electrode 105 and the second capacitor electrode 107 have lower resistance values.
  • the display panel 100 further includes a planarization layer 110, a first electrode 111, a pixel defining layer 112 and a pixel defining block 113.
  • the planarization layer 110 is provided on the source and drain metal layer 109 and the interlayer insulating layer 108; the first electrode 111 is provided on a portion of the planarization layer 110 away from the interlayer insulating layer 108
  • the first electrode 111 is an anode, and its material is indium tin oxide.
  • the first electrode 111 is connected to the source and drain metal layer 109.
  • the pixel definition layer 112 is disposed on the first electrode 111 and the planarization layer 110; the pixel definition layer 112 has a groove 1121, and the groove 1121 exposes the surface of the first electrode 111 .
  • the pixel defining block 113 is disposed on the pixel defining layer 112 and surrounds the slot 1121.
  • the present invention also provides a method for manufacturing a display panel, which includes the following steps:
  • the flexible substrate 101 includes: a substrate 1011, a first base layer 1012, a barrier layer 1013, a second base layer 1014, a buffer layer 1015, and an intermediate layer 1016.
  • the first base layer 1012 is disposed on the substrate 1011; the material of the first base layer 1012 is polyimide.
  • the barrier layer 1013 is disposed on the side of the first base layer 1012 away from the substrate 1011.
  • the second base layer 1014 is disposed on the side of the barrier layer 1013 away from the first base layer 1012; the material of the second base layer 1014 is polyimide.
  • the buffer layer 1015 is arranged on the side of the second base layer 1014 away from the barrier layer 1013; the intermediate layer 1016 is arranged on the side of the buffer layer 1015 away from the second base layer 1014; the intermediate layer 1016 is generally used for bonding and can protect the flexible substrate 101.
  • the material of the active layer 102 is polysilicon; the thickness of the active layer 102 is 400-410 angstroms.
  • the protective layer 103 is formed on the active layer 102; the protective layer 103 is provided on the side of the active layer 102 away from the flexible substrate 101; the material of the protective layer 103 is silicon oxide; The thickness of the protective layer 103 is 40-50 angstroms.
  • the protective layer 103 is a dense oxide film formed by oxidation of O3 and polysilicon.
  • the first capacitor electrode 105 and the second capacitor electrode 107 include: a first metal layer, a second metal layer, and a third metal layer.
  • the second metal layer is provided on the first metal layer; the third metal layer is provided on the second metal layer away from the first metal layer.
  • the material of the first metal layer and the third metal layer is metallic titanium; the material of the second metal layer is metallic aluminum. Because the Young's modulus of Al is about 1/5 of Mo, it can effectively prevent fracture and increase the bending life of the device. At the same time, the resistivity of Al is small, only half of that of Mo, and hydrogen is below the recrystallization temperature of Al. After the integration, the first capacitor electrode 105 and the second capacitor electrode 107 have lower resistance values.
  • the second contact region 1023 form a layer penetrating the interlayer insulating layer 108, the second insulating layer 106, part of the first insulating layer 104 and the protective layer 103 to the active layer
  • the second through hole 1082 on the surface of 102, the first through hole 1081 is pre-cleaned in the first contact area 1021, and the second through hole 1082 is pre-cleaned in the second contact area 1023 deal with.
  • the pre-cleaning equipment used in the pre-cleaning treatment is to remove organic matter and particles on the glass surface.
  • the pre-cleaning equipment mainly includes: extreme ultraviolet lithography unit (EUV UNIT): through the irradiation of ultraviolet light, oxygen free radicals are generated, which breaks the organic bonds, and generates small molecules. O reacts with small molecules to decompose into CO2 and H2O; DE /RB unit: use cleaning agent to remove particles and organic contaminants on the substrate surface through brush rotation and contact friction; SWR unit: use deionized water to clean to complete particle removal; BJ/MJK unit: use two fluids Rinse, the bubble burst on the substrate surface generates an instant local high-pressure force, which washes away the particles on the substrate surface; HPMJ/FR unit: ultra-high pressure cleaning and straight water treatment to remove particles; A/K unit: sprays the substrate with dry air from an air knife Let it dry completely.
  • EUV UNIT extreme ultraviolet lithography unit
  • the present invention quantitatively etches the protective layer 103 of the first contact area 1021 and the second contact area 1023 so that the first through hole 1081 and the second through hole 1082 contact the active layer 102
  • the surface of the source and drain metal layer 109 can be connected to the active layer 102 through the first through hole 1081 and the second through hole 1082, and HFC is not used to clean the protective layer 103, which is effective

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一种显示面板(100)及其制备方法，通过定量蚀刻第一接触区(1021)以及第二接触区(1023)的保护层(103)，使得第一通孔(1081)以及第二通孔(1082)接触有源层(102)的表面，并且源漏极金属层(109)可以通过第一通孔(1081)以及第二通孔(1082)连接有源层(102)，并没有使用HFC对保护层(103)进行清洗，这有效的防止第一电容电极(105)以及第二电容电极(107)被HF腐蚀，从而获得稳定的TFT电性参数。

Description

显示面板及其制备方法 技术领域
本发明涉及显示领域，尤其是涉及一种显示面板及其制备方法。
 背景技术
低温多晶硅有源矩阵有机发光二极体（LTPS-AMOLED）显示器件在层间介质层（ILD）覆盖栅极（GE）台阶的位置为应力集中区，多次弯折的情况下易发生裂开，裂纹会在该位置层间介质层产生并且上下扩展，金属铝（Al）的杨氏模量为钼（Mo）的1/5左右，若将第一和第二电容电极由钛/铝/钛的叠层结构代替目前的钼，即栅极以及源漏极金属层均采用杨氏模量较小的钛/铝/钛叠层结构，可有效防止弯折时候产生破裂，提升器件弯折寿命，同时，铝的电阻率较小，仅为钼的一半，铝再结晶温度以下氢活一体化后的双栅极金属具有较低的电阻值，不仅如此，由于源漏极金属层的结构同样为钛/铝/钛，其与双栅极金属电容上下极板的接触面也将获得较小的电阻值，从而获得电性更为优良的薄膜晶体管电路。
 技术问题
现有技术为了防止有源层与源漏极金属层的电阻过大，使两者形成欧姆接触，需使用氢氟酸清洗机（HFC）清洗去除有源层表面与源漏极接触面的氧化硅（该层致氧化硅薄膜是第一绝缘层成膜前在HFC制程的O3单元与多晶硅氧化形成的一层致密的氧化薄膜）。由于铝金属活泼性较强，在HFC清洗过程中，将与氟氢酸发生反应，致使栅极金属被氟氢酸腐蚀。数据结果表明，经过HFC清洗后的第一和第二电容电极金属电阻成倍数增大，导致薄膜晶体管大部分电性参数异常。
因此，急需提供一种新的显示面板，用以减少栅极的腐蚀程度，进而提高显示面板电性参数的稳定性。
 技术解决方案
本发明的目的在于，提供一种显示面板及其制备方法，通过定量蚀刻所述第一接触区以及所述第二接触区的所述保护层，使得所述第一通孔以及所述第二通孔接触所述有源层的表面，并没有使用HFC对所述保护层进行清洗，这有效的防止所述第一电容电极以及所述第二电容电极被HF腐蚀，从而获得稳定的TFT电性参数。
为了可以达到上述目的，本发明提供一种显示面板，包括：柔性基板；有源层，设于所述柔性基板上，具有第一接触区、第二接触区以及连接所述第一接触区以及所述第二接触区的功能区；保护层，设于所述有源层远离所述柔性基板的一侧；第一绝缘层，设于所述有源层以及所述柔性基板上；第一电容电极，设于所述第一绝缘层远离所述柔性基的一侧；第二绝缘层，设于所述第一电容电极以及所述第一绝缘层；第二电容电极，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧；层间绝缘层，设于所述第二电容电极以及所述第二绝缘层上；源漏极金属层，设于所述层间绝缘层远离所述第二绝缘层的一侧；所述层间绝缘层上具有第一通孔以及第二通孔；所述第一通孔对应所述第一接触区且贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层、部分所述第一绝缘层以及所述保护层直至所述有源层的表面；所述第二通孔对应所述第二接触区且贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层、部分所述第一绝缘层以及所述保护层直至所述有源层的表面。
进一步地，所述源漏极金属层包括源极以及漏级；所述源极通过所述第一通孔连接所述第一接触区；所述漏级通过所述第二通孔连接所述第二接触区。
进一步地：所述第一电容电极以及所述第二电容电极均包括：第一金属层；第二金属层，设于所述第一金属层上；第三金属层，设于所述第二金属层远离所述第一金属层上；所述第一金属层与所述第三金属层的材料为金属钛；所述第二金属层的材料为金属铝。
进一步地，所述保护层的材料为氧化硅；所述保护层的厚度为40~50埃米。
进一步地，所述有源层的材料为多晶硅；所述有源层的厚度为400~410埃米。
进一步地，所述柔性基板包括：基板；第一基层，设于所述基板上；阻隔层，设于所述第一基层远离所述基板的一侧；第二基层，设于所述阻隔层远离所述第一基层的一侧；缓冲层，设于所述第二基层远离所述阻隔层的一侧；中间层，设于所述缓冲层远离所述第二基层的一侧。
进一步地，还包括：平坦化层，设于所述源漏极金属层以及所述层间绝缘层上；第一电极，设于所述平坦化层远离所述层间绝缘层的一侧；像素定义层，设于所述第一电极以及所述平坦化层上；其中，所述第一电极电性连接所述源漏极金属层，所述像素定义层具有一开槽，所述开槽暴露出所述第一电极的表面；像素限定块，设于所述像素定义层上且围绕所述开槽。
进一步地，所述第一电极连接所述源漏极金属层。
本发明还提供一种显示面板制备方法，包括：提供一柔性基板；沉积一有源层于所述柔性基板上，所述有源层具有第一接触区、第二接触区以及连接所述第一接触区以及所述第二接触区的功能区；形成一保护层于所述有源层上；沉积一第一绝缘层于所述有源层以及所述柔性基板上；沉积一第一电容电极于所述第一绝缘层上；沉积一第二绝缘层于所述第一电容电极以及所述第一绝缘层；沉积一第二电容电极于所述第二绝缘层上；沉积一层间绝缘层于所述第二电容电极以及所述第二绝缘层上；在所述第一接触区，形成一贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层、部分所述第一绝缘层以及所述保护层直至所述有源层的表面的第一通孔；在所述第二接触区，形成一贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层、部分所述第一绝缘层以及所述保护层直至所述有源层的表面的第二通孔；在所述第一接触区对所述第一通孔进行预清洗处理，在所述第二接触区对所述第二通孔进行预清洗处理。
进一步地，还包括依次沉积一源漏极金属层、一平坦化层、第一电极、像素定义层以及像素限定块于所述层间绝缘层上。
 有益效果
本发明提供一种显示面板及其制备方法，通过定量蚀刻所述第一接触区以及所述第二接触区的所述保护层，使得所述第一通孔以及所述第二通孔接触所述有源层的表面，并且所述源漏极金属层可以通过第一通孔以及所述第二通孔连接所述有源层，并没有使用HFC对所述保护层进行清洗，这有效的防止所述第一电容电极以及所述第二电容电极被HF腐蚀，从而获得稳定的TFT电性参数。
 附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的显示面板的结构示意图；
图2为本发明提供的柔性基板的结构示意图；
显示面板100；
柔性基板101；有源层102；保护层103；
第一绝缘层104；第一电容电极105；第二绝缘层106；
第二电容电极107；层间绝缘层108；平坦化层110；
源漏极金属层109；基板1011；第一基层1012；
阻隔层1013；第二基层1014；缓冲层1015；
中间层1016；漏级1092；第一电极111；
像素定义层112；像素限定块113；第一接触区1021；
第二接触区1023；功能区1022；开槽1121；
第一通孔1081；第二通孔1082；源极1091。
 本发明的实施方式
以下是各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可以用实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧等，仅是参考附图式的方向。本发明提到的元件名称，例如第一、第二等，仅是区分不同的元部件，可以更好的表达。在图中，结构相似的单元以相同标号表示。
本文将参照附图来详细描述本发明的实施例。本发明可以表现为许多不同形式，本发明不应仅被解释为本文阐述的具体实施例。本发明提供实施例是为了解释本发明的实际应用，从而使本领域其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改方案。
如图1所示，本发明提供一种显示面板100，包括：柔性基板101、有源层102、保护层103、第一绝缘层104、第一电容电极105、第二绝缘层106、第二电容电极107、层间绝缘层108以及源漏极金属层109。
如图2所示，所述柔性基板101包括：基板1011、第一基层1012、阻隔层1013、第二基层1014、缓冲层1015以及中间层1016。
所述第一基层1012设于所述基板1011上；所述第一基层1012的材料为聚酰亚胺。所述阻隔层1013设于所述第一基层1012远离所述基板1011的一侧。
所述第二基层1014设于所述阻隔层1013远离所述第一基层1012的一侧；所述第二基层1014的材料为聚酰亚胺。
所述缓冲层1015设于所述第二基层1014远离所述阻隔层1013的一侧。
所述中间层1016设于所述缓冲层1015远离所述第二基层1014的一侧；所述中间层1016一般用作粘接作用，并且可以保护所述柔性基板101。
如图1所示，所述有源层102设于所述柔性基板101上，所述有源层102具有第一接触区1021、第二接触区1023以及连接所述第一接触区1021以及所述第二接触区1023的功能区1022。
所述有源层102的材料为多晶硅；所述有源层102的厚度为400~410埃米。
所述保护层103设于所述有源层102远离所述柔性基板101的一侧；所述保护层103的材料为氧化硅；所述保护层103的厚度为40~50埃米。
所述保护层103通过O3与多晶硅氧化形成的一层致密的氧化薄膜。
所述第一绝缘层104设于所述有源层102以及所述柔性基板101上；所述第一电容电极105设于所述第一绝缘层104远离所述柔性基板101的一侧。
所述第二绝缘层106设于所述第一电容电极105以及所述第一绝缘层104；所述第二电容电极107设于所述第二绝缘层106远离所述第一绝缘层104的一侧。
所述层间绝缘层108设于所述第二电容电极107以及第二绝缘层106上。所述层间绝缘层108上具有第一通孔1081以及第二通孔1082。
所述第一通孔1081对应所述第一接触区1021且贯穿所述层间绝缘层108、所述第二绝缘层106、部分所述第一绝缘层104以及所述保护层103直至所述有源层102的表面。
所述第二通孔1082对应所述第二接触区1023且贯穿所述层间绝缘层108、所述第二绝缘层106、部分所述第一绝缘层104以及所述保护层103直至所述有源层102的表面。
所述源漏极金属层109设于所述层间绝缘层108远离所述第二绝缘层106的一侧，所述源漏极金属层109包括源极1091以及漏级1092。
本发明通过定量蚀刻所述第一接触区1021以及所述第二接触区1023的所述保护层103，使得所述第一通孔1081以及所述第二通孔1082暴露所述有源层102的表面，并且所述源漏极金属层109可以通过第一通孔1081以及所述第二通孔1082连接所述有源层102，并没有使用HFC对所述保护层103进行清洗，这有效的防止所述第一电容电极105以及所述第二电容电极107被HF腐蚀，从而获得稳定的TFT电性参数。
所述源极1091通过所述第一通孔1081连接所述第一接触区1021；所述漏级1092通过所述第二通孔1082连接所述第二接触区1023。
所述第一电容电极105以及所述第二电容电极107均包括：第一金属层、第二金属层以及第三金属层。
所述第二金属层设于所述第一金属层上；所述第三金属层设于所述第二金属层远离所述第一金属层上。
所述第一金属层与所述第三金属层的材料为金属钛；所述第二金属层的材料为金属铝。因为Al的杨氏模量为Mo的1/5左右，所以可有效防止断裂产生，可以提升器件弯折寿命；同时，Al的电阻率较小，仅为Mo的一半，Al再结晶温度以下氢活一体化后第一电容电极105以及第二电容电极107有较低的电阻值。
所述显示面板100还包括：平坦化层110、第一电极111、像素定义层112以及像素限定块113。
所述平坦化层110设于所述源漏极金属层109以及所述层间绝缘层108上；所述第一电极111设于所述平坦化层110远离所述层间绝缘层108的一侧，所述第一电极111为阳极，其材料为氧化锡铟。所述第一电极111连接所述源漏极金属层109。
所述像素定义层112设于所述第一电极111以及所述平坦化层110上；所述像素定义层112具有一开槽1121，所述开槽1121暴露出所述第一电极111的表面。
所述像素限定块113设于所述像素定义层112上且围绕所述开槽1121。
本发明还提供一种显示面板制备方法，包括如下步骤：
S1）提供一柔性基板101；所述柔性基板101包括：基板1011、第一基层1012、阻隔层1013、第二基层1014、缓冲层1015以及中间层1016。
所述第一基层1012设于所述基板1011上；所述第一基层1012的材料为聚酰亚胺。所述阻隔层1013设于所述第一基层1012远离所述基板1011的一侧。所述第二基层1014设于所述阻隔层1013远离所述第一基层1012的一侧；所述第二基层1014的材料为聚酰亚胺。所述缓冲层1015设于所述第二基层1014远离所述阻隔层1013的一侧；所述中间层1016设于所述缓冲层1015远离所述第二基层1014的一侧；所述中间层1016一般用作粘接作用，并且可以保护所述柔性基板101。
S2）沉积一有源层102于所述柔性基板101上，所述有源层102具有第一接触区1021、第二接触区1023以及连接所述第一接触区1021以及所述第二接触区1023的功能区1022。
所述有源层102的材料为多晶硅；所述有源层102的厚度为400~410埃米。
S3）形成一保护层103于所述有源层102上；所述保护层103设于所述有源层102远离所述柔性基板101的一侧；所述保护层103的材料为氧化硅；所述保护层103的厚度为40~50埃米。
所述保护层103通过O3与多晶硅氧化形成的一层致密的氧化薄膜。
S4）沉积一第一绝缘层104于所述有源层102以及所述柔性基板101上。
S5）沉积一第一电容电极105于所述第一绝缘层104上。
S6）沉积一第二绝缘层106于所述第一电容电极105以及所述第一绝缘层104。
S7）沉积一第二电容电极107于所述第二绝缘层106上。
所述第一电容电极105以及所述第二电容电极107包括：第一金属层、第二金属层以及第三金属层。
所述第二金属层设于所述第一金属层上；所述第三金属层设于所述第二金属层远离所述第一金属层上。
所述第一金属层与所述第三金属层的材料为金属钛；所述第二金属层的材料为金属铝。因为Al的杨氏模量为Mo的1/5左右，所以可有效防止断裂产生，可以提升器件弯折寿命；同时，Al的电阻率较小，仅为Mo的一半，Al再结晶温度以下氢活一体化后第一电容电极105以及第二电容电极107有较低的电阻值。
S8）沉积一层间绝缘层108于所述第二电容电极107以及第二绝缘层106上。
S9）在所述第一接触区1021，形成一贯穿所述层间绝缘层108、所述第二绝缘层106、部分所述第一绝缘层104以及所述保护层103直至所述有源层102的表面的第一通孔1081。
S10）在所述第二接触区1023，形成一贯穿所述层间绝缘层108、所述第二绝缘层106、部分所述第一绝缘层104以及所述保护层103直至所述有源层102的表面的第二通孔1082，在所述第一接触区1021对所述第一通孔1081进行预清洗处理，在所述第二接触区1023对所述第二通孔1082进行预清洗处理。所述预清洗处理的方式采用的预清洗设备清洗，作用是去除玻璃表面有机物和颗粒。
所述预清洗设备主要包括：极紫外线光刻单元（EUV UNIT）：通过紫外光的照射，产生氧自由基，使有机物健断裂, 生成小分子，O与小分子反应分解成CO2和H2O；DE/RB单元：利用清洗剂，通过毛刷转动与基板表面的接触摩擦，来去除基板表面的颗粒和有机污染物；SWR单元：利用去离子水清洗完成颗粒去除；BJ/MJK单元：通过二流体冲洗，基板表面气泡破裂产生瞬间局部高压作用力，将基板表面的颗粒冲走；HPMJ/FR单元:超高压清洗和直水处理，去除颗粒；A/K单元：通过空气刀的干燥空气喷洒基板使之完全干燥。
S11）依次沉积一源漏极金属层109、一平坦化层110、第一电极111、像素定义层112以及像素限定块113于所述层间绝缘层108上。
本发明通过定量蚀刻所述第一接触区1021以及所述第二接触区1023的所述保护层103，使得所述第一通孔1081以及所述第二通孔1082接触所述有源层102的表面，并且所述源漏极金属层109可以通过第一通孔1081以及所述第二通孔1082连接所述有源层102，并没有使用HFC对所述保护层103进行清洗，这有效的防止所述第一电容电极105以及所述第二电容电极107被HF腐蚀，从而获得稳定的TFT电性参数。
本发明的技术范围不仅仅局限于所述说明中的内容，本领域技术人员可以在不脱离本发明技术思想的前提下，对所述实施例进行多种变形和修改，而这些变形和修改均应当属于本发明的范围内。

Claims (10)

  1.     一种显示面板，其中，包括：
    柔性基板；
    有源层，设于所述柔性基板上，具有第一接触区、第二接触区以及连接所述第一接触区以及所述第二接触区的功能区；
    保护层，设于所述有源层远离所述柔性基板的一侧；
    第一绝缘层，设于所述有源层以及所述柔性基板上；
    第一电容电极，设于所述第一绝缘层远离所述柔性基的一侧；
    第二绝缘层，设于所述第一电容电极以及所述第一绝缘层；
    第二电容电极，设于所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的一侧；
    层间绝缘层，设于所述第二电容电极以及所述第二绝缘层上；
    源漏极金属层，设于所述层间绝缘层远离所述第二绝缘层的一侧；
    所述层间绝缘层上具有第一通孔以及第二通孔；
    所述第一通孔对应所述第一接触区且贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层、部分所述第一绝缘层以及所述保护层直至所述有源层的表面；
    所述第二通孔对应所述第二接触区且贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层、部分所述第一绝缘层以及所述保护层直至所述有源层的表面。
  2.     根据权利要求1所述的显示面板，其中，
    所述源漏极金属层包括源极以及漏级；
    所述源极通过所述第一通孔连接所述第一接触区；
    所述漏级通过所述第二通孔连接所述第二接触区。
  3.     根据权利要求1所述的显示面板，其中：
    所述第一电容电极以及所述第二电容电极均包括：
    第一金属层；
    第二金属层，设于所述第一金属层上；
    第三金属层，设于所述第二金属层远离所述第一金属层上；
    所述第一金属层与所述第三金属层的材料为金属钛；
    所述第二金属层的材料为金属铝。
  4.     根据权利要求1所述的显示面板，其中，
    所述保护层的材料为氧化硅；
    所述保护层的厚度为40~50埃米。
  5.     根据权利要求1所述的显示面板，其中，
    所述有源层的材料为多晶硅；
    所述有源层的厚度为400~410埃米。
  6.     根据权利要求1所述的显示面板，其中，
    所述柔性基板包括：
    基板；
    第一基层，设于所述基板上；
    阻隔层，设于所述第一基层远离所述基板的一侧；
    第二基层，设于所述阻隔层远离所述第一基层的一侧；
    缓冲层，设于所述第二基层远离所述阻隔层的一侧；
    中间层，设于所述缓冲层远离所述第二基层的一侧。
  7.     根据权利要求1所述的显示面板，其中，还包括：
    平坦化层，设于所述源漏极金属层以及所述层间绝缘层上；
    第一电极，设于所述平坦化层远离所述层间绝缘层的一侧；
    像素定义层，设于所述第一电极以及所述平坦化层上；
    其中，所述第一电极连接所述源漏极金属层，所述像素定义层具有一开槽，所述开槽暴露出所述第一电极的表面；
    像素限定块，设于所述像素定义层上且围绕所述开槽。
  8.     根据权利要求7所述的显示面板，其中，还包括：
    所述第一电极连接所述源漏极金属层。
  9.     一种显示面板制备方法，其中，包括：
    提供一柔性基板；
    沉积一有源层于所述柔性基板上，所述有源层具有第一接触区、第二接触区以及连接所述第一接触区以及所述第二接触区的功能区；
    形成一保护层于所述有源层上；
    沉积一第一绝缘层于所述有源层以及所述柔性基板上；
    沉积一第一电容电极于所述第一绝缘层上；
    沉积一第二绝缘层于所述第一电容电极以及所述第一绝缘层；
    沉积一第二电容电极于所述第二绝缘层上；
    沉积一层间绝缘层于所述第二电容电极以及所述第二绝缘层上；
    在所述第一接触区，形成一贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层、部分所述第一绝缘层以及所述保护层直至所述有源层的表面的第一通孔；
    在所述第二接触区，形成一贯穿所述层间绝缘层、所述第二绝缘层、部分所述第一绝缘层以及所述保护层直至所述有源层的表面的第二通孔；
    在所述第一接触区对所述第一通孔进行预清洗处理，在所述第二接触区对所述第二通孔进行预清洗处理。
  10.   根据权利要求9所述的显示面板的制备方法，其中，还包括
    依次沉积一源漏极金属层、一平坦化层、第一电极、像素定义层以及像素限定块于所述层间绝缘层上。
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