CN109065583A - 柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板，包括：提供一基板，在所述基板表面依次制备柔性衬底、阻挡层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极金属层、第二栅极绝缘层、第二栅极金属层以及有机层间绝缘层，所述有机层间绝缘层完全覆盖所述第二栅极绝缘层并填充所述沟槽；在所述有机层间绝缘层的表面依次制备源漏极金属层，钝化层，阳极金属层、像素隔离层以及像素支撑层，最后去除基板。有益效果：本发明所提供的柔性阵列基板的制造方法及柔性显示面板，将有机层间绝缘层取代无机层间绝缘层，避免有机层间绝缘层大开孔设计，进一步实现了柔性显示面板高像素设计，更进一步降低光罩成本以及原料成本。

Description

柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板。
背景技术
目前，柔性显示器件具有轻、薄、可挠曲、耐冲击、超高防水性能等优点，在可穿戴设备及一些特殊功能显示领域有非常广泛的应用；为了实现小尺寸手机的窄边框设计，实现手机更大的屏占比，现有的将柔性背板向后弯折的技术，将软膜构装技术的绑定结构或者柔性基板上芯片技术的集成电路的绑定结构，和连接至显示区域区像素电路中数据信号的焊盘延伸式走线以及一些测试电路区域一起弯折至面板的下方，可以将原有刚性显示面板的下边框变小，现有技术的柔性显示面板，在显示区域将部分无机膜层挖掉，填充有机材料，减小无机膜层的应力，此结构中引入ISO(绝缘层结构)设计，能够给予应力较大的层间绝缘层在弯折过程中应力得以释放，更有利于弯折性能以及器件的稳定性。
但是，此种设计也有其弊端，首先对于高像素的7T1C结构中，ISO设计空间有限，可设计数量较少，应力释放不充分；其次显示区域采用有机层间绝缘层结构需要在层间绝缘层的开孔相同位置开有机层间绝缘层通孔，由于设计规则限制，有机层间绝缘层通孔的孔径设计值需要大于层间绝缘层的通孔，这会严重限制高像素的设计开发，因此需要研究新的结构以满足显示区域的弯折性能。
综上所述，现有的柔性显示面板，由于采用交叠的层间绝缘层与有机层间绝缘层结构，有机层间绝缘层通孔的孔径设计值需要大于层间绝缘层的通孔，造成严重限制高像素的设计开发的技术问题。
发明内容
本发明提供一种柔性显示面板，能够避免有机层间绝缘层大开孔设计，以解决现有的柔性显示面板，由于采用交叠的层间绝缘层与有机层间绝缘层结构，有机层间绝缘层通孔的孔径设计值需要大于层间绝缘层的通孔，造成严重限制高像素的设计开发的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种柔性显示面板的制造方法，所述方法包括：
S10，提供一基板，在所述基板表面制备柔性衬底，之后在所述柔性衬底表面依次制备阻挡层以及缓冲层，然后在所述缓冲层的表面制备有源层，之后在所述缓冲层的表面制备第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层完全覆盖所述有源层，然后在所述第一栅极绝缘层的表面制备第一栅极金属层，第二栅极绝缘层形成于所述第一栅极绝缘层并完全覆盖所述第一栅极金属层，在所述第二栅极绝缘层上制备第二栅极金属层；
S20，通过掩膜对所述阻挡层、所述缓冲层、所述第二栅极绝缘层以及所述第一栅极绝缘层进行干法刻蚀，在所述非显示区域形成沟槽，所述沟槽暴露出所述柔性衬底；
S30，在所述第二栅极绝缘层的表面制备有机层间绝缘层，所述有机层间绝缘层完全覆盖所述第二栅极金属层并填充所述沟槽，对所述有机层间绝缘层进行刻蚀，形成第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔暴露出所述第二栅极绝缘层，所述第二通孔暴露出所述第二栅极金属层；
S40，将所述有机层间绝缘层充当掩膜经过所述第一通孔对所述第一栅极绝缘层以及所述第二栅极绝缘层进行刻蚀，形成第三通孔，暴露出所述有源层；
S50，在所述有机层间绝缘层的表面制备源漏极金属层，之后在所述有机间绝缘层的表面制备钝化层，所述钝化层完全覆盖所述源漏极金属层，最后在所述钝化层的表面依次制备阳极金属层、像素隔离层以及像素支撑层，所述阳极金属层的一部分与所述源漏极金属层直接相连，最后去除基板。
根据本发明一优选实施例，所述沟槽贯穿所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层、所述缓冲层以及所述阻挡层并止于所述柔性衬底。
根据本发明一优选实施例，所述有机层间绝缘层的材料为有机光阻。
根据本发明一优选实施例，所述S40还包括：
S401，将所述有机层间绝缘层进行烘烤化处理；
S402，将经过处理的所述有机层间绝缘层充当掩膜，不经过曝光，通过所述第一通孔直接对所述第一栅极绝缘层以及所述第二栅极绝缘层进行干法蚀刻；
S403，形成所述第三通孔，暴露出所述有源层。
根据本发明一优选实施例，所述第三通孔贯穿所述有机层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层并止于所述有源层。
根据本发明一优选实施例，所述柔性衬底的材料为聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯，所述缓冲层的材料为氮化硅或氧化硅其中的一种或两种。
根据本发明一优选实施例，所述第一栅极缓冲层的材料为氮化硅或氧化硅，所述第二栅极缓冲层的材料与所述第一栅极缓冲层的材料相同。
根据本发明一优选实施例，所述第一栅极的材料为钼，所述第一栅极的厚度大于所述第一栅极绝缘层与所述第二栅极绝缘层的厚度之和。
根据本发明一优选实施例，沉积有机材料于所述像素隔离层的表面上形成有机发光层，所述有机发光层包括交叠设置的平坦化层、所述像素隔离层以及OLED像素层。
本发明还提供一种柔性显示面板，包括：
柔性衬底；
阻挡层，位于所述柔性衬底的表面；
缓冲层，位于所述阻挡层的表面；
有源层，位于所述缓冲层的表面；
第一栅极绝缘层，位于所述缓冲层的表面并覆盖所述有源层；
第一栅极金属层，位于所述第一栅极绝缘层的表面；
第二栅极绝缘层，位于所述第一栅极绝缘层的表面并覆盖所述第一栅极金属层；
第二栅极金属层，位于所述第二栅极绝缘层的表面；
有机层间绝缘层，所述有机层间绝缘层位于所述第二栅极绝缘层的表面并覆盖所述第二栅极金属层，所述有机层间绝缘层在非显示区域的一部分贯穿所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层、所述缓冲层以及所述阻挡层并与所述柔性衬底相连。
源漏极金属层，位于所述有机层间绝缘层的表面；
钝化层，位于所述有机层间绝缘层的表面并覆盖所述源漏极金属层；
阳极金属层，位于所述钝化层的表面；
像素隔离层，位于所述钝化层的表面并覆盖所述阳极金属层的边缘两端；
像素支撑层，位于所述像素隔离层的表面；
其中，所述有机层间绝缘层上形成有第一通孔以及第二通孔，所述源漏极金属层通过所述第一通孔与所述有源层连通，所述源漏级金属层通过所述第二通孔与所述第二栅极金属层连通。
本发明的有益效果为：本发明所提供的柔性阵列基板的制造方法及柔性显示面板，将有机层间绝缘层取代无机层间绝缘层，避免有机层间绝缘层大开孔设计，进一步实现了柔性显示面板高像素设计，更进一步降低光罩成本以及原料成本。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明柔性显示面板的制造方法流程图。
图1A-1E为图1柔性显示面板的制造方法示意图。
图2为本发明柔性显示面板结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的柔性显示面板，由于采用交叠的层间绝缘层与有机层间绝缘层结构，有机层间绝缘层通孔的孔径设计值需要大于层间绝缘层的通孔，造成严重限制高像素的设计开发的技术问题,本实施例能够解决该缺陷。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
如图1所示，本发明还提供一种柔性显示面板的制造方法流程，所述方法包括：
S10，提供一基板，在所述基板表面制备柔性衬底，之后在所述柔性衬底表面依次制备阻挡层以及缓冲层，然后在所述缓冲层的表面制备有源层，之后在所述缓冲层的表面制备第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层完全覆盖所述有源层，然后在所述第一栅极绝缘层的表面制备第一栅极金属层，第二栅极绝缘层形成于所述第一栅极绝缘层并完全覆盖所述第一栅极金属层，在所述第二栅极绝缘层上制备第二栅极金属层。
具体的，所述S10还包括：
首先，提供一个绝缘基板，在所述绝缘基板的表面沉积一层柔性衬底101，所述柔性衬底101的材料为聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯；之后，在所述柔性衬底101的表面使用物理气象沉积法依次沉积出阻挡层102以及缓冲层103，所述阻挡层102的材料为氮化硅或氧化硅其中的一种或两种，所述阻挡层102的厚度为5000埃米；所述缓冲层103的材料为氮化硅或氧化硅其中的一种或两种，所述缓冲层103的材料为3000埃米；之后，在所述缓冲层103的表面形成一半导体层，以一道光罩微影蚀刻制程来定义出半导体层结构，形成有源层104；接着在所述缓冲层103表面沉积出第一栅极绝缘层105，所述第一栅极绝缘层105完全覆盖所述有源层104，所述第一栅极缓冲层105的材料为氮化硅或氧化硅，所述第一栅极缓冲层105的厚度为1000埃米；接着在所述第一栅极缓冲层105的表面以一道光罩微影蚀刻制程来定义出栅极导体结构，形成第一栅极金属层106，所述第一栅极金属层106的材料为金属钼，所述第一栅极金属层106的厚度为2500埃米；接着在所述第一栅极缓冲层105的表面沉积出第二栅极缓冲层107，所述第二栅极缓冲层107的材料与所述第一栅极缓冲层105的材料相同，所述第二栅极缓冲层107的厚度为1200埃米；最后在所述第二栅极缓冲层107的表面以一道光罩微影蚀刻制程来定义出一层栅极导体结构，形成第二栅极金属层108；所述第二栅极金属层108的材料为钼，如图1A所示。
S20，通过掩膜对所述阻挡层、所述缓冲层、所述第二栅极绝缘层以及所述第一栅极绝缘层进行干法刻蚀，在所述非显示区域形成沟槽，所述沟槽暴露出所述柔性衬底。
具体的，所述S20还包括：
首先通过掩膜对所述阻挡层102、所述缓冲层103、所述第二栅极绝缘层107以及所述第一栅极绝缘层105进行干法刻蚀，在所述非显示区域形成沟槽109，所述沟槽109暴露出所述柔性衬底101；所述沟槽贯穿所述第二栅极绝缘层107、所述第一栅极绝缘层105、所述缓冲层103以及所述阻挡层102并止于所述柔性衬底101，如图1B所示。
S30，在所述第二栅极绝缘层的表面制备有机层间绝缘层，所述有机层间绝缘层完全覆盖所述第二栅极金属层并填充所述沟槽，对所述有机层间绝缘层进行刻蚀，形成第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔暴露出所述第二栅极绝缘层，所述第二通孔暴露出所述第二栅极金属层。
具体的，所述S30还包括：
首先在所述第二栅极绝缘层107的表面制备有机层间绝缘层110，所述有机层间绝缘层110完全覆盖所述第二栅极金属层108并填充所述沟槽109，所述有机层间绝缘层110的材料为有机光阻；对所述有机层间绝缘层110进行刻蚀，形成第一通孔111以及第二通孔112，所述第一通孔111的数量有两个，所述第二通孔112的数量为1个；所述第一通孔111贯穿所述有机层间绝缘层110并止于所述第二栅极绝缘层107，所述第二通孔112贯穿所述有机层间绝缘层110并止于所述第二栅极金属层108，如图1C所示。
S40，将所述有机层间绝缘层充当掩膜经过所述第一通孔对所述第一栅极绝缘层以及所述第二栅极绝缘层进行刻蚀，形成第三通孔，暴露出所述有源层。
具体的，所述S40还包括：
首先将所述有机层间绝缘层110进行烘烤化处理；之后将经过处理的所述有机层间绝缘层110充当掩膜，不经过曝光，通过所述第一通孔111直接对所述第一栅极绝缘层105以及所述第二栅极绝缘层107进行干法蚀刻；最后形成所述第三通孔113。所述第三通孔113的数量有两个，所述第三通孔113分别贯穿所述有机层间绝缘层110、所述第二栅极绝缘层107以及所述第一栅极绝缘层105并止于所述有源层104，如图1D所示。
S50，在所述有机层间绝缘层的表面制备源漏极金属层，之后在所述有机间绝缘层的表面制备钝化层，所述钝化层完全覆盖所述源漏极金属层，最后在所述钝化层的表面依次制备阳极金属层、像素隔离层以及像素支撑层，所述阳极金属层的一部分与所述源漏极金属层直接相连，最后去除基板。
具体的，所述S50还包括：
在所述有机层间绝缘层110的表面上形成一金属层，以一道光罩微影蚀刻制程来定义出源漏极导体层结构，形成源漏极金属层114，所述源漏极金属层114的材料为钛或铝，所述源漏极金属层114的厚度约为7600埃米；多条信号走线穿过所述第三通孔113将所述源漏极金属层114与所述有源层104连通；多条信号走线通过所述第二通孔112将所述源漏极金属层114与所述第二栅极金属层108连通；之后，在所述有机层间绝缘层110的表面沉积出一钝化层115，所述钝化层115完全覆盖所述源漏极金属层114；接着在所述钝化层115的表面依次沉积出阳极金属层116、像素隔离层117以及像素支撑层118，其中，所述阳极金属层116的一部分直接与所述源漏金属层114相连；最后，沉积有机材料于所述像素隔离层的表面上形成有机发光层，所述有机发光层包括交叠设置的平坦化层、所述像素隔离层以及OLED像素层并去除所述基板，如图1E所示。
如图2所示，本发明还提供一种柔性显示面板，包括：
柔性衬底201；
阻挡层202，位于所述柔性衬底201的表面；
缓冲层203，位于所述阻挡层202的表面；
有源层204，位于所述缓冲层203的表面；
第一栅极绝缘层205，位于所述缓冲层203的表面并覆盖所述有源层204；
第一栅极金属层206，位于所述第一栅极绝缘层205的表面；
第二栅极绝缘层207，位于所述第一栅极绝缘层205的表面并覆盖所述第一栅极金属层206；
第二栅极金属层208，位于所述第二栅极绝缘层207的表面；
有机层间绝缘层209，所述有机层间绝缘层209位于所述第二栅极绝缘层207的表面并覆盖所述第二栅极金属层208，所述有机层间绝缘层209在非显示区域的一部分贯穿所述第二栅极绝缘层207、所述第一栅极绝缘层205、所述缓冲层203以及所述阻挡层202并与所述柔性衬底201相连。
源漏极金属层210，位于所述有机层间绝缘层209的表面；
钝化层211，位于所述有机层间绝缘层211的表面并覆盖所述源漏极金属层210；
阳极金属层212，位于所述钝化层211的表面；
像素隔离层213，位于所述钝化层211的表面并覆盖所述阳极金属层212的边缘两端；
像素支撑层214，位于所述像素隔离层213的表面；
其中，所述有机层间绝缘层209上形成有第一通孔以及第二通孔，所述源漏极金属层210通过所述第一通孔与所述有源层204连通，所述源漏级金属层210通过所述第二通孔与所述第二栅极金属层208连通。
本发明的有益效果为：本发明所提供的柔性阵列基板的制造方法及柔性显示面板，将有机层间绝缘层取代无机层间绝缘层，避免有机层间绝缘层大开孔设计，进一步实现了柔性显示面板高像素设计，更进一步降低光罩成本以及原料成本。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种柔性显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
S10，提供一基板，在所述基板表面制备柔性衬底，之后在所述柔性衬底表面依次制备阻挡层以及缓冲层，然后在所述缓冲层的表面制备有源层，之后在所述缓冲层的表面制备第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层完全覆盖所述有源层，然后在所述第一栅极绝缘层的表面制备第一栅极金属层，第二栅极绝缘层形成于所述第一栅极绝缘层并完全覆盖所述第一栅极金属层，在所述第二栅极绝缘层上制备第二栅极金属层；
S20，通过掩膜对所述阻挡层、所述缓冲层、所述第二栅极绝缘层以及所述第一栅极绝缘层进行干法刻蚀，在所述非显示区域形成沟槽，所述沟槽暴露出所述柔性衬底；
S30，在所述第二栅极绝缘层的表面制备有机层间绝缘层，所述有机层间绝缘层完全覆盖所述第二栅极金属层并填充所述沟槽，对所述有机层间绝缘层进行刻蚀，形成第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔暴露出所述第二栅极绝缘层，所述第二通孔暴露出所述第二栅极金属层；
S40，将所述有机层间绝缘层充当掩膜经过所述第一通孔对所述第一栅极绝缘层以及所述第二栅极绝缘层进行刻蚀，形成第三通孔，暴露出所述有源层；
S50，在所述有机层间绝缘层的表面制备源漏极金属层，之后在所述有机间绝缘层的表面制备钝化层，所述钝化层完全覆盖所述源漏极金属层，最后在所述钝化层的表面依次制备阳极金属层、像素隔离层以及像素支撑层，所述阳极金属层的一部分与所述源漏极金属层直接相连，最后去除基板。
2.根据权利要求1柔性显示面板的制造方法，其特征在于，所述沟槽贯穿所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层、所述缓冲层以及所述阻挡层并止于所述柔性衬底。
3.根据权利要求1柔性显示面板的制造方法，其特征在于，所述有机层间绝缘层的材料为有机光阻。
4.根据权利要求1柔性显示面板的制造方法，其特征在于，所述S40还包括：
S401，将所述有机层间绝缘层进行烘烤化处理；
S402，将经过处理的所述有机层间绝缘层充当掩膜，不经过曝光，通过所述第一通孔直接对所述第一栅极绝缘层以及所述第二栅极绝缘层进行干法蚀刻；
S403，形成所述第三通孔，暴露出所述有源层。
5.根据权利要求4柔性显示面板的制造方法，其特征在于，所述第三通孔贯穿所述有机层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层并止于所述有源层。
6.根据权利要求1柔性显示面板的制造方法，其特征在于，所述柔性衬底的材料为聚酰亚胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯，所述缓冲层的材料为氮化硅或氧化硅其中的一种或两种。
7.根据权利要求1柔性显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一栅极缓冲层的材料为氮化硅或氧化硅，所述第二栅极缓冲层的材料与所述第一栅极缓冲层的材料相同。
8.根据权利要求1柔性显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一栅极的材料为钼，所述第一栅极的厚度大于所述第一栅极绝缘层与所述第二栅极绝缘层的厚度之和。
9.根据权利要求8柔性显示面板的制造方法，其特征在于，沉积有机材料于所述像素隔离层的表面上形成有机发光层，所述有机发光层包括交叠设置的平坦化层、所述像素隔离层以及OLED像素层。
10.一种使用如权利要求1至9中任意一项所述的方法制造的柔性显示面板，其特征在于，包括：
柔性衬底；
阻挡层，位于所述柔性衬底的表面；
缓冲层，位于所述阻挡层的表面；
有源层，位于所述缓冲层的表面；
第一栅极绝缘层，位于所述缓冲层的表面并覆盖所述有源层；
第一栅极金属层，位于所述第一栅极绝缘层的表面；
第二栅极绝缘层，位于所述第一栅极绝缘层的表面并覆盖所述第一栅极金属层；
第二栅极金属层，位于所述第二栅极绝缘层的表面；
有机层间绝缘层，所述有机层间绝缘层位于所述第二栅极绝缘层的表面并覆盖所述第二栅极金属层，所述有机层间绝缘层在非显示区域的一部分贯穿所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层、所述缓冲层以及所述阻挡层并与所述柔性衬底相连。
源漏极金属层，位于所述有机层间绝缘层的表面；
钝化层，位于所述有机层间绝缘层的表面并覆盖所述源漏极金属层；
阳极金属层，位于所述钝化层的表面；
像素隔离层，位于所述钝化层的表面并覆盖所述阳极金属层的边缘两端；
像素支撑层，位于所述像素隔离层的表面；
其中，所述有机层间绝缘层上形成有第一通孔以及第二通孔，所述源漏极金属层通过所述第一通孔与所述有源层连通，所述源漏级金属层通过所述第二通孔与所述第二栅极金属层连通。
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