CN109817577A

CN109817577A - 一种阵列基板以及一种有机发光显示装置的制备方法

Info

Publication number: CN109817577A
Application number: CN201910105417.7A
Authority: CN
Inventors: 王刚; 张露; 李威龙; 韩珍珍; 胡思明
Original assignee: Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Current assignee: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd; Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority date: 2019-02-01
Filing date: 2019-02-01
Publication date: 2019-05-28

Abstract

一种阵列基板的制备方法，其包括如下步骤：S1：在基板上依次堆叠成形有走线层、薄膜晶体管中的平坦化层和金属层，所述走线层包括非显示区域；S2：去除所述金属层上与所述走线层非显示区域对应的部分，使与该部分对应的所述平坦化层暴露；S3：在所述平坦化层的暴露区域形成开口槽以使对应于所述非显示区域内的所述走线层暴露。由于挖设开口槽之前已去除与开口槽区域对应的金属层，也就不会出现在阶梯处因刻蚀残留而引起的走线层的短路问题，仅仅通过工艺的改进即可提高产品的良率，提高合格率的同时又降低了研发成本。

Description

一种阵列基板以及一种有机发光显示装置的制备方法

技术领域

本发明涉及显示器制造技术领域，具体涉及一种阵列基板以及一种有机发光显示装置的制备方法。

背景技术

近年来，薄膜晶体管显示器因其体积小、功耗低、无辐射等优点被广泛应用于电视、手机、笔记本电脑以及手持终端设备等领域。薄膜晶体管(Thin film Transistor，TFT)基板，即阵列基板，作为显示屏的核心部件，其性能显得尤为重要。然而，现有技术中的阵列基板、显示装置以及制备阵列基板的方法仍有待改进。

发明内容

因此，本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术中阵列基板的产线合格率受工艺限制而受影响的问题。从而提供一种能够提高产线合格率的一种阵列基板以及一种有机发光显示装置的其制备方法。

为此，本发明提供一种阵列基板的制备方法，其包括如下步骤：

S1：在基板上依次堆叠成形有走线层、薄膜晶体管中的平坦化层和金属层，所述走线层包括非显示区域；

S2：去除所述金属层上与所述走线层非显示区域对应的部分，使与该部分对应的所述平坦化层暴露；

S3：在所述平坦化层的暴露区域形成开口槽以使对应于所述非显示区域内的所述走线层暴露。

进一步地，步骤S3之后还包括：将所述走线层中位于所述开口槽内的金属导线与邦定区或封装区电连接。

进一步地，步骤S2包括：对所述金属层图案化处理形成所述电极层，并通过所述图案化处理去除所述金属层上与所述走线层非显示区域对应的部分。

进一步地，步骤S3中形成所述开口槽的步骤包括：刻蚀所述平坦化层的所述暴露区域形成所述开口槽。

进一步地，步骤S1中还包括制备所述薄膜晶体管的步骤：

S11：在衬底基板上依次制备薄膜晶体管中的有源层、第一绝缘层、栅极层和第二绝缘层；

S12:刻蚀所述第二绝缘层和所述第一绝缘层形成暴露有源层的通孔，在所述第二绝缘层上形成漏源极层；

S13:在源漏极层上依次堆叠形成所述平坦化层和所述电极层，所述电极层穿过所述通孔与漏极电连接。

进一步地，所述走线层与所述薄膜晶体管中的漏源极层同层制备。

进一步地，同层制备所述走线层与所述漏源极层的步骤包括：对预先形成于所述第二绝缘层上的金属层图案化处理获得所述漏源极层和所述走线层。

进一步地，步骤S11中在所述基板衬底上形成有源层的步骤包括：在衬底基板上形成有缓冲层，在所述缓冲层上形成多晶硅层，图案化处理所述多晶硅层形成有所述有源层。

一种有机发光显示装置的制备方法，其包括如上述任意一项所述的阵列基板的制备方法，其中所述电极层构成为阳极层，在所述阳极层上制备有机发光层。

进一步地，制备有机发光层的步骤包括：在所述阳极层上形成有机材料层和阴极层。

本发明的技术方案，具有如下优点：

1.本发明提供的一种阵列基板的制备方法，其包括如下步骤：

由于挖设开口槽之前已去除与开口槽区域对应的金属层，因此避免了在开口槽形成后再去除位于开口槽内的金属层，因此也就不会出现在阶梯处因刻蚀残留而引起的走线层的短路问题，无需对阵列基板内部结构做较大调整，仅仅通过工艺的改进即可提高产品的良率，提高合格率的同时又降低了研发成本。

2.本发明提供的一种有机发光显示装置的制备方法，由于其采用了上述阵列基板的制备方法，因此也就具备上述阵列基板制备方法带来的一切优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中阵列基板的平坦化层刻蚀不良品示意图；

图2为图1所示的平坦化层和阳极层的加工剖视图；

图3为本发明提供的阵列基板的结构示意图；

图4-5为本发明阵列基板的平坦化层和阳极层的形成示意图。

1-衬底基板；11-缓冲层；2-薄膜晶体管；3-有源层；41-第一绝缘层；42-第二绝缘层；5-栅极走线层；6-电容极板层；7-过孔层；8-源漏极层；81-源极；82-漏极；83-导电走线；9-平坦化层；91-开口槽；92-通孔；10-阳极层；101-阳极残留；102-第三金属层；103-掩膜。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

如图1-2所示，现有技术中通常在平坦化层9形成后，紧接着即在成形的平坦化层9上进行刻蚀开口槽91的操作，然后再在开设有开口槽91的平坦化层上涂覆金属层，并对金属层刻蚀使之图案化形成阳极层10。但在该图案化形成阳极层10的过程中，如图1所示由于在先开设有开口槽91，即在平坦化层9上的开口槽91区域存在图2中所示的阶梯，因此，当对平坦化层9上形成的金属层进行刻蚀处理时，该阶梯的边角处不易被刻蚀干净，易发生光刻胶和阳极层残留101，参见附图1从而导致位于平坦化层9下方的相邻导电走线83之间因阳极层残留101的存在而发生短路，导致产品的不良。

如图3所示，为本发明实施例提供一种有机发光显示装置，例如一种OLED显示装置，其包括阵列基板和设于阵列基板上的有机发光层(图中未示出)。

参见附图3，本实施例中的阵列基板包括衬底基板1和设于衬底基板1上的薄膜晶体管2。其中薄膜晶体管2包括依次层叠设置于衬底基板1上的缓冲层11、有源层3、第一绝缘层41、栅极走线层5、第二绝缘层42、电容极板层6、过孔层7、源漏极层8、平坦化层9和阳极层10。其中源漏极层8包括源极81和漏极82，本实施例中与薄膜晶体管的源漏极层8同层制备形成有走线层，其中走线层包括分布于显示区域(图3中所示为显示区域)和非显示区域(未在图3中显示)的若干导电走线83，位于非显示区域的导电走线83用于与例如邦定区、封装区等需要信号传输的区域电连接。其中第一绝缘层41、第二绝缘层42和过孔层7上形成有允许源极81、漏极82以及走线层的导电走线83通过并与有源层3连通的通孔。

如图3所示，本实施例中的过孔层7由两层无机绝缘层构成，源漏极层8包括图案化成形的源极81和漏极82，其中源极81、漏极82和导电走线83互相分隔设置，且分别穿过过孔层7、第二绝缘层42和第一绝缘层41后与有源层3电连接；优选地，漏极82可以作为给像素提供数据信号的走线。本实施例中的平坦化层9为有机材料绝缘层。

如图3-5所示，本实施例中的走线83为例如图1所示的相互分离设置的金属导电走线，导电走线83通过图案化处理刻蚀形成金属网格结构或线条结构，其中本实施例中的走线层与薄膜晶体管中的漏源极层8同层制备，即通过对预先形成于第二绝缘层42上的第二金属层图案化处理获得源极81、漏源82和走线层。

为使导电走线83便于与邦定区电、封装区等其他需要信号传输的区域电连接，需要将平坦化层9上与走线层非显示区域对应的暴露区域挖开，使得位于非显示区域的导电走线83暴露。如图5所示，平坦化层9上与走线层非显示区域位置对应处设有贯穿平坦化层83的开口槽91，使非显示区域的导电走线83暴露于开口槽91内。本实施例中采用曝光后显影的方式形成开口槽91以使平坦化层9下方处于非显示区域的导电走线83暴露。

形成上述阵列基板后，可通过在阳极层10上设有有机发光层(未在图中示出)由此获得一种有机发光显示装置。其中有源层3的材料选自但不限于单晶硅；阳极层10的材料选自但不限于氧化铟锡。

本发明的阵列基板的制备方法，具体包括如下步骤：

A：在衬底基板1上直接成形有缓冲层11；在缓冲层11上形成多晶硅层，对多晶硅层刻蚀进行图案化处理，最后清洗得到有源层3；

B：在有源层3上依次形成第一绝缘层41、栅极走线层5、第二绝缘层42、电容极板层6和过孔层7，其中过孔层7为两层无机绝缘层，栅极走线层5通过第一金属层图案化形成；

C：对有源层3上方的过孔层7、第二绝缘层42和第一绝缘层41进行刻蚀形成暴露有源层3的若干通孔；

D：在过孔层7上形成第二金属层，第二金属层通过过孔层7、第二绝缘层42和第一绝缘层41上的通孔与有源层3电连接，通过对第二金属层刻蚀图案化处理，形成分隔开的源极81、漏极82和导电走线83；

E：如图3所示，在源漏极层8上形成平坦化层9，并通过对漏极82上方对应的平坦化层9刻蚀形成有暴露漏极82的通孔92；

F：如图3所示，然后在平坦化层9上形成第三金属层102，第三金属层102穿过通孔92与漏极82电连接；

G：如图3所示，再以掩膜103对第三金属层102刻蚀进行图案化处理，形成阳极层10，同时通过该图案化处理去除第三金属层102上与走线层非显示区域对应的部分，如图4所示，使与该非显示区域部分对应的平坦化层9暴露；

H：如图5所示，将平坦化层9上与走线层非显示区域对应的暴露区域刻蚀掉形成开口槽91，以使位于走线层非显示区域的导电走线83暴露；

I：将走线层中位于开口槽91内的金属导电走线83与邦定区或封装区电连接。

上述阵列基板经过后续备有机发光层的步骤：于顶层阳极层10上依次形成有机材料层和阴极层(未在图中显示)；从而得到有机发光显示装置。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

2.根据根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S3之后还包括：将所述走线层中位于所述开口槽内的金属导线与邦定区或封装区电连接。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤S2包括：对所述金属层图案化处理形成所述电极层，并通过所述图案化处理去除所述金属层上与所述走线层非显示区域对应的部分。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：步骤S3中形成所述开口槽的步骤包括：刻蚀所述平坦化层的所述暴露区域形成所述开口槽。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的制备方法，其特征在于：

步骤S1中还包括制备所述薄膜晶体管的步骤：：

6.根据根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述走线层与所述薄膜晶体管中的漏源极层同层制备。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：同层制备所述走线层与所述漏源极层的步骤包括：对预先形成于所述第二绝缘层上的金属层图案化处理获得所述漏源极层和所述走线层。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：步骤S11中在所述基板衬底上形成有源层的步骤包括：在衬底基板上形成有缓冲层，在所述缓冲层上形成多晶硅层，图案化处理所述多晶硅层形成有所述有源层。

9.一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如权利要求1-8中任意一项所述的阵列基板的制备方法，其中所述电极层构成为阳极层，在所述阳极层上制备有机发光层。

10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于：制备有机发光层的步骤包括：在所述阳极层上形成有机材料层和阴极层。