CN107706224A - 一种显示面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示面板的制作方法，在有源层上通过沉积、黄光、蚀刻制程制备两个栅极，在第一层间绝缘层上沉积第二层间绝缘层，第二层间绝缘层为有机膜层，可以起到缓冲作用和粘结上下层的作用，也增加第一接触孔的孔深，在形成第一接触孔的对应第二层间绝缘层能通过黄光、蚀刻制程去掉，从而使第一接触孔的孔深降低了，然后沉积形成源源漏极就避免了过长而导致易断裂的问题，将第一接触孔的孔深降低同时也降低了形成源漏极的工艺难度。本发明还提供一种显示面板。

Description

一种显示面板及其制作方法

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法。

背景技术

AMOLED是英文Active-matrix organic light emitting diode的简写，中文全称是有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体，由于有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)面板具有反应速度较快、对比度高、视角较广等特点，因而越来越多的应用在便携式终端(例如，手机、平板电脑等)、电视机、车载终端、个人电脑等具有显示设备的终端上,被称为下一代显示技术。

目前在制备AMOLED的显示面板的工艺一般为在基板上形成缓冲层，然后依次在缓冲层上通过沉积、黄光、蚀刻制程形成驱动TFT和栅极绝缘层、层间绝缘层，然后在层间绝缘层上依次形成平坦层、阳极、像素定义层和光阻间隙物。本发明在现有工艺基础之上提供一种改进的工艺制程，提高良品率。

发明内容

为了提供一种改进的工艺制程和提高良品率的解决方案，本发明提供一种显示面板的制作方法，具体技术方案如下：

一种显示面板的制作方法,所述制造方法包括如下步骤:

S1：提供一基板,在该基板上沉积形成缓冲层；

S2：在缓冲层上形成有源层；

S3：在所述缓冲层上沉积形成第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层覆盖所述有源层；

S4：在所述第一栅极绝缘层上沉积并图案化第一金属层，形成第一栅极，所述第一栅极位于有源层上方；

S5：在第一栅极上沉积第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极；

S6：在所述第二栅极绝缘层上沉积并图案化第二金属层，形成第二栅极，所述第二栅极位于第一栅极上方；

S7：在所述第二栅极上沉积第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层覆盖所述第二栅极；

S8：在所述第一层间绝缘层上沉积第二层间绝缘层，然后通过黄光、蚀刻制程把对应于有源层上方的第二层间绝缘层蚀刻掉形成空白区，只保留空白区以外的第二层间绝缘层；

S9：在所述第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第一层间绝缘层上与所述有源层的两端对应的位置形成第一接触孔；

在所述第一层间绝缘层上的空白区形成源漏极，所述源漏极通过第一接触孔与有源层电连接；

S10：在所述第一层间绝缘层上并覆盖源漏极和第二层间绝缘层上形成平坦层；以及在所述平坦层上形成发光功能层。

优选的，所述S2步骤中在缓冲层上形成有源层是在缓冲层上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行分子激光退回处理，使得该非晶硅层结晶、转变为多晶硅层，并通过黄光、蚀刻制程对多晶硅层进行图案化处理，形成多晶硅段，接着通过沉积、黄光、蚀刻制程在多晶硅段两端形成源漏极接触区。

优选的，所述发光功能层在所述平坦层上依次形成的阳极、第二接触孔、像素定义层和光阻间隙物，所述阳极通过第二接触孔电连接源漏极。

优选的，所述第二层间绝缘层为有机膜层，所述有机膜层的材料为有机材料或者有机胶。

优选的，所述源漏极与第一栅极之间相互间隔的距离为0.15-0.5μm，所述第一栅极和第二栅极相互平行，在垂直方向上相互间隔距离为0.001-0.01μm。

优选的，所述第一栅极绝缘层的厚度为0.1-0.15μm，第二栅极绝缘层的厚度为0.1-0.15μm。

优选的，所述第一栅极绝缘层的厚度为0.13μm，第二栅极绝缘层的厚度为0.12μm。

优选的，所述第一层间绝缘层的厚度为0.4-0.6μm，第二层间绝缘层的厚度为1.4-1.6μm。

优选的，所述第一层间绝缘层的厚度为0.5μm，第二层间绝缘层的厚度为1.5μm。

优选的，所述第一栅极和第二栅极的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的组合。

优选的，所述缓冲层的材料为氮化硅、氧化硅或者两者的组合；所述第一层间绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅或者两者的组合。

优选的，所述阳极的材料为氧化铟锡/银/氧化银锡复合材料。

本发明还提供一种显示面板，所述显示面板包括：

基板；

设于所述基板上的缓冲层；

设于所述缓冲层上的有源层；

设于所述缓冲层上并包覆所述有源层的第一栅极绝缘层；

设于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极，所述第一栅极位于有源层正上方；

设于第一栅极绝缘层上并包覆所述第一栅极的第二栅极绝缘层；

设于第二栅极绝缘层上的第二栅极，所述第二栅极位于第一栅极正上方；

设于第二栅极绝缘层上并包覆所述第二栅极的第一层间绝缘层；

设于第一层间绝缘层上的源漏极；

在所述第一层间绝缘层上与有源层不重合的非显示区域上设置有第二层间绝缘层；

设于所述第一层间绝缘层上并包覆源漏极和第二层间绝缘层上的平坦层；

以及设于所述平坦层上的发光功能层。

所述有源层包括多晶硅段和多晶硅段两端的源漏极接触区。

所述显示区域对应于有源层正上方的去掉的第二层间绝缘层的区域，与上面所述的空白区对应。

优选的，所述第二层间绝缘层为有机膜层，所述有机膜层的材料为有机材料或者有机胶。

优选的，所述源漏极与第一栅极之间相互间隔的距离为0.15-0.5μm，所述第一栅极和第二栅极相互平行，在垂直方向上相互间隔距离为0.001-0.01μm。

优选的，所述第一栅极绝缘层的厚度为0.1-0.15μm，第二栅极绝缘层的厚度为0.1-0.15μm。

优选的，所述第一栅极绝缘层的厚度为0.13μm，第二栅极绝缘层的厚度为0.12μm。

优选的，所述第一层间绝缘层的厚度为0.4-0.6μm，第二层间绝缘层的厚度为1.4-1.6μm。

优选的，所述第一层间绝缘层的厚度为0.5μm，第二层间绝缘层的厚度为1.5μm。

优选的，所述发光功能层为设于所述平坦层上的阳极、第二接触孔、像素定义层和光阻间隙物，所述阳极通过第二接触孔电连接源漏极。

本发明的有益效果：本发明提供制备显示面板的方法在S8步骤中在第一层间绝缘层上沉积第二层间绝缘层，第二层间绝缘层为有机膜层，可以起到缓冲作用和粘结上下层的作用；本发明显示面板具有两个栅极，分别为第一栅极和第二栅极，两个栅极分别起到控制不同像素开关的作用；但上述增加的有机膜层和两个栅极虽然提高了显示面板的韧性和显示效果，但同时也增加第一接触孔的孔深，为此本发明通过在S8步骤中将形成第一接触孔的对应有机膜层区域(第二层间绝缘层)通过黄光、蚀刻制程去掉，从而使第一接触孔的孔深降低了，然后沉积形成源漏极就避免了过长而导致易断裂的问题，因为源漏极本身是金属形成的，而且从第一栅极绝缘层贯穿到第一层间绝缘层，具有一定的长度易断裂，因此将第一接触孔的孔深降低同时也降低了形成源漏极的工艺难度。

附图说明

为更清楚地阐述本发明的构造特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。

图1本发明制造的显示面板的剖面示意图：

其中10为基板，20为缓冲层，30为第一栅极绝缘层，40为第二栅极绝缘层，50为第一层间绝缘层，60为第二层间绝缘层，70为平坦层，80为像素定义层，90为阳极，110为光阻间隙物，301为源漏极接触区，302为多晶硅段，304为第一接触孔，305为源漏极,41为第一栅极，51为第二栅极，91为第二接触孔，140为空白区。

图2为本发明先通过黄光、蚀刻去掉有源层对应上方的第二层间绝缘层的示意图。

图3为本发明显示面板的制造流程图。

图4为为没有通过黄光、蚀刻去掉有源层对应上方的第二层间绝缘层的显示面板的剖面示意图。

图5为图4显示面板的第一接触孔部分剖面放大图。

图6为直接在第二层间绝缘层上通过黄光、蚀刻形成第一接触孔的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清除、完整地描述。所描述的实施例仅仅是发明的一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例

请参阅图1-图3，图1为本发明第一实施例制造方法得到的显示面板的结构示意图，图2为通过黄光蚀刻法去掉有源层对应上方的第二层间绝缘层的示意图，图3为本发明第一实施例提供一种显示面板的制造方法的流程图。本发明制造方法包括如下步骤:

S1：提供一基板10,在该基板10上沉积形成缓冲层20。

S2：在缓冲层20上形成有源层(图中未标识)。所述有源层包括多晶硅段301和源漏极接触区302，所述源漏极接触区302位于多晶硅段301的两端。

S3：在所述有源层上沉积形成第一栅极绝缘层30。所述第一栅极绝缘层30包覆所述形成于缓冲层20上的有源层。所述第一栅极绝缘层30除覆盖所述有源层以外的区域与缓冲层20相接触。

S4：在所述第一栅极绝缘层30上沉积形成第一金属层(图中未标识))，对第一金属层进行图案化以形成第一栅极41，所述第一栅极41位于有源层正上方，第一栅极41所在的平面与有源层所在的平面大致平行，且在垂直方向上相互间隔一定距离。

S5：在第一栅极41上沉积第二栅极绝缘层40，所述第二栅极绝缘层40包覆所述第一栅极41。所述第二栅极绝缘层40除覆盖所述第一栅极41以外的区域与第一栅极绝缘层相接触。

S6：在所述第二栅极绝缘层40上沉积形成第二金属层，对第二金属层进行图案化形成第二栅极51。所述第二栅极位于第一栅极的正上方，与第一栅极在垂直方向上相互间隔一定距离。

S7：在所述第二栅极51上沉积形成第一层间绝缘层50，所述第一层间绝缘层50包覆所述第二栅极51。所述第一层间绝缘层50除覆盖所述第二栅极以外的区域与第二栅极绝缘层相接触。

S8：在所述第一层间绝缘层50上沉积形成第二层间绝缘层60。然后通过黄光、蚀刻制程把对应于有源层上方的第二层间绝缘层区域去掉，形成空白区140，只保留空白区140以外的第二层间绝缘层60。

S9：在所述第一栅极绝缘层30、第二栅极绝缘层40和第一层间绝缘层50上与所述有源层的两端对应的位置形成第一接触孔304；

在所述第一层间绝缘层50上的空白区140形成源漏极305，所述源漏极305通过第一接触孔304与有源层电连接。所述源漏极305电连接于有源层的源漏极接触区302。

S10：在所述第一层间绝缘层50上并覆盖源漏极305和第二层间绝缘层60上形成平坦层70；以及在所述平坦层70上形成发光功能层(图中未示出)。所述发光功能层在所述平坦层70上依次形成的阳极70、第二接触孔91、像素定义层80和光阻间隙物110，所述阳极90通过第二接触孔91电连接源漏极305。

在上述S4和S6步骤中形成两个栅极，分别为第一栅极和第二栅极，两个栅极分别起到控制不同像素开关的作用。

进一步的实施例，第二层间绝缘层60为有机膜层，所述有机膜层的材料为有机材料或者有机胶。可以起到缓冲作用和粘结上下层的作用。

在上述S8步骤中在第一层间绝缘层上沉积第二层间绝缘层，第二层间绝缘层为有机膜层，可以起到缓冲作用和粘结上下层的作用。但上述增加的有机膜层和两个栅极虽然提高了显示面板的韧性和显示效果，但同时也增加第一接触孔的孔深，为此本发明通过在S8步骤中将形成第一接触孔的对应空白区140的有机膜层区域通过黄光、蚀刻制程去掉，从而使第一接触孔的孔深降低了，然后沉积形成源漏极就避免了过长而导致易断裂的问题，因为源漏极本身是金属形成的，而且从第一栅极绝缘层贯穿到第一层间绝缘层，具有一定的长度易断裂，因此将第一接触孔的孔深降低同时也降低了形成源漏极的工艺难度。。

进一步的实施例，所述S2中在缓冲层20上形成有源层是在缓冲层20上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行分子激光退火处理，使得该非晶硅层结晶转变为多晶硅层，并通过黄光、蚀刻制程对多晶硅层进行图案化处理，形成多晶硅段302，接着通过沉积、黄光、蚀刻制程在多晶硅段两端形成源漏极接触区301。

所述多晶硅段302、源漏极接触区301、第一栅极41和第二栅极51和源漏极305构成驱动TFT。

进一步的实施例，所述源漏极305与第一栅极41之间相互间隔的距离为0.15-0.5μm，所述第一栅极41和第二栅极51相互平行，在垂直方向上相互间隔距离为0.001-0.01μm。

进一步的实施例，所述第一栅极绝缘层30的厚度为0.1-0.15μm，第二栅极绝缘层40的厚度为0.1-0.15μm。

进一步的实施例，所述第一栅极绝缘层30的厚度为0.13μm，第二栅极绝缘层40的厚度为0.12μm。

进一步的实施例，所述第一层间绝缘层50的厚度为0.4-0.6μm，第二层间绝缘层60的厚度为1.4-1.6μm。

进一步的实施例，所述第一层间绝缘层50的厚度为0.5μm，第二层间绝缘层60的厚度为1.5μm。

进一步的实施例，所述第一栅极41和第二栅极51的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的组合。

进一步的实施例，所述缓冲层20的材料为氮化硅、氧化硅或者两者的组合；所述第一层间绝缘层50的材料为氧化硅、氮化硅或者两者的组合。

进一步的实施例，所述阳极80的材料为氧化铟锡/银/氧化银锡复合材料。

请再次参看图1，本发明还提供一种显示面板。所述显示面板包括：

基板10，设于所述基板10上的缓冲层20。所述缓冲层20的材料为氮化硅、氧化硅或者两者的组合。设于所述缓冲层20上的有源层。所述有源层在图中未示出，所述有源层包括多晶硅段302、沟道区和源漏极接触区301，所述源漏极接触区301位于多晶硅段302的两端。

设于所述缓冲层20上并包覆所述有源层的第一栅极绝缘层30。所述第一栅极绝缘层30的材料可以为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的组合。

在所述第一栅极绝缘层30上设有第一栅极41，在第一栅极绝缘层30上并包覆所述第一栅极41的部分设有第二栅极绝缘层40。所述第二栅极绝缘层40除覆盖所述第一栅极41以外的区域与第一栅极绝缘层30相接触。第二栅极绝缘层40的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的组合，可以与第一栅极绝缘层30的材料相同或者不相同。

在所述第二栅极绝缘层40上还设置有第二栅极51，在第二栅极绝缘层40上并包覆所述第二栅极51的部分设有第一层间绝缘层50。所述第一层间绝缘层50除覆盖所述第二栅极51以外的区域与第二栅极绝缘层40相接触。第一层将绝缘层50的材料可以为氧化硅、氮化硅或者两者的组合。

在第一层间绝缘层50上设有源漏极305，所述源漏极305与源漏极接触区301之间设于第一接触孔304，所述源漏极305通过第一接触孔304与有源层的源漏极301电连接。源漏极305从第一栅极绝缘层贯穿到第一层间绝缘层。

上面所述多晶硅段302、源漏极接触区301、第一栅极41和第二栅极51和源漏极305构成驱动TFT。

在所述第一层间绝缘层50上但在水平方向上与有源层不重合的非显示区域上设置有第二层间绝缘层60。即在空白区140(显示区域)以外设有第二层间绝缘层60。所述第二层间绝缘层60为有机膜层，有机膜层的材料为有机材料或者有机胶，可以起到缓冲作用和粘结上下层的作用。

在所述第一层间绝缘层50上并包覆源漏极305和第二层间绝缘层60上设有平坦层70，以及设于所述平坦层70上的发光功能层(图中未示出)。

进一步的实施例中，所述发光功能层为设于所述平坦层70上的阳极90、第二接触孔91、像素定义层80和光阻间隙物110，所述阳极90通过第二接触孔91电连接源漏极305。所述阳极80的材料为氧化铟锡/银/氧化银锡复合材料，所述平坦层70为透明树脂材料。

进一步的实施例，所述源漏极305与第一栅极41之间相互间隔的距离为0.15-0.5μm，所述第一栅极41和第二栅极51相互平行，在垂直方向上相互间隔距离为0.001-0.01μm。

进一步的实施例，所述第一栅极绝缘层30的厚度为0.1-0.15μm，第二栅极绝缘层40的厚度为0.1-0.15μm。

进一步的实施例，所述第一栅极绝缘层30的厚度为0.13μm，第二栅极绝缘层40的厚度为0.12μm。

进一步的实施例，所述第一层间绝缘层50的厚度为0.4-0.6μm，第二层间绝缘层60的厚度为1.4-1.6μm。

进一步的实施例，所述第一层间绝缘层50的厚度为0.5μm，第二层间绝缘层60的厚度为1.5μm。

本发明显示面板的TFT驱动设有两个栅极，分别为第一栅极和第二栅极，两个栅极分别起到控制不同像素开关的作用。

本发明显示面板的第一层间绝缘层上设有第二层间绝缘层，第二层间绝缘层可以为有机膜层，可以起到缓冲作用和粘结上下层的作用。但上述增加的有机膜层和两个栅极虽然提高了显示面板的韧性和显示效果，但同时也增加第一接触孔的孔深，为此本发明将第一接触孔的对应有机膜层区域通过黄光、蚀刻制程去掉，从而使第一接触孔的孔深降低了，然后沉积形成源源漏极就避免了过长而导致易断裂的问题，将第一接触孔的孔深降低同时也降低了形成源漏极的工艺难度，提高显示面板的良品率。

对比实施例

为了便于理解本发明，在本实施例中还提供本发明的对比实施例用以说明本发明技术方案的发明构思和创新。如图4所述，图4是为没有通过黄光、蚀刻去掉有源层对应上方的第二层间绝缘层的显示面板的剖面示意图。可以看到，图4的第一接触孔的深度比图1的第一接触孔的深度要深。结合图5，图5是图1中的第一接触孔部分剖面放大图。其中第二层间绝缘层60的厚度为1.5μm，第一层间绝缘层50的厚度为0.5μm，第二栅极绝缘层40的厚度为0.12μm，第一栅极绝缘层30的厚度为0.13μm。

如果采用图6的方法进行黄光、蚀刻，如图6所示，将光罩膜130置于第二层间绝缘层60的上方，图案化形成第一接触孔304，通过光线120照射后，再通过蚀刻在第二层间绝缘层上形成第一接触孔304。此时第一接触孔304的深度为第二层间绝缘层60、第一层间绝缘层50、第二栅极绝缘层40、第一栅极绝缘层30四层厚度相加约为2.3μm。

但是如果采用本发明实施例的方法进行黄光、蚀刻，如图2所示，在第二层间绝缘层60对应于有源层的上方即空白区140所示的区域通过黄光、蚀刻制程去掉，此时第一接触孔的深度为第一层间绝缘层50、第二栅极绝缘层40、第一栅极绝缘层30三层厚度相加约为0.6μm，这相对于图6的方法将第一接触孔的深度减小了1.5μm，约65％，大大降低了工艺难度，同时由于降低了第一接触孔304的深度，在进行沉积金属薄膜形成源漏极时不容易发生断裂问题，大大提高了显示面板的良品率。

因此，本发明采用的制造方法即保证了显示面板的韧性和显示效果要求，又降低了形成源漏极的工艺难度，保证了良品率。

以上所述是本发明的优选实施例，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也是为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述制造方法包括如下步骤:

S1：提供一基板,在该基板上沉积形成缓冲层；

S2：在缓冲层上形成有源层；

S3：在所述缓冲层上沉积第一栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层覆盖所述有源层；

S4：在所述第一栅极绝缘层上沉积并图案化第一金属层，形成第一栅极，所述第一栅极位于有源层正上方；

S5：在第一栅极上沉积第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极；

S6：在所述第二栅极绝缘层上沉积并图案化第二金属层，形成第二栅极，所述第二栅极位于第一栅极正上方；

S7：在所述第二栅极上沉积第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层覆盖所述第二栅极；

S8：在所述第一层间绝缘层上沉积第二层间绝缘层，然后通过黄光、蚀刻制程把对应于有源层上方的第二层间绝缘层蚀刻掉形成空白区，只保留空白区以外的第二层间绝缘层；

S9：在所述第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第一层间绝缘层上与所述有源层的两端对应的位置形成第一接触孔；

在所述第一层间绝缘层上的空白区形成源漏极，所述源漏极通过第一接触孔与有源层电连接；

S10：在所述第一层间绝缘层上并覆盖源漏极和第二层间绝缘层上形成平坦层；以及在所述平坦层上形成发光功能层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述S2步骤中在缓冲层上形成有源层是在缓冲层上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行分子激光退火处理，使得该非晶硅层结晶、转变为多晶硅层，并通过黄光、蚀刻制程对多晶硅层进行图案化处理，形成多晶硅段，接着通过沉积、黄光、蚀刻制程在多晶硅段两端形成源漏极接触区。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二层间绝缘层为有机膜层，所述有机膜层的材料为有机材料或者有机胶。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一栅极和第二栅极的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的组合。

5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

基板；

设于所述基板上的缓冲层；

设于所述缓冲层上的有源层；

设于所述缓冲层上并包覆所述有源层的第一栅极绝缘层；

设于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极，所述第一栅极位于有源层正上方；

设于第一栅极绝缘层上并包覆所述第一栅极的第二栅极绝缘层；

设于第二栅极绝缘层上的第二栅极，所述第二栅极位于第一栅极正上方；

设于第二栅极绝缘层上并包覆所述第二栅极的第一层间绝缘层；

设于第一层间绝缘层上的源漏极；

在所述第一层间绝缘层上与有源层不重合的非显示区域上设置有第二层间绝缘层；

设于所述第一层间绝缘层上并覆盖源漏极和第二层间绝缘层上的平坦层；

以及设于所述平坦层上的发光功能层。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二层间绝缘层为有机膜层，所述有机膜层的材料为有机材料或者有机胶。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述源漏极与第一栅极之间相互间隔的距离为0.15-0.5μm，所述第一栅极和第二栅极在相互平行，在垂直方向上相互间隔距离为0.001-0.01μm。

8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为0.1-0.15μm，第二栅极绝缘层的厚度为0.1-0.15μm。

9.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一层间绝缘层的厚度为0.4-0.6μm，第二层间绝缘层的厚度为1.4-1.6μm。

10.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述发光功能层为设于所述平坦层上的阳极、第二接触孔、像素定义层和光阻间隙物，所述阳极通过第二接触孔电连接源漏极。