CN110391255A - 一种tft阵列基板、其制备方法及其显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种TFT阵列基板，其包括衬底层。所述衬底层上设置有功能层，所述功能层上设置有平坦层。其中所述平坦层包括伸入到所述功能层内的竖直插入部，而所述竖直插入部的一侧部向外沿所述功能层的内部水平向延伸出有水平插入部。本发明提供了一种TFT阵列基板，其采用新型的层间结构设置方式，有效的降低了不同层间存在的潜在相互脱离风险，进而提高了产品的稳定性。

Description

一种TFT阵列基板、其制备方法及其显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其是，其中涉及的一种TFT阵列基板、其制备方法及其显示面板。
背景技术
已知，TFT阵列基板是通过层叠设置不同的功能层，来构成不同功能的电器元件，进而实现其设计功能的。
而不同的功能层之间由于采用的材料不同，且相接触的表面之间均为平面接触，如此就会使得两相接触的功能层表面之间的结合力并不一定很强。例如，功能层中包括的常见的平坦层(PLN，Planarizationlayer)和层间介质层(ILD，InterLayer Dielectric)之间，两者之间由于是平面表面接触，使得两者接触面间的附着力就不是很强，两者之间存在一定的潜在相互脱离的风险，也就是业界通常所说的Peeling问题。
对此，业界采用的解决方案是增加一个通孔，使得所述平坦层的一部分如楔形结构一样，伸入到所述层间介质层内，甚至在进一步的伸入到其下方的功能层中的绝缘层内。如此，通过其深入的楔形结构使得两者间的结合力增强，从而可在一定程度上改善两者之间的Peeling问题。
但是，当所述TFT阵列基板需要进行弯折时，由于其弯折的状态，明显会使得不同层间的脱离风险显著上升，而上述增加的楔形插入结构并不能很好的解决这种问题，反而存在因为弯折，而使得所述楔形结构更容易的从所述通孔中抽出的问题。
进一步的，当不同功能层间的剥离现象发生时，表现出的最明显的问题，就是显示屏显示异常问题，这也就导致了产品的稳定性出现问题。因此，确有必要来开发一种新型的TFT阵列基板，来克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种TFT阵列基板，其采用新型的层间结构设置方式，有效的降低了不同层间存在的潜在相互脱离风险，进而提高了产品的稳定性。
本发明采用的技术方案如下：
一种TFT阵列基板，包括衬底层。所述衬底层上设置有功能层，所述功能层上设置有平坦层。其中所述平坦层包括伸入到所述功能层内的竖直插入部，而所述竖直插入部的一侧部向外沿所述功能层的内部水平向延伸出有水平插入部。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述竖直插入部的两侧部分别向外延伸出有相对设置的第一水平插入部和第二水平插入部。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述功能层包括层叠设置的金属层和绝缘层，其中所述水平插入部是设置在所述绝缘层中。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述绝缘层包括第一绝缘层和其上设置的第二绝缘层，其中所述水平插入部设置在所述第一绝缘层中。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述绝缘层包括第一绝缘层和其上设置的第二绝缘层，其中所述水平插入部设置在所述第二绝缘层中。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述绝缘层包括第一绝缘层和其上设置的第二绝缘层，其中所述水平插入部包括第一水平插入部和第二水平插入部，其中所述第一水平插入部设置在所述第一绝缘层中，所述第二水平插入部设置在所述第二绝缘层中。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述功能层还包括层间介质层，所述平坦层设置在所述层间介质层上，其中所述水平插入部设置在所述层间介质层中。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述功能层包括层叠设置的金属层、绝缘层和层间介质层，其中所述平坦层设置在所述层间介质层上，其中所述水平插入部设置在所述绝缘层或层间介质层中。
本发明的又一方面是提供一种本发明涉及的所述TFT阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S1、提供一衬底层，并于其上形成功能层，其中在形成所述功能层中的金属层时，除了保留电极层外，还要保留一预定位置处的预留金属层；
步骤S2、于所述功能层上进行平坦层的前曝光显影，以及形成伸入到所述功能层内的过孔，其中所述过孔的侧部与所述预留金属层相接；
步骤S3、去除所述预留金属层；然后进行所述平坦层的涂布以及对所述过孔和去除了所述预留金属层位置的填充，其中填充完成后，所述过孔位置处的填充平坦层部为所述竖直插入部，而所述预留金属层位置处的填充平坦层部则为与所述竖直插入部的侧部相接的所述水平插入部。
进一步的，本发明的又一方面是提供一种显示面板，其采用的TFT阵列基板为本发明涉及的所述TFT阵列基板。
相对于现有技术，本发明的有益效果是：本发明涉及的一种TFT阵列基板，其通过对所述平坦层的竖直插入部设置新型的水平插入部构型，使得其不是仅仅依靠一个竖直向的楔形结构，而是又增加了一个水平向的楔形结构，通过两者间的结合，使得所述平坦层和其下方设置的功能层之间的结合更为紧密，即使在弯折的情况下，也不易发生不同层间的peeling问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的一个实施方式中提供的一种TFT阵列基板的结构示意图；
图2为本发明的又一个实施方式中提供的一种TFT阵列基板的制备方法，其步骤S1完成后的结构示意图；
图3为图2所述的TFT阵列基板制备方法，其步骤S2完成后的结构示意图；
图4为本发明的又一个实施方式中提供的一种TFT阵列基板的结构示意图；
图5为本发明的又一个实施方式中提供的一种TFT阵列基板的结构示意图；
图6为本发明的又一个实施方式中提供的一种TFT阵列基板的结构示意图；
图7为本发明的又一个实施方式中提供的一种TFT阵列基板的结构示意图；
图8为本发明的又一个实施方式中提供的一种TFT阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图和实施例，对本发明涉及的一种TFT阵列基板、其制备方法及其显示面板的技术方案作进一步的详细描述。
请参阅图1所示，本发明的一个实施方式提供了一种TFT阵列基板，其包括衬底层100。
所述衬底层100上依次设置有障碍层(Barrier)101、缓冲层102、功能层110和平坦层120。其中所述功能层110为多层层叠结构的统称，其内通常包括多层层叠设置的绝缘层，这些绝缘层内设置有功能金属层，而为了突出本案的重点，暂时将这些叠层结构统称为功能层110，而在后续的实施方式中，将会对所述功能层进行举例式的展开说明。
进一步的，如图1中所示，所述平坦层120除了设置向下深入所述功能层110内的倒梯形的竖直插入部121外，还会在所述竖直插入部121的两侧部上分别设置有水平延伸出的第一水平插入部122和第二水平插入部124。
其中为方便区别以及清楚说明，可将位于所述竖直插入部121左侧的水平插入部定义为第一水平插入部122，而位于其右侧的水平插入部为第二水平插入部124，但此仅为描述方便，而非限定，所述第一水平插入部122和所述第二水平插入部124均为实施相同功能的水平插入部，两者并无实质上的功能区别，若有区别，也只是在构型上有所不同。
在其他不同实施方式中，其中所述水平插入部可以是只设置一个，或者是，所述第一水平插入部122和第二水平插入部124的构型不同，或者是，所述第一水平插入部122和第二水平插入部124不是同层设置等等，具体不同实施方式，可参见后续说明。
进一步的，为保证配接的效果，其中所述水平插入部122、124的侧端部为具有一定倾角的梯形构型。而在其他实施方式中，其中所述水平插入部的侧端部也可以是锯齿状构型、波浪曲线构型等等能有效增加所述侧端部与其相接功能层表面接触面积的构型，具体可随需要而定，并无限定。
进一步的，本发明的又一个实施方式是提供一种本发明涉及的所述TFT阵列基板的制备方法，包括有以下步骤。
步骤S1、提供一衬底层100，并于其上形成障碍层101、缓冲层102以及功能层110，其中在形成所述功能层中的金属层时，除了保留电极层外，还要保留预定位置的两间隔设置的预留金属层103、104，其中完成后的结构如图2所示，其中所述功能层依旧未图示出具体的细节结构，其可能实施的具体层级结构可参阅后续说明。
另外，在其他不同实施方式中，所述预留金属层103、104可以不是如图2中所示的同层间隔设置，其也可以是不同层的水平相互间隔设置方式，具体可随需要而定，并无限定。另外，其中涉及的举例式的实施方式，可参看后续说明。
步骤S2、于所述功能层110上进行平坦层120的前曝光显影，以及通过干刻的方式刻蚀伸入到所述功能层内的过孔130，其中所述过孔130的两侧部分别与所述预留金属层103、104相接，完成后的图示请参阅图3所示。
步骤S3、通过湿刻法去除所述预留金属层103、104，以及进行所述平坦层120的涂布，以及同时对所述过孔130和去除了所述预留金属层103、104位置处的平坦层部填充，完成后的结构即为图1所示的结构。
进一步的，以下将结合附图对上述实施方式中涉及的所述功能层110进行举例式的展开细节结构的描述，同时对于所述平坦层120的水平延伸部，也会给出多个实施结构。
请参阅图4所示，其图示了本发明涉及的又一个实施方式提供的一种TFT阵列基板的结构。
如图4中所示，其中所述功能层110具体包括层叠设置的有源层111、第一栅极层112、第一绝缘层113、第二栅极层114、第二绝缘层115、源漏极层116、118以及层间介质层117。需要明确的是，这一功能层110的细节描述仅为举例式描述，并不限于。
其中所述平坦层120设置的竖直插入部121呈倒梯形构型，其底部伸入到所述第一绝缘层113中，而分别设置在所述竖直插入部121两侧部的第一水平插入部122和第二水平插入部124则是同层设置在所述第二绝缘层115中。
进一步的，在其他不同实施方式中，其中所述设置在所述竖直插入部121两侧部的第一水平插入部122和第二水平插入部124，也可以是同层设置在所述层间介质层117中。或者是在所述第二绝缘层115以及层间介质层117中的每一层内均设置有所述第一水平插入部122和第二水平插入部124，具体结构图示，可分别参阅图5、6所示。
进一步的，请参阅图7所示，其图示了本发明涉及的又一个实施方式提供的一种TFT阵列基板的结构。
其中与图4、5及6所示的实施方式不同之处在于，所述第一水平插入部122和所述第二水平插入部124采用了不同层且不同侧的设置方式，即两者分别位于所述竖直插入部121不同侧的所述第二绝缘层115和层间介质层117中。
进一步的，请参阅图8所示，其图示了本发明涉及的又一个实施方式提供的一种TFT阵列基板的结构。
其中与图7所示实施方式不同之处在于，所述第一水平插入部122和所述第二水平插入部124采用了不同层但同侧的设置方式，即两者分别位于所述竖直插入部121的同一侧的所述第二绝缘层115和层间介质层117中。
进一步的，本发明的又一方面是提供一种显示面板，其采用的TFT阵列基板为本发明涉及的所述TFT阵列基板。
本发明涉及的一种TFT阵列基板，其通过对所述平坦层的竖直插入部设置新型的水平插入部构型，使得其不是仅仅依靠一个竖直向的楔形结构，而是又增加了一个水平向的楔形结构，通过两者间的结合，使得所述平坦层和其下方设置的功能层之间的结合更为紧密，即使在弯折的情况下，也不易在不同层间发生peeling问题。
本发明的技术范围不仅仅局限于上述说明中的内容，本领域技术人员可以在不脱离本发明技术思想的前提下，对上述实施例进行多种变形和修改，而这些变形和修改均应当属于本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种TFT阵列基板，包括衬底层；其中所述衬底层上设置有功能层，所述功能层上设置有平坦层，其中所述平坦层包括伸入到所述功能层内的竖直插入部；其特征在于，其中所述竖直插入部的一侧部向外沿所述功能层的内部水平向延伸出有水平插入部。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述竖直插入部的两侧部分别向外延伸出有相对设置的第一水平插入部和第二水平插入部。
3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述功能层包括层叠设置的金属层和绝缘层，其中所述水平插入部是设置在所述绝缘层中。
4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述绝缘层包括第一绝缘层和其上设置的第二绝缘层，其中所述水平插入部设置在所述第一绝缘层中。
5.根据权利要求3所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述绝缘层包括第一绝缘层和其上设置的第二绝缘层，其中所述水平插入部设置在所述第二绝缘层中。
6.根据权利要求3所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述绝缘层包括第一绝缘层和其上设置的第二绝缘层，其中所述水平插入部包括第一水平插入部和第二水平插入部，其中所述第一水平插入部设置在所述第一绝缘层中，所述第二水平插入部设置在所述第二绝缘层中。
7.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述功能层还包括层间介质层，所述平坦层设置在所述层间介质层上，其中所述水平插入部设置在所述层间介质层中。
8.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述功能层包括层叠设置的金属层、绝缘层和层间介质层，其中所述平坦层设置在所述层间介质层上，其中所述水平插入部设置在所述绝缘层或层间介质层中。
9.一种制备根据权利要求1所述TFT阵列基板的制备方法；其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1、提供一衬底层，并于其上形成功能层，其中在形成所述功能层中的金属层时，除了保留电极层外，还要保留一预定位置处的预留金属层；
步骤S2、于所述功能层上进行平坦层的前曝光显影，以及形成伸入到所述功能层内的过孔，其中所述过孔的侧部与所述预留金属层相接；
步骤S3、去除所述预留金属层；然后进行所述平坦层的涂布以及对所述过孔和去除了所述预留金属层位置的填充，其中填充完成后，所述过孔位置处的填充平坦层部为所述竖直插入部，而所述预留金属层位置处的填充平坦层部则为与所述竖直插入部的侧部相接的所述水平插入部。
10.一种显示面板；其特征在于，包括根据权利要求1所述的TFT阵列基板。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206773356U (zh) * 2017-05-19 2017-12-19 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板
CN107658333A (zh) * 2017-10-31 2018-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置
CN107706224A (zh) * 2017-09-30 2018-02-16 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN108231839A (zh) * 2017-12-27 2018-06-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的弯折区结构及其制作方法
CN109065583A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板
CN109065616A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及制造方法
CN109166862A (zh) * 2018-07-25 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制备方法
US10236316B2 (en) * 2010-08-17 2019-03-19 Sony Corporation Display device with separation member including steps

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108550612B (zh) * 2018-05-29 2020-11-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10236316B2 (en) * 2010-08-17 2019-03-19 Sony Corporation Display device with separation member including steps
CN206773356U (zh) * 2017-05-19 2017-12-19 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板
CN107706224A (zh) * 2017-09-30 2018-02-16 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN107658333A (zh) * 2017-10-31 2018-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置
CN108231839A (zh) * 2017-12-27 2018-06-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的弯折区结构及其制作方法
CN109166862A (zh) * 2018-07-25 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制备方法
CN109065583A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板
CN109065616A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及制造方法

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