CN100372099C - 有机发光二极管面板的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管面板的制作方法，其包括提供基板，形成黑色矩阵(Black Matrix)层于该基板上，形成缓冲绝缘层于该黑色矩阵层上，同时图案化该黑色矩阵层以及该缓冲绝缘层，以及形成显示电极及薄膜晶体管于该缓冲绝缘层上。

Description

有机发光二极管面板的制作方法

技术领域

一种制作有机发光二极管面板的方法，尤指一种制造具有黑色矩阵层(Black Matrix)的有机发光显示面板的方法。

背景技术

功能先进的显示器渐成为现今消费电子产品的重要特色，这些新型显示器所发挥的作用，通常会强化使用者对于整体产品的印象。随着显示技术的进步，越来越多的电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、计算机屏幕或笔记型计算机屏幕都配备有高分辨率彩色屏幕的新型显示器。

不同于市面上常见的液晶显示器利用加在液晶像素的电压决定像素亮度，有机发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)发光强度是由LED顺向偏压电流决定像素亮度。有机发光显示器利用自发光技术，不但不需要背光照明，还能提供比液晶显示器更快的响应时间。除此之外，有机发光显示器甚至还有优选的对比值和宽广的视角等优点。目前常见的有源有机发光显示器使用低温多晶硅(low temperature polycrystalline silicon，LTPS)工艺制造的显示器。

请参阅图1，图1是应用在传统有机发光二极管面板的薄膜晶体管(TFT)的结构示意图。习知技术在制作有机发光二极管面板100时，先提供一个玻璃基板102，并设置预定大小的黑色矩阵层(Black Matrix)101于玻璃基板102上。再依序沉积缓冲绝缘层104和一层非晶硅薄膜(未显示)于黑色矩阵层101和玻璃基板102上，并经由准分子激光退火(excimer laser annealing，ELA)等工艺，使此非晶硅薄膜再结晶(recrystallize)成多晶硅薄膜。接着利用进行第一微影蚀刻工艺(photo-etching-process，PEP)，以于多晶硅薄膜蚀刻出所需的半导体层(semiconductor layer)图案，之后再沉积栅极绝缘层(gateinsulator)108覆盖于半导体层106和缓冲绝缘层104表面。

然后再借着金属沉积工艺和第二微影蚀刻来蚀刻出栅极金属110。随后即可利用栅极金属110作为自我对准(self-alignment)屏蔽，对半导体层106进行硼离子等离子注入工艺，以形成源极(source)103和漏极(drain)105。接着沉积一层间绝缘层(inter-layer dielectric，ILD)112，并覆盖栅极金属110和栅极绝缘层108，再进行第三微影蚀刻，用以去除源极103和漏极105上方的部份层间绝缘层112和栅极绝缘层108，以定义出介层洞(via hole)115。然后再进行另一金属沉积工艺，并进行第四微影蚀刻，以蚀刻出信号线、漏极金属等的金属层114在介层洞115表面上，且分别电连接源极103和漏极105。接着沉积一平坦保护层(planarization layer)116于金属层114和层间绝缘层112之上，并进行第五微影蚀刻(PEP)，以去除电连接漏极105的金属层114上方的部分保护层116。然后再形成氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)的透明导电薄膜(未显示)于保护层116上，并进行第六微影蚀刻，以定义出适当大小的显示电极118，随后再于显示电极118表面形成发光二极管120以及阴极金属层(cathode metal layer)122，即完成习知技术中有机发光二极管面板100。

一般像素可分为发光区130以及非发光区132，简单来说，利用黑色矩阵层101阻挡光线的区域即为非发光区132，而光线可穿透的区域130则为发光区。而黑色矩阵层101的目的主要是防止像素间的漏光，以及增加色彩的对比性，而且可以避免使用偏光片(Polarizer)所产生的发光效率耗损问题。目前常用于黑色矩阵层101为金属薄膜，因为蚀刻容易，而且遮光效果好。然而目前的工艺中，黑色矩阵层101制作于最底层，之后再逐层制作其它各层。如图2所示，图2的习知黑色矩阵层101在高温工艺后与晶体管其它各层所产生差异的示意图。在LTPS工艺中，由于工艺的高温会使得玻璃基板收缩，特别是在再结晶的工艺中所产生的温度尤为强烈，因此造成以预先制作好的黑色矩阵层的图案与后续制作的TFT的图案无法配合，导致对位误差(misalignment)。虽然可以利用预先回火的玻璃基板来避免此问题，可是回火玻璃的价格昂贵，并不利于降低成本。

发明内容

有鉴于此本发明提供一种有源矩阵式有机发光二极管面板的制作方法，以解决上述问题。

本发明提供一种有机发光二极管面板的制作方法，包括提供基板；形成黑色矩阵层于该基板上，形成缓冲绝缘层于该黑色矩阵层上，同时图案化该黑色矩阵层以及该缓冲绝缘层，以及形成包含显示电极及薄膜晶体管于该缓冲绝缘层上。

本发明另提供一种有机发光二极管面板的制作方法，其包含提供基板，形成黑色矩阵层于该基板上，形成缓冲绝缘层于该基板上，形成半导体层于该缓冲绝缘层上，同时图案化该黑色矩阵层以及该缓冲绝缘层，以及形成显示电极于该半导体层上。

本发明又提供一种有机电致发光面板的制作方法，包括提供基板，形成黑色矩阵层于该基板上，形成缓冲绝缘层于该黑色矩阵层上，形成栅级金属于该黑色矩阵层上；同时图案化该黑色矩阵层以及该缓冲绝缘层，沉积栅极绝缘层覆盖该栅级金属以及该缓冲绝缘层上，以及形成半导体层及显示电极于该栅极绝缘层上。

本发明提供一种有机发光二极管面板，其包含基板、黑色矩阵层、缓冲绝缘层、薄膜晶体管、显示电极以及发光二极管。该黑色矩阵层设置于该基板上，具有第一图形。该缓冲绝缘层覆盖于该黑色矩阵层上，具有第二图形，且该第二图形大致等于该第一图形。该薄膜晶体管以及该显示电极设置于该缓冲绝缘层的上。该发光二极管覆盖于该显示电极上。

附图说明

图1是应用在传统有机发光二极管面板的薄膜晶体管(TFT)的结构示意图。

图2为习知黑色矩阵层在高温工艺后与晶体管其它各层所产生差异的示意图。

图3至图12绘示为依照本发明第一实施例的有源矩阵式有机发光二极管面板的工艺示意图。

图13至图22绘示为依照本发明第二实施例的有源矩阵式有机发光二极管面板的工艺示意图。

图23至图28绘示为依照本发明第三实施例的有源矩阵式有机发光二极管面板(AMOLED)的工艺示意图。

【主要组件符号说明】

100有机发光显示器102基板

101黑色矩阵层    103源极

104缓冲绝缘层            105漏极

106半导体层              108栅极绝缘层

110栅极金属              112层间绝缘层

114金属层                115介层洞

116保护层                118显示电极

120有机发光二极管        122阴极金属层

130发光区                132非发光区

200、300有机发光显示器   202、302基板

204、304黑色矩阵层       213、313源极

206、306缓冲绝缘层       215、315漏极

208、308半导体层         210、310栅极绝缘层

211、311栅极金属         212、312层间绝缘层

218、318金属层           217、317介层洞

220、320平坦保护层       222、322显示电极

224、324有机发光二极管   226、326阴极金属层

250、350发光区           252、352非发光区

400有机发光显示器        402基板

404黑色矩阵层            413源极

406缓冲绝缘层            415漏极

408半导体层              410栅极绝缘层

411栅极金属              418金属层

420平坦保护层            422显示电极

424有机发光二极管        426阴极金属层

450发光区                452非发光区

具体实施方式

图3至图9绘示为依照本发明第一实施例的有源矩阵式有机发光二极管面板(AMOLED)200的工艺示意图。如图3所示，首先提供一个玻璃基板202当作下基板，再形成黑色矩阵层204于玻璃基板202。随后如图4所示，于黑色矩阵层204的表面上沉积一层缓冲绝缘层206并覆盖在黑色矩阵层204上。接着在缓冲绝缘层206上沉积一层非晶硅薄膜(未显示)，并藉由准分子激光等退火工艺，使此非晶硅薄膜再结晶成多晶硅薄膜。然后利用第一掩模来对此多晶硅薄膜(未显示)进行第一微影蚀刻(PEP)，即可得到所需的半导体层208的图案。接下来，如第5图所示。利用第二掩模对黑色矩阵层204以及缓冲绝缘层206进行第二微影蚀刻(PEP)。

接着可在缓冲绝缘层206上产生薄膜晶体管。参阅图6，在半导体层208和缓冲绝缘层206表面沉积栅极绝缘层210。然后进行第二金属薄膜沉积工艺，以于栅极绝缘层210表面形成一层第二金属薄膜(未显示)，并利用第三掩模来进行第三微影蚀刻(PEP)，以蚀刻得到栅极金属211，如图6所示，随后即可利用栅极金属211作为自我对准屏蔽，对半导体层208进行硼离子离子注入工艺，以于半导体层208中形成源极213和漏极215。

请参阅图7，接着沉积一层间绝缘层(inter-layer dielectric，ILD)212，并覆盖栅极金属211和栅极绝缘层210，再利用第四掩模来进行第四微影蚀刻(PEP)，用以去除源极213和漏极215上方的部份层间绝缘层212和栅极绝缘层210，直至源极213与漏极215表面，以分别于漏极215与源极213上方形成多个介层洞217。

接下来，如图8所示，进行另一金属沉积工艺，并利用第五掩模来进行第五微影蚀刻(PEP)，以蚀刻出信号线、漏极金属等的金属层218在介层洞217表面上，且分别电连接源极213和漏极215。接着，如图9所示，沉积平坦保护层(planarization layer)220于金属层218和层间绝缘层212上，并利用第六掩模来进行第六微影蚀刻(PEP)，以去除电连接漏极215的金属层218上方的部分保护层220并产生电极介层洞219于金属层218上。

然后，如图10所示，再形成氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)的透明导电薄膜(未显示)于保护层220上，并利用第六掩模来进行第六微影蚀刻(PEP)，以定义出适当大小的显示电极222，并利用显示电极222来电性连接金属层218与源极213。随后如图11以及图12所示，再于显示电极222表面形成有机发光二极管224以及阴极金属层(cathode metal layer)226，即完成本实施例中有机发光二极管面板200。在有机发光二极管面板200运作时，光线会穿透有机发光二极管面板200的发光区250，但因为黑色矩阵层204的阻挡，光线无法穿透非发光区252。

请参阅图13至图22绘示为依照本发明第二实施例的有源矩阵式有机发光二极管面板(AMOLED)的工艺示意图。如图13所示，首先提供一个玻璃基板302当作下基板，再形成黑色矩阵层304于玻璃基板302，于黑色矩阵层304的表面上沉积一层缓冲绝缘层306并覆盖在黑色矩阵层304上。随后如图14所示，接着在缓冲绝缘层306上沉积一层非晶硅薄膜(未显示)，并藉由准分子激光等退火工艺，使此非晶硅薄膜再结晶成多晶硅薄膜。然后利用第一掩模来对此多晶硅薄膜(未显示)进行第一微影蚀刻(PEP)，即可得到所需的半导体层308的图案。

接着，参阅图15，在半导体层308和缓冲绝缘层306表面沉积一栅极绝缘层310。然后进行第二金属薄膜沉积工艺，以于栅极绝缘层310表面形成一层第二金属薄膜(未显示)，并利用第二掩模来进行第二微影蚀刻(PEP)，以蚀刻得到栅极金属311，如图15所示，随后即可利用栅极金属312作为自我对准屏蔽，对半导体层308进行硼离子离子注入工艺，以于半导体层308中形成源极313和漏极315。

请参阅图16，接着沉积一层间绝缘层(inter-layer dielectric，ILD)312，并覆盖栅极金属311和栅极绝缘层310，再利用第三掩模来进行第三微影蚀刻(PEP)，用以去除源极313和漏极315上方的部份层间绝缘层312和栅极绝缘层310，直至源极313与漏极315表面，以分别于漏极315与源极313上方形成多个介层洞317，同时第三微影蚀刻工艺还一并除去位于缓冲绝缘层306上的层间绝缘层312和栅极绝缘层310。

接下来，如图17所示，进行另一金属沉积工艺，并利用第四掩模来进行第四微影蚀刻(PEP)，以蚀刻出信号线、漏极金属等的金属层318在介层洞317表面上，且分别电连接源极313和漏极315。

接下来，如图18所示，利用第五掩模对黑色矩阵层304以及缓冲绝缘层306进行第五微影蚀刻(PEP)，使得未覆盖层间绝缘层312和栅极绝缘层310的黑色矩阵层304以及缓冲绝缘层306被移除。

之后，如图19所示，沉积平坦保护层(planarization layer)320于金属层318、层间绝缘层312和基板302上，并利用第六掩模来进行第六微影蚀刻(PEP)，以去除电连接漏极315的金属层318上方的部分保护层320并产生电极介层洞319于金属层318上。然后，如图20所示，再形成氧化铟锡(IndiumTin Oxide，ITO)的透明导电薄膜(未显示)于保护层320上，并利用第七掩模来进行第七微影蚀刻(PEP)，以定义出适当大小的显示电极322，并利用显示电极322来电性连接金属层318与源极313。随后如图21以及图22所示，再于显示电极322表面形成有机发光二极管324以及阴极金属层(cathodemetallayer)326，即完成本实施例中有机发光二极管面板300。在有机发光二极管面板300运作时，光线会穿透有机发光二极管面板300的发光区350，但因为黑色矩阵层304的阻挡，光线无法轻易穿透非发光区352。

本发明的第二实施例不同于第一实施例之处在于，图案化黑色矩阵层的步骤在形成金属层317之后(图17所示)。所以相较于第一实施例的有机发光二极管面板200的发光区250的区域尚保有层间绝缘层212和栅极绝缘层210，第二实施例的有机发光二极管面板300的发光区350上并没有层间绝缘层和栅极绝缘层的配置。除此之外，相较于习知技术，因使用同一掩模于同一黄光工艺定义，除蚀刻造成的尺寸损失(CD Loss)之外，两实施例的缓冲绝缘层206、306的图形面积大小大致等于黑色矩阵层204、304的面积，两实施例的缓冲绝缘层206、306的图形相同于黑色矩阵层204、304的图形，所以缓冲绝缘区206、306只有设置于非发光区252、352的上，而发光区250、350皆没有缓冲绝缘区206、306的设置。所以当光线穿过发光区时，色偏的效应也能有效改善。

图23至图28绘示为依照本发明第三实施例的有源矩阵式有机发光二极管面板(AMOLED)400的工艺示意图。如图23所示，首先提供一个玻璃基板402当作下基板，再形成黑色矩阵层404于玻璃基板402上。随后如图24所示，于黑色矩阵层404的表面上沉积一层缓冲绝缘层406并覆盖在黑色矩阵层404上。

参阅图24，接着进行第一金属薄膜沉积工艺，以于缓冲绝缘层406表面形成一层第一金属薄膜(未显示)，并利用第一掩模来进行第一微影蚀刻(PEP)，以蚀刻得到栅极金属411。

接下来如图25所绘示，在栅级金属411和缓冲绝缘层406表面沉积栅极绝缘层410(gate oxide)。接着在缓冲绝缘层406上沉积一层非晶硅薄膜(未显示)，并藉由准分子激光等退火工艺，使此非晶硅薄膜再结晶成多晶硅薄膜。然后利用第二掩模来对此多晶硅薄膜(未显示)进行第二微影蚀刻(PEP)，即可得到所需的半导体层408的图案。随后即可对半导体层408进行硼离子离子注入工艺，以于半导体层408中形成源极413和漏极415。

接下来，如图26所示。利用第三掩模对黑色矩阵层404以及缓冲绝缘层406进行第三微影蚀刻(PEP)。由于黑色矩阵层404以及缓冲绝缘层406利用同一掩模工艺来定义，所以黑色矩阵层404以及缓冲绝缘层406产生的图形面积大致相等。

接下来，如图27所示，进行另一金属沉积工艺，先在栅极绝缘层410以及半导体层408上沉积第二金属薄膜(图未示)，并利用第四掩模来进行第四微影蚀刻(PEP)，以蚀刻出信号线等的金属层418，且金属层418分别电连接源极413和漏极415。接着，沉积平坦保护层(planarization layer)420于金属层418上，并利用第五掩模来进行第五微影蚀刻(PEP)，以去除电连接漏极415的金属层418上方的部分平坦保护层420并产生电极介层洞419于金属层418上。

然后，如图28所示，再形成氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)的透明导电薄膜(未显示)于平坦保护层420上，并利用第五掩模来进行第五微影蚀刻(PEP)，以定义出适当大小的显示电极422，并利用显示电极422来电性连接金属层418。再于显示电极422表面形成有机发光二极管424以及阴极金属层(cathode metal layer)426，即完成本实施例中有机发光二极管面板400。在有机发光二极管面板400运作时，光线会穿透有机发光二极管面板400的发光区450，但因为黑色矩阵层404的阻挡，光线无法轻易穿透非发光区452。

纵上所陈，由于本发明对黑色矩阵层进行图案化的步骤等到完成高温的再结晶成多晶硅薄膜的步骤后才进行，所以可以避免黑色矩阵层的图案因高温而与其它各层发生对位误差的情形，而且本发明不需要使用已预先回火的玻璃基板，更可以节省制造的成本。除此之外，相较于习知技术，本发明的发光区的下方至少少了一层缓冲绝缘层，所以当光线穿过发光区时，色偏的效应也能有效改善。

以上所述者仅为本发明的优选实施方式，本领域普通技术人员援依本发明的精神所作的等效修饰或变化，皆涵盖于权利要求内。

Claims (28)

1.一种有机电致发光面板的制作方法，包括：

提供基板；

形成黑色矩阵层于该基板上；

形成缓冲绝缘层于该黑色矩阵层上；

同时图案化该黑色矩阵层以及该缓冲绝缘层；以及

形成薄膜晶体管及显示电极于该缓冲绝缘层上。

2.如权利要求1的制作方法，其中该图案化该黑色矩阵层及该缓冲绝缘层，使用同一掩模定义。

3.如权利要求1的制作方法，其中形成薄膜晶体管及显示电极于该缓冲绝缘层上的步骤包含：

a)形成半导体层于该缓冲绝缘层上；

b)沉积栅极绝缘层覆盖该半导体层以及该缓冲绝缘层；

c)形成栅极金属于该半导体层上方的该栅极绝缘层表面；

d)利用该栅极金属作屏蔽对该半导体层进行离子注入，以形成源极和漏极在该半导体层中；

e)沉积一层间绝缘层，并覆盖该栅极金属和该栅极绝缘层；

f)蚀刻该栅极绝缘层和该层间绝缘层以形成多个介层洞于该漏极及该源极上；

g)形成金属层于该多个介层洞的表面上；

h)形成保护层于该金属层和该层间绝缘层的上；

i)形成该显示电极于该保护层表面；以及

j)形成发光二极管于该显示电极上。

4.如权利要求3的制作方法，其中形成该金属层的方法还包括：

形成第一金属薄膜于步骤f)后所得的表面上；以及

蚀刻该第一金属薄膜以形成金属层。

5.如权利要求3的制作方法，其中形成该半导体层的方法还包括：

沉积非多晶硅薄膜于该缓冲绝缘层表面；

对该非多晶硅薄膜进行再结晶工艺，以使该非多晶硅薄膜转成为一多晶硅薄膜；以及

蚀刻该多晶硅薄膜，以形成该半导体层。

6.如权利要求3的制作方法，其中形成该栅极金属的方法还包括：

形成第二金属薄膜于该栅极绝缘层表面；以及

蚀刻该第二金属薄膜以形成该栅极金属。

7.如权利要求3的制作方法，其中形成该显示电极的方法还包括：

蚀刻该保护层以形成电极介层洞于该金属层上；

形成透明导电薄膜于该保护层以及该金属层表面；以及

蚀刻该透明导电薄膜，以形成该显示电极。

8.如权利要求7的制作方法，其中该透明导电薄膜为氧化铟锡或氧化铟锌其中之一。

9.一种有源矩阵式有机发光二极管面板的制作方法，其包含：

提供基板；

形成黑色矩阵层于该基板上；

形成缓冲绝缘层于该黑色矩阵层上；

形成半导体层于该缓冲绝缘层上；

同时图案化该黑色矩阵层以及该缓冲绝缘层；以及

形成显示电极于该半导体层上。

10.如权利要求9的制作方法，其中图案化该黑色矩阵层及该缓冲绝缘层，使用同一掩模定义。

11.如权利要求9的制作方法，还包括：

a)沉积栅极绝缘层覆盖该半导体层以及该缓冲绝缘层；

b)于该半导体层上方的该栅极绝缘层表面形成栅极金属；

c)利用该栅极金属作屏蔽对该半导体层进行离子注入，以形成源极和漏极在该半导体层中；

d)沉积层间绝缘层，并覆盖该栅极金属和栅极绝缘层；

e)蚀刻该栅极绝缘层和该层间绝缘层以形成多个介层洞于该漏极及该源极上；以及

f)形成金属层于该多个介层洞的表面上。

12.如权利要求11的制作方法，其中形成显示电极于该半导体层上的步骤包含：

形成平坦保护层于该金属层和该层间绝缘层上；以及

形成该显示电极于该平坦保护层表面。

13.如权利要求11的制作方法，其中形成该金属层的方法还包括：

形成第一金属薄膜于该步骤e)后所得的表面上；以及

蚀刻该第一金属薄膜以形成该金属层。

14.如权利要求11的制作方法，其中形成该半导体层的方法还包括：

沉积非多晶硅薄膜于该缓冲绝缘层表面；

对该非多晶硅薄膜进行再结晶工艺，以使该非多晶硅薄膜转成为多晶硅薄膜；以及

蚀刻该多晶硅薄膜，以形成该半导体层。

15.如权利要求11的制作方法，其中形成该栅极金属的方法还包括：

形成第二金属薄膜于该栅极绝缘层表面；以及

蚀刻该第二金属薄膜以形成该栅极金属。

16.如权利要求11的制作方法，其中形成该显示电极的方法还包括：

蚀刻该保护层以形成电极介层洞于该金属层上；

形成透明导电薄膜于该保护层以及该金属层表面；以及

蚀刻该透明导电薄膜，以形成该显示电极。

17.如权利要求16的制作方法，其中该透明导电薄膜为氧化铟锡或氧化铟锌其中之一。

18.一种有机电致发光面板的制作方法，包括：

提供基板；

形成黑色矩阵层于该基板上；

形成缓冲绝缘层于该黑色矩阵层上；

形成栅级金属于该黑色矩阵层上；

沉积栅极绝缘层覆盖该栅级金属以及该缓冲绝缘层；

形成半导体层于该栅极绝缘层上；以及

同时图案化该栅极绝缘层、该黑色矩阵层以及该缓冲绝缘层。

19.如权利要求18的制作方法，其中该图案化该栅极绝缘层、该黑色矩阵层及该缓冲绝缘层，使用同一掩模定义。

20.如权利要求18的制作方法，其中形成该栅极金属的方法还包括：

于该缓冲绝缘层表面形成第一金属薄膜；以及

蚀刻该第一金属薄膜以形成该栅极金属。

21.如权利要求18的制作方法，其还包括：

a)对该半导体层进行离子注入，以形成源极和漏极在该半导体层中；

b)形成金属层于该半导体层以及该栅级绝缘层上；

c)形成平坦保护层于该金属层和该栅级绝缘层上；以及

d)形成该显示电极于该平坦保护层表面。

22.如权利要求21的制作方法，其中形成该金属层的方法还包括：

形成第二金属薄膜于该步骤a)后所得的表面上；以及

蚀刻该第二金属薄膜以形成该金属层。

23.如权利要求21的制作方法，其中形成该显示电极的方法还包括：

蚀刻该保护层以形成电极介层洞于该金属层上；

形成透明导电薄膜于该保护层以及该金属层表面；以及

蚀刻该透明导电薄膜，以形成该显示电极。

24.如权利要求23的制作方法，其中该透明导电薄膜为氧化铟锡或氧化铟锌其中之一。

25.如权利要求18的制作方法，其中形成该半导体层的方法还包括：

沉积非多晶硅薄膜于该缓冲绝缘层表面；

对该非多晶硅薄膜进行再结晶工艺，以使该非多晶硅薄膜转成为多晶硅薄膜；以及

蚀刻该多晶硅薄膜，以形成该半导体层。

26.一种有机发光二极管面板，其包含：

基板；

黑色矩阵层，设置于该基板上，具有第一图形；

缓冲绝缘层，覆盖于该黑色矩阵层上，具有第二图形，且该第二图形大致等于该第一图形；

薄膜晶体管，设置于该缓冲绝缘层的上；

显示电极，设置于该缓冲绝缘层的上；以及

发光二极管，覆盖于该显示电极上。

27.如权利要求26的有机发光二极管面板，其中该薄膜晶体管包含半导体层以及栅级金属。

28.如权利要求26的有机发光二极管面板，其中该显示电极为氧化铟锡或氧化铟锌其中之一。

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