CN101131958B - 有机电激发光显示器像素结构的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种有机电激发光显示器像素结构的制造方法，包括下列步骤：首先，于一基板上形成一第一栅极、一扫描线以及一第二栅极。接着，于基板上形成一栅绝缘层，以覆盖第一栅极、扫描线与第二栅极。然后，于栅绝缘层上形成一第一通道层与一第二通道层，且分别位于第一栅极与第二栅极上方。之后，于第一通道层上两侧形成一第一源极、一第一漏极以及一数据线，并且同时于第二通道层上两侧形成一第二源极、一第二漏极以及与第二漏极电性连接的一阴极。接着，于阴极上形成一有机官能层。然后，于有机官能层上形成一阳极。

Description

有机电激发光显示器像素结构的制造方法

技术领域

本发明有关于一种像素结构的制造方法，且特别有关于一种有机电激发光显示器像素结构的制造方法。

背景技术

针对多媒体社会的急速进步，多半受惠于半导体元件或显示装置的快速发展。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的平面显示器(Flat Panel Display)已逐渐成为市场主流。目前市面上的平面显示器包括液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机电激发光显示器(OrganicElectro-Luminescence Display，OELD)以及等离子显示器面板(Plasma DisplayPanel，PDP)等等。其中，由于有机电激发光显示器因其无视角限制、低制造成本、高响应速度(约为液晶的百倍以上)、省电、直流驱动、工作温度范围大、重量轻与体积小等优点，而具有极大的发展潜力。一般来说，有机电激发光显示器是由多个像素结构所构成，各像素结构会依据其发光材料的不同而发出不同的色光，以达成全彩显示的目的。图1A～1G是现有的有机电激发光显示器像素结构的制造流程剖面示意图。图2是现有的有机电激发光显示器像素结构的电路示意图。请先参考图1A，于一基板100上沉积一非晶硅材料，且对非晶硅进行激光退火以形成一多晶硅材料，之后借助一道光掩膜工艺对多晶硅材料进行图案化，以形成一第一多晶硅层110与一第二多晶硅层112。接着，于基板100上形成一栅绝缘层120，以覆盖住第一多晶硅层110与第二多晶硅层112。

然后请同时参考图1B与图2，于栅绝缘层120上沉积一导体材料，并借助一道光掩膜工艺对导体材料进行图案化，以形成第一栅极130与第二栅极132。接着，以第一栅极130与第二栅极132当作掩膜进行掺杂(doping)工艺，于第一栅极130两侧的第一多晶硅层110中形成一第一源极区110a与一第一漏极区110b，且于第二栅极132两侧的第二多晶硅层112中形成一第二源极区112a与一第二漏极区112b。

然后请参考图1C，于基板100上形成一介电层140，以覆盖住第一栅极130、第二栅极132与部分栅绝缘层120。接着，对借助一道光掩膜工艺对介电层140进行图案化，以于介电层140与栅绝缘层120中形成一第一接触开口C1、一第二接触开口C2、一第三接触开口C3与一第四接触开口C4。其中，第一接触开口C1与第二接触开口C2分别暴露出第一源极区110a与第一漏极区110b，而第三接触开口C3与第四接触开口C4分别暴露出第二源极区112a与第二漏极区112b。

之后请参考图1D，于基板100上沉积金属材料，并填入第一接触开口C1、第二接触开口C2、第三接触开口C3与第四接触开口C4。接着，在借助一道光掩膜工艺对金属材料图案化，以形成第一源极150、第二源极152、第一漏极154与第二漏极156。

接着请参考图1E，于基板100上形成一保护层160，以覆盖介电层140、第一源极150、第二源极152、第一漏极154与第二漏极156。然后，借助一道光掩膜工艺对保护层160进行图案化，以于保护层160中形成一暴露出第二源极152的第五接触开口C5。

然后请参考图1F，于基板100上沉积铟锡氧化物(ITO)，并填入第五接触开口C5。接着，借助一道光掩膜工艺对铟锡氧化物进行图案化，以形成与第二源极152电性连接的阳极(Anode)170。最后请参考图1G，于基板100上以掩膜(shadowmask)工艺形成有机材料(Organic material)发光层172，并覆盖住阳极170。这里要说明的是，发光层172会因为其所选用的有机发光材料而发出红光、蓝光或绿光。然后再于发光层172上沉积一金属材料，以形成一阴极(Cathode)174。

具体而言，阳极170、发光层172与阴极174便可以构成如图2所示的有机电激发光元件180。此外，图2所示的开关晶体管Ts是由第一栅极130、第一源极150与第一漏极154所构成，而图2所示的驱动晶体管Td是由第二栅极132、第二源极152与第二漏极156所构成。

这里要说明的是，开关晶体管Ts的第一栅极130会与扫描线(Scan line)10电性连接，此扫描线10是于图1B所示的步骤而与第一栅极130与第二栅极132一并定义出的。另外，开关晶体管Ts的第一源极150会与数据线(Data line)20电性连接，此数据线20是在图1D所示的步骤而与第一源极150与第一漏极154一并定义出的。

一般来说，驱动晶体管Td的第二栅极132与驱动晶体管Td的第一漏极154之间会有一电容器30。另外，有机电激发光元件180的阳极170会与驱动晶体管Td的源极152电性连接。根据晶体管理论，当晶体管的栅极源极间跨压Vgs大于临界电压Vt时，晶体管被打开；在开始一段，也即，漏极源极间跨压Vds不大时，Vds＜Vgs-Vt，通过有机电激发光元件的电流I与Vds成正比，这是线性区的情况；而由于有机电激发光元件180会随着使用时间的增加而使其跨压增加，当Vds＞＞Vgs-Vt时，转为饱和区，也即，电流I不随漏极源极间跨压Vds的增加而增加。根据晶体管饱和公式，如下所示：

I＝1/2μC(W/L)(Vgs-Vt)²

I：通过有机电激发光元件的电流

μ：电子移动率

C：单位面积的栅极电容

W：栅极宽度

L：有效的栅极长度Vgs：驱动晶体管的栅极与源极之间的跨压

Vt：临界电压

由于驱动晶体管Td的第二栅极132与第二源极152之间的跨压Vgs下降，因此通过有机电激发光元件180的电流I便下降，导致有机电激发光元件180的发光亮度降低。如此一来，将影响有机电激发光显示器的显示品质。此外，一般全彩有机电激发光显示器会采用三种不同的有机发光材料于不同的像素结构中，而由于不同有机发光材料的衰退情形不一致，因此这将导致有机电致发光显示面板有显示不均匀的问题。

另一方面，传统有机电激发光显示器的像素结构200需要借助上述图1A～1G所示的七道光掩膜工艺才能完成，不仅耗费制造成本，且工艺时间也无法有效缩减，进而对产能(Throughput)造成直接的影响。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种有机电激发光显示器像素结构的制造方法，以解决现有的制造方法无法有效降低制造成本的问题。

本发明的另一目的是提供一种有机电激发光显示器像素结构的制造方法，以解决现有的有机电激发光显示器在长时间使用后会有显示品质不佳的问题。

为达上述或其他目的，本发明提出一种有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其包括下列步骤：首先，于一基板上形成一第一栅极、与第一栅极电性连接的一扫描线以及一第二栅极。接着，于基板上形成一栅绝缘层，以覆盖第一栅极、扫描线与第二栅极。然后，于栅绝缘层上形成一第一通道层与一第二通道层，且分别位于第一栅极与第二栅极上方。之后，于基板上形成一金属层，以覆盖第一通道层与第二通道层。此外，图案化金属层，以于第一通道层上的两侧形成一第一源极、一第一漏极以及与第一源极电性连接的一数据线，并且同时于第二通道层上的两侧形成一第二源极、一第二漏极以及与第二漏极电性连接的一阴极。接着，于阴极上形成一有机官能层。然后，于有机官能层上形成一阳极。

在本发明一实施例中，上述有机电激发光显示器像素结构的制造方法还包括形成一电容器，电容器的一端是与第二栅极以及第一漏极电性连接，另一端是电性连接至第二源极。

在本发明一实施例中，上述有机电激发光显示器像素结构的制造方法还包括于第一通道层与第一源极及第一漏极之间形成一第一欧姆接触层。

在本发明一实施例中，上述有机电激发光显示器像素结构的制造方法还包括于第二通道层与第二源极及第二漏极之间形成一第二欧姆接触层。

在本发明一实施例中，上述第一通道层与第二通道层的材料包括非晶硅。

在本发明一实施例中，上述第一通道层与第二通道层的材料可以包括有机半导体材质。

在本发明一实施例中，上述阴极的材料可以包括铝、铬、银、铝合金、铬合金或银合金。

在本发明一实施例中，上述阳极的材料可以包括铟锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物。

在本发明一实施例中，于阴极上形成有机官能层之前，还包括在基板上方形成一绝缘层，以暴露出阴极。

在本发明一实施例中，于形成阴极之后，还包括对阴极表面进行等离子处理工艺。

在本发明一实施例中，上述等离子处理工艺所使用的气体可以包括氢气、氧气或氮气。

本发明提出一种有机电激发光显示器之像素结构的制造方法，其包括下列步骤：首先，于一基板上形成一第一多晶硅层与一第二多晶硅层。接着，于基板上形成一栅绝缘层，以覆盖第一多晶硅层与第二多晶硅层。然后，于栅绝缘层上分别形成一第一栅极、与第一栅极电性连接的一扫描线以及一第二栅极，其中第一栅极与第二栅极分别位于第一多晶硅层与第二多晶硅层上方。之后，于第一栅极两侧的第一多晶硅层中形成一第一源极区与一第一漏极区，且于第二栅极两侧的第二多晶硅层中形成一第二源极区与一第二漏极区。此外，于基板上形成一介电层，以覆盖第一栅极与第二栅极。接着，于介电层与栅绝缘层中形成一第一接触开口、一第二接触开口、一第三接触开口与一第四接触开口，其中第一接触开口与第二接触开口分别暴露出第一源极区与第一漏极区，而第三接触开口与第四接触开口分别暴露出第二源极区与第二漏极区。然后，于介电层上形成一金属层，以分别填入第一接触开口、第二接触开口、第三接触开口与第四接触开口中。之后，图案化金属层，以形成一第一源极、一第一漏极以及与第一源极电性连接的一数据线，并且同时形成一第二源极、一第二漏极以及与第二漏极电性连接的一阴极。接着，于基板上形成一保护层，以覆盖数据线、扫描线、第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极。然后，于阴极上形成一有机官能层。之后，于有机官能层上形成一阳极。

在本发明一实施例中，上述有机电激发光显示器像素结构的制造方法还包括形成一电容器，此电容器的一端是与第二栅极以及第一漏极电性连接，另一端是电性连接至第二源极。

在本发明一实施例中，上述阴极的材料可以包括铝、铬、银、铝合金、铬合金或银合金。

在本发明一实施例中，上述阳极的材料可以包括铟锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物。

在本发明一实施例中，于阴极上形成有机官能层之前，还包括在基板上方形成一绝缘层，以暴露出阴极。

在本发明一实施例中，于形成阴极之后，还包括对阴极的表面进行一等离子处理工艺。

在本发明一实施例中，上述等离子处理工艺所使用的气体可以包括氢气、氧气或氮气。

本发明的有机电激发光显示器像素结构的制造方法中，由于阴极是与源极与漏极一同形成，因此本发明的有机电激发光显示器像素结构的制造方法相较于现有方法可以减少一道光掩膜。因此，本发明的制造方法在制造成本与工艺时间上都可以更为节省，进而可以有效提升产能。

为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A～1G是现有的有机电激发光显示器像素结构的制造流程剖面示意图。

图2是现有的有机电激发光显示器像素结构的电路示意图。

图3A～3F是本发明第一实施例的有机电激发光显示器像素结构的制造方法流程剖面示意图。

图4是本发明第一实施例的有机电激发光显示器像素结构的电路示意图。

图5A～5G是本发明第二实施例的有机电激发光显示器像素结构的制造方法流程剖面示意图。

图6是本发明第二实施例的有机电激发光显示器像素结构的电路示意图。

具体实施方式

第一实施例

图3A～3F是本发明第一实施例的有机电激发光显示器像素结构的制造方法流程剖面示意图，而图4是本发明第一实施例的有机电激发光显示器像素结构的电路示意图。请同时参考图3A与图4，首先，于一基板310上形成一第一栅极312、与第一栅极312电性连接的一扫描线(Scan line)314以及一第二栅极316。

详细地说，第一栅极312、扫描线314与第二栅极316可以通过例如是物理汽相沉积法(PVD)沉积金属材料于基板310上，然后借助一道光掩膜工艺对此金属材料进行图案化，即可完成第一栅极312、扫描线314与第二栅极316的制作。上述金属材料可以选用铝、金、铜、钼、铬、钛、铝合金、铝镁合金、钼合金或铜合金等低阻值材料。接着，于基板310上形成一栅绝缘层320，以覆盖第一栅极312、扫描线314与第二栅极316。栅绝缘层320的材料可以选用氮化硅或是以四乙氧基硅烷(TEOS)为反应气体源而形成的氧化硅。

然后请参考图3B，于栅绝缘层320上形成一第一通道层330与一第二通道层332，且分别位于第一栅极312与第二栅极316上方。上述第一通道层330与第二通道层332可以通过例如是化学汽相沉积法(CVD)沉积非晶硅(amorphous silicon)或有机半导体材料于基板310上。然后，借助一道光掩膜工艺对沉积于基板310上的非晶硅(amorphous silicon)材料或有机半导体材料进行图案化，即可完成第一通道层330与第二通道层332之制作。

为了使第一通道层330与第二通道层332与金属材料之间的接触阻抗下降，在实务上还可以于第一通道层330上形成一第一欧姆接触层(Ohm contact layer)330a，且于第二通道层332上形成一第二欧姆接触层332a。

之后请参考图3C，于基板310上形成一金属层340，其材料例如是铝、铬、银、铝合金或镁铝合金、铬合金或银合金，以覆盖第一欧姆接触层330a、第二欧姆接触层332a与栅绝缘层320。

然后请参考图3D，再借助一道光掩膜工艺对金属层340进行图案化，即可以于第一通道层330上的两侧形成一第一源极342、一第一漏极344以及与第一源极342电性连接的一数据线345(请参考图4)，并且同时于第二通道层332上的两侧形成一第二源极346、一第二漏极348以及与第二漏极348电性连接的一阴极349。之后再移除被第一源极342与第一漏极344暴露出的第一欧姆接触层330a，并且移除被第二源极346与第二漏极348暴露出的第二欧姆接触层332a。

依据本发明的较佳实施例，在形成阴极349之后，还可以对阴极349的表面进行等离子处理工艺，以去除阴极349表面的氧化物，并且降低阴极349表面的粗糙度。此外，等离子处理工艺所使用的气体可以包括氢气、氧气或氮气。

接着请参考图3E，在一较佳实施例中，于图3D所示的步骤之后，还可以于基板310上方形成一绝缘层350，且绝缘层350会暴露出阴极349。形成绝缘层350的方法例如是通过沉积氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，以覆盖住第一源极342、第一漏极344、数据线345、第二源极346、第二漏极348与阴极349。接着，借助一道光掩膜工艺对沉积的材料进行图案化，以使阴极349被暴露出来。

接看请参考图3F，于阴极349上形成一有机官能层(Organic functionallayer)360。在一实施例中，形成有机官能层360的方法例如借助一道掩膜(shadowmask)工艺以于阴极349上形成有机材料。这里要特别说明的是，有机官能层360主要包括了有机发光层。而在其他的实施例中，有机官能层360还可以包括电子传输层、电子注入层、空穴传输层以及空穴注入层。

然后，于有机官能层360上形成一阳极370，此阳极370的材料例如是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铝锌氧化物(AZO)。而阳极370可以是一共电极结构。

在上述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法中，由于阴极349是于形成第一源极342、第一漏极344、第二源极346与第二漏极348时所同时定义出的。因此本发明的制造方法相较于传统方法可以省去一道光掩膜。不论是制造成本或是工艺时间都可以更为节省，也可以使产量(Throughput)能有效提升。

以上述方法所形成的像素结构如图3F与图4所示，第一栅极312、第一源极342、第一漏极344可构成图4所示的一开关晶体管Ts，而开关晶体管Ts的第一栅极312会与扫描线314电性连接，且开关晶体管Ts的第一源极342会与数据线345电性连接。

本发明的第二栅极316、第二源极346、第二漏极348可构成图4所示的一驱动晶体管Td，而驱动晶体管Td的第二栅极316会与第一漏极344电性连接。在一较佳实施例中，在此像素结构中还包括形成有一电容器390，电容器390的一端会与第一漏极344以及第二栅极316电性连接，另一端会与第二源极346电性连接。而电容器390的一端以及第二源极346会电性连接至一参考电压55。

另外，本发明的阴极349、有机官能层360与阳极370构成一有机电激发光元件380。特别是，有机电激发光元件380的阴极349会与驱动晶体管Td的漏极348电性连接，而阳极370会电性连接至一电源50。因此，有机电激发光元件380将不会受到驱动晶体管Td的栅极与源极之间的跨压Vgs变化的影响，因而可以解决传统有机电激发光元件会因为Vgs下降而导致其发光亮度降低的问题。因此，本发明像素结构的设计可以使得有机电激发光显示器有更稳定的显示品质。另一方面，当本发明的像素结构300用以显示全彩画面时，也能具有良好的色彩显示品质。

第二实施例

在上述第一实施例的像素结构中，开关晶体管以及驱动晶体管是以非晶硅或有机半导体材质作为其通道材质，而本发明的像素结构也可以采用低温多晶硅薄膜晶体管作为其开关与驱动晶体管，详细说明如下。图5A～5G是本发明第二实施例的有机电激发光显示器像素结构的制造方法流程剖面示意图。图6是本发明第二实施例的有机电激发光显示器像素结构的电路示意图。请先参考图5A，首先，于一基板410上形成一第一多晶硅(Poly-silicon)层412与一第二多晶硅层414。详细地说，第一多晶硅层412与第二多晶硅层414可以通过例如是化学汽相沉积法沉积非晶硅材料于基板410上，再通过一激光退火工艺以使非晶硅材料转变成多晶硅材料。然后，借助一道光掩膜工艺对此多晶硅材料进行图案化，即可完成第一多晶硅层412与第二多晶硅层414的制作。接着，于基板410上形成一栅绝缘层420，以覆盖第一多晶硅层412与第二多晶硅层414。

然后请同时参考图5B与图6，于栅绝缘层420上分别形成一第一栅极430、与第一栅极430电性连接的一扫描线432(请参考图6)以及一第二栅极434，其中第一栅极430与第二栅极434分别位于第一多晶硅层412与第二多晶硅层414上方。

详细地说，第一栅极430、扫描线432与第二栅极434可以通过例如是物理汽相沉积法(PVD)沉积金属材料于基板410上。然后，借助一道光掩膜工艺对此金属材料进行图案化，即可完成第一栅极430、扫描线432与第二栅极434的制作。上述的金属材料可以选用铝、金、铜、钼、铬、钛、铝合金、铝镁合金、钼合金或铜合金等低阻值材料。

然后，以第一栅极430与第二栅极434当作掩膜进行掺杂(doping)工艺，于第一栅极430两侧的第一多晶硅层412中形成一第一源极区412a与一第一漏极区412b，且于第二栅极434两侧的第二多晶硅层414中形成一第二源极区414a与一第二漏极区414b。

之后请参考图5C，于基板410上形成一介电层440，以覆盖第一栅极430、第二栅极434与栅绝缘层420。接着，于介电层440与栅绝缘层420中形成一第一接触开口H1、一第二接触开口H2、一第三接触开口H3与一第四接触开口H4。其中，第一接触开口H1与第二接触开口H2分别暴露出第一源极区412a与第一漏极区412b，而第三接触开口H3与第四接触开口H4分别暴露出第二源极区414a与第二漏极区414b。

具体来说，形成介电层440的方法可以先沉积氮化硅、氧化硅或氮氧化硅于基板410上，并覆盖第一栅极430与第二栅极434。然后，借助一道光掩膜工艺对沉积的氮化硅、氧化硅或氮氧化硅进行图案化，即可以制作出介电层440、第一接触开口H1、第二接触开口H2、第三接触开口H3与第四接触开口H4。

然后请参考图5D，于介电层440上形成一金属层450，以分别填入第一接触开口H1、第二接触开口H2、第三接触开口H3与第四接触开口H4中。之后请参考图5E，借助一道光掩膜工艺对金属层450进行图案化，即可完成一第一源极452、一第一漏极454以及与第一源极452电性连接的一数据线455(请参考图6)，并且同时形成一第二源极456、一第二漏极458以及与第二漏极458电性连接的一阴极459。

在一较佳实施例中，形成阴极459之后，还可以包括对阴极459的表面进行等离子处理工艺，以去除阴极459表面的氧化物，并降低阴极459表面的粗糙度。此外，等离子处理工艺所使用的气体可以包括氢气、氧气或氮气。

依据本发明的一较佳实施例，在图5E的步骤之后，还包括进行图5F的步骤，即于基板410上方形成一绝缘层460，且绝缘层460会暴露出阴极459。形成绝缘层460的方法例如可以通过沉积氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，以覆盖住第一源极452、第一漏极454、数据线455、第二源极456、第二漏极458与阴极459。接着，借助一道光掩膜工艺对沉积的材料进行图案化，以使阴极459被暴露出。

之后请参考图5G，于阴极459上形成一有机官能层470与一阳极472。而形成有机官能层470与阳极472的方法与先前第一实施例所述的方法相同或相似。

同样的，在上述有机电激发光显示器的像素结构400的制作流程中，阴极459是与第一源极452、第一漏极454、第二源极456以及第二漏极458同时定义出，因此本发明的制造方法相较于传统方法可以省去一道光掩膜，因而可以降低制造成本与工艺时间。

而利用上述方法所形成的像素结构如图5G与图6所示，第一栅极430、第一源极452与第一漏极454是构成图6所示的一开关晶体管Ts，而开关晶体管Ts的第一栅极430会与扫描线432电性连接，且开关晶体管Ts的第一源极452会与数据线455电性连接。第二栅极434、第二源极456与第二漏极458可以构成图6所示的一驱动晶体管Td，而驱动晶体管Td的第二栅极434会与第一漏极454电性连接。在一较佳实施例中，此像素结构中还包括形成有一电容器490，电容器的一端会与第一漏极454与第二栅极434电性连接，而另一端会与第二源极456电性连接。而电容器490的一端以及第二源极456会电性连接至一参考电压65。

此外，阴极459、有机官能层470与阳极472构成一有机电激发光元件480。特别是，有机电激发光元件480的阴极459会与第二漏极458电性连接，而阳极472会电性连接至一电源60。因此，有机电激发光元件480将不会受到驱动晶体管Td的栅极与源极之间的跨压Vgs变化的影响，因而可以解决传统有机电激发光元件会因为Vgs下降而导致其发光亮度降低的问题。

综上所述，由于本发明的有机电激发光显示器像素结构的制造方法中，有机电激发光元件的阴极是与驱动晶体管与开关元件的源极与漏极同时定义出，因此本发明相较于传统方法可以省去一道光掩膜，以达到简化制造流程以及缩短工艺时间的目的，进而能有效提升产能。另外，由于有机电激发光元件的阴极是与驱动晶体管的漏极电性连接，而其阳极会电性连接至电源，因此有机电激发光元件将不会受到驱动晶体管的栅极与源极之间的跨压Vgs变化的影响，因而可以解决传统有机电激发光元件会因为Vgs下降而导致其发光亮度降低的问题。

虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许更动与润饰，因此本发明的保护范围当以权利要求所界定的为准。

Claims (18)

1. 一种有机电激发光显示器像素结构的制造方法，包括：

于一基板上形成一第一栅极、与该第一栅极电性连接的一扫描线以及一第二栅极；

于该基板上形成一栅绝缘层，覆盖该第一栅极、该扫描线与该第二栅极；

于该栅绝缘层上形成一第一通道层与一第二通道层，且分别位于该第一栅极与该第二栅极上方；

于该基板上形成一金属层，覆盖该第一通道层与该第二通道层；

图案化该金属层，以于该第一通道层上的两侧形成一第一源极、一第一漏极以及与该第一源极电性连接的一数据线，并且同时于该第二通道层上的两侧形成一第二源极、一第二漏极以及与该第二漏极电性连接的一阴极；

于该阴极上形成一有机官能层；以及

于该有机官能层上形成一阳极。

2. 如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，还包括形成一电容器，该电容器的一端是与该第二栅极以及该第一漏极电性连接，另一端是电性连接至该第二源极。

3. 如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，还包括于该第一通道层与该第一源极及第一漏极之间形成一第一欧姆接触层。

4. 如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，还包括于该第二通道层与该第二源极及该第二漏极之间形成一第二欧姆接触层。

5. 如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该第一通道层与该第二通道层的材料包括非晶硅。

6. 如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该第一通道层与该第二通道层的材料包括有机半导体材质。

7. 如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该阴极材料包括铝、铬、银、铝合金、铬合金或银合金。

8. 如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该阳极材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物。

9. 如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其中于该阴极上形成该有机官能层之前，还包括在该基板上方形成一绝缘层，暴露出该阴极。

10. 如权利要求1所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，于形成该阴极之后，还包括对该阴极表面进行等离子处理工艺。

11. 如权利要求10所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，电浆该等离子处理工艺所使用的气体包括氢气、氧气或氮气。

12. 一种有机电激发光显示器像素结构的制造方法，包括：

于一基板上形成一第一多晶硅层与一第二多晶硅层；

于基板上形成一栅绝缘层，覆盖该第一多晶硅层与该第二多晶硅层；

于该栅绝缘层上分别形成一第一栅极、与该第一栅极电性连接的一扫描线以及一第二栅极，其中该第一栅极与该第二栅极分别位于该第一多晶硅层与该第二多晶硅层上方；

于该第一栅极两侧的该第一多晶硅层中形成一第一源极区与一第一漏极区，且于该第二栅极两侧的该第二多晶硅层中形成一第二源极区与一第二漏极区；

于该基板上形成一介电层，覆盖该第一栅极、该第二栅极；

于该介电层与该栅绝缘层中形成一第一接触开口、一第二接触开口、一第三接触开口与一第四接触开口，其中该第一接触开口与该第二接触开口分别暴露出该第一源极区与该第一漏极区，而该第三接触开口与该第四接触开口分别暴露出该第二源极区与该第二漏极区；

于该介电层上形成一金属层，分别填入该第一接触开口、该第二接触开口、该第三接触开口与该第四接触开口中；

图案化该金属层，以形成一第一源极、一第一漏极以及与该第一源极电性连接的一数据线，并且形成一第二源极、一第二漏极以及与该第二漏极电性连接的一阴极；

于该基板上形成一保护层，覆盖该数据线、该扫描线、该第一源极、该第一漏极、该第二源极以及该第二漏极；

于该阴极上形成一有机官能层；以及

于该有机官能层上形成一阳极。

13. 如权利要求12所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，还包括形成一电容器，该电容器的一端是与该第二栅极以及该第一漏极电性连接，另一端是电性连接至该第二源极。

14. 如权利要求12所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该阴极的材料包括铝、铬、银、铝合金、铬合金或银合金。

15. 如权利要求12所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该阳极的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物或铝锌氧化物。

16. 如权利要求12所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，于该阴极上形成该有机官能层之前，还包括在该基板上方形成一绝缘层，暴露出该阴极。

17. 如权利要求12所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，于形成该阴极之后，还包括对该阴极的表面进行一等离子处理工艺。

18. 如权利要求17所述的有机电激发光显示器像素结构的制造方法，其特征在于，该等离子处理工艺所使用的气体包括氢气、氧气或氮气。

Images