TWI578589B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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朴鍾賢
朴景薰
金正桓
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Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2012年5月3日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號10-2012-0047121之效益，其全部內容於此併入作為參考。
實施例是關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法。
近來，可攜帶之薄膜平板顯示裝置已取代顯示裝置。有機發光顯示裝置為一種擁有廣視角、增進之對比特性、以及快速回應速度之自發光顯示裝置。因此，有機發光顯示裝置被視為是新一代顯示裝置而受到注目。
有機發光顯示裝置包含中間層、第一電極以及第二電極。此中間層包含有機發光層。當電壓提供於第一電極與第二電極時，由此有機發光層發射出可見光。
實施例係關於一種有機發光顯示裝置，其包含基板；位於基板上之緩衝膜，緩衝膜包含通孔；位於緩衝膜上之薄膜電晶體，薄膜電晶體包含主動層、閘極電極、源極電極與汲極電極；電性連接於源極 電極與汲極電極之其中之一並對應於通孔之第一電極；位於第一電極上之中間層，中間層包含有機發光層；以及位於中間層上之第二電極。
有機發光顯示裝置可進一步包含安置以相互隔離閘極電極與主動層之閘極絕緣膜。第一電極可位於閘極絕緣膜上。閘極絕緣膜可填充通孔。而通孔可大於第一電極。
第一電極可包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋁鋅。
第一電極可位於安置有閘極電極於其上之層上，且可包含選自形成閘極電極之材料之至少一材料。
閘極電極可包含第一傳導層與第二傳導層，第二傳導層位於第一傳導層之上。第一電極可位於安置有第一傳導層於其上之層上。第一電極可包含與第一傳導層相同之材料。
中間層可與薄膜電晶體分開安置以免與薄膜電晶體重疊。
有機發光顯示裝置可進一步包含電容，電容包含位於安置有主動層於其上之層上的第一電容電極、以及位於安置有閘極電極於其上之層上的第二電容電極。
實施例亦關於一種製造有機發光顯示裝置之方法，此方法包含：形成緩衝膜於基板上以包含通孔；形成薄膜電晶體於緩衝膜上，此薄膜電晶體包含主動層、閘極電極、源極電極與汲極電極；形成第一電極以電性連接源極電極與汲極電極之其中之一並對應於通孔；形成中間層於第一電極之上，中間層包含有機發光層；以及形成第二電極於中間層上。
根據圖樣化製程利用半調式遮罩可形成緩衝膜與主動層。
緩衝膜之形成可包括形成緩衝膜材料層於基板上，形成主動層於緩衝膜材料層上，形成蝕刻遮罩以覆蓋主動層且不會覆蓋將形成通孔之區域，而藉由運用蝕刻遮罩執行蝕刻製程而形成通孔。
此方法可進一步包含在執行蝕刻製程後執行灰化製程，在蝕刻遮罩移除前即執行灰化製程。
主動層之形成可包括至少一結晶化製程。
此方法可進一步包含在閘極電極與主動層之間形成閘極絕緣膜，且在閘極絕緣膜上形成第一電極。
可形成閘極絕緣膜以填充通孔。
通孔可大於第一電極。
100‧‧‧有機發光顯示裝置
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝膜
102a‧‧‧通孔
102'‧‧‧緩衝膜材料層
103‧‧‧主動層
103'‧‧‧主動層材料層
104‧‧‧閘極絕緣膜
105‧‧‧第一傳導層
106‧‧‧第二傳導層
107‧‧‧閘極電極
108‧‧‧第一電極
108a‧‧‧傳導部位
109‧‧‧層間絕緣層
109a‧‧‧開口
110‧‧‧電容
111‧‧‧源極電極
112‧‧‧汲極電極
113‧‧‧第一電容電極
117‧‧‧第二電容電極
130‧‧‧像素定義膜
140‧‧‧中間層
150‧‧‧第二電極
180‧‧‧蝕刻遮罩
特徵將藉由參照附圖詳細說明其例示性實施例而變得顯而易知，其中：第1圖 係為根據一實施例之有機發光顯示裝置之剖面示意圖；第2A圖至第2D圖 係為根據一實施例描繪製造有機發光顯示裝置之方法之階段之剖面示意圖；以及第3A圖至第3F圖 係為根據其他實施例描繪製造有機發光顯示裝置之方法之階段之剖面示意圖。
範例實施例現將參照附圖於下文中更完整地說明；然而，其可以許多形式實施且不應詮釋為限於此處所述之實施例。相反地，此 些實施例係提供以使得本揭露將徹底且完整，並將充分傳達其範疇予所屬技術領域具有通常知識者。
當在此使用時，在像是「至少一」之敘述前綴於一元件清單前時，係修飾整個元件清單而非修飾清單中之個別元件。
第1圖係為根據一實施例之有機發光顯示裝置100之剖面示意圖。參閱第1圖，有機發光顯示裝置100包含基板101、緩衝膜102、第一電極108、薄膜電晶體(TFT)、中間層140、第二電極150、以及電容110。
薄膜電晶體包括主動層103、閘極電極107、源極電極111、以及汲極電極112。
電容110包括第一電容電極113以及第二電容電極117。
有機發光顯示裝置100之元件將於下詳述。
基板101可由任何適當之材料所形成，例如二氧化矽系(SiO2-based)之透明玻璃材料，或透明塑膠材料。透明塑膠材料可包含選自各種有機材料中之至少一材料。
緩衝膜102於基板101上形成。緩衝膜102提供一平坦表面於基板101上且保護基板101抵禦溼氣及外部物質。緩衝膜102可由用於提供此類功能之任何各種材料形成。例如，緩衝膜102可包含無機材料，如：矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、鋁氧化物、鋁氮化物、鈦氧化物、或鈦氮化物；有機材料，如：聚亞醯胺(polyimide)、聚酯(polyester)、或丙烯醯基(acryl)；或包含此些材料之至少之一之堆疊結構。
緩衝膜102包含通孔102a。由於通孔102a，緩衝膜102並未覆蓋基板101之預設區域。緩衝膜102具有一預設厚度，且通孔102a具有一側表面對應於緩衝膜102之厚度。
主動層103與第一電容電極113形成於緩衝膜102上。主動層103與第一電容電極113可由相同材料構成。主動層103與第一電容電極113可包含半導體材料，例如：矽材料。
閘極絕緣膜104形成於緩衝膜102上以覆蓋主動層103與第一電容電極113。在此情況中，閘極絕緣膜104被安置以填充緩衝膜102之通孔102a。
閘極電極107、第一電極108以及第二電容電極117形成於閘極絕緣膜104上。
閘極電極107包括第一傳導層105與第二傳導層106。第一傳導層105包括透光導電材料，例如：氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鋅(zinc oxide,ZnO)、氧化銦(indium oxide,In2O3)、氧化銦鎵(indium gallium oxide,IGO)、或氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)。
第二傳導層106可形成於第一傳導層105上以包括金屬或合金，例如：作為示例之鉬(Mo)、鎢鉬合金(MoW)、或以鋁為主((Al)-based)之合金。例如，第二傳導層106可具有鉬、鋁、及鉬之堆疊結構。
第一電極108包含透光導電材料，例如：使用以形成第一傳導層105之透光導電材料。傳導部位108a安置在第一電極108之上方區域。傳導部位108a可由用於形成第二傳導層106之材料所形成。
第一電極108形成以對應於緩衝膜102之通孔102a。特別地是，通孔102a可大於第一電極108。
第二電容電極117可由用於形成第一傳導層105之材料所形成。雖然第1圖顯示第二電容電極117具有單層結構，但本發明並不對此設限。第二電容電極117可具有多層結構而近似於閘極電極107。
層間絕緣層109形成在第一電極108、閘極電極107以及第二電容電極117之上。層間絕緣層109可包含任何各種絕緣材料，例如有機材料與無機材料。在此情況中，層間絕緣層109係形成以不覆蓋第二電容電極117之至少一上方區域。更詳細地說，層間絕緣層109可包含開口109a對應於第二電容電極117。
層間絕緣層109亦形成以不覆蓋第一電極108之至少一上方區域。
源極電極111與汲極電極112形成在層間絕緣層109上。源極電極111與汲極電極112連接至主動層103。源極電極111與汲極電極112可由任何各種導電材料所形成，例如，選自由金(Au)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、銠(Rh)、釕(Ru)、銥(Ir)、鋨(Os)、鋁(Al)、鉬(Mo)、釹(Nd)、及鎢(W)所組成之群組之至少一金屬。
源極電極111與汲極電極112之其中之一电性連接於第一電極108。參閱第1圖，汲極電極112电性連接於第一電極108。特別地是，汲極電極112接觸傳導部位108a且因此電性連接於第一電極108。
像素定義膜130在層間絕緣層109上形成以覆蓋源極電極111、汲極電極112以及第二電容電極117。像素定義膜130形成以不覆蓋第一電極108之至少一上方區域。
中間層140形成於第一電極108上。更詳細地說，中間層140形成以接觸未以像素定義膜130所覆蓋之第一電極108之至少一上方區域。
中間層140包含有機發光層以發射可見光。
中間層140可由低分子量有機薄膜或高分子量有機薄膜所形成。倘若中間層140之有機發光層由低分子量有機薄膜所形成，則中間層140可包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、有機發光層、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等。
電洞注入層可由酞菁化合物(phthalocyanine compound)所形成，例如：銅酞菁(copper phthalocyanine,CuPc)；或星爆胺(starburst amine)，例如：TCTA、m-MTDATA、或m-MTDAPB。
電洞傳輸層可由N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4'-聯苯胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine,TPD)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺 (N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine,α-NPD)等而形成。
電子注入層可由氟化鋰(LiF)、氯化鈉(NaCl)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li2O)、氧化鋇(BaO)、8-羥基喹啉鋰(Liq)等而形成。
電子傳輸層可由三(8-羥基喹啉鋁)(tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminum,Alq3)而形成。
有機發光層可包含主體材料與摻雜材料。
主體材料之示例可包含三(8-羥基喹啉鋁)(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,ADN)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,TBADN)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-4,4'-二甲基苯基(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-dimethylphenyl,DPVBi)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-4,4'-二甲基苯基(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-dimethylphenyl,p-DMDPVBi)、聯三(9,9'-二芳基茀)(tert(9,9-diarylfluorene)s,TDAF)、2-(9,9'-旋環雙茀-2-基)-9,9'-旋環雙茀(2-(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-Spirobifluorene,BSDF)、2,7-二(9,9'-旋環雙茀-2-基)-9,9'-旋環雙茀基(2,7-bis(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-spirobifluorene,TSDF)、雙(9,9'-二芳基茀)(bis(9,9-diarylfluorene)s,BDAF)、4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-4,4'-二-(叔丁基)苯基(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-di-(tert-butyl)phenyl, p-TDPVBi)、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene,mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(1,3,5-tris(carbazol-9-yl)benzene,tCP)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine,TCTA)、4,4'-雙(咔唑-9-基)聯苯(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl,CBP)、4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基聯苯(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl,CBDP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9'-二甲基茀(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-dimethyl-fluorene,DMFL-CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9'-雙(9-苯基-9H-咔唑)茀(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorene,FL-4CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9'-二-甲苯基-茀(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-di-tolyl-fluorene,DPFL-CBP)、9,9'-雙(9-苯基-9H-咔唑)茀(9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorene,FL-2CBP)等。
摻雜材料之示例可包含4,4'-雙[4-(二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯苯(4,4'-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl,DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,ADN)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene,TBADN)等。
第二電極150形成在中間層140之上。
雖然並未顯示，封裝構件(未顯示)可形成於第二電極150之上。封裝構件可由有機材料或無機材料所形成。
根據現行實施例，現將簡要敘明有機發光顯示裝置100之操作與優點。
當提供電壓於第一電極108與第二電極150時，可見光由電性連接於第一電極108與第二電極150之中間層140所發射。
有機發光顯示裝置100包含緩衝膜102以防止雜質元素滲透進入薄膜電晶體、電容110、以及有機發光顯示裝置100之其他元件。同時，緩衝膜102提供一平坦表面於基板101上，使得薄膜電晶體等可形成以具有均勻性質。
在此情況中，第一電極108係形成以對應於緩衝膜102之通孔102a。因此，閘極絕緣膜104存在於第一電極108與基板101之間，而非與緩衝膜102之間。
藉著使用結晶化製程，主動層103形成於緩衝膜102上。在結晶化製程中，能量也提供至緩衝膜102，因此於緩衝膜102之上表面上形成突出部。倘若第一電極108形成於緩衝膜上，突出部可能降低緩衝膜102上之第一電極108之表面平坦度，因此降低第一電極108之電性性質。特別地是，類似於緩衝膜102上之突出部之突出部可能形成於第一電極108之上表面以對應於緩衝膜102上之突出部，因而造成第一電極108與第二電極150之間之短路發生。短路可能造成故障產生，如暗點，因而降低了有機發光顯示裝置100之影像品質特性。
然而，根據目前實施例，第一電極108形成以對應於緩衝膜102之通孔102a。據此，其可能協助避免第一電極108之表面平坦度因 緩衝膜102而降低。因此，有機發光顯示裝置100之影像品質特性可輕易地提升。
自中間層140所發射之可見光具有相對低的方向性。據此，可見光並不僅往使用者移動，亦即，平行於量測基板101之厚度之方向的方向。在此情況中，緩衝膜102之通孔102a作用為反射牆。可見光由緩衝膜102之通孔102a之側表面被反射，且可因此沿著平行於基板101之厚度之方向的方向有效率地傳導。亦即，可見光穿透第一電極108且有效率地朝通孔102a傳導。
因此，有機發光顯示裝置100之發光效率可提升，從而增進其影像品質特性。特別的是，通孔102a可形成以大於第一電極108，以便增加可見光於通孔102a之側表面之反射性。
特別的是，根據目前實施例，若有機發光顯示裝置100為朝基板101傳導可見光之底部發光型有機發光顯示裝置，則其影像品質特性便可顯著地提升。在目前實施例中，如第1圖所示，中間層140係安置不與薄膜電晶體重疊。因此，自中間層140所發射之可見光可輕易地朝基板101傳導而不被薄膜電晶體阻斷。
第2A圖至第2D圖係為根據一實施例依序描繪製造有機發光顯示裝置之方法之剖面示意圖。
特別的是，第2A圖至第2D圖為根據一實施例描繪製造第1圖之有機發光顯示裝置100之方法。
首先，參閱第2A圖，準備好基板101。接著，緩衝膜材料層102'形成於基板101上以形成緩衝膜102。接著，主動層材料層103'形成於緩衝膜材料層102'上以形成主動層103。
緩衝膜材料層102'可包含無機材料，例如：矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、鋁氧化物、鋁氮化物、鈦氧化物、或鈦氮化物；或有機材料，如：聚亞醯胺、聚酯、或丙烯醯基。
主動層材料層103'包含矽。當主動層材料層103'由非晶矽(amorphous silicon)所形成且結晶化製程執行於主動層材料層103'上時，主動層材料層103'包含多晶矽(polysilicon)。在結晶化製程中，突出部(未顯示)可形成於主動層材料層103'之上表面上，且對應於形成於主動層材料層103'之上表面上之突出部的突出部亦可形成於緩衝膜材料層102'之上表面上。特別的是，根據雷射結晶化製程，當主動層材料層103'形成時，此類突出部有極高的可能性會形成。
接著，參閱第2B圖，執行圖樣化製程以形成緩衝膜102、主動層103、以及第一電容電極113。利用遮罩可執行圖樣化製程。例如，利用半調式遮罩(halftone mask)可執行圖樣化製程以同時形成緩衝膜102、主動層103、以及第一電容電極113。
緩衝膜102包含通孔102a。透過通孔102a暴露基板101之一區域。各主動層103與第一電容電極113以預設圖樣形成於緩衝膜102上。
接著，參閱第2C圖，閘極絕緣膜104形成於緩衝膜102上以覆蓋主動層103與第一電容電極113。在此情況中，閘極絕緣膜104被安置以填充緩衝膜102之通孔102a。
接著，閘極電極107、第一電極108、以及第二電容電極117形成於閘極絕緣膜104上。
閘極電極107包含第一傳導層105與第二傳導層106。第一電極108可由用於形成第一傳導層105之材料所形成。傳導部位108a被安置於第一電極108之上方區域上。傳導部位108a可由用於形成第二傳導層106之材料所形成。
第二電容電極117可由用於形成第一傳導層105之材料所形成。
接著，層間絕緣層109形成於第一電極108、閘極電極107、以及第二電容電極117上。源極電極111與汲極電極112形成於層間絕緣層109上。源極電極111與汲極電極112之其中之一電性連接於第一電極l08。
接著，參閱第2D圖，像素定義膜130形成於層間絕緣層109上以覆蓋源極電極111、汲極電極112、以及第二電容電極117。像素定義膜130係形成以不覆蓋第一電極108之至少一上方區域。
接著，中間層140形成於第一電極108上。特別的是，中間層140係形成以接觸未以像素定義膜130所覆蓋的第一電極108之至少一上方區域。中間層140包括有機發光層以發射可見光。
第二電極150形成於中間層140上。
在目前實施例中，圖樣化製程可以單一遮罩而用以同時形成緩衝膜102、主動層103、以及第一電容電極113，從而簡化了有機發光顯示裝置100之製造。
第3A圖至第3F圖係為根據其他實施例描繪之製造第1圖之有機發光顯示裝置100之方法之階段之剖面示意圖。
首先，參閱第3A圖，準備好基板101。接著，緩衝膜材料層102'形成於基板101上以形成緩衝膜102。接著，主動層材料層103'形成於緩衝膜材料層102'上以形成主動層103。
緩衝膜材料層102'可包含無機材料，例如：矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、鋁氧化物、鋁氮化物、鈦氧化物、或鈦氮化物；或有機材料，如：聚亞醯胺、聚酯、或丙烯醯基。
主動層材料層103'包含矽。當主動層材料層103'由非晶矽所形成且結晶化製程執行於主動層材料層103'上時，主動層材料層103'包含多晶矽。在結晶化製程中，於主動層材料層103'之上表面上形成突出部(未顯示)，且對應於形成於主動層材料層103'之上表面上之突出部的突出部亦可形成於緩衝膜材料層102'之上表面。特別的是，根據雷射結晶化製程，當主動層材料層103'形成時，此類突出部有極高的可能性會形成。
接著，參閱第3B圖，執行圖樣化製程以形成主動層103與第一電容電極113。
接著，參閱第3C圖與第3D圖，圖樣化緩衝膜材料層102'以形成緩衝膜102。
特別的是，參閱第3C圖，蝕刻遮罩180形成於所得結構(resultant structure)上。蝕刻遮罩180可由任何各種材料所形成，例如光阻劑(photoresist)。除了使用作為通孔102a之一部份所得結構以外，蝕刻遮罩180係形成以覆蓋整個所得結構。更詳細而言，蝕刻遮罩180係形成以覆蓋主動層103與第一電容電極113。
接著，參閱第3D圖，未被蝕刻遮罩180所覆蓋之部分緩衝膜材料層102'被蝕刻以形成緩衝膜102。更詳細而言，藉由蝕刻一部份緩衝膜材料層102'以形成通孔102a。透過通孔102a暴露出基板101之一區域。在執行蝕刻製程之後，依據剝離製程(strip process)，蝕刻遮罩180被移除。
在蝕刻製程之後，另外於剝離製程執行前執行灰化製程(ashing process)以使蝕刻遮罩180可輕易地完全移除。
接著，參閱第3E圖，閘極絕緣膜104於緩衝膜102上形成以覆蓋主動層103與第一電容電極113。閘極絕緣膜104被安置以填充緩衝膜102之通孔102a。
閘極電極107、第一電極108、以及第二電容電極117形成於閘極絕緣膜104上。
閘極電極107包含第一傳導層105與第二傳導層106。第一電極108可由用於形成第一傳導層105之材料所形成。傳導部位108a被安置於第一電極108之區域上。傳導部位108a可由用於形成第二傳導層106之材料所形成。
第二電容電極117可由用於形成第一傳導層105之材料所形成。
層間絕緣層109形成於第一電極108、閘極電極107、以及第二電容電極117上。接著，源極電極111與汲極電極112形成於層間絕緣層109上。源極電極111與汲極電極112之其中之一電性連接於第一電極108。
接著，參閱第3F圖，像素定義膜130形成於層間絕緣層109上以覆蓋源極電極111、汲極電極112、以及第二電容電極117。像素定義膜130係形成以不覆蓋第一電極108之至少一上方區域。
接著，中間層140形成於第一電極108上。詳細而言，中間層140係形成以接觸未以像素定義膜130所覆蓋的第一電極108之至少一上方區域。中間層140包括有機發光層以發射可見光。
接著，第二電極150形成於中間層140上。
藉著統合與回顧，倘若有機發光顯示裝置之第一電極之表面粗糙，有機發光顯示裝置之電性特質可能會衰減。特別的是，當突出部存在於第一電極之上表面時，突出部可連接中間層與第二電極，因而造成電性故障之產生，例如短路。因此，在提升有機發光顯示裝置之影像品質特性上可能會有所限制。
實施例可提供一種能夠輕易地提升影像品質之有機發光顯示裝置及其製造方法。實施例可包含一種有機發光顯示裝置，其內之第一電極對應於緩衝膜之通孔。
範例實施例係於此揭露，且儘管使用了特定的詞彙，其係僅用於並作為概略性及說明性而非限制目的。因此，其將為所屬技術領域具有通常知識者所理解的是，在未脫離申請專利範圍所述之精神與範疇下可對其進行形式及細節之各種變更。
100‧‧‧有機發光顯示裝置
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝膜
102a‧‧‧通孔
103‧‧‧主動層
104‧‧‧閘極絕緣膜
105‧‧‧第一傳導層
106‧‧‧第二傳導層
107‧‧‧閘極電極
108‧‧‧第一電極
108a‧‧‧傳導部位
109‧‧‧層間絕緣層
109a‧‧‧開口
110‧‧‧電容
111‧‧‧源極電極
112‧‧‧汲極電極
113‧‧‧第一電容電極
117‧‧‧第二電容電極
130‧‧‧像素定義膜
140‧‧‧中間層
150‧‧‧第二電極

Claims (11)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：一基板；一緩衝膜，直接地位於該基板上，該緩衝膜包含一通孔；一薄膜電晶體(TFT)，位於該緩衝膜上，該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極電極、一源極電極、以及一汲極電極；一第一電極，位於其上設置有該閘極電極的一閘極絕緣膜上並電性連接於該源極電極與該汲極電極之其中之一且對應於直接地位於該基板上的該緩衝膜中的該通孔，該通孔大於該第一電極；一中間層，位於該第一電極上，該中間層包含一有機發光層；以及一第二電極，位於該中間層上，其中，該閘極電極與該主動層之間的該閘極絕緣膜使該閘極電極與該主動層相互隔離，設置於該基板與該第一電極之間的該閘極絕緣膜的一部份填充該通孔，且該通孔大於設置於該閘極絕緣層上且對應於填充該通孔的該閘極絕緣膜的該部份的該第一電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極包含氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵、或氧化鋁鋅。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一電極位於安置有該閘極電極於其上之一層上，且包含選自形成該閘極電極之材料之至少一材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中：該閘極電極包含一第一傳導層與一第二傳導層，該第二傳導層位於該第一傳導層上，以及該第一電極位於安置有該第一傳導層於其上之一層上，該第一電極包含與該第一傳導層相同之一材料。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該中間層與該薄膜電晶體區隔分開，以與該薄膜電晶體為一不重疊關係。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其更包含一電容，該電容包含位於安置有該主動層於其上之一層上的一第一電容電極、以及位於安置有該閘極電極於其上之一層上的一第二電容電極。
  7. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：形成一緩衝膜於一基板上以包含一通孔；形成一薄膜電晶體於該緩衝膜上，該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極電極、一源極電極、以及一汲極電極；形成一第一電極，該第一電極位於其上設置有該閘極電極的一閘極絕緣膜上並電性連接於該源極電極與該汲極電 極之其中之一且對應於直接地位於該基板上的該緩衝膜中的該通孔，該通孔大於該第一電極；形成一中間層於該第一電極上，該中間層包含一有機發光層；以及形成一第二電極於該中間層上，其中，該閘極電極與該主動層之間的該閘極絕緣膜使該閘極電極與該主動層相互隔離，設置於該基板與該第一電極之間的該閘極絕緣膜的一部份填充該通孔，且該通孔大於設置於該閘極絕緣層上且對應於填充該通孔的該閘極絕緣膜的該部份的該第一電極。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該緩衝膜與該主動層係依據一圖樣化製程利用一半調式遮罩而形成。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該緩衝膜之形成包含：形成一緩衝膜材料層於該基板上；形成該主動層於該緩衝膜材料層上；形成一蝕刻遮罩以覆蓋該主動層且不覆蓋將形成該通孔之一區域；以及藉由利用該蝕刻遮罩執行一蝕刻製程而形成該通孔。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其更包含於該蝕刻製程執行之後執行一灰化製程，該灰化製程係於該蝕刻遮罩移除前執行。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該主動層之形成包含至少一結晶化製程。
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