CN110085635A - 一种显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括显示区，所述显示区中具有发光区；所述发光区包括：基板、缓冲层、层间绝缘层、钝化层、平坦化层和金属走线，所述缓冲层具有第一槽孔，所述第一槽孔贯穿所述缓冲层且对应于发光区；本发明可以使平坦化层的平坦度提高，并且可以减少平坦层的厚度。

Description

一种显示面板及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

目前的显示类型主要包括液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)、等离子显示(Plasma Display Panel，PDP)和电子墨水显示等多种。其中，OLED显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继LCD显示器之后的第三代显示技术，可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。

用喷墨打印工艺来制备OLED器件，需要发光区的表面越平坦越好，这样会使OLED层就可以膜厚均匀，但是通常基板制作的时候会有各种走线和过孔，这样会造成层间结构的起伏。如图1所示，通常的TFT基板都会制作平坦化层，对于平整度要求较高的喷墨打印技术来讲，平坦化层需要做的很厚并且厚度不均匀，一方面浪费材料，另一方面材料太厚曝光工艺也比较难控制，导致整个发光区的层间厚度不均，材料的杂质含量增加，影响阵列基板性能。

发明内容

本发明的目的在于，本发明提供一种显示面板及其制备方法，可以有效解决了发光区平坦度差以及平坦层的厚度较厚等问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种显示面板，其特征在于，包括显示区，所述显示区中具有发光区；所述发光区包括：基板；缓冲层，具有第一槽孔，所述第一槽孔贯穿所述缓冲层且对应于发光区；层间绝缘层，填充于所述第一槽孔且覆于所述缓冲层上，所述层间绝缘层具有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述层间绝缘层远离所述缓冲层的一侧且对应于所述第一槽孔；钝化层，填充于所述第一凹槽且覆于所述层间电介质层上，所述钝化层具有第二凹槽，所述第二凹槽位于所述钝化层远离所述层间电介质层的一侧且对应于所述第一凹槽；平坦化层，填充并覆于所述间电介质层上；金属走线，设于所述平坦化层且对应于所述发光区。

进一步地，所述第二凹槽的深度小于或等于所述第一槽孔的深度；所述第一槽孔的深度为100～500nm。

进一步地，所述层间绝缘层厚度为200～1000nm；所述钝化层厚度为100～500nm；所述平坦化层厚度为0.5～2nm。

进一步地，所述层间绝缘层为氧化硅层、氮化硅层、氧化硅和氮化硅复合层中的一种；所述钝化层为氧化硅层、氮化硅层、氧化硅和氮化硅复合层中的一种；所述平坦化层所用材料为光阻材料。

所述金属走线为阳极走线，在所述发光区中，所述显示面板还包括像素定义层，覆于所述平坦化层上，其具有开槽贯穿所述像素定义层且对应于所述阳极走线，所述阳极走线显露于所述开槽中；发光层，设于所述开槽中的所述阳极上。

进一步地，在所述显示区中，所述显示面板还包括半导体层，覆于所述缓冲层远离所述基板的一侧；所述半导体层具有源极区和漏极区；栅极绝缘层，覆于所述缓冲层与所述半导体层上；栅极金属层，覆于所述栅极绝缘层上；源漏极走线，覆于所述层间绝缘层上，所述源漏极走线对应的连接至所述源极区和漏极区；所述层间绝缘层覆于所述栅极金属层上；所述阳极走线对应的连接至所述源漏极走线。

进一步地，所述半导体层所用的材料为铟镓锌氧化物、铟锌碲氧化物或铟镓锌碲氧化物；所述栅极绝缘层材料为氧化硅或是氮化硅；所述栅极金属层材料为钼、铝、铜或碲。

本发明的另一目的提供一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板；形成缓冲层于所述基板上；蚀刻出第一槽孔于所述缓冲层上，所述第一槽孔贯穿所述缓冲层且对应于发光区；将层间绝缘层的所用材料同步沉积于所述缓冲层上和所述第一槽孔中，形成所述层间绝缘层，并在所述层间绝缘层对应所述第一槽孔位置形成第一凹槽，其中所述第一凹槽位于所述层间绝缘层远离所述缓冲层的一侧；将钝化层的所用材料同步沉积于所述层间绝缘层和所述第一凹槽中，形成所述钝化层，并在所述钝化层对应所述第一凹槽位置形成第二凹槽，其中所述第二凹槽位于所述钝化层远离所述层间绝缘层的一侧；将平坦化层的所用材料沉积于所述钝化层和所述第二凹槽中，形成所述平坦化层；形成金属走线于所述平坦化层上，所述金属走线对应于所述发光区。

进一步地，所述金属走线为阳极走线，在形成所述金属走线于所述平坦化层上后，还包括在所述发光区中，形成像素定义层于所述平坦化层上；蚀刻出贯穿所述像素定义层的开槽，以使所述金属走线显露于所述开槽中；形成发光层于所述开槽中的所述阳极上。

进一步地，在形成所述层间绝缘层步骤前，还包括：形成一层半导体层于所述缓冲层上；形成一栅极绝缘层于所述半导体层上；形成一栅极金属层于所述栅极绝缘层上，并对所述栅极金属层蚀刻形成的图案化的栅极；之后，根据图案化的栅极，蚀刻所述栅极绝缘层；等离子处理所述半导体层、所述栅极绝缘层和所述栅极金属层的整面。

本发明的有益效果是：本发明提出一种显示面板及其制备方法，通过黄光在缓冲层蚀刻一槽孔，通孔的位置与发光区位置相对；并接着在所述缓冲层以及凹槽位置制备OLED的器件层，这样可以使得到的显示面板的平坦化层与阳极层的平坦度提高，并且平坦化层的厚度降低，从而减少材料的浪费。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。

图1为现有技术显示面板的结构示意图；

图2为本发明提供的显示面板的结构示意图；

图3为本发明提供的基板、遮光层和缓冲层的结构示意图；

图4为本发明提供的第一槽孔、半导体层、栅极金属层和栅极绝缘层的结构示意图；

图5为本发明提供的第一凹槽的结构示意图；

图6为本发明提供的源漏极走线刻蚀通孔的结构示意图；

图7为本发明提供的第二凹槽的结构示意图；

图8为本发明提供的开槽的结构示意图。

本发明附图中标记说明

显示面板20

显示区200； 发光区201；

基板21； 遮光层22； 缓冲层23； 层间绝缘层24；

钝化层25； 半导体层26； 栅极绝缘层27； 栅极金属层28；

源漏极走线29； 平坦化层210； 金属走线211； 像素定义层212；

接触孔213； 发光层214； 阴极层215； 第一槽孔231；

第一凹槽241； 第二凹槽251； 开槽216； 源极区262；

漏极区263； 源极291； 漏极292

具体实施方式

以下是各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可以用实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如上、下、前、后、左、右、内、外、侧等，仅是参考附图式的方向。本发明提到的元件名称，例如第一、第二等，仅是区分不同的元部件，可以更好的表达。在图中，结构相似的单元以相同标号表示。

本文将参照附图来详细描述本发明的实施例。本发明可以表现为许多不同形式，本发明不应仅被解释为本文阐述的具体实施例。本发明提供这些实施例是为了解释本发明的实际应用，从而使本领域其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改方案。

如图2所示，本发明提供一种显示面板20，其特征在于，包括显示区200，所述显示区200中具有发光区201；所述发光区201包括：基板21、缓冲层23、层间绝缘层24、钝化层25、平坦化层210和金属走线211。

其中，所述缓冲层23具有第一槽孔231(参考图4)，所述第一槽孔231贯穿所述缓冲层23且对应于发光区201；所述层间绝缘层24填充于所述第一槽孔231且覆于所述缓冲层23上，所述层间绝缘层24厚度为200～1000nm，所述层间绝缘层24具有第一凹槽241(参考图5所示)，所述第一凹槽241位于所述层间绝缘层24远离所述缓冲层23的一侧且对应于所述第一槽孔231；所述钝化层25填充于所述第一凹槽241且覆于所述层间电介质层上，所述钝化层25厚度为100～500nm，所述钝化层25具有第二凹槽251(参考图7所示)，所述第二凹槽251位于所述钝化层25远离所述层间电介质层的一侧且对应于所述第一凹槽241；所述第二凹槽251的深度小于或等于所述第一槽孔231的深度，本实施例中，所述缓冲层23的厚度为100～500nm，所述第一槽孔231的深度为100～500nm，如所述缓冲层23的厚度为300nm，所述第一槽孔231的深度为300nm，那么所述第二凹槽251的深度可以为300nm，也可以小于300nm，小于300nm时，可以是200nm，250nm，但也不宜过小。所述平坦化层210填充并覆于所述间电介质层上，所述平坦化层210厚度为0.5～2nm；所述金属走线211设于所述平坦化层210且对应于所述发光区201，在本实施中，所述金属走线211为阳极走线。

其中，所述层间绝缘层24为氧化硅层、氮化硅层、氧化硅和氮化硅复合层中的一种；所述钝化层25为氧化硅层、氮化硅层、氧化硅和氮化硅复合层中的一种；所述平坦化层210所用材料为光阻材料。

所述显示面板20还包括像素定义层212，覆于所述平坦化层210上，其具有开槽216贯穿所述像素定义层212且对应于所述阳极走线211，所述阳极走线211显露于所述开槽216中；所述发光层214设于所述开槽216中的所述阳极上。

在所述显示区200中，所述显示面板20还包括遮光层22、半导体层26、栅极绝缘层27、栅极金属层28、源漏极走线29。

其中，所述遮光层22覆于所述基板21的一侧并且被所述缓冲层23包覆，所述半导体层26覆于所述缓冲层23远离所述基板21的一侧；所述半导体层26具有源极区262和漏极区263；所述栅极绝缘层27覆于所述缓冲层23与所述半导体层26上；所述栅极金属层28覆于所述栅极绝缘层27上；所述源漏极走线29覆于所述层间绝缘层24上，所述源漏极走线29对应的连接至所述源极区262和漏极区263；所述层间绝缘层24覆于所述栅极金属层28上；所述阳极走线211对应的连接至所述源漏极走线29。

其中，所述半导体层26厚度为10～100nm，所述半导体层26所用的材料为铟镓锌氧化物、铟锌碲氧化物或铟镓锌碲氧化物；所述栅极绝缘层27材料为氧化硅或是氮化硅，所述栅极绝缘层27厚度100～300nm；所述栅极金属层28材料为钼、铝、铜、碲或者是合金，所述栅极金属层28的厚度200-800nm。

本发明的显示面板20通过在缓冲层23对应发光区201的位置形成一第一槽孔231，位置与发光区201位置相对；这样可以使OLED的平坦化层210与阳极层的平坦度提高，并且使平坦化层210的厚度降低，从而减少材料的浪费。

本发明的另一目的提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：

参见图3所示，提供一基板21，并将所述基板21清洗干净，所述基板21一般为玻璃基板。在所述基板21沉积一层50～200nm厚度的金属形成遮光层22，所述金属可以是Mo，Al，Cu或Ti等，或者是合金。

形成缓冲层23于所述基板21上，所述缓冲层23为氧化硅层、氮化硅层、氧化硅和氮化硅复合层中的一种，所述缓冲层23厚度100～500nm

如图4所示，蚀刻出第一槽孔231于所述缓冲层23上，所述第一槽孔231贯穿所述缓冲层23且对应于发光区201；所述第一槽孔231的深度为100～500nm。

形成一层半导体层26于所述缓冲层23上；所述半导体为金属氧化物材料，所述半导体层26厚度为10～100nm，所述半导体层26所用的材料为铟镓锌氧化物、铟锌碲氧化物或铟镓锌碲氧化物

形成一栅极绝缘层27于所述半导体层26上；所述栅极绝缘层27材料为氧化硅或是氮化硅，所述栅极绝缘层27厚度100～300nm；

形成一栅极金属层28于所述栅极绝缘层27上，并对所述栅极金属层28蚀刻形成的图案化的栅极；

根据图案化的栅极，蚀刻所述栅极绝缘层27；这样只在有栅极金属图形的膜层下方才有栅极绝缘层27存在，其余地方栅极绝缘层27均被蚀刻掉。

等离子处理所述半导体层26、所述栅极绝缘层27和所述栅极金属层28的整面。这样对于上方没有所述栅极绝缘层27和栅极金属保护的所述半导体层26，其处理以后电阻明显降低，形成N+导体层。由于栅极绝缘层27下方的半导体层26没有被处理到，所以保持半导体特性，并且作为TFT沟道。

参见图5所示，将层间绝缘层24的所用材料同步沉积于所述缓冲层23上和所述第一槽孔231中，形成所述层间绝缘层24，并在所述层间绝缘层24对应所述第一槽孔231位置形成第一凹槽241，其中所述第一凹槽241位于所述层间绝缘层24远离所述缓冲层23的一侧；所述层间绝缘层24厚度为200～1000nm，所述层间绝缘层24为氧化硅层、氮化硅层、氧化硅和氮化硅复合层中的一种。如图6所示，并在层间绝缘层上刻蚀出源漏极29、漏级292、源极291的走线时候需要的过孔(图中未标记)。

参见图7所示，将钝化层25的所用材料同步沉积于所述层间绝缘层24和所述第一凹槽241中，形成所述钝化层25，并在所述钝化层25对应所述第一凹槽241位置形成第二凹槽251，其中所述第二凹槽251位于所述钝化层25远离所述层间绝缘层24的一侧；所述钝化层25厚度为100～500nm，所述钝化层25为氧化硅层、氮化硅层、氧化硅和氮化硅复合层中的一种。

参见图8所示，将平坦化层210的所用材料沉积于所述钝化层25和所述第二凹槽251中，形成所述平坦化层210；所述平坦化层210的厚度0.5-2um，所述平坦化层210为一层光阻材料。在所述平坦化层210蚀刻出贯穿所述平坦化层210直至漏级292的接触孔213。

形成金属走线211于所述平坦化层210和所述开槽216上，所述金属走线211对应于所述发光区201。所述金属走线211为阳极走线，这样可以使阳极走线211连接设置漏级292。

在所述发光区201中，形成像素定义层212于所述平坦化层210和阳极走线211上，蚀刻出贯穿所述像素定义层212的开槽216，以使所述金属走线211显露于所述开槽216中；

形成发光层214于所述开槽216中的所述阳极走线211上。所述发光层214包括覆于所述阳极走线211远离平坦化层210一侧的空穴注入层，覆于所述空穴注入层远离所述阳极一侧的空穴传输层，覆于所述空穴传输层远离所述空穴逐层一侧的亮光层，覆于所述亮光层远离所述空穴传输层的电子传输层，覆于所述电子传输层远离所述亮光层一侧的电子注入层，并未在附图中标记出来。

阴极层制备步骤，在所述阳极层和所述像素定义层212表面制备阴极层215。

本发明提出一种显示面板及其制备方法，通过在缓冲层23对应发光区201的位置蚀刻一槽孔，位置与发光区201位置相对；这样可以使OLED的平坦化层210与阳极走线211的平坦度提高，并且使平坦化层210的厚度降低，从而减少材料的浪费。

应当指出，对于经充分说明的本发明来说，还可具有多种变换及改型的实施方案，并不局限于上述实施方式的具体实施例。上述实施例仅仅作为本发明的说明，而不是对发明的限制。总之，本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括

显示区，所述显示区中具有发光区；所述发光区包括：

基板；

缓冲层，具有第一槽孔，所述第一槽孔贯穿所述缓冲层且对应于发光区；

层间绝缘层，填充于所述第一槽孔且覆于所述缓冲层上，所述层间绝缘层具有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述层间绝缘层远离所述缓冲层的一侧且对应于所述第一槽孔；

钝化层，填充于所述第一凹槽且覆于所述层间电介质层上，所述钝化层具有第二凹槽，所述第二凹槽位于所述钝化层远离所述层间电介质层的一侧且对应于所述第一凹槽；

平坦化层，填充并覆于所述间电介质层上；

金属走线，设于所述平坦化层且对应于所述发光区。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第二凹槽的深度小于或等于所述第一槽孔的深度；所述第一槽孔的深度为100～500nm。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述层间绝缘层厚度为200～1000nm；

所述钝化层厚度为100～500nm；

所述平坦化层厚度为0.5～2nm。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述层间绝缘层为氧化硅层、氮化硅层、氧化硅和氮化硅复合层中的一种；

所述钝化层为氧化硅层、氮化硅层、氧化硅和氮化硅复合层中的一种；所述平坦化层所用材料为光阻材料。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述金属走线为阳极走线，在所述发光区中，所述显示面板还包括

像素定义层，覆于所述平坦化层上，其具有开槽贯穿所述像素定义层且对应于所述阳极走线，所述阳极走线显露于所述开槽中；

发光层，设于所述开槽中的所述阳极上。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，在所述显示区中，所述显示面板还包括

半导体层，覆于所述缓冲层远离所述基板的一侧；所述半导体层具有源极区和漏极区；

栅极绝缘层，覆于所述缓冲层与所述半导体层上；

栅极金属层，覆于所述栅极绝缘层上；

源漏极走线，覆于所述层间绝缘层上，所述源漏极走线对应的连接至所述源极区和漏极区；所述层间绝缘层覆于所述栅极金属层上；

所述阳极走线对应的连接至所述源漏极走线。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，

所述半导体层所用的材料为铟镓锌氧化物、铟锌碲氧化物或铟镓锌碲氧化物；

所述栅极绝缘层材料为氧化硅或是氮化硅；

所述栅极金属层材料为钼、铝、铜或碲。

8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基板；

形成缓冲层于所述基板上；

蚀刻出第一槽孔于所述缓冲层上，所述第一槽孔贯穿所述缓冲层且对应于发光区；

将层间绝缘层的所用材料同步沉积于所述缓冲层上和所述第一槽孔中，形成所述层间绝缘层，并在所述层间绝缘层对应所述第一槽孔位置形成第一凹槽，其中所述第一凹槽位于所述层间绝缘层远离所述缓冲层的一侧；

将钝化层的所用材料同步沉积于所述层间绝缘层和所述第一凹槽中，形成所述钝化层，并在所述钝化层对应所述第一凹槽位置形成第二凹槽，其中所述第二凹槽位于所述钝化层远离所述层间绝缘层的一侧；将平坦化层的所用材料沉积于所述钝化层和所述第二凹槽中，形成所述平坦化层；

形成金属走线于所述平坦化层上，所述金属走线对应于所述发光区。

9.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述金属走线为阳极走线，在形成所述金属走线于所述平坦化层上后，还包括在所述发光区中，形成像素定义层于所述平坦化层上；

蚀刻出贯穿所述像素定义层的开槽，以使所述金属走线显露于所述开槽中；；

形成发光层于所述开槽中的所述阳极上。

10.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，

在形成所述层间绝缘层步骤前，还包括：

形成一层半导体层于所述缓冲层上；

形成一栅极绝缘层于所述半导体层上；

形成一栅极金属层于所述栅极绝缘层上，并对所述栅极金属层蚀刻形成的图案化的栅极；之后，根据图案化的栅极，蚀刻所述栅极绝缘层；

等离子处理所述半导体层、所述栅极绝缘层和所述栅极金属层的整面。