CN107564941A - 柔性oled阵列基板及其制作方法 - Google Patents
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- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 title claims abstract description 108
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 228
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 149
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 113
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 65
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 19
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 19
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- -1 Polyethylene Terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 150000003503 terephthalic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种柔性OLED阵列基板，其包括柔性基板、阻挡层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、第一层间介电层、第二层间介电层、钝化层以及像素定义层。本发明还提供一种柔性OLED阵列基板的制作方法。本发明通过第二栅极绝缘层上第一栅极绝缘层刻蚀孔和第二栅极绝缘层刻蚀孔；以及第一层间介电层上第一层间介电层刻蚀孔以及第二层间介电层刻蚀孔的设置；提高了对应柔性OLED显示面板的使用稳定性以及使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及柔性显示面板领域，特别是涉及一种柔性OLED阵列基板及其制作方法。
背景技术
柔性OLED显示面板凭借其轻薄、柔性高、可弯曲以及可折叠等优点成为下一代显示技术争相研究的热点。为了获得更理想的柔性效果，柔性OLED显示面板的柔性OLED阵列基板会采用柔性材料基板取代超薄金属片，从而得到更好的柔性效果。
但是现有的柔性OLED阵列基板具有很多无机膜层，无机膜层之间的应力差异可能会导致无机膜层的脱落和柔性OLED阵列基板的翘曲，进而影响柔性OLED显示面板的使用寿命和稳定性。同时柔性OLED阵列基板中的有机膜层经过多次弯曲之后也容易形成裂纹，进而破坏柔性OLED显示面板内器件的结构。因此现有的柔性OLED显示面板的使用稳定性较差、使用寿命也较短。
故，有必要提供一种柔性OLED阵列基板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可提高对应柔性OLED显示面板的使用稳定性以及使用寿命的柔性OLED阵列基板及其制作方法；以解决现有的柔性OLED显示面板的使用稳定性较差且使用寿命也较短的技术问题。
本发明实施例提供一种柔性OLED阵列基板，其包括：
柔性基板；
阻挡层，设置在所述柔性基板上，用于阻挡外部水气以及氧气；
缓冲层，设置在所述阻挡层上；
有源层，设置在所述缓冲层上，包括位于所述有源层中部的沟道、位于所述有源层一侧的源极掺杂层和位于所述有源层另一侧的漏极掺杂层；
第一栅极绝缘层，设置在所述缓冲层和所述有源层上；
第一栅极，设置在所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极绝缘层，设置在所述第一栅极绝缘层和所述第一栅极上，所述第二栅极绝缘层上设置有贯通到所述第一栅极绝缘层的第一栅极绝缘层刻蚀孔和贯通到所述缓冲层的第二栅极绝缘层刻蚀孔；
第二栅极，设置在所述第二栅极绝缘层上；
第一层间介电层，设置在所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极上；所述第一层间介电层上设置有贯通至所述第一栅极绝缘层刻蚀孔的第一层间介电层刻蚀孔以及贯通至所述缓冲层的第二层间介电层刻蚀孔；
第二层间介电层，设置在所述第一层间介电层上，所述第二层间介电层上设置有贯通至所述源极掺杂层的源极电极以及贯通至所述漏极掺杂层的漏极电极；
钝化层，设置在所述第二层间介电层上，所述钝化层上设置有贯通至所述源极电极的金属阳极；以及
像素定义层，设置在所述钝化层上。
在本发明所述的柔性OLED阵列基板中，所述第二栅极绝缘层上的每个像素区域设置有至少两个第一栅极绝缘层刻蚀孔以及至少两个第二栅极绝缘层刻蚀孔。
在本发明所述的柔性OLED阵列基板中，至少两个所述第一栅极绝缘层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧；至少两个所述第二栅极绝缘层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧。
在本发明所述的柔性OLED阵列基板中，所述第一层间介电层上的每个像素区域设置有至少两个所述第一层间介电层刻蚀孔和至少两个所述第二层间介电层刻蚀孔。
在本发明所述的柔性OLED阵列基板中，至少两个所述第一层间介电层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧；至少两个所述第二层间介电层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧。
在本发明所述的柔性OLED阵列基板中，所述第一层间介电层刻蚀孔在所述柔性基板所在平面的投影覆盖所述第一栅极绝缘层刻蚀孔在所述柔性基板所在平面的投影；所述第二层间介电层刻蚀孔在所述柔性基板所在平面的投影覆盖所述第二栅极绝缘层刻蚀孔在所述柔性基板所在平面的投影。
在本发明所述的柔性OLED阵列基板中，所述第一栅极在所述柔性基板所在平面上的投影与所述第二栅极在所述柔性基板所在平面上的投影基本重合。
本发明实施例还提供一种柔性OLED阵列基板的制作方法，其包括：
提供一柔性基板；
在所述柔性基板上制作阻挡层；
在所述阻挡层上制作缓冲层；
在所述缓冲层上制作有源层，并形成所述有源层中部的沟道、所述有源层一侧的源极掺杂层以及所述有源层另一侧的漏极掺杂层；
在所述缓冲层和所述有源层上制作第一栅极绝缘层；
在所述第一栅极绝缘层上设置第一栅极；
在所述第一栅极绝缘层和所述第一栅极上制作第二栅极绝缘层；
在所述第二栅极绝缘层上刻蚀贯通到所述第一栅极绝缘层的第一栅极绝缘层刻蚀孔以及贯通到所述缓冲层的第二栅极绝缘层刻蚀孔；
在所述第二栅极绝缘层上制作第二栅极；
在所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极上制作第一层间介电层；
在所述第一层间介电层上刻蚀贯通至第一栅极绝缘层刻蚀孔的第一层间介电层刻蚀孔和贯通至缓冲层的第二层间介电层刻蚀孔；
在所述第一层间介电层上制作第二层间介电层；
在所述第二层间介电层上刻蚀贯通至所述源极掺杂层的源极电极以及贯通至所述漏极掺杂层的漏极电极；
在所述第二层间介电层上制作钝化层；
在所述钝化层上刻蚀贯通至所述源极电极的金属阳极；以及
在所述钝化层上制作像素定义层。
在本发明所述的柔性OLED阵列基板的制作方法中，所述第二栅极绝缘层上的每个像素区域设置有至少两个第一栅极绝缘层刻蚀孔以及至少两个第二栅极绝缘层刻蚀孔；
至少两个所述第一栅极绝缘层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧；至少两个所述第二栅极绝缘层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧。
在本发明所述的柔性OLED阵列基板的制作方法中，所述第一层间介电层上的每个像素区域设置有至少两个所述第一层间介电层刻蚀孔和至少两个所述第二层间介电层刻蚀孔；
至少两个所述第一层间介电层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧；至少两个所述第二层间介电层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧。
本发明的柔性OLED阵列基板及其制作方法通过第二栅极绝缘层上第一栅极绝缘层刻蚀孔和第二栅极绝缘层刻蚀孔；以及第一层间介电层上第一层间介电层刻蚀孔以及第二层间介电层刻蚀孔的设置；提高了对应柔性OLED显示面板的使用稳定性以及使用寿命；解决了现有的柔性OLED显示面板的使用稳定性较差且使用寿命也较短的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1为本发明的柔性OLED阵列基板的优选实施例的结构示意图；
图2为本发明的柔性OLED阵列基板的制作方法的优选实施例的流程图；
图3A至图3F为本发明的柔性OLED阵列基板的制作方法的优选实施例的制程结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参照图1，图1为本发明的柔性OLED阵列基板的优选实施例的结构示意图；本优选实施例的柔性OLED阵列基板100包括柔性基板110、阻挡层120、缓冲层130、有源层140、第一栅极绝缘层150、第一栅极160、第二栅极绝缘层170、第二栅极180、第一层间介电层190、第二层间介电层1A0、钝化层1B0以及像素定义层1C0。
阻挡层120设置在柔性基板110上，用于阻挡外部水气以及氧气；缓冲层130设置在阻挡层120上；有源层140设置在缓冲层130上，包括位于有源层140中部的沟道141、位于有源层140一侧的源极掺杂层142和位于有源层140另一侧的漏极掺杂层143；第一栅极绝缘层150设置在缓冲层130和有源层140上；第一栅极160设置在第一栅极绝缘层150上；第二栅极绝缘层170设置在第一栅极绝缘层150和第一栅极160上，第二栅极绝缘层170上设置有贯通到第一栅极绝缘层150的第一栅极绝缘层刻蚀孔171和贯通到缓冲层130的第二栅极绝缘层刻蚀孔172；第二栅极180设置在第二栅极绝缘层170上；第一层间介电层190设置在第二栅极绝缘层170和第二栅极180上；第一层间介电层190上设置有贯通至第一栅极绝缘层刻蚀孔171的第一层间介电层刻蚀孔191以及贯通至缓冲层130的第二层间介电层刻蚀孔192；第二层间介电层1A0设置在第一层间介电层190上，第二层间介电层1A0上设置有贯通至源极掺杂层142的源极电极1A2以及贯通至漏极掺杂层143的漏极电极1A1；钝化层1B0设置在第二层间介电层1A0上，钝化层1B0上设置有贯通至源极电极1A2的金属阳极1C1；像素定义层1C0设置在钝化层1B0上。
其中柔性基板110的材料为PI(聚酰亚，Polyimide)或PET(Polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸类塑料)。阻挡层120和缓冲层130的材料为SiNx、SiO2或上述材料的组合。第一栅极160和第二栅极180的材料为金属钼(Mo)。第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层170的材料为SiNx、SiO2或上述材料的组合。其中缓冲层130的厚度约为4000埃，第一栅极绝缘层150的厚度约为1000埃，第二栅极绝缘层170的厚度约为1200埃，第一层间介电层190的厚度约为3000埃。
第一栅极160在柔性基板110所在平面上的投影和第二栅极180在柔型塑料基板110所在平面上的投影基本重合。
具体的，第二栅极绝缘层170上的每个像素区域设置有至少两个第一栅极绝缘层刻蚀孔171以及至少两个第二栅极绝缘层刻蚀孔172。这里的像素区域是指可以单独驱动的独立像素单元。至少两个第一栅极绝缘层刻蚀孔171对称设置在沟道141的两侧，至少两个第二栅极绝缘层刻蚀孔172对称设置在沟道141的两侧。
具体的，第一层间介电层190的每个像素区域设置有至少两个第一层间介电层刻蚀孔191和至少两个第二层间介电层刻蚀孔192。至少两个第一层间介电层刻蚀孔191置在沟道141的两侧，至少两个第二层间介电层刻蚀孔192对称设置在沟道141的两侧。
优选的，第一层间介电层刻蚀孔191在柔性基板110所在平面的投影覆盖第一栅极绝缘层刻蚀孔171在柔性基板110所在平面的投影。第二层间介电层刻蚀孔192在柔性基板110所在平面的投影覆盖第二栅极绝缘层刻蚀孔172在柔性基板110所在平面的投影。
本优选实施例的柔性OLED阵列基板110对应的柔性OLED显示面板使用时，第一栅极绝缘层刻蚀孔171和第二栅极绝缘层刻蚀孔172可在第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层170以及缓冲层130上引入第二栅极180的金属材料。第一层间介电层刻蚀孔191和第二层间介电层刻蚀孔192可在第一层间介电层190、第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层170以及缓冲层130上引入第二层间介电层1A0的有机材料。
这样可以有效的消除第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层170以及缓冲层130等无机膜层之间的应力，防止第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层170以及缓冲层130等无机膜层发生脱落或翘曲的现象。同时对应的柔性OLED显示面板发生弯曲时，可减小曲率半径，得到更好的柔性显示效果。
同时本优选实施例的第一层间介电层刻蚀孔191和第一栅极绝缘层刻蚀孔171的位置相对应，第二层间介电层刻蚀孔192和第二栅极绝缘层刻蚀孔172的位置相对应，这样使用同一光罩即可完成第一层间介电层刻蚀孔191、第二层间介电层刻蚀孔192、第一栅极绝缘层刻蚀孔171以及第二栅极绝缘层刻蚀孔172的刻蚀操作；第一层间介电层刻蚀孔191和第二层间介电层刻蚀孔192的形成，与第一栅极绝缘层刻蚀孔171以及第二栅极绝缘层刻蚀孔172的刻蚀操作的形成过程仅仅是刻蚀时间的区别。因此该柔性OLED阵列基板可以非常低的额外成本，较好的消除了无机膜层的应力，提高了对应柔性OLED显示面板的使用稳定性以及使用寿命。
因此本优选实施例的柔性OLED阵列基板通过第二栅极绝缘层上第一栅极绝缘层刻蚀孔和第二栅极绝缘层刻蚀孔；以及第一层间介电层上第一层间介电层刻蚀孔以及第二层间介电层刻蚀孔的设置；提高了对应柔性OLED显示面板的使用稳定性以及使用寿命。
请参照图2，图2为本发明的柔性OLED阵列基板的制作方法的优选实施例的流程图。本优选实施例的柔性OLED阵列基板的制作方法包括：
步骤S201，提供一柔性基板；
其中柔性基板的材料为PI(聚酰亚，Polyimide)或PET(Polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸类塑料)。
步骤S202，在柔性基板上制作阻挡层；
阻挡层的材料为SiNx、SiO2或上述材料的组合。
步骤S203，在阻挡层上制作缓冲层；
阻挡层的材料为SiNx、SiO2或上述材料的组合，缓冲层的厚度约为4000埃。
步骤S204，在缓冲层上制作有源层，并形成有源层中部的沟道、有源层一侧的源极掺杂层以及有源层另一侧的漏极掺杂层；
步骤S205，在缓冲层和有源层上制作第一栅极绝缘层；
第一栅极绝缘层的材料为SiNx、SiO2或上述材料的组合；第一栅极绝缘层的厚度约为1000埃。
步骤S206，在第一栅极绝缘层上设置第一栅极；
第一栅极的材料为金属钼(Mo)。
步骤S207，在第一栅极绝缘层和第一栅极上制作第二栅极绝缘层；
第二栅极绝缘层的材料为SiNx、SiO2或上述材料的组合；第二栅极绝缘层的厚度约为1200埃。如图3A所示。
步骤S208，在第二栅极绝缘层上刻蚀贯通到第一栅极绝缘层的第一栅极绝缘层刻蚀孔以及贯通到缓冲层的第二绝缘层刻蚀孔；
第二栅极绝缘层上的每个像素区域设置有至少两个第一栅极绝缘层刻蚀孔以及至少两个第二栅极绝缘层刻蚀孔。这里的像素区域是指可以单独驱动的独立像素单元。至少两个第一栅极绝缘层刻蚀孔对称设置在沟道的两侧，至少两个第二栅极绝缘层刻蚀孔对称设置在沟道的两侧。如图3B所示。
步骤S209，在第二栅极绝缘层上制作第二栅极；
第二栅极的材料为金属钼(Mo)，第一栅极在柔性基板所在平面上的投影和第二栅极在柔型塑料基板所在平面上的投影基本重合。如图3C所示。
步骤S210，在第二栅极绝缘层和第二栅极上制作第一层间介电层；
第一层间介电层的厚度约为3000埃。如图3D所示。
步骤S211，在第一层间介电层上刻蚀贯通至第一栅极绝缘层刻蚀孔的第一层间介电层刻蚀孔和贯通至缓冲层的第二层间介电层刻蚀孔；
第一层间介电层的每个像素区域设置有至少两个第一层间介电层刻蚀孔和至少两个第二层间介电层刻蚀孔。至少两个第一层间介电层刻蚀孔对称设置在沟道的两侧，至少两个第二层间介电层刻蚀孔对称设置在沟道的两侧。
第一层间介电层刻蚀孔在柔性基板所在平面的投影覆盖第一栅极绝缘层刻蚀孔在柔性基板所在平面的投影。第二层间介电层刻蚀孔在柔性基板所在平面的投影覆盖第二栅极绝缘层刻蚀孔在柔性基板所在平面的投影，如图3E所示。
步骤S212，在第一层间介电层上制作第二层间介电层；如图3F所示。
步骤S213，在第二层间介电层上刻蚀贯通源极掺杂层的源极电极以及贯通至漏极掺杂层的漏极电极；
步骤S214，在第二层间介电层上制作钝化层；
步骤S215，在钝化层上刻蚀贯通至源极电极的金属阳极；
步骤S216，在钝化层上制作像素定义层，如图1所示。
这样即完成了本优选实施例的柔性OLED阵列基板的制作流程，随后可继续在像素定义层上设置OLED发光结构、阴极以及保护层等柔性OLED显示面板结构以形成完整的柔性OLED显示面板。
该柔性OLED显示面板的具体使用原理与上述的柔性OLED阵列基板的优选实施例中的描述相同或相似，具体请参照上述柔性OLED阵列基板的优选实施例中的相关描述。
本发明的柔性OLED阵列基板及其制作方法通过第二栅极绝缘层上第一栅极绝缘层刻蚀孔和第二栅极绝缘层刻蚀孔；以及第一层间介电层上第一层间介电层刻蚀孔以及第二层间介电层刻蚀孔的设置；提高了对应柔性OLED显示面板的使用稳定性以及使用寿命；解决了现有的柔性OLED显示面板的使用稳定性较差且使用寿命也较短的技术问题。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种柔性OLED阵列基板，其特征在于，包括：
柔性基板；
阻挡层，设置在所述柔性基板上，用于阻挡外部水气以及氧气；
缓冲层，设置在所述阻挡层上；
有源层，设置在所述缓冲层上，包括位于所述有源层中部的沟道、位于所述有源层一侧的源极掺杂层和位于所述有源层另一侧的漏极掺杂层；
第一栅极绝缘层，设置在所述缓冲层和所述有源层上；
第一栅极，设置在所述第一栅极绝缘层上；
第二栅极绝缘层，设置在所述第一栅极绝缘层和所述第一栅极上，所述第二栅极绝缘层上设置有贯通到所述第一栅极绝缘层的第一栅极绝缘层刻蚀孔和贯通到所述缓冲层的第二栅极绝缘层刻蚀孔；
第二栅极，设置在所述第二栅极绝缘层上；
第一层间介电层，设置在所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极上；所述第一层间介电层上设置有贯通至所述第一栅极绝缘层刻蚀孔的第一层间介电层刻蚀孔以及贯通至所述缓冲层的第二层间介电层刻蚀孔；
第二层间介电层，设置在所述第一层间介电层上，所述第二层间介电层上设置有贯通至所述源极掺杂层的源极电极以及贯通至所述漏极掺杂层的漏极电极；
钝化层，设置在所述第二层间介电层上，所述钝化层上设置有贯通至所述源极电极的金属阳极；以及
像素定义层，设置在所述钝化层上。
2.根据权利要求1所述的柔性OLED阵列基板，其特征在于，
所述第二栅极绝缘层上的每个像素区域设置有至少两个第一栅极绝缘层刻蚀孔以及至少两个第二栅极绝缘层刻蚀孔。
3.根据权利要求2所述的柔性OLED阵列基板，其特征在于，
至少两个所述第一栅极绝缘层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧；
至少两个所述第二栅极绝缘层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧。
4.根据权利要求1所述的柔性OLED阵列基板，其特征在于，所述第一层间介电层上的每个像素区域设置有至少两个所述第一层间介电层刻蚀孔和至少两个所述第二层间介电层刻蚀孔。
5.根据权利要求5所述的柔性OLED阵列基板，其特征在于，
至少两个所述第一层间介电层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧；
至少两个所述第二层间介电层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧。
6.根据权利要求1所述的柔性OLED阵列基板，其特征在于，
所述第一层间介电层刻蚀孔在所述柔性基板所在平面的投影覆盖所述第一栅极绝缘层刻蚀孔在所述柔性基板所在平面的投影；
所述第二层间介电层刻蚀孔在所述柔性基板所在平面的投影覆盖所述第二栅极绝缘层刻蚀孔在所述柔性基板所在平面的投影。
7.根据权利要求1所述的柔性OLED阵列基板，其特征在于，
所述第一栅极在所述柔性基板所在平面上的投影与所述第二栅极在所述柔性基板所在平面上的投影基本重合。
8.一种柔性OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一柔性基板；
在所述柔性基板上制作阻挡层；
在所述阻挡层上制作缓冲层；
在所述缓冲层上制作有源层，并形成所述有源层中部的沟道、所述有源层一侧的源极掺杂层以及所述有源层另一侧的漏极掺杂层；
在所述缓冲层和所述有源层上制作第一栅极绝缘层；
在所述第一栅极绝缘层上设置第一栅极；
在所述第一栅极绝缘层和所述第一栅极上制作第二栅极绝缘层；
在所述第二栅极绝缘层上刻蚀贯通到所述第一栅极绝缘层的第一栅极绝缘层刻蚀孔以及贯通到所述缓冲层的第二栅极绝缘层刻蚀孔；
在所述第二栅极绝缘层上制作第二栅极；
在所述第二栅极绝缘层和所述第二栅极上制作第一层间介电层；
在所述第一层间介电层上刻蚀贯通至第一栅极绝缘层刻蚀孔的第一层间介电层刻蚀孔和贯通至缓冲层的第二层间介电层刻蚀孔；
在所述第一层间介电层上制作第二层间介电层；
在所述第二层间介电层上刻蚀贯通至所述源极掺杂层的源极电极以及贯通至所述漏极掺杂层的漏极电极；
在所述第二层间介电层上制作钝化层；
在所述钝化层上刻蚀贯通至所述源极电极的金属阳极；以及在所述钝化层上制作像素定义层。
9.根据权利要求8所述的柔性OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第二栅极绝缘层上的每个像素区域设置有至少两个第一栅极绝缘层刻蚀孔以及至少两个第二栅极绝缘层刻蚀孔；
至少两个所述第一栅极绝缘层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧；至少两个所述第二栅极绝缘层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧。
10.根据权利要求8所述的柔性OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，
所述第一层间介电层上的每个像素区域设置有至少两个所述第一层间介电层刻蚀孔和至少两个所述第二层间介电层刻蚀孔；
至少两个所述第一层间介电层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧；至少两个所述第二层间介电层刻蚀孔对称设置在所述沟道的两侧。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710609768.2A CN107564941B (zh) | 2017-07-25 | 2017-07-25 | 柔性oled阵列基板及其制作方法 |
| PCT/CN2017/106625 WO2019019428A1 (zh) | 2017-07-25 | 2017-10-18 | 柔性oled阵列基板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710609768.2A CN107564941B (zh) | 2017-07-25 | 2017-07-25 | 柔性oled阵列基板及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107564941A true CN107564941A (zh) | 2018-01-09 |
| CN107564941B CN107564941B (zh) | 2019-05-03 |
Family
ID=60974295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710609768.2A Active CN107564941B (zh) | 2017-07-25 | 2017-07-25 | 柔性oled阵列基板及其制作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107564941B (zh) |
| WO (1) | WO2019019428A1 (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |