CN108008583B - 柔性显示器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种柔性显示器件及其制备方法，所述制备方法通过引入第一金属柱以增加器件的耐弯性能，以及设置第一有机柱和第二有机柱以减小无机膜层之间的应力差异所引起的薄膜脱落现象，从而在提高柔性显示器件的稳定性的同时也提高该器件的良率。

Description

柔性显示器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及液晶显示面板技术领域，尤其涉及一种柔性显示器件及其制备方法。
背景技术
柔性显示器件具有轻、薄、可挠曲、耐冲击、超高防水性能等优点，在可穿戴设备及一些特殊功能显示领域有非常广泛的应用。目前，制备柔性器件的技术中，主要是将柔性基板装配在刚性的玻璃基板等载板上，然后在柔性基板上制备显示器元件，最后再将柔性基板与载板分离，进而得到柔性器件。在柔性器件制备过程中，主流的柔性显示器件都采用的LTPS(low temperature poly-silion低温多晶硅)技术。传统的LTPS结构中还有很多无机膜层，无机膜层之间薄膜应力的差异会导致薄膜的脱落和基板的翘曲，进而影响使用寿命以及稳定性，同时厚厚的有机膜层经过无数次的弯曲之后容易形成裂纹，进而破坏器件结构。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种柔性显示器件及其制备方法，所述制备方法通过引入第一金属柱以增加器件的耐弯性能，以及设置第一有机柱和第二有机柱以减小无机膜层之间的应力差异所引起的薄膜脱落现象，从而提高器件的稳定性的同时也提高了器件的良率。
为了实现上述目的，本发明提供了一种柔性显示器件，其包括：一柔性塑料基板，在所述柔性塑料基板上依次设置第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一内层介电层和第二内层介电层；在所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层中设置有一第一金属柱，所述第一金属柱是由金属材料而形成的；，第一金属柱为由填充金属材料的第一刻蚀孔而形成，其中通过采用第一光罩制程在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层中形成第一刻蚀孔和第二刻蚀孔，在所述第一光罩上且对应第一刻蚀孔位置的孔径的设计值设置为小于所述第一刻蚀孔的实际需求值，并且以对第二刻蚀孔曝光能量为衡量标准的方式对第一刻蚀孔进行曝光；在所述第一内层介电层中设置有一第一有机柱，所述第一有机柱是由有机材料而形成的；在第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第一内层介电层中设置有一第二有机柱，所述第二有机柱是由有机材料而形成的；其中，所述第一金属柱、第一有机柱和第二有机柱用于改善所述柔性显示器的薄膜应力。
另外，本发明还提供一种柔性显示器件的制备方法，其包括以下步骤：(1)在一柔性塑料基板上依次设置第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层；(2)采用第一光罩制程，在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层中形成第一刻蚀孔和第二刻蚀孔，其中将在所述第一光罩上且对应第一刻蚀孔位置的孔径的设计值设置为小于所述第一刻蚀孔的实际需求值，并且以对第二刻蚀孔曝光能量为衡量标准的方式对第一刻蚀孔进行曝光；(3)在第一刻蚀孔内填充金属材料以形成第一金属柱；(4)在第二栅极绝缘层上设置第一内层介电层；(5)采用第二光罩制程，在第一内层介电层中形成第三刻蚀孔，并在第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第一内层介电层中形成第四刻蚀孔；(6)在第三刻蚀孔内填充有机材料以形成第一有机柱，且在第四刻蚀孔内填充有机材料以形成为第二有机柱。
在本发明的一实施例中，在步骤(2)中所使用的第一光罩与在步骤(5)中所使用的第二光罩为相同。
在本发明的一实施例中，在步骤(2)中，通过控制刻蚀速率和时间，使得所述第一刻蚀孔的深度小于第一栅极绝缘层的厚度与第二栅极绝缘层的厚度之和。
在本发明的一实施例中，在步骤(3)中，采用物理气相沉积方法，在第二栅极绝缘层上沉积一金属层，以使得第一刻蚀孔内填充金属材料。
在本发明的一实施例中，当第二栅极绝缘层上沉积一金属层时，在第二刻蚀孔内也填充金属材料；对所述金属层进行图案化，以去除第二刻蚀孔内所填充的金属材料。
在本发明的一实施例中，在步骤(5)中，通过控制刻蚀速率和时间，使得所述第三刻蚀孔贯穿所述第一内层介电层。
在本发明的一实施例中，在步骤(5)中，将在所述第二光罩上且对应第三刻蚀孔位置的孔径的设计值设置为小于所述第三刻蚀孔的实际需求值，并且以对第四刻蚀孔曝光能量为衡量标准的方式对第三刻蚀孔进行曝光。
本发明的优点在于，本发明所述制备方法通过引入第一金属柱以增加器件的耐弯性能，以及设置第一有机柱和第二有机柱以减小无机膜层之间的应力差异所引起的薄膜脱落现象，从而提高器件的稳定性的同时也提高了器件的良率。另外，在制程工艺方面，由于采用同一道光罩，并且使用sizing方式的光罩设计，以及通过刻蚀速率和时间的调节，因此，能够达到对不同膜厚的膜层的刻蚀效果。而且，填充有金属材料的第一刻蚀孔、填充有有机材料的第三刻蚀孔和第四刻蚀孔分别是在沉积第二栅极层和第二内层介电层时所形成的，从而达到设计效果，无需额外更多的制程，且节约了成本。另外，在保证减少无机膜层之间的应力影响并防止各膜层之间所产生膜层脱落或基板翘曲后所产生的断线现象的基础上，可适当减小隔离层(isolation layer)(其包括第一有机柱和第二有机柱)以及第一金属柱(即第一刻蚀孔)的大小，以进一步成为实现高分辨率的柔性显示面板的有效途径。另外，通过本发明的设计，当屏幕发生弯曲时，可减小曲率半径，从而得到更优的柔性显示效果。
附图说明
图1是本发明一实施例的柔性显示器件的示意图；
图2是本发明一实施例的所述柔性显示器件的制备方法的步骤流程图；
图3A～图3I是本发明所述实施例的所述柔性显示器件的制备方法的工艺制作图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的柔性显示器件及用于改善所述柔性显示器件中的薄膜应力的制备方法的具体实施方式做详细说明。
在现有技术中，LTPS结构中有很多无机膜层，无机膜层之间薄膜应力的差异会导致薄膜的脱落和基板的翘曲，进而影响使用寿命以及稳定性，同时厚厚的有机膜层经过无数次的弯曲之后容易形成裂纹，进而破坏器件结构。
因此，本发明提出了在原有的结构中引入隔离层(isolation layer)可以减小薄膜应力。进一步而言，本发明提供了一种柔性显示器件，其包括一柔性塑料基板110，在所述柔性塑料基板110上依次设置第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层170、第一内层介电层1100和第二内层介电层1120；在所述第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层170中设置有一第一金属柱191，所述第一金属柱191是由金属材料而形成；所述第一金属柱191为沿垂直于所述第一栅极绝缘层150及第二栅极绝缘层170的方向而形成(下文中的第一有机柱1121和第二有机柱1122也沿垂直方向而形成)；在所述第一内层介电层1100中设置有一第一有机柱1121，所述第一有机柱1121是由有机材料而形成；在第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层170和第一内层介电层1100中设置有一第二有机柱1122，所述第二有机柱1122是由有机材料而形成；其中，所述第一金属柱191、第一有机柱1121和第二有机柱1122用于改善所述柔性显示器的薄膜应力。也就是说，本发明所述柔性显示器件通过引入第一金属柱191以增加器件的耐弯性能，以及设置第一有机柱1121和第二有机柱1122以减小无机膜层之间的应力差异所引起的薄膜脱落现象，从而提高所述柔性显示器件的稳定性的同时也提高了该器件的良率。
参见图1所示，在本发明的一具体实施例中，所述柔性显示器件可以包括：柔性塑料基板110，在所述柔性塑料基板110上依次设置一阻挡层120、一缓冲层130和一活性层140；第一栅极绝缘层150，所述第一栅极绝缘层150位于所述缓冲层130上，并且覆盖所述活性层140；第一栅极层160，所述第一栅极层160位于所述第一栅极绝缘层150上；第二栅极绝缘层170，所述第二栅极绝缘层170位于所述第一栅极绝缘层150上，且覆盖所述第一栅极层160；第二栅极层190，所述第二栅极层190位于所述第二栅极绝缘层170上；第一金属柱191，所述第一金属柱191形成在第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层170中；第一内层介电层1100，所述第一内层介电层1100位于所述第二栅极绝缘层170上，且覆盖第二栅极层190；第二内层介电层1120，所述第二内层介电层1120位于所述第一内层介电层1100上；第一有机柱1121，所述第一有机柱1121设置在所述第一内层介电层1100中；第二有机柱1122，所述第二有机柱1122设置在缓冲层130、第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层170和第一内层介电层1100中；源极1131和漏极1132，所述源极1131和漏极1132位于所述第二内层介电层1120上，并贯穿第二内层介电层1120、第一内层介电层1100、第二栅极绝缘层170和第一栅极绝缘层150，分别与位于所述缓冲层130上的第一栅极层160的源极区及漏极区连接；钝化层1140，所述钝化层1140位于所述第二内层介电层1120上，且覆盖所述源极1131和漏极1132，并在所述漏极1132位置设有一过孔(图未标示)；一阳极层1150，所述阳极层1150位于所述钝化层1140上，并且穿过所述过孔与所述漏极1132连接；像素界定层1160，所述像素界定层1160位于所述钝化层1140上；一隔垫物层1170，所述隔垫物层1170位于所述像素界定层1160上。
在本发明的实施例中，所述柔性塑料基板110(此处是指塑料薄膜层，plasticfilm)主要是由PI、PET等材料形成。所述阻挡层120(barrier layer)是由SiNx或SiO2材料构成，或者由它们构成的叠层材料形成。所述缓冲层130(buffer layer)是由SiNx或SiO2材料构成，或者由它们构成的叠层材料形成。所述缓冲层130的厚度为
Figure GDA0002469465320000051
继续参见图1，所述第一栅极绝缘层150(gate insulation layer 1，简称GI 1)和所述第二栅极绝缘层170(gate insulation layer 2，简称GI 2)是由SiNx或SiO2构成，两者的厚度分别大约为
Figure GDA0002469465320000052
和
Figure GDA0002469465320000053
所述第一栅极层160(gate layer 1，简称GE 1)和第二栅极层190(gate layer 2，简称GE 2)是由金属材料Mo所构成。所述第一内层介电层1100(interlayer dielectric layer 1，简称ILD 1)的厚度为
Figure GDA0002469465320000054
同样，所述第二内层介电层1200被称为interlayer dielectric layer 2，简称ILD 2。
在本发明的具体实施例中，第一金属柱191为由填充金属材料Mo的第一刻蚀孔181(etching hole)而形成，参见图3C。第一有机柱1121为由填充有机材料的第三刻蚀孔1111(etching hole)而形成，第二有机柱1122为由填充有机材料的第四刻蚀孔1112(此处为isolation hole)而形成，参见图3G。关于第一刻蚀孔181、第三刻蚀孔1111和第四刻蚀孔1112是如何形成的，将在下文有进一步的描述。
另外，在本具体实施例中，由平面化层(planarization layer)(图未示)、像素界定层1160(pixel define layer)、有机发光二极管像素(OLED pixel)(图未示)等形成有机发光层。
另外，本发明还提供一种所述柔性显示器件的制备方法，其包括以下步骤：(1)在一柔性塑料基板上依次设置第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层；(2)采用第一光罩制程，在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层中形成第一刻蚀孔和第二刻蚀孔；(3)在第一刻蚀孔内填充金属材料以形成第一金属柱；(4)在第二栅极绝缘层上设置第一内层介电层；(5)采用第二光罩制程，在第一内层介电层中形成第三刻蚀孔，并在第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第一内层介电层中形成第四刻蚀孔；(6)在第三刻蚀孔内填充有机材料以形成第一有机柱，且在第四刻蚀孔内填充有机材料以形成为第二有机柱。
以下将通过一具体实施例来进一步说明所述柔性显示器件的制备方法，该方法用于改善柔性显示器件的薄膜应力。参见图2所示，所述方法包括以下步骤：
结合参考图3A，步骤S210：提供一柔性塑料基板。
所述柔性塑料基板110(此处是指塑料薄膜层，plastic film)主要是由PI、PET等材料形成。
结合参考图3B，步骤S220：在所述柔性塑料基板上，依次沉积形成阻挡层、缓冲层、活性层、第一栅极绝缘层、栅极层和第二栅极绝缘层。
其中，所述阻挡层120、缓冲层130、活性层140、第一栅极绝缘层150、第一栅极层160和第二栅极绝缘层170的制备方法可以采用本领域常规的沉积方法，在此不再赘述。
结合参考图3C，步骤S230：采用第一光罩制程对第二栅极绝缘层进行曝光，以及通过刻蚀液的配合使用，从而在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层中形成第一刻蚀孔，并且在缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层中形成第二刻蚀孔。
在本具体实施例中，采用第一光罩制程对无机膜层进行曝光。进一步而言，在第一光罩(图未示)上设置有与较小孔径刻蚀孔(如第一刻蚀孔181)位置对应的第一孔径，以及与较大孔径刻蚀孔(如第二刻蚀孔182)位置对应的第二孔径。
其中，第一孔径的设计值设置为小于第一刻蚀孔181的实际需求值，并通过过曝方式来达到所需的尺寸。在现有技术中，刻蚀孔的最小孔径设计为2.5μm，若需要设计为2μm时，考虑到光罩机台的曝光能力受到限制，可能无法达到更小的精度，因此，在该制程中引入sizing值。正如本具体实施例中，将第一孔径的设计值设置为1.5μm，即小于刻蚀孔的实际需求值，并通过过曝方式可以达到2μm的尺寸效果。
而第二孔径的设计值设置为等于第二刻蚀孔的实际需求值。在实际操作中，当对第二刻蚀孔182进行曝光的同时，以对第二刻蚀孔曝光能量为衡量标准方式来对第一刻蚀孔181进行曝光。通过上述方式，不仅能够形成所需的第二刻蚀孔182，而且也能够获得实际需求值为2μm的第一刻蚀孔181。
再者，通过控制刻蚀速度和时间，使得所述第二刻蚀孔182贯穿所述缓冲层130，即达到所述阻挡层120和所述缓冲层130的交接面处。同样，使得所述第一刻蚀孔181的深度小于第一栅极绝缘层150的厚度与第二栅极绝缘层170的厚度之和，即所述第一刻蚀孔181的深度为不完全穿透第一栅极绝缘层150。
结合参考图3D，步骤S240：在所述第二栅极绝缘层上沉积一第二栅极层，在第一刻蚀孔中填充金属材料以形成第一金属柱，同时在第二刻蚀孔中也填充所述金属材料，其中所述第二栅极层为一金属层。
在此步骤中，采用物理气相沉积方法，在所述第二栅极绝缘层170上沉积一第二栅极层190。此时，所述第一刻蚀孔181和第二刻蚀孔182被金属材料填充，且填充有金属材料的第一刻蚀孔181形成第一金属柱191。
在本发明具体实施例中，所述第二栅极绝缘层170是由金属材料Mo所构成。由于在第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层170中设置有第一金属柱191，因此，能够增加柔性显示器件的耐弯性能。
结合参考图3E，步骤S250：对第二栅极层进行图案化，并去除所述第二刻蚀孔中所填充的金属材料。
在此步骤中，去除所述第二刻蚀孔182中所填充的金属材料，仅保留第一刻蚀孔181中的金属材料。
结合参考图3F，步骤S260：在所述第二栅极绝缘层上沉积形成第一内层介电层，所述第一内层介电层覆盖所述第二栅极层。
结合参考图3G，步骤S270：采用第二光罩制程对所述第一内层介电层进行曝光，在第一内层介电层中形成第三刻蚀孔，并在缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第一内层介电层中形成第四刻蚀孔。
在此步骤中，优选地，可以采用与第一光罩结构相同的第二光罩，即，使用相同光罩。在本具体实施例中，采用第二光罩制程对有机膜层进行曝光。进一步而言，在第二光罩(图未示)上设置有与较小孔径刻蚀孔(如第三刻蚀孔1111)位置对应的第三孔径，以及与较大孔径刻蚀孔(如第四刻蚀孔1112)位置对应的第四孔径。
其中，第三孔径的设计值设置为小于第三刻蚀孔1111的实际需求值(例如，当采用相同光罩时，第三刻蚀孔1111的实际需求值可以与第一刻蚀孔181的实际需求值相同)，，并通过过曝方式来达到所需的尺寸。例如，在本发明具体实施例中，在第二光罩上的第三孔径的设计值为1.5μm，通过过曝方式可以达到2μm的尺寸。
而第四孔径的设计值设置为等于第四刻蚀孔的实际需求值。在实际操作中，当对第四刻蚀孔1112进行曝光的同时，以对第四刻蚀孔1112曝光能量为衡量标准方式来对第三刻蚀孔1111进行曝光。通过上述方式，不仅能够形成所需的第四刻蚀孔1112，而且也能够获得实际需求值为2μm的第三刻蚀孔1111。
当然，在本发明的其他部分实施例中，对于有机材料的曝光制程，也可以采用以下方式：可以将第二光罩设计为包括第一区域、第二区域、第三区域；所述第一区域的透光率为零；第二区域的透光率为一预设透光率值；第三区域的透光率为全透光，其中所述预设透光率值小于100％且大于零。也就是说，在光罩设计时，将较小孔径位置所对应的透光率设置为X％，X为大于0且小于100，而较大孔径位置所对应的透光率设置为全透过模式。当采用相同的曝光能量，可以得到不同孔径尺寸的刻蚀孔。进一步而言，在第二光罩上且与第三刻蚀孔1111位置对应的第二区域的透光率设置为小于100％且大于零，同时，在第二光罩上且与第四刻蚀孔1112位置对应的第三区域的透光率设置为100％，于是，通过上述光罩的设计，使得所形成的第三刻蚀孔1111和第四刻蚀孔1112能够满足实际所需的尺寸。
再者，通过控制刻蚀速率和时间，使得刻蚀孔的深度满足所需要求，例如第三刻蚀孔1111贯穿所述第一内层介电层1100，也就是说，第三刻蚀孔1111的深度直至所述第二栅极绝缘层170的上表面。
同样，通过控制刻蚀速度和时间，使得所述第四刻蚀孔1112贯穿所述缓冲层130，即第四刻蚀孔1112的深度直至所述缓冲层130的下表面。
结合参考图3H，步骤S280：在所述第一内层介电层上沉积形成一第二内层介电层，在所述第三刻蚀孔中填充有机材料，以形成第一有机柱，同样，在第四刻蚀孔中也填充有机材料，以形成第二有机柱。
在此步骤中，所述第二内层介电层1120是由有机材料而形成的。此时，所述第三刻蚀孔1111和第四刻蚀孔1112被有机材料填充，于是，填充有有机材料的所述第三刻蚀孔1111形成第一有机柱1121，填充有有机材料的所述第四刻蚀孔1112形成第二有机柱1122。此处，第一有机柱1121和第二有机柱1122也被称作隔离层(isolation layer)。
由于在缓冲层130、第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层170和第一内层介电层1100中设置有第一有机柱1121和第二有机柱1122(或称隔离层)，因此，能够减小无机膜层之间的应力差异所引起的薄膜脱落现象，从而提高器件的稳定性的同时也提高了器件的良率。
另外，需进一步说明，第一金属柱191的位置与第一有机柱1111的位置为对齐，这样的结构能够满足在实施步骤S230和步骤S270时使用同一个光罩，节约了额外成本。
在制程工艺方面，由于采用同一道光罩，并且使用sizing方式的光罩设计，以及通过刻蚀速率和时间的调节，因此，能够达到对不同膜厚的膜层的刻蚀效果。而且，填充有金属材料的第一刻蚀孔181、填充有有机材料的第三刻蚀孔1111和第四刻蚀孔1112分别是在沉积第二栅极层190和第二内层介电层1120时所形成的，从而达到设计效果，无需额外更多的制程，且节约了成本。另外，本发明通过具有sizing功能的光罩能够满足TFT基板中不同大小深度的孔径的设计要求，而且通过采用一次曝光及刻蚀液的配合使用，最终形成满足要求的刻蚀孔。因此，通过使用同一光罩的设计，不仅能够减小光罩的数目及相关的制程工序，而且也实现节约成本的目的。
另外，由于在第一刻蚀孔181中填充金属材料，在第三刻蚀孔1111和第四刻蚀孔1112中填充有机材料，因此，可以减小刻蚀孔的二次显影压力(考虑到填充金属材料不需要显影)，从而避免光阻残留的风险。
结合参考图3I，步骤S290：在所述第二内层介电层上依次沉积形成源漏极、阳极层、像素界定层和隔垫物层。
其中，所述源漏极(1131、1132)、阳极层1150、像素界定层1160和隔垫物层1170的制作方法可以采用本领域常规的制作方法，在此不再赘述。
另外，通过上述所实施的步骤，可以保证减少无机膜层之间的应力影响并防止各膜层之间所产生膜层脱落或基板翘曲后所产生的断线现象。在此基础上，可以减小隔离层(isolation layer)(其包括第一有机柱1121和第二有机柱1122)以及第一金属柱191(即填充有金属材料的第一刻蚀孔181)的大小，以进一步成为实现高分辨率的柔性显示面板的有效途径。
另外，通过本发明的设计，当屏幕发生弯曲时，可减小曲率半径，从而得到更优的柔性显示效果。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种柔性显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在一柔性塑料基板上依次设置第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层；
(2)采用第一光罩制程，在第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层中形成第一刻蚀孔和第二刻蚀孔，其中将在所述第一光罩上且对应第一刻蚀孔位置的孔径的设计值设置为小于所述第一刻蚀孔的实际需求值，并且以对第二刻蚀孔曝光能量为衡量标准的方式对第一刻蚀孔进行曝光；
(3)在第一刻蚀孔内填充金属材料以形成第一金属柱；
(4)在第二栅极绝缘层上设置第一内层介电层；
(5)采用第二光罩制程，在第一内层介电层中形成第三刻蚀孔，并在第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第一内层介电层中形成第四刻蚀孔；
(6)在第三刻蚀孔内填充有机材料以形成第一有机柱，且在第四刻蚀孔内填充有机材料以形成为第二有机柱。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中所使用的第一光罩与在步骤(5)中所使用的第二光罩为相同。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，通过控制刻蚀速率和时间，使得所述第一刻蚀孔的深度小于第一栅极绝缘层的厚度与第二栅极绝缘层的厚度之和。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，采用物理气相沉积方法，在第二栅极绝缘层上沉积一金属层，以使得第一刻蚀孔内填充金属材料。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，当第二栅极绝缘层上沉积一金属层时，在第二刻蚀孔内也填充金属材料；对所述金属层进行图案化，以去除第二刻蚀孔内所填充的金属材料。
6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(5)中，通过控制刻蚀速率和时间，使得所述第三刻蚀孔贯穿所述第一内层介电层。
7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(5)中，将在所述第二光罩上且对应第三刻蚀孔位置的孔径的设计值设置为小于所述第三刻蚀孔的实际需求值，并且以对第四刻蚀孔曝光能量为衡量标准的方式对第三刻蚀孔进行曝光。
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