CN110943109A - 显示面板及显示面板的制备方法 - Google Patents

显示面板及显示面板的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110943109A
CN110943109A CN201911157302.9A CN201911157302A CN110943109A CN 110943109 A CN110943109 A CN 110943109A CN 201911157302 A CN201911157302 A CN 201911157302A CN 110943109 A CN110943109 A CN 110943109A
Authority
CN
China
Prior art keywords
spacer
display panel
mask plate
pixel
holes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911157302.9A
Other languages
English (en)
Inventor
巫君杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201911157302.9A priority Critical patent/CN110943109A/zh
Priority to US16/753,850 priority patent/US11411207B2/en
Priority to PCT/CN2020/075984 priority patent/WO2021098067A1/zh
Publication of CN110943109A publication Critical patent/CN110943109A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本揭示提供一种显示面板及显示面板的制备方法。显示面板包括阵列基板、像素定义层以及间隔柱，像素定义层设置在阵列基板上，间隔柱设置在像素定义层上，其中，间隔柱包括底面和顶面，顶面的截面积小于底面的截面积，且从顶面到底面，间隔柱中心到侧面的水平距离逐渐增大。光刻时，掩膜板与间隔柱对应的位置处设置有开孔，间隔柱对掩膜板精确定位，保证了光刻的精度以及显示面板的显示效果。

Description

显示面板及显示面板的制备方法
技术领域
本揭示涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。
背景技术
有机电致发光显示器件(Organic Light-Emitting Device，OLED)相对于液晶显示装置具有自发光、反应快、轻薄等优点，已成为显示领域的新兴技术。
在显示面板的制作过程中，会使用到精细金属掩膜板蒸镀技术(fine metalmask，FMM)，有机材料蒸镀工艺是指利用FMM工艺将有机发光材料蒸镀在背板的特定像素内，形成特定的发光器件的工艺，可以实现R/G/B全彩OLED。现有的显示面板的FMM技术中，通常由多个子掩膜板拼接而成。其精度要求高，为了保证掩膜板的对位精度，在显示面板上通常设置定位隔垫物，但是在现有的掩膜板结构以及FMM工艺中，FMM掩膜板的开口极小，当蒸镀时，FMM的开口与衬底基板上的像素无法完全对齐，掩膜板不能精确的放置定位隔垫物上，使得显示面板蒸镀完成后。像素分辨率降低，进而影响显示效果。
综上所述，现有的显示面板及掩膜板结构和FMM工艺中，FMM掩膜板开口小，在蒸镀时，掩膜板不能精确定位，FMM的开口与像素不能完全对齐，造成显示面板的像素分辨率低，显示效果差。
发明内容
本揭示提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以解决现有的显示面板及FMM工艺中，掩膜板不能精确定位，同时，在蒸镀过程中，FMM的开口区与像素不能完全对齐，像素分辨率低，显示面板显示效果差的问题。
为解决上述技术问题，本揭示实施例提供的技术方案如下：
根据本揭示实施例的第一方面，提供了一种显示面板，包括：
阵列基板；
像素定义层，所述像素定义层设置在所述阵列基板上；以及
间隔柱，所述间隔柱设置在所述像素定义层上；
其中，所述间隔柱包括底面和顶面，所述顶面的截面积小于所述底面的截面积，且从所述顶面到所述底面，所述间隔柱的中心到所述间隔柱的侧面的水平距离逐渐增大。
根据本揭示一实施例，所述间隔柱的截面形状包括方形。
根据本揭示一实施例，所述间隔柱的截面形状包括圆形。
根据本揭示一实施例，所述间隔柱呈方形阵列设置在所述像素定义层上。
根据本揭示实施例的第二方面，还提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：S100：制备显示面板的衬底基板、阵列基板以及像素定义层；
S101：在所述像素定义层上制备间隔柱；
S102：通过精细金属掩膜板蒸镀技术在掩膜板对应的所述间隔柱位置处开孔；
S103：将所述掩膜板与所述间隔柱对位，并进行蒸镀。
根据本揭示一实施例，所述步骤S100中，还包括利用光刻工艺在所述像素定义层的像素有效区上开口。
根据本揭示一实施例，所述间隔柱的截面形状包括圆形或方形，所述间隔柱的侧面具有坡度。
根据本揭示一实施例，所述步骤S102中，所述掩膜板的所述开孔包括通孔或者盲孔。
根据本揭示一实施例，所述步骤S102中，所述掩膜板与所述间隔柱对应的位置处，所述掩膜板的所述开孔包括通孔和盲孔，所述通孔处对应的所述间隔柱的高度大于所述盲孔处对应的所述间隔柱的高度。
根据本揭示一实施例，所述步骤S103中，所述掩膜板与所述间隔柱对位完成后，使用所述掩膜板分别蒸镀红色像素、蓝色像素以及绿色像素。
综上所述，本揭示实施例的有益效果为：
本揭示提供一种显示面板及显示面板的制备方法，通过在显示面板的像素定义层上光刻间隔柱，并且在间隔柱对应的掩膜板的对应位置上开设开孔，在进行像素蒸镀时，使掩膜板的开孔与间隔柱相互对齐，保证了掩膜板的对应精度，从而保证了蒸镀的精度，提高像素的开口率和像素分辨率，并提高显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本揭示实施例的显示面板各层结构示意图；
图2为本揭示实施例提供的间隔柱的结构示意图；
图3为本揭示另一实施例提供的显示面板的结构示意图；
图4为本揭示实施例的显示面板的制备流程图；
图5为本揭示实施例提供的光刻示意图；
图6为本揭示实施例提供的掩膜板的截面示意图。
具体实施方式
下面将结合本揭示实施例中的附图，对本揭示实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本揭示一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本揭示中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本揭示保护的范围。
在本揭示的实施例中，如图1所示，图1为本揭示实施例的显示面板各层结构示意图。所述显示面板包括衬底基板100、阵列基板层101、像素定义层102以及间隔柱103。阵列基板层101设置在衬底基板100上，像素定义层102设置在阵列基板层101上，间隔柱103设置在像素定义层102上。其中，在像素定义层102上还设置有若干像素开口104，像素开口104根据显示面板的显示需求具体设置，像素开口104通过光刻蚀工艺制备而成。在像素开口104内设置红色像素、蓝色像素以及绿色像素，以保证显示面板的彩色显示。
具体的，阵列基板层101内还包括依次设置的缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、无机绝缘层、平坦层以及刻蚀在各膜层内的显示面板的功能层。
间隔柱103呈方形阵列的设置在像素定义层102上，具体的可设置在像素的非开口区域上，避免对像素发光情况的影响。
具体的，如图2所示，图2为本揭示实施例提供的间隔柱的结构示意图。间隔柱包括顶面200以及底面201，顶面200还可集中成一个顶点，此时，间隔柱就为一圆锥体。间隔柱的截面形状为一圆形，顶面200的截面积小于底面201的截面积，并且，间隔柱的侧面具有拔模斜度，即从所述间隔柱顶面200到底面201，间隔柱中心到侧面的水平距离逐渐增大，这样，当间隔柱与掩膜板相配合时，具有斜度的间隔柱很容易的就与掩膜板上的开孔相配合，提高工艺效率。
优选的，间隔柱的截面形状还可为方形，其顶面边长的长度小于底面边长的长度。具体的，为保证配合精度，所述方形的顶面的边长设置为5um，底面的边长设置为19um，间隔柱的高度设置为7um。
如图3所示，图3为本揭示另一实施例提供的显示面板的结构示意图。显示面板包括衬底基板300、阵列基板层301、像素定义层302以及第一间隔柱303、第二间隔柱304以及像素单元305。阵列基板层301设置在衬底基板300上，像素定义层302设置在阵列基板层301上，第一间隔柱303以及第二间隔柱304均设置在像素定义层302上。
与图1相比，本揭示实施例的不同在于，第一间隔柱303与第二间隔柱304不同，其中，第一间隔柱303的高度大于第二间隔柱304的高度，在制备第一间隔柱303与第二间隔柱304时，使用不同的光罩进行光刻。优选的，第一间隔柱设置为方块形状，第二间隔柱304的顶面的边长为1um，底面边长为16um，第二间隔柱304的高度为7um，其中，与第二间隔柱304相匹配的掩膜板中，掩膜板的开孔的直径最大设置为12um。这样，当进行掩膜板定位时，掩膜板首先与第二间隔柱304对齐，第二间隔柱304对齐后，在与高度较低的第一间隔柱303相对齐，这样，一高一低的两种间隔柱能对掩膜板牢固的固定，保证光刻时的光刻精度。
本揭示实施例还提供一种显示面板的制备方法。如图4所示，图4为本揭示实施例的显示面板的制备流程图。所示显示面板的制备方法包括如下步骤：
S100：制备显示面板的衬底基板、阵列基板以及像素定义层
首先，通过现有的OLED制备工艺制备显示面板的衬底基板、衬底基板上的阵列基板，阵列基板制备完成后在沉积像素定义层，典型的OLED制备工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺以及光刻工艺等。上述膜层制备完成后，还需要利用预制的掩膜板，在像素定义层上通过光刻工艺，制备像素开口，像素开口内以便后续设置像素单元。
S101：在像素定义层上制备间隔柱
本揭示实施例中，间隔柱的作用是对掩膜板进行定位并固定，在光刻时，掩膜板如果定位不精确，其制备的像素单元的开口率不高，在显示时，显示效果差。设置间隔柱时，间隔柱的截面形状可为圆形或者方形，并且，所述间隔柱具有一定的拔模斜度，这样，间隔柱在同掩膜板匹配时，间隔柱便于插入掩膜板的开孔内。
S102：通过精细金属掩膜板蒸镀技术在掩膜板对应的所述间隔柱位置处开孔
本揭示实施例还包括一掩膜板，所述掩膜板与步骤S101中的间隔柱相匹配。在与间隔柱相对应的位置处，掩膜板上开设有开孔。所述开孔包括通孔或者盲孔，或者同时开设上述两种类型的孔。
具体的，如图5所示，图5为本揭示实施例提供的光刻示意图。其中，显示面板包括依次设置的衬底基板500、阵列基板501、像素定义层502、第一间隔柱503、第二间隔柱504。显示面板的各膜层通过现有的制备工艺进行制备。
同时，在光刻工艺中还包括一精密掩膜板505。掩膜板505包括开口506和第二开孔507。第二开孔507主要是制备像素定义层上的开口区，在第二开孔507上涂布光刻胶，并进行光照，获得像素定义层上的像素开口。
在步骤S101中已经在显示面板上制备了第一间隔柱503与第二间隔柱504，在与间隔柱相匹配的位置处，在掩膜板505上设置开口506，开口506可以开设为盲孔或者通孔。并且，开口具有一定的斜度，优选的，开口506底部最大边长为12um。这样，间隔柱方便与开口嵌套匹配并定位，保证光刻精度。
具体的，如图6所示，图6为本揭示实施例提供的掩膜板的截面示意图。掩膜板600包括第一开孔601、第二开孔602以及第三开孔603。在本揭示实施例中，第一开孔601为盲孔，第二开孔602为通孔，由于第一开孔601与第二开孔602两个开孔的高度不同，通孔处对应的所述间隔柱的高度大于所述盲孔处对应的所述间隔柱的高度，在同间隔柱匹配时，更容易定位，并且限定更方便。同时，还可只开设一个通孔，即第一开孔601的高度设置为0um。
S103：将所述掩膜板与所述间隔柱对位，并进行蒸镀。
定位完成后，分别蒸镀红色像素、蓝色像素以及绿色像素单元。
最后，获得本揭示实施例中的显示面板。
以上对本揭示实施例所提供的一种显示面板及显示面板的制备方法进行了详细介绍，以上实施例的说明只是用于帮助理解本揭示的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
像素定义层，所述像素定义层设置在所述阵列基板上；以及
间隔柱，所述间隔柱设置在所述像素定义层上；
其中，所述间隔柱包括底面和顶面，所述顶面的截面积小于所述底面的截面积，且从所述顶面到所述底面，所述间隔柱的中心到所述间隔柱的侧面的水平距离逐渐增大。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述间隔柱的截面形状包括方形。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述间隔柱的截面形状包括圆形。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述间隔柱呈方形阵列设置在所述像素定义层上。
5.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S100：制备显示面板的衬底基板、阵列基板以及像素定义层；
S101：在所述像素定义层上制备间隔柱；
S102：通过精细金属掩膜板蒸镀技术在掩膜板对应的所述间隔柱位置处开孔；
S103：将所述掩膜板与所述间隔柱对位，并进行蒸镀。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S100中，还包括利用光刻工艺在所述像素定义层的像素有效区上开口。
7.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述间隔柱的截面形状包括圆形或方形，所述间隔柱的侧面具有坡度。
8.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S102中，所述掩膜板的所述开孔包括通孔或者盲孔。
9.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S102中，所述掩膜板与所述间隔柱对应的位置处，所述掩膜板的所述开孔包括通孔和盲孔，所述通孔处对应的所述间隔柱的高度大于所述盲孔处对应的所述间隔柱的高度。
10.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S103中，所述掩膜板与所述间隔柱对位完成后，使用所述掩膜板分别蒸镀红色像素、蓝色像素以及绿色像素。
CN201911157302.9A 2019-11-22 2019-11-22 显示面板及显示面板的制备方法 Pending CN110943109A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911157302.9A CN110943109A (zh) 2019-11-22 2019-11-22 显示面板及显示面板的制备方法
US16/753,850 US11411207B2 (en) 2019-11-22 2020-02-20 Display panel and method of manufacturing same
PCT/CN2020/075984 WO2021098067A1 (zh) 2019-11-22 2020-02-20 显示面板及显示面板的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911157302.9A CN110943109A (zh) 2019-11-22 2019-11-22 显示面板及显示面板的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110943109A true CN110943109A (zh) 2020-03-31

Family

ID=69908088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911157302.9A Pending CN110943109A (zh) 2019-11-22 2019-11-22 显示面板及显示面板的制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11411207B2 (zh)
CN (1) CN110943109A (zh)
WO (1) WO2021098067A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021258996A1 (zh) * 2020-06-24 2021-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106373985A (zh) * 2016-10-28 2017-02-01 昆山国显光电有限公司 有机发光二级管显示装置及制备方法
CN106653768A (zh) * 2016-12-13 2017-05-10 武汉华星光电技术有限公司 Tft背板及其制作方法
CN109065583A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板
CN109065616A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及制造方法
CN109148522A (zh) * 2018-08-10 2019-01-04 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
CN110453173A (zh) * 2019-07-29 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法、oled显示基板的制作方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003272838A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Dainippon Printing Co Ltd マスキング部材
CN100399078C (zh) * 2004-10-07 2008-07-02 日本电气株式会社 Lsi插件对光电布线板的安装结构、安装方法
CN102491258A (zh) * 2011-12-30 2012-06-13 东南大学 圆片级球形微透镜阵列的制备方法
WO2016088632A1 (ja) * 2014-12-03 2016-06-09 シャープ株式会社 蒸着マスク、蒸着装置、蒸着マスクの製造方法、および蒸着方法
CN106486514B (zh) * 2015-08-31 2023-12-01 昆山国显光电有限公司 像素结构以及oled显示面板
CN206564254U (zh) * 2017-03-07 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种oled阵列基板和显示装置
JP2018170152A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 Ｏｌｅｄ表示装置の製造方法、マスク及びマスクの設計方法
CN107123621A (zh) * 2017-05-10 2017-09-01 京东方科技集团股份有限公司 一种oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置
CN107170785B (zh) * 2017-05-26 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置
CN107644951A (zh) * 2017-10-20 2018-01-30 东莞理工学院 一种印刷oled显示屏的制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106373985A (zh) * 2016-10-28 2017-02-01 昆山国显光电有限公司 有机发光二级管显示装置及制备方法
CN106653768A (zh) * 2016-12-13 2017-05-10 武汉华星光电技术有限公司 Tft背板及其制作方法
CN109065583A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制造方法及柔性显示面板
CN109065616A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及制造方法
CN109148522A (zh) * 2018-08-10 2019-01-04 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
CN110453173A (zh) * 2019-07-29 2019-11-15 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法、oled显示基板的制作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021258996A1 (zh) * 2020-06-24 2021-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11411207B2 (en) 2022-08-09
US20210408506A1 (en) 2021-12-30
WO2021098067A1 (zh) 2021-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10559635B2 (en) Pixel defining layer, production method thereof, and display substrate
US20200161391A1 (en) Pixel defining layer and method for manufacturing the same, display panel and method for manufacturing the same, and display device
CN109487206B (zh) 掩膜版及采用该掩膜版的掩膜装置
WO2017117999A1 (zh) 金属掩模板及其制作方法
US10991884B2 (en) Mask plate, OLED display substrate, display device and manufacturing method thereof
KR20160127290A (ko) 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
WO2020224010A1 (zh) Oled 显示面板及其制备方法
WO2018045799A1 (zh) 显示基板及其制作方法、以及显示装置
US20150040826A1 (en) Method for manufacturing metal mask
JP2012132096A (ja) マスクフレーム組立体、マスクフレーム組立体の製造方法、および有機発光表示装置の製造方法
CN110453173B (zh) 掩膜板及其制作方法、oled显示基板的制作方法
WO2020227930A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
US7253533B2 (en) Divided shadow mask for fabricating organic light emitting diode displays
JP2020502722A (ja) Ｏｌｅｄディスプレイ基板、ｏｌｅｄディスプレイ装置およびｏｌｅｄディスプレイ基板の製造方法
US20170179420A1 (en) 3d oled substrate and fine metal mask
CN111192913A (zh) 一种显示面板及其制备方法
WO2021027090A1 (zh) 掩膜版和像素结构
CN111352294B (zh) 掩模版、显示面板及掩模版的制备方法
CN113286916B (zh) 微型精密掩膜板及其制作方法和amoled显示器件
US10923674B1 (en) Color film substrate and preparation method therefor, and display panel and display device
CN110943109A (zh) 显示面板及显示面板的制备方法
US11139352B1 (en) Organic light emitting diode display device
US20210066646A1 (en) Display Substrate and Preparation Method Thereof, and Display Apparatus
CN110224014B (zh) 一种图案的制备方法及显示基板的制备方法
CN112310176A (zh) 一种显示面板、显示面板制程方法及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200331

RJ01 Rejection of invention patent application after publication