TWI467724B - 應用於面板的導電結構及其製造方法 - Google Patents

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Description

應用於面板的導電結構及其製造方法
本發明有關於一種導電結構及製造方法，且特別是有關於一種應用於面板的導電結構及其製造方法。
在現今的液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)中，電晶體陣列基板(transistor array substrate)的多條導電線，例如掃描線(scan line)與資料線(data line)，通常都是採用濺鍍(sputtering)、微影(photolithography)與蝕刻(etching)來形成。詳細而言，在利用濺鍍形成金屬層之後，會在此金屬層上形成一層光阻層(photoresist layer)，其中光阻層會局部暴露金屬層。之後，以此光阻層做為遮罩，蝕刻金屬層，以形成這些導電線。
圖1是經過蝕刻後所形成的一種習知電晶體陣列基板的導電線的剖面示意圖。請參閱圖1，在基板100上的金屬層(未繪示)經過蝕刻而形成導電線110之後，導電線110的側面有時候會形成傾斜側面111，其中傾斜側面111與基板100板面101之間的夾角A1會大於90度。
詳細而言，導電線110具有一頂面112與一底面114，其中頂面112相對於底面114，而底面114接觸基板100板面101。從圖1來看，頂面112的面積大於底面114的面積，而導電線110的寬度W1實質上會從頂面112朝向底面114漸縮，從而形成傾斜側面111。
然而，如果後續流程需要進行濺鍍等真空沉積(vacuum deposition)的話，傾斜側面111會不利於真空沉積。詳細而言，位於傾斜側面111處的部分導電線110會遮蓋板面101，以至於位於傾斜側面111下方的板面101很難經由沉積而形成膜層。因此，在進行完真空沉積之後，傾斜側面111與板面101之間可能會形成空洞(cavity)而降低導電線110的結構強度，造成導電線110發生斷裂的可能性。
本發明提供一種應用於面板的導電結構，其在進行真空沉積之後可以減少上述空洞形成的機率。
本發明另提供一種應用於面板的導電結構的製造方法，其能製造上述導電結構。
本發明一實施例提出一種應用於面板的導電結構，其形成在一板材的一上表面上，並且包括一第一金屬層、一氮化物層以及一第二金屬層。第一金屬層位在上表面上，並具有一第一側面以及一相連第一側面的底面，其中第一金屬層的成分含有鉬，而底面接觸上表面。氮化物層位在第一金屬層上，並具有一第二側面，其中氮化物層的成分含有鉬。第二金屬層位在氮化物層上，並具有一第三側面，其中第二側面鄰接第一側面與第三側面，以形成一斜面，而斜面與底面之間的夾角介於20度至75度之間。
本發明另一實施例還提出一種應用於面板的導電結構的製造方法。在此導電結構的製造方法中，首先，進行一 第一真空沉積，以在一板材的一上表面上形成一第一金屬層，其中第一金屬層的成分含有鉬，而第一金屬層具有一接觸上表面的底面。接著，在第一金屬層上形成一氮化物層，其中氮化物層的成分含有原子百分比在55以上的鉬。接著，在氮化物層上形成一第二金屬層。接著，圖案化第一金屬層、氮化物層與第二金屬層，以局部暴露上表面，並形成一斜面，其中斜面與底面之間的夾角介於20度至75度之間。
基於上述，利用第一金屬層與氧化物層，可以在板材上形成具有斜面的導電結構。由於斜面與導電結構的底面之間的夾角介於20度至75度之間，因此位於斜面處的部分導電結構不會遮蓋板材。如此，在進行後續真空沉積的過程中，沉積物能覆蓋斜面，以減少在斜面與板材之間形成空洞的機率。
為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅係用來說明本發明，而非對本發明的權利範圍作任何的限制。
本發明多種實施例的導電結構可以應用於多種類型的面板。舉例而言，這些面板可以包括觸控感測面板(Touch Sensor Panel，TSP)以及顯示器中的電晶體陣列基板等，其中此顯示器例如是液晶顯示器、電漿顯示器(Plasma Display)或有機發光二極體顯示器(Organic Light-Emitting Diode Display，OLED Display)等。
這些實施例當中的其中一種導電結構可以在觸控感測面板或電晶體陣列基板中形成多條導電線。這些導電線例如是電晶體陣列基板的掃描線、資料線、共用線(common line)或周邊線路(peripheral circuit)等，或者是觸控感測面板中連接感測電極(sensing electrode)的導電線，其中電晶體陣列基板的周邊線路可以包括短路條(shorting bar)或修補線(repair line)等。
圖2是本發明一實施例之導電結構所應用的面板的剖面示意圖。請參閱圖2，其繪示出二種導電結構201、202以及這些導電結構201與202所應用的面板200，其中圖2所示的面板200可為液晶顯示器中的電晶體陣列基板，所以面板200可具有多個電晶體T1(圖2只繪示一個)。不過，在其他實施例中，面板200也可以更換成觸控感測面板，所以必須說明的是，圖2所示的面板200的類型僅供舉例說明，並非限定本發明導電結構的應用。
在圖2所示的實施例中，導電結構201形成在一基板210的上表面212上，並且被一絕緣層220所覆蓋，而導電結構202形成在絕緣層220的上表面222上，並且被一絕緣層240所覆蓋，其中基板210例如是玻璃基板。導電結構201可以形成掃描線與電晶體T1的閘極(gate)，而導電結構202可以形成資料線與電晶體T1的源極(source) 與汲極(drain)，其中連接畫素電極(pixel electrode)230的部分導電結構202為電晶體T1的源極。
圖3是本發明另一實施例之應用於面板的導電結構的剖面示意圖。請參閱圖3，本實施例的導電結構300可形成在一板材30的上表面32上，並且可以是圖2中的導電結構201或202。因此，當導電結構300為導電結構201時，板材30可以是圖2中的基板210。當導電結構300為導電結構202時，板材30可以包括基板210以及位在基板210上的絕緣層220。
導電結構300具有一斜面301、一底面312與一頂面322。頂面322相對於底面312，而斜面301相連於頂面322與底面312，並位在頂面322與底面312之間。底面312接觸上表面32，而斜面301與底面312之間的夾角A2小於90度，例如夾角A2介於20度至75度之間。從圖3來看，頂面322的面積大於底面312的面積，而導電結構300的寬度W2實質上會從頂面322朝向底面312漸增，以使位於斜面301處的部分導電結構300不會遮蓋上表面32。
由此可知，當進行後續真空沉積，例如濺鍍、化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)或蒸鍍(evaporation)，以在上表面32上與導電結構300上形成沉積物(例如圖2所示的絕緣層220與240)時，沉積物能沉積在斜面301上。如此，可以減少在斜面301與上表面32之間形成空洞的機率，以避免導電結構300的結構強 度降低，從而減少由導電結構300所形成的導電線(例如掃描線、資料線或共用線)發生斷裂的可能性。
導電結構300具有多層結構。詳細而言，導電結構300包括一第一金屬層310、一第二金屬層320以及一氮化物層330，其中第一金屬層310位在板材30的上表面32上，氮化物層330位在第一金屬層310上，而第二金屬層320位在氮化物層330上。所以，氮化物層330會位在第一金屬層310與第二金屬層320之間。此外，氮化物層330可以作為一種用於接合第一金屬層310與第二金屬層320的黏著層(adhesive layer)， 第一金屬層310具有一第一側面314以及底面312，而底面312與第一側面314相連。氮化物層330具有一第二側面334，而第二金屬層320具有一第三側面324。第二側面334位在第一側面314與第三側面324之間，並且鄰接第一側面314與第三側面324，以形成斜面301，其中斜面301包括第一側面314、第二側面334與第三側面324。
第一金屬層310可以是由一種或多種金屬材料所構成，所以第一金屬層310可以是合金層或是實質上由單一種金屬材料所構成的金屬層。第一金屬層310的成分含有鉬，其較佳的原子百分比可在80以上，而第一金屬層310可以是鉬合金層或鉬金屬層，其中此鉬合金層例如是鉬鈮合金層、鉬鎢合金層或鉬鈦合金層。
當第一金屬層310為鉬金屬層時，第一金屬層310所 含有的鉬的原子百分比可以是在90%以上，例如是99%。在忽視第一金屬層310所含有的微量雜質的前提下，第一金屬層310中的鉬的原子百分比實質上更可以是100%。不過，當第一金屬層310為鉬合金層時，第一金屬層310中的鉬的原子百分比可以介於80至99之間。
氮化物層330的成分不僅含有氮，而且含有鉬，其中鉬在氮化物層330中的原子百分比是在55以上。氮化物層330可為氮化鉬層或氮化鉬合金層，而氮化鉬合金層例如是由鉬鈮合金氮化物、鉬鎢合金氮化物或鉬鈦合金氮化物所構成。也就是說，氮化物層330所含有的金屬材料實質上可以是只有鉬，或者是包括鉬以及其他金屬(例如是鈮、鎢或鈦)。當氮化物層330為氮化鉬層時，氮化物層330中的鉬的原子百分比實質上可介於55至98.8之間。當氮化物層330為氮化鉬合金層時，氮化物層330中的鉬的原子百分比實質上可介於65至98.5之間。
第二金屬層320可以是由具有高電導率(electric conductivity)的金屬材料所構成，例如金、銀、銅、鋁或鋁銅合金。因此，第二金屬層320可為銅金屬層或鋁銅合金層。此外，第一金屬層310的厚度L1可在10奈米以內，例如第一金屬層310的厚度L1可以在5奈米以內，或是介於5奈米至10奈米之間。第二金屬層320的厚度L2可介於50奈米至4000奈米之間，例如第二金屬層320的厚度L2可以是250奈米。氮化物層330的厚度L3可在100奈 米以內，例如氮化物層330的厚度L3可以是20奈米。
以上主要介紹導電結構300的結構與材料。接下來，將配合圖4A至圖4E來詳細說明導電結構300的製造方法。
圖4A至圖4E是圖3中的導電結構的製造方法的流程剖面示意圖。請參閱圖4A，在本實施例的導電結構300的製造方法中，首先，進行第一真空沉積，以在板材30的上表面32上形成一層第一金屬層310’，其中第一真空沉積可以是濺鍍、蒸鍍或化學氣相沉積，而第一金屬層310’具有一接觸上表面32的底面312’。
第一金屬層310’的成分與圖3中的第一金屬層310的成分相同，且第一金屬層310’的厚度與第一金屬層310的厚度相同。所以，第一金屬層310’也具有厚度L1，且第一金屬層310’的成分含有原子百分比在80以上的鉬。舉例而言，第一金屬層310’可以是鉬金屬層或鉬合金層，而此鉬合金層例如是鉬鈮合金層、鉬鎢合金層或鉬鈦合金層。
此外，當第一真空沉積為濺鍍時，第一真空沉積採用的濺鍍靶材可以是鉬金屬靶或鉬合金靶，而第一真空沉積的背景壓力(background pressure)可以是在10-3 帕(Pa)至10-6 帕之間，其中此背景壓力是指預備要濺鍍但尚未通入任何氣體時的製程腔室(process chamber)內的壓力。
請參閱圖4B，接著，在第一金屬層310’上形成一層氮化物層330’，其中氮化物層330’的成分與圖3中的氮化物層330的成分相同，且氮化物層330’的厚度與氮化物層330 的厚度相同。所以，氮化物層330’也具有厚度L3，且氮化物層330’的成分含有原子百分比在55以上的鉬。舉例而言，氮化物層330’可以是氮化鉬層或氮化鉬合金層，而氮化鉬合金層例如是由鉬鈮合金氮化物、鉬鎢合金氮化物或鉬鈦合金氮化物所構成。
形成氮化物層330’的方法可以是進行第二真空沉積，其中第二真空沉積可以是濺鍍、蒸鍍或化學氣相沉積。當第二真空沉積為濺鍍時，根據第二真空沉積所採用的靶材種類，氮化物層330’可以採用至少二種不同的濺鍍方法來形成，而這二種濺鍍方法的差異主要是在進行第二真空沉積的期間，是否有通入氮氣至製程腔室內。
詳細而言，當第二真空沉積採用的濺鍍靶材為鉬金屬靶或鉬合金靶時，在進行第二真空沉積的期間，會通入氮氣至板材30所處的製程腔室內，以形成氮化物層330’，其中第一真空沉積與第二真空沉積二者可以採用同一個濺鍍靶材，所以第一真空沉積與第二真空沉積皆可以在同一個製程腔室內進行，以至於在第一真空沉積至第二真空沉積的期間，板材30可以一直處在壓力小於大氣壓力的環境中，從而維持第一金屬層310’與氮化物層330’的薄膜品質。
當第二真空沉積採用的濺鍍靶材為氮化鉬靶或例如是由鉬鈮合金氮化物、鉬鎢合金氮化物或鉬鈦合金氮化物所構成的氮化鉬合金靶時，在進行第二真空沉積的期間，可以僅通入濺鍍用的基本氣體(例如氬氣)至板材30所處的 製程腔室內，而不再額外通入氮氣。
雖然第二真空沉積採用的濺鍍靶材可以是氮化鉬靶或氮化鉬合金靶，而不同於第一真空沉積採用的濺鍍靶材，但是在第一真空沉積至第二真空沉積的期間，利用真空腔室(vacuum chamber)或切換靶材的機械結構，也可以讓板材30一直處在壓力小於大氣壓力的環境中，以維持第一金屬層310’與氮化物層330’的薄膜品質。
請參閱圖4C，之後，在氮化物層330’上形成一層第二金屬層320’，其中形成第二金屬層320’的方法可以是進行真空沉積，其例如是濺鍍、蒸鍍或化學氣相沉積，其中此真空沉積的背景壓力可在10-3 帕至10-6 帕之間。在形成氮化物層330’至形成第二金屬層320’的期間，利用真空腔室或切換靶材的機械結構，也可讓板材30一直處在壓力小於大氣壓力的環境中，以維持第二金屬層320’的薄膜品質。
承上述，在本實施例中，第二金屬層320’的成分與圖3中的第二金屬層320的成分相同，且第二金屬層320’的厚度與第二金屬層320的厚度相同，所以第二金屬層320’可以是銅金屬層或鋁銅合金層，並且具有厚度L2，其可介於50奈米至4000奈米之間，例如250奈米。
請參閱圖4D與圖4E，接著，圖案化第一金屬層310’、氮化物層330’與第二金屬層320’，以形成第一金屬層310、氮化物層330與第二金屬層320，並局部暴露板材30上表面32。至此，基本上，具有斜面301的導電結構300已形 成，其中斜面301與第一金屬層310的底面312之間的夾角A2介於20度至75度之間。
圖案化第一金屬層310’、氮化物層330’以及第二金屬層320’的方法有多種實施手段，而在本實施例中，圖案化第一金屬層310’、氮化物層330’與第二金屬層320’的方法可以採用微影與蝕刻。具體而言，首先，利用微影，在第二金屬層320’上形成一層光阻圖案40，其中光阻圖案40局部暴露第二金屬層320’，如圖4D所示。
接著，以光阻圖案40做為遮罩，蝕刻第一金屬層310’、氮化物層330’與第二金屬層320’，其中第一金屬層310’、氮化物層330’與第二金屬層320’可以是由蝕刻藥液或電漿來蝕刻，即蝕刻第一金屬層310’、氮化物層330’與第二金屬層320’的方法可以是溼式蝕刻(wet etching)或乾式蝕刻(dry etching)。在圖案化第一金屬層310’、氮化物層330’與第二金屬層320’之後，可利用去光阻液來去除光阻圖案40，以形成如圖3所示的導電結構300。
上述蝕刻藥液可以是酸性溶液，即ph值大於7的溶液，其中蝕刻藥液的成分可以含有水、過氧化氫(hydrogen peroxide，H2 O2 )以及鹽類材料。在本實施例中，鹽類材料主要可分為二種，一種是含氟的鹽類，而另一種是不含氟的鹽類。例如，鹽類材料可以是無氟無機鹽或是含氟氨鹽。
另外，在實際製造導電結構300的過程中，當第一金屬層310’的厚度L1是在14奈米以內時，上述蝕刻藥液基 本上能完全蝕除被光阻圖案40所暴露的第一金屬層310’，而只留下被光阻圖案40所覆蓋的第一金屬層310’(即第一金屬層310)。如此，可避免未被光阻圖案40所覆蓋的部分第一金屬層310’殘留在上表面32上，從而減少由導電結構300所形成的導電線發生短路(short)的情形。
值得一提的是，在以上圖4A至圖4E所示的導電結構300的製造方法中，氮化物層330’是採用真空沉積(即第二真空沉積)而形成，但在其他實施例中，氮化物層330’可採用真空沉積以外的方法來形成，如圖5A至圖5B所示。
圖5A至圖5B是本發明另一實施例中氮化物層的形成流程的剖面示意圖，其中本實施例的氮化物層是利用電漿轟擊(plasma bombard)來形成。詳細而言，請參閱圖5A，首先，在板材30的上表面32上形成一層第一金屬層410’，其中形成第一金屬層410’的方法與形成第一金屬層310’(請參閱圖4A)的方法相同，且第一金屬層410’的成分與第一金屬層310’的成分相同。不過，第一金屬層410’的厚度L4卻大於第一金屬層310’的厚度L1。
請參閱圖5A與圖5B，接著，對第一金屬層410’進行電漿轟擊，其中電漿轟擊的氣體來源包括氮氣。詳細而言，在通入氮氣之後，將氮氣游離化，以產生電漿P1。之後，電漿P1受電場的控制而能轟擊第一金屬層410’，以使第一金屬層410’的一部分轉變成氮化物層330’，而未發生轉變的部分第一金屬層410’則成為第一金屬層310’。
承上述，在第一金屬層310’與氮化物層330’形成之後，依序進行前述圖4C至圖4E所示的流程。之後，移除光阻圖案40，從而形成圖3所示的導電結構300。由於圖4C至圖4E所示的流程已詳細介紹在前述內容中，所以在此不再重複贅述。
綜上所述，利用上述第一金屬層與氧化物層，可以在板材上形成具有斜面(例如圖3所示的斜面301)的導電結構，其中此斜面與導電結構的底面(例如圖3所示的底面312)之間的夾角介於20度至75度之間，以至於位於斜面處的部分導電結構不會遮蓋板材。
因此，在進行後續真空沉積(例如濺鍍、化學氣相沉積或蒸鍍)的過程中，沉積物能全面性地覆蓋導電結構的頂面(例如圖3所示的頂面322)與斜面，以減少在斜面與板材之間形成空洞的機率。如此，可避免導電結構的結構強度降低，並減少導電線發生斷裂的可能性。
以上所述僅為本發明的實施例，其並非用以限定本發明的專利保護範圍。任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明的精神與範圍內，所作的更動及潤飾的等效替換，仍為本發明的專利保護範圍內。
30‧‧‧板材
32、212、222‧‧‧上表面
40‧‧‧光阻圖案
100、210‧‧‧基板
101‧‧‧板面
110‧‧‧導電線
111‧‧‧傾斜側面
112、322‧‧‧頂面
114、312、312’‧‧‧底面
200‧‧‧面板
201、202、300‧‧‧導電結構
220、240‧‧‧絕緣層
230‧‧‧畫素電極
301‧‧‧斜面
310、310’、410’‧‧‧第一金屬層
314‧‧‧第一側面
320、320’‧‧‧第二金屬層
324‧‧‧第三側面
330、330’‧‧‧氮化物層
334‧‧‧第二側面
A1、A2‧‧‧夾角
L1、L2、L3、L4‧‧‧厚度
P1‧‧‧電漿
T1‧‧‧電晶體
W1、W2‧‧‧寬度
圖1是經過蝕刻後所形成的一種習知電晶體陣列基板的導電線的剖面示意圖。
圖2是本發明一實施例之導電結構所應用的面板的剖面示 意圖。
圖3是本發明另一實施例之應用於面板的導電結構的剖面示意圖。
圖4A至圖4E是圖3中的導電結構的製造方法的流程剖面示意圖。
圖5A至圖5B是本發明另一實施例中氮化物層的形成流程的剖面示意圖。
30‧‧‧板材
32‧‧‧上表面
300‧‧‧導電結構
301‧‧‧斜面
310‧‧‧第一金屬層
312‧‧‧底面
314‧‧‧第一側面
320‧‧‧第二金屬層
322‧‧‧頂面
324‧‧‧第三側面
330‧‧‧氮化物層
334‧‧‧第二側面
A2‧‧‧夾角
L1、L2、L3‧‧‧厚度
W2‧‧‧寬度

Claims (20)

  1. 一種應用於面板的導電結構，形成在一板材的一上表面上，該導電結構包括：一第一金屬層，位在該上表面上，並具有一第一側面以及一相連該第一側面的底面，其中該第一金屬層的成分含有鉬，而該底面接觸該上表面；一氮化物層，位在該第一金屬層上，並具有一第二側面，其中該氮化物層的成分含有鉬；以及一第二金屬層，位在該氮化物層上，並具有一第三側面，其中該第二側面鄰接該第一側面與該第三側面，以形成一斜面，而該斜面與該底面之間的夾角介於20度至75度之間；其中，該第一金屬層的厚度在8奈米以內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構，其中該氮化物層中的鉬的原子百分比介於55至98.8之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構，其中該氮化物層中的鉬的原子百分比介於65至98.5之間該板材為一玻璃基板。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之導電結構，其中該氮化物層的厚度在40奈米以內。
  5. 一種應用於面板的導電結構，形成在一板材的一上表面上，該導電結構包括：一第一金屬層，位在該上表面上，並具有一第一側面 以及一相連該第一側面的底面，其中該第一金屬層的成分含有鉬，而該底面接觸該上表面；一氮化物層，位在該第一金屬層上，並具有一第二側面，其中該氮化物層的成分含有鉬；以及一第二金屬層，位在該氮化物層上，並具有一第三側面，其中該第二側面鄰接該第一側面與該第三側面，以形成一斜面，而該斜面與該底面之間的夾角介於20度至75度之間；其中該氮化物層中的鉬的原子百分比介於55至98.8之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之導電結構，其中該第一金屬層的厚度在14奈米以內。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之導電結構，其中該第二金屬層為一銅金屬層。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之導電結構，其中該氮化物層的厚度在40奈米以內。
  9. 申請專利範圍第5項所述之導電結構，其中該板材包括：一基板；以及一絕緣層，位在該基板上，並具有該上表面。
  10. 一種應用於面板的導電結構的製造方法，包括：進行一第一真空沉積，以在一板材的一上表面上形成一第一金屬層，其中該第一金屬層的成分含有鉬，而該第 一金屬層具有一接觸該上表面的底面；在該第一金屬層上形成一氮化物層，其中該氮化物層的成分含有鉬；在該氮化物層上形成一第二金屬層；以及圖案化該第一金屬層、該氮化物層與該第二金屬層，以局部暴露該上表面，並形成一斜面，其中該斜面與該底面之間的夾角介於20度至75度之間；其中，形成該氮化物層的方法是進行一第二真空沉積，該第二真空沉積採用的一濺鍍靶材為一氮化鉬靶或一氮化鉬合金靶。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之導電結構的製造方法，其中圖案化該第一金屬層、該氮化物層與該第二金屬層的方法包括：以一光阻圖案做為遮罩，蝕刻該第一金屬層、該氮化物層與該第二金屬層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之導電結構的製造方法，其中該第一金屬層、該氮化物層與該第二金屬層是由一蝕刻藥液或一電漿來蝕刻，其中該蝕刻藥液的成分含有水、過氧化氫以及一鹽類材料，該鹽類材料為無氟無機鹽或含氟氨鹽。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之導電結構的製造方法，其中該板材為一玻璃基板。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之導電結構的製造方 法，其中該板材包括：一基板；以及一絕緣層，位在該基板上，並具有該上表面。
  15. 一種應用於面板的導電結構的製造方法，包括：進行一第一真空沉積，以在一板材的一上表面上形成一第一金屬層，其中該第一金屬層的成分含有鉬，而該第一金屬層具有一接觸該上表面的底面；在該第一金屬層上形成一氮化物層，其中該氮化物層的成分含有鉬；在該氮化物層上形成一第二金屬層；以及圖案化該第一金屬層、該氮化物層與該第二金屬層，以局部暴露該上表面，並形成一斜面，其中該斜面與該底面之間的夾角介於20度至75度之間；其中形成該氮化物層的方法包括對該第一金屬層進行一電漿轟擊，而該電漿轟擊的氣體來源包括氮氣。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之導電結構的製造方法，其中圖案化該第一金屬層、該氮化物層與該第二金屬層的方法包括：以一光阻圖案做為遮罩，蝕刻該第一金屬層、該氮化物層與該第二金屬層。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之導電結構的製造方法，其中該第一金屬層、該氮化物層與該第二金屬層是由一蝕刻藥液或一電漿來蝕刻，其中該蝕刻藥液的成分含有 水、過氧化氫以及一鹽類材料，該鹽類材料為無氟無機鹽或含氟氨鹽。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之導電結構的製造方法，其中該板材為一玻璃基板。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之導電結構的製造方法，其中該板材包括：一基板；以及一絕緣層，位在該基板上，並具有該上表面。
  20. 如申請專利範圍第15項所述之導電結構的製造方法，其中該第二金屬層為一銅金屬層。
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