CN1512253A - 液晶显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示装置的制造方法，包括以下步骤：通过第一掩模处理过程，在第一基板上形成一栅极线、一栅极焊盘和一栅极；通过第二掩模处理过程，在包括栅极线、栅极焊盘和栅极的第一基板上形成一数据线、一数据焊盘、一源极、一漏极和一有源层；通过第三掩模处理过程，在包括数据线、数据焊盘、源极和漏极的第一基板上形成一象素电极和一数据焊盘端子；在包括象素电极和数据焊盘端子的第一基板的整个表面上形成一钝化层；将包括钝化层的第一基板与第二基板相粘接，其中由第二基板露出包括栅极焊盘的栅极焊盘部分和包括数据焊盘的数据焊盘部分；为第一基板与第二基板之间的间隙中提供液晶材料；以及去除第二基板所暴露的栅极焊盘部分和数据焊盘部分中的钝化层。

Description

液晶显示装置的制造方法
本申请要求享有2002年12月30日在韩国提出的第2002-087251号韩国专利申请的利益，其在此全部引用，如同在此全部列出一样。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)装置，尤其涉及一种液晶显示装置的制造方法。
背景技术
液晶显示(LCD)装置基于液晶材料的光学各向异性和偏振特性受到驱动。通常，LCD装置包括两个彼此间隔且相互面对的基板和夹在两基板之间的液晶层。每一个基板包括一个电极，每一个基板的各个电极也彼此面对。将电压施加到每一个电极上，由此在各电极之间感应出电场。通过改变电场的强度或者方向，改变液晶分子的排列。LCD装置通过根据液晶分子的排列改变透光率，显示画面。
有源矩阵液晶显示(AMLCD)装置因其分辨率高且显示活动图像速度快而被广为采用，所述AMLCD装置包括多个薄膜晶体管作为多个象素的开关元件。
以下将参照附图详细描述一种现有技术的LCD装置。
图1是示出一现有技术LCD装置的实物示意图。在这种LCD装置中，上基板10和下基板30彼此间隔且相互面对，液晶层50夹在上基板10与下基板30之间。
至少一条栅极线32和至少一条数据线34形成于下基板30的内表面(即，面对上基板10的那一侧)上。栅极线32与数据线34相互交叉，限定一象素区P。一薄膜晶体管T作为开关元件形成在栅极线32与数据线34相交的部分处。虽然图中没有详细示出，不过该薄膜晶体管T包括栅极、源极、漏极和一有源层。多个这样的薄膜晶体管T排列成矩阵形式，以对应于栅极线和数据线的其他相交部分。接至薄膜晶体管T的象素电极46形成于象素区P内。
上基板10内侧(即，面对下基板30的那一侧)上依次包括黑色矩阵14、滤色片层12和公共电极16。滤色片层12反射一特殊波长范围内的光，包括红(R)、绿(G)和蓝(B)三个子滤色片。黑色矩阵14设置在子滤色片之间，阻挡液晶分子不受控的区域内的光。滤色片层12的每一个子滤色片对应于象素区P上的象素电极46。
在上基板10和下基板30的外表面之外，分别设有上偏振片52和下偏振片54，每一个偏振片可以是一种线性偏振片，这种线性偏振片只透射与其光透射轴平行的线性偏振光。另外，一背照光作为光源设置在下偏振片54的外表面之外。
一般可以把包括排列成矩阵形式的薄膜晶体管T和象素电极46的下基板30称为阵列基板。
图2示出了一种根据现有技术的LCD装置的阵列基板平面图。图2中，栅极线64沿第一方向形成，数据线78沿与第一方向相交的第二方向形成。栅极线64和数据线彼此相交，限定一象素区P。薄膜晶体管T作为一开关元件形成于栅极线64与数据线78的交叉部分。象素电极94形成于象素区P内。薄膜晶体管T包括：栅极62，它接至栅极线64，接收扫描信号；源极74，它接至数据线78，接收数据信号；漏极76，它与源极74间隔开。薄膜晶体管T还包括有源层72，有源层72在栅极62与源极74和漏极76之间。象素电极94通过接触漏极76，接至薄膜晶体管T。
一岛形金属图形88与栅极线64交叠。金属图形88用与数据线78相同的材料制成。象素电极94也与栅极线64交叠，并且接至金属图形88。这样，栅极线64和金属图形88与夹在二者之间的一绝缘层(图中未示)形成一存储电容CST，其中被交叠的栅极线64作为存储电容CST的第一电极，金属图形88作为存储电容CST的第二电极。
另外，一栅极焊盘68形成于栅极线64的一端，一数据焊盘82形成于数据线78的一端。具有岛形且由与象素电极94相同材料形成的栅极焊盘端子96和数据焊盘端子98分别与栅极焊盘68和数据焊盘82交叠。
图3A至3E、图4A至4E和图5A至5E是剖视图，它们示出了一种根据现有技术的阵列基板的制造方法。图3A至3E对应于沿着图2的线III-III′所取的剖面，图4A至4E对应于沿着图2的线IV-IV′所取的剖面，图5A至5E对应于沿着图2的线V-V′所取的剖面。
如图3A、4A和5A所示，通过淀积第一金属层并且通过第一掩模处理过程对第一金属层制作图形，在透明绝缘基板60上形成栅极线64、栅极62和栅极焊盘68，第一掩模处理过程是一种利用光刻胶和掩模的光刻过程。虽然图中未示，但是栅极62从栅极线64上延伸出来，栅极焊盘68设置在栅极线64的一端。
如图3B、4B和5B所示，在其上包括有栅极线64、栅极62和栅极焊盘68的基板60上依次淀积第一绝缘层、一非晶硅层、一掺杂的非晶硅层，并且通过第二掩模处理过程对该掺杂的非晶硅层和非晶硅层制作图形。这样，在栅极62之上形成一掺杂的非晶硅图形73a和有源层72。第一绝缘层作为栅极绝缘层70。
如图3C、4C和5C所示，通过淀积第二金属层，并且通过第三掩模处理过程对其制作图形，在其上包括有图3B中掺杂的非晶硅层73a和有源层72的基板60上形成数据线78、源极74、漏极76、金属图形80和数据焊盘82。源极74和漏极76设置在有源层72之上，彼此间隔开。金属图形80与栅极线64有部分交叠。虽然图中未示，但是数据线78与栅极线64相交，数据焊盘82设置在数据线78的一端。
接着，去除暴露在源极74与漏极76之间的图3B中掺杂的非晶硅层73a。这样，完成了欧姆接触层73，露出有源层72。有源层72露出的部分变成一薄膜晶体管T的一个沟道ch，该薄膜晶体管包括栅极62、源极74、漏极76和有源层72。
如图3D、4D和5D所示，在其上包括有薄膜晶体管T的基板60上形成第二绝缘层，通过第四掩模处理过程借助栅极绝缘层70对其制作图形，由此形成一钝化层84，钝化层84具有一漏极接触孔86、一电容接触孔88、一栅极焊盘接触孔90和一数据焊盘接触孔92。漏极接触孔86、电容接触孔88、栅极焊盘接触孔90和数据焊盘接触孔92分别露出漏极76、金属图形80、栅极焊盘68和数据焊盘82。
接着，如图3E、4E和5E所示，通过淀积一透明导电材料，并且通过第五掩模处理过程对该透明导电材料制作图形，在钝化层84上形成一象素电极94、一栅极焊盘端子96和一数据焊盘端子98。象素电极94不仅通过漏极接触孔86接至漏极76，还通过电容接触孔88接至金属图形80。栅极焊盘端子96通过栅极焊盘接触孔90接至栅极焊盘68，数据焊盘端子98通过数据焊盘接触孔92接至数据焊盘82。象素电极94形成于象素区P内。彼此交叠的栅极线64和金属图形80与夹在该栅极线64与金属图形80之间的栅极绝缘层70形成一存储电容CST。
通过五个掩模处理过程制造阵列基板，并且这种掩模处理过程包括几个步骤：清洗，涂敷光刻胶层，通过一掩模曝光，显影该光刻胶层，和蚀刻。因此，通过减少光刻过程的数目，可以缩短制造时间、降低成本并且减少故障。
发明内容
因此，本发明涉及一种液晶显示装置的制造方法，它基本上避免了因现有技术的局限和缺点带来的一个或者多个问题。
本发明的一个优点在于提供一种液晶显示装置的制造方法，该方法由于处理过程更短而且成本更低而提高了生产率。
本发明的其他特征和优点将在下面的描述中列出，根据该说明，它们一部分将变得很明显，或者可以通过对本发明的实践学会。通过本说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构，将实现和得到本发明的这些和其他优点。
为了实现这些和其他优点，根据本发明的目的，如所具体和概括描述的那样，一种液晶显示装置的制造方法包括：通过第一掩模处理过程，在第一基板上形成一栅极线、一栅极焊盘和一栅极；通过第二掩模处理过程，在包括栅极线、栅极焊盘和栅极的第一基板上形成一数据线、一数据焊盘、一源极、一漏极和一有源层；通过第三掩模处理过程，在包括数据线、数据焊盘、源极和漏极的第一基板上形成一象素电极和一数据焊盘端子；在包括象素电极和数据焊盘端子的第一基板的整个表面上形成一钝化层；将包括钝化层的第一基板与第二基板相粘接，其中由第二基板露出包括栅极焊盘的栅极焊盘部分和包括数据焊盘的数据焊盘部分；为第一基板与第二基板之间的间隙中提供液晶材料；以及去除第二基板所暴露的栅极焊盘部分和数据焊盘部分中的钝化层。
在本发明的另一个方面，一种液晶显示装置的制造方法包括：  通过第一掩模处理过程，在第一基板上形成一栅极线、一栅极焊盘和一栅极；通过第二掩模处理过程，在包括栅极线、栅极焊盘和栅极的第一基板上形成一数据线、一数据焊盘、一源极/漏极图形和一有源层；通过第三掩模处理过程，在包括数据线、数据焊盘、源极/漏极图形的第一基板上形成一象素电极、一数据缓冲图形和一数据焊盘端子，并且用该象素电极和该数据缓冲图形作为一掩模，对源极/漏极图形制作图形，由此形成一源极和一漏极；在包括象素电极、数据缓冲图形和数据焊盘端子的第一基板的整个表面上形成一钝化层；将包括钝化层的第一基板与第二基板相粘接，其中由第二基板露出包括栅极焊盘的栅极焊盘部分和包括数据焊盘的数据焊盘部分；为第一基板与第二基板之间的间隙中提供液晶材料；以及去除第二基板所暴露的栅极焊盘部分和数据焊盘部分中的钝化层。
应理解的是，前面总的描述和以下的详细描述是示例和解释性的，意欲用它们提供对所要求保护的本发明的进一步的解释。
附图说明
所包括用来提供对本发明进一步理解并且包括在内构成说明书一部分的附图，示出了本发明的实施例，并且连同说明书文字部分一起用来解释本发明的原理。
这些附图中：
图1是示出一种现有技术液晶显示(LCD)装置的实物示意图；
图2是根据现有技术的一种LCD装置的阵列基板平面图；
图3A至3E、图4A至4E和图5A至5E是剖视图，它们示出了一种根据现有技术的阵列基板的制造方法；
图6A至6C是平面图，它们示出了根据本发明第一实施例的阵列基板的制造方法；
图7A至7H、图8A至8H和图9A至9H是剖视图，它们示出了根据本发明第一实施例的阵列基板的制造方法；
图10是示出了根据本发明的液晶显示装置的焊盘开口处理过程(pad openprocess)的示意图；
图11A和11B是图10过程之后的焊盘部分的剖视图；
图12A至12D、图13A至13D和图14A至14D是剖视图，它们示出了根据根据本发明第二实施例的液晶显示(LCD)装置阵列基板的制造方法；
图15是根据本发明第三实施例的阵列基板的平面图；
图16、17和18是分别沿着图15的线XVI-XVI′、XVII-XVII′和XVIII-XVIII′所取的剖视图；
图19是根据本发明第四实施例的阵列基板的平面图；
图20A至20C、图21A至21C和图22A至22C是示出根据本发明第四实施例的阵列基板制造方法的剖视图；
图23A至23F、图24A至24F和图25A至25F是示出根据本发明第五实施例的阵列基板制造方法的剖视图；
图26A至26C、图27A至27C和图28A至28C是示出根据本发明第六实施例的阵列基板制造方法的剖视图；
图29A至29F、图30A至30F和图31A至31F是示出根据本发明第七实施例的阵列基板制造方法的剖视图；
图32A至32G、图33A至33G和图34A至34G是示出根据本发明第八实施例的阵列基板制造方法的剖视图。
具体实施方式
现在详细描述附图中所示的本发明的实施例。
图6A至6C、图7A至7H、图8A至8H和图9A至9H示出了根据本发明第一实施例的液晶显示(LCD)装置的阵列基板制造方法。图6A至6C是示出根据本发明第一实施例的阵列基板制造方法的平面图。图7A至7H、图8A至8H和图9A至9H是示出根据本发明第一实施例的阵列基板制造方法的剖视图。
在图6A、7A、8A和9A中，通过淀积第一金属层，并且通过第一掩模处理过程对其制作图形，在基板110上形成栅极线112、栅极114和栅极焊盘116。栅极线112沿着第一方向形成，栅极114从栅极线112上延伸出来。栅极焊盘116设在栅极线112的一端。栅极线112的一部分作为一存储电容的一个电极。
第一金属层具有双层结构。第一金属层的下层选自具有较低电阻率的金属材料，例如铝-钕(AlNd)；第一金属层的上层选自一种透明导电材料，例如铟锡氧化物(ITO)。因此，栅极线112、栅极114和栅极焊盘116具有各自的第一层112a、114a和116a以及各自的第二层112b、114b和116b。
接着，如图6B、图7B至7E、图8B至8E和图9B至9E所示，通过第二掩模处理过程形成有源层132、数据线144、源极134、漏极136、电容电极138和数据焊盘140。
以下将参照附图详细描述第二掩模处理过程。
首先，如图7B、8B和9B所示，在其上包括栅极线112、栅极114和栅极焊盘116的基板110上依次淀积栅极绝缘层120、非晶硅层122、掺杂的非晶硅层123和第二金属层124。
接着，在第二金属层124上涂敷一光刻胶层，对其进行曝光和显影，由此形成第一光刻胶图形126a、第二光刻胶图形126b、第三光刻胶图形126c和第四光刻胶图形126d。第一光刻胶图形126a对应于栅极114，第二光刻胶图形126b对应于栅极线112，第三光刻胶图形126c对应于将要在后面形成的一数据焊盘，第四光刻胶图形126d对应于栅极焊盘116。虽然图中未示，但是第一光刻胶图形126a和第三光刻胶图形126c相互连接。也就是说，第三光刻胶图形126c设在第一光刻胶图形126a的一端。第一光刻胶图形126a覆盖栅极114，并且具有第一和第二厚度，其中第二厚度因衍射曝光(diffractionexposure)比第一厚度薄并且对应于栅极114的中间部分。第二光刻胶图形126b、第三光刻胶图形126c和第四光刻胶图形126d具有与第一光刻胶图形126a的第一厚度相同的厚度。第四光刻胶图形126d还包括与栅极焊盘116的中间部分对应的开口128。
在衍射曝光中，采用一种照相铜版掩模(halftone mask)或者开槽掩模(slit mask)，由此不必利用另外的掩模处理过程就能有选择地形成比其他部分更薄的光刻胶层的一个期望部分。
如图7C、8C和9C所示，利用第一光刻胶图形126a、第二光刻胶图形126b、第三光刻胶图形126c和第四光刻胶图形126d，对第二金属层124、掺杂的非晶硅层123和非晶硅层122制作图形，由此形成数据线144、源极/漏极图形131、电容电极138、数据焊盘140、掺杂的非晶硅图形130、有源层132和栅极焊盘缓冲图形142。此时，在数据线144、数据焊盘140、电容电极138和栅极焊盘缓冲图形142之下有非晶硅层122a、122b和122c以及掺杂的非晶硅层123a、123b和123c。栅极焊盘缓冲图形142有一孔143，孔143穿过掺杂的非晶硅层123c和非晶硅层122c。
如图7D、8D和9D所示，通过一灰化过程去除图7C中第一光刻胶图形126a的第二厚度d1，并目去除第一光刻胶图形126a暴露的图7C中源极/漏极图形131的中间部分，由此形成源极134和漏极136。源极134和漏极136与栅极114一起构成一薄膜晶体管T。这里，还局部去除具有第一厚度的第一光刻胶图形126a、第二光刻胶图形126b、第三光刻胶图形126c和第四光刻胶图形126d，使第一光刻胶图形126a、第二光刻胶图形126b、第三光刻胶图形126c和第四光刻胶图形126d变薄。
接着，如图7E、8E和9E所示，去除图7D、8D和9D中剩余的光刻胶图形126a、126b、126c和126d。
数据线144沿着第二方向形成，并且与栅极线112相交，限定一象素区P。数据焊盘140设在数据线144一端。源极134接至数据线144，漏极136在栅极114之上与源极134间隔开。电容电极138与栅极线112交叠。栅极焊盘缓冲图形142覆盖栅极焊盘116，并且如上所述具有与栅极焊盘116的中间部分对应的孔143。栅极焊盘缓冲图形142有利地覆盖栅极焊盘116的边缘，以防在后来对栅极焊盘116进行开口处理的过程中栅极焊盘116被蚀刻剂损坏。如果令栅极焊盘116暴露给蚀刻剂，那么栅极焊盘116在接触基板110方面的性能可能会很弱。不过，为了有简单的过程，可以省略栅极焊盘缓冲图形142。
如图6C、图7F至7H、图8F至8H和图9F至9H所示，通过第三掩模处理过程，形成象素电极146、栅极焊盘端子142和数据焊盘端子148，随后形成钝化层150。
以下将参照附图详细描述第三掩模处理过程。
在图7F、8F和9F中，通过淀积一透明导电材料，并且通过第三掩模处理过程对其制作图形，在其上包括有数据线144、源极134、漏极136、电容电极138、数据焊盘140和栅极焊盘缓冲图形142的基板110上形成象素电极146、数据缓冲图形145和数据焊盘端子148。象素电极146设置在象素区P内。象素电极146接触漏极136和电容电极138，并且覆盖它们。数据缓冲图形145覆盖数据线144和源极134，数据焊盘端子148覆盖数据焊盘140。数据焊盘端子148接至数据缓冲图形145。这里，数据线144、源极134、漏极136、电容电极138和数据焊盘140可能会受损，因为透明导电材料直接形成于其上。这样，数据缓冲图形145在第三掩模处理过程中保护了数据线144和源极134。如果数据线144、源极134、漏极136、电容电极138和数据焊盘140不会受损，那么可以省略缓冲图形145。
如图7G、8G和9G所示，去除源极134与漏极136之间暴露的图7F中掺杂的非晶硅图形130。这样，完成了欧姆接触层133，露出有源层132。此时，可以局部蚀刻有源层132。所暴露的有源层132变成薄膜晶体管T的一个沟道ch。像这样，在形成象素电极146之后，形成沟道ch有利，因为如果在象素电极146之前形成沟道ch，那么可能在第三掩模处理过程中会损坏沟道ch。
如上所述，象素电极146接触电容电极138并且电容电极138与栅极线112交叠，形成一存储电容CST。
接着，如图7H、8H和9H所示，通过淀积或者涂敷一种绝缘材料，在形成有象素电极146、数据缓冲图形145和数据焊盘端子148的基板110的整个表面上形成钝化层150。绝缘材料有利的是包括硅，也可以选自氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的一种。其间，钝化层150可以省略，形成在基板110顶部上并且排列液晶分子的排列层可以作为钝化层。
在形成一液晶板之后，对栅极焊盘和数据焊盘进行开口处理，形成液晶板的步骤包括：粘接阵列基板和滤色片基板，向阵列基板与滤色片基板之间的间隙中提供液晶材料。向阵列基板与滤色片基板之间的间隙中提供液晶材料包括注入或者施加液晶。
图10示出根据本发明的液晶显示装置的焊盘部分开口处理过程。在图10中，包括第一基板162和第二基板164的液晶板160有一显示区A和一非显示区B。第一基板162可以是一阵列基板，并且可以在非显示区B内有一栅极焊盘部分B1和一数据焊盘部分B2。可以是一滤色片基板的第二基板164小于第一基板162，以暴露焊盘部分B1和B2。栅极焊盘部分B1中的栅极焊盘和数据焊盘部分B2中的数据焊盘可以具有与上述第一实施例相同的结构。虽然图中未示，不过在第一基板162与第二基板164之间形成一密封剂图形，该图形包围显示区A。另外，在第一基板162与第二基板164之间的密封剂图形内夹有一液晶层。
将液晶板160的栅极焊盘部分B1浸入容器172内的蚀刻剂170中，随后将数据焊盘部分B2浸入所述容器内的所述蚀刻剂中。蚀刻剂170有选择地仅去除绝缘材料。这样，去除可以是第一实施例中钝化层150的栅极焊盘部分B1和数据焊盘部分B2中的绝缘层(图中未示)。这里，如果绝缘层包括硅，那么蚀刻剂可以包括氢氟酸(fluoride acid)(HF)。代替采用蚀刻剂的这种湿刻法，可以通过用等离子体的干刻法或者用激光的方法去除绝缘层。
图11A和11B分别示出图10过程之后的焊盘部分的剖面，并且分别对应于图8H和图9H的下一个步骤。
在图11A中，在基板110上形成栅极绝缘层120、非晶硅层122a、掺杂的非晶硅层123a、数据焊盘140和数据焊盘端子148，并且通过图10的过程去除图8H的钝化层150，由此暴露数据焊盘端子148。在图10的过程中，数据焊盘端子148作为一蚀刻掩模，并且还去除被数据焊盘端子148暴露的栅极绝缘层120。
在图11B中，在基板110上形成包括第一层116a和第二层116b的栅极焊盘116，栅极绝缘层120覆盖栅极焊盘116。在栅极绝缘层120上形成非晶硅层122c、掺杂的非晶硅层123c和栅极焊盘缓冲图形142。通过图10的过程，连同栅极绝缘层120一起去除图9H的钝化层150，这样，暴露栅极焊盘缓冲图形142和栅极焊盘116。这里，通过孔143暴露由一种透明导电材料形成的栅极焊盘116的第二层116b。
在本发明的第一实施例中，虽然栅极线112、栅极114和栅极焊盘116具有双层结构，不过栅极线112、栅极114和栅极焊盘116也可以是单层。
图12A至12D、图13A至13D和图14A至14D示出了一种根据本发明第二实施例的液晶显示(LCD)装置阵列基板的制造方法。
在图12A、13A和14A中，通过淀积第一金属层，并且通过第一掩模处理过程对其制作图形，在基板210上形成栅极线212、栅极214和栅极焊盘216。虽然图中未示，不过栅极线212沿着第一方向形成，栅极214从栅极线212上延伸出来，栅极焊盘216设在栅极线212的一端。栅极线212的一部分作为一存储电容的一个电极。
第一金属层是一单层结构，它可以选自具有较低电阻率的金属材料，例如铝-钕(AlNd)。因此，栅极线212、栅极214和栅极焊盘216不包括透明导电材料。
如图12B、图13B和14B所示，通过第二掩模处理过程，在包括有栅极线212、栅极214和栅极焊盘216的基板上形成栅极绝缘层220、有源层232、掺杂的非晶硅图形230、数据线244、源极234、漏极236、电容电极238、数据焊盘240和栅极焊盘缓冲图形242。
有源层232和掺杂的非晶硅图形230设在栅极214之上。源极234接至数据线244，漏极236在栅极214之上与源极234间隔开。掺杂的非晶硅图形230暴露在源极234和漏极236之间。电容电极238与栅极线212交叠，栅极焊盘缓冲图形242覆盖栅极焊盘216。栅极焊盘缓冲图形242有一对应于栅极焊盘216中间部分的孔243。非晶硅层222a、222b和222c以及掺杂的非晶硅层223a、223b和223c分别位于数据线244和数据焊盘240、电容电极238和栅极焊盘缓冲图形242之下。
第二掩模处理过程与图7B至7E、图8B至8E和图9B至9E的过程相同。
接着，在图12C、13C和14C中，通过淀积一透明导电材料，并且通过第三掩模处理过程对其制作图形，在其上包括有数据线244、源极234、漏极236、电容电极238、数据焊盘240和栅极焊盘缓冲图形242的基板210上形成象素电极246、数据缓冲图形245和数据焊盘端子248。象素电极246设置在象素区P内。象素电极246接触漏极236和电容电极238，并且覆盖它们。数据缓冲图形245覆盖数据线244和源极234，数据焊盘端子248覆盖数据焊盘240。
随后，去除源极234与漏极236之间露出的图12B中掺杂的非晶硅图形230。这样，完成欧姆接触层233，暴露有源层232。此时，可以局部蚀刻有源层232。所暴露的有源层232变成一薄膜晶体管T的一个沟道ch。像这样，在形成象素电极246之后形成沟道ch是有利的，因为如果在象素电极246形成之前形成沟道ch，那么沟道ch可能会在第三掩模处理过程中受损。
如上所述，象素电极246接触电容电极238并且电容电极238与栅极线212交叠，形成一存储电容CST。
如图12D、13D和14D所示，通过淀积或者涂敷一种绝缘材料，在形成有象素电极246、数据缓冲图形245和数据焊盘端子248的基板210的整个表面上形成钝化层250。绝缘材料有利的是包括硅，也可以选自氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的一种。
可以通过第一实施例的焊盘开口处理过程对栅极焊盘216和数据焊盘端子进行开口处理。
在第二实施例中，由于栅极焊盘216不包括透明导电材料层，所以，在焊盘开口处理过程之后，在栅极焊盘216与后来接至栅极焊盘216的外部电路(图中未示)之间没有透明导电层。
通常，由于液晶显示装置的焊盘部分通过一种TAB(带式自动焊接(tapeautomatic bonding))方法接至外部电路，所以，在栅极焊盘和数据焊盘上已经形成有一透明导电层，以防各焊盘在再加工过程中暴露在大气环境下，并且改善了与外部电路端子的接触特性。
近来，可以不用一种COG(玻璃上置芯片(chip on glass))方法来连接各焊盘和外部电路，在这种方法中，各焊盘与外部电路之间没有另外的透明导电材料层。这样，所暴露的栅极焊盘216可以不是透明导电材料。也就是说，在栅极焊盘部分中，由一种不透明金属材料形成的栅极焊盘216受到暴露，并且接至外部电路。另一方面，在数据焊盘部分中，由一种透明导电材料形成的数据焊盘端子248受到暴露，并且接至外部电路。
图15、16、17和18示出了根据本发明第三实施例的液晶显示(LCD)装置的阵列基板。除了数据线上的数据缓冲图形之外，第三实施例的阵列基板具有与第一实施例相同的结构。
图15是根据本发明第三实施例的阵列基板平面图。在图15中，栅极线312和数据线344相交，限定一象素区P，在栅极线312与数据线344交叉的部分处形成包括栅极314、有源层332、源极334和漏极336的薄膜晶体管T。象素电极346形成于象素区P内，并且接至漏极336和电容电极338。电容电极338与栅极线312交叠。栅极焊盘316形成于栅极线312一端，数据焊盘340形成于数据线344一端。岛形的数据焊盘端子348覆盖数据焊盘340。包括与栅极焊盘316中间部分对应的孔343的栅极焊盘缓冲图形342覆盖栅极焊盘316。
图16、17和18分别是沿着图15的线XVI-XVI′、XVII-XVII′和XVIII-XVIII′的剖视图，它们示出了在图10的焊盘开口处理过程之后的阵列基板。
如图16、17和18所示，在其上包括有数据线344、源极334、漏极336、电容电极338、数据焊盘340和栅极焊盘缓冲图形342的基板310上形成透明导电材料制成的象素电极346和数据焊盘端子348。象素电极346接触漏极336和电容电极338，并且覆盖它们。数据焊盘端子348覆盖数据焊盘340。
在第三实施例中，数据线344和源极334上没有透明导电图形。
图19、图20A至20C、图FIGs.21A至21C和图22A至22C示出了根据本发明第四实施例的液晶显示(LCD)装置的阵列基板。除了栅极线上的电容电极之外，第四实施例的阵列基板具有与第一实施例相同的结构。
图19是根据本发明第四实施例的阵列基板平面图。在图19中，栅极线412和数据线444相交，限定一象素区P，在栅极线412与数据线444相交的部分上形成包括栅极414、有源层432、源极434和漏极436的薄膜晶体管T。栅极414从栅极线412上延伸出来，源极434从数据线444上延伸出来。漏极436在栅极414之上与源极间隔开。有源层432暴露于源极434与漏极436之间。象素电极446形成于象素区P内，并且接至漏极436。象素电极446与栅极线412交叠，形成存储电容CST。栅极焊盘416形成于栅极线412的一端，数据焊盘440形成于数据线444的一端。包括与栅极焊盘416中间部分对应的孔443的栅极焊盘缓冲图形442覆盖栅极焊盘416。由与象素电极446相同的材料形成的数据缓冲图形445覆盖数据线444和源极434。数据焊盘端子448覆盖数据焊盘440并且接至数据缓冲图形445。
图20A至20C、图21A至21C和图22A至22C是示出根据本发明第四实施例的阵列基板装置制造方法的剖视图。图20A至20C对应于沿着图19的线XX-XX′所取的剖面，图21A至21C对应于沿着图19的线XXI-XXI′所取的剖面，图22A至22C对应于沿着图19的线XXII-XXII′所取的剖面。
在图20A、21A和22A中，通过第一掩模处理过程，在基板410上形成栅极线412、栅极414和栅极焊盘416。接着，在其上包括有栅极线412、栅极414和栅极焊盘416的基板410上依次淀积栅极绝缘层420、非晶硅层422、掺杂的非晶硅层423和金属层424，在金属层424上形成第一光刻胶图形426a、第二光刻胶图形426b和第三光刻胶图形426c。第一光刻胶图形426a对应于栅极414，第二光刻胶图形426b对应于以后形成的数据焊盘440，第三光刻胶图形426c对应于栅极焊盘416。
虽然图中未示，但是第一光刻胶图形426a和第二光刻胶图形426b相互连接。也就是说，第二光刻胶图形426b设在第一光刻胶图形426a的一端。第一光刻胶图形426a覆盖栅极414，具有第一厚度和第二厚度，其中第二厚度因衍射曝光比第一厚度薄并且对应于栅极414的中间部分。第二光刻胶图形426b和第三光刻胶图形426c具有与第一光刻胶图形126a的第一厚度相同的厚度。第三光刻胶图形426c还包括与栅极焊盘416的中间部分对应的开口428。
如图20B、21B和22B所示，利用第一光刻胶图形426a、第二光刻胶图形426b和第三光刻胶图形426c作为蚀刻掩模，对图20A、21A和22A的金属层424、掺杂的非晶硅层423和非晶硅层422制作图形，由此形成数据线444、源极/漏极图形431、数据焊盘440、掺杂的非晶硅图形430、有源层432和栅极焊盘缓冲图形442。这里，去除栅极线412之上的金属层424、掺杂的非晶硅层423和非晶硅层422。
此时，在数据线444、数据焊盘440和栅极焊盘缓冲图形442之下有非晶硅层422a和422c以及掺杂的非晶硅层423a和423c。栅极焊盘缓冲图形442有一孔443，孔443穿过掺杂的非晶硅层423c和非晶硅层422c。
通过(上述)图7D、8D和9D的过程形成源极和漏极，去除剩余的光刻胶图形。
通过第二掩模处理过程形成有源层432、数据线444、源极434、漏极436、数据焊盘440和栅极焊盘缓冲图形442。
如图20C、21C和22C所示，通过淀积一透明导电材料，并且通过第三掩模处理过程对其制作图形，在其上包括有数据线444、源极434、漏极436、数据焊盘440和栅极焊盘缓冲图形442的基板410上形成象素电极446、数据缓冲图形445和数据焊盘端子448。象素电极446设在象素区P内并且接触漏极436。该象素电极与栅极线412交叠，形成一存储电容CST。数据缓冲图形445覆盖数据线444和源极434，数据焊盘端子448覆盖数据焊盘440。数据焊盘端子448接至数据缓冲图形445。
接着，去除暴露在源极与漏极之间的图20B的掺杂的非晶硅图形430。这样，完成欧姆接触层433，暴露有源层432。此时，可以局部蚀刻有源层432。所暴露的有源层432变成一个薄膜晶体管T的沟道。
虽然图中未示，不过，在其上包括有象素电极446、数据缓冲图形445和数据焊盘端子448的基板410的整个表面上形成一钝化层。
在形成一液晶板之后，通过图10的焊盘开口处理过程暴露栅极焊盘和数据焊盘部分，其中还去除栅极416上的栅极绝缘层420，由此暴露栅极416的第二层416b。
图23A至23F、图24A至24F和图25A至25F示出了根据本发明第五实施例的阵列基板的制造方法。
在图23A、24A和25A中，通过淀积第一金属层，并且通过第一掩模处理过程对其制作图形，在基板510上形成栅极线512、栅极514和栅极焊盘516。第一金属层具有双层结构。第一金属层的下层选自一种具有较低电阻率的金属材料，第一金属层的上层选自一种透明导电材料。
如图23B、24B和25B中所示，在其上包括有栅极线512、栅极514和栅极焊盘516的基板510上依次淀积栅极绝缘层520、非晶硅层522、掺杂的非晶硅层523和第二金属层524。接着，通过涂敷一光刻胶层，并且通过第二掩模处理过程对该光刻胶层进行曝光和显影，在第二金属层524上形成第一光刻胶图形526a、第二光刻胶图形526b、第三光刻胶图形526c和第四光刻胶图形526d。第一光刻胶图形526a对应于栅极514，第二光刻胶图形526b对应于栅极线512，第三光刻胶图形526c对应于以后形成的数据焊盘，第四光刻胶图形526d对应于栅极焊盘516。虽然图中未示，但是第一光刻胶图形526a和第三光刻胶图形526c相互连接。也就是说，第三光刻胶图形526c设在第一光刻胶图形526a的一端。第一光刻胶图形526a、第二光刻胶图形526b、第三光刻胶图形526c和第四光刻胶图形526d具有相同的厚度。第四光刻胶图形526d还包括与栅极焊盘516的中间部分对应的开口528。
如图23C、24C和25C所示，通过将第一光刻胶图形526a、第二光刻胶图形526b、第三光刻胶图形526c和第四光刻胶图形526d用作蚀刻掩模，对图23B、24B和25B的第二金属层524、掺杂的非晶硅层523和非晶硅层522进行蚀刻，由此形成数据线544、源极/漏极图形531、电容电极538、数据焊盘540、掺杂的非晶硅图形530、有源层532和第一栅极焊盘缓冲图形542。这里，在数据线544和数据焊盘540、电容电极538和栅极焊盘缓冲图形542之下有非晶硅层522a、522b和522c以及掺杂的非晶硅层523a、523b和523c。第一栅极焊盘缓冲图形542有一孔543，孔543对应于栅极焊盘516的中间部分。
接着，去除图23B、24B和25B的第一光刻胶图形526a、第二光刻胶图形526b、第三光刻胶图形526c和第四光刻胶图形526d，通过淀积一透明导电材料并且通过第三掩模处理过程对其制作图形，形成象素电极546、数据缓冲图形545、数据焊盘端子548和第二栅极焊盘缓冲图形551。象素电极546设在一象素区P内。
如图23D、24D和25D所示，通过将数据缓冲图形545和象素电极546用作一蚀刻掩模，去除图23C的源极/漏极图形531，由此形成源极534和漏极536，露出掺杂的非晶硅图形530。
接着，如图23E、24E和25E所示，通过将源极534和漏极536用作蚀刻掩模，去除图23D的掺杂的非晶硅图形530。这样，完成欧姆接触层533，暴露有源层532。此时，可以局部蚀刻有源层532。所暴露的有源层532变成一薄膜晶体管T的一个沟道ch。
象素电极546接触漏极536和电容电极538。栅极514、有源层532、源极534和漏极536构成薄膜晶体管T。电容电极538与栅极线512交叠，形成存储电容CST。数据缓冲图形545覆盖数据线544和源极534，数据焊盘端子548覆盖数据焊盘540。数据焊盘端子548接至数据缓冲图形545。
如图23F、24F和25F所示，通过淀积或者涂敷一种绝缘材料，在其上包括有薄膜晶体管T、象素电极546、存储电容CST和数据焊盘端子548的基板510的整个表面上形成钝化层550。
接着，在形成一液晶板之后，通过图10的焊盘开口处理过程暴露栅极焊盘部分和数据焊盘部分。因此，露出数据焊盘端子548和栅极焊盘516。
图26A至26C、图27A至27C和图28A至28C示出了根据本发明第六实施例的阵列基板的制造方法。
如图26A、27A和28A所示，通过淀积第一金属层并且通过第一掩模处理过程对其制作图形，在基板610上形成栅极线612、栅极614和栅极焊盘616。接着，在基板610上依次淀积栅极绝缘层620、非晶硅层、掺杂的非晶硅层和第二金属层，并且通过涂敷一光刻胶层并且通过第二掩模处理过程对该光刻胶层进行曝光和显影，在第二金属层上形成第一光刻胶图形626a、第二光刻胶图形626b和第三光刻胶图形626c。第一光刻胶图形626a对应于栅极614，第二光刻胶图形626b对应于一以后形成的数据焊盘，第三光刻胶图形626c对应于栅极焊盘616。虽然图中未示，但是第一光刻胶图形626a和第二光刻胶图形626b相互连接。也就是说，第二光刻胶图形626b设在第一光刻胶图形626a的一端。第一光刻胶图形626a、第二光刻胶图形626b和第三光刻胶图形626c具有相同的厚度。第三光刻胶图形626c包括与栅极焊盘616的中间部分对应的开口。
接着，通过将第一光刻胶图形626a、第二光刻胶图形626b和第三光刻胶图形626c用作蚀刻掩模，对第二金属层、掺杂的非晶硅层和非晶硅层进行蚀刻，由此形成数据线644、源极/漏极图形631、数据焊盘640、掺杂的非晶硅图形630、有源层632和第一栅极焊盘缓冲图形642。在数据线644和数据焊盘540以及第一栅极焊盘缓冲图形642之下，分别有非晶硅层622a和622c以及掺杂的非晶硅层623a和623c。第一栅极焊盘缓冲图形642具有与栅极焊盘616的中间部分对应的孔643。
如图26B、27B和28B所示，去除图26A、27A和28A的第一光刻胶图形626a、第二光刻胶图形626b和第三光刻胶图形626c，通过淀积一透明导电材料并且通过第三掩模处理过程对其制作图形，形成象素电极646、数据缓冲图形645、数据焊盘端子648和第二栅极焊盘缓冲图形651。随后，通过将数据缓冲图形645和象素电极646用作蚀刻掩模，对图26A的源极/漏极图形631制作图形，由此形成源极634和漏极636，露出掺杂的非晶硅图形630。
如图26C、27C和28C所示，通过将源极634和漏极636用作蚀刻掩模，蚀刻图26B的掺杂的非晶硅图形630。接着，通过淀积或者涂敷一种绝缘材料，在其上包括有一薄膜晶体管T、象素电极646、存储电容CST和数据焊盘端子648的基板610整个表面上形成钝化层650，其中存储电容CST包括象素电极646和栅极线612。
在与一滤色片基板粘接之后，第六实施例的阵列基板将进行焊盘开口处理过程。
图29A至29F、图30A至30F和图31A至31F示出了根据本发明第七实施例的阵列基板的制造方法。
在图29A、30A和31A中，通过淀积第一金属层并且通过第一掩模处理过程对其制作图形，在基板710上形成栅极线712、栅极714和栅极焊盘716。第一金属层可以是具有较低电阻率的单层。
如图29B、30B和31B所示，在其上包括有栅极线712、栅极714和栅极焊盘716的基板710上依次淀积栅极绝缘层720、非晶硅层722、掺杂的非晶硅层723和第二金属层724。接着，通过涂敷一光刻胶层并且通过第二掩模处理过程对该光刻胶层进行曝光和显影，在第二金属层724上形成第一光刻胶图形726a、第二光刻胶图形726b、第三光刻胶图形726c和第四光刻胶图形726d。第一光刻胶图形726a对应于栅极714，第二光刻胶图形726b对应于栅极线714，第三光刻胶图形726c对应于一以后形成的数据焊盘，第四光刻胶图形726d对应于栅极焊盘716。虽然图中未示，但是第一光刻胶图形726a和第三光刻胶图形726c相互连接。也就是说，第三光刻胶图形726c设在第一光刻胶图形726a的一端。第一光刻胶图形726a、第二光刻胶图形726b、第三光刻胶图形726c和第四光刻胶图形726d具有相同的厚度。第四光刻胶图形726d还包括与栅极焊盘716的中间部分对应的开口728。
如图29C、30C和31C所示，通过将第一光刻胶图形726a、第二光刻胶图形726b、第三光刻胶图形726c和第四光刻胶图形726d用作蚀刻掩模，对图29B、30B和31B的第二金属层724、掺杂的非晶硅层723和非晶硅层722进行蚀刻，由此形成数据线744、源极/漏极图形731、电容电极738、数据焊盘740、掺杂的非晶硅图形730、有源层732和一栅极焊盘缓冲图形742。这里，在数据线744和数据焊盘740、电容电极738和第一栅极焊盘缓冲图形742之下有非晶硅层722a、722b和722c以及掺杂的非晶硅层723a、723b和723c。此时，还蚀刻栅极绝缘层720，并且通过栅极焊盘缓冲图形742、掺杂的非晶硅层723c、非晶硅层722c和栅极绝缘层720中形成的接触孔743暴露栅极焊盘716。
接着，如图29D、30D和31D所示，去除图29C、30C和31C的第一光刻胶图形726a、第二光刻胶图形726b、第三光刻胶图形726c和第四光刻胶图形726d，通过淀积一透明导电材料并且通过第三掩模处理过程对其制作图形，形成象素电极746、数据缓冲图形745、数据焊盘端子748和栅极焊盘端子752。象素电极746设在一象素区P内。
如图29E、30E和31E所示，通过将数据缓冲图形745和象素电极746用作一蚀刻掩模，去除图29D的源极/漏极图形731和掺杂的非晶硅图形730，由此形成源极734、漏极736和欧姆接触层733，露出有源层732。此时，可以局部去除有源层732。所暴露的有源层732变成一薄膜晶体管T的一个沟道ch。
象素电极746接触漏极736和电容电极738并且覆盖它们。栅极714、有源层732、源极734和漏极736构成薄膜晶体管T。电容电极738与栅极线712交叠，形成存储电容CST。数据缓冲图形745覆盖数据线744和源极734，数据焊盘端子748覆盖数据焊盘740。数据焊盘端子748接至数据缓冲图形745。另外，栅极焊盘端子752通过接触孔743接至栅极焊盘716。
如图29F、30F和31F所示，通过淀积或者涂敷一种绝缘材料，在其上包括有薄膜晶体管T、象素电极746、存储电容CST、数据焊盘端子748和栅极焊盘端子752的基板710的整个表面上形成钝化层750。
接着，在形成一液晶板之后，通过图10的焊盘开口处理过程暴露栅极焊盘部分和数据焊盘部分。此时，可以只去除栅极焊盘部分和数据焊盘部分中的钝化层750，由此可以露出数据焊盘端子748和栅极焊盘端子752。
图32A至32G、图33A至33G和图34A至34G示出了根据本发明第八实施例的阵列基板的制造方法。
如图32A、33A和34A所示，通过淀积第一金属层并且通过第一掩模处理过程对其制作图形，在基板810上形成栅极线812、栅极814和栅极焊盘816。第一金属层可以是具有较低电阻率的单层。在其上包括栅极线812、栅极814和栅极焊盘816的基板810上依次淀积栅极绝缘层820、非晶硅层822、掺杂的非晶硅层823和第二金属层824。接着，在第二金属层824上涂敷一光刻胶层，并且通过第二掩模处理过程对该光刻胶层进行曝光和显影，由此形成第一光刻胶图形826a、第二光刻胶图形826b、第三光刻胶图形826c和第四光刻胶图形826d。
第一光刻胶图形826a对应于栅极814，第二光刻胶图形826b对应于栅极线814，第三光刻胶图形826c对应于一以后形成的数据焊盘，第四光刻胶图形826d对应于栅极焊盘816。虽然图中未示，但是第一光刻胶图形826a和第三光刻胶图形826c相互连接。也就是说，第三光刻胶图形826c设在第一光刻胶图形826a的一端。第一光刻胶图形826a覆盖栅极814并且具有第一和第二厚度，其中第二厚度由于衍射曝光的缘故小于第一厚度并且对应于栅极814的中间部分。第二光刻胶图形826b、第三光刻胶图形826c和第四光刻胶图形826d具有与第一光刻胶图形826a的第一厚度相同的厚度。第四光刻胶图形826d还包括与栅极焊盘816的中间部分对应的开口828。
在衍射曝光中，采用一种照相铜版掩模或者开槽掩模，由此不必利用另外的掩模处理过程就能有选择地形成比其他部分更薄的光刻胶层的一个期望部分。
如图32B、33B和34B所示，将第一光刻胶图形826a、第二光刻胶图形826b、第三光刻胶图形826c和第四光刻胶图形826d用作蚀刻掩模，对第二金属层824、掺杂的非晶硅层823和非晶硅层822制作图形，由此形成数据线844、源极/漏极图形831、电容电极838、数据焊盘840、掺杂的非晶硅图形830、有源层832和栅极焊盘缓冲图形842。这里，在数据线844、数据焊盘840、电容电极838和栅极焊盘缓冲图形842之下有非晶硅层822a、822b和822c以及掺杂的非晶硅层823a、823b和823c。
此时，还蚀刻栅极绝缘层820，并且通过栅极焊盘缓冲图形842、掺杂的非晶硅层823c、非晶硅层822c和栅极绝缘层820中形成的接触孔843暴露栅极焊盘816。
如图32C、33C和34C所示，通过一灰化过程去除图32B中第一光刻胶图形826a的第二厚度d1，由此暴露图32C中源极/漏极图形831的中间部分。此时，还局部去除具有第一厚度的第一光刻胶图形826a、第二光刻胶图形826b、第三光刻胶图形826c和第四光刻胶图形826d，使第一光刻胶图形826a、第二光刻胶图形826b、第三光刻胶图形826c和第四光刻胶图形826d变薄。
接着，如图32D、33D和34D所示，去除图32C中所暴露的源极/漏极831，由此形成源极834和漏极836，暴露掺杂的非晶硅图形830。
数据焊盘840设在数据线844一端。源极834接至数据线844，漏极836在栅极814之上与源极834间隔开。电容电极838与栅极线812交叠。
如图32E、33E和34E所示，去除剩余的光刻胶图形826a、826b、826c和826d，通过淀积一透明导电材料并且通过第三掩模处理过程对其制作图形，在其上包括有数据线844、源极834、漏极836、电容电极838、数据焊盘840和栅极焊盘缓冲图形842的基板810上形成象素电极846、数据缓冲图形845、数据焊盘端子848和栅极焊盘端子852。象素电极846接触漏极836和电容电极838并且覆盖它们。数据缓冲图形845覆盖数据线844和源极834，数据焊盘端子848覆盖数据焊盘840。数据焊盘端子848接至数据缓冲图形845。栅极焊盘端子852通过接触孔843接至栅极焊盘816。
如图32F、33F和34F所示，去除源极834与漏极836之间露出的图32E中掺杂的非晶硅图形830。这样，完成欧姆接触层833，暴露有源层832。此时，可以局部蚀刻有源层832。所暴露的有源层832变成一薄膜晶体管T的一个沟道ch。如上所述，象素电极846接触电容电极838并且电容电极838与栅极线812交叠，形成一存储电容CST。
接着，如图32G、33G和34G所示，通过淀积或者涂敷一种绝缘材料，在其上包括有薄膜晶体管T、象素电极846、存储电容CST、数据焊盘端子848和栅极焊盘端子852的基板810的整个表面上形成钝化层850。
在形成一液晶板之后，可以通过图10中的焊盘开口处理过程暴露栅极焊盘部分和数据焊盘部分。此时，只有栅极焊盘和数据焊盘部分中的钝化层50可能被去除，因而可能露出数据焊盘端子848和栅极焊盘端子852。
本发明的阵列基板是采用三个掩模制造的。因此，根据本发明的阵列基板的制造方法减少了处理过程，降低了成本，提高了产量。
对本领域的那些技术人员来说很明显的是，在不脱离本发明的实质或者范围的情况下，可以在本发明的制造和应用方面作各种修改和变换。这样，倘若本发明的这些修改和变换落在所附权利要求书及其等同物的范围内，意欲使本发明覆盖它们。

Claims (38)

1.一种液晶显示装置的制造方法，包括：
通过第一掩模处理过程，在第一基板上形成一栅极线、一栅极焊盘和一栅极；
通过第二掩模处理过程，在包括栅极线、栅极焊盘和栅极的第一基板上形成一数据线、一数据焊盘、一源极、一漏极和一有源层；
通过第三掩模处理过程，在包括数据线、数据焊盘、源极和漏极的第一基板上形成一象素电极和一数据焊盘端子；
在包括象素电极和数据焊盘端子的第一基板的整个表面上形成一钝化层；
将包括钝化层的第一基板与第二基板相粘接，其中由第二基板露出包括栅极焊盘的栅极焊盘部分和包括数据焊盘的数据焊盘部分；
为第一基板与第二基板之间的间隙中提供液晶材料；以及
去除第二基板所暴露的栅极焊盘部分和数据焊盘部分中的钝化层。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，提供液晶材料的步骤包括注入液晶材料。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于，提供液晶材料的步骤包括施加液晶材料。
4.根据权利要求1的方法，其特征在于，去除栅极焊盘部分和数据焊盘部分中的钝化层的步骤包括将液晶显示装置浸入一种蚀刻剂中。
5.根据权利要求4的方法，其特征在于，钝化层由氮化硅和氧化硅中的一种形成。
6.根据权利要求5的方法，其特征在于，蚀刻剂包括氢氟酸(HF)。
7.根据权利要求1的方法，其特征在于，第二掩模处理过程包括：
在包括栅极线、栅极和栅极焊盘的第一基板上形成一栅极绝缘层；
在栅极绝缘层之上淀积一非晶硅层、一掺杂的非晶硅层和一金属层；
在第二金属层之上设置具有第一厚度和第二厚度的光刻胶图形，其中第二厚度小于第一厚度；
根据该光刻胶图形，有选择地去除金属层、掺杂的非晶硅层和非晶硅层各自的部分；
去除光刻胶图形具有第二厚度的那一部分；
有选择地蚀刻通过去除光刻胶图形具有第二厚度的那部分所暴露的金属层；以及
去除剩余的光刻胶图形。
8.根据权利要求7的方法，其特征在于，第三掩模处理过程包括：有选择地蚀刻掺杂的非晶硅层的一部分，该掺杂的非晶硅层的一部分是由通过有选择地蚀刻由去除具有第二厚度的光刻胶图形所暴露的金属层暴露的。
9.根据权利要求7的方法，其特征在于，第二掩模处理过程还包括有选择地去除栅极绝缘层。
10.根据权利要求1的方法，其特征在于，第三掩模处理过程包括形成一覆盖数据线和源极的数据缓冲图形。
11.根据权利要求1的方法，其特征在于，栅极线、栅极和栅极焊盘包括铝。
12.根据权利要求11的方法，其特征在于，栅极线、栅极和栅极焊盘还包括一透明导电材料层。
13.根据权利要求1的方法，其特征在于，在数据线和数据焊盘之下形成一非晶硅层和一掺杂的非晶硅层。
14.根据权利要求1的方法，其特征在于，第二掩模处理过程包括栅极线之上的一个电容电极。
15.根据权利要求14的方法，其特征在于，象素电极接触电容电极，由此电容电极与栅极线形成一存储电容。
16.根据权利要求14的方法，其特征在于，在电容电极之下形成一非晶硅层和一掺杂的非晶硅层。
17.根据权利要求1的方法，其特征在于，第二掩模处理过程还包括栅极焊盘之上的栅极焊盘缓冲图形，该栅极焊盘缓冲图形包括与栅极焊盘一中间部分对应的一个孔。
18.根据权利要求17的方法，其特征在于，在栅极焊盘缓冲图形之下形成一非晶硅层和一掺杂的非晶硅层。
19.根据权利要求17的方法，其特征在于，第三掩模处理过程还包括一栅极焊盘端子，该栅极焊盘端子通过与栅极焊盘该中间部分对应的该孔接至栅极焊盘。
20.根据权利要求1的方法，其特征在于，第二掩模处理过程采用一开槽掩模。
21.根据权利要求1的方法，其特征在于，第二掩模处理过程采用一照相铜版掩模
22.一种液晶显示装置的制造方法，包括：
通过第一掩模处理过程，在第一基板上形成一栅极线、一栅极焊盘和一栅极；
通过第二掩模处理过程，在包括栅极线、栅极焊盘和栅极的第一基板上形成一数据线、一数据焊盘、一源极/漏极图形和一有源层；
通过第三掩模处理过程，在包括数据线、数据焊盘、源极/漏极图形的第一基板上形成一象素电极、一数据缓冲图形和一数据焊盘端子，并且用该象素电极和该数据缓冲图形作为一掩模，对源极/漏极图形制作图形，由此形成一源极和一漏极；
在包括象素电极、数据缓冲图形和数据焊盘端子的第一基板的整个表面上形成一钝化层；
将包括钝化层的第一基板与第二基板相粘接，其中由第二基板露出包括栅极焊盘的栅极焊盘部分和包括数据焊盘的数据焊盘部分；
为第一基板与第二基板之间的间隙中提供液晶材料；以及
去除第二基板所暴露的栅极焊盘部分和数据焊盘部分中的钝化层。
23.根据权利要求21的方法，其特征在于，提供液晶材料的步骤包括注入液晶材料和施加液晶材料之一。
24.根据权利要求22的方法，其特征在于，去除栅极焊盘部分和数据焊盘部分中的钝化层的步骤包括将液晶显示装置浸入一种蚀刻剂中。
25.根据权利要求24的方法，其特征在于，钝化层由氮化硅和氧化硅之一形成。
26.根据权利要求25的方法，其特征在于，蚀刻剂包括氢氟酸(HF)。
27.根据权利要求22的方法，其特征在于，第二掩模处理过程包括：
在包括栅极线、栅极和栅极焊盘的第一基板上形成一栅极绝缘层；
在栅极绝缘层之上淀积一非晶硅层、一掺杂的非晶硅层和一金属层；
在金属层之上设置一光刻胶图形；
根据该光刻胶图形，有选择地去除金属层、掺杂的非晶硅层和非晶硅层各自的部分；以及
去除剩余的光刻胶图形。
28.根据权利要求27的方法，其特征在于，第三掩模处理过程包括将源极和漏极用作一掩模，有选择地蚀刻掺杂的非晶硅层。
29.根据权利要求27的方法，其特征在于，第二掩模处理过程还包括有选择地去除栅极绝缘层的步骤。
30.根据权利要求22的方法，其特征在于，栅极线、栅极和栅极焊盘包括铝。
31.根据权利要求30的方法，其特征在于，栅极线、栅极和栅极焊盘还包括一透明导电材料层。
32.根据权利要求22的方法，其特征在于，在数据线和数据焊盘之下形成一非晶硅层和一掺杂的非晶硅层。
33.根据权利要求22的方法，其特征在于，第二掩模处理过程包括栅极线之上的一个电容电极。
34.根据权利要求33的方法，其特征在于，象素电极接触电容电极，由此电容电极与栅极线形成一存储电容。
35.根据权利要求33的方法，其特征在于，在电容电极之下形成一非晶硅层和一掺杂的非晶硅层。
36.根据权利要求33的方法，其特征在于，第二掩模处理过程还包括栅极焊盘之上的栅极焊盘缓冲图形，该栅极焊盘缓冲图形包括与栅极焊盘一中间部分对应的一个孔。
37.根据权利要求36的方法，其特征在于，在栅极焊盘缓冲图形之下形成一非晶硅层和一掺杂的非晶硅层。
38.根据权利要求36的方法，其特征在于，第三掩模处理过程还包括形成一栅极焊盘端子，该栅极焊盘端子通过与栅极焊盘该中间部分对应的该孔接至栅极焊盘。
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