CN105702686B - 导电元件基板、导电元件基板的制造方法以及显示面板 - Google Patents
导电元件基板、导电元件基板的制造方法以及显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105702686B CN105702686B CN201610227353.4A CN201610227353A CN105702686B CN 105702686 B CN105702686 B CN 105702686B CN 201610227353 A CN201610227353 A CN 201610227353A CN 105702686 B CN105702686 B CN 105702686B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- conductive
- conductive column
- conducting element
- element substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 141
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 124
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 123
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 10
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000003491 array Methods 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 17
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 IZO) Chemical compound 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 238000003701 mechanical milling Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Chemical class 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Chemical class 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
- H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/42—Arrangements for providing conduction through an insulating substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/02—Materials and properties organic material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种导电元件基板、导电元件基板的制造方法以及显示面板,导电元件基板的制造方法包括:首先,提供载板并在载板上形成有机柱体。接着,形成导电层,且导电层覆盖有机柱体以形成导电柱。导电柱具有彼此相对的第一表面以及第二表面。然后,形成基板材料层以覆盖导电柱以及载板,其中基板材料层包含有机材料。薄化基板材料层,以使得基板材料层暴露出导电柱的第一表面。紧接着,于基板材料层上形成元件层,以使得元件层与导电柱电性连接。除此之外,本发明也提供一种导电元件基板的制造方法以及一种显示面板。
Description
技术领域
本发明是有关于一种导电元件基板,且特别是有关于一种具有有机柱体的导电元件基板。
背景技术
随着科技的进步,为了提升面板空间利用率,无边框或是窄边框的显示器已为显示器未来发展的必定趋势。
目前有利用在基板周边区进行钻孔,并填入导电材料于孔洞中,利用孔洞中的导电材料将基板上表面所需的扫描线与信号线传递至基板下表面,利用基板背面的空间减少上表面周边区所需要的空间,使显示器周边宽度缩减。然而,对现有成熟的显示器工艺技术中,基板钻孔及导电材料的填入的制造流程复杂,造成良率低下以及量产困难度高等问题。
发明内容
本发明提供一种导电元件基板、导电元件基板的制造方法以及显示面板,能够在维持良率的前提下,有效地缩减边框空间。
本发明提供一种导电元件基板的制造方法。首先,提供载板并在载板上形成有机柱体。接着,形成导电层,且导电层覆盖有机柱体以形成导电柱。导电柱具有彼此相对的第一表面以及第二表面。然后,形成基板材料层以覆盖导电柱以及载板,其中基板材料层包含有机材料。薄化基板材料层,以使得基板材料层暴露出导电柱的第一表面。紧接着,于基板材料层上形成元件层,以使得元件层与导电柱电性连接。
本发明提供一种导电元件基板,包括基板材料层、导电柱以及主动元件层。基板材料层包含有机材料。导电柱配置于基板材料层中,且导电柱具有彼此相对的第一表面与第二表面。基板材料层暴露出导电柱的第一表面以及第二表面。导电柱包括有机柱体以及导电层。有机柱体具有彼此相对的上表面与下表面以及连接上表面以及下表面的多个侧表面。导电层覆盖有机柱体的上表面以及有机柱体的侧表面。主动元件层配置于导电柱的第一表面以及基板材料层上,以与导电柱的第一表面电性连接。
本发明提供一种显示面板,包括前述导电元件基板、对向基板、密封胶以及显示介质。对向基板配置于导电元件基板的对向。密封胶位于导电元件基板与对向基板之间。显示介质位于导电元件基板、对向基板以及密封胶之间。
基于上述,本发明利用有机柱体以及导电层形成导电柱以连通导电元件基板的上表面以及下表面。因此,不用通过钻孔及填入导电材料至孔洞中的步骤就能达到导电元件基板的上表面与下表面电性相接的目的,使得导电元件基板的工艺简易化,并能在维持良率的前提下,有效地缩减边框空间。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明一实施例的导电元件基板的下视示意图。
图2A至图2M是根据图1的导电元件基板的剖线A-A’的制造流程剖面示意图。
图3A至图3D是根据本发明一实施例的显示面板的制造流程剖面示意图。
图4A是依照本发明另一实施例的导电元件基板的下视示意图。
图4B是根据图4A的导电元件基板的剖线B-B’的剖面示意图。
图5是依照本发明再一实施例的导电元件基板的剖面示意图。
具体实施方式
图1是依照本发明一实施例的导电元件基板10的下视示意图。请参照图1,导电元件基板10可以划分为主动区AA以及周边区PA。在主动区AA内,多个像素结构P(图上仅标示出一个像素结构)排列成阵列状。每一像素结构电性连接于所对应的至少一条扫描线SL以及至少一条数据线DL。扫描线SL以及数据线DL从主动区AA内延伸至周边区PA,以与位在周边区PA内的栅极垫GP以及数据垫DP电性连接。换言之,位于主动区AA中的像素结构P内的元件能够借由扫描线SL以及数据线DL而被位于周边区PA的栅极垫GP以及数据垫DP驱动。
扫描线SL与数据线DL彼此交错设置,且扫描线SL与数据线DL之间夹有绝缘层。扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向可以不平行,较佳的是,扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向垂直。基于导电性的考虑,扫描线SL与数据线DL一般是使用金属材料。然,本发明不限于此,根据其他实施例,扫描线SL与数据线DL也可以使用其他导电材料。例如:合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是其它合适的导电材料、或前述至少二种的堆栈层。
图2A至图2M是根据图1的导电元件基板10的剖线A-A’的制造流程剖面示意图。以下将详细叙述导电元件基板10的制造流程。请参照图2A,首先,提供载板100,并在载板100上形成有机层202a。载板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如:导电材料、金属、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。在本实施例中,由于载板100必须承载后续形成在其上的元件,故较佳为由具有刚性的材料制成,但本发明不限于此。其他能够承载元件的基板亦可作本发明的载板100。另一方面,有机层202a的形成方法包括先在载板100上涂布溶液态的有机高分子材料(未绘示),并借由例如是干燥的方式固化溶液态的有机高分子材料,以在载板100上形成厚度约为3μm至10μm之间的有机层202a。其中,有机高分子材料包含有色或透明的光刻胶、或其它合适的材料、或前述至少二种的堆栈层。
接着,图案化有机层202a以形成多个有机柱体202,如图2B所示。具体来说,在本实施例中,图案化的步骤可以借由微影蚀刻来达成。有机柱体202具有彼此相对的上表面TS以及下表面BS。另一方面,有机柱体202还具有连接上表面TS以及下表面BS的多个侧表面SW。其中,下表面BS接触载板100的内表面。如前述,本发明并不对有机柱体202的材料特别作限定,只要是有机高分子材料即可。
请参照图2C,形成导电层204以覆盖有机柱体202的上表面TS以及侧表面SW。除此之外,导电层204亦延伸覆盖有机柱体202周围的载板100部份内表面。导电层204的材料可以是金属、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料)、或是其它合适的材料、或是前述至少二种材料的堆栈层。在此步骤中,可以先借由物理性溅镀或是化学气相沉积形成厚度约为0.05μm至0.3μm的导电材料(未绘示)于载板100以及有机柱体202上,再图案化导电材料以得到导电层204。本实施例中,上述导电材料的厚度仅为举例,并非用以限定本实施例。在其他实施例中,导电材料的厚度可依照需求而改变。在本实施例中,有机柱体202以及导电层204构成导电柱200,且导电柱200包括彼此相对的第一表面S1以及第二表面S2。由于有机柱体202以及导电层204是形成在载板100上,故导电柱200的第二表面S2与载板100接触。除此之外,导电柱200的第一表面S1的形状与第二表面S2的形状可以不同,且导电柱200的剖面形状及/或投影形状也可为多边形。本实施例以导电柱200为梯形的剖面形状为范例,但本发明不限于此。
紧接着,请参照图2D,涂布基板材料层300以覆盖导电柱200以及载板100。基板材料层300的材料为有机材料,举例而言包括聚亚酰胺、环氧树脂、或其它合适的材料、或前述至少二种的组合。换句话说,基板材料层300的有机材料可为全部是有机材料混合物、有机材料混合无机材料、有机分子与无机分子键结而成的材料、或是其它合适的材料。具体来说,在本实施例中,此步骤的基板材料层300为溶液状材料。在将基板材料层300干燥固化后,由于溶液状材料中的溶剂会在干燥的过程中蒸发,因此在固化后,基板材料层300的整体厚度会减少,并暴露出导电柱200的第一表面S1,如图2E所示。在本实施例中,是以挥发溶剂的方式来减薄基板材料层300的厚度,但本发明不限于此。在其他实施例中,亦可以使用蚀刻工艺、化学机械研磨工艺(Chemical Mechanical Polishing;CMP)或是其他薄化工艺来薄化基板材料层300。值得注意的是,在本实施例中,是以导电柱200的第一表面(内表面)S1高于基板材料层300为例示,但本发明不限于此。在其他实施例中,导电柱200的第一表面S1亦可以与基板材料层300齐平,只要基板材料层300能够暴露出导电柱200的第一表面S1即可。此外,位于导电柱200二侧边的导电层204与位于此些侧边处的基板材料层300直接接触。
请参照图2F,在基板材料层300上形成阻障层402。阻障层402包含无机材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料(例如:聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、或其它合适的材料、或上述的组合)、或其它合适的材料、或上述的组合。除此之外,阻障层402暴露出导电柱200的第一表面S1,以利后续形成的元件的电性连接。
接着,同时形成栅极G以及扫描线SL,如图2G所示。换言之,栅极G以及扫描线SL为同一膜层。更具体来说,在本实施例中,栅极G以及扫描线SL连接。请参照图2G,栅极G位于阻障层402上,而扫描线SL则是位于部分导电柱200的第一表面S1上。也就是说,扫描线SL与部分的导电柱200连接。此时,与扫描线SL连接的部分导电柱200可作为栅极垫GP或扫描线导电柱。如前述,扫描线SL以与栅极G的材料包括金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料)、或是金属材料与其它导电材料的堆栈层。
请参照图2H,在栅极G以及扫描线SL上形成栅绝缘层GI。栅绝缘层GI覆盖栅极G、扫描线SL以及阻障层402。类似于阻障层402,栅绝缘层GI也暴露出未被扫描线SL遮盖的导电柱200的第一表面S1。另一方面,栅绝缘层GI的材料包含无机材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。紧接着,在栅绝缘层GI上形成通道层CH,且通道层CH位于栅极G的上方,如图2I所示。通道层CH的材质可选择为非晶硅材料、多晶硅材料、或是金属氧化物半导体材料(包括非晶硅(amorphous Silicon,a-Si)、氧化铟镓锌(Indium-Gallium-Zinc Oxide,IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO)、氧化铟锌(Indium-Zinc Oxide,IZO)、氧化镓锌(Gallium-Zinc Oxide,GZO)、氧化锌锡(Zinc-Tin Oxide;ZTO)、氧化铟锡(Indium-TinOxide,ITO)、或是其它合适的材料、或是前述材料至少二种的组合)、微晶硅、单晶硅、有机半导体层、或是其它合适的材料、或是前述材料至少二种的组合。
请参照图2J,同时形成源极S、漏极D以及数据线DL。亦即,源极S、漏极D以及数据线DL为同一膜层,但不以此为限。数据线DL与源极S连接,而源极S与漏极D彼此分离。另一方面,数据线DL配置于未被扫描线SL遮盖的导电柱200的第一表面S1上。换言之,扫描线SL与部分的导电柱200电性连接,而数据线DL则是与其余的导电柱200电性连接。此时,与数据线DL电性连接的其余的导电柱200可做为数据垫DP或数据线导电柱。类似于扫描线SL以与栅极G,源极S、漏极D以及数据线DL的材料亦包括金属材料、合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或其它合适的材料、或是金属材料与其它导电材料的堆栈层。在本实施例中,栅极G、通道层CH、源极S以及漏极D构成主动元件TFT。具体来说,在本实施例中,是以底部栅极型薄膜晶体管为例来说明,但本发明不限于此。根据其他实施例,主动元件TFT也可以是顶部栅极型薄膜晶体管、或是其它合适类型的薄膜晶体管。
请参照图2K,在完成主动元件TFT之后,更进一步在主动元件TFT上形成绝缘层404。绝缘层404的材料可以与栅绝缘层GI实质上相同或不同。具体来说,绝缘层404的材料包含无机材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆栈层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合。在本实施例中,绝缘层404暴露出在数据垫DP上方的部份数据线DL以及部分的漏极D。接着,将像素电极PE填入绝缘层404暴露出漏极D的部分,以使得像素电极PE与漏极D连接,如图2L所示。像素电极PE可为穿透式像素电极、反射式像素电极或是半穿透半反射式像素电极。穿透式像素电极的材质包括金属氧化物,例如是氧化铟镓锌(Indium-Gallium-Zinc Oxide,IGZO)、氧化锌(ZnO)氧化锡(SnO)、氧化铟锌(Indium-Zinc Oxide;IZO)、氧化镓锌(Gallium-Zinc Oxide;GZO)、氧化锌锡(Zinc-Tin Oxide;ZTO)或氧化铟锡(Indium-Tin Oxide;ITO)、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆栈层。反射式像素电极的材质包括具有高反射率的金属材料。
在本实施例中,像素结构P、扫描线SL、数据线DL、阻障层402、栅绝缘层GI以及绝缘层404构成元件层400。由于本实施例的像素结构P包括主动元件TFT,因此本实施例的元件层400是以主动元件阵列层为例示,但本发明不限于此。在其他实施例中,其他种类的元件层(例如:感应元件、触控感应元件、力感应元件、或其它合适的感应元件、或前述至少二种元件的组合)亦可以作为本发明的元件层400。
请参照图2M,接着移除载板100,以暴露出导电柱200的第二表面S2,即暴露出基板中导电柱200与基板材料层300的外表面。具体而言,与扫描线SL电性连接的导电柱200的第二表面(或外表面)S2可以作为栅极垫GP与外部元件(未绘示)连接的位置,而与数据线DL电性连接的导电柱200的第二表面S2可以作为数据垫DP与外部元件(未绘示)连接的位置。其中,外部元件包含芯片、软性电路板、刚性电路板、或其它合适的元件、或前述至少二种元件的组合。在本实施例中,移除载板100的方法例如是激光剥离法(Laser Lift-Off),但本发明不限定于此。在其他实施例中,例如是机械剥离法等其他离型方法亦可以作为移除载板100的方法。
在完成图2M的步骤以后,本实施例的导电元件基板10已大致完成。请参照图2M,导电元件基板10包括基板材料层300、导电柱200以及元件层400。导电柱200配置于基板材料层300中,且基板材料层300暴露出导电柱200的第一表面(或内表面)S1以及第二表面(或外表面)S2。另一方面,元件层400配置于导电柱200的第一表面S1以及基板材料层300上。如前述,由于扫描线SL以及数据线DL分别与导电柱200电性连接,故元件层400亦与导电柱200电性连接。
在本实施例中,利用有机柱体202以及导电层204形成导电柱200以连通导电元件基板10的上表面(或内表面)以及下表面(或外表面)。因此,不用通过钻孔及填入导电材料至孔洞中的步骤就能达到导电元件基板10的上表面与下表面电性相接的目的,使得导电元件基板10的工艺简易化,并能在维持良率的前提下,有效地缩减边框空间。除此之外,由于基板材料层300具有延展性,故在移除载板100之后,本实施例的导电元件基板10会具有可挠性,能够有更多方面的应用。
图3A至图3D是根据本发明一实施例的显示面板20的制造流程剖面示意图。请先参照图3A,在本实施例中,先提供利用图2A至图2L的步骤所制成的导电元件基板。换言之,不同于导电元件基板10的实施例,在本实施例中,完成图2L的步骤后,并不进行图2M的步骤,而是先进行如图3A的步骤。首先,提供对向载板500以及对向基板600。对向载板500的材料可以与载板100类似,亦即载板500的材料包括玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如:导电材料、金属、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。另一方面,对向基板600的材料可以与基板材料层300的材料实质上相同或不同,例如是聚亚酰胺、环氧树脂、或者其它合适的材料、或述至少二种材料的组合。接着,将对向载板500、对向基板600以及导电元件基板组立起来。具体来说,对向载板500以及对向基板600配置于导电元件基板的对向,且密封胶(或框胶)700位于导电元件基板与对向基板600之间。另一方面,显示介质800密封于对向基板600、导电元件基板以及密封胶700之间。换言之,显示介质800是设置在对向基板600、导电元件基板以及密封胶700之间的容纳空间之中。密封胶700的材料例如是热固性胶材、光固化胶材、或是其他合适的材料、或是前述材料的组合。显示介质800可包括液晶材料、电泳材料、自发光材料、电湿润材料、或是其它可适用的材料、或是前述至少二种材料的组合。
请参照图3B,先将图3A的结构翻转,并移除载板100。类似于图2A至图2M的实施例,移除载板100的方法例如是激光剥离法(Laser Lift-Off),但本发明不限定于此。在其他实施例中,例如是机械剥离法等其他离型方法亦可以作为移除载板100的方法,且图3A的结构也可不翻转。接着,在导电柱200的第二表面(外表面)S2上形成导电胶层902,如图3C所示。换言之,导电胶层902分别与栅极垫GP以及数据垫DP接触。导电胶层902主要由黏着剂(adhesive)与导电粒子(conductive particles)组成,而黏着剂的组成例如是树脂。在此之后,将外部元件904黏着于导电胶层902远离导电柱200的一侧。换言之,导电胶层902位于外部元件904以及导电柱的第二表面(外表面)S2之间,以电性连接导电胶层902以及外部元件904。其中,外部元件904也可包含芯片、软性电路板、刚性电路板、或其它合适的元件、或前述至少二种元件的组合。本实施例是以软性电路板当作外部元件904为范例,但本发明不限于此。
接着,请参照图3D,将对向载板500与对向基板600分离,以完成显示面板20。移除对向载板500的步骤与移除载板100的步骤相似,在此不再赘述。
类似于图2A至图2M的实施例,在本实施例中,利用有机柱体202以及导电层204形成导电柱200以使得显示面板20中的导电元件基板的上表面(内表面)以及下表面(外表面)能够得以连通。因此,不用通过钻孔及填入导电材料至孔洞中的步骤就能达到导电元件基板的上表面与下表面电性相接的目的,使得显示面板20的工艺简易化,并能在维持良率的前提下,有效地缩减边框空间。除此之外,由于基板材料层300以及对向基板600具有延展性,故在移除载板100以及对向载板500之后,本实施例的显示面板20会具有可挠性,能够有更多方面的应用。
图4A是依照本发明另一实施例的导电元件基板30的下视示意图。图4B是根据图4A的导电元件基板30的剖线B-B’的剖面示意图。请同时参照图4A以及图4B,本实施例与图2A至图2M的实施例相似,故相似的内容在此不再赘述。本实施例与图2A至图2M的实施例的差异点在于,在本实施例中,元件层400为无线天线电路(Wireless Antenna Circuit)410。其中,无线天线电路410具有绕圈的本体406以及分别与本体406二端连接的二个电极端408。二个电极端408其中一个与基板中部份导电柱200的第一表面(内表面)S1连接,且二个电极端408中另一个与基板中另外一部份导电柱200的第一表面(内表面)S1连接。具体来说,由于元件层400为无线天线电路410,故其产生的信号可以通过无线的方式传导至其他元件中。因此,并不需要将载板100移除来进行后续的打线等工艺。再者,于其它实施例中,无线天线电路410的本体406与电极端408可在部分的导电柱200形成导电层204时形成,而其它的导电柱200可做为后续其它元件的接垫,例如栅极垫GP以及数据垫DP。
类似于图2A至图2M的实施例,在本实施例中,利用有机柱体202以及导电层204形成导电柱200以连通导电元件基板30的上表面(内表面)以及下表面(外表面)。因此,不用通过钻孔及填入导电材料至孔洞中的步骤就能达到导电元件基板30的上表面与下表面电性相接的目的,使得导电元件基板30的工艺简易化,并能在维持良率的前提下,有效地缩减边框空间。
图5是依照本发明再一实施例的导电元件基板40的剖面示意图。请参照图5,本实施例与图4的实施例相似,故相似的内容在此不再赘述。本实施例与图4的实施例的差异点在于,在本实施例中,在形成有机柱体202之前,更包括在载板100上形成辅助基板材料层310的步骤。换言之,在本实施例中,导电柱200的第二表面(外表面)S2是与辅助基板材料层310的内表面接触而并非是与载板100接触。辅助基板材料层310的材料可以与基板材料层300实质上相同或不同。也就是说,辅助基板材料层310的材料包括聚亚酰胺、环氧树脂、或其它合适的材料、或前述材料的组合。类似于图2M的步骤,本实施例亦可以包括将载板100利用激光剥离法移除的步骤。另一方面,类似于图4的实施例,元件层400为无线天线电路(Wireless Antenna Circuit)410,故其产生的信号可以通过无线的方式传导至其他元件中。因此,并不需要将导电柱200的第二表面S2暴露出来进行后续的打线等工艺。
类似于图2A至图2M的实施例,在本实施例中,利用有机柱体202以及导电层204形成导电柱200以连通导电元件基板40的上表面(内表面)以及下表面(外表面)。因此,不用通过钻孔及填入导电材料至孔洞中的步骤就能达到导电元件基板40的上表面与下表面电性相接的目的,使得导电元件基板40的工艺简易化,并能在维持良率的前提下,有效地缩减边框空间。除此之外,由于基板材料层300以及辅助基板材料层310具有延展性,故在移除载板100之后,本实施例的导电元件基板40会具有可挠性,能够有更多方面的应用。
综上所述,本发明利用有机柱体以及导电层形成导电柱以连通导电元件基板的上表面(内表面)以及下表面(外表面)。因此,不用通过钻孔及填入导电材料至孔洞中的步骤就能达到导电元件基板的上表面与下表面电性相接的目的,使得导电元件基板的工艺简易化,并能在维持良率的前提下,有效地缩减边框空间。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (12)
1.一种导电元件基板的制造方法,其特征在于,包括:
提供一载板;
于该载板上形成一有机柱体;
形成一导电层,该导电层覆盖该有机柱体,以形成一导电柱,该导电柱具有彼此相对的一第一表面以及一第二表面;
形成一基板材料层,以覆盖该导电柱以及该载板,该基板材料层包含一有机材料;
薄化该基板材料层,以使得该基板材料层暴露出该导电柱的该第一表面;以及
于该基板材料层上形成一元件层,以使得该元件层与该导电柱电性连接。
2.根据权利要求1所述的导电元件基板的制造方法,其特征在于,更包括移除该载板,以暴露出该导电柱的该第二表面。
3.根据权利要求2所述的导电元件基板的制造方法,其特征在于,更包括:
提供一外部元件;以及
在该外部元件以及该导电柱的该第二表面之间形成一导电胶层,以电性连接该外部元件以及该导电柱。
4.根据权利要求2所述的导电元件基板的制造方法,其特征在于,该移除该载板的步骤包括激光剥离法。
5.根据权利要求1所述的导电元件基板的制造方法,其特征在于,更包括在形成该有机柱体之前,于该载板上形成一辅助基板材料层。
6.根据权利要求1所述的导电元件基板的制造方法,其特征在于,该元件层包括一主动元件阵列。
7.根据权利要求1所述的导电元件基板的制造方法,其特征在于,该有机材料包括聚亚酰胺或环氧树脂。
8.一种导电元件基板,其特征在于,包括:
一基板材料层,包含一有机材料;
一导电柱,配置于该基板材料层中,且该导电柱具有彼此相对的一第一表面与一第二表面,该基板材料层暴露出该导电柱的该第一表面以及该第二表面,该导电柱更包括:
一有机柱体,该有机柱体具有彼此相对的一上表面与一下表面以及连接该上表面以及该下表面的多个侧表面;以及
一导电层,覆盖该有机柱体的该上表面以及该有机柱体的该些侧表面;
一主动元件层,配置于该导电柱的该第一表面以及该基板材料层上,以与该导电柱的该第一表面电性连接;
一导电胶层,配置于该导电柱的该第二表面且接触该导电柱的该第二表面;以及
一外部元件,配置于该导电胶层远离该导电柱的一侧且与该导电胶层接触,该外部元件为芯片、软性电路板或刚性电路板。
9.根据权利要求8所述的导电元件基板,其特征在于,更包括一载板,其中该载板配置于该导电柱的该第二表面。
10.根据权利要求8所述的导电元件基板,其特征在于,更包括一辅助基板材料层,该辅助基板材料层配置于该导电柱的该第二表面。
11.根据权利要求8所述的导电元件基板,其特征在于,该有机材料包括聚亚酰胺或环氧树脂。
12.一种显示面板,其特征在于,包括:
根据权利要求8所述的导电元件基板;
一对向基板,配置于该导电元件基板的对向;
一密封胶,位于该导电元件基板与该对向基板之间;以及
一显示介质,位于该导电元件基板、该对向基板以及该密封胶之间。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW105106465A TWI559511B (zh) | 2016-03-03 | 2016-03-03 | 導電元件基板、導電元件基板的製造方法以及顯示面板 |
TW105106465 | 2016-03-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105702686A CN105702686A (zh) | 2016-06-22 |
CN105702686B true CN105702686B (zh) | 2019-01-01 |
Family
ID=56218737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610227353.4A Active CN105702686B (zh) | 2016-03-03 | 2016-04-13 | 导电元件基板、导电元件基板的制造方法以及显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20170256738A1 (zh) |
CN (1) | CN105702686B (zh) |
TW (1) | TWI559511B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107808892B (zh) * | 2016-09-08 | 2020-06-26 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
TWI648573B (zh) * | 2017-09-11 | 2019-01-21 | 友達光電股份有限公司 | 陣列基板 |
TWI722331B (zh) * | 2018-11-12 | 2021-03-21 | 友達光電股份有限公司 | 半導體疊層結構及其製造方法 |
CN110265432B (zh) * | 2019-04-11 | 2022-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN111162179B (zh) * | 2019-12-30 | 2023-01-31 | 电子科技大学 | 一种高反膜覆盖的半透明钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050195355A1 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-08 | Won-Kyu Kwak | Flat display device |
CN101330059A (zh) * | 2008-07-22 | 2008-12-24 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构的制作方法 |
US20120120616A1 (en) * | 2009-07-28 | 2012-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring board, method for manufacturing same, display panel, and display device |
CN104716091A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002026012A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-01-25 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4757393B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2011-08-24 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP5525692B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2014-06-18 | 三星ディスプレイ株式會社 | 表示基板とその製造方法、及びこれを具備した表示装置 |
US20090315027A1 (en) * | 2008-06-24 | 2009-12-24 | Casio Computer Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method of light emitting device |
KR101627574B1 (ko) * | 2008-09-22 | 2016-06-21 | 쿄세라 코포레이션 | 배선 기판 및 그 제조 방법 |
JP5157783B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2013-03-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
KR101608870B1 (ko) * | 2009-02-02 | 2016-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP5663904B2 (ja) * | 2010-03-08 | 2015-02-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2016071083A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 | 表示装置及び駆動回路 |
-
2016
- 2016-03-03 TW TW105106465A patent/TWI559511B/zh active
- 2016-04-13 CN CN201610227353.4A patent/CN105702686B/zh active Active
-
2017
- 2017-02-23 US US15/440,503 patent/US20170256738A1/en not_active Abandoned
-
2019
- 2019-07-24 US US16/520,926 patent/US20190348631A1/en not_active Abandoned
-
2020
- 2020-11-18 US US16/951,546 patent/US20210074947A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050195355A1 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-08 | Won-Kyu Kwak | Flat display device |
CN101330059A (zh) * | 2008-07-22 | 2008-12-24 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构的制作方法 |
US20120120616A1 (en) * | 2009-07-28 | 2012-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring board, method for manufacturing same, display panel, and display device |
CN104716091A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-17 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板的制备方法、阵列基板和有机发光显示器件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190348631A1 (en) | 2019-11-14 |
US20170256738A1 (en) | 2017-09-07 |
US20210074947A1 (en) | 2021-03-11 |
TW201733089A (zh) | 2017-09-16 |
TWI559511B (zh) | 2016-11-21 |
CN105702686A (zh) | 2016-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105702686B (zh) | 导电元件基板、导电元件基板的制造方法以及显示面板 | |
CN110649043B (zh) | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制备方法 | |
KR101182521B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
EP3176825B1 (en) | Flexible display panel, manufacturing method therefor and display device | |
JP3924750B2 (ja) | Amelディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
CN1612344A (zh) | 用于显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法 | |
WO2015100898A1 (zh) | 薄膜晶体管、tft阵列基板及其制造方法和显示装置 | |
CN103700707A (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
JP6521534B2 (ja) | 薄膜トランジスタとその作製方法、アレイ基板及び表示装置 | |
JP2006286773A (ja) | 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法並びに薄膜トランジスタアレイおよび薄膜トランジスタディスプレイ | |
CN103489921B (zh) | 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板及显示装置 | |
CN100593870C (zh) | 有机薄膜晶体管及其制造方法和显示器件 | |
US20150179802A1 (en) | Thin film transistor, display substrate having the same and method of manufacturing a display substrate | |
EP3688524B1 (en) | Switch unit and display panel | |
CN101059631A (zh) | 使用有机半导体材料的液晶显示器阵列基板及其制造方法 | |
KR101922937B1 (ko) | 박막트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 | |
CN110459505A (zh) | 过孔连接结构及阵列基板的制造方法、阵列基板 | |
US20180081474A1 (en) | Touch display devices | |
JP2009188317A (ja) | 半導体装置、電気光学装置、電子機器、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器の製造方法 | |
CN112151445A (zh) | 一种显示基板的制备方法及显示基板、显示装置 | |
CN109713043A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、电子装置 | |
CN207992653U (zh) | 液晶显示装置 | |
KR101418527B1 (ko) | 표시기판 제조방법, 무기막 패턴방법 및 이를 이용한표시장치 제조방법 | |
TW201218370A (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
US20200174327A1 (en) | Liquid crystal display panel with ultra-narrow bottom border and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |