CN111244111A - 阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。该阵列基板可包括：衬底基板；薄膜晶体管，形成在所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管包括依次形成在所述衬底基板上的半导体层、栅绝缘层、栅极、源漏极；其中：所述栅绝缘层中位于所述半导体层相对两侧的部位开设有过孔；所述薄膜晶体管还包括第一应力吸收层，所述第一应力吸收层形成在所述栅极远离所述衬底基板的一侧，并填充于所述过孔中；所述第一应力吸收层能够吸收所述阵列基板在弯折时产生的应力。该方案可保证弯折区的画质，提高显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode；有机发光二极管)显示技术具有自发光、宽视角、广色域、高对比度、轻薄、可折叠、可弯曲、轻薄易携带等特点，成为显示领域研发的主要方向。
目前，OLED显示产品可折叠、可弯曲的特性成为各厂商追求的新亮点。根据厂商要求，OLED显示产品的折叠特性需达到：在特定折叠半径的条件下，折叠30000～100000次后，折叠区域的显示效果无异常。
但在OLED显示产品折叠状态下时，折叠区域的薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)均会受到不同程度的应力作用。当OLED显示产品长期处于折叠状态或者折叠次数过多时，容易造成折叠区域亮度不均，亮暗点等不良，降低了产品的画质。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本申请的目的在于提供一种阵列基板及显示装置，能够提高显示产品的画质。
为实现上述发明目的，本申请采用如下技术方案：
本申请第一方面提供了一种阵列基板，其包括：
衬底基板；
薄膜晶体管，形成在所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管包括依次形成在所述衬底基板上的半导体层、栅绝缘层、栅极、源漏极；其中：
所述栅绝缘层中位于所述半导体层相对两侧的部位开设有过孔；
所述薄膜晶体管还包括第一应力吸收层，所述第一应力吸收层形成在所述栅极远离所述衬底基板的一侧，并填充于所述过孔中；所述第一应力吸收层能够吸收所述阵列基板在弯折时产生的应力。
在本申请的一种示例性实施例中，所述源漏极形成在所述第一应力吸收层远离所述栅极的一侧，并依次穿过所述第一应力吸收层和所述栅绝缘层以与所述半导体层的两接触区连接。
在本申请的一种示例性实施例中，所述薄膜晶体管还包括层间介质层，所述层间介质层形成在所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧并覆盖所述栅极；且所述层间介质层具有与所述过孔相对应的通孔；其中：
所述第一应力吸收层形成在所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧，并填充于所述通孔和所述过孔中；且所述源漏极形成在所述第一应力吸收层远离所述栅极的一侧，并依次穿过所述第一应力吸收层、所述层间介质层和所述栅绝缘层以与所述半导体层的两接触区连接；
或
所述源漏极形成在所述层间介质层远离所述栅极的一侧，并依次穿过所述层间介质层和所述栅绝缘层以与所述半导体层的两接触区连接，所述第一应力吸收层形成在所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧、并填充于所述通孔和所述过孔，且所述第一应力吸收层覆盖所述源漏极。
在本申请的一种示例性实施例中，所述栅绝缘层中位于所述半导体层相对两侧的部位均具有多个所述过孔。
在本申请的一种示例性实施例中，还包括：依次形成在所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的有机发光二极管和封装薄膜；
所述有机发光二极管与所述源漏极中的一极电连接；
所述封装薄膜覆盖所述有机发光二极管；且所述封装薄膜包括依次形成的第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层。
在本申请的一种示例性实施例中，所述第一无机封装层远离所述有机发光二极管的一侧形成具有多个凹槽。
在本申请的一种示例性实施例中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的厚度为0.5μm至1μm，所述凹槽的深度为0.2μm至0.3μm，所述有机封装层的厚度为8μm至13μm。
在本申请的一种示例性实施例中，所述封装薄膜还包括第二应力吸收层，所述第二应力吸收层形成在所述第二无机封装层与所述有机封装层之间。
在本申请的一种示例性实施例中，所述第一应力吸收层和所述第二应力吸收层为树脂材料。
本申请第二方面提供了一种显示装置，其包括上述中任一项所述的阵列基板。
本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：
本申请所提供的阵列基板及显示装置，通过在薄膜晶体管中形成第一应力吸收层，该第一应力吸收层主要位于栅极远离衬底基板的一侧，并填充在栅绝缘层的过孔中，以位于半导体层的相对两侧，该第一应力吸收层能够吸收阵列基板在弯折时产生的应力，具体可缓解薄膜晶体管周围应力，保护薄膜晶体管的特性，确保折叠区画质，提高显示效果。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本申请的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1示出了现有技术中显示产品在折叠前后薄膜晶体管的特性衰减曲线；
图2示出了本申请第一实施例中所示的阵列基板的结构示意图；
图3示出了本申请第二实施例中所示的阵列基板的结构示意图；
图4示出了图3中所示的阵列基板的部分结构示意图；
图5示出了本申请第三实施例中所示的阵列基板的结构示意图；
图6示出了本申请再一实施例中所示的阵列基板的结构示意图；
图7示出了图5或图6中所示的阵列基板的部分结构示意图；
图8示出了本申请第四实施例中所示的阵列基板的结构示意图；
图9示出了图8中所示的阵列基板的结构示意图。
图中主要元件附图标记说明如下：
10、衬底基板；101、基底层；102、缓冲层；20、薄膜晶体管；201、半导体层；202、栅绝缘层；2021、过孔；203、栅极；204、源极；205、漏极；206、第一应力吸收层；207、平坦化层；208、层间介质层；2081、通孔；30、有机发光二极管；301、阳极、302、有机发光层；303、阴极；40、封装薄膜；401、第一无机封装层；4011、凹槽；402、有机封装层；403、第二无机封装层；404、第二应力吸收层。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。
在图中，为了清晰，可能夸大了区和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本申请的主要技术创意。
当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
当显示产品长期处于折叠状态或者折叠次数过多时，对薄膜晶体管(TFT)特性可能会造成影响，如图1所示，图1中标号1的线条表示为显示产品在未经折叠处理(或折叠次数较少)时，TFT中漏极电流与栅极电压之间的关系；图1中标号2的线条表示为显示产品在长期处于折叠状态或者折叠次数过多时，TFT中漏极电流与栅极电压之间的关系。
其中，当显示产品长期处于折叠状态或者折叠次数过多时，折叠应力可能会在栅绝缘层(GI层)造成缺陷，这些缺陷会在TFT的源极和漏极端产生额外电子，从而形成寄生电流通道，造成阈值电压Vth漂移；继而造成折叠区域亮度不均，亮暗点等不良，降低了产品的画质。
为解决上述技术问题，本申请一实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板可具有柔性，以便于实现弯折性能。如图2所示，该阵列基板可包括衬底基板10和薄膜晶体管20；其中：
衬底基板10可为柔性基板，以提高阵列基板的柔性，便于实现阵列基板的弯折性能。且衬底基板10可为单层结构，也可为多层结构。其中，图中示出了衬底基板10为多层结构，具体可包括基底层101和缓冲层102，此基底层101可采用聚酰亚胺(PI)等材料制作而成，举例而言，可通过旋涂的方式制备此基底层101；缓冲层102可采用氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等材料制作而成，举例而言，可通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition；等离子体增强化学的气相沉积法)的方式制备此缓冲层102。值得说明的是，衬底基板10的结构、材料、制备方式不限于上述描述的形式。
薄膜晶体管20形成在衬底基板10的一侧；具体可形成在缓冲层102远离基底层101的一侧。此薄膜晶体管20可包括依次形成在衬底基板10上的半导体层201、栅绝缘层202、栅极203、源漏极。该半导体层201可为P-Si(低温多晶硅)，该P-Si可为a-Si(非晶硅)经ELA(Excimer Laser Annel，准分子激光退火)工艺制得。栅绝缘层202(GI)可为无机绝缘层，其材料可为氧化硅、氮化硅等，可通过PEVCD的方式制备。栅极203(Gate)其材料可为钼(Mo)、铜(Cu)等；源漏极包括源极204和漏极205，其材料可为Ti(钛)/Al(铝)/Ti(钛)；举例而言，该栅极203和源漏极可通过溅射、光刻、蚀刻和离子注入等工艺制备。
可选地，本实施例中薄膜晶体管20的栅绝缘层202中位于半导体层201相对两侧的部位可开设有过孔2021，如图2至图4所示，此过孔2021可通过刻蚀等工艺制备而成；此外，如图2和图3所示，薄膜晶体管20还可包括第一应力吸收层206，第一应力吸收层206形成在栅极203远离衬底基板10的一侧，并填充于过孔2021中；举例而言，此第一应力吸收层206的材料可为树脂材料，具体可为聚丙烯酸脂或聚乙烯等材料，其可通过旋涂的方式制备而成。
该第一应力吸收层206能够吸收阵列基板在弯折时产生的应力；具体地，通过在半导体层201两侧的栅绝缘层202上开设过孔2021，并在过孔2021中填充有应力吸收材料，该应力吸收材料在弯折过程中可吸收缓解阵列基板在弯折过程中所产生的横向应力，以避免栅绝缘层202在此应力的作用下产生缺陷，从而可避免薄膜晶体管20的源极204和漏极205端产生额外电子以形成寄生电流通道，继而造成阈值电压Vth漂移的情况；此外，应力吸收材料还可设置在栅极203远离衬底基板10的一侧，该应力吸收材料不仅能够吸收缓解阵列基板在弯折过程中所产生的横向应力，还可吸收缓解阵列基板在弯折过程中所产生的纵向应力，因此，以保证薄膜晶体管20中各层之间的稳定性；也就是说，通过设置该第一应力吸收层206可吸收缓解薄膜晶体管20周围应力，保护薄膜晶体管20的特性，避免出现折叠区域亮度不均，亮暗点等不良问题，确保折叠区画质，提高显示效果。
进一步地，如图4所示，栅绝缘层202的过孔2021可在阵列基板的厚度方向上贯穿栅绝缘层202，也就是说，衬底基板10中与过孔2021相对的部位被暴露，且栅绝缘层202的过孔2021应更靠近半导体层201；这样在制备第一应力吸收层206时，可使第一应力吸收层206在过孔2021下与衬底基板10接触，并更靠近半导体层201；这样使得第一应力吸收层206能最大限度缓解由于弯折而造成的膜层应力，确保薄膜晶体管20的特性。
进一步地，如图3和图4所示，栅绝缘层202中位于半导体层201相对两侧的部位均可具有多个过孔2021，这样设计可适当增加第一应力吸收层206与衬底基板10之间的接触点，以进一步缓解薄膜晶体管20周边的应力，确保薄膜晶体管20的特性，保证显示画质。
其中，薄膜晶体管20的第一应力吸收层206在薄膜晶体管20中的具体位置可包括以下几种方案：
第一种方案：如图3所示，薄膜晶体管20中的源漏极可形成在第一应力吸收层206远离栅极203的一侧，并依次穿过第一应力吸收层206和栅绝缘层202以与半导体层201的两接触区连接；也就是说，在制作薄膜晶体管20的过程中，可先形成栅极203，之后，依次形成第一应力吸收层206及源漏极，此第一应力吸收层206可为绝缘材料制备而成，该第一应力吸收层206在实现吸收缓解薄膜晶体管20周围应力的同时，还可实现源漏极与栅极203之间的相互绝缘。
需要说明的是，半导体层201的两接触区分别为源极204接触区和漏极205接触区，源漏极中的源极204依次穿过第一应力吸收层206和栅绝缘层202与源极204接触区连接；源漏极中的漏极205依次穿过第一应力吸收层206和栅绝缘层202与漏极205接触区连接。此外，如图3所示，该薄膜晶体管20还可包括平坦化层207，此平坦化层207形成在第一应力吸收层206远离衬底基板10的一侧，并覆盖源漏极。
第二种方案：如图5所示，薄膜晶体管20还可包括层间介质层208，该层间介质层208可形成在栅绝缘层202远离衬底基板10的一侧并覆盖栅极203；且层间介质层208具有与过孔2021相对应的通孔2081，如图7所示；而第一应力吸收层206形成在层间介质层208远离衬底基板10的一侧，并填充于通孔2081和过孔2021中；且源漏极形成在第一应力吸收层206远离栅极203的一侧，并依次穿过第一应力吸收层206、层间介质层208和栅绝缘层202以与半导体层201的两接触区连接；也就是说，在制作薄膜晶体管20的过程中，可先形成栅极203，之后，依次形成层间介质层208、第一应力吸收层206及源漏极。
需要说明的是，半导体层201的两接触区分别为源极204接触区和漏极205接触区，源漏极中的源极204依次穿过第一应力吸收层206、层间介质层208和栅绝缘层202与源极204接触区连接；源漏极中的漏极205依次穿过第一应力吸收层206、层间介质层208和栅绝缘层202与漏极205接触区连接。此外，如图5所示，该薄膜晶体管20还可包括平坦化层207，此平坦化层207形成在第一应力吸收层206远离衬底基板10的一侧，并覆盖源漏极。
第三种方案：如图6所示，薄膜晶体管20还可包括层间介质层208，该层间介质层208可形成在栅绝缘层202远离衬底基板10的一侧并覆盖栅极203；且层间介质层208具有与过孔2021相对应的通孔2081，如图7所示；而源漏极可形成在层间介质层208远离栅极203的一侧，并依次穿过层间介质层208和栅绝缘层202以与半导体层201的两接触区连接，第一应力吸收层206可形成在层间介质层208远离衬底基板10的一侧、并填充于通孔2081和过孔2021，且第一应力吸收层206覆盖源漏极，也就是说，在制作薄膜晶体管20的过程中，可先形成栅极203，之后，依次形成层间介质层208、源漏极及第一应力吸收层206，该第一应力吸收层206在实现吸收缓解薄膜晶体管20周围应力的同时，还可实现平坦化作用。
需要说明的是，由于第三种方案中的第一应力吸收层206可实现平坦化作用，相比于第一种方案和第二种方案，第三种方案中可不需要在额外形成平坦化层207。
在一实施例中，该阵列基板还可为OLED显示，也就是说，如图8所示，该阵列基板还可包括有机发光二极管30，通过有机发光二极管30发光以进行显示。其中，此有机发光二极管30可形成在薄膜晶体管20远离衬底基板10一侧，该有机发光二极管30与薄膜晶体管20的源漏极中的一极(源极204或漏极205)电连接。
具体地，有机发光二极管30可包括依次设置的阳极301、有机发光层302及阴极303，此阳极301可与薄膜晶体管20的源漏极中的一极(源极204或漏极205)电连接。举例而言，阳极301可为不透明(全反射)电极，该阳极301可包括依次层叠设置的氧化烟锡(ITO)层、银(Ag)层和氧化烟锡(ITO)层，即：呈现为ITO-Ag-ITO薄膜电极，但不限于此。阴极303可为半透明电极，此阴极303可采用镁银合金制作而成，但不限于此。
需要说明的是，阵列基板可包括多个阵列排布的有机发光二极管30；其中，各有机发光二极管30之间的阳极301独立设置(即：相互之间呈分割状)，而各有机发光二极管30之间阴极303可为整面设置。
应当理解的是，该有机发光二极管30还可包括电子传输层ETI、空穴阻挡层HBL、空穴传输层HTL、空穴注入层HIL；视具体情况而定。
其中，为了避免有机发光二极管30与外界环境中的水氧发生反应而发生损坏，如图8所示，本实施例的阵列基板还可包括封装薄膜40，此封装薄膜40在有机发光二极管30之后形成，并覆盖有机发光二极管30。
可选地，封装薄膜40可为一层结构或者多层结构，其材料可以为无机材料、有机材料或者无机材料和有机材料的结合。具体地，封装薄膜40可包括至少一层有机材料和至少一层无机材料。进一步地，封装薄膜40可包括依次形成的第一无机封装层401、有机封装层402及第二无机封装层403，该第一无机封装层401和第二无机封装层403主要起到阻隔水氧的作用，本实施例通过设置多层无机封装层，可提高封装薄膜40阻隔水、氧的能力；举例而言，第一无机封装层401和第二无机封装层403的厚度可为0.5μm至1μm，在保证封装薄膜40阻隔水、氧能力的同时，还可适当降低封装薄膜40的厚度，保证阵列基板的可弯折性能。而有机封装层402除了起到阻隔水氧的作用，还可实现平坦化作用；举例而言，有机封装层402的厚度可为8μm至13μm，在保证封装薄膜40阻隔水、氧能力、实现平坦化作用的同时，还可适当降低封装薄膜40的厚度，保证阵列基板的可弯折性能。
其中，第一无机封装层401可采用氮氧化硅(SiONx)等无机材料制作而成，第二无机封装层403可采用氮化硅(SiNx)等无机材料制作而成，但不限于此。第一无机封装层401、第二无机封装层403可利用PECVD或者ALD(Atomic Layer Deposition，原子层沉积法)制备得到。有机封装层402多采用可固化(此固化包括光固化或热固化)的有机材料制作而成，具体地，有机封装层402可采用环氧树脂类有机材料、丙烯酸酯类有机材料和有机硅类材料中的至少一者制作而成；具体可利用IJP(Ink Jet Printing，喷墨打印)工艺或者丝网印刷制备得到。
需要说明的是，在长期处于折叠状态或者折叠次数过多时，有机发光二极管30上方的封装薄膜40可能会发生断裂(Crack)现象，从而影响显示效果。为此，本申请实施例对封装薄膜40的结构进行了优化，具体可对第一无机封装层401进行优化，即：如图9所示，第一无机封装层401远离有机发光二极管30的一侧可形成具有多个凹槽4011，此凹槽4011可通过刻蚀工艺形成，通过设置此凹槽4011可缓解第一无机封装层401弯折后所产生的应力，从而可缓解封装薄膜40在弯折过程中发生断裂的情况。
可选地，该凹槽4011的深度(此深度为第一无机封装层401的厚度方向上的尺寸)可为0.2μm至0.3μm，这样在缓解第一无机封装层401弯折后所产生的应力的同时，还可保证第一无机封装层401实现阻隔水、氧的作用。
需要说明的是，第一无机封装层401上多个凹槽4011应连续且规则排布，这样可保证封装薄膜40各处受力均衡。
此外，为了缓解封装薄膜40在弯折过程中的发生断裂现象，如图8所示，该封装薄膜40还包括第二应力吸收层404，第二应力吸收层404形成在第二无机封装层403与有机封装层402之间，此第二应力吸收层404可吸收缓解弯折时第二无机封装层403所受的膜层应力，从而可缓解封装薄膜40在弯折过程中发生断裂的情况，保证弯折区画质，提高显示效果。
举例而言，此第二应力吸收层404的材料可为树脂材料，具体可为聚丙烯酸脂或聚乙烯等材料，其可通过旋涂的方式制备而成。
本申请又一实施例提供了一种显示装置，其包括前述任一实施例描述的阵列基板。
根据本申请的实施例，该镜面显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器、手机、电视等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
需要说明的是，该显示装置除了阵列基板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，具体例如外壳、电源线，等等，本领域善解人意可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
应可理解的是，本说明书公开和限定的本申请延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本申请的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本申请的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本申请。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
薄膜晶体管，形成在所述衬底基板的一侧，所述薄膜晶体管包括依次形成在所述衬底基板上的半导体层、栅绝缘层、栅极、源漏极；其中：
所述栅绝缘层中位于所述半导体层相对两侧的部位开设有过孔；
所述薄膜晶体管还包括第一应力吸收层，所述第一应力吸收层形成在所述栅极远离所述衬底基板的一侧，并填充于所述过孔中；所述第一应力吸收层能够吸收所述阵列基板在弯折时产生的应力。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述源漏极形成在所述第一应力吸收层远离所述栅极的一侧，并依次穿过所述第一应力吸收层和所述栅绝缘层以与所述半导体层的两接触区连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述薄膜晶体管还包括层间介质层，所述层间介质层形成在所述栅绝缘层远离所述衬底基板的一侧并覆盖所述栅极；且所述层间介质层具有与所述过孔相对应的通孔；其中：
所述第一应力吸收层形成在所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧，并填充于所述通孔和所述过孔中；且所述源漏极形成在所述第一应力吸收层远离所述栅极的一侧，并依次穿过所述第一应力吸收层、所述层间介质层和所述栅绝缘层以与所述半导体层的两接触区连接；
或
所述源漏极形成在所述层间介质层远离所述栅极的一侧，并依次穿过所述层间介质层和所述栅绝缘层以与所述半导体层的两接触区连接，所述第一应力吸收层形成在所述层间介质层远离所述衬底基板的一侧、并填充于所述通孔和所述过孔，且所述第一应力吸收层覆盖所述源漏极。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述栅绝缘层中位于所述半导体层相对两侧的部位均具有多个所述过孔。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：依次形成在所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的有机发光二极管和封装薄膜；
所述有机发光二极管与所述源漏极中的一极电连接；
所述封装薄膜覆盖所述有机发光二极管；且所述封装薄膜包括依次形成的第一无机封装层、有机封装层及第二无机封装层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一无机封装层远离所述有机发光二极管的一侧形成具有多个凹槽。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一无机封装层和所述第二无机封装层的厚度为0.5μm至1μm，所述凹槽的深度为0.2μm至0.3μm，所述有机封装层的厚度为8μm至13μm。
8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述封装薄膜还包括第二应力吸收层，所述第二应力吸收层形成在所述第二无机封装层与所述有机封装层之间。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一应力吸收层和所述第二应力吸收层为树脂材料。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。
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| CN202010064637.2A CN111244111A (zh) | 2020-01-20 | 2020-01-20 | 阵列基板及显示装置 |
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