CN114141842B - 阵列基板和柔性显示面板 - Google Patents
阵列基板和柔性显示面板 Download PDFInfo
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Abstract
本申请实施例提供一种阵列基板和柔性显示面板,阵列基板包括:衬底;薄膜晶体管阵列,设置于衬底上,薄膜晶体管包括多个阵列设置的薄膜晶体管;绝缘结构,设置于每一薄膜晶体管内,和/或绝缘结构自薄膜晶体管阵列背离衬底的一侧覆盖薄膜晶体管阵列;绝缘结构包括至少两个绝缘层和至少一个缓冲层,一个缓冲层设置于相邻两个绝缘层之间,每一缓冲层具有网状结构。将绝缘结构设置为一个缓冲层夹设于两个绝缘层之间的结构,且缓冲层具有网状结构,从而使得阵列基板在弯曲时,缓冲层能相对于绝缘层滑动,从而吸收或者抵消绝缘层的至少部分弯曲应力,进而减小绝缘层在弯曲时断裂的风险,以提升薄膜晶体管的工作性能。
Description
技术领域
本申请属于显示面板技术领域,尤其涉及一种阵列基板和柔性显示面板。
背景技术
柔性可折叠成为小尺寸显示器发展的主流方向。柔性显示面板是可变形、可弯曲、可折叠、甚至可卷曲的显示器件。柔性显示面板的可视化柔性性能,且不影响显示面板的显示质量,同时又能实现炫酷的变形或弯曲效果,因此,柔性显示面板越来越受欢迎。
柔性显示面板通常包括阵列基板,阵列基板包括阵列的薄膜晶体管和用于隔绝薄膜晶体管内金属层的绝缘层。然而,阵列基板在弯曲时,因弯曲应力,绝缘层容易发生断裂,而造成薄膜晶体管性能降低问题的出现。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板和柔性显示面板,以解决现有的阵列基板在弯曲时,因弯曲应力,绝缘层容易发生断裂,而造成薄膜晶体管性能降低的问题。
第一方面,本申请实施例提供一种阵列基板,应用于柔性显示面板,所述阵列基板包括:
衬底;
薄膜晶体管阵列,设置于所述衬底上,所述薄膜晶体管包括多个阵列设置的薄膜晶体管;
绝缘结构,设置于每一薄膜晶体管内,和/或所述绝缘结构自所述薄膜晶体管阵列背离所述衬底的一侧覆盖所述薄膜晶体管阵列;所述绝缘结构包括至少两个绝缘层和至少一个缓冲层,一个所述缓冲层设置于相邻两个所述绝缘层之间,每一所述缓冲层具有网状结构。
可选的,当所述阵列基板弯曲时,所述缓冲层能够相对于相邻两个所述绝缘层滑动,以抵消所述相邻两个所述绝缘层的至少部分弯曲应力。
可选的,每一所述缓冲层的材料为无机材料或有机材料。
可选的,每一所述绝缘层的材料与所述缓冲层的材料相同。
可选的,每一所述绝缘层的厚度范围为10A至5000A,每一所述缓冲层的厚度范围为10A至2000A。
可选的,所述至少两个绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,一个所述缓冲层设置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间,当所述阵列基板自所述第一绝缘层朝向所述第二绝缘层的方向弯曲时,所述缓冲层能够相对于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层滑动,以抵消所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的至少部分弯曲应力。
可选的,所述阵列基板还包括多条连接线,所述绝缘结构设置有多个通孔,每一所述连接线通过一个所述通孔与一个所述薄膜晶体管的阳极连接。
可选的,所述绝缘结构设置有多个隔离孔,每一所述隔离孔对应一个所述通孔设置,以隔离所述连接线。
可选的,每一所述隔离孔为环形孔,每一所述隔离孔环绕一个所述通孔设置,且所述通孔的孔壁与所述隔离孔内侧的孔壁之间的距离大于2微米。
第二方面,本申请实施例还提供一种柔性显示面板,包括:
阵列基板,如上任一项所述的阵列基板;
发光层,设置于所述阵列基板。
本申请实施例的阵列基板和柔性显示面板中,将绝缘结构设置为一个缓冲层夹设于两个绝缘层之间的结构,且缓冲层具有网状结构,从而使得阵列基板在弯曲时,缓冲层能相对于绝缘层滑动,从而吸收或者抵消绝缘层的至少部分弯曲应力,进而减小绝缘层在弯曲时断裂的风险,以提升薄膜晶体管的工作性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对本领域技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
为了更完整地理解本申请及其有益效果,下面将结合附图来进行说明。其中,在下面的描述中相同的附图标号表示相同部分。
图1为本申请实施例提供的柔性显示面板的第一种结构示意图。
图2为图1所示的柔性显示面板中阵列基板的结构示意图。
图3为图2所示的阵列基板中的绝缘结构处于弯曲状态的结构示意图。
图4为图2所示的阵列基板中缓冲层的第一种结构示意图。
图5为图2所示的阵列基板中缓冲层的第二种结构示意图。
图6为图2所示的阵列基板中绝缘结构的结构示意图。
图7为本申请实施例提供的柔性显示面板的第二种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
为解决现有的阵列基板在弯曲时,因弯曲应力,绝缘层容易发生断裂,而造成薄膜晶体管性能降低的问题,本申请实施例提供一种阵列基板和柔性显示面板,以下将结合附图进行说明。
示例性的,请参阅图1,图1为本申请实施例提供的柔性显示面板的第一种结构示意图。本申请实施例提供一种柔性显示面板1,柔性显示面板1可以进行弯曲、折叠或者其他变形,以展示不同的显示效果,进而满足不同用户对于显示面板的观看习惯。柔性显示面板1可以包括阵列基板10和发光层20,发光层20可以设置于阵列基板10上。阵列基板10能够驱动发光层20发光。需要说明的是,柔性显示面板1的发光层20可以包括OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机发光半导体),OLED属于一种电流型的有机发光器件,是通过载流子的注入和复合而致发光的现象,发光强度与注入的电流成正比。OLED在电场的作用下,阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动,分别向空穴传输层和电子传输层注入,迁移到发光层。当二者在发光层相遇时,产生能量激子,从而激发发光分子最终产生可见光。相较于LED(Light-Emitting Diode,发光二极管)或LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)的晶体层,OLED的有机塑料层更薄、更轻而且更富于柔韧性。此外,OLED可以在塑料、树脂等不同的柔性衬底材料上进行生产,将有机层蒸镀或涂布在塑料基衬上,就可以实现软屏或者柔性屏。OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、视角广、使用温度范围宽等诸多优点,被认为是最具发展潜力的显示器。因此,现有的柔性显示面板1通常采用OLED形式的发光层20。
其中,阵列基板10在弯折时,因弯曲应力,绝缘层外侧张力较大,而内部受到压力,容易造成膜层外部发生断裂,而造成薄膜晶体管性能降低的问题。因此,为了避免上述问题的发生,本申请实施例提出了一种新的阵列基板10的结构设计,以下将对阵列基板10进行说明。
示例性的,请结合图1并参阅图2,图2为图1所示的柔性显示面板中阵列基板的结构示意图。阵列基板10可以包括衬底11、薄膜晶体管阵列12和绝缘结构13。衬底11可以理解为制作薄膜晶体管阵列12的基底,以便于在衬底11上进行薄膜晶体管的成形。薄膜晶体管阵列12设置于衬底11上。薄膜晶体管阵列12包括多个阵列设置的薄膜晶体管122,薄膜晶体管122可以为驱动型薄膜晶体管122,以驱动发光层20进行发光。可以理解的是,多个阵列设置的薄膜晶体管122可以设置于柔性显示面板1的显示区域,以便于驱动发光层20。绝缘结构13设置于每一薄膜晶体管122内,和/或绝缘结构13自薄膜晶体管阵列12背离衬底11的一侧覆盖薄膜晶体管阵列12。绝缘结构13包括至少两个绝缘层130和至少一个缓冲层134,一个缓冲层134设置于相邻两个绝缘层130之间,每一缓冲层134具有网状结构。将绝缘结构13设置为一个缓冲层134夹设于两个绝缘层130之间的结构,且缓冲层134具有网状结构,从而使得阵列基板10在弯曲时,缓冲层134能相对于绝缘层130滑动,从而吸收或者抵消绝缘层130的至少部分弯曲应力,进而减小绝缘层130在弯曲时断裂的风险,以提升薄膜晶体管122的工作性能。
需要说明的是,本申请实施例的绝缘结构13的设置位置可以有多种。示例性的,第一种情况下,薄膜晶体管122通常为层叠结构,本申请实施例的绝缘结构13可以替代薄膜晶体管122中的buffer层(缓冲层)、ILD(Interlayer Dielectric,层间电介质)。第二种情况下,本申请实施例的绝缘结构13还可以替代覆盖住薄膜晶体管122或者覆盖住薄膜晶体管阵列12的PV层(Passivation,钝化层)。这是因为,本申请实施例的绝缘结构13主要用于金属或者半导体间的绝缘,而buffer层、ILD层以及PV层也用于绝缘,因此,可以使用本申请实施例的绝缘结构13代替上述不同的层结构。
此外,请结合图1和图2并参阅图3,图3为图2所示的阵列基板中的绝缘结构处于弯曲状态的结构示意图。当阵列基板10弯曲时,缓冲层134能够相对于相邻两个绝缘层130滑动,以抵消相邻两个绝缘层130的至少部分弯曲应力。也即是,本申请实施例的绝缘结构13不仅可以起到绝缘作用,本申请实施例的绝缘结构13也能够抵消部分弯曲应力,以提高绝缘结构13的耐弯曲性能,从而可以提高薄膜晶体管122的工作性能。
需要说明的是,绝缘结构13可以为层叠设置的多层结构。比如,绝缘结构13可以是两个绝缘层130夹设一个缓冲层134的三层结构。再比如,绝缘结构13可以是三个绝缘层130夹设两个缓冲层134的五层结构。这里不作限制,绝缘结构13的厚度可以满足阵列基板10对不同层的厚度要求即可。示例性的,每一绝缘层130的厚度范围可以为10A至5000A,每一缓冲层134的厚度范围为10A至2000A。可以理解的是,缓冲层134的厚度可以小于绝缘层130的厚度,以便于缓冲层134进行滑动。此外,由于缓冲层134的网状结构,可以便于缓冲层134的变形动作。
示例性的,请结合图1至图3并参阅图4和图5,图4为图2所示的阵列基板中缓冲层的第一种结构示意图,图5为图2所示的阵列基板中缓冲层的第二种结构示意图。对于缓冲层134的网状结构可以参阅图4和图5中所示的结构,当然,网状结构还可以有其他形式,这里不再举例。
其中,每一缓冲层134的材料可以选择无机材料或有机材料。比如,缓冲层134的材料可以为无机材料,如网状石墨烯或者a-Ag2S。再比如,缓冲层134的材料可以为有机弹性材料,如硅基亚芳基-硅氧烷共聚物等。缓冲层134可以相对于绝缘层130滑动以减小绝缘层130的张应力,且缓冲层134具有较好的稳定性、水氧隔绝性能等类似于绝缘层130的性质。
其中,需要说明的是,绝缘层130通常采用无机材料制成,因此,绝缘层130也可以称为无机层。比如,绝缘层130的材料可以为SiO或SiN。因此,在选用缓冲层134和绝缘层130的材料时,当缓冲层134的材料与绝缘层130的材料性质相当,比如,缓冲层134的材料性质和SiO或SiN阻隔水氧等性质相当,可以使用缓冲层134的材料来代替绝缘层130的材料,也即是说绝缘层130的材料可以与缓冲层134的材料相同。
示例性的,本申请实施例以阵列基板10中的绝缘结构13代替设置于覆盖住多个薄膜晶体管122或者覆盖住薄膜晶体管阵列12的PV层为例进行说明,也即绝缘结构13为PV层。比如,至少两个绝缘层130可以包括第一绝缘层131和第二绝缘层132,缓冲层134设置于第一绝缘层131和第二绝缘层132之间。当阵列基板10在第一绝缘层131朝向第二绝缘层132的方向弯曲时,缓冲层134能够相对于第一绝缘层131和第二绝缘层132作轻微滑动,以抵消第一绝缘层131和第二绝缘层132的至少部分弯曲应力。可以理解的是,网状结构的缓冲层134的变形相对于整体形的缓冲层134变形更容易,当阵列基板10弯曲时,缓冲层134在跟随弯曲的同时,可以相对于第一绝缘层131和第二绝缘层132滑动,这部分滑动可以抵消或者消除第一绝缘层131和第二绝缘层132的至少部分弯曲应力,从而使得绝缘结构13不容易断裂,进而不会影响薄膜晶体管122的工作性能。
其中,示例性的,请结合图1至图5并参阅图6和图7,图6为图2所示的阵列基板中绝缘结构的结构示意图,图7为本申请实施例提供的柔性显示面板的第二种结构示意图。阵列基板10还可以包括多条连接线14,连接线14可以理解为透明的ITO线,用于连接薄膜晶体管122以及绝缘结构13背离薄膜晶体管122一侧的器件,如发光层20等。比如,绝缘结构13可以设置多个通孔135,通孔135贯穿绝缘结构13。每一连接线14通过一个通孔135与薄膜晶体管122的阳极连接。
为了隔离连接线14,或者说使缓冲层134在滑动时不至于带动连接线14滑动而脱落,本申请实施例的绝缘结构13可以设置相关措施以解决上述问题。例如,绝缘结构13可以设置有多个隔离孔136,每一隔离孔136对应一个通孔135设置,以隔离连接线14。比如,每一隔离孔136可以为环形孔,每一隔离孔136环绕一个通孔135设置,比如,可以将隔离孔136与通孔135同心设置,以便于给隔离孔136定位。其中,为了保证隔离孔136与通孔135的黄光解析度,可以将通孔135的孔壁与环形孔内侧的孔壁之间的距离设置为大于2微米。
此外,可以理解的是,在绝缘结构13上设置多个隔离孔136和多个通孔135还可以帮助绝缘结构13进行应力释放,进一步降低绝缘结构13在弯曲时断裂的风险。示例性的,发光层20可以包括多个像素22,像素22可以由薄膜晶体管122驱动。隔离孔136可以隔离像素22与连接线14,以防止连接线14对像素22的影响。
在制作绝缘结构13时,可以参照下述步骤。其中,绝缘结构13以PV层3500A为例,缓冲层134以石墨烯为例。
首先,在基板上成膜SiO,也即成膜绝缘层130,并将SiO分成三个成膜。其中,成膜绝缘层130的方式可以为CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)。其中,每个绝缘层130的厚度可以呈1000A。
其次,在每两个绝缘层130之间通过CVD形成石墨烯膜层,也即缓冲层134。其中,每个缓冲层134的厚度可以为250A。由此,绝缘结构13可以为三个1000A厚度的绝缘层130和两个250A厚度的缓冲层134组成的厚度为3500A的绝缘结构13。
再次,可以通过湿法刻蚀制作出通孔135和隔离孔136,进而可以隔离整个像素。
最后,PLN/PE制程正常制作,并完成后续制程。
本申请实施例提供的阵列基板10和柔性显示面板1中,阵列基板10可以包括衬底11、薄膜晶体管阵列12和绝缘结构13。衬底11可以理解为制作薄膜晶体管阵列12的基底,以便于在衬底11上进行薄膜晶体管的成形。薄膜晶体管阵列12设置于衬底11上。薄膜晶体管阵列12包括多个阵列设置的薄膜晶体管122,薄膜晶体管122可以为驱动型薄膜晶体管122,以驱动发光层20进行发光。可以理解的是,多个阵列设置的薄膜晶体管122可以设置于柔性显示面板1的显示区域,以便于驱动发光层20。绝缘结构13设置于每一薄膜晶体管122内,和/或绝缘结构13自薄膜晶体管阵列12背离衬底11的一侧覆盖薄膜晶体管阵列12。绝缘结构13包括至少两个绝缘层130和至少一个缓冲层134,一个缓冲层134设置于相邻两个绝缘层130之间,每一缓冲层134具有网状结构。将绝缘结构13设置为一个缓冲层134夹设于两个绝缘层130之间的结构,且缓冲层134具有网状结构,从而使得阵列基板10在弯曲时,缓冲层134能相对于绝缘层130滑动,从而吸收或者抵消绝缘层130的至少部分弯曲应力,进而减小绝缘层130在弯曲时断裂的风险,以提升薄膜晶体管122的工作性能。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。
以上对本申请实施例所提供的阵列基板和柔性显示面板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种阵列基板,应用于柔性显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括:
衬底;
薄膜晶体管阵列,设置于所述衬底上,所述薄膜晶体管包括多个阵列设置的薄膜晶体管;
绝缘结构,设置于每一薄膜晶体管内,和/或所述绝缘结构自所述薄膜晶体管阵列背离所述衬底的一侧覆盖所述薄膜晶体管阵列;所述绝缘结构包括至少两个绝缘层和至少一个缓冲层,一个所述缓冲层设置于相邻两个所述绝缘层之间,每一所述缓冲层具有网状结构。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,当所述阵列基板弯曲时,所述缓冲层能够相对于相邻两个所述绝缘层滑动,以抵消所述相邻两个所述绝缘层的至少部分弯曲应力。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,每一所述缓冲层的材料为无机材料或有机材料。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,每一所述绝缘层的材料与所述缓冲层的材料相同。
5.根据权利要求1至4任一项所述的阵列基板,其特征在于,每一所述绝缘层的厚度范围为10A至5000A,每一所述缓冲层的厚度范围为10A至2000A。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述至少两个绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,一个所述缓冲层设置于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间,当所述阵列基板自所述第一绝缘层朝向所述第二绝缘层的方向弯曲时,所述缓冲层能够相对于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层滑动,以抵消所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的至少部分弯曲应力。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括多条连接线,所述绝缘结构设置有多个通孔,每一所述连接线通过一个所述通孔与一个所述薄膜晶体管的阳极连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述绝缘结构设置有多个隔离孔,每一所述隔离孔对应一个所述通孔设置,以隔离所述连接线。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,每一所述隔离孔为环形孔,每一所述隔离孔环绕一个所述通孔设置,且所述通孔的孔壁与所述隔离孔内侧的孔壁之间的距离大于2微米。
10.一种柔性显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板,如权利要求1-9任一项所述的阵列基板;
发光层,设置于所述阵列基板。
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111244111A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100822210B1 (ko) * | 2006-11-14 | 2008-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법 |
JP2014138179A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜トランジスタアレイ基板及び表示装置 |
CN104485351A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种柔性有机发光显示器及其制作方法 |
CN111834381B (zh) * | 2020-07-30 | 2023-10-27 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法 |
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2021
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111244111A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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