CN113615318A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

在显示区域的内部被规定成岛状且形成有贯通孔的非显示区域中，分离壁(Ea)沿着贯通孔的周缘设置为框状，分离壁(Ea)具备通过第二层间绝缘膜(17)的一部分被设置为框状的壁基部(Ua)以及在壁基部(Ua)上以向贯通孔侧以及显示区域侧突出的方式而设置为屋檐状的树脂层(19e)，在第二层间绝缘膜(17)中，在壁基部(Ua)的贯通孔侧以及显示区域侧的周围设置有向上方开口的开口部(Md、Mh)。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机电致发光(electroluminescence，以下也称为EL)元件的自发光型的有机EL显示装置受到关注。在此，有机EL元件例如具备：包含发光层的有机EL层；设置于其有机EL层的一个表面侧的第一电极；设置于其有机EL层的另一个表面侧的第二电极。
例如，在专利文献1中公开了一种有机电致发光显示面板，其中，通过蒸镀法形成的有机EL层和第二电极被具有倒锥状部的隔壁分割开。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-250520号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在有机EL显示装置中，为了在进行图像显示的显示区域的内部配置例如照相机、指纹传感器等，期望设置岛状的非显示区域，在该非显示区域设置沿厚度方向贯通的贯通孔。然而，由于在显示区域配置有通过蒸镀法形成的共用功能层，因此，如果在显示区域的内部设置有上述贯通孔，则水分等可能会经由从贯通孔露出的共用功能层流入显示区域。这样一来，构成有机EL元件的有机EL层劣化，因此，需要在贯通孔的周边分离为显示区域侧和贯通孔侧而形成共用功能层。此外，以在显示区域的内部的贯通孔及其周边部不形成共用功能层的方式制作蒸镀掩模在技术上是困难的。在此，为了将显示区域侧与贯通孔侧分离而形成共用功能层，使用上述专利文献1记载的倒锥状的构造体是有效的，但倒锥状的构造体需要负型的感光性材料，制造成本变高，因此有改善的余地。
本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于，分离成显示区域侧和贯通孔侧而以低成本形成共用功能层。
用于解决课题的方案
为了达成上述目的，本发明所涉及的显示装置具备：基底基板，其分别规定了进行图像显示的显示区域、在该显示区域的周围的边框区域、以及在该显示区域的内部呈岛状的非显示区域；薄膜晶体管层，其设置在上述基底基板上，包括依次层叠的第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜；发光元件层，其设置在上述薄膜晶体管层上，对应于构成上述显示区域的多个子像素而排列有多个发光元件；以及密封膜，其设置在上述发光元件层上，至少包括一层密封绝缘膜，在上述各发光元件上，依次层叠有第一电极、功能层以及第二电极，在上述非显示区域形成有在上述基底基板的厚度方向上贯通的贯通孔，其特征在于，在上述非显示区域中，分离壁沿着上述贯通孔的周缘设置为框状，上述分离壁具备：壁基部，其通过上述第二层间绝缘膜的一部分而设置为框状；以及树脂层，其以在该壁基部上向上述贯通孔侧和上述显示区域侧突出的方式而设置为屋檐状，在上述第二层间绝缘膜中，在上述壁基部的上述贯通孔侧及上述显示区域侧的周围分别设置有上方开口的开口部，上述功能层具备与上述多个子像素共用而设置的共用功能层，上述共用功能层以从上述显示区域遍及上述贯通孔的方式设置在上述树脂层上，在该树脂层的上述贯通孔侧和上述显示区域侧的周端下部被断开。
发明的效果
根据本发明，分离壁具备：壁基部，通过第二层间绝缘膜的一部分设置为框状；以及树脂层，在该壁基部上以向贯通孔侧以及显示区域侧突出的方式设置为屋檐状，在第二层间绝缘膜中，在壁基部的贯通孔侧以及显示区域侧的周围设置有上方开口的开口部，因此能够分离显示区域侧和贯通孔侧而以低成本形成共用功能层。
附图简要说明
图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的概略结构的俯视图。
图2是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。
图3是沿图1中的III-III线的有机EL显示装置的截面图。
图4是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的薄膜晶体管层的等效电路图。
图5是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL层的截面图。
图6是沿着图1中的VI—VI线的有机EL显示装置的边框区域的截面图。
图7是沿着图1中的VII—VII线的有机EL显示装置的边框区域的截面图。
图8是本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的非显示区域及其周围的俯视图。
图9是沿着图8中的IX—IX线的有机EL显示装置的非显示区域的截面图。
图10是将图9中的区域A放大后的构成有机EL显示装置的分离壁的截面图。
图11在形成构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的分离壁时所使用的抗蚀剂图案的俯视图。
图12是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的分离壁的第一变形例的截面图，是相当于图10的图。
图13是第一变形例的有机EL显示装置的非显示区域及其周围的俯视图，是相当于图8的图。
图14是在形成构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的分离壁的第一变形例时所使用的抗蚀剂图案的俯视图。
图15是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的分离壁的第二变形例的截面图，是相当于图10的图。
图16是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的分离壁的第三变形例的截面图，是相当于图10的图。
图17是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的分离壁的第四变形例的截面图，是相当于图10的图。
图18是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的分离壁的第五变形例的截面图，是相当于图10的图。
图19是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的分离壁的第六变形例的截面图，是相当于图10的图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。此外，本发明并不限定于以下的各实施方式。
《第一实施方式》
图1～图19示出本发明的显示装置的第一实施方式。此外，在以下的各实施方式中，作为具备发光元件的显示装置，例示具备有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是表示本实施方式的有机EL显示装置50的概略结构的俯视图。另外，图2是有机EL显示装置50的显示区域D的俯视图。另外，图3是沿着图1中的III-III线的有机EL显示装置50的截面图。另外，图4是构成有机EL显示装置50的薄膜晶体管层20的等效电路图。另外，图5是构成有机EL显示装置50的有机EL层23的截面图。另外，图6和图7是沿着图1中的VI-VI线和VII-VII线的有机EL显示装置50的边框区域F的截面图。另外，图8是有机EL显示装置50的非显示区域N及其周围的俯视图。另外，图9是沿着图8中的IX—IX线的有机EL显示装置50的非显示区域N的截面图。另外，图10是将图9中的区域A放大后的构成有机EL显示装置50的分离壁Ea的截面图。
如图1所示，有机EL显示装置50例如具备设置成矩形的进行图像显示的显示区域D、以及在显示区域D的周围设置成矩形框状的边框区域F。此外，在本实施方式中，例示了矩形的显示区域D，但该矩形还包括例如边为圆弧状的形状、角部为圆弧状的形状、边的一部分有切口的形状等的大致矩形。
如图2所示，在显示区域D，多个子像素P矩阵状排列。另外，在显示区域D中，如图2所示，例如，具有用于进行红色显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色显示的绿色发光区域Lg的子像素P、以及具有用于进行蓝色显示的蓝色发光区域Lb的子像素P以相互相邻的方式设置。另外，在显示区域D中，例如，通过具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg及蓝色发光区域Lb的相邻的三个子像素P构成一个像素。另外，如图1所示，在显示区域D的内部，非显示区域N设置为岛状。在此，如图1所示，在非显示区域N，例如为了配置照相机、指纹传感器等，设置有在后述的树脂基板层10的厚度方向上贯通的贯通孔H。另外，关于非显示区域N的详细构造等，使用图8～图10后述。
在边框区域F的图1中右端部，端子部T设置成在一个方向(图中纵向)上延伸。另外，在边框区域F上，如图1所示，在端子部T的显示区域D侧，以图中纵向为折弯的轴，例如，设置成可折叠为180°(U字形)的折弯部B向一个方向(图中纵向)延伸。在此，在边框区域F中，在后述的平坦化膜19a上，如图1、图3及图6所示，大致C状的沟槽G以贯通平坦化膜19a的方式而设置。此外，如图1所示，沟槽G在俯视下以端子部T侧开口的方式设置为大致C字状。
如图3、图6、图7及图9所示，有机EL显示装置50具备：作为基底基板而设置的树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的薄膜晶体管(thin film transistor，以下也称为TFT)层20、设置在TFT层20上的有机EL元件层30、设置在有机EL元件层30上的密封膜40。
树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。
如图3、图6、图7及图9所示，TFT层20具备在树脂基板层10上依次设置的底涂膜11、半导体层12a(12b)、栅极绝缘膜13、第一金属层、第一层间绝缘膜15、第二金属层、第二层间绝缘膜17、第三金属层以及平坦化膜19a。在此，第一金属层构成后述的栅极线14、栅极电极14a(14b)以及下侧导电层14c。另外，第二金属层构成后述的上侧导电层16。另外，第三金属层构成后述的源极线18f、电源线18g、源极电极18a(18c)、漏极电极18b(18d)、第一边框布线18h、第二边框布线18i以及迂回布线18j。此外，上述的布线的结构为例示，并不限定本发明。
如图3所示，TFT层20具备：设置于底涂膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b及多个电容器9c、和设置于各第一TFT9a、各第二TFT9b及各电容器9c上的平坦化膜19a。在此，在TFT层20中，如图2及图4所示，以在图中横向上相互平行地延伸的方式设置有多个栅极线14。另外，在TFT层20中，如图2及图4所示，以在图中纵向上相互平行地延伸的方式设置有多个源极线18f。另外，在TFT层20中，如图2及图4所示，以在图中纵向上相互平行地延伸的方式设置有多个电源线18g。而且，如图2所示，各电源线18g设置为与各源极线18f相邻。另外，在TFT层20中，如图4所示，以与栅极线14与源极线18f的交点对应的方式，在子像素P设置有子像素电路。在该子像素电路中设置有第一TFT9a、第二TFT9b以及电容器9c。
构成第一TFT9a的半导体层12a、以及构成第二TFT9b的半导体层12b由低温多晶硅膜或氧化物半导体膜等形成。
底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。在此，第二层间绝缘膜17具备设置在第一层间绝缘膜15上的下侧第二层间绝缘膜17a和设置在下侧第二层间绝缘膜17a上的上侧第二层间绝缘膜17b。此外，下侧第二层间绝缘膜17a以及上侧第二层间绝缘膜17b例如由氧化硅膜或氮化硅膜构成的互不相同的无机绝缘膜构成。
此外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT9a和第二TFT9b，但第一TFT9a和第二TFT9b也可以是底栅型的TFT。
如图4所示，电容器9c在各子像素P中与对应的第一TFT9a及电源线18g电连接。在此，如图3所示那样，电容器9c具备隔着第一层间绝缘膜15而彼此相对设置的下侧导电层14c以及上侧导电层16。另外，如图3所示，上侧导电层16经由形成于第二层间绝缘膜17的接触孔与电源线18g电连接。
平坦化膜19a例如由聚酰亚胺树脂等的正型的感光性树脂构成。
如图3所示，有机EL元件层30具备多个有机EL元件25，该多个有机EL元件25作为在平坦化膜19a上对应于多个子像素P排列成矩阵状的多个发光元件而设置。
如图3所示，有机EL元件25具备：设置在平坦化膜19a上的第一电极21a；以覆盖第一电极21的周端部的方式而设置的边缘盖22a；作为功能层而设置在第一电极21a上的有机EL层23；设置在有机EL层23上的第二电极24。
如图3所示，第一电极21a经由在平坦化膜19a上形成的接触孔与各子像素P的第二TFT9b的漏极电极18d电连接。另外，第一电极21a具有向有机EL层23注入孔(空穴)的功能。另外，为了提高向有机EL层23注入空穴的效率，更优选用功函数大的材料形成第一电极21a。在此，作为构成第一电极21a的材料，例如可列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等的金属材料。另外，构成第一电极21a的材料例如也可以是砹(At)和氧化砹(AtO2)等的合金。进而，构成第一电极21a的材料例如也可以是如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。另外，第一电极21a也可以将由上述材料构成的层层叠多层而形成。此外，作为功函数大的化合物材料，例如可列举铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
边缘盖22a以在整个显示区域D上共用的方式设置成格子状。在此，作为构成边缘盖22a的材料，例如可列举聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等的正型感光性树脂。另外，如图3所示，边缘盖22a的表面的一部分向图中上方突出，成为设置为岛状的像素感光间隔物。
如图5所示，有机EL层23具备在第一电极21a上依次设置的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4和电子注入层5。
空穴注入层1也称为阳极缓冲层，具有使第一电极21a和有机EL层23的能级接近、改善从第一电极21a向有机EL层23的空穴注入效率的功能，设置为多个子像素P共用的共用功能层。在此，作为构成空穴注入层1的材料，可列举出例如三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物等。此外，共用功能层是使用CMM(公共金属掩膜)而形成的功能层。该CMM是与一个显示装置对应地设置有一个开口的掩模，因此不能设置屏蔽与贯通孔对应的区域的图案。因此，共用功能层也会蒸镀在与贯通孔对应的区域。与此相对，个别功能层是使用FMM(精细金属掩模)而形成的功能层。该FMM是针对每种颜色(例如，也包括在红色以及绿色下共用的功能层)设置有开口的掩模。另外，功能层除了上述空穴注入层1以外，还包括空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5、阻挡层、盖层等。
空穴输送层2具有提高从第一电极21a向有机EL层23的空穴的输送效率的功能，设置为与多个子像素P共用的共用功能层。在此，作为构成空穴输送层2的材料，例如可列举出卟啉衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺衍生物、聚乙烯基咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代的烯烃衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3作为个别功能层而设置，在通过第一电极21a和第二电极24施加电压时，是从第一电极21a和第二电极24分别被注入空穴和电子的同时，空穴和电子再结合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成发光层3的材料，例如可以列举金属类化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、紫苏酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、非诺沙酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑亚乙烯基、聚硅烷等。
电子输送层4具有使电子高效地移动到发光层3的功能，设置为与多个子像素P共用的共用功能层。在此，作为构成电子传输层4的材料，例如，作为有机化合物，可以列举恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、硅衍生物、金属含氧类化合物等。
电子注入层5具有使第二电极24与有机EL层23的能级接近、提高从第二电极24向有机EL层23注入电子的效率的功能，通过该功能，可以降低有机EL元件25的驱动电压。此外，电子注入层5也被称为阴极缓冲层，设置为与多个子像素P共用的共用功能层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可列举如氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)这样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
此外，上述的共用功能层是例示，也可以是任一层为单独功能层。另外，例如，在从发出紫外光或蓝色光的发光层利用QLED(Quantum-dot light emitting diode)等进行颜色转换而构成显示装置的情况下，发光层3也可以作为共用功能层而设置。
如图3所示，第二电极24设置成覆盖各有机EL层23以及边缘盖22a，在多个子像素P上共用。另外，第二电极24具有向有机EL层23注入电子的功能。另外，为了提高向有机EL层23的电子注入效率，第二电极24更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极24的材料，例如可列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第二电极24例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等的合金形成。另外，第二电极24例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等的导电性氧化物形成。另外，第二电极24也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可列举镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图3、图6及图9所示，密封膜40具备以覆盖第二电极24的方式设置于树脂基板层10侧的下层密封绝缘膜36、设置于树脂基板层10的相反侧的上层密封绝缘膜38、以及设置于下层密封绝缘膜36和上层密封绝缘膜38之间的有机绝缘膜37，具有保护有机EL层23免受水分、氧等的影响的功能。在此，下层密封绝缘膜36及上层密封绝缘膜38例如由如氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、四氮化硅(Si3N4)那样的氮化硅(SiNx(x为正数))、碳氮化硅(SiCN)等的无机材料构成。另外，有机绝缘膜37例如由丙烯酸树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机材料构成。
另外，如图1所示，有机EL显示装置50在边框区域F具备：第一外部阻挡壁Wa，其以包围显示区域D并且与有机绝缘膜37的周端部重叠的方式设置成框状；第二外部阻挡壁Wb，其以包围第一外部阻挡壁Wa的方式设置成框状。
如图6所示，第一外部阻挡壁Wa具备：第一树脂层19b，其由与平坦化膜19a相同的材料形成于同一层；以及第二树脂层22c，其隔着第一导电层21b设置于第一树脂层19b上，且由与边缘盖22a相同的材料形成于同一层。在此，如图6所示，第一导电层21b在边框区域F中以与沟槽G、第一外部阻挡壁Wa以及第二外部阻挡壁Wb重叠的方式设置为大致C字状。另外，第一导电层21b与第一电极21a由相同的材料形成于同一层。
如图6所示，第二外部阻挡壁Wb具备：第一树脂层19c，其由与平坦化膜19a相同的材料形成于同一层；以及第二树脂层22d，其隔着第一导电层21b设置于第一树脂层19c上，且由与边缘盖22a相同的材料形成于同一层。另外，第一外部阻挡壁Wa和第二外部阻挡壁Wb也可以由与平坦化膜19a相同的材料形成于同一层的树脂层、或者由与边缘盖22a相同的材料形成于同一层的树脂层的一层而形成。例如，第一外部阻挡壁Wa也可以由与边缘盖22a相同的材料形成于同一层的树脂层的一层而形成，第二外部阻挡壁Wb也可以由与平坦化膜19a相同的材料形成于同一层的第一树脂层19c和与边缘盖22a相同的材料形成于同一层的第二树脂层22d的两层而形成。
另外，如图3及图6所示，有机EL显示装置50在边框区域F具有第一边框布线18h，该第一边框布线18h以包围显示区域D并与第一外部阻挡壁Wa及第二外部阻挡壁Wb重叠的方式，大致呈C字状地设置在沟槽G的外侧。在此，第一边框布线18h在端子部T与输入低电源电压(ELVSS)的电源端子电连接。另外，如图6所示，第一边框布线18h经由第一导电层21b与第二电极24电连接。
另外，如图3所示，有机EL显示装置50在边框区域F中具备以大致C字状设置在沟槽G的内侧的第二边框布线18i。在此，第二边框布线18i在端子部T与输入高电源电压(ELVDD)的电源端子电连接。另外，第二边框布线18i在显示区域D侧与配置于显示区域D的多个电源线18g电连接。
另外，如图7所示，有机EL显示装置50具备：下层平坦化膜8a，其在弯折部B以填充形成于底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的狭缝S的方式而设置；多个迂回布线18j，其设置于下层平坦化膜8a及第二层间绝缘膜17上；以及布线覆盖层19d，其以覆盖各迂回布线18j的方式而设置。
如图7所示，缝隙S贯通底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17，并以使树脂基板层10的表面露出的方式设置成沿折弯部B的延伸方向穿通的槽状。
下层平坦化膜8a例如由聚酰亚胺树脂等的有机树脂材料构成。
多个迂回布线18j以在与折弯部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸的方式而设置。在此，如图7所示，各迂回布线18j的两端部通过形成于第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔分别与第一栅极导电层14c及第二栅极导电层14d电连接。另外，迂回布线18j与源极线18f或电源线18g由相同的材料形成于同一层。另外，如图7所示，第一栅极导电层14c设置在栅极绝缘膜13与第一层间绝缘膜15之间，与在显示区域D延伸的信号布线(栅极线14、源极线18f等)电连接。此外，如图7所示，第二栅极导电层14d设置在栅极绝缘膜13和第一层间绝缘膜15之间，例如与端子部T的信号端子电连接。另外，布线覆盖层19d与平坦化膜19a由相同的材料形成于同一层。
另外，如图3、图6及图9所示，有机EL显示装置50在边框区域F及非显示区域N中，在平坦化膜19a上具备以向图中上方突出的方式而呈岛状设置的多个周边感光间隔物22b。在此，各周边感光间隔物22b通过与边缘盖22a相同的材料形成在同一层。该周边感光间隔物也可以层叠由与边缘盖22a相同的材料形成在同一层的树脂层、和其他树脂层而形成。
另外，如图8和图9所示，有机EL显示装置50在非显示区域N具备沿着贯通孔H的周缘设置为圆形框状的分离壁Ea。
如图9和图10所示，分离壁Ea具备：壁基部Ua，其通过上侧第二层间绝缘膜17b的一部分设置为圆形框状；以及树脂层19e，其在壁基部Ua上以向贯通孔H侧和显示区域D侧突出的方式设置成屋檐状。
如图10所示，壁基部Ua由在第二层间绝缘膜17的表面，配置于俯视时分别设置成圆形框状的显示区域侧开口部Md和贯通孔侧开口部Mh之间的第二层间绝缘膜17的一部分而构成。即，如图10所示，壁基部Ua通过在第二层间绝缘膜17的表面分别形成俯视时圆形框状的显示区域侧开口部Md(参照图8)及贯通孔侧开口部Mh(参照图8)，被设置在第二层间绝缘膜17的表层。因此，如图10所示，在第二层间绝缘膜17中，在壁基部Ua的显示区域D侧的周围，在俯视时呈圆形框状地设有上方开口的显示区域侧开口部Md，在壁基部Ua的贯通孔H侧的周围，在俯视时呈圆形框状地设有上方开口的贯通孔侧开口部Mh。具体而言，如图10所示，显示区域侧开口部Md和贯通孔侧开口部Mh分别以在上侧第二层间绝缘膜17b上贯通上侧第二层间绝缘膜17b并露出下侧第二层间绝缘膜17a的方式而设置。另外，在图8中，虚线Md表示设置为圆形框状的显示区域侧开口部Md的显示区域D侧的周缘，虚线Mh表示设置为圆形框状的贯通孔侧开口部Mh的贯通孔H侧的周缘。
树脂层19e由与设置在TFT层20的有机EL元件层30侧的平坦化膜19a相同的材料形成在同一层。在此，如图9和图10所示，树脂层19e的两个侧面以两侧面间的宽度朝向树脂基板层10逐渐变宽的正锥状而倾斜。
如图10所示，在上述分离壁Ea中，第二电极24、(空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4以及电子注入层5)以从显示区域D遍及贯通孔H的方式设置于树脂层19e上，在树脂层19e的贯通孔H侧及显示区域D侧的各周端下部被断开。此外，在图10中，空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4以及电子注入层5未被图示，但包括空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4以及电子注入层5的共用功能层与第二电极24同样地，在树脂层19e的贯通孔H侧及显示区域D侧的各周端下部被断开。另外，在显示区域侧开口部Md以及贯通孔侧开口部Mh中，如图10所示，构成TFT层20的下侧第二层间绝缘膜17a与构成密封膜40的下层密封绝缘膜36相互接触。另外，在显示区域侧开口部Md以及贯通孔侧开口部Mh中，如图10所示，以被下层密封绝缘膜36、第二层间绝缘膜17(上侧第二层间绝缘膜17b)以及树脂层19e包围的方式设置空间V。
另外，如图8和图9所示，有机EL显示装置50在非显示区域N，具备在分离壁Ea的显示区域D侧沿着分离壁Ea的周围分别设置为圆形框状的第一内部阻挡壁Wc和第二内部阻挡壁Wd。
如图9所示，第一内部阻挡壁Wc具备：第一树脂层19e，其由与平坦化膜19a相同的材料形成于同一层；和第二树脂层22e，其其设置在第一树脂层19e上，且由与边缘盖22a相同的材料形成于同一层。在此，如图9所示，内部第一阻挡壁Wc以在非显示区域N的显示区域D侧与构成密封膜40的有机绝缘膜37的周端部重叠的方式而设置。
如图9所示，第二内部阻挡壁Wd具备：第一树脂层19f，其由与平坦化膜19a相同的材料形成于同一层；和第二树脂层22f，其设置在第一树脂层19f上，且由与边缘盖22a相同的材料形成于同一层。在此，如图8和图9所示，第二内部阻挡壁Wd在非显示区域N中设置在第一内部阻挡壁Wc与分离壁Ea之间。另外，第一内部阻挡壁Wc及第二内部阻挡壁Wd也可以由与平坦化膜19a相同的材料形成于同一层的树脂层、或者与边缘盖22a相同的材料形成于同一层的树脂层的一层而形成。例如，第一内部阻挡壁Wc可以由与边缘盖22a相同的材料形成于同一层上的树脂层的一层而形成，第二内部阻挡壁Wd也可以由与平坦化膜19a相同的材料形成在同一层上的第一树脂层19f和由与边缘盖22a相同的材料形成在同一层上的第二树脂层22f这两层而形成。
如图9所示，在非显示区域N中，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二间绝缘膜17以不到达贯通孔H的端面的方式而设置。在此，在贯通孔H的周缘部，如图9所示，半导体层12c以从栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17露出的方式，被设置为蚀刻阻挡部。另外，半导体层12c利用与半导体层12a及12b相同的材料形成在同一层。另外，在图9中，例示了在贯通孔H的周缘部残留底涂膜11及半导体层12c而设置为TFT层20的无机膜的机构，但也可以仅残留底涂膜11，另外，也可以设置为基底膜11和半导体层12c不到达通孔H的端面、树脂基板层10露出这样的结构。在此，在贯通孔H的周缘部，为了抑制在无机膜中传播的裂纹，优选较薄地形成无机膜。
上述的有机EL显示装置50构成为：在各子像素P中，通过栅极线14向第一TFT9a输入栅极信号，使第一TFT9a成为导通状态，通过源极线18f向第二TFT9b的栅极电极14b及电容器9c写入数据信号，并向有机EL层23供给与第二TFT9b的栅极电压对应的来自电源线18g的电流，使有机EL层23的发光层3发光，从而进行图像显示。此外，在有机EL显示装置50中，即使第一TFT9a成为截止状态，第二TFT9b的栅极电压也由电容器9c保持，因此直到输入下一帧的栅极信号为止，维持发光层3的发光。
接着，对本实施方式的有机EL显示装置50的制造方法进行说明。在此，本实施方式的有机EL显示装置50的制造方法包括TFT层形成工序、有机EL元件层形成工序、密封膜形成工序、柔性化工序以及贯通孔形成工序。此外，图11是在形成构成有机EL显示装置50的分离壁Ea时所使用的抗蚀剂图案Ra的俯视图。
＜TFT层形成工序＞
例如，使用公知的方法在形成于玻璃基板上的树脂基板层10的表面形成底涂膜11、第一TFT9a、第二TFT9b、电容器9c以及平坦化膜19a，从而形成TFT层20。
在此，在树脂基板层10上形成平坦化膜19a时，在非显示区域N上将树脂层19e形成为圆形框状。
＜有机EL器件层形成工序＞
在上述TFT层形成工序中而形成的TFT层20的平坦化膜19a上，通过采用公知的方法形成第一电极21a、边缘盖22a、有机EL层23(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极24，从而形成有机EL元件25，并形成有机EL元件层30。
在此，在形成边缘盖22a后，在下一个工程的蒸镀过程之前，将为了保护基板表面而形成的保护抗蚀剂用作抗蚀剂图案Ra(图11中的阴影部分)。此外，在抗蚀剂图案Ra中，在非显示区域N中，如图11所示，以树脂层19e的贯通孔H侧的周围及显示区域D侧的周围露出的方式，设置有圆形框状的贯通孔Rh。并且，通过干蚀刻除去从抗蚀剂图案Ra的贯通孔Rh露出的上侧第二层间绝缘膜17b，从而形成显示区域侧开口部Md以及贯通孔侧开口部Mh，形成壁基部Ua。由此，形成具备壁基部Ua和树脂层19e的分离壁Ea。之后，在剥离了抗蚀图案Ra之后，通过蒸镀法形成有机EL层23(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)及第二电极24。另外，在通过蒸镀法形成有机EL层23和第二电极24时，构成有机EL层23的空穴注入层1、空穴输送层2、电子输送层4和电子注入层5、以及第二电极24在树脂层19e的贯通孔H侧和显示区域D侧的各周端下部，通过其高低差被断开形成。
＜密封膜形成工序＞
首先，在上述有机EL元件层形成工序中所形成的形成有有机EL元件层30的基板表面上，使用掩模，例如，通过等离子体CVD(chemical vapor deposition)法成膜氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等的无机绝缘膜，从而形成下层密封绝缘膜36。
接着，在形成有下层密封绝缘膜36的基板表面，例如通过喷墨法，成膜丙烯酸树脂等的有机树脂材料，从而形成有机绝缘膜37。
进而，对于形成了有机绝缘膜37的基板，使用掩模，例如，通过等离子体CVD法成膜氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等的无机绝缘膜，形成上层密封绝缘膜38，从而形成密封膜40。
＜柔性化工序＞
在上述密封膜形成工序中形成了密封膜40的基板表面，粘贴了保护片(未图示)后，通过从树脂基板层10的玻璃基板侧照射激光，使玻璃基板从树脂基板层10的下表面剥离，进而，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面粘贴保护片(未图示)。
＜贯通孔形成工序＞
在上述柔性化工序中剥离了玻璃基板的树脂基板层10上，在与设置为圆形框状的分离壁Ea的内侧的半导体层12c重叠的区域，例如，通过使激光以环状扫描的同时进行照射，从而形成贯通孔H。
如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50。
在此，在本实施方式中，例示了在非显示区域N设置了分离壁Ea的有机EL显示装置50，但也可以是代替分离壁Ea而设有分离壁Eb～Eg的有机EL显示装置。以下，对使用了上述分离壁Eb～Eg的第一变形例～第6变形例进行说明。
(第一变形例)
图12是作为分离壁Ea的第一变形例的分离壁Eb的截面图，是相当于图10的图。另外，图13是第一变形例的非显示区域N及其周围的俯视图，是相当于图8的图。另外，图14是在形成分离壁Eb时所使用的抗蚀剂图案Rb的俯视图。此外，在以下的各变形例中，对与图1～图11相同的部分标注相同的附图标记，省略其详细的说明。
如图12所示，分离壁Eb具备：壁基部Ub，其通过上侧第二层间绝缘膜17b的一部分而设置为圆形框状；以及树脂层19e，其在壁基部Ub上以向贯通孔H侧以及显示区域D侧突出的方式设置成屋檐状。
如图12所示，在第二层间绝缘膜17的表面，壁基部Ub由配置于俯视观察时设置为圆形框状的显示区域侧开口部Md(参照图13)及俯视观察时设置为圆形框状的贯通孔侧开口部Mh之间的第二层间绝缘膜17的一部分构成。在此，在第二层间绝缘膜17中，如图12所示，在壁基部Ub的显示区域D侧的周围，在俯视时呈圆形框状地设有上方开口的显示区域侧开口部Md，在壁基部Ua的贯通孔H侧的周围，在俯视时呈圆形框状地设有上方开口的贯通孔侧开口部Mh。具体而言，如图12所示，显示区域侧开口部Md和贯通孔侧开口部Mh分别设置成在上侧第二层间绝缘膜17b上贯通上侧第二层间绝缘膜17b，从而露出下侧第二层间绝缘膜17a。另外，显示区域侧开口部Md以及贯通孔侧开口部Mh能够通过代替上述的抗蚀剂图案Ra，如图13所示，使用以树脂层19e的贯通孔H侧的周围以及显示区域D侧的周围露出的方式设置有俯视时为圆形的贯通孔Rh的抗蚀剂图案Rb(图中的阴影部)，通过除去从抗蚀剂图案Rb露出的上侧第二层间绝缘膜17b而形成。由此，如图12所示，贯通孔侧开口部Mh形成为到达贯通孔H。此外，在图13中，示出虚线Md设置为圆形框状的显示区域侧开口部Md的显示区域D侧的周缘，如上所述，由于贯通孔侧开口部Mh形成为到达贯通孔H，因此不存在图8所示的虚线Mh。另外，显示区域侧开口部Md如图14所示，设置成与抗蚀剂图案Rb的贯通孔Rh一致。
根据具备上述结构的分离壁Eb的有机EL显示装置，由于贯通孔侧开口部Mh以到达贯通孔H的方式设置，所以形成贯通孔H的部分的无机膜变薄，能够使贯通孔H的形成变得容易。
(第二变形例)
图15是作为分离壁Ea的第二变形例的分离壁Ec的截面图，是相当于图10的图。
如图15所示，分离壁Ec具备：通过第二层间绝缘膜17的一部分而设置为圆形框状的壁基部Ub；在壁基部Ub上以向贯通孔H侧及显示区域D侧突出的方式而设置成屋檐状的树脂层19e。
如图15所示，显示区域侧开口部Md和贯通孔侧开口部Mh分别以在第二层间绝缘膜17上贯通第二层间绝缘膜17，从而露出第一层间绝缘膜15的方式而设置。另外，第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17例如由一方由氧化硅膜构成、另一方由氮化硅膜构成的互不相同的无机绝缘膜构成。另外，显示区域侧开口部Md及贯通孔侧开口部Mh与上述第一变形例同样地，可以通过使用抗蚀剂图案Rb，除去露出的第二层间绝缘膜17而形成。由此，如图15所示，贯通孔侧开口部Mh形成为到达贯通孔H。
在显示区域侧开口部Md及贯通孔侧开口部Mh中，如图15所示，构成TFT层20的第一层间绝缘膜15与构成密封膜40的下层密封绝缘膜36相互接触。另外，在显示区域侧开口部Md及贯通孔侧开口部Mh中，如图15所示，以被下层密封绝缘膜36、第二层间绝缘膜17以及树脂层19e包围的方式设置有空间V。
根据具备上述结构的分离壁Eb的有机EL显示装置，由于贯通孔侧开口部Mh以到达贯通孔H的方式而设置，因此形成贯通孔H的部分的无机膜变薄，能够容易地形成贯通孔H。
(第三变形例)
图16是作为分离壁Ea的第三变形例的分离壁Ed的截面图，是相当于图10的图。
如图16所示，分离壁Ed具备：壁基部Ub，其通过上侧第二层间绝缘膜17b的一部分而设置为圆形框状；下层树脂层19e，其在壁基部Ub上以向贯通孔H侧及显示区域D侧突出的方式而设置成屋檐状；以及上层树脂层22g，其设置在下层树脂层19e上。
如图16所示，显示区域侧开口部Md以及贯通孔侧开口部Mh以在上侧第二层间绝缘膜17b上贯通上侧第二层间绝缘膜17b，并露出下侧第二层间绝缘膜17a的方式而分别被设置。另外，显示区域侧开口部Md及贯通孔侧开口部Mh与上述第一变形例同样地，可以通过使用抗蚀剂图案Rb，除去从抗蚀剂图案Rb露出的上侧第二层间绝缘膜17b而形成。由此，如图16所示，贯通孔侧开口部Mh形成为到达贯通孔H。
下层树脂层19e为与上述的树脂层19e实质上相同的结构。
上层树脂层22g由与边缘盖22a相同的材料形成在同一层。在此，如图16所示，上层树脂层22g的两侧面以两侧面间的宽度朝向树脂基板层10逐渐变宽的正锥状而倾斜。
在显示区域侧开口部Md及贯通孔侧开口部Mh中，如图16所示，构成TFT层20的下侧第二层间绝缘膜17a和构成密封膜40的下层密封绝缘膜36相互接触。另外，在显示区域侧开口部Md及贯通孔侧开口部Mh中，如图16所示，以被下层密封绝缘膜36、第二层间绝缘膜17(上侧第二层间绝缘膜17b)以及下层树脂层19e包围的方式设置有空间V。
根据具备上述结构的分离壁Ed的有机EL显示装置，由于贯通孔侧开口部Mh以到达贯通孔H的方式而设置，所以形成贯通孔H的部分的无机膜变薄，能够容易地形成贯通孔H。
另外，根据具备上述结构的分离壁Ed的有机EL显示装置，由于到下层密封绝缘膜36及上层密封绝缘膜38的显示区域D为止的路径变长，因此能够抑制下层密封绝缘膜36及上层密封绝缘膜38中的裂纹的传播，能够形成使可靠性提高的分离壁Ed。
(第四变形例)
图17是作为分离壁Ea的第四变形例的分离壁Ee的截面图，是相当于图10的图。
如图17所示，与上述第三变形例的不同是：在分离壁Ee的树脂基板层10侧设有树脂填充层8b，在树脂填充层8b上设有下层树脂层19ee。
如图17所示，树脂填充层8b以填充形成于底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17上的开口部M的方式而设置。在此，如图17所示，开口部M以与分离壁Ee重叠并且贯通底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的方式，在底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17上设置为框状，在形成折弯部B的狭缝S时同时被形成。另外，树脂填充层8b由与设置于折弯部B的下层平坦化膜8a相同的材料形成在同一层，在形成下层平坦化膜8a时同时被形成。
下层树脂层19ee由与平坦化膜19a相同的材料形成在同一层。
在显示区域侧开口部Md及贯通孔侧开口部Mh中，如图17所示，构成TFT层20的下侧第二层间绝缘膜17a和构成密封膜40的下层密封绝缘膜36相互接触。另外，在显示区域侧开口部Md以及贯通孔侧开口部Mh中，如图17所示，以被下层密封绝缘膜36、第二层间绝缘膜17(上侧第二层间绝缘膜17b)以及树脂层19ee包围的方式设置有空间V。
根据具备上述结构的分离壁Ee的有机EL显示装置，以填充形成于底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17上的开口部M的方式设置有树脂填充层8b，因此，假设在贯通孔H侧，即使在底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17中产生裂缝，也能够抑制该裂缝向显示区域D侧的传播。另外，以与分离壁Ee重叠的方式设置有树脂填充层8b，因此即使采用抑制裂纹的传播的构造，也能够缩短从贯通孔H到非显示区域N与显示区域D的边界的距离。
(第五变形例)
图18是作为分离壁Ea的第五变形例的分离壁Ef的截面图，是相当于图10的图。
与上述第一变形例的不同是，分离壁Ef由与边缘盖22a相同的材料形成在同一层的树脂层22h构成。在此，如图18所示，树脂层22h的两侧面以两侧面间的宽度朝向树脂基板层10逐渐变宽的正锥状而倾斜。
在显示区域侧开口部Md及贯通孔侧开口部Mh中，如图18所示，以被下层密封绝缘膜36、第二层间绝缘膜17(上侧第二层间绝缘膜17b)以及树脂层22h包围的方式设置有空间V。
根据具备上述结构的分离壁Ef的有机EL显示装置，由于贯通孔侧开口部Mh以到达贯通孔H的方式而设置，所以形成贯通孔H的部分的无机膜变薄，能够容易地形成贯通孔H。
根据具备上述结构的分离壁Ef的有机EL显示装置，不仅能够如本实施方式那样使用平坦化膜19a，而且即使使用边缘盖22a，也能够形成使可靠性提高的分离壁Ef。
(第六变形例)
图19是作为分离壁Ea的第六变形例的分离壁Eg的截面图，是相当于图10的图。
与上述第四变形例的不同之处在于，在树脂填充层8b与下层树脂层19ee之间设置有金属层18k。
如图19所示，金属层18k以覆盖从第二层间绝缘膜17突出的树脂填充层8b的部分的方式而设置。在此，金属层18k由上述第三金属层构成。
根据具备上述结构的分离壁Eg的有机EL显示装置，在树脂填充层8b与下层树脂层19ee之间设置有具有延展性的金属层18k，因此，例如，即使在贯通孔H侧，在下层密封绝缘膜36及上层密封绝缘膜38产生的裂纹传播到下层树脂层19ee，也能够抑制裂纹传播到树脂填充层8b。
另外，在上述变形例2～6中，与本实施方式同样地，也可以通过使用设有圆形框状的贯通孔Rh的抗蚀剂图案Ra来进行干蚀刻，从而在壁基部Ub的贯通孔H侧形成贯通孔侧开口部Mh。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50，在显示区域D的内部被规定为岛状并形成有贯通孔H的非显示区域N，分离壁Ea沿着贯通孔H的周缘被设置为框状。在此，分离壁Ea具备通过第二层间绝缘膜17的一部分被设置为框状的壁基部Ua和在壁基部Ua上以向贯通孔H侧及显示区域D侧突出的方式而设置为屋檐状的树脂层19e。因此，共用功能层和第二电极24在树脂层19e的贯通孔H侧及显示区域D侧的各周端下部，分别分离成显示区域D侧和贯通孔H侧而被断开形成。而且，通过在形成边缘盖22a后，使用用于保护基板表面直至蒸镀工序的保护抗蚀剂作为抗蚀剂图案Ra，除去从抗蚀剂图案Ra露出的上侧第二层间绝缘膜17b，形成显示区域侧开口部Md及贯通孔侧开口部Mh，从而形成壁基部Ua。由此，无需使用负型的感光性材料，就能够将共用功能层及第二电极24分离成显示区域D侧和贯通孔H侧而形成，因此能够以低成本分离成显示区域D侧和贯通孔H侧，从而形成共用功能层及第二电极24。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50，在显示区域侧开口部Md及贯通孔侧开口部Mh中，由于TFT层20的下侧第二层间绝缘膜17a与密封膜40的下层密封绝缘膜36相互接触，因此能够确保密封膜40的密封性能，能够抑制有机EL元件25的劣化。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50，由于空间V设置为被下层密封绝缘膜36、上侧第二层间绝缘膜17b以及树脂层19e包围，因此假设在贯通孔H侧，即使在下层密封绝缘膜36和上层密封绝缘膜38上产生裂缝，也能够抑制该裂缝向显示区域D侧的传播。
《第二实施方式》
在上述第一实施方式中，举例示出了分离壁Ea～Eg沿贯通孔H的周缘被设置为周状的有机EL显示装置50，但也可以沿贯通孔H的周缘周状地设置多个分离壁Ea～Eg。另外，在该情况下，多个分离壁例如也可以将分离壁Ea～Eg组合而具有彼此不同的构造。
《其他实施方式》
在上述各实施方式中，例示出了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层以及电子注入层的5层层叠结构的有机EL层，但有机EL层例如也可以是空穴注入层兼空穴输送层、发光层、以及电子输送层兼电子注入层的3层层叠结构。
另外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极、将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但本发明也能适用于使有机EL层的层叠结构反转、将第一电极作为阴极、将第二电极作为阳极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，例示了将连接于第一电极的TFT的电极作为漏极电极的有机EL显示装置，但本发明也能适用于将连接于第一电极的TFT的电极称为源极电极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，举例示出了形成有俯视时为圆形状的贯通孔H的有机EL显示装置50，但贯通孔H例如也可以是俯视时为矩形状等的多边形状。
另外，在上述各实施方式中，例示了具备在下层密封绝缘膜36和上层密封绝缘膜38之间设置了有机绝缘膜37的密封膜40的有机EL显示装置50，但本发明也可以适用于在下层密封绝缘膜36和上层密封绝缘膜38之间形成了有机蒸镀膜后，将该有机蒸镀膜灰化，用有机蒸镀膜覆盖异物的有机EL显示装置。根据这样的密封膜的构成，即使在显示区域上存在异物，也能够利用上层密封绝缘膜确保密封性能，能够提高可靠性。
另外，在上述各实施方式中，作为显示装置，以有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明并不限定于有机EL显示装置，只要是柔性的显示装置就可以应用。例如，能够应用于具备使用了含有量子点含有层的发光元件即QLED等的柔性的显示装置。
产业上的可利用性
如上所述，本发明对柔性显示装置是有用的。
附图标记的说明
D 显示区域
Ea～Eg 分离壁
F 边框区域
M 绝缘膜贯通孔
Md 开口部(显示区域侧开口部)
Mh 开口部(贯通孔侧开口部)
N 非显示区域
P 子像素
Ua～Ug 壁基部
Wc 第一内部阻挡壁
Wd 第二内部阻挡壁
8b 树脂填充层
10 树脂基板层(基底基板)
15 第一层间绝缘膜
17 第二层间绝缘膜
17a 下侧第二层间绝缘膜
17b 上侧第二层间绝缘膜
18k 金属层
19a 平坦化膜
19e 树脂层、下层树脂层
19ee，19eg 下层树脂层
20 TFT层(薄膜晶体管层)
21a 第一电极
22a 边缘盖
22g 上层树脂层
22h 树脂层
23 有机EL层(功能层)
24 第二电极
25 有机EL元件(有机电致发光元件、发光元件)
30 有机EL元件层(发光元件层)
36 下层密封绝缘膜
37 有机绝缘膜
38 上层密封绝缘膜
40 密封膜
50 有机EL显示装置

Claims (18)

1.一种显示装置，其具备：基底基板，其分别规定了进行图像显示的显示区域、在该显示区域的周围的边框区域、以及在该显示区域的内部呈岛状的非显示区域；
薄膜晶体管层，其设置在上述基底基板上，包括依次层叠的第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜；
发光元件层，其设置在上述薄膜晶体管层上，对应于构成上述显示区域的多个子像素而排列有多个发光元件；以及
密封膜，其设置在上述发光元件层上，至少包括一层密封绝缘膜，
在上述各发光元件上，依次层叠有第一电极、功能层以及第二电极，在上述非显示区域形成有在上述基底基板的厚度方向上贯通的贯通孔，所述显示装置的特征在于，
在上述非显示区域中，沿着上述贯通孔的周缘以框状设置有分离壁，
上述分离壁具备：壁基部，其通过上述第二层间绝缘膜的一部分而设置为框状；以及
树脂层，其以在该壁基部上向上述贯通孔侧和上述显示区域侧突出的方式而设置为屋檐状，
在上述第二层间绝缘膜中，在上述壁基部的上述贯通孔侧及上述显示区域侧的周围分别设置有上方开口的开口部，
上述功能层具备与上述多个子像素共用而设置的共用功能层，
上述共用功能层以从上述显示区域遍及上述贯通孔的方式设置在上述树脂层上，在该树脂层的上述贯通孔侧和上述显示区域侧的周端下部被断开。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第二层间绝缘膜包括从所述基底基板侧依次被层叠的下侧第二层间绝缘膜和上侧第二层间绝缘膜，
上述开口部以贯通上述上侧第二层间绝缘膜的方式而设置。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
在所述开口部中，所述下侧第二层间绝缘膜与所述密封绝缘膜相互接触。
4.根据权利要求2或3所述的显示装置，其特征在于，
上述下侧第二层间绝缘膜由氧化硅膜构成，
上述上侧第二层间绝缘膜由氮化硅膜构成。
5.根据权利要求2或3所述的显示装置，其特征在于，
所述下侧第二层间绝缘膜由氮化硅膜构成，
所述上侧第二层间绝缘膜由氧化硅膜构成。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述开口部以贯通所述第二层间绝缘膜的方式而设置。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述第一层间绝缘膜在所述开口部中从所述第二层间绝缘膜露出；
在所述开口部中，所述第一层间绝缘膜与所述密封绝缘膜相互接触。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述第二层间绝缘膜由氮化硅膜构成，
所述第一层间绝缘膜由氧化硅膜构成。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
所述第二层间绝缘膜由氧化硅膜构成，
所述第一层间绝缘膜由氮化硅膜构成。
10.根据权利要求1至9的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述薄膜晶体管层具备设置于所述发光元件层侧的平坦化膜，
所述树脂层由与所述平坦化膜相同的材料而被形成在同一层。
11.根据权利要求1至9的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件层具备以覆盖所述各发光元件的所述第一电极的周端部的方式而设置的边缘盖，
所述树脂层通过与所述边缘盖相同的材料而被形成在同一层。
12.根据权利要求1至9的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述薄膜晶体管层具备设置于所述发光元件层侧的平坦化膜，
所述发光元件层具备以覆盖所述各发光元件的所述第一电极的周端部的方式而设置的边缘盖，
所述树脂层将下层树脂层与上层树脂层层叠而设置，所述下层树脂层通过与所述平坦化膜相同的材料被形成在同一层，所述上层树脂层通过与所述边缘盖相同的材料被形成在同一层。
13.根据权利要求1至12的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述第二层间绝缘膜上，与所述树脂层重叠的同时，以贯通所述第二层间绝缘膜的方式而框状地设置有绝缘膜贯通孔，
在所述绝缘膜贯通孔上以填充所述绝缘膜贯通孔的方式而设置有树脂填充层，
所述树脂层设置在所述树脂填充层上。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，在所述树脂层与所述树脂填充层之间设置有金属层。
15.根据权利要求1至14的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述密封绝缘膜具备设置于所述基底基板侧的下层密封绝缘膜和设置于所述基底基板的相反侧的上层密封绝缘膜，
所述密封膜具备设置于所述下层密封绝缘膜和所述上层密封绝缘膜之间的有机绝缘膜，
在所述非显示区域中，在所述分离壁的所述显示区域侧，沿着所述分离壁的周围以与所述有机绝缘膜的周端部重叠的方式设置有框状的阻挡壁。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，在所述开口部中，以被所述下层密封绝缘膜、所述第二层间绝缘膜以及所述树脂层包围的方式设置有空间。
17.根据权利要求1至16的任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述贯通孔侧的所述开口部以到达所述贯通孔的方式而设置。
18.根据权利要求1至17的任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述各发光元件为有机电致发光元件。
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