KR20050085670A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 상에 구성되는 화소 및 공통급전선의 레이아웃을 개량하여 화소의 발광영역을 확장하고, 표시의 품위를 높일 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 일렉트로 루미네선스소자 또는 LED소자와 같은 발광소자(40)를 구비하는 화소(7A, 7B)를 공통급전선(com)의 양측에 배치하여, 공통급전선(com)의 수를 줄인다. 또한, 화소(7A, 7B)의 사이에서 발광소자(40)로 흐르는 구동전류의 극성을 반전하여, 공통급전선(com)에 흐르는 전류를 작게 한다.

Description

표시 장치{Display}
본 발명은, 유기반도체막을 구동전류가 흐르는 것에 의해서 발광하는 EL(일렉트로 루미네선스)소자 또는 LED(발광다이오드)소자 등의 발광소자와, 이 발광소자의 발광동작을 제어하는 박막 트랜지스터(이하, TFT라고 한다.)를 사용한 액티브 매트릭스형의 표시장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 그 표시특성을 향상하기 위한 레이아웃의 최적화기술에 관한 것이다.
EL소자 또는 LED소자 등의 전류제어형 발광소자를 사용한 액티브 매트릭스형의 표시장치가 제안되어 있다. 이 타입의 표시장치에 사용되는 발광소자는 어느 것이나 자기발광하기 때문에, 액정표시장치와 달리 백 라이트를 필요로 하지 않고, 또한, 시야각 의존성이 적은 등의 이점도 있다.
도 22는, 이러한 표시장치의 일례로서, 전하주입형의 유기박막 EL소자를 사용한 액티브 매트릭스형 표시장치의 블록도이다. 이 도에 도시된 표시장치(1A)에서는, 투명기판 상에 복수의 주사선(gate)과, 이들 주사선(gate)의 연장설치 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장설치된 복수의 데이터선(sig)과, 이들 데이터선(sig)에 병렬하는 복수의 공통급전선(com)과, 데이터선(sig)과 주사선(gate)과의 교차점에 대응하는 화소(畵素)(7)로 구성되어 있다. 데이터선(sig)에 대하여서는, 시프트 레지스터, 레벨 시프터, 비디오 라인, 아날로그 스위치를 구비하는 데이터측 구동회로(3)로 구성되어 있다. 주사선에 대해서는, 시프트 레지스터 및 레벨 시프터를 구비하는 주사측 구동회로(4)로 구성되어 있다. 또한, 화소(7)의 각각에는, 주사선을 거쳐 주사신호가 게이트전극에 공급되는 제1 TFT(20)와, 이 제1 TFT(20)를 거쳐 데이터선(sig)으로부터 공급되는 화상신호를 유지하는 유지용량(cap)과, 이 유지용량(cap)에 의해서 유지된 화상신호가 게이트전극에 공급되는 제2 TFT(30)와, 제2 TFT(30)를 거쳐 공통급전선(com)에 전기적으로 접속하였을 때에 공통급전선(com)에서 구동전류가 유입되는 발광소자(40)로 구성되어 있다.
즉, 도 23a, 도 23b에 도시된 바와 같이, 어느 하나의 화소(7)에 있어서도, 섬 모양의 2개의 반도체막을 이용하여 제1 TFT(20) 및 제2 TFT(30)가 형성되고, 제2 TFT(30)의 소스 드레인영역에는 제1 층간절연막(51)의 콘택트 홀을 거쳐 중계전극(35)이 전기적으로 접속하여, 상기 중계전극(35)에는 제2 층간절연막(52)의 콘택트 홀을 거쳐 화소전극(41)이 전기적으로 접속하고 있다. 이 화소전극(41)의 상층 측에는, 정공 주입층(42), 유기반도체막(43), 대향전극(op)이 적층(積層)되어 있다. 여기서, 대향전극(op)은, 데이터선(sig) 등을 넘어 복수의 화소(7)에 걸쳐 형성되어 있다. 또, 제2 TFT(30)의 소스 드레인영역에는 콘택트 홀을 거쳐 공통급전선(com)이 전기적으로 접속하고 있다.
이에 대하여, 제1 TFT(20)에서는, 그 소스 드레인영역에 전기적으로 접속하는 전위유지전극(st)은, 게이트전극(31)의 연장설치 부분(310)에 전기적으로 접속하고 있다. 이 연장설치 부분(310)에 대해서는, 그 하층 측에 있어서 게이트절연막(50)을 거쳐 반도체막(400)이 대향하고, 이 반도체막(400)은, 그것에 도입된 불순물에 의해서 도전(導電)화되어 있기 때문에, 연장설치 부분(310) 및 게이트절연막(50)과 함께 유지용량(cap)을 구성하고 있다. 여기서, 반도체막(400)에 대해서는 제1 층간절연막(51)의 콘택트 홀을 거쳐 공통급전선(com)이 전기적으로 접속하고 있다. 따라서, 유지용량(cap)은 제1 TFT(20)를 거쳐 데이터선(sig)에서 공급되는 화상신호를 유지하기 때문에, 제1 TFT(20)가 오프(off)로 되어도, 제2 TFT(30)의 게이트전극(31)은 화상신호에 상당하는 전위로 유지된다. 그 때문에, 발광소자(40)에는 공통급전선(com)에서 구동전류가 계속 흐르기 때문에, 발광소자(40)는 계속 발광하게 된다.
그러나, 상기의 표시장치(1A)에서는, 액정표시장치에 비하여, 제2 TFT(30) 및 공통급전선(com)이 필요한 만큼 화소(7)가 좁아지기 때문에, 표시의 품위를 높일 수 없다고 하는 문제점이 있다.
그래서, 본 발명의 과제는, 기판 상에 구성되는 화소 및 공통급전선의 레이아웃을 개량하여 화소의 발광영역을 확장하고, 표시의 품위를 높일 수 있는 표시장치를 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에서는, 기판 상에 복수의 주사선과, 상기 주사선의 연장설치 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장설치된 복수의 데이터선과, 상기 데이터선에 병렬하는 복수의 공통급전선과, 상기 데이터선과 상기 주사선에 의해 매트릭스상으로 형성된 화소를 가지며, 상기 화소의 각각에는, 상기 주사선을 거쳐 주사신호가 제1 게이트전극에 공급되는 제1 박막 트랜지스터와, 상기 제1 박막 트랜지스터를 거쳐 상기 데이터선으로부터 공급되는 화상신호를 유지하는 유지용량과, 상기 유지용량에 의해서 유지된 상기 화상신호가 제2 게이트전극에 공급되는 제2 박막 트랜지스터와, 상기 화소마다 형성된 화소전극과 상기 화소전극에 대응하는 대향전극과의 층 사이에서 상기 화소전극이 상기 제2 박막 트랜지스터를 거쳐 상기 공통급전선에 전기적으로 접속하였을 때에 상기 화소전극과 상기 대향전극과의 사이에 흐르는 구동전류에 의해서 발광하는 유기반도체막을 구비하는 발광소자를 갖는 표시장치에 있어서, 상기 공통급전선의 양측에는 상기 공통급전선과의 사이에서 상기 구동전류의 통전이 행하여지는 화소가 배치되고, 상기 화소에 대하여 상기 공통급전선과는 반대측을 상기 데이터선이 통과하고 있는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명에서는, 데이터선과, 그것에 접속하는 화소군, 한 개의 공통급전선고, 그것에 접속하는 화소군, 및 상기 화소군에 화소신호를 공급하는 데이터선을 하나의 단위로 하여서 그것을 주사선의 연장설치 방향으로 반복함으로써, 2열 분의 화소를 한 개의 공통급전선으로 구동한다. 따라서, 1열의 화소군마다 공통급전선을 형성하는 경우와 비교하여 공통급전선의 형성영역을 좁힐 수 있기 때문에, 그 만큼 화소의 발광영역을 확장할 수 있다. 그러므로, 휘도, 콘트라스트비 등의 표시성능을 향상시킬 수 있다.
이와 같이 구성하는 데에 있어서는, 예를 들면, 상기 공통급전선을 사이에 두고 배치된 2개의 화소의 사이에서는, 상기 제1 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터, 및 상기 발광소자를 상기 공통급전선을 중심으로 선대칭으로 배치하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 주사선의 연장설치 방향을 따라 인접하는 어느 화소 사이에서도 상기 유기반도체막 형성영역의 중심 피치가 같은 것이 바람직하다. 이와 같이 구성하면, 잉크젯 헤드로부터 유기반도체막의 재료를 토출하여 유기반도체막을 형성하는데 편리하다. 즉, 유기반도체막 형성영역의 중심 피치가 같기 때문에, 잉크젯 헤드로부터 유기반도체막의 재료를 등간격으로 토출하여 가면 된다. 이에 의해, 잉크젯 헤드의 이동제어기구가 간단해짐과 동시에, 위치정밀도도 향상한다.
또한, 상기 유기반도체막의 형성영역은, 상기 유기반도체막보다도 두꺼운 절연막으로 이루어진 뱅크층으로 둘러싸여 있음과 동시에, 상기 뱅크층은 같은 폭으로 상기 데이터선 및 상기 공통급전선을 덮도록 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성하면, 유기반도체막을 잉크젯법에 의해 형성할 때에, 뱅크층이, 유기반도체막이 주위에 불거져 나오는 것을 방지하기 때문에, 유기반도체막을 소정영역 내에 형성할 수 있다. 또한, 상기 뱅크층은 같은 폭으로 상기 데이터선 및 상기 공통급전선을 덮기 때문에, 주사선의 연장설치 방향을 따라 인접하는 어느 화소의 사이에서도 유기반도체막 형성영역의 중심 피치가 같게 하는데 적합하다. 여기서, 대향전극은 적어도 화소영역 상의 거의 전면, 혹은 줄무늬 형상으로 넓은 영역에 걸쳐 형성되고, 데이터선과 대향하는 상태로 있다. 따라서, 이대로는, 데이터선에 대하여 큰 용량이 기생하게 된다. 그런데 본 발명에서는, 데이터선과 대향전극과의 사이에 뱅크층이 개재하고 있기 때문에, 대향전극과의 사이에 형성되는 용량이 데이터선에 기생하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 데이터 측 구동회로의 부하를 줄일 수 있기 때문에, 저소비전력화 혹은 표시동작의 고속화를 도모할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 화소에 대하여 상기 공통급전선과는 반대측을 통과하는 두 가닥의 데이터선의 사이에 상당하는 위치에는, 배선층이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 두 가닥의 데이터선이 병렬하고 있으면, 이들 데이터선의 사이에서 크로스토크가 발생할 우려가 있다. 그런데 본 발명에서는, 2개의 데이터선의 사이에는 그것들과는 별도의 배선층이 통과하고 있기 때문에, 이러한 배선층을 화상의 적어도 1 수평주사기간 내에서 고정전위로 하여두는 것만으로, 상기의 크로스토크를 방지할 수 있다.
이 경우에, 상기 복수의 데이터선 중, 인접하는 두 가닥의 데이터선 사이에서는, 화상신호의 샘플링을 동일한 타이밍으로 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성하면, 두 가닥의 데이터선 사이에서 샘플링 시의 전위변화가 동시에 일어나기 때문에, 이들 데이터선의 사이에서 크로스토크가 발생하는 것을 보다 확실히 방지할 수 있다.
본 발명에서는, 동일한 상기 공통급전선과의 사이에서 상기 구동전류의 통전이 행하여지는 복수의 화소에는, 극성이 반전한 구동전류에 의해 상기 발광소자의 구동이 행하여지는 2종류의 화소가 거의 동수 포함되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 구성하면, 공통급전선으로부터 화소에 흐르는 구동전류와, 화소로부터 공통급전선에 흐르는 구동전류가 상쇄되어, 공통급전선에 흐르는 구동전류가 작아도 된다. 따라서, 공통급전선을 그 만큼 가늘게 할 수가 있기 때문에, 패널 외형에 대한 표시면적을 확장할 수 있다. 또한, 구동전류의 차에 의해 발생하는 휘도의 고르지 못함을 없앨 수 있다.
예를 들면, 상기 데이터선의 연장설치 방향에서는 각 화소에 있어서의 구동전류의 극성이 동일하고, 상기 주사선의 연장설치 방향에서는 각 화소에 있어서의 구동전류의 극성이 1화소마다, 혹은 2화소마다 반전하도록 구성한다. 혹은, 상기 주사선의 연장설치 방향에서는 각 화소에 있어서의 구동전류의 극성이 동일하고, 상기 데이터선의 연장설치 방향에서는 각 화소에 있어서의 구동전류의 극성이 1화소마다, 혹은 2화소마다 반전하도록 구성하여도 된다. 이들 형태 중, 2화소마다 구동전류의 극성이 반전하도록 구성한 경우에는, 같은 극성의 구동전류가 흐르는 화소에 관해서는, 인접하는 화소의 사이에서 대향전극을 공통으로 할 수 있기 때문에, 대향전극의 슬릿 수를 줄일 수 있다. 즉, 대(大)전류가 흐르는 대향전극의 저항치를 높이지 않고도 극성반전을 실현할 수 있다.
또한, 상기 주사선의 연장설치 방향 및 상기 데이터선의 연장설치 방향중 어느 한쪽의 방향에서도, 각 화소에 있어서의 구동전류의 극성이 1화소마다 반전하도록 구성하여도 된다.
도면을 참조하여, 본 발명의 실시예를 설명한다.
[실시예 1]
(액티브 매트릭스기판의 전체구성)
도 1은, 표시장치 전체의 레이아웃을 모식적으로 나타내는 블록도, 도 2는, 거기에 구성된 액티브 매트릭스의 등가회로도이다.
이 도면에 도시된 바와 같이, 본 예의 표시장치(1)에서는 그 기체(基體)인 투명기판(10)의 중앙부분이 표시부(2)로 되어 있다. 투명기판(10)의 외주부분 중, 데이터선(sig)의 양단 측에는 화상신호를 출력하는 데이터측 구동회로(3), 및 검사회로(5)로 구성되고, 주사선(gate)의 양단 측에는 주사신호를 출력하는 주사측 구동회로(4)로 구성되어 있다. 이들 구동회로(3, 4)에서는, N형의 TFT와 P형의 TFT에 의하여 상호보완형 TFT로 구성되고, 이 상호보완형 TFT는 시프트 레지스터, 레벨 시프터, 아날로그 스위치 등을 구성하고 있다. 또, 투명기판(10) 상에 있어서, 데이터측 구동회로(3)보다도 외주영역에는 화상신호나 각종 전위, 펄스신호를 입력하기 위한 단자군으로 되는 실장용 패드(6)가 형성되어 있다.
(공통급전선과 화소의 배치)
표시장치(1)에서는, 액정표시장치의 액티브 매트릭스기판과 같이 투명기판(10) 상에, 복수의 주사선(gate)과, 상기 주사선(gate)의 연장설치 방향에 대하여 교차하는 방향으로 연장설치된 복수의 데이터선(sig)이 구성되고, 도 2에 도시된 바와 같이, 이들 데이터선(sig)과 주사선(gate)에 의해 매트릭스상으로 형성된 화소(7)로 구성되어 있다.
이들 화소(7)의 어느 것에도, 주사선(gate)을 거쳐 주사신호가 게이트전극(21)(제1 게이트전극)에 공급되는 제1 TFT(20)로 구성되어 있다. 이 TFT(20)의 소스 드레인영역의 한쪽은, 데이터선(sig)에 전기적으로 접속하고, 다른 쪽은 전위유지전극(st)에 전기적으로 접속하고 있다. 주사선(gate)에 대해서는 용량선(cline)이 병렬 배치되고, 이 용량선(cline)과 전위유지전극(st)과의 사이에는 유지용량(cap)이 형성되어 있다. 따라서, 주사신호에 의해서 선택되어 제1 TFT(20)가 온(on)상태가 되면, 데이터선(sig)에서 화상신호가 제1 TFT(20)를 거쳐 유지용량(cap)에 기입된다.
전위유지전극(st)에는 제2 TFT(30)의 게이트전극(31)(제2 게이트전극)이 전기적으로 접속하고 있다. 이 TFT(30)의 소스 드레인영역의 한쪽은 공통급전선(com)에 전기적으로 접속하는 한편, 다른 쪽은 발광소자(40)의 한편의 전극(후술하는 화소전극)에 전기적으로 접속하고 있다. 공통급전선(com)은 정전위로 유지되어 있다. 따라서, 제2 TFT(30)가 온 상태로 되었을 때에, 이 TFT를 거쳐 공통급전선(com)의 전류가 발광소자(40)로 흘러, 발광소자(40)를 발광시킨다.
본 예에서는, 공통급전선(com)의 양측에, 상기 공통급전선(com)과의 사이에서 구동전류의 공급이 행하여지는 복수의 화소(7)가 배치되고, 이들 화소(7)에 대하여 공통급전선(com)과는 반대측을 두 가닥의 데이터선(sig)이 통과하고 있다. 즉, 데이터선(sig), 그것에 접속하는 화소군, 한 가닥의 공통급전선(com), 그것에 접속하는 화소군, 및 상기 화소군에 화소신호를 공급하는 데이터선(sig)을 하나의 단위로서 그것을 주사선(gate)의 연장설치 방향으로 되풀이하고 있고, 공통급전선(com)은 한 가닥으로 2열 분의 화소(7)에 대하여 구동전류를 공급한다.
그래서, 본 예에서는, 공통급전선(com)을 사이에 두고 배치된 2개의 화소(7)의 사이에서는 제1 TFT(20), 제2 TFT(30), 및 발광소자(40)가 상기 공통급전선(com)을 중심으로 선대칭으로 배치되어, 이들 소자와 각 배선층과의 전기적인 접속을 용이한 것으로 하여두었다.
이와 같이, 본 예에서는, 한 가닥의 공통급전선(com)에서 2열 분의 화소를 구동하므로, 1열의 화소군마다 공통급전선(com)을 형성하는 경우와 비교하여, 공통급전선(com)의 수가 1/2로 됨과 동시에, 동일한 층 사이에서 형성되는 공통급전선(com)과 데이터선(sig)과의 사이에 확보해두었던 간극(間隙)이 불필요하다. 그 때문에, 투명기판(10) 상에 있어서 배선을 위한 영역을 좁게 할 수가 있기 때문에, 그 만큼, 각 화소영역에 있어서의 발광면적의 비율을 높일 수 있어, 휘도, 콘트라스트비 등의 표시성능을 향상시킬 수 있다.
또, 이와 같이 한 가닥의 공통급전선(com)에 2열 분의 화소가 접속하는 구성으로 하였기 때문에, 데이터선(sig)은 두 가닥씩 병렬하는 상태에 있고, 각각의 열의 화소군에 대하여 화상신호를 공급하게 된다.
(화소의 구성)
이와 같이 구성한 표시장치(1)의 각 화소(7)의 구조를 도 3 내지 도 6a를 참조하여 상세히 기술한다.
도 3은, 본 예의 표시장치(1)에 형성되어 있는 복수의 화소(7) 중 3개의 화소(7)를 확대하여 나타내는 평면도, 도 4, 도 5, 도 6a는, 각각은 그 A-A′선에 있어서의 단면도, B-B′선에 있어서의 단면도, 및 C-C′선에 있어서의 단면도이다.
우선, 도 3에 있어서의 A-A′선에 상당하는 위치에서는, 도 4에 도시된 바와 같이, 투명기판(10) 상에는 각 화소(7)의 각각에, 제1 TFT(20)를 형성하기 위한 섬 모양의 실리콘막(200)이 형성되고, 그 표면에는 게이트절연막(50)이 형성되어 있다. 또한, 게이트절연막(50)의 표면에는 게이트전극(21)(주사선(gate)의 일부)이 형성되고, 상기 게이트전극(21)에 대하여 자기정합적으로 소스 드레인영역(22, 23)이 형성되어 있다. 게이트절연막(50)의 표면 측에는 제1 층간절연막(51)이 형성되고, 이 층간절연막에 형성된 콘택트 홀(61, 62)을 거쳐 소스 드레인영역(22, 23)에는 데이터선(sig), 및 전위유지전극 st가 각각 전기적으로 접속하고 있다.
각 화소(7)에는 주사선(gate)과 병렬하도록, 주사선(gate)나 게이트전극(21)과 동일한 층간(게이트절연막(50)과 제1 층간절연막(51)과의 사이)에는 용량선(cline)이 형성되어 있고, 이 용량선(cline)에 대해서는, 제1 층간절연막(51)을 거쳐 전위유지전극 st의 연장설치 부분(st(1))이 겹쳐져 있다. 이 때문에, 용량선(cline)과 전위유지전극 st의 연장설치 부분(st(1))과는, 제1 층간절연막(51)을 유전체막으로 하는 유지용량(cap)을 구성하고 있다. 또, 전위유지전극(st) 및 데이터선(sig)의 표면 측에는 제2 층간절연막(52)이 형성되어 있다.
도 3에 있어서의 B-B′선에 상당하는 위치에서는, 도 5에 도시된 바와 같이, 투명기판(10) 상에 형성된 제1 층간절연막(51) 및 제2 층간절연막(52)의 표면에 각 화소(7)에 대응하는 데이터선(sig)이 두 가닥 병렬하고 있는 상태에 있다.
도 3에 있어서의 C-C′선에 상당하는 위치에서는, 도 6a에 도시된 바와 같이, 투명기판(10) 상에는 공통급전선(com)을 사이에 두는 2개의 화소(7)에 걸쳐지도록, 제2 TFT(30)를 형성하기 위한 섬 모양의 실리콘막(300)이 형성되고, 그 표면에는 게이트절연막(50)이 형성되어 있다. 게이트절연막(50)의 표면에는, 공통급전선(com)을 사이에 두고, 각 화소(7)의 각각에 게이트전극(31)이 각각 형성되고, 이 게이트전극(31)에 자기정합적으로 소스 드레인영역(32, 33)이 형성되어 있다. 게이트절연막(50)의 표면 측에는 제1 층간절연막(51)이 형성되며, 이 층간절연막에 형성된 콘택트 홀(63)을 거쳐, 소스 드레인영역(32)에 중계전극(35)이 전기적으로 접속하고 있다. 한편, 실리콘막(300)의 중앙부분에서 2개의 화소(7)에 있어서 공통의 소스 드레인영역(33)이 되는 부분에 대해서는, 제1 층간절연막(51)의 콘택트 홀(64)을 거쳐, 공통급전선(com)이 전기적으로 접속하고 있다. 이들 공통급전선(com), 및 중계전극(35)의 표면 측에는 제2 층간절연막(52)이 형성되어 있다. 제2 층간절연막(52)의 표면 측에는 ITO막으로 이루어진 화소전극(41)이 형성되어 있다. 이 화소전극(41)은, 제2 층간절연막(52)에 형성된 콘택트 홀(65)을 거쳐 중계전극(35)에 전기적으로 접속하여, 이 중계전극(35)을 거쳐 제2 TFT(30)의 소스 드레인영역(32)에 전기적으로 접속하고 있다.
여기서, 화소전극(41)은 발광소자(40)의 한편의 전극을 구성하고 있다. 즉, 화소전극(41)의 표면에는 정공 주입층(42) 및 유기반도체막(43)이 적층되고, 나아가 유기반도체막(43)의 표면에는, 리튬함유 알루미늄, 칼슘 등의 금속막으로 이루어진 대향전극(op)이 형성되어 있다. 이 대향전극(op)은, 적어도 화소영역 상에, 혹은 스트라이프(stripe)상으로 형성된 공통의 전극이고, 일정한 전위로 유지되어 있다.
이와 같이 구성된 발광소자(40)에서는, 대향전극(op) 및 화소전극(41)을 각각 양극 및 음극으로 하여서 전압이 인가되고, 도 7에 도시된 바와 같이, 인가전압이 임계값 전압을 넘은 영역에서 유기반도체막(43)에 흐르는 전류(구동전류)가 급격히 증대한다. 그 결과, 발광소자(40)는 일렉트로 루미네선스소자 혹은 LED소자로서 발광하고, 발광소자(40)의 빛은 대향전극(op)에 반사되며, 투명한 화소전극(41) 및 투명기판(10)을 투과하여 출사된다.
이러한 발광을 하기 위한 구동전류는, 대향전극(op), 유기반도체막(43), 정공 주입층(42), 화소전극(41), 제2 TFT(30), 및 공통급전선(com)으로 구성되는 전류경로를 흐르기 때문에, 제2 TFT(30)가 오프 상태가 되면, 흐르지 않게 된다. 본 예의 표시장치(1)에서는, 주사신호에 의해서 선택되어 제1 TFT(20)가 온 상태가 되면, 데이터선(sig)에서 화상신호가 제1 TFT(20)를 거쳐 유지용량(cap)에 기입된다. 따라서, 제2 TFT(30)의 게이트전극은, 제1 TFT(20)가 오프 상태로 되어도, 유지용량(cap)에 의해서 화상신호에 상당하는 전위로 유지되기 때문에, 제2 TFT(30)는 온 상태 그대로이다. 그 때문에, 발광소자(40)에는 구동전류가 계속 흐르고, 이 화소는 점등상태 그대로이다. 이 상태는, 새로운 화상데이터가 유지용량(cap)에 기입되고, 제2 TFT(30)는 오프 상태가 될 때까지 유지된다.
(표시장치의 제조방법)
이와 같이 구성한 표시장치(1)의 제조방법에 있어서, 투명기판(10) 상에 제1 TFT(20) 및 제2 TFT(30)를 제조하기까지의 공정은, 액정표시장치(1)의 액티브 매트릭스기판을 제조하는 공정과 대략 같기 때문에, 도 8a 내지 도 8g를 참조하여 그 개요를 설명한다.
도 8a 내지 도 8g는, 표시장치(1)의 각 구성부분을 형성하여 가는 과정을 모식적으로 나타내는 공정단면도이다.
즉, 도 8a에 도시된 바와 같이, 투명기판(10)에 대하여, 필요에 따라, TEOS(테트라에톡시실란)나 산소가스 등을 원료 가스로서 플라스마 CVD법에 의해 두께가 약 2000 내지 5000 옹스트롬의 실리콘산화막으로 이루어진 기초보호막(도시하지 않음.)을 형성한다. 다음으로 기판의 온도를 약 350℃로 설정하고, 기초보호막의 표면에 플라스마 CVD법에 의해 두께가 약 300 내지 700 옹스트롬의 어모퍼스의 실리콘막으로 이루어진 반도체막(100)을 형성한다. 다음으로 어모퍼스의 실리콘막으로 이루어진 반도체막(100)에 대하여, 레이저 어닐 또는 고상 성장법 등의 결정화공정을 행하여 반도체막(100)을 폴리실리콘막으로 결정화한다. 레이저 어닐법에서는, 예를 들면, 엑시머 레이저로 빔 형상의 길이가 400 mm인 라인 빔을 사용하고, 그 출력강도는 예를 들면 200 mJ/cm2이다. 라인 빔에 관해서는 그 짧은 치수 방향에 있어서의 레이저 강도의 피크 값의 90%에 상당하는 부분이 각 영역마다 겹치도록 라인 빔을 주사하여 간다.
다음으로, 도 8b에 도시된 바와 같이, 반도체막(100)을 패터닝하여 섬 모양의 반도체막(200, 300)으로 하고, 그 표면에 대하여, TEOS(테트라에톡시실란)나 산소가스 등을 원료 가스로서 플라스마 CVD법에 의해 두께가 약 600 내지 1500 옹스트롬의 실리콘산화막 또는 질화막으로 이루어진 게이트절연막(50)을 형성한다.
다음으로, 도 8c에 도시된 바와 같이, 알루미늄, 탄탈, 몰리브덴, 티타늄, 텅스텐 등의 금속막으로 이루어진 도전막을 스태터법에 의해 형성한 뒤, 패터닝하여, 주사선(gate)의 일부로서의 게이트전극(21, 31)을 형성한다. 이 공정에서는 용량선(cline)도 형성한다. 또, 도 중, (310)은 게이트전극(31)의 연장설치 부분이다.
이 상태에서 고농도의 인 이온 또는 붕소 이온을 박아 넣어, 실리콘박막(200, 300)에는 게이트전극(21, 31)에 대하여 자기정합적으로 소스 드레인영역(22, 23, 32, 33)을 형성한다. 또, 불순물이 도입되지 않았던 부분이 채널영역(27, 37)으로 된다.
다음으로, 도 8d에 도시된 바와 같이, 제1 층간절연막(51)을 형성한 뒤, 콘택트 홀(61, 62, 63, 64, 69)을 형성하고, 데이터선(sig), 용량선(cline) 및 게이트전극(31)의 연장설치 부분(310)에 겹치는 연장설치 부분(st(1))을 구비하는 전위유지전극(st), 공통급전선(com), 및 중계전극(35)을 형성한다. 그 결과, 전위유지전극(st)은 콘택트 홀(69) 및 연장설치 부분(310)을 거쳐 게이트전극(31)에 전기적으로 접속한다. 이렇게 하여 제1 TFT(20) 및 제2 TFT(30)를 형성한다. 또한, 용량선(cline)과 전위유지전극(st)의 연장설치 부분(st(1))에 의하여 유지용량(cap)이 형성된다.
다음으로, 도 8e에 도시된 바와 같이, 제2 층간절연막(52)을 형성하고, 이 층간절연막에는 중계전극(35)에 상당하는 부분에 콘택트 홀(65)을 형성한다. 다음으로, 제2 층간절연막(52)의 표면전체에 ITO 막을 형성한 뒤, 패터닝하여 콘택트 홀(65)을 거쳐 제2 TFT(30)의 소스 드레인영역(32)에 전기적으로 접속하는 화소전극(41)을 형성한다.
다음으로, 도 8f에 도시된 바와 같이, 제2 층간절연막(52)의 표면 측에 흑색의 레지스트층을 형성한 뒤, 이 레지스트를 발광소자(40)의 정공 주입층(42) 및 유기반도체막(43)을 형성해야 할 영역을 둘러싸도록 남기고, 뱅크층(bank)을 형성한다. 여기서, 유기반도체막(43)은, 각 화소마다 독립하여 형성되는 경우, 데이터선(sig)을 따라 스트라이프상으로 형성되는 경우 등의 어느 쪽의 형상이더라도, 그것에 대응하는 형상으로 뱅크층(bank)을 형성할 뿐으로, 본 예에 관련되는 제조방법을 적용할 수 있다.
다음으로, 뱅크층(bank)의 안쪽 영역에 대하여 잉크젯 헤드 IJ에서 정공 주입층(42)을 구성하기 위한 액상의 재료(전구동체)를 토출하여, 뱅크층(bank)의 안쪽 영역에 정공 주입층(42)을 형성한다. 마찬가지로, 뱅크층(bank)의 안쪽 영역에 대하여 잉크젯 헤드 IJ에서 유기반도체막(43)을 구성하기 위한 액상의 재료(전구동체)를 토출하여, 뱅크층(bank)의 안쪽 영역에 유기반도체막(43)을 형성한다. 여기서, 뱅크층(bank)은 레지스트로부터 구성되어 있기 때문에, 발수성이다. 이에 대하여, 유기반도체막(43)의 전(前)구동체는 주로 친수성의 용매를 사용하고 있기 때문에, 유기반도체막(43)의 도포 영역은 뱅크층(bank)에 의해서 확실히 규정되어, 인접하는 화소에 불거져 나가는 일이 없다.
이렇게 하여 유기반도체막(43)이나 정공 주입층(42)을 잉크젯법에 의해 형성하는 경우에는, 그 작업효율이나 사출 위치정밀도를 높이기 위해서, 본 예에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 주사선(gate)의 연장설치 방향을 따라 인접하는 어느 화소(7)의 사이에서도, 상기 유기반도체막(43)의 형성영역의 중심 피치 P를 같이 하여두었다. 따라서, 화살표 Q에서 나타내는 바와 같이, 주사선(gate)의 연장설치 방향을 따라 등간격의 위치에 잉크젯 헤드 IJ에서 유기반도체막(43)의 재료 등을 토출하면 되기 때문에, 작업효율이 좋다고 하는 이점이 있다. 또한, 잉크젯 헤드 IJ의 이동제어기구가 간단해짐과 동시에, 박아 넣기 위치정밀도도 향상한다.
이렇게 한 뒤에는, 도 8g에 도시된 바와 같이, 투명기판(10)의 표면 측에 대향전극(op)을 형성한다. 여기서, 대향전극(op)은 적어도 화소영역의 전면, 또는 스트라이프상으로 형성되지만, 대향전극(op)을 스트라이프상으로 형성하는 경우에는, 투명기판(10)의 표면전체에 금속막을 형성한 뒤, 그것을 스트라이프상으로 패터닝한다.
또, 뱅크층(bank)에 관해서는, 그것이 흑색의 레지스트로부터 구성되어 있기 때문에, 그대로 남겨, 이하에 설명하는 바와 같이, 블랙 매트릭스 BM, 및 기생용량을 감소시키기 위한 절연층으로서 이용한다.
도 1에 도시된 데이터측 구동회로(3)나 주사측 구동회로(4)에도 TFT가 형성되나, 이들 TFT는 상기의 화소(7)에 TFT를 형성하여 가는 공정의 전부 혹은 일부를 원용하여 행하여진다. 그 때문에, 구동회로를 구성하는 TFT도, 화소(7)의 TFT와 동일한 층간에 형성되게 된다.
또한, 상기 제1 TFT(20), 및 제2 TET(30)에 관해서는, 쌍방이 N형, 쌍방이 P형, 한편이 N형이고 다른 쪽이 P 형의 어느 하나라고 좋으나, 이와 같이 어느 하나의 조합이더라도, 주지의 방법으로 TFT를 형성하여 갈 수 있으므로, 그 설명을 생략한다.
(뱅크층의 형성영역)
본 예에서는, 도 1에 도시된 투명기판(10)의 주변영역의 전부에 대하여, 상기의 뱅크층(bank)(형성영역에 사선을 그어두었다.)를 형성한다. 따라서, 데이터측 구동회로(3) 및 주사측 구동회로(4)는 어느 것이나, 뱅크층(bank)에 의해서 덮여져 있다. 이 때문에, 이들 구동회로의 형성영역에 대하여 대향전극(op)이 겹치는 상태에 있더라도, 구동회로의 배선층과 대향전극(op)과의 사이에 뱅크층(bank)이 개재하게 된다. 그 때문에, 구동회로(3,4)에 용량이 기생하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 구동회로(3,4)의 부하를 줄일 수 있고, 저소비전력화 혹은 표시동작의 고속화를 도모할 수 있다.
또한, 본 예에서는, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 데이터선(sig)에 겹치도록 뱅크층(bank)을 형성하고 있다. 따라서, 데이터선(sig)과 대향전극(op)과의 사이에 뱅크층(bank)이 개재하는 것이 되기 때문에, 데이터선(sig)에 용량이 기생하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 데이터측 구동회로(3)의 부하를 줄일 수 있기 때문에, 저소비전력화 혹은 표시동작의 고속화를 도모할 수 있다.
여기서, 공통급전선(com)에는, 데이터선(sig)과 달리, 발광소자(40)를 구동하기 위한 큰 전류가 흐르고, 더구나, 2열 분의 화소에 대하여 구동전류를 공급한다. 이 때문에, 공통급전선(com)에 관해서는, 그 선 폭을 데이터선(sig)의 선 폭보다도 넓게 설정, 공통급전선(com)의 단위길이 당 저항치를 데이터선(sig)의 단위길이 당 저항치보다도 작게 하여 두었다. 그와 같은 설계조건하에서도, 본 예에서는, 공통급전선(com)에도 겹치도록 뱅크층(bank)을 형성하여 유기반도체막(43)의 형성영역을 규정할 때에 여기에 형성하는 뱅크층(bank)의 폭을, 두 가닥의 데이터선(sig)에 겹치는 뱅크층(bank)과 동일한 폭으로 함으로써, 상기와 같이, 주사선(gate)의 연장설치 방향을 따라 인접하는 어느 화소(7)의 사이에서도 유기반도체막(43)의 형성영역의 중심 피치 P를 같게 하는데 알맞은 구조가 된다.
나아가, 본 예에서는, 도 3, 도 4, 및 도 6a에 도시된 바와 같이, 화소전극(41)의 형성영역 중, 제1 TFT(20)의 형성영역 및 제2 TFT(30)의 형성영역과 겹치는 영역에도 뱅크층(bank)을 형성한다. 즉, 도 6b에 도시된 바와 같이, 중계전극(35)과 겹치는 영역에 뱅크층(bank)을 형성하지 않으면, 가령 대향전극(op)과의 사이에 구동전류가 흘러 유기반도체막(43)이 발광하여도, 이 빛은 중계전극(35)과 대향전극(op)에 끼워져 출사되지 않고, 표시에 기여하지 않는다. 이러한 표시에 기여하지 않는 부분에서 흐르는 구동전류는, 표시라는 면에서 보면 무효전류라고 할 수 있다. 그런데 본 예에서는, 이러한 무효전류가 흐르는 부분에 뱅크층(bank)을 형성하여 거기에 구동전류가 흐르는 것을 방지하기 때문에, 공통급전선(com)에 불필요한 전류가 흐르는 것이 방지할 수 있다. 그 때문에, 공통급전선(com)의 폭은 그 만큼 좁아도 된다.
또한, 상기와 같이 흑색의 레지스트로 구성한 뱅크층(bank)을 남겨 놓으면, 뱅크층(bank)은 블랙 매트릭스로서 기능하여, 휘도, 콘트라스트비 등의 표시의 품위가 향상한다. 즉, 본 예에 관련되는 표시장치(1)에서는, 대향전극(op)이 투명기판(10)의 표면 측의 전면, 혹은 넓은 영역에 걸쳐 스트라이프상으로 형성되기 때문에, 대향전극(op)에서의 반사광이 콘트라스트비를 저하시킨다. 그런데 본 예에서는, 유기반도체막(43)의 형성영역을 규정하면서 기생용량을 억제하는 기능을 갖는 뱅크층(bank)을 흑색의 레지스트로 구성하였기 때문에, 뱅크층(bank)은 블랙 매트릭스로서도 기능하여, 대향전극(op)에서의 반사광을 차단하기 때문에, 콘트라스트비가 높다고 하는 이점이 있다. 또한, 뱅크층(bank)을 이용하여 자기정합적으로 발광영역을 규정할 수 있기 때문에, 뱅크층(bank)을 블랙 매트릭스로서 사용하지 않고서 별도의 금속층 등을 블랙 매트릭스로서 사용하였을 때에 문제가 되는 발광영역과의 정렬여유가 불필요하다.
[상기 예의 개량 예]
상기 예에서는, 공통급전선(com)의 양측의 각각에, 상기 공통급전선(com)과의 사이에서 구동전류가 흐르는 화소(7)가 배치되고, 상기 화소(7)에 대하여 상기 공통급전선(com)과는 반대측을 두 가닥의 데이터선(sig)이 병렬하여 통과하고 있다. 따라서, 두 가닥의 데이터선(sig)의 사이에서 크로스토크가 발생할 우려가 있다. 그래서, 본 예에서는, 도 9, 도 10a, 도 10b에 도시된 바와 같이, 두 가닥의 데이터선(sig)의 사이에 상당하는 위치에 더미의 배선층 DA를 형성하여 두었다. 이 더미의 배선층 DA로서는, 예를 들면, 화소전극(41)과 동시 형성된 ITO막 DA(1)를 이용할 수가 있다. 또한, 더미의 배선층 DA로서는, 두 가닥의 데이터선(sig)의 사이에 용량선(cline)에서의 연장설치 부분 DA(2)를 구성하여도 된다. 이들 쌍방을 더미의 배선층 DA로서 사용하여도 된다.
이와 같이 구성하면, 병렬하는 두 가닥의 데이터선(sig)의 사이에는 그것들과는 별도의 배선층 DA가 통과하고 있기 때문에, 이러한 배선층 DA(DA1, DA2)를 화상의 적어도 1 수평주사기간 내에서 고정전위로 하여둘 뿐으로, 상기의 크로스토크를 방지할 수 있다. 즉, 제1 층간절연막(51) 및 제2 층간절연막(52)은, 막 두께가 대략 1μm인데 대하여, 두 가닥의 데이터선(sig) 2개의 간격은 약 2μm 이상이기 때문에, 각 데이터선(sig)와 더미의 배선층 DA(DA1, DA2)와의 사이에 구성되는 용량과 비교하여, 두 가닥의 데이터선(sig)에 사이에 구성되는 용량은 충분히 무시할 수 있을 만큼 작다. 그 때문에, 데이터선(sig)에서 샌 고주파수의 신호는 더미의 배선층 DA 및 DA(2)로 흡수되기 때문에, 두 가닥의 데이터선(sig)의 사이에서의 크로스토크를 방지할 수 있다.
또한, 복수의 데이터선(sig) 중, 인접하는 두 가닥의 데이터선(sig)의 사이에서는, 화상신호의 샘플링을 동일한 타이밍으로 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 구성하면, 두 가닥의 데이터선(sig)의 사이에서 샘플링 시의 전위변화가 동시에 일어나기 때문에, 이들 두 가닥의 데이터선(sig)의 사이에 있어서의 크로스토크를 보다 확실히 방지할 수 있다.
[유지용량의 별도의 구성예]
또, 상기 예에서는, 유지용량(cap)을 구성하는 데 용량선(cline)을 형성하였으나, 종래 기술로 설명한 바와 같이, TFT을 구성하기 위한 폴리실리콘막을 이용하여 유지용량(cap)을 구성하여도 된다.
또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 공통급전선(com)과 전위유지전극 st와의 사이에 유지용량(cap)을 구성하여도 된다. 이 경우에는, 도 12a, 도 12b에 도시된 바와 같이, 전위유지전극(st)과 게이트전극(31)을 전기적으로 접속시키기 위한 게이트전극(31)의 연장설치 부분(310)을 공통급전선(com)의 하층 측에까지 확장하여, 이 연장설치 부분(310)과 공통급전선(com)과의 사이에 위치하는 제1 층간절연막(51)을 유전체막으로서 유지용량(cap)을 구성하면 된다.
[실시예 2]
상기의 실시예 1에서는, 어느 화소(7)에 있어서도 동일한 극성의 구동전류로 발광소자(40)를 구동하는 구성이었으나, 이하에 설명하는 바와 같이, 동일한 공통급전선(com)과의 사이에서 구동전류의 통전이 행하여지는 복수의 화소(7)에는, 극성이 반전한 구동전류에 의해 발광소자(40)의 구동이 행하여지는 2종류의 화소(7)가 동수 포함되도록 구성하여도 된다.
이러한 구성예를, 도 13 내지 도 17을 참조하여 설명한다. 도 13은, 극성이 반전한 구동전류로 발광소자(40)가 구동되는 2종류의 화소를 구성한 형태의 블록도이다. 도 14 및 도 15는, 각각 극성이 반전한 구동전류로 발광소자(40)를 구동할 때의 주사신호, 화상신호, 공통급전선의 전위, 및 전위유지전극의 전위의 설명도이다.
본 예 및 후술하는 예의 어느 것에 있어서도, 도 13에 도시된 바와 같이, 극성이 반전한 구동전류 i에서 발광소자(40)를 구동하는 데에 있어서, 화살표 E로 나타내는 바와 같이 공통급전선(com)에서 구동전류가 흐르는 화소(7A)에서는, 제1 TFT(20)를 n채널형으로 구성, 화살표 F로 나타내는 바와 같이 공통급전선(com)을 향하여 구동전류가 흐르는 화소(7B)에서는, 제1 TFT(20)를 p채널형으로 구성하여 두었다. 이 때문에, 이들 2종류의 화소(7A, 7B)의 각각 주사선 gate A, gate B를 구성한다. 또한, 본 예에서는, 화소(7A)의 제2 TFT(30)를 p채널형으로 구성하는 한편, 화소(7B)의 제2 TFT(30)를 n채널형으로 구성하여, 어느 화소(7A, 7B)에 있어서도, 제1 TFT(20)와 제2 TFT(30)를 역도전형으로 하고 있다. 따라서, 화소(7A)에 대응하는 데이터선(sig A)과, 화소(7B)에 대응하는 데이터선(sig B)을 거쳐 각각 공급되는 화상신호에 관해서도, 후술하는 바와 같이, 그 극성을 반전시키고 있다.
나아가, 각 화소(7A, 7B)에서는, 극성이 반전한 구동전류 i에서 발광소자(40)를 각각 구동하는 것으로부터, 후술하는 바와 같이, 대향전극(op)의 전위에 관해서도, 공통급전선(com)의 전위를 기준으로 하였을 때에 역극성이 되도록 구성할 필요가 있다. 따라서, 대향전극(op)에 관해서는, 극성이 동일한 구동전류 i가 흐르는 화소(7A, 7B)끼리를 접속하도록 구성하여, 각각에 소정의 전위를 인가하게 된다.
그 때문에, 도 14 및 도 15의 각각에는, 화소(7A, 7B)에 대하여, 주사선(gate A, gate B)을 거쳐 공급되는 주사신호의 파형(波形), 데이터선(sig A, sig B)을 거쳐 공급되는 화상신호의 파형, 대향전극(op)의 전위, 및 전위유지전극(st A, st B)의 전위를, 공통급전선(com)의 전위를 기준으로 나타내어 둔 바와 같이, 화소(7A, 7B)의 사이에 있어서, 각 신호는 점등기간 및 소등기간의 어느 것에 있어서도 역극성이 되도록 설정되어 있다.
또한, 도 16a 및 도 16b에 도시된 바와 같이, 각 화소(7A, 7B)에는, 다른 구조의 발광소자(40A, 40B)로 구성된다. 즉, 화소(7A)에 형성되는 발광소자(40A)는, 하층 측에서 상층 측으로 향하여, ITO막으로 이루어진 화소전극(41), 정공 주입층(42), 유기반도체막(43), 대향전극(op A)이 이 순서대로 적층되어 있다. 이에 대하여, 화소(7B)에 형성되는 발광소자(40B)는, 하층 측에서 상층 측을 향하여, ITO막으로 이루어진 화소전극(41), 투광성을 가질수록 얇은 리튬함유 알루미늄전극(45), 유기반도체층(43), 정공 주입층(42), ITO막층(46), 대향전극(op B)이 이 순서로 적층되어 있다. 따라서, 발광소자(40A, 40B)의 사이에서는, 각각 역극성의 구동전류가 흐른다고 하여도, 정공 주입층(42) 및 유기반도체층(42)이 직접 접하는 전극층의 구성이 동일하기 때문에, 발광소자(40A, 40B)의 발광특성은 동등하다.
이러한 2종류의 발광소자(40A, 40B)를 형성하는데 있어서, 쌍방의 유기반도체막(43) 및 정공 주입층(42)은 어느 것이나, 잉크젯법에 의해 뱅크층(bank)의 안쪽에 형성하기 때문에, 상하위치가 반대이더라도 제조공정이 복잡하게 되는 일은 없다. 또한, 발광소자(40B)에서는, 발광소자(40A)와 비교하여, 투광성을 가질수록 얇은 리튬함유 알루미늄전극(45), 및 ITO막층(46)을 추가하게 되나, 그래도, 리튬함유 알루미늄전극(45)은 화소전극(41)과 같은 영역에서 적층하고 있는 구조로 되어도 표시에 지장이 없으며, ITO막층(46)도 대향전극(op B)과 같은 영역에서 적층하고 있는 구조로 되어 있더라도 표시에 지장이 없다. 그 때문에, 리튬함유 알루미늄전극(45)과 화소전극(41)과는 각각 따로따로 패터닝하여도 좋으나, 같은 레지스트 마스크로 일괄하여 패터닝하여도 된다. 마찬가지로, ITO막층(46)과 대향전극(op B)과는 따로따로 패터닝하여도 좋으나, 같은 레지스트 마스크로 일괄하여 패터닝하여도 된다. 리튬함유 알루미늄전극(45) 및 ITO막층(46)은 뱅크층(bank)의 안쪽 영역에만 형성하여도 되는 것은 물론이다.
이렇게 하여 각 화소(7A, 7B)에서 극성이 반전한 구동전류로 발광소자(40A, 40B)를 구동할 수 있도록 한 뒤에, 상기의 2종류의 화소(7A, 7B)를 도 17에 도시된 바와 같이 배치하고 있다. 이 도에 있어서, 부호(-)가 붙어있는 화소는, 도 13, 도 14, 도 16a에서 설명한 화소(7A)에 상당하고, 부호(+)가 붙어있는 화소는, 도 13, 도 15, 도 16b에서 설명한 화소(7B)에 상당한다. 또, 도 17에는, 주사선(gate A, gate B), 및 데이터선(sig A, sig B)의 도시를 생략하고 있다.
도 17에 도시된 바와 같이, 본 예에서는, 데이터선(sig A, sig B)의 연장설치 방향에서는 각 화소에 있어서의 구동전류의 극성이 동일하고, 주사선(gate A, gate B)의 연장설치 방향에서는 각 화소에 있어서의 구동전류의 극성이 1화소마다 반전하고 있다. 또, 각 화소에 대응하는 대향전극(op A, op B)의 형성영역을 각각 일점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 어느 하나의 대향전극(op A, op B)도 극성이 동일한 구동전류가 흐르는 화소(7A, 7B)끼리를 접속하도록 구성하고 있다. 즉, 대향전극(op A, op B)은, 데이터선(sig A, sig B)의 연장설치 방향을 따라 스트라이프상으로 따로따로 형성되고, 대향전극(op A, op B)의 각각에는 공통급전선(com)의 전위를 기준으로 한 때에 마이너스 전위, 및 플러스 전위가 인가된다.
따라서, 각 화소(7A, 7B)와 공통급전선(com)과의 사이에는, 도 13에 화살표 E, F로 나타내는 방향의 구동전류 i가 흐르게 된다. 이 때문에, 공통급전선(com)을 실질적으로 흐르는 전류는, 극성이 다른 구동전류 i의 사이에서 상쇄되기 때문에, 공통급전선(com)에 흐르는 구동전류가 작아도 된다. 따라서, 공통급전선(com)을 그 만큼, 가늘게 할 수 있기 때문에, 화소(7A, 7B)에 있어서 화소영역의 발광영역 비율을 높일 수 있고, 휘도, 콘트라스트비 등의 표시성능을 향상시킬 수 있다.
[실시예 3]
또, 동일한 공통급전선(com)과의 사이에서 구동전류가 반대의 극성으로 흐르도록 화소를 배치한다고 하는 관점에서 보면, 각 화소를 도 18에 도시된 바와 같이 배치하여도 된다. 또, 본 예에서는, 각 화소(7A, 7B)의 구성 등이 실시예 2와 같기 때문에, 그 설명을 생략하고, 도 18, 및 이하에 설명하는 각 예를 설명하기 위한 도 19 내지 도 21에는, 도 13, 도 14, 도 16a에서 설명한 화소(7A)에 상당하는 화소를 부호(-)로 나타내며, 도 13, 도 15, 도 16b에서 설명한 화소(7B)에 상당하는 화소를 부호(+)로 나타내고 있다.
도 18에 도시된 바와 같이, 본 예에서는, 데이터선(sig A, sig B)의 연장설치 방향에서는 각 화소(7A, 7B)에 있어서의 구동전류의 극성이 동일하고, 주사선(gate A, gate B)의 연장설치 방향에서는 각 화소(7A, 7B)에 있어서의 구동전류의 극성이 2 화소마다 반전하도록 구성되어 있다.
이와 같이 구성한 경우에도, 각 화소(7A, 7B)와 공통급전선(com)과의 사이에는, 각각 도 13에 화살표 E, F에 도시된 방향의 구동전류 i가 흐르게 된다. 이 때문에, 공통급전선(com)을 흐르는 전류는 극성이 다른 구동전류 i의 사이에서 상쇄되기 때문에, 공통급전선(com)에 흐르는 구동전류가 작아도 된다. 따라서, 공통급전선(com)을 그 만큼, 가늘게 할 수가 있기 때문에, 화소영역의 화소(7A, 7B)에 있어서 화소영역의 발광영역 비율을 높일 수 있고, 휘도, 콘트라스트비 등의 표시성능을 향상시킬 수 있다. 그에 더하여, 본 예에서는, 주사선(gate A, gate B)의 연장설치 방향에 있어서 구동전류의 극성이 2 화소마다 반전하고 있기 때문에, 같은 극성의 구동전류로 구동되는 화소끼리라면, 서로 인접하는 2열의 화소에 대하여 공통의 대향전극(op A, op B)을 스트라이프상으로 형성하면 된다. 그 때문에, 대향전극(op A, op B)의 스트라이프 수를 1/2로 줄일 수 있다. 또한, 1화소마다의 스트라이프에 비하여, 대향전극(op A, op B)의 저항을 작게 할 수 있는 것으로부터, 대향전극(op A, op B)의 전압강하의 영향을 경감할 수 있다.
[실시예 4]
또한, 동일한 공통급전선(com)과의 사이에서 구동전류가 반대의 극성으로 흐르도록 화소를 배치한다고 하는 관점에서 보면, 각 화소를 도 19에 도시된 바와 같이 배치하여도 된다.
도 19에 도시된 바와 같이, 본 예에서는, 주사선(gate A, gate B)의 연장설치 방향에서는 각 화소(7A, 7B)에 있어서의 구동전류의 극성이 동일하고, 데이터선(sig A, sig B)의 연장설치 방향에서는 각 화소(7A, 7B)에 있어서의 구동전류의 극성이 1화소마다 반전하도록 구성되어 있다.
이와 같이 구성한 경우에도, 실시예 2 또는 3과 같이, 공통급전선(com)을 흐르는 전류는 극성이 다른 구동전류의 사이에서 상쇄되기 때문에, 공통급전선(com)에 흐르는 구동전류가 작아도 된다. 따라서, 공통급전선(com)을 그 만큼 가늘게 할 수 있기 때문에, 화소(7A, 7B)에 있어서 화소영역의 발광영역 비율을 높일 수 있고, 휘도, 콘트라스트비 등의 표시성능을 향상시킬 수 있다.
[실시예 5]
또한, 동일한 공통급전선(com)과의 사이에서 구동전류가 반대의 극성으로 흐르도록 화소를 배치한다고 하는 관점에서 보면, 각 화소를 도 20에 도시된 바와 같이 배치하여도 된다.
도 20에 도시된 바와 같이, 본 예에서는, 주사선(gate A, gate B)의 연장설치 방향에서는 각 화소(7A, 7B)에 있어서의 구동전류의 극성이 동일하고, 데이터선(sig A, sig B)의 연장설치 방향에서는 각 화소(7A, 7B)에서의 구동전류의 극성이 2화소마다 반전하도록 구성되어 있다.
이와 같이 구성한 경우에는, 실시예 3과 같이 공통급전선(com)을 흐르는 전류는, 극성이 다른 구동전류의 사이에서 상쇄되기 때문에, 공통급전선(com)에 흐르는 구동전류가 작아도 된다. 따라서, 공통급전선(com)을 그 만큼 가늘게 할 수 있기 때문에, 화소(7A, 7B)에 있어서 화소영역의 발광영역 비율을 높일 수 있고, 휘도, 콘트라스트비 등의 표시성능을 향상시킬 수 있다. 그에 더하여, 본 예에서는, 데이터선(sig A, sig B)의 연장설치 방향에 있어서 구동전류의 극성이 2화소마다 반전하고 있기 때문에, 같은 극성의 구동전류로 구동되는 화소끼리라면, 서로 인접하는 2열의 화소에 대하여 공통의 대향전극(op A, op B)를 스트라이프상으로 형성하면 된다. 그 때문에, 대향전극(op A, op B)의 스트라이프 수를 1/2로 줄일 수 있다. 또한, 1화소마다의 스트라이프에 비하여, 대향전극(op A, op B)의 저항을 작게 할 수 있는 것으로부터, 대향전극(op A, op B)의 전압강하의 영향을 경감할 수 있다.
[실시예 6]
또한, 동일한 공통급전선(com)과의 사이에서 구동전류가 반대의 극성으로 흐르도록 화소를 배치한다고 하는 관점에서 보면, 각 화소를 도 21에 도시된 바와 같이 배치하여도 된다.
도 21에 도시된 바와 같이, 본 예에서는, 주사선(gate A, gate B)의 연장설치 방향 및 데이터선(sig A, sig B)의 연장설치 방향중 어느 쪽 방향에서도, 각 화소(7A, 7B)에 있어서의 구동전류의 극성이 1화소마다 반전하도록 구성되어 있다.
이와 같이 구성한 경우에도, 실시예 2 내지 4와 같이 공통급전선(com)을 흐르는 전류는 극성이 다른 구동전류의 사이에서 상쇄되기 때문에, 공통급전선(com)에 흐르는 구동전류가 작아도 된다. 따라서, 공통급전선(com)을 그 만큼, 가늘게 할 수가 있기 때문에, 화소(7A, 7B)에 있어서 발광영역 비율을 높일 수 있고, 휘도, 콘트라스트비 등의 표시성능을 향상시킬 수 있다.
이와 같이 화소(7A, 7B)를 배치하면, 스트라이프상의 대향전극(op A, op B)에서는 대응할 수 없으나, 그래도, 각 화소(7A, 7B)마다 대향전극(op A, op B)을 형성함과 동시에, 각 대향전극(op A, op B)끼리를 배선층으로 배선 접속하는 구성으로 하면 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관련되는 표시장치에서는, 공통급전선의 양측에 상기 공통급전선과의 사이에서 구동전류의 통전이 행하여지는 화소가 배치되어 있기 때문에, 2열 분의 화소에 대하여 한 가닥의 공통급전선으로 된다. 그 때문에, 1열의 화소군마다 공통급전선을 형성하는 경우와 비교하여 공통급전선의 형성영역을 좁힐 수 있기 때문에, 그 만큼 화소에 있어서 발광영역 비율을 높일 수 있고, 휘도, 콘트라스트비 등의 표시성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 동일한 상기 공통급전선과의 사이에서 상기 구동전류의 통전이 행하여지는 복수의 화소에, 극성이 반전한 구동전류에 의해 상기 발광소자의 구동이 행하여지는 2종류의 화소가 포함되어 있는 경우에는, 한 가닥의 공통급전선에 있어서, 공통급전선으로부터 발광소자로 흐르는 구동전류와, 그것과는 역방향으로 발광소자로부터 공통급전선으로 흐르는 구동전류가 상쇄되기 때문에, 공통급전선에 흐르는 구동전류가 작아도 된다. 따라서, 공통급전선을 그 만큼 가늘게 할 수가 있기 때문에, 화소에 있어서 발광영역 비율을 높일 수 있고, 휘도, 콘트라스트비 등의 표시성능을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명을 적용한 표시장치, 및 그것에 형성한 뱅크층의 형성영역을 모식적으로 나타내는 설명도.
도 2는 본 발명을 적용한 표시장치의 기본적인 구성을 나타내는 블록도.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 관련되는 표시장치의 화소를 확대하여 나타내는 평면도.
도 4는 도 3의 A-A′선에 있어서의 단면도.
도 5는 도 3의 B-B′선에 있어서의 단면도.
도 6a는 도 3의 C-C′선에 있어서의 단면도, 도 6b는 뱅크층의 형성영역을 중계전극을 덮을 때까지 확장하지 않는 구조의 단면도.
도 7은 도 1에 도시된 표시장치에 사용한 발광소자의 I-V 특성을 나타내는 그래프.
도 8a 내지 도 8g는 본 발명을 적용한 표시장치의 제조방법을 나타내는 공정단면도.
도 9는 도 1에 도시된 표시장치의 개량 예를 나타내는 블록도.
도 10a는 도 9에 도시된 표시장치에 형성한 더미의 배선층을 나타내는 단면도, 도 10b는 그 평면도.
도 11은 도 3에 도시된 표시장치의 변형예를 나타내는 블록도.
도 12a는 도 11에 도시된 표시장치에 형성한 화소를 확대하여 나타내는 평면도, 도 12b는 그 단면도.
도 13은 본 발명의 실시예 2에 관련되는 표시장치에 구성한 구동전류가 반전한 2개의 화소의 구성을 나타내는 등가회로도.
도 14는 도 13에 도시된 2개의 화소 중 한편의 화소를 구동하기 위한 각 신호의 파형도.
도 15는 도 13에 도시된 2개의 화소 중의 다른 쪽 화소를 구동하기 위한 각 신호의 파형도.
도 16a 및 도 16b는 도 13에 도시된 2개의 화소에 구성되는 발광소자의 구성을 나타내는 단면도.
도 17은 도 13에 도시된 표시장치에 있어서의 화소의 배치를 나타내는 설명도.
도 18은 본 발명의 실시예 3에 관련되는 표시장치에 있어서의 화소의 배치를 나타내는 설명도.
도 19는 본 발명의 실시예 4에 관련되는 표시장치에 있어서의 화소의 배치를 나타내는 설명도.
도 20은 본 발명의 실시예 5에 관련되는 표시장치에 있어서의 화소의 배치를 나타내는 설명도.
도 21은 본 발명의 실시예 6에 관련되는 표시장치에 있어서의 화소의 배치를 나타내는 설명도.
도 22는 종래의 표시장치의 블록도.
도 23a는 도 22에 도시된 표시장치에 형성한 화소를 확대하여 나타내는 평면도, 도 23b는 그 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 표시장치 2 : 표시부
3 : 데이터측 구동회로 4 : 주사측 구동회로
5 : 검사회로 6 : 실장용 패드
7, 7A, 7B : 화소 10 : 투명기판
20 : 제1 TFT 21 : 제1 TFT의 게이트전극
30 : 제2 TFT 31 : 제2 TFT의 게이트전극
40, 40A, 40B : 발광소자 41 : 화소전극
42 : 정공 주입층 43 : 유기반도체막
45 : 얇은 리튬함유 알루미늄전극 46 : ITO막층
50 : 게이트절연막 51 : 제1 층간절연막
52 : 제2 층간절연막 DA : 더미의 배선층
bank : 뱅크층 cap : 유지용량
cline : 용량선 com : 공통급전선
gate, gate A, gate B : 주사선 op, op A, op B : 대향전극
sig, sig A, sig B : 데이터선 st, st A, st B : 전위유지전극

Claims (7)

  1. 복수의 주사선과, 복수의 데이터선과, 복수의 공통급전선과, 상기 각 주사선과 상기 각 데이터선의 교차에 대응하여 설치되는 복수의 화소를 갖고,
    상기 각 화소는,
    상기 복수의 주사선 중의 1개에 게이트 전극이 접속된 제 1 박막 트랜지스터와,
    상기 제 1 박막 트랜지스터를 통하여 상기 복수의 데이터선 중의 1개에서 공급되는 신호를 유지하는 유지 용량과,
    상기 유지 용량에 게이트 전극이 접속된 제 2 박막 트랜지스터와,
    화소 전극이 상기 복수의 공통급전선 중의 대응하는 공통급전선과 전기적으로 접속될 때에, 상기 화소 전극과 상기 화소 전극에 대향하는 대향 전극과의 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광하는 유기 반도체막을 갖는 발광 소자를 갖고,
    상기 공통급전선의 폭은 상기 데이터선의 폭보다도 넓은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 복수의 주사선과, 복수의 데이터선과, 복수의 공통급전선과, 상기 각 주사선과 상기 각 데이터선의 교차에 대응하여 설치되는 복수의 화소를 갖고,
    상기 각 화소는,
    상기 복수의 주사선 중의 1개에 게이트 전극이 접속된 제 1 박막 트랜지스터와,
    상기 제 1 박막 트랜지스터를 통하여 상기 복수의 데이터선 중의 1개에서 공급되는 신호를 유지하는 유지 용량과,
    상기 유지 용량에 게이트 전극이 접속된 제 2 박막 트랜지스터와,
    화소 전극이 상기 복수의 공통급전선 중의 대응하는 공통급전선과 전기적으로 접속될 때에, 상기 화소 전극과 상기 화소 전극에 대향하는 대향 전극과의 사이에 흐르는 구동전류에 의해 발광하는 유기 반도체막을 갖는 발광 소자를 갖고,
    상기 공통급전선의 폭은 상기 주사선의 폭보다도 넓은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유기 반도체막은 뱅트층에 둘러싸여 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 공통급전선의 양측에, 해당 공통급전선과의 사이에서 상기 구동 전류의 통전이 행해지는 화소가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 호소에 대하여 상기 공통급전선과는 반대측에 상기 데이터선이 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 뱅크층의 적어도 일부가 상기 공통급전선을 덮는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 뱅크층의 적어도 일부가 상기 복수의 데이터선 중의 1개를 덮는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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Families Citing this family (208)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1255240B1 (en) * 1997-02-17 2005-02-16 Seiko Epson Corporation Active matrix electroluminescent display with two TFTs and storage capacitor in each pixel
US6462722B1 (en) * 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JP3580092B2 (ja) * 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
WO1999010862A1 (fr) * 1997-08-21 1999-03-04 Seiko Epson Corporation Afficheur a matrice active
JP3692844B2 (ja) * 1998-07-24 2005-09-07 セイコーエプソン株式会社 電界発光素子、及び電子機器
US6489952B1 (en) * 1998-11-17 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type semiconductor display device
TW468269B (en) * 1999-01-28 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab Serial-to-parallel conversion circuit, and semiconductor display device employing the same
JP2000284752A (ja) 1999-01-29 2000-10-13 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2000231346A (ja) 1999-02-09 2000-08-22 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4334045B2 (ja) * 1999-02-09 2009-09-16 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
EP1031873A3 (en) * 1999-02-23 2005-02-23 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
EP1041641B1 (en) * 1999-03-26 2015-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. A method for manufacturing an electrooptical device
US6512504B1 (en) * 1999-04-27 2003-01-28 Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. Electronic device and electronic apparatus
US7288420B1 (en) * 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
US6504592B1 (en) * 1999-06-16 2003-01-07 Nec Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing the same and method of driving the same
JP5210473B2 (ja) * 1999-06-21 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2001035663A (ja) * 1999-07-27 2001-02-09 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置及びその製造方法
JP2001035662A (ja) * 1999-07-27 2001-02-09 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置及びその製造方法
JP4472073B2 (ja) 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP4530450B2 (ja) * 1999-09-29 2010-08-25 三洋電機株式会社 Ｅｌ表示装置
JP2001100696A (ja) 1999-09-29 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリックス型ｅｌ表示装置
TW535454B (en) * 1999-10-21 2003-06-01 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US6587086B1 (en) 1999-10-26 2003-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US6580094B1 (en) * 1999-10-29 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro luminescence display device
US6384427B1 (en) * 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP4596582B2 (ja) * 1999-11-05 2010-12-08 三洋電機株式会社 表示装置
JP2001148291A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
US6750835B2 (en) * 1999-12-27 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image display device and driving method thereof
JP4759719B2 (ja) * 2000-02-01 2011-08-31 モトローラ ソリューションズ インコーポレイテッド 光放出装置および製造方法
JP4758163B2 (ja) * 2000-02-03 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US6559594B2 (en) * 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
TW525305B (en) 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
TW495854B (en) * 2000-03-06 2002-07-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
US6847341B2 (en) 2000-04-19 2005-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and method of driving the same
JP2002033185A (ja) * 2000-05-06 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置および電気器具
TW554638B (en) * 2000-05-12 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US8610645B2 (en) 2000-05-12 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4637873B2 (ja) * 2000-05-12 2011-02-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4963145B2 (ja) * 2000-05-18 2012-06-27 株式会社半導体エネルギー研究所 電子装置及び電子機器
TW521256B (en) 2000-05-18 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device and method of driving the same
JP4593740B2 (ja) * 2000-07-28 2010-12-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 表示装置
US6825820B2 (en) * 2000-08-10 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US7430025B2 (en) 2000-08-23 2008-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Portable electronic device
US6739931B2 (en) 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
CN100481159C (zh) * 2000-09-29 2009-04-22 三洋电机株式会社 半导体器件以及显示装置
JP3594126B2 (ja) 2000-10-13 2004-11-24 日本電気株式会社 電流駆動回路
SG111923A1 (en) * 2000-12-21 2005-06-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2002215063A (ja) * 2001-01-19 2002-07-31 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置
US6717359B2 (en) 2001-01-29 2004-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2002244617A (ja) * 2001-02-15 2002-08-30 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ画素回路
JP3612494B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-19 株式会社日立製作所 表示装置
JP3608614B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
JP3788916B2 (ja) * 2001-03-30 2006-06-21 株式会社日立製作所 発光型表示装置
JP2002366057A (ja) * 2001-06-11 2002-12-20 Toshiba Corp 表示装置
JP3810725B2 (ja) 2001-09-21 2006-08-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
CN101009322B (zh) * 2001-11-09 2012-06-27 株式会社半导体能源研究所 发光器件
JP4031291B2 (ja) * 2001-11-14 2008-01-09 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
JP3983037B2 (ja) * 2001-11-22 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
JP4050503B2 (ja) * 2001-11-29 2008-02-20 株式会社日立製作所 表示装置
US6949883B2 (en) 2001-12-06 2005-09-27 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and an electronic apparatus
JP3733947B2 (ja) * 2001-12-11 2006-01-11 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
CN1245703C (zh) 2001-12-11 2006-03-15 精工爱普生株式会社 显示装置及其电子机器
JP3627739B2 (ja) * 2001-12-11 2005-03-09 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
KR100426031B1 (ko) * 2001-12-29 2004-04-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
CN101673508B (zh) 2002-01-18 2013-01-09 株式会社半导体能源研究所 发光器件
CN100543180C (zh) * 2002-03-08 2009-09-23 佳能株式会社 有机半导体膜的图案形成方法
US7579771B2 (en) 2002-04-23 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7786496B2 (en) 2002-04-24 2010-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2003317971A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
KR20030086166A (ko) * 2002-05-03 2003-11-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
KR100465883B1 (ko) * 2002-05-03 2005-01-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
US7897979B2 (en) 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP3977299B2 (ja) 2002-09-18 2007-09-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、マトリクス基板、及び電子機器
CN101355098A (zh) * 2002-09-25 2009-01-28 精工爱普生株式会社 电光装置、矩阵基板以及电子设备
JP3922374B2 (ja) 2002-09-25 2007-05-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、マトリクス基板、及び電子機器
JP2006113597A (ja) * 2002-09-25 2006-04-27 Seiko Epson Corp 発光装置
JP2004145011A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 Seiko Epson Corp 配線基板、回路基板、電気光学装置及びその製造方法、電子機器
JP2004165067A (ja) * 2002-11-14 2004-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光パネル
JP2004165068A (ja) * 2002-11-14 2004-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光パネルの製造方法
JP4042548B2 (ja) 2002-11-29 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101179155B1 (ko) 2002-12-27 2012-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN100341154C (zh) * 2003-01-17 2007-10-03 友达光电股份有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
JP2004260133A (ja) 2003-02-04 2004-09-16 Seiko Epson Corp 配線基板及び電気光学装置並びにこれらの製造方法並びに電子機器
JP3791616B2 (ja) 2003-02-06 2006-06-28 セイコーエプソン株式会社 配線基板、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP3791618B2 (ja) 2003-02-20 2006-06-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP4134755B2 (ja) 2003-02-28 2008-08-20 ヤマハ株式会社 スピーカーアレイ駆動装置
CN102709478B (zh) * 2003-03-26 2016-08-17 株式会社半导体能源研究所 发光装置
US7250720B2 (en) * 2003-04-25 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7557779B2 (en) 2003-06-13 2009-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP3755521B2 (ja) * 2003-06-13 2006-03-15 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置とその駆動方法、照明装置、及び電子機器
JP4590839B2 (ja) * 2003-08-01 2010-12-01 ソニー株式会社 半導体基板、液晶表示装置及びプロジェクタ
KR100886292B1 (ko) 2003-09-09 2009-03-04 산요덴키가부시키가이샤 회로 소자를 포함하는 반도체 모듈과 반도체 장치, 그들의 제조 방법 및 표시 장치
KR100560787B1 (ko) 2003-11-05 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
US20060139342A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Gang Yu Electronic devices and processes for forming electronic devices
KR100686343B1 (ko) * 2003-11-29 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR100963403B1 (ko) * 2003-12-08 2010-06-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그의 구동방법
JP2005338592A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Sony Corp 表示装置
US8378930B2 (en) 2004-05-28 2013-02-19 Sony Corporation Pixel circuit and display device having symmetric pixel circuits and shared voltage lines
KR100583126B1 (ko) * 2004-06-25 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
KR100637164B1 (ko) * 2004-06-26 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 능동 구동형 전계발광 디스플레이 장치
TWI467541B (zh) 2004-09-16 2015-01-01 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置和其驅動方法
JP5122818B2 (ja) * 2004-09-17 2013-01-16 シャープ株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
US7105855B2 (en) * 2004-09-20 2006-09-12 Eastman Kodak Company Providing driving current arrangement for OLED device
JP4379278B2 (ja) * 2004-09-21 2009-12-09 カシオ計算機株式会社 トランジスタアレイ基板及びディスプレイパネル
JP2006098641A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Seiko Epson Corp 薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
JP4063266B2 (ja) * 2004-09-30 2008-03-19 セイコーエプソン株式会社 薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器
CN102738180B (zh) 2004-12-06 2018-12-21 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR20060065333A (ko) * 2004-12-10 2006-06-14 삼성전자주식회사 감지 소자를 내장한 표시판 및 표시 장치
US20060138403A1 (en) * 2004-12-29 2006-06-29 Gang Yu Organic electronic devices including pixels
US7612368B2 (en) * 2004-12-29 2009-11-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Organic bottom emission electronic device
KR20060077870A (ko) * 2004-12-31 2006-07-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계방식 액정표시소자
US7462897B2 (en) 2005-01-31 2008-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
KR101100885B1 (ko) * 2005-01-31 2012-01-02 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
JP2006251453A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法
US8681077B2 (en) * 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7208388B2 (en) * 2005-04-08 2007-04-24 Texas Instruments Incorporated Thin film resistor head structure and method for reducing head resistivity variance
US8253179B2 (en) * 2005-05-13 2012-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR101169053B1 (ko) * 2005-06-30 2012-07-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
JP2007103584A (ja) 2005-10-03 2007-04-19 Ricoh Co Ltd トランジスタ素子、表示装置およびこれらの製造方法
TWI460851B (zh) 2005-10-17 2014-11-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
US20070090385A1 (en) * 2005-10-21 2007-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101256665B1 (ko) * 2005-12-30 2013-04-19 엘지디스플레이 주식회사 액정패널
KR101240654B1 (ko) * 2006-05-09 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
JP2007317384A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置、その製造方法、リペア方法及びリペア装置
JP4957090B2 (ja) * 2006-06-22 2012-06-20 ソニー株式会社 表示装置及び映像表示装置
KR101244898B1 (ko) * 2006-06-28 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7467431B2 (en) * 2006-11-01 2008-12-23 Weedling Robert E Patient incline device having centerline spinal support
CN1963906B (zh) * 2006-11-10 2010-05-12 北京巨数数字技术开发有限公司 逐列翻转驱动控制系统及其方法和led显示屏
US8184797B1 (en) * 2007-05-18 2012-05-22 Richard Rosen System and method for improved directory assistance searches
KR101103615B1 (ko) 2007-07-30 2012-01-09 쿄세라 코포레이션 화상 표시 장치
JP5251034B2 (ja) * 2007-08-15 2013-07-31 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR20090035228A (ko) * 2007-10-05 2009-04-09 주식회사 동진쎄미켐 전계 구동 표시 장치
JP2009122652A (ja) * 2007-10-23 2009-06-04 Sony Corp 表示装置及び電子機器
CN101796619B (zh) * 2007-11-02 2013-03-06 夏普株式会社 电路基板和显示装置
JP4606450B2 (ja) * 2007-11-05 2011-01-05 株式会社日立製作所 表示装置
KR100870653B1 (ko) * 2007-11-27 2008-11-26 엘지전자 주식회사 유기전계발광소자
JP4737221B2 (ja) * 2008-04-16 2011-07-27 ソニー株式会社 表示装置
JP2009288773A (ja) * 2008-04-30 2009-12-10 Sony Corp 表示装置
JP4582195B2 (ja) * 2008-05-29 2010-11-17 ソニー株式会社 表示装置
JP2010008654A (ja) * 2008-06-26 2010-01-14 Kyocera Corp 有機ｅｌ画像表示装置
US8021935B2 (en) * 2008-10-01 2011-09-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film device fabrication process using 3D template
JP2010062003A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP5309879B2 (ja) * 2008-10-17 2013-10-09 ソニー株式会社 パネル
KR101540341B1 (ko) * 2008-10-17 2015-07-30 삼성전자주식회사 패널 구조체, 패널 구조체를 포함하는 표시장치 및 이들의 제조방법
KR101268963B1 (ko) * 2008-10-30 2013-05-30 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP2010122355A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Canon Inc 表示装置及びカメラ
JP5623107B2 (ja) * 2009-04-22 2014-11-12 キヤノン株式会社 半導体装置
KR101073174B1 (ko) * 2009-07-31 2011-10-12 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치
KR101835748B1 (ko) 2009-10-09 2018-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
JP5312294B2 (ja) * 2009-10-30 2013-10-09 キヤノン株式会社 発光装置および露光装置
KR101754799B1 (ko) * 2010-03-26 2017-07-07 삼성전자주식회사 화소 회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 구동방법
KR101223722B1 (ko) * 2010-04-02 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5482393B2 (ja) 2010-04-08 2014-05-07 ソニー株式会社 表示装置、表示装置のレイアウト方法、及び、電子機器
JP5455126B2 (ja) 2010-04-28 2014-03-26 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置、駆動方法、および電子機器
KR101749265B1 (ko) * 2010-04-30 2017-06-21 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 그 제조 방법
JP2012047807A (ja) * 2010-08-24 2012-03-08 Sony Corp 表示装置および電子機器
KR101768848B1 (ko) * 2010-10-28 2017-08-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
TWI445170B (zh) * 2010-12-03 2014-07-11 Au Optronics Corp 有機發光二極體畫素陣列
JP5682385B2 (ja) 2011-03-10 2015-03-11 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
TWI463583B (zh) * 2011-08-10 2014-12-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 顯示裝置
JP5793058B2 (ja) * 2011-10-28 2015-10-14 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネル、表示装置および電子機器
JP5939076B2 (ja) * 2012-07-31 2016-06-22 ソニー株式会社 表示装置、駆動回路、駆動方法、および電子機器
JP6302186B2 (ja) 2012-08-01 2018-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR101434366B1 (ko) 2012-08-24 2014-08-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 표시 장치
JP6076683B2 (ja) 2012-10-17 2017-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6204012B2 (ja) 2012-10-17 2017-09-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6155020B2 (ja) 2012-12-21 2017-06-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその製造方法
JP6216125B2 (ja) 2013-02-12 2017-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6104649B2 (ja) 2013-03-08 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP6182985B2 (ja) * 2013-06-05 2017-08-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器
JP6225511B2 (ja) 2013-07-02 2017-11-08 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
CN103413519B (zh) * 2013-07-18 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、阵列基板和显示装置
JP6164059B2 (ja) 2013-11-15 2017-07-19 ソニー株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の駆動方法
KR102066139B1 (ko) 2013-11-21 2020-01-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 패널 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
JP5651763B2 (ja) * 2013-11-28 2015-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR20150105523A (ko) * 2014-03-06 2015-09-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN103972243B (zh) * 2014-04-24 2017-03-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104078003B (zh) * 2014-06-18 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 像素电路和显示装置
KR102471668B1 (ko) * 2014-11-10 2022-11-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102490881B1 (ko) * 2014-12-26 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5947963B2 (ja) * 2015-07-24 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び表示装置の作製方法
KR102555404B1 (ko) * 2015-08-06 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법
TWI624094B (zh) * 2015-11-30 2018-05-11 Ｌｇ顯示器股份有限公司 有機發光二極體及包含該有機發光二極體的有機發光二極體顯示裝置
CN107204352B (zh) * 2016-03-16 2020-06-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Oled显示面板以及oled显示面板的制造方法
TWI576799B (zh) 2016-03-22 2017-04-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
US10510820B2 (en) 2016-09-09 2019-12-17 Sony Semiconductor Solutions Corporation Display device and electronic apparatus
KR102613863B1 (ko) 2016-09-22 2023-12-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102611958B1 (ko) 2016-09-23 2023-12-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180061568A (ko) * 2016-11-29 2018-06-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102559096B1 (ko) 2016-11-29 2023-07-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180077439A (ko) 2016-12-29 2018-07-09 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN108333843B (zh) * 2017-01-20 2020-11-13 京东方科技集团股份有限公司 双栅线阵列基板以及显示装置
KR20180093188A (ko) * 2017-02-10 2018-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180096875A (ko) 2017-02-21 2018-08-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107342037B (zh) * 2017-09-01 2020-12-08 京东方科技集团股份有限公司 数据转化方法、装置和计算机可读存储介质
JP6436209B2 (ja) * 2017-10-05 2018-12-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
CN107731163B (zh) 2017-10-30 2019-10-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示装置
KR102612371B1 (ko) * 2017-12-05 2023-12-08 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102566157B1 (ko) * 2018-06-28 2023-08-11 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN108986747B (zh) * 2018-07-25 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、有机电致发光显示面板及显示装置
CN110265408B (zh) * 2019-06-19 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
KR20210021769A (ko) 2019-08-19 2021-03-02 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
WO2021230883A1 (en) * 2020-05-15 2021-11-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Controllers to drive display lines
WO2023136300A1 (ja) * 2022-01-17 2023-07-20 京セラ株式会社 発光装置および表示装置
CN115331619B (zh) * 2022-10-12 2023-01-31 惠科股份有限公司 像素驱动电路、显示面板及显示装置

Family Cites Families (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4042854A (en) * 1975-11-21 1977-08-16 Westinghouse Electric Corporation Flat panel display device with integral thin film transistor control system
US4006383A (en) * 1975-11-28 1977-02-01 Westinghouse Electric Corporation Electroluminescent display panel with enlarged active display areas
US4087792A (en) * 1977-03-03 1978-05-02 Westinghouse Electric Corp. Electro-optic display system
JPS617479A (ja) 1978-01-30 1986-01-14 テキサス　インスツルメンツ　インコ−ポレイテツド 集積回路の検査方法
JPS5958468A (ja) 1982-09-29 1984-04-04 富士通株式会社 表示装置
US4636038A (en) * 1983-07-09 1987-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Electric circuit member and liquid crystal display device using said member
JPH0762743B2 (ja) 1983-07-09 1995-07-05 キヤノン株式会社 液晶装置
FR2629634B1 (fr) * 1984-12-18 1990-10-12 Thomson Csf Tube a onde progressive comportant une ligne a retard du type en helice fixee a un fourreau par l'intermediaire de support dielectriques en nitrure de bore
US4738514A (en) * 1986-01-16 1988-04-19 Rca Corporation Crystal variation compensation circuit for liquid crystal displays
US4820222A (en) * 1986-12-31 1989-04-11 Alphasil, Inc. Method of manufacturing flat panel backplanes including improved testing and yields thereof and displays made thereby
JPH01186655A (ja) 1988-01-14 1989-07-26 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JPH088146B2 (ja) 1988-08-31 1996-01-29 松下電器産業株式会社 カラーｅｌディスプレイ装置とその製造方法
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
AU638288B2 (en) * 1989-10-18 1993-06-24 Noritake Co., Limited Plasma display panel and method of manufacturing the same
JP3112021B2 (ja) * 1990-07-09 2000-11-27 株式会社日立製作所 半導体メモリ
JPH0470820A (ja) * 1990-07-12 1992-03-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブ・マトリックス型平板表示装置
DE9012949U1 (ko) * 1990-09-11 1991-01-03 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
US5123876A (en) * 1990-10-30 1992-06-23 Mccullough Fredrick L Attic fan cover
US5256562A (en) * 1990-12-31 1993-10-26 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US5177406A (en) * 1991-04-29 1993-01-05 General Motors Corporation Active matrix vacuum fluorescent display with compensation for variable phosphor efficiency
US5631753A (en) * 1991-06-28 1997-05-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Black matrix base board and manufacturing method therefor, and liquid crystal display panel and manufacturing method therefor
US5317432A (en) * 1991-09-04 1994-05-31 Sony Corporation Liquid crystal display device with a capacitor and a thin film transistor in a trench for each pixel
JP2784615B2 (ja) * 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
WO1993011455A1 (en) * 1991-11-29 1993-06-10 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display and method of manufacturing same
US5302966A (en) * 1992-06-02 1994-04-12 David Sarnoff Research Center, Inc. Active matrix electroluminescent display and method of operation
US5627557A (en) * 1992-08-20 1997-05-06 Sharp Kabushiki Kaisha Display apparatus
DE4240427C1 (de) * 1992-12-02 1994-01-20 Novopress Gmbh Preßwerkzeug
US5592199A (en) * 1993-01-27 1997-01-07 Sharp Kabushiki Kaisha Assembly structure of a flat type device including a panel having electrode terminals disposed on a peripheral portion thereof and method for assembling the same
US5506375A (en) * 1993-02-22 1996-04-09 Wacom Co., Ltd. Circuit board for coordinate detecting apparatus with noise suppression
JP3244843B2 (ja) * 1993-03-08 2002-01-07 株式会社日立製作所 カラー陰極線管
JP2812851B2 (ja) * 1993-03-24 1998-10-22 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置
JPH06325869A (ja) * 1993-05-18 1994-11-25 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光パネル
US5416034A (en) * 1993-06-30 1995-05-16 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method of making resistor with silicon-rich silicide contacts for an integrated circuit
JPH0757871A (ja) 1993-08-19 1995-03-03 Hitachi Ltd 電場発光表示装置
EP0644523B1 (en) * 1993-08-30 1999-01-13 Sharp Kabushiki Kaisha Data signal line structure in an active matrix liquid crystal display
US5485293A (en) * 1993-09-29 1996-01-16 Honeywell Inc. Liquid crystal display including color triads with split pixels
JP2821347B2 (ja) * 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
JPH07153576A (ja) 1993-11-30 1995-06-16 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光パネル
JPH07181927A (ja) 1993-12-24 1995-07-21 Sharp Corp 画像表示装置
TW277129B (ko) * 1993-12-24 1996-06-01 Sharp Kk
JP3463362B2 (ja) 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
US5701055A (en) * 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
US5432358A (en) * 1994-03-24 1995-07-11 Motorola, Inc. Integrated electro-optical package
JPH07283378A (ja) 1994-04-08 1995-10-27 Sony Corp ゲートアレイの配線構造
EP0686958B1 (en) * 1994-06-06 2003-10-29 Canon Kabushiki Kaisha DC compensation for interlaced display
KR100360356B1 (ko) * 1994-06-24 2003-02-17 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 액티브매트릭스형액정표시장치
JPH0855910A (ja) * 1994-07-29 1996-02-27 Texas Instr Inc <Ti> 半導体装置の製造方法
US5525867A (en) * 1994-08-05 1996-06-11 Hughes Aircraft Company Electroluminescent display with integrated drive circuitry
US5587329A (en) * 1994-08-24 1996-12-24 David Sarnoff Research Center, Inc. Method for fabricating a switching transistor having a capacitive network proximate a drift region
DE69535970D1 (de) 1994-12-14 2009-08-06 Eastman Kodak Co Elektrolumineszente Vorrichtung mit einer organischen elektrolumineszenten Schicht
US5684365A (en) * 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
US5550066A (en) * 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US6115014A (en) * 1994-12-26 2000-09-05 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display by means of time-division color mixing and voltage driving methods using birefringence
KR0145902B1 (ko) * 1995-01-27 1998-09-15 김광호 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자의 저항부 및 그 제조방법
US5804917A (en) * 1995-01-31 1998-09-08 Futaba Denshi Kogyo K.K. Organic electroluminescent display device and method for manufacturing same
JP3208638B2 (ja) 1995-01-31 2001-09-17 双葉電子工業株式会社 有機エレクトロルミネセント表示装置およびその製造方法
DE69623443T2 (de) * 1995-02-06 2003-01-23 Idemitsu Kosan Co Vielfarbige lichtemissionsvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US5726678A (en) * 1995-03-06 1998-03-10 Thomson Consumer Electronics, S.A. Signal disturbance reduction arrangement for a liquid crystal display
US5640067A (en) * 1995-03-24 1997-06-17 Tdk Corporation Thin film transistor, organic electroluminescence display device and manufacturing method of the same
DE69622618T2 (de) * 1995-04-04 2003-03-20 Canon Kk Metallenthaltende Zusammensetzung zum Bilden einer elektronenemittierenden Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer elektronenemittierenden Vorrichtung, einer Elektronenquelle und eines Bilderzeugungsgerätes
US5641974A (en) * 1995-06-06 1997-06-24 Ois Optical Imaging Systems, Inc. LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and photo-imageable insulating layer therebetween
JP3286152B2 (ja) * 1995-06-29 2002-05-27 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ回路および画像表示装置
JP3107743B2 (ja) * 1995-07-31 2000-11-13 カシオ計算機株式会社 電子放出性電極およびその製造方法、並びにそれを用いた冷陰極蛍光管およびプラズマディスプレイ
JPH0981053A (ja) 1995-09-07 1997-03-28 Casio Comput Co Ltd 電界発光素子及びその駆動方法
JPH0980416A (ja) * 1995-09-13 1997-03-28 Sharp Corp 液晶表示装置
JPH0982476A (ja) 1995-09-14 1997-03-28 Casio Comput Co Ltd 有機電界発光素子
US5675185A (en) * 1995-09-29 1997-10-07 International Business Machines Corporation Semiconductor structure incorporating thin film transistors with undoped cap oxide layers
JPH09105953A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP3526992B2 (ja) * 1995-11-06 2004-05-17 株式会社半導体エネルギー研究所 マトリクス型表示装置
JPH09230311A (ja) * 1995-11-14 1997-09-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
TW329500B (en) * 1995-11-14 1998-04-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk Electro-optical device
US6002463A (en) * 1996-01-30 1999-12-14 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device having a light blocking layer provided over an alignment layer, method for making the same
US6175186B1 (en) * 1996-02-26 2001-01-16 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same
TW374860B (en) * 1996-04-30 1999-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Active matrix liquid crystal display for projection
KR100479000B1 (ko) * 1996-05-15 2005-08-01 세이코 엡슨 가부시키가이샤 박막디바이스,액정패널및전자기기및박막디바이스의제조방법
JP2853656B2 (ja) * 1996-05-22 1999-02-03 日本電気株式会社 液晶パネル
JP3640224B2 (ja) * 1996-06-25 2005-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示パネル
AU4644097A (en) 1996-07-09 1998-02-10 James A. Patterson Nuclear transmuted elements having unnatural isotopic distributions by electrolysis and method of production
US5812188A (en) * 1996-07-12 1998-09-22 Adair; Edwin L. Sterile encapsulated endoscopic video monitor
CN1173315C (zh) 1996-09-19 2004-10-27 精工爱普生株式会社 矩阵式显示元件及其制造方法
JP3992797B2 (ja) * 1996-09-25 2007-10-17 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
EP1465257A1 (en) * 1996-09-26 2004-10-06 Seiko Epson Corporation Display apparatus
US6011531A (en) 1996-10-21 2000-01-04 Xerox Corporation Methods and applications of combining pixels to the gate and data lines for 2-D imaging and display arrays
GB9623185D0 (en) * 1996-11-09 1997-01-08 Epigem Limited Improved micro relief element and preparation thereof
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
DE69739633D1 (de) 1996-11-28 2009-12-10 Casio Computer Co Ltd Anzeigevorrichtung
JP3392672B2 (ja) * 1996-11-29 2003-03-31 三洋電機株式会社 表示装置
US6462722B1 (en) * 1997-02-17 2002-10-08 Seiko Epson Corporation Current-driven light-emitting display apparatus and method of producing the same
EP1255240B1 (en) * 1997-02-17 2005-02-16 Seiko Epson Corporation Active matrix electroluminescent display with two TFTs and storage capacitor in each pixel
JP3641342B2 (ja) * 1997-03-07 2005-04-20 Ｔｄｋ株式会社 半導体装置及び有機ｅｌディスプレイ装置
US5903246A (en) * 1997-04-04 1999-05-11 Sarnoff Corporation Circuit and method for driving an organic light emitting diode (O-LED) display
JPH113048A (ja) 1997-06-10 1999-01-06 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
JP3541625B2 (ja) * 1997-07-02 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及びアクティブマトリクス基板
JP3520396B2 (ja) * 1997-07-02 2004-04-19 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板と表示装置
JPH1154268A (ja) * 1997-08-08 1999-02-26 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置
JP3580092B2 (ja) 1997-08-21 2004-10-20 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP3804646B2 (ja) 1997-08-21 2006-08-02 セイコーエプソン株式会社 表示装置
WO1999010862A1 (fr) * 1997-08-21 1999-03-04 Seiko Epson Corporation Afficheur a matrice active
JP3830238B2 (ja) * 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
US6229508B1 (en) * 1997-09-29 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JP3543170B2 (ja) * 1998-02-24 2004-07-14 カシオ計算機株式会社 電界発光素子及びその製造方法
JP3203227B2 (ja) * 1998-02-27 2001-08-27 三洋電機株式会社 表示装置の製造方法
TW410478B (en) * 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US6561023B2 (en) * 2001-04-23 2003-05-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Cellulose-based water sensing actuator
KR100423395B1 (ko) * 2001-07-02 2004-03-18 삼성전기주식회사 칩 안테나
JP3705264B2 (ja) * 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器

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