JPS617479A - 集積回路の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプローブ装置特にＺ軸上の面接触を感知する検
出器を有するプローブ装置およびＺ軸上の表面接触を感
知する複数個のこのようなデータ／検知プローブを有し
て表面縁を検出し、平面化（平面配＠）の監視を可能と
して半導体薄片の表面への過剰移動を制御するマルチプ
ローブを用いる検査方法に関するものである。

電子回路の形成において集積回路は上面に多数のマトリ
クス即ちマイクロ回路を有する半導体薄片から製作する
ことができる。一般に各薄片は同秤のマイクロ回路の多
数の同じ繰返しマトリクスを有している。個々のユニッ
ト即ち回路はしばしば集積回路チップもしくは個別バー
（１ｎｄｉｖｉｄｕａｌりａｒ）と゛呼ばれる。

この方法では配送する前に薄片を所望の集積回路要素も
しくはその組合せに分離するに先立って薄片即ちウェハ
上の各集積回路チップの各回路を検査する。

各ウェハの各マイクロ回路部ち集積回路は通常隣接回路
ユニットに関して所定の精度で配置されているため、プ
ローブを被試験回路に対応する各所定点上に正確に配置
できるならば回路を検査することができる。例えば一つ
の集積回路上のいくつかの異なる点を同時に検査するこ
とができる。

薄片を損傷せずに信頼できる検査を行なうには検査手順
中に克服すべき障害がいくつがある。針が接続された支
持体を有する検査プローブの使用における困難の一つは
、プローブ針頭が接触する゛と半導体ウェハの表面上に
擦傷ができることである。これは有効なＺ軸制御が行わ
れないために生ずる。Ｚ軸はチャック即ち半導体薄片の
可動支持体のプローブ先端に対する垂直運動により確立
される方向である。特にＺ軸制御は大きな薄片表面上の
１２７μ（５ミル）にも達する薄片の表面反　−りを補
償し、ウェハとの接触点を定め、プローブ先端が薄片か
ら離れる時点を定める即ら縁検出に必要である。

半導体薄片テストはカリフォルニア州メンロパーク、エ
レクトログラス社（Ｅｌｅｃｔｒｏｇｌａｓ　’Ｃ’ｏ
ｒｐ、　　）製モデル１０３４Ｘマルチプローブ等のマ
ルチプローブ機上で行われる。マルチプローブ機は半導
体薄片に対して信号を注入して検査データを集める一連
のデータプローブがとりつけられた印刷回路板すなわち
プローブカードを有している。現状の方法は電気スイッ
チ機構を有するデータプローブ形状のプローブカード上
に縁センサを用いる。

動作上従来の縁センサはプローブ先端がシリコン薄片と
接触する時電気的に開路するように作用する。この開路
はマルチプローブ装置によって検出され検査手順が継続
される。チャック即ち半導体薄片の支持ブロックが垂直
に移動してプローブ先端と接触した時縁センサが接触を
検出しないと開路状態は生じず、マルチプローブ装置は
インデックス手順を行ない薄片を移動してデータプロー
ブが集積回路チップの次の列上に来るようにする。

この従来の縁センサは信頼度が低く、チャックが連続的
に上向きに移動してプローブ先端接触が確認されない時
にチップに損傷を与えマルチプローブ装置の故障時間の
大きな原因となっている。プローブ先端が薄片と接触し
た後チャックを更に２５．４〜１２７．０μ（１〜５ミ
ル）だけ余分に移動させて酸化物層を貫通さけ能動回路
素子と電気的に良好に接触させる必要があり、この技術
はスクラブ−イン（５ｃｒｕｂ−ｉｎ）と呼ばれている
。

プローブと薄片との接触が確認されないと過剰移動は制
御されず、その結果プローブ先端が破損し余分な過剰移
動が生じチップが破損して機械のダウンタイムを生じる
。

マルチプローブ検査装置におけるもう一つの問題点は半
導体薄片上の集積回路が矩形形状の一連のチップパター
ンである。という性質を半導体薄片が有していることで
ある。半導体薄片が円形性であるため半導体薄片の縁上
には一連の部分集積回路チップが生じる。−個の縁セン
サを使用ずれば部分バーのおよそ半分を被試験表面とし
て確認し、その結果マルチプローブ装置はこれらの部分
バーを検査しようとし、時間を浪費し、部分バーを不良
回路と確認し、部分バーに確認インクをしるす。

同じ問題が破損半導体薄片のテスト時にも生じ部分バー
数は更に増大し縁検出は一層重要どなる。

本発明においては、支持体、および支持体に接続されそ
こから鉤状に延在する腕と、プローブ先端の表面を変え
るねじ等の調節機構により腕に接続されたプローブ先端
とを有するデータプローブ　　　１を利用してもよい。

データプローブは例えば鉛ジ　　　１ルコネートー鉛チ
タネート（Ｐ　Ｚ　Ｔ　）等の感力材を有する検知器が
腕に固着される時に縁センサとして作用し、プローブ先
端が半導体薄片等の表面と接触する時機械的に変形され
る。次に検知器は導線を介してインタフェイス回路およ
びそこからマルチプローブ装置へ電気信号を送出しプロ
ーブ先端が集積回路と接触したことを知らせる。

検知器を有するデータプローブは更に半導体薄片をテス
トする複数個のデータプローブと共にプローブカード即
ち印刷回路板へ接続されている。

検知プローブが半導体薄片の表面と接触したというＺ軸
信号をマルチプローブ装置が受信すると、マルチプロー
ブ装置はチャック支持体をＺ軸方向に一定距離だけ移動
させて全体のデータプローブ接触および適切なスクラブ
−インを保証する。

更に本発明においては、複数個のデータ／検知プローブ
を電気支持体例えば印刷回路板上へ配設してもよい。デ
ータ／検知プローブは物理的およ′ｊ電気的に印刷回路
板へ接続されており、複数個θデータ／検知プローブの
各々は支持体および支特休に接続されそこから鉤状に延
在している腕およびその腕に接続されたプローブ先端を
有している。プローブ先端はプローブ先端の表面を変え
るねじ等の調節機構により腕に接続されている。データ
／検知プローブは例えば鉛ジルコネートー鉛チタネート
（ＰＺＴ）等の感力材が腕に固着され、プローブ先端が
半導体薄片等の表面と接触して機械的に変形される時、
データプローブおよびＺ軸検知器として作用する。Ｚ軸
感知アセンブリが単に複数個のデータプローブといくつ
かの縁感知プローブではなく複数個のデータ／検知プロ
ーブを有するように設計することにより、半導体薄片と
の接触から各データ／検知プローブのＺ軸接触を監視す
ることができる。各データ／検知プローブ上の感力材が
発生する信号は検出器回路へ送出され、次にそれは適切
な情報をマルチプローブ装置および／もしくはミニコン
ピユータへ送出してデータ／検知プローブと半導体薄片
との接触タイミングを評価してＺ軸運動を有効に監視し
、こうして平面化の有効監視、過剰移動制御、プローブ
先端接触確認、および縁感知を行う。

半導体薄片に平行に間隔をとって電子支持装置上に配設
された複数個のデータ／検知プローブを有するＺ軸検出
器アセンブリを使用して集積回路を検査する方法におい
て、データ／検知プローブ先端は最初プローブ先端が全
て同一平面内に来ることを保証して初期設定しなければ
ならない。

（即ち平面化または平面配置）。この初期設定後半導体
薄片を支持している可動支持装置を持ち上げて複数個の
データ／検知プローブと接触させなければならない。ミ
ニコンピユータを使用し各データ／検知プローブの感力
材から信号を受信する検出器回路から受信する上方に基
づいて半導体薄片と接触するデータ／検知プローブをカ
ウントすることができる。平面化はこの情報に基すき半
導体薄片が複数個のデータ／検知プローブの−っと最初
に接触する時にクロックを開始し、複数個のデータ／検
知プローブが全て半導体薄片と接触したという信号を受
信した時にクロックを停止して監視することができる。

次に半導体薄片と接触する第１データ／検知プローブお
よび半導体薄片と接触する最終データ／検知プローブ間
の距離を算出し、第１接触および最終接触間で経過した
クロックサイクル数と半導体薄片の複数個のデータ／検
知プローブへの接近速麿を考慮して平面化を定めること
ができる。データ／検知プローブ先端の平面化の監視に
続いて半導体薄片への過剰移動は半導体薄片の可動支持
体が７＠上を所定距離だけ移動するように初期設定して
制御することができ、データ／検知プローブ先端の平面
化がチェックされ平面化の所定限界内に入ることが判っ
た後にのみデータ／検知プローブ先端を一定距離だけ半
導体薄片ヘスクラブ−インすることができる。次に半導
体薄片上の集積回路チップの検査はデータ／検知プロー
ブにより集積回路へ検査信号を送出しこれらの信号を評
価して行なうことができる。

次に図面特に第１図にプローブ検知器装置１０を示す。

プローブ装置１０は半導体薄片と接触する時点を定める
Ｚ軸制御を採用した機能特性を有するデータプローブと
しで構成されている。第３図に示し以下に説明するよう
にプローブは半導体薄片に平行に配置された印刷回路板
に取付けることができる。

構造的にプローブ１０は夫々第１、第２開口１４．１６
を有する支持体１２を有している。支持体１２はＬ型構
造とすることができ、第１開口１４はＬ型の長辺に配置
され第２間口１６はＬ型構造１２の短辺のフランジ１５
内に配置されている。支持体１２は例えば真ちゅう等の
導電材として更に金張りすることができる。

腕１８が支持体１２に取付けられてそこがら延在してい
る。延在する腕もＬ型構造としてＬ型腕の短辺をＬ型支
持構造１２の短辺へ取付けることができる。延在腕も真
ちゅう等の導電材とすることができ金張りすることもで
きる。

支持構造１２内の前記第２開ロ１６内に配設された調節
ねじ２０が貫通して延在腕１８に達している。

針即ちプローブ先端２４と支持スリーブ２６を有する試
験針アセンブリ即ちプローブ先端アセンブリ２２が延在
腕１８に取付けられている。針２４は上面に集積回路を
有する半導体薄片に接触して、特定集積回路チップの不
良を表わす適切な電気データを得るために使用される。

これが剣２４をデータプローブとして使用する時の主な
機能である。

Ｚ軸接触部ち試験針２４が半導体表面と接触覆る時点を
感知するため、プローブ検知器装置１０の延在Ｉｌｉ！
１８へ熱力材２８を取付けることができる。熱力材は銀
被膜領域２９でふちどられている。

熱力材２８をプローブ装置１０の残りの導電材から絶縁
するため、熱力材２８の銀被膜２９を絶縁エポキシ材３
０により延在腕１８へ取付けることができる。熱力材２
８は圧電基板すなわちモノモルフあるいは圧電ザンドイ
ツチ型構造のバイモルフど称されるものを有することが
できる。圧電材の特性は電圧発生器として動作できるよ
うなものである。この特性は圧電材が変形したりたわん
だ時に材料自体により電圧が発生するというものである
。一対の導線即ち導体３２が熱力材２８の銀被膜２９に
はんだ付けされている。こうして圧電材を熱力材２８と
して使用すると変形により電圧が発生し導線３２間で感
知される。導線３２は互いに絶縁されている。各導線は
適合絶縁で被覆されプローブ検知器試験構造１０の支持
体１２内の第１開口１４を貫通して延在している。次に
信号が図示せぬ検出器回路へ送出される。導線３２はエ
ポキシ３４により腕１８へ固着することができる。

第１図に示すようにＺ軸検出型全体を印刷回路板へ取付
けてＬ型支持体１２の長辺を印刷回路板３６へ付着する
ことができる。

第２Ａ図および第２Ｂ図は第１図の圧電材の反り特性を
示す。第１図の部分側面を示す第２Ａ図には例えばエボ
、キシ材等の絶縁材２３０により導電帯２１８へ固着さ
れた銀被膜２２９を有する圧電材２２８をその休止即ち
水平面内の静止位置において示している。第２Ｂ図は導
電帯２１８が第２Ｂ図の反り２５０を生じる下向き変位
として変形される時に生じる圧電材２２８の反り特性を
示す７第１図の熱力材２８の反りは第１図の試験針２４
が表面に接触し上向き垂直方向の力を有しているために
生じる。

次に第３図にはマルチプローブ検査装置３１０内のＺ軸
制御プローブ検出器装置が示されている。

マルチプローブ検査装層３１０は従来チャックとして知
られている半導体薄片支持体３１２を有している。チャ
ック３１２は印刷回路板即ちプローブカード３１４に平
行に配設されている。印刷回路板３１４はカリフォルニ
ア州Ｔｅ１ｅｄｙｎｅＴ　Ａ　Ｃ社製のものどすること
ができる。プローブカード３１４には複数個のデータプ
ローブ３１６が取イ」けられている。データプローブ３
１６はチャック３１２上の半導体薄片−ヒの集積回路の
電気的特性を監視する。これらの電気的特性はプローブ
カード３１４へ電気的に接続されたマルチプローブ３１
８により監視評価される。

複数個のデータプローブ３１６の他の第１図に示すプロ
ーブ装置１０の形状の本発明に従ったプローブ装置もプ
ローブカード３１４に取付けられている。第３図には図
示しないが第１図の熱力材２８と同様の熱力素子を有す
るプローブテスタ３２０を７軸制御および縁検出器とし
て使用することができる。熱力材の反りにより発生する
信号は導体３２２により検出器回路３２４へ送出されて
増幅調整されマルチプローブと両立する適切な出力信号
を供給するが、検出器回路出力はＴ　Ｔ　Ｌ−両立パル
スもしくはプローブ接触を示す直流値である。次にこの
信号は電気接続３２６によりマルチプローブ３１８へ送
出される。

データプローブ３１６はカリフォルニア州Ｔｅ１ｅｄｙ
ｎｅ社製造販売のモデル１３７４２−１１とすることか
できる。

動作的にＺ軸制御として使用される時マルチプローブ３
１８はプローブ装置３２０がチャック３１２上の半導体
薄片と接触する時点までチャック３１２をプローブカー
ド３１４に垂直な方向へ移動させ、プローブ３２０上の
熱力材を変形して信号を発生し導体３２２を介して検出
器回路３２４および終局的にマルチプローブ３１８へ転
送してチャック３１２のプローブカード３１４方向の一
運動を停止させる。このＺ軸制御形式は半導体薄片上の
個々の集積回路をプローブするのに使用される。プロー
ブ検出器３２０はまた従来の縁センサの替りに使用して
半導体薄片上の一列の集積回路のテストが完了した時即
ち接触が感知されない時、マルチプローブ３１８により
インデックスシーケンスを生じさせて半導体薄片上の次
の列の集積回路のテストを行なえるような検出を行うこ
とができる。

第４図にプローブカードアセンブリ４１０を示す。プロ
ーブカードアセンブリ４１０は印刷回路板４１２を使用
して線４１６により印刷回路板４１２へ電気的に接続さ
れた複数個のデータ／検知プローブ４１４を支持するよ
うな構造となっている。線４１６は半導体薄片を検査す
るために複数個のデータ／検知ｙ″ロー１４１４とマル
チプローブもしくはミニコンピユータ（図示せず）間で
信号を送受信する電気的手段を提供する。第４図でデー
タ／検知プローブ４１４は半導体薄片表面４１８に対し
て平行に離されて配設されており、複数個の各データ／
検知プローブ４１４には前記第１図、第２Ａ図、第２Ｂ
図に示す熱力材（図示せず）が接続されており、それは
Ｚ軸上のプローブ先端４２０と半導体薄片表面４１８と
の接触を確認する。Ｚ軸上のこの検知は第５図に示し以
下に説明するように導線４２２を介して検出器回路へ信
号を出す。

次に第４図および第５図に前記プローブカードアセンブ
リ４１０（第４図）および検出器回路５００を示す。各
データ／検知プローブ４１４は７軸接触信号を供給し集
積回路チップに対してテスト信号を送受する二重機能を
有する。データ／検知プローブ４１４から延在する導線
４２２はＺ軸検出型４１０を検出器回路５００へ電気的
に接続する。検出器回路板５００は複数個のデータ／検
知プローブの一つが使用する４つの独立した検出器チャ
ネルを示している。電源５０５は検出器回路５００へ±
１５Ｖおよび＋５■電源を供給するために使用されてい
る。各チャネルは利得が１のバッファ増幅器５２０へ電
気的に接続されたＲＣ濾波器アセンブリ５１０を有し、
ＲＣ濾波器５１０はノイズスパイクを濾波してデータ／
検知プローブ４１４から受信する電圧信号の応答時間を
減衰させる。利得が１のバッファ増幅器５２０は電圧信
号を高インピーダンス信号から低インピーダンス信号へ
変換する。利得が１のバッファ増幅器はテキサス州ダラ
スのテキサスインスツルメンツ社製のモデルＴＬ０８４
Ｎとすることができる。次にこの低インピーダンス信号
はレベル識別器アセンブリ５３０へ送出される。レベル
識別器アセンブリ５．３０はしきい値型であり、信号が
例えば３０ｍＶの所定しきい値電圧に達しない限り低イ
ンピーダンス信号は確認されず木質的に阻止される。し
かしながら例えば低インピ、−ダンス信号がしきい値以
上であると識別器出力は例えば第５図の回路の５Ｖの最
大電圧に設定される。レベル識別器はテキサス州ダラス
のテキサスインスツルメンツ社製のモデルＬＭ３３９Ｎ
とすることができる。低レベルノイズ信号に対して識別
した後公称５■の所望の信号がラッチ回路５４０へ送出
され、それは例えば信号ＯＶヘラツチしてバッファトラ
イバ５５０へ送出する。バッファトライバ５５０はコン
ピュータおよび割込回路板５７０へ信号を供給するのみ
ならず発光ダイオード５６０を使用可能とするのに必要
な電力を供給する。ラッチ回路はテキサス州ダラスのテ
キサスインスツルメンツ社製モデル７４７４Ｎとするこ
とができ、バッファトライバは同社製モデル７４０４Ｎ
とすることができる。ラッチ信号は割込回路５７０へ送
出されて例えば４ユニット群とすることができ、一連の
ＮＯＲ回路５７２へ送出されその後インバータ５７４に
より反転して最終的に一連のＯＲ回路５７６へ送られる
。ＮＯＲ回路５７２、インバーターバッファトライバ５
７４およびＯＲ回路５７６も夫々テキサス州ダラスのテ
キザスインスツルメンツ社製のモデル７４８２６ＯＮ。

７４０４’Ｎ、７４３２Ｎとすることができる。全ての
データ／検知プローブ４１４が半導体表面４１８に接触
すると、出力割込信号がマルチプロ−ブユニットもしく
はミニコンピユータ（図示せず）へ送出される。しかし
ながら例えばＮＯＲ回路への入力のいずれかが「高」に
ならない場合、それは−個以上のプローブ４１４が半導
体薄片４１８と接触しておらず、プローブ故障もしくは
線状態が存在することを意味する。この割込状態により
マルチプローブはインデックスを行ない集積回路チップ
の新しい列のテストを開始することができる。割込状態
が生じるとミニコンピユータはラッチ回路５４−０ヘリ
セット信号を戻してラッチを所定状態へ戻し、次のチッ
プのテスト型面を行なう。

次に第６図に第４．５．７Ａ−７Ｄ図と関連してマルチ
プローブ検査装置６００を示す。カリフォルニア州メン
Ｏバークのエレクトログラス社（Ｅｌｅｃｔｒｏｇ’ｌ
ａｓ　Ｃｏｒｐ、　）製モデル１０３４Ｘ等のマルチプ
ローブを第４図に示づ゛ようなプローブアセンブリ６１
０と共に使用して複数個のデータ線６１２を介して第５
図に示し上記した４チャネル検出器回路５００形状のイ
ンターフェイス装置６１４へ信号情報を供給することが
できる。マルチプローブ６００およびインターフェイス
装置６１４はテキサス州ダラスのテキサスインスツルメ
ンツ社製モデルＴＩ／９６０等のミニコンピユータ６１
６へ電気的に接続されている。マルチプローブ装置はミ
ニコンピユータ６１６ヘイネーブル信号６１５を送出し
て半導体薄片４１８のテスト手順を開始し、インターフ
ェイス装置６１４はデータ／検知プローブ４１４と半導
体薄片４１８とのＺ軸接触を評価する割込信号６１８お
よびデータ６２０をミニコンピユータ６１６へ送出する
。

次にミニコンピユータ６１６はインターフェイス装置６
１４のチャネルへリセット信号６２２を送出して第５図
に関して説明したようにラッチ回路５４０をリセットす
る。

次に第６図および第７Ａ〜７Ｄ図に関し、第７Ａ〜７Ｄ
図に複数個のデータ／検知プローブ先端７１２に向って
Ｚ軸上を進行する半導体薄片７１０を支持するプログラ
マブル可動支持体７００の運動を示す。

第６図のマルチプローブ装置の使用方法においてプロー
ブ先端７１２はそれが例えば１２．７μ（０６５ミル）
以内で同一平面に来るように調節して初期設定される。

マルチプローブ装置６０゜は上面に複数個の集積回路チ
ップを有する半導体薄片７１０を支持するプログラマブ
ル可動支持体７００を使用している。可動支持体７００
はＺ軸上を複数個のプローブ先端７１２に向って進行し
、第１データ／検知プローブ先端が表面７１０と接触す
ると、前記したように第５図に示す検出器回路形状とす
ることができるインターフェイス装置６１４はそのデー
タ／検知プ、ローブと表面７１０とが接触しているとい
うことについての電圧信号を感ノＪ材から受信する。こ
の信号はデータ線６２０を介してミニコンピユータ６１
６へ送信されて一個以上のデータ／検知プローブ先端の
接触が行なわれたことをミニコンピユータ６１６へ知ら
せ接触時点においてクロック動作を開始する。

装置内に存在する所定データ／検知プローブ数おミニコ
ンピユータ６１６は全てのデータ／検知プロー１が接触
するまで表面７１０と接触するデータ／検知プローブ数
を監視する。しかしながらデータ／検知プローブ故障も
しくは線状態が存在すると所定のデータ／検知プローブ
数に達しない。

距離を表わす所定クロックサイクル限界がミニコンピユ
ータに記憶されて余分な過剰移動によるプローブ先端の
破損を防ぐ。この数を越すとミニコンピユータ６１６は
フラグを発生して可動支持体を停止するようマルチプ０
−７６００に知らせる。

この信号はデータ線６２４を介して送出される。

接触しているデータ／検知プローブ数がミニコンピユー
タ装＋１６１６内の所定プローブ数と一致する場合、最
終データ／検知プローブが接触したという信号を受信す
るとクロックは停止し、可動支持体の速度および半導体
７１０と接触している第１データ／検知プローブと半導
体薄片７１０と接触している最終データ／検知プローブ
間のクロックサイクル数に基づいて、接触している第１
およ（０，５ミル）の平面化限界に較べて許容誤差内に
あるかどうかを定める計算を行う。こうして平面化監視
が達成され一個のデータ／検知プローブも半導体表面７
１０ヘスクラブ−インして、プローブ先端や導電帯が破
損して機械のダウンタイムや製品ロスが生じることのな
いようにすることを保証する。また最終データ／検知プ
ローブ先端が半導体薄片７１０と接触したという信号を
受信すると、ミニコンピユータはデータ線６２６を介し
てマルチプローブへ信号を送出し可動支持体を一定距離
だけ移動させてデータ／検知−プローブ先端を半導体表
面７１０へ過剰移動させる即ち半導体薄片７１０の酸化
物層中へ先端をスクラブ−インさせるよう命令して電気
的接触を良好とする。この過剰移動距離は調整可能であ
り５０．８〜１２７．０μ（２〜５ミル）程度とするこ
とができる。こうして半導体薄片７１０と接触する第１
データ／検知プローブおよび半導体薄片と接触する最終
データ／検知プローブ間で経過する時間の確認によりデ
ータ／検知プローブ先端の平面化監視とデータ／検知プ
ローブ先端の半導体表面７１０への過剰移動の制御が可
能となる。現在のテストが完了して次のテストが開始す
る前にミニコンピユータ６１６はインターフェイス装置
６１４ヘリセツト信号を送出してラッチ回路をリセット
し集積回路の次のテスＩ−準備を行なう。更にテスト信
号はデータ／検知プローブを介して半導体薄片集積回路
へ送出され集積回路チップが動作可能かどうかを定める
。データ／検知プローブ故障や縁状前や検査状態に関す
る情報は全て最終的にユーザインターフェイスの端末プ
リンタ６２８へ送出される。端末プリンタはテキザス州
ダラスのテキサスインスツルメンツ社製モデル７００と
することができる。

本発明を特定実施例について説明してきたが、本技術に
習熟した人には本発明の精神および範囲内で種々の変更
が可能なことは明白であろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いることができるプローブ検知器装
置の側面図、第２Ａ図は第１図のプローブ検知器の部分
側面図でその検知器にとりつけられる熱力材を示し、第
２Ｂ図はたわんだ状態の熱力材を示す第１図のプローブ
検知器装：道の部分側面図、第３図は本発明に用いるこ
とができるプローブ検知器装置の使用を示す一部回路図
一部ブロック図で示すマルチプローブ装置、第４図は本
発明に用いることができる、第１図に示づようにとりつ
けられＩＣ複数個のデータ／検知プローブを有するプロ
ーブカードアセンブリの頂面図、第５図は本発明に用い
ることができるマルチプローブ検査装置で使用される検
出器回路を示す部分ブロック部分回路図、第６図は第４
図のプローブカードアセンブリと第１図のデータ検知器
プローブと第゛５図の検出器回路とを使用したマルチプ
ローブ検査装置を示すブロック図、第７Ａ図〜第７Ｄ図
は本発明に用いることができるプローブカードアセンブ
リと半導体薄片を支持する可動支持ブロックの透視図で
ある。 符号の説明 １０・・・プローブ検知器装置 ２４．４２０，７１２・・・プローブ先端２８・・・熱
力材 ２２８・・・圧電材 ２９．２２９・・・銀被膜 ３１０．６００・・・マルチプローブテスト装置３１２
・・・チャック ３１４．４１０，６１０・・・プローブカード３１８・
・・マルチプローブ ３２４．５００・・・検出器回路 ３６．４１２・・・印刷回路板 ４１４・・・データ／検知プローブ ５０５・・・電源 ５１０・・・ＲＣ濾波器 ５２０・・・利得が１のバッファ増幅器５３０・・・レ
ベル識別器 ５４０・・・ラッチ回路 ５５０・・・バッファトライバ ５６０・・・発光ダイオード ５７０・・・割込回路板 ５７２・・・ＮＡＮＯ回路 ５７４・・・インバータ ５７６・・・ＡＮＤ回路 ６１４・・・インターフェイス装置 ６１６・・・ミニコンピユータ ６２８・・・プリンタ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体ウェハに形成された集積回路の検査方法に
   おいて、支持体に取り付けられた複数のプローブを半導
   体ウェハに対向させる工程と、前記プローブが前記半導
   体ウェハと接触する方向に前記支持体および、または前
   記半導体ウェハを移動させる工程と、あらかじめ求めら
   れた前記半導体ウェハの反りに基づき前記プローブが前
   記半導体ウェハに接触した後の前記支持体および、また
   は前記半導体ウェハの移動距離を制御する工程とを有す
   ることを特徴とする集積回路の検査方法。