JPH0562310B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 従来技術 本発明はプローブ装置特にＺ軸上の面接触を感
知する検出器を有するプローブ装置およびＺ軸上
の表面接触を感知する複数個のこのようなデー
タ／検知プローブを有して表面縁を検出し、平面
化（平面配置）の監視を可能として半導体簿片の
表面への過剰移動を制御するマルチプローブを用
いる検査方法に関するものである。

本願発明では、各半導体ウエハの種々の反りに
応じて個別的、かつ可変的な移動制御を行うこと
ができる。

電子回路の形成において集積回路は上面に多数
のマトリクス即ちマイクロ回路を有する半導体簿
片から製作することができる。一般に各簿片は同
種のマイクロ回路の多数の同じ繰返しマトリクス
を有している。個々のユニツト即ち回路はしばし
ば集積回路チツプもしくは個別バー
（individualbar）と呼ばれる。

この方法では配送する前に簿片を所望の集積回
路要素もしくはその組合せに分離するに先立つて
簿片即ちウエハ上の各集積回路チツプの各回路を
検査する。

各ウエハの各マイクロ回路即ち集積回路は通常
隣接回路ユニツトに関して所定の精度で配置され
ているため、プローブを被試験回路に対応する各
所定点上に正確に配置できるならば回路を検査す
ることができる。例えば一つの集積回路上のいく
つかの異なる点を同時に検査することができる。

発明が解決しようとする問題点 簿片を損傷せずに信頼できる検査を行なうには
検査手順中に克服すべき障害がいくつかある。針
が接続された支持体を有する検査プローブの使用
における困難の一つは、プローブ針頭が接触する
と半導体ウエハの表面上に擦傷ができることであ
る。これは有効なＺ軸制御が行われないために生
ずる。Ｚ軸はチヤツク即ち半導体簿片の可動支持
体のプローブ先端に対する垂直運動により確立さ
れる方向である。特にＺ軸制御は大きな簿片表面
上の127μ（５ミル）にも達する簿片の表面反りを
補償し、ウエハとの接触点を定め、プローブ先端
が簿片から離れる時点を定める即ち縁検出に必要
である。

半導体簿片テストはカリフオルニア州メンロパ
ーク、エレクトログラス社（Electroglas Corp.）
製モデル1034Xマルチプローブ等のマルチプロー
ブ機上で行われる。マルチプローブ機は半導体簿
片に対して信号を注入して検査データを集める一
連のデータプローブがとりつけられた印刷回路板
すなわちプローブカードを有している。現状の方
法は電気スイツチ機構を有するデータプローブ形
状のプローブカード上に縁センサを用いる。動作
上従来の縁センサはプローブ先端がシリコン簿片
と接触する時電気的に開路するように作用する。
この開路はマルチプローブ装置によつて検出され
検査手順が継続される。チヤツク即ち半導体簿片
の支持ブロツクが垂直に移動してプローブ先端と
接触した時縁センサが接触を検出しないと開路状
態は生じず、マルチプローブ装置はインデツクス
手順を行ない簿片を移動してデータプローブが集
積回路チツプの次の列上に来るようにする。この
従来の縁センサは信頼度が低く、チヤツクが連続
的に上向きに移動してプローブ先端接触が確認さ
れない時にチツプに損傷を与えマルチプローブ装
置の故傷時間の大きな原因となつている。プロー
ブ先端が簿片と接触した後チヤツクを更に25.4〜
127.0μ（１〜５ミル）だけ余分に移動させて酸化
物層を貫通させ能動回路素子と電気的に良好に接
触させる必要があり、この技術はスクラブ−イン
（scrub−in）と呼ばれている。プローブと簿片と
の接触が確認されないと過剰移動は制御されず、
その結果プローブ先端が破損し余分な過剰移動が
生じチツプが破損して機械のダウンタイムを生じ
る。

マルチプローブ検査装置におけるもう一つの問
題点は半導体簿片上の集積回路が矩形形状の一連
のチツプパターンであるという性質を半導体簿片
が有していることである。半導体簿片が円形性で
あるため半導体簿片の縁上には一連の部分集積回
路チツプが生じる。一個の縁センサを使用すれば
部分バーのおよそ半分を被試験表面として確認
し、その結果マルチプローブ装置はこれらの部分
バーを検査しようとし、時間を浪費し、部分バー
を不良回路と確認し、部分バーに確認インクをし
るす。同じ問題が破損半導体簿片のテスト時にも
生じ部分バー数は更に増大し縁検出は一層重要と
なる。

本発明は、上述した従来技術の問題点を解決
し、各半導体ウエハ及び半導体ウエハ上の各集積
回路の反りに基づき複数のプローブ及び、または
半導体ウエハの移動距離を制御することにより、
プローブの破損や集積回路の損傷を防止し、検査
効率及び半導体装置の生産性を向上することがで
きる集積回路の検査方法を提供することを目的と
する。

問題点を解決するための手段及び作用 本発明においては、支持体、および支持体に接
続されそこから鉤状に延在する腕と、プローブ先
端の表面を変えるねじ等の調節機構により腕に接
続されたプローブ先端とを有するデータプローブ
を利用してもよい。データプローブは例えば鉛ジ
ルコネート−鉛チタネート（PZT）等の感力材
を有する検知器が腕に固着される時に縁センサと
して作用し、プローブ先端が半導体簿片等の表面
と接触する時機械的に変形される。次に検知器は
導線を介してインタフエイス回路およびそこから
マルチプローブ装置へ電気信号を送出しプローブ
先端が集積回路と接触したことを知らせる。

検知器を有するデータプローブは更に半導体簿
片をテストする複数個のデータプローブと共にプ
ローブカード即ち印刷回路板へ接続されている。
検知プローブが半導体簿片の表面と接触したとい
うＺ軸信号をマルチプローブ装置が受信すると、
マルチプローブ装置はチヤツク支持体をＺ軸方向
に一定距離だけ移動させて全体のデータプローブ
接触および適切なスクラブ−インを保証する。

更に本発明においては、複数個のデータ／検知
プローブを電気支持体例えば印刷回路板上へ配設
してもよい。データ／検知プローブは物理的およ
び電気的に印刷回路板へ接続されており、複数個
のデータ／検知プローブの各々は支持体および支
持体に接続されそこから鉤状に延在している腕お
よびその腕に接続されたプローブ先端を有してい
る。プローブ先端はプローブ先端の表面を変える
ねじ等の調節機構により腕に接続されている。デ
ータ／検知プローブは例えば鉛ジルコネート−鉛
チタネート（PZT）等の感力材が腕に固着され、
プローブ先端が半導体簿片等の表面と接触して機
械的に変形される時、データプローブおよびＺ軸
検知器として作用する。Ｚ軸感知アセンブリが単
に複数個のデータプローブといくつかの縁感知プ
ローブではなく複数個のデータ／検知プローブを
有するように設計することにより、半導体簿片と
の接触から各データ／検知プローブのＺ軸接触を
監視することができる。各データ／検知プローブ
上の感力材が発生する信号は検出器回路へ送出さ
れ、次にそれは適切な情報をマルチプローブ装置
および／もしくはミニコンピユータへ送出してデ
ータ／検知プローブと半導体簿片との接触タイミ
ングを評価してＺ軸運動を有効に監視し、こうし
て平面化の有効監視、過剰移動制御、プローブ先
端接触確認、および縁感知を行う。

半導体簿片に平行に間隔をとつて電子支持装置
上に配設された複数個のデータ／検知プローブを
有するＺ軸検出器アセンブリを使用して集積回路
を検査する方法において、データ／検知プローブ
先端は最初プローブ先端が全て同一平面内に来る
ことを保証して初期設定しなければならない。
（即ち平面化または平面配置）。この初期設定後半
導体簿片を支持している可動支持装置を持ち上げ
て複数個のデータ／検知プローブと接触させなけ
ればならない。ミニコンピユータを使用し各デー
タ／検知プローブの感力材から信号を受信する検
出器回路から受信する上方に基づいて半導体簿片
と接触するデータ／検知プローブをカウントする
ことができる。平面化はこの情報に基ずき半導体
簿片が複数個のデータ／検知プローブの一つと最
初に接触する時にクロツクを開始し、複数個のデ
ータ／検知プローブが全て半導体簿片と接触した
という信号を受信した時にクロツクを停止して監
視することができる。次に半導体簿片と接触する
第１データ／検知プローブおよび半導体簿片と接
触する最終データ／検知プローブ間の距離を算出
し、第１接触および最終接触間で経過したクロツ
クサイクル数と半導体簿片の複数個のデータ／検
知プローブへの接近速度を考慮して平面化を定め
ることができる。データ／検知プローブ先端の平
面化の監視に続いて半導体簿片への過剰移動は半
導体簿片の可動支持体がＺ軸上を所定距離だけ移
動するように初期設定して制御することができ、
データ／検知プローブ先端の平面化がチエツクさ
れ平面化の所定限界内に入ることが判つた後にの
みデータ／検知プローブ先端を一定距離だけ半導
体簿片へスクラブ−インすることができる。次に
半導体簿片上の集積回路チツプの検査はデータ／
検知プローブにより集積回路へ検査信号を送出し
これらの信号を評価して行なうことができる。

実施例 次に図面特に第１図にプローブ検知器装置１０
を示す。プローブ装置１０は半導体簿片と接触す
る時点を定めるＺ軸制御を採用した機能特性を有
するデータプローブとして構成されている。第３
図に示し以下に説明するようにプローブは半導体
簿片に平行に配置された印刷回路板に取付けるこ
とができる。

構造的にプローブ１０は夫々第１、第２開口１
４，１６を有する支持体１２を有している。支持
体１２はＬ型構造とすることができ、第１開口１
４はＬ型の長辺に配置され第２開口１６はＬ型構
造１２の短辺のフランジ１５内に配置されてい
る。支持体１２は例えば真ちゆう等の導電材とし
て更に金張りすることができる。

腕１８が支持体１２に取付けられてそこから延
在している。延在する腕もＬ型構造としてＬ型腕
の短辺をＬ型支持構造１２の短辺へ取付けること
ができる。延在腕も真ちゆう等の導電材とするこ
とができ金張りすることもできる。

支持構造１２内の前記第２開口１６内に配設さ
れた調節ねじ２０が貫通して延在腕１８に達して
いる。

針即ちプローブ先端２４と支持スリーブ２６を
有する試験針アセンブリ即ちプローブ先端アセン
ブリ２２が延在腕１８に取付けられている。針２
４は上面に集積回路を有する半導体簿片に接触し
て、特定集積回路チツプの不良を表わす適切な電
気データを得るために使用される。これが針２４
をデータプローブとして使用する時の主な機能で
ある。

Ｚ軸接触即ち試験針２４が畔導体表面と接触す
る時点を感知するため、プローブ検知器装置１０
の延在腕１８へ感力材２８を取付けることができ
る。感力材は銀被膜領域２９でふちどられてい
る。感力材２８をプローブ装置１０の残りの導電
材から絶縁するため、感力材２８の銀被膜２９を
絶縁エポキシ材３０により延在腕１８へ取付ける
ことができる。感力材２８は圧電基板すなわちモ
ノモルフあるいは圧電サンドイツチ型構造のバイ
モルフと称されるものを有することができる。圧
電材の特性は電圧発生器として動作できるような
ものである。この特性は圧電材が変形したりたわ
んだ時に材料自体により電圧が発生するというも
のである。一対の導線即ち導体３２が感力材２８
の銀被膜２９にはんだ付けされている。こうして
圧電材を感力材２８として使用すると変形により
電圧が発生し導線３２間で感知される。導線３２
は互いに絶縁されている。各導線は適合絶縁で被
覆されプローブ検知器試験構造１０の支持体１２
内の第１開口１４を貫通して延在している。次に
信号が図示せぬ検出器回路へ送出される。導線３
２はエポキシ３４により腕１８へ固着することが
できる。

第１図に示すようにＺ軸検出器全体を印刷回路
板へ取付けてＬ型支持体１２の長辺を印刷回路板
３６へ付着することができる。

第２Ａ図および第２Ｂ図は第１図の圧電材の反
り特性を示す。第１図の部分側面を示す第２Ａ図
には例えばエポキシ材等の絶縁材２３０により導
電帯２１８へ固着された銀被膜２２９を有する圧
電材２２８をその休止即ち水平面内の静止位置に
おいて示している。第２Ｂ図は導電帯２１８が第
２Ｂ図の反り２５０を生じる下向き変位として変
形される時に生じる圧電材２２８の反り特性を示
す。第１図の感力材２８の反りは第１図の試験針
２４が表面に接触し上向き垂直方向の力を有して
いるために生じる。

次に第３図にはマルチプローブ検査装置３１０
内のＺ軸制御プローブ検出器装置が示されてい
る。マルチプローブ検査装置３１０は従来チヤツ
クとして知られている半導体簿片支持体３１２を
有している。チヤツク３１２は印刷回路板即ちプ
ローブカード３１４に平行に配設されている。印
刷回路板３１４はカリフオルニア州
TeledyneTAC社製のものとすることができる。
プローブカード３１４には複数個のデータプロー
ブ３１６が取付けられている。データプローブ３
１６はチヤツク３１２上の半導体簿片上の集積回
路の電気的特性を監視する。これらの電気的特性
はプローブカード３１４へ電気的に接続されたマ
ルチプローブ３１８により監視評価される。

複数個のデータプローブ３１６の他の第１図に
示すプローブ装置１０の形状の本発明に従つたプ
ローブ装置もプローブカード３１４に取付けられ
ている。第３図には図示しないが第１図の感力材
２８と同様の感力素子を有するプローブテスタ３
２０をＺ軸制御および縁検出器として使用するこ
とができる。感力材の反りにより発生する信号は
導体３２２により検出器回路３２４へ送出されて
増幅調整されマルチプローブと両立する適切な出
力信号を供給するが、検出器回路出力はTTL−
両立パルスもしくはプローブ接触を示す直流値で
ある。次にこの信号は電気接続３２６によりマル
チプローブ３１８へ送出される。

データプローブ３１６はカリフオルニア州
Teledyne社製造販売のモデル13742−11とするこ
とができる。

動作的にＺ軸制御として使用される時マルチプ
ローブ３１８はプローブ装置３２０がチヤツク３
１２上の半導体簿片と接触する時点までチヤツク
３１２をプローブカード３１４に垂直な方向へ移
動させ、プローブ３２０上の感力材を変形して信
号を発生し導体３２２を介して検出器回路３２４
および終局的にマルチプローブ３１８へ転送して
チヤツク３１２のプローブカード３１４方向の運
動を停止させる。このＺ軸制御形式は半導体簿片
上の個々の集積回路をプローブするのに使用され
る。プローブ検出器３２０はまた従来の縁センサ
の替りに使用して半導体簿片上の一列の集積回路
のテストが完了した時即ち接触が感知されない
時、マルチプローブ３１８によりインデツクスシ
ーケンスを生じさせて半導体簿片上の次の列の集
積回路のテストを行なえるような検出を行うこと
ができる。

第４図にプローブカードアセンブリ４１０を示
す。プローブカードアセンブリ４１０は印刷回路
板４１２を使用して線４１６により印刷回路板４
１２へ電気的に接続された複数個のデータ／検知
プローブ４１４を支持するような構造となつてい
る。線４１６は半導体簿片を検査するために複数
個のデータ／検知プローブ４１４とマルチプロー
ブもしくはミニコンピユータ（図示せず）間で信
号を送受信する電気的手段を提供する。第４図で
データ／検知プローブ４１４は半導体簿片表面４
１８に対して平行に離されて配設されており、複
数個の各データ／検知プローブ４１４には前記第
１図、第２Ａ図、第２Ｂ図に示す感力材（図示せ
ず）が接続されており、それはＺ軸上のプローブ
先端４２０と半導体簿片表面４１８との接触を確
認する。Ｚ軸上のこの検知は第５図に示し以下に
説明するように導線４２２を介して検出器回路へ
信号を出す。

次に第４図および第５図に前記プローブカード
アセンブリ４１０（第４図）および検出器回路５
００を示す。各データ／検知プローブ４１４はＺ
軸接触信号を供給し集積回路チツプに対してテス
ト信号を送受する二重機能を有する。データ／検
知プローブ４１４から延在する導線４２２はＺ軸
検出器４１０を検出器回路５００へ電気的に接続
する。検出器回路板５００は複数個のデータ／検
知プローブの一つが使用する４つの独立した検出
器チヤネルを示している。電源５０５は検出器回
路５００へ±15Vおよび＋5V電源を供給するた
めに使用されている。各チヤネルは利得が１のバ
ツフア増幅器５２０へ電気的に接続されたRC濾
波器アセンブリ５１０を有し、RC濾波器５１０
はノイズスパイクを濾波してデータ／検知プロー
ブ４１４から受信する電圧信号の応答時間を減衰
させる。利得が１のバツフア増幅器５２０は電圧
信号を高インピーダンス信号から低インピーダン
ス信号へ変換する。利得が１のバツフア増幅器は
テキサス州ダラスのテキサスインスツルメンツ社
製のモデルTL084Nとすることができる。次にこ
の低インピーダンス信号はレベル識別器アセンブ
リ５３０へ送出される。レベル識別器アセンブリ
５３０はしきい値型であり、信号が例えば30ｍｖ
の所定しきい値電圧に達しない限り低インピーダ
ンス信号は確認されず本質的に阻止される。しか
しながら例えば低インピーダンス信号がしきい値
以上であると識別器出力は例えば第５図の回路の
5Vの最大電圧に設定される。レベル識別器はテ
キサス州ダラスのテキサスインスツルメンツ社製
のモデルLM339Nとするとができる。低レベル
ノイズ信号に対して識別した後公称5Vの所望の
信号がラツチ回５４０へ送出され、それは例えば
信号OVへラツチしてバツフアドライバ５５０へ
送出する。バツフアドライバ５５０はコンピユー
タおよび割込回路板５７０へ信号を供給するのみ
ならず発光ダイオード５６０を使用可能とするの
に必要な電力を供給する。ラツチ回路はテキサス
州ダラスのテキサスインスツルメンツ社製モデル
7474Nとすることができ、バツフアドライバは同
社製モデル7404Nとすることができる。ラツチ信
号は割込回路５７０へ送出されて例えば４ユニツ
ト群とすることができ、一連のNOR回路５７２
へ送出されその後インバータ５７４により反転し
て最終的に一連のOR回路５７６へ送られる。
NOR回路５７２、インバータ−バツフアドライ
バ５７４およびOR回路５７６も夫々テキサス州
ダラスのテキサスインスツルメンツ社製のモデル
74S260N、7404N、7432Nとすることができる。
全てのデータ／検知プローブ４１４が半導体表面
４１８に接触すると、出力割込信号がマルチプロ
ーブユニツトもしくはミニコンピユータ（図示せ
ず）へ送出される。しかしながら例えばNOR回
路への入力のいずれかが「高」にならない場合、
それは一個以上のプローブ４１４が半導体簿片４
１８と接触しておらず、プローブ故障もしくは縁
状態が存在することを意味する。この割込状態に
よりマルチプローブはインデツクスを行ない集積
回路チツプの新しい列のテストを開始することが
できる。割込状態が生じるとミニコンピユータは
ラツチ回路５４０ヘリセツト信号を戻してラツチ
を所定状態へ戻し、次のチツプのテスト準備を行
なう。

次に第６図に第４，５，７Ａ−７Ｄ図と関連し
てマルチプローブ検査装置６００を示す。カリフ
オルニア州メンロパークのエレクトログラス社
（Electroglas Corp.）製モデル1034X等のマルチ
プローブを第４図に示すようなプローブアセンブ
リ６１０と共に使用して複数個のデータ線６１２
を介して第５図に示し上記した４チヤネル検出器
回路５００形状のインターフエイス装置６１４へ
信号情報を供給することができる。マルチプロー
ブ６００およびインターフエイス装置６１４はテ
キサス州ダラスのテキサスインスツルメンツ社製
モデルTI／960等のミニコンピユータ６１６へ電
気的に接続されている。マルチプローブ装置はミ
ニコンピユータ６１６ヘイネーブル信号６１５を
送出して半導体簿片４１８のテスト手順を開始
し、インターフエイス装置６１４はデータ／検知
プローブ４１４と半導体簿片４１８とのＺ軸接触
を評価する割込信号６１８およびデータ６２０を
ミニコンピユータ６１６へ送出する。次にミニコ
ンピユータ６１６はインターフエイス装置６１４
のチヤネルヘリセツト信号６２２を送出して第５
図に関して説明したようにラツチ回路５４０をリ
セツトする。

次に第６図および第７Ａ〜７Ｄ図に関し、第７
Ａ〜７Ｄ図に複数個のデータ／検知プローブ先端
７１２に向つてＺ軸上を進行する半導体簿片７１
０を支持するプログラマブル可動支持体７００の
運動を示す。

第６図のマルチプローブ装置の使用方法におい
てプローブ先端７１２はそれが例えば12.7μ（0.5
ミル）以内で同一平面に来るように調節して初期
設定される。マルチプローブ装置６００は上面に
複数個の集積回路チツプを有する半導体簿片７１
０を支持するプログラマブル可動支持体７００を
使用している。可動支持体７００はＺ軸上を複数
個のプローブ先端７１２に向つて進行し、第１デ
ータ／検知プローブ先端が表面７１０と接触する
と、前記したように第５図に示す検出器回路形状
とすることができるインターフエイス装置６１４
はそのデータ／検知プローブと表面７１０とが接
触しているということについての電圧信号を感力
材から受信する。この信号はデータ線６２０を介
してミニコンピユータ６１６へ送信されて一個以
上のデータ／検知プローブ先端の接触が行なわれ
たことをミニコンピユータ６１６へ知らせ接触時
点においてクロツク動作を開始する。装置内に存
在する所定データ／検知プローブ数およびコンピ
ユータに記憶された前記数に基いて、ミニコンピ
ユータ６１６は全てのデータ／検知プローブが接
触するまで表面７１０と接触するデータ／検知プ
ローブ数を監視する。しかしながらデータ／検知
プローブ故障もしくは縁状態が存在すると所定の
データ／検知プローブ数に達しない。距離を表わ
す所定クロツクサイクル限界がミニコンピユータ
に記憶されて余分な過剰移動によるプローブ先端
の破損を防ぐ。ここの数を越すとミニコンピユー
タ６１６はフラグを発生して可動支持体を停止す
るようマルチプローブ６００に知らせる。この信
号はデータ線６２４を介して送出される。接触し
ているデータ／検知プローブ数がミニコンピユー
タ装置６１６内の所定プローブ数と一到する場
合、最終データ／検知プローブが接触したという
信号を受信するとクロツクは停止し、可動支持体
の速度および半導体７１０と接触している第１デ
ータ／検知プローブと半導体簿片７１０と接触し
ている最終データ／検知プローブ間のクロツクサ
イクル数に基づいて、接触している第１および最
終プローブ間の距離がおよび12.7μ（0.5ミル）の
平面化限界に較べて許容誤差内にあるかどうかを
定める計算を行う。こうして平面化監視が達成さ
れ一個のデータ／検知プローブも半導体表面７１
０へスクラブ−インして、プローブ先端や導電帯
が破損して機械のダウンタイムや製品ロスが生じ
ることのないようにすることを保証する。また最
終データ／検知プローブ先端が半導体簿片７１０
と接触したという信号を受信すると、ミニコンピ
ユータはデータ線６２６を介してマルチプローブ
へ信号を送出し可動支持体を一定距離だけ移動さ
せてデータ／検知プローブ先端を半導体表面７１
０へ過剰移動させる即ち半導体簿片４１０の酸化
物層中へ先端をスクラブ−インさせるよう命令し
て電気的接触を良好とする。この過剰移動距離は
各集積回路ごとに調整可能であり50.8〜127.0μ
（２〜５ミル）程度とすることができる。こうし
て半導体簿片７１０と接触する第１データ／検知
プローブおよび半導体簿片と接触する最終デー
タ／検知プローブ間で経過する時間の確認により
データ／検知プローブ先端の平面化監視とデー
タ／検知プローブ先端の半導体表面７１０への過
剰移動の制御が可能となる。現在のテストが完了
して次のテストが開始する前にミニコンピユータ
６１６はインターフエイス装置６１４ヘリセツト
信号を送出してラツチ回路をリセツトし集積回路
の次のテスト準備を行なう。更にテスト信号はデ
ータ／検知プローブを介して半導体簿片集積回路
へ送出され集積回路チツプが動作可培かどうかを
定める。データ／検知プローブ故障や縁状態や検
査状態に関する情報は全て最終的にユーザインタ
ーフエイスの端末プリンタ６２８へ送出される。
端末プリンタはテキサス州ダラスのテキサスイン
スツルメンツ社製モデル700とすることができる。

本発明を特定実施例について説明してきたが、
本技術に習熟した人には本発明の精神および範囲
内で種々の変更が可能なことは明白であろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いることができるプローブ
検知器装置の側面図、第２Ａ図は第１図のプロー
ブ検知器の部分側面図でその検知器にとりつけら
れる感力材を示し、第２Ｂ図はたわんだ状態の感
力材を示す第１図のプローブ検知器装置の部分側
面図、第３図は本発明に用いることができるプロ
ーブ検知器装置の使用を示す一部回路図１部ブロ
ツク図で示すマルチプローブ装置、第４図は本発
明に用いることができる、第１図に示すようにと
りつけられた複数個のデータ／検知プローブを有
するプローブカードアセンブリの頂面図、第５図
は本発明に用いることができるマルチプローブ検
査装置で使用される検出器回路を示す部分ブロツ
ク部分回路図、第６図は第４図のプローブカード
アセンブリと第１図のデータ検知器プローブと第
５図の検出器回路とを使用したマルチプローブ検
査装置を示すブロツク図、第７Ａ図〜第７Ｄ図は
本発明に用いることができるプローブカードアセ
ンブリと半導体簿片を支持する可動支持ブロツク
の透視図である。 符号の説明、１０……プローブ検知器装置、２
４，４２０，７１２……プローブ先端、２８……
感力材、２２８……圧電材、２９，２２９……銀
被膜、３１０，６００……マルチプローブテスト
装置、３１２……チヤツク、３１４，４１０，６
１０……プローブカード、３１８……マルチプロ
ーブ、３２４，５００……検出器回路、３６，４
１２……印刷回路板、４１４……データ／検知プ
ローブ、５０５……電源、５１０……RC濾波器、
５２０……利得が１のバツフア増幅器、５３０…
…レベル識別器、５４０……ラツチ回路、５５０
……バツフアドライバ、５６０……発光ダイオー
ド、５７０……割込回路板、５７２……NAND
回路、５７４……インバータ、５７６……AND
回路、６１４……インターフエイス装置、６１６
……ミニコンピユータ、６２８……プリンタ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウエハに形成された集積回路の検査方
   法において、 (a) 支持体に取付られた複数のプローブを半導体
   ウエハに対向させる工程と、 (b) 前記プローブが前記半導体ウエハに接触する
   方向に前記支持体および、または前記半導体ウ
   エハを移動させる工程と、 (c) 前記複数のプローブのうちの最初のプローブ
   が前記半導体ウエハ上の集積回路に接触したと
   きにクロツクのカウントを開始し、所定クロツ
   ク数内に前記複数のプローブがすべて前記集積
   回路に接触しないときは前記支持体および、ま
   たは前記半導体ウエハの移動を停止し、前記半
   導体ウエハ上の他の集積回路を検査するために
   前記半導体ウエハ及び、または前記支持体の移
   動を制御し、一方、前記所定クロツク数内に前
   記複数のプローブがすべて前記集積回路に接触
   したときは最初のプローブの接触から最後のプ
   ローブの接触までにカウントされたクロツク数
   から上記集積回路の反りを判定し、当該反りに
   応じて前記半導体ウエハおよび、または前記支
   持体の過剰移動距離を制御する工程とを有する
   ことを特徴とする集積回路の検査方法。