WO2020124841A1 - 有机发光器件及其制作方法 - Google Patents

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WO2020124841A1
WO2020124841A1 PCT/CN2019/079467 CN2019079467W WO2020124841A1 WO 2020124841 A1 WO2020124841 A1 WO 2020124841A1 CN 2019079467 W CN2019079467 W CN 2019079467W WO 2020124841 A1 WO2020124841 A1 WO 2020124841A1
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anode structure
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organic light
contact hole
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潘凌翔
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深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
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    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance

Definitions

  • the present disclosure relates to the field of display technology, in particular to an organic light-emitting device and a manufacturing method thereof.
  • the manufacturing method of the organic light emitting device includes:
  • anode structure on the flat layer, the anode structure being in contact with the source electrode and the auxiliary cathode through the first hole;
  • a cathode structure is formed on the bank layer.
  • the anode structure contacts the auxiliary cathode through a first hole, and the contact hole exposes a side wall of the anode structure.
  • the anode structure is in contact with the auxiliary cathode through two first holes, the contact hole exposes two sidewalls of the anode structure, and the contact hole is located on the Between the two side walls of the anode structure.
  • the cathode structure contacts the sidewall of the anode structure through the contact hole.
  • the method further includes sequentially forming a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and the cathode structure on the anode structure and the bank layer .
  • the step of providing the base substrate includes:
  • a plurality of second holes are formed on the third insulating layer, wherein the source electrode and the drain electrode contact the semiconductor layer through the second holes.
  • the present disclosure also provides a method of manufacturing an organic light emitting device.
  • the manufacturing method of the organic light emitting device includes:
  • anode structure on the flat layer, the anode structure being in contact with the source electrode and the auxiliary cathode through the first hole;
  • a bank layer and a contact hole are formed on the flat layer, wherein the contact hole exposes the side wall of the anode structure, part of the upper surface of the anode structure, and part of the upper surface of the flat layer.
  • the anode structure contacts the auxiliary cathode through a first hole, and the contact hole exposes a side wall of the anode structure.
  • the anode structure is in contact with the auxiliary cathode through two first holes, the contact hole exposes two sidewalls of the anode structure, and the contact hole is located on the Between the two side walls of the anode structure.
  • the method further includes forming a cathode structure on the bank layer, the cathode structure being in contact with the sidewall of the anode structure through the contact hole.
  • the method further includes sequentially forming a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and the cathode structure on the anode structure and the bank layer .
  • the step of providing the base substrate includes:
  • a plurality of second holes are formed on the third insulating layer, wherein the source electrode and the drain electrode contact the semiconductor layer through the second holes.
  • the present disclosure also provides an organic light emitting device, including a base substrate, a source electrode, a drain electrode, an auxiliary cathode, a first insulating layer, a flat layer, a plurality of first holes, an anode structure, a bank layer, and a contact hole.
  • the source electrode, the drain electrode, and the auxiliary cathode are provided on the same layer on the base substrate.
  • the first insulating layer and the flat layer are provided on the base substrate, the source electrode, the drain electrode, and the auxiliary cathode.
  • the first hole is provided on the first insulating layer and the flat layer.
  • the anode structure is provided on the flat layer.
  • the anode structure is in contact with the source electrode and the auxiliary cathode through the first hole.
  • the bank layer and the contact hole are provided on the flat layer.
  • the contact hole exposes the side wall of the anode structure, part of the upper surface of the anode structure, and part of the upper surface of the flat layer
  • the anode structure contacts the auxiliary cathode through a first hole, and the contact hole exposes a side wall of the anode structure.
  • the anode structure is in contact with the auxiliary cathode through two first holes, the contact hole exposes two sidewalls of the anode structure, and the contact hole is located on the Between the two side walls of the anode structure.
  • the organic light-emitting device further includes a cathode structure disposed on the bank layer, and the cathode structure contacts the sidewall of the anode structure through the contact hole.
  • the contact hole in the embodiment of the present disclosure exposes the sidewall of the anode structure, the upper surface of the portion of the anode structure and the flatness The upper surface of the portion of the layer.
  • the embodiments of the present disclosure can reduce the voltage decay of the organic light emitting device, thereby improving the light emitting performance of the organic light emitting device.
  • FIG. 1 shows a flowchart of a method for manufacturing an organic light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 2 shows a schematic diagram of a method for manufacturing an organic light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 3 shows a schematic diagram of a method for manufacturing an organic light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 4A shows a schematic diagram of a method for manufacturing an organic light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • 4B shows a schematic diagram of a method for manufacturing an organic light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 5A shows a schematic diagram of a method for manufacturing an organic light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • 5B shows a schematic diagram of a method for manufacturing an organic light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • 6A shows a schematic diagram of a method for manufacturing an organic light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • 6B shows a schematic diagram of a method for manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 7A shows a schematic diagram of a method for manufacturing an organic light emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 7B shows a schematic diagram of a method for manufacturing an organic light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 8 shows a schematic diagram of a method for manufacturing an organic light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 9 shows a schematic diagram of a method for manufacturing an organic light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 10A shows a schematic structural view of an organic light emitting device according to an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 10B shows a schematic structural view of an organic light emitting device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 shows a top view of a contact hole of an organic light emitting device according to an embodiment of the present disclosure.
  • an embodiment of the present disclosure provides a method for manufacturing an organic light-emitting device, including the following steps.
  • a base substrate 110 is provided.
  • the base substrate 110 is, for example, a flexible substrate.
  • a source 122, a drain 124, and an auxiliary cathode 126 are formed on the base substrate 110 on the same layer.
  • the material of the source 122, the drain 124, or the auxiliary cathode 126 is silicon nitride Mo, Al, or a combination of both.
  • step 3 a first insulating layer 130 and a flat layer 140 are formed on the base substrate 110, the source electrode 122, the drain electrode 124, and the auxiliary cathode 126.
  • a plurality of first holes 150 are formed on the first insulating layer 130 and the flat layer 140.
  • the material of the first insulating layer 130 is, for example, silicon oxide (SiOx), and the material of the flat layer 140 is, for example, polyimides (PI).
  • the first insulating layer 130 and the flat layer 140 are dug through the processes of exposure, development, and etching to form the first hole 150.
  • step 5 an anode structure 160 is formed on the flat layer 140, the anode structure 160 contacts the source electrode 122 and the auxiliary cathode 126 through the first hole 150.
  • the anode structure 160 is formed through the processes of exposure, development, etching, and patterning.
  • the anode structure 160 is an ITO layer, for example, an ITO/Ag/ITO multilayer film.
  • step 6 a bank layer 170 and a contact hole 180 are formed on the flat layer 140, wherein the contact hole 180 exposes the sidewall 162 of the anode structure 160, a portion of the upper surface 164 of the anode structure 160, and the flat layer 140 ⁇ 144.
  • the material of the bank layer 170 is, for example, polyimides (PI).
  • PI polyimides
  • the anode structure 160 contacts the auxiliary cathode 160 through a first hole 150, and the contact hole 180 exposes a side wall 162 of the anode structure 160 (see FIG. 6A).
  • the anode structure 160 contacts the auxiliary cathode 160 through the two first holes 150, the contact hole 180 exposes the two sidewalls 162 of the anode structure 160, and the contact hole 180 is located between the two sidewalls 162 of the anode structure 160 ( As shown in Figure 6B).
  • the method of manufacturing the organic light emitting device further includes forming a cathode structure 190 on the bank layer 170.
  • the cathode structure 190 contacts the sidewall 162 of the anode structure 160 through the contact hole 180.
  • the manufacturing method of the organic light emitting device further includes sequentially forming a hole injection layer, a hole transport layer, and a light emitting layer on the anode structure 160 and the bank layer 170 (in FIG. 7, 200 indicates a hole injection layer, a hole transport layer, and light emission Layer), electron transport layer 210 and cathode structure 190.
  • the ink injection printing (IJP) printing or using a mask is used to evaporate the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer, and the electron transport layer 210 and the cathode structure 190 are evaporated on the entire surface .
  • IJP ink injection printing
  • the step of providing a base substrate 110 includes providing a substrate 111, sequentially forming a gate electrode 112, a second insulating layer 113, a semiconductor layer 114, and a third insulating layer 115 on the substrate 111, and A plurality of second holes 116 are formed on the three insulating layers 115, and the source electrode 122 and the drain electrode 124 contact the semiconductor layer 114 through the second holes 116.
  • a metal layer is sputtered on the substrate 111, and the required gate electrode 112 is exposed through exposure, development and etching.
  • the material of the gate electrode 112 is silicon nitride Mo, Al, or a combination of both.
  • the material of the second insulating layer 113 or the third insulating layer 115 is, for example, silicon oxide (SiOx).
  • the semiconductor layer 114 is, for example, an amorphous silicon (a-Si) semiconductor layer or an indium gallium zinc oxide (IGZO) semiconductor layer.
  • an embodiment of the present disclosure provides a schematic structural view of an organic light emitting device.
  • the organic light-emitting device 10 of the embodiment of the present disclosure includes a base substrate 110, a source electrode 122, a drain electrode 124, an auxiliary cathode 126, a first insulating layer 130, a flat layer 140, a plurality of first holes 150, an anode structure 160, a bank Layer 170 and contact hole 180.
  • the source electrode 122, the drain electrode 124 and the auxiliary cathode electrode 126 are provided on the same layer on the base substrate 110.
  • the first insulating layer 130 and the flat layer 140 are provided on the base substrate 110, the source electrode 122, the drain electrode 124, and the auxiliary cathode 126.
  • the first hole 150 is provided on the first insulating layer 130 and the flat layer 140.
  • the anode structure 160 is disposed on the flat layer 140.
  • the anode structure 160 contacts the source electrode 122 and the auxiliary cathode 126 through the first hole 150.
  • the bank layer 170 and the contact hole 180 are provided on the flat layer 140.
  • the contact hole 180 exposes the side wall 162 of the anode structure 160, a portion of the upper surface 164 of the anode structure 160 and a portion of the upper surface 144 of the flat layer 140.
  • the anode structure 160 contacts the auxiliary cathode 126 through a first hole 150, and the contact hole 180 exposes a side wall 162 of the anode structure 160 (see FIG. 10A).
  • the anode structure 160 contacts the auxiliary cathode 126 through two first holes 150, the contact hole 180 exposes the two sidewalls 162 of the anode structure 160, and the contact hole 180 is located between the two sidewalls 162 of the anode structure 160 ( As shown in Figure 10B).
  • the organic light-emitting device 10 further includes a cathode structure 190 disposed on the bank layer 170, and the cathode structure 190 contacts the sidewall 162 of the anode structure 160 through the contact hole 180.
  • the organic light-emitting device further includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer (200 in FIG. 7 denotes a hole injection layer, a hole transport layer, and a light-emitting layer), an electron transport layer 210, and a cathode structure 190 are sequentially arranged in On the anode structure 160 and the bank layer 170.
  • the base substrate 110 includes a substrate 111, a gate electrode 112, a second insulating layer 113, a semiconductor layer 114, and a third insulating layer 115 that are provided in sequence, and the second hole 116 is disposed on the third insulating layer 115, The source electrode 122 and the drain electrode 124 contact the semiconductor layer 114 through the second hole 114.
  • the cross-sectional shape of the contact hole 180 of the organic light-emitting device 10 is shown in FIG. 11, for example, an elongated hole or at least one circular hole.
  • the bottom end of the contact hole 180 passes through the anode structure 160 and reaches the flat layer 140, so that the depth of the contact hole 180 increases. Since the etching process of the anode structure 160 is wet etching, long and straight sidewalls can be formed 162.
  • the structure of the side wall 162 makes the electron transport layer 210 thinner, for example, 20-30 nm, so the electron transport layer 210 on the side wall 162 of the anode structure 160 covers less The sidewall 162 of the anode structure 160 is exposed.
  • the cathode structure 190 When the cathode structure 190 is vapor-deposited on the entire surface, the cathode structure 190 can be directly connected to the auxiliary cathode 126 through the exposed sidewalls 162 of the anode structure 160 in the contact hole 180 without additional burn-in operations. While simplifying the process flow, the problem of voltage drop (IR drop) of the organic light emitting device is solved. Since the resistance of the auxiliary cathode 126 is small, the connection between the auxiliary cathode 126 and the cathode structure 190 can effectively solve the voltage decline (IR drop). For example, the problem of voltage drop (IR drop) of a large-sized organic light-emitting device can be solved.
  • the contact hole in the embodiment of the present disclosure exposes the sidewall of the anode structure, the part of the upper surface of the anode structure and the part of the upper surface of the flat layer.
  • the embodiments of the present disclosure can reduce the voltage decay of the organic light emitting device, thereby improving the light emitting performance of the organic light emitting device.

Landscapes

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本揭示提供了有机发光器件及其制作方法。有机发光器件包括衬底基板、平坦层、阳极结构、堤层和接触孔。堤层和接触孔设置在平坦层上。接触孔露出阳极结构的侧壁、阳极结构的部分上表面和平坦层的部分上表面。本揭示能减少有机发光器件的电压衰退，进而改善有机发光器件的发光性能。

Description

有机发光器件及其制作方法 技术领域
本揭示涉及显示技术领域，特别涉及一种有机发光器件及其制作方法。
 背景技术
现有有机发光器件的接触孔结构中，由于辅助阴极与面阴极之间有一层导电性较差的电子传输层，往往需要利用高电压对电子传输层进行烧屏(burn in)操作，然而，这种烧屏操作的过程繁琐且效果并不明显。
故，有需要提供一种有机发光器件及其制作方法，以解决现有技术存在的问题。
 技术问题
现有有机发光器件的接触孔结构中，由于辅助阴极与面阴极之间有一层导电性较差的电子传输层，往往需要利用高电压对电子传输层进行烧屏(burn in)操作，然而，这种烧屏操作的过程繁琐且效果并不明显。
 技术解决方案
为解决上述技术问题，本揭示提供有机发光器件的制作方法。所述有机发光器件的制作方法包括:
提供衬底基板；
在所述衬底基板上在相同的层上形成源极、漏极和辅助阴极；
在所述衬底基板、所述源极、所述漏极和所述辅助阴极上形成第一绝缘层和平坦层；
在所述第一绝缘层和所述平坦层上形成多个第一孔；
在所述平坦层上形成阳极结构，所述阳极结构通过所述第一孔与所述源极及所述辅助阴极接触；以及
在所述平坦层上形成堤层和接触孔，其中所述接触孔露出所述阳极结构的侧壁、所述阳极结构的部分上表面和所述平坦层的部分上表面；以及
在所述堤层上形成阴极结构。
于本揭示其中的一实施例中，所述阳极结构通过一个第一孔与所述辅助阴极接触，所述接触孔露出所述阳极结构的一个侧壁。
于本揭示其中的一实施例中，所述阳极结构通过二个第一孔与所述辅助阴极接触，所述接触孔露出所述阳极结构的二个侧壁，且所述接触孔位于所述阳极结构的所述二个侧壁之间。
于本揭示其中的一实施例中，所述阴极结构通过所述接触孔与所述阳极结构的所述侧壁接触。
于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括在所述阳极结构及所述堤层上依序形成电洞注入层、电洞传输层、发光层、电子传输层和所述阴极结构。
于本揭示其中的一实施例中，提供所述衬底基板的步骤包括：
提供基板；
在所述基板上依序形成栅极电极、第二绝缘层、半导体层及第三绝缘层；以及
在所述第三绝缘层上形成多个第二孔，其中所述源极和所述漏极通过所述第二孔接触所述半导体层。
本揭示还提供有机发光器件的制作方法。所述有机发光器件的制作方法包括:
提供衬底基板；
在所述衬底基板上在相同的层上形成源极、漏极和辅助阴极；
在所述衬底基板、所述源极、所述漏极和所述辅助阴极上形成第一绝缘层和平坦层；
在所述第一绝缘层和所述平坦层上形成多个第一孔；
在所述平坦层上形成阳极结构，所述阳极结构通过所述第一孔与所述源极及所述辅助阴极接触；以及
在所述平坦层上形成堤层和接触孔，其中所述接触孔露出所述阳极结构的侧壁、所述阳极结构的部分上表面和所述平坦层的部分上表面。
于本揭示其中的一实施例中，所述阳极结构通过一个第一孔与所述辅助阴极接触，所述接触孔露出所述阳极结构的一个侧壁。
于本揭示其中的一实施例中，所述阳极结构通过二个第一孔与所述辅助阴极接触，所述接触孔露出所述阳极结构的二个侧壁，且所述接触孔位于所述阳极结构的所述二个侧壁之间。
于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括在所述堤层上形成阴极结构，所述阴极结构通过所述接触孔与所述阳极结构的所述侧壁接触。
于本揭示其中的一实施例中，所述方法还包括在所述阳极结构及所述堤层上依序形成电洞注入层、电洞传输层、发光层、电子传输层和所述阴极结构。
于本揭示其中的一实施例中，提供所述衬底基板的步骤包括：
提供基板；
在所述基板上依序形成栅极电极、第二绝缘层、半导体层及第三绝缘层；以及
在所述第三绝缘层上形成多个第二孔，其中所述源极和所述漏极通过所述第二孔接触所述半导体层。
本揭示还提供有机发光器件，包括衬底基板、源极、漏极、辅助阴极、第一绝缘层、平坦层、多个第一孔、阳极结构、堤层和接触孔。所述源极、所述漏极和所述辅助阴极设置在所述衬底基板上的相同的层上。所述第一绝缘层和所述平坦层设置在所述衬底基板、所述源极、所述漏极和所述辅助阴极上。所述第一孔设置在所述第一绝缘层和所述平坦层上。所述阳极结构设置在所述平坦层上。所述阳极结构通过所述第一孔与所述源极及所述辅助阴极接触。所述堤层和所述接触孔设置在所述平坦层上。所述接触孔露出所述阳极结构的侧壁、所述阳极结构的部分上表面和所述平坦层的部分上表面。
于本揭示其中的一实施例中，所述阳极结构通过一个第一孔与所述辅助阴极接触，所述接触孔露出所述阳极结构的一个侧壁。
于本揭示其中的一实施例中，所述阳极结构通过二个第一孔与所述辅助阴极接触，所述接触孔露出所述阳极结构的二个侧壁，且所述接触孔位于所述阳极结构的所述二个侧壁之间。
于本揭示其中的一实施例中，所述有机发光器件还包括设置在所述堤层上的阴极结构，所述阴极结构通过所述接触孔与所述阳极结构的所述侧壁接触。
 有益效果
相较于现有技术，为解决上述技术问题，由于本揭示的实施例中的所述接触孔露出所述阳极结构的所述侧壁、所述阳极结构的所述部分上表面和所述平坦层的所述部分上表面。本揭示的实施例能减少所述有机发光器件的电压衰退，进而改善所述有机发光器件的发光性能。
 附图说明
图1显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的流程图；
图2显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；
图3显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；
图4A显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；
图4B显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；
图5A显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；
图5B显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；
图6A显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；
图6B显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；
图7A显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；
图7B显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；
图8显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；
图9显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的制作方法的示意图；
图10A显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的结构示意图；
图10B显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的结构示意图；以及
图11显示根据本揭示的一实施例的有机发光器件的接触孔的俯视图。
 本发明的最佳实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。
为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本揭示优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。再者，本揭示所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
参照图1，本揭示的一实施例提供有机发光器件的制作方法，包括如下步骤。
参照图1及图2，步骤1、提供衬底基板110。
具体地，衬底基板110例如是柔性基板。
参照图1及图3，步骤2、在衬底基板110上在相同的层上形成源极122、漏极124和辅助阴极126。
具体地，源极122、漏极124或辅助阴极126的材料为氮化硅Mo、Al、或二者的组合。
参照图1及图4A-4B，步骤3、在衬底基板110、源极122、漏极124和辅助阴极126上形成第一绝缘层130和平坦层140。
参照图1及图4，步骤4、在第一绝缘层130和平坦层140上形成多个第一孔150。
具体地，第一绝缘层130的材料例如为氧化硅(SiOx)，平坦层140的材料例如为聚酰亚胺(polyimides，PI)。通过曝光、显影、蚀刻的制程对第一绝缘层130和平坦层140进行挖孔，以形成第一孔150。
参照图1及图5A-5B，步骤5、在平坦层140上形成阳极结构160，阳极结构160通过第一孔150与源极122及辅助阴极126接触。
具体地，通过曝光、显影、蚀刻及图案化的制程形成阳极结构160。阳极结构160为ITO层，例如为ITO/Ag/ITO多层薄膜。
参照图1及图6A-6B，步骤6、在平坦层140上形成堤层170和接触孔180，其中接触孔180露出阳极结构160的侧壁162、阳极结构160的部分上表面164和平坦层140的部分上表面144。
具体地，堤层170的材料例如为聚酰亚胺(polyimides，PI)。通过曝光、显影的制程形成相应的堤层170和接触孔180。
具体地，阳极结构160通过一个第一孔150与辅助阴极160接触，接触孔180露出阳极结构160的一个侧壁162(如图6A)。
具体地，阳极结构160通过二个第一孔150与辅助阴极160接触，接触孔180露出阳极结构160的二个侧壁162，且接触孔180位于阳极结构160的二个侧壁162之间(如图6B)。
参照图7A-7B，有机发光器件的制作方法还包括在堤层170上形成阴极结构190，阴极结构190通过接触孔180与阳极结构160的侧壁接触162。有机发光器件的制作方法还包括在阳极结构160及堤层170上依序形成电洞注入层、电洞传输层、发光层(图7中以200表示电洞注入层、电洞传输层、发光层)、电子传输层210和阴极结构190。
具体地，以喷墨打印(ink jet printing，IJP)打印或使用掩模板(mask)蒸镀电洞注入层、电洞传输层、发光层，并整面蒸镀电子传输层210和阴极结构190。
参照图8及9，提供衬底基板110的步骤，包括提供基板111，在基板111上依序形成栅极电极112、第二绝缘层113、半导体层114及第三绝缘层115，以及在第三绝缘层115上形成多个第二孔116，源极122和漏极124通过第二孔116接触半导体层114。
具体地，在基板111上溅镀一层金属层，通过曝光、显影及蚀刻出所需的栅极电极112。栅极电极112的材料为氮化硅Mo、Al、或二者的组合。
第二绝缘层113或第三绝缘层115的材料例如为氧化硅(SiOx)。半导体层114例如为非晶硅(a-Si)半导体层或氧化铟镓锌(IGZO)半导体层。
参照图10A和10B，本揭示的一实施例提供有机发光器件的结构示意图。
本揭示的实施例的有机发光器件10包括衬底基板110、源极122、漏极124、辅助阴极126、第一绝缘层130、平坦层140、多个第一孔150、阳极结构160、堤层170和接触孔180。源极122、漏极124和辅助阴极126设置在衬底基板110上的相同的层上。第一绝缘层130和平坦层140设置在衬底基板110、源极122、漏极124和辅助阴极126上。第一孔150设置在第一绝缘层130和平坦层140上。阳极结构160设置在平坦层140上。阳极结构160通过第一孔150与源极122及辅助阴极126接触。堤层170和接触孔180设置在平坦层140上。接触孔180露出阳极结构160的侧壁162、阳极结构160的部分上表面164和平坦层140的部分上表面144。
具体地，阳极结构160通过一个第一孔150与辅助阴极126接触，接触孔180露出阳极结构160的一个侧壁162(如图10A)。
具体地，阳极结构160通过二个第一孔150与辅助阴极126接触，接触孔180露出阳极结构160的二个侧壁162，且接触孔180位于阳极结构160的二个侧壁162之间(如图10B)。
具体地，有机发光器件10还包括设置在堤层170上的阴极结构190，阴极结构190通过接触孔180与阳极结构160的侧壁162接触。有机发光器件还包括电洞注入层、电洞传输层、发光层(图7中以200表示电洞注入层、电洞传输层、发光层)、电子传输层210和阴极结构190依序设置在阳极结构160及堤层170上。
具体地，衬底基板110包括依序设置的基板111、栅极电极112、第二绝缘层113、半导体层114及第三绝缘层115，以及第二孔116设置在第三绝缘层115上，源极122和漏极124通过第二孔114接触半导体层114。
参照图11，在一实施例中，有机发光器件10的接触孔180的截面形状如图11所示，例如为长条形孔或至少一圆形孔。
在一实施例中，接触孔180的最底端穿过阳极结构160直达平坦层140，使得接触孔180的深度增加，由于阳极结构160的蚀刻工艺为湿蚀刻，可以形成长而直的侧壁162。这种侧壁162的结构使得在整面蒸镀电子传输层210时，由于电子传输层210较薄，例如20-30nm，因此阳极结构160的侧壁162上电子传输层210覆盖较少，大量阳极结构160的侧壁162上裸露出来。当整面蒸镀阴极结构190时，阴极结构190可以通过接触孔180中的阳极结构160的裸露侧壁162直接与辅助阴极126导通，不需要额外的烧屏(burn in)等操作，在简化工艺流程的同时，解决了有机发光器件的电压衰退(IR drop)的难题。由于辅助阴极126的电阻较小，通过辅助阴极126与阴极结构190导通可以有效的解决有机发光器件的电压衰退(IR drop)的问题。例如可解决大尺寸有机发光器件的电压衰退(IR drop)的问题。
由于本揭示的实施例中的所述接触孔露出所述阳极结构的所述侧壁、所述阳极结构的所述部分上表面和所述平坦层的所述部分上表面。本揭示的实施例能减少所述有机发光器件的电压衰退，进而改善所述有机发光器件的发光性能。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本揭示，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本揭示包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能（例如其在功能上是等价的）的任意组件（除非另外指示），即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
以上仅是本揭示的优选实施方式，应当指出，对于本领域普通技术人员，在不脱离本揭示原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本揭示的保护范围。

Claims (16)

  1. 一种有机发光器件的制作方法，包括:
    提供衬底基板；
    在所述衬底基板上在相同的层上形成源极、漏极和辅助阴极；
    在所述衬底基板、所述源极、所述漏极和所述辅助阴极上形成第一绝缘层和平坦层；
    在所述第一绝缘层和所述平坦层上形成多个第一孔；
    在所述平坦层上形成阳极结构，所述阳极结构通过所述第一孔与所述源极及所述辅助阴极接触；
    在所述平坦层上形成堤层和接触孔，其中所述接触孔露出所述阳极结构的侧壁、所述阳极结构的部分上表面和所述平坦层的部分上表面；以及
    在所述堤层上形成阴极结构。
  2. 如权利要求1所述的有机发光器件的制作方法，其中所述阳极结构通过一个第一孔与所述辅助阴极接触，所述接触孔露出所述阳极结构的一个侧壁。
  3. 如权利要求1所述的有机发光器件的制作方法，其中所述阳极结构通过二个第一孔与所述辅助阴极接触，所述接触孔露出所述阳极结构的二个侧壁，且所述接触孔位于所述阳极结构的所述二个侧壁之间。
  4. 如权利要求1所述的有机发光器件的制作方法，其中所述阴极结构通过所述接触孔与所述阳极结构的所述侧壁接触。
  5. 如权利要求1所述的有机发光器件的制作方法，还包括在所述阳极结构及所述堤层上依序形成电洞注入层、电洞传输层、发光层、电子传输层和所述阴极结构。
  6. 如权利要求1所述的有机发光器件的制作方法，其中提供所述衬底基板的步骤包括：
    提供基板；
    在所述基板上依序形成栅极电极、第二绝缘层、半导体层及第三绝缘层；以及
    在所述第三绝缘层上形成多个第二孔，其中所述源极和所述漏极通过所述第二孔接触所述半导体层。
  7. 一种有机发光器件的制作方法，包括:
    提供衬底基板；
    在所述衬底基板上在相同的层上形成源极、漏极和辅助阴极；
    在所述衬底基板、所述源极、所述漏极和所述辅助阴极上形成第一绝缘层和平坦层；
    在所述第一绝缘层和所述平坦层上形成多个第一孔；
    在所述平坦层上形成阳极结构，所述阳极结构通过所述第一孔与所述源极及所述辅助阴极接触；以及
    在所述平坦层上形成堤层和接触孔，其中所述接触孔露出所述阳极结构的侧壁、所述阳极结构的部分上表面和所述平坦层的部分上表面。
  8. 如权利要求7所述的有机发光器件的制作方法，其中所述阳极结构通过一个第一孔与所述辅助阴极接触，所述接触孔露出所述阳极结构的一个侧壁。
  9. 如权利要求7所述的有机发光器件的制作方法，其中所述阳极结构通过二个第一孔与所述辅助阴极接触，所述接触孔露出所述阳极结构的二个侧壁，且所述接触孔位于所述阳极结构的所述二个侧壁之间。
  10.     如权利要求7所述的有机发光器件的制作方法，还包括在所述堤层上形成阴极结构，所述阴极结构通过所述接触孔与所述阳极结构的所述侧壁接触。
  11.      如权利要求10所述的有机发光器件的制作方法，还包括在所述阳极结构及所述堤层上依序形成电洞注入层、电洞传输层、发光层、电子传输层和所述阴极结构。
  12.     如权利要求7所述的有机发光器件的制作方法，其中提供所述衬底基板的步骤包括：
    提供基板；
    在所述基板上依序形成栅极电极、第二绝缘层、半导体层及第三绝缘层；以及
    在所述第三绝缘层上形成多个第二孔，其中所述源极和所述漏极通过所述第二孔接触所述半导体层。
  13.     一种有机发光器件，包括:
    衬底基板；
    源极、漏极和辅助阴极设置在所述衬底基板上的相同的层上；
    第一绝缘层和平坦层设置在所述衬底基板、所述源极、所述漏极和所述辅助阴极上；
    多个第一孔设置在所述第一绝缘层和所述平坦层上；
    阳极结构设置在所述平坦层上，其中所述阳极结构通过所述第一孔与所述源极及所述辅助阴极接触；以及
    堤层和接触孔设置在所述平坦层上，其中所述接触孔露出所述阳极结构的侧壁、所述阳极结构的部分上表面和所述平坦层的部分上表面。
  14.     如权利要求13所述的有机发光器件，其中所述阳极结构通过一个第一孔与所述辅助阴极接触，所述接触孔露出所述阳极结构的一个侧壁。
  15.     如权利要求13所述的有机发光器件，其中所述阳极结构通过二个第一孔与所述辅助阴极接触，所述接触孔露出所述阳极结构的二个侧壁，且所述接触孔位于所述阳极结构的所述二个侧壁之间。
  16.     如权利要求13所述的有机发光器件，还包括设置在所述堤层上的阴极结构，所述阴极结构通过所述接触孔与所述阳极结构的所述侧壁接触。
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