JP2011086578A - 有機ｅｌ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信号供給源の実装不良を抑制することが可能な有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子を含むアクティブエリアと、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、前記絶縁基板の上方における前記アクティブエリアの外側に配置された電極パッドと、前記アクティブエリアと前記電極パッドとの間に配置されたストッパと、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記保護膜の上方に配置された封止基板と、前記アレイ基板の前記保護膜と前記封止基板との間に配置された充填層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【選択図】 図２

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置に関する。

近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。

例えば、特許文献１によれば、素子基板上に有機電界発光素子を形成し、この有機電界発光素子を覆う保護膜で形成し、この保護膜側に接着剤となる樹脂材料を介して封止基板を貼り合わせる固体封止構造が提案されている。

特開２００７−２４２３１３号公報

本発明の目的は、信号供給源の実装不良を抑制することが可能な有機ＥＬ装置を提供することにある。

本発明の一態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子を含むアクティブエリアと、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、前記絶縁基板の上方における前記アクティブエリアの外側に配置された電極パッドと、前記アクティブエリアと前記電極パッドとの間に配置されたストッパと、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記保護膜の上方に配置された封止基板と、前記アレイ基板の前記保護膜と前記封止基板との間に配置された充填層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子を含むアクティブエリアと、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、前記絶縁基板の上方における前記アクティブエリアの外側に配置された電極パッドと、前記アクティブエリアと前記電極パッドとの間に配置された第１ストッパ部と、前記アクティブエリアを挟んで前記前記第１ストッパ部と対向配置された第２ストッパ部と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記保護膜の上方に配置された封止基板と、前記アレイ基板の前記保護膜と前記封止基板との間に配置された充填層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子を含むアクティブエリアと、前記アクティブエリアを囲む枠状のシール部材と、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、前記絶縁基板の上方における前記シール部材の外側に配置された電極パッドと、前記シール部材と前記アクティブエリアとの間もしくは前記シール部材と前記電極パッドとの間に配置されたストッパと、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記保護膜の上方に配置され前記シール部材と接した封止基板と、前記アレイ基板の前記保護膜と前記封止基板との間において前記シール部材によって囲まれた内側に配置された充填層と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。

本発明によれば、信号供給源の実装不良を抑制することが可能な有機ＥＬ装置を提供することができる。

図１は、この発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の表示パネルをＩＩ−ＩＩ線で切断した有機ＥＬ素子を含む概略断面図である。 図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の表示パネルをＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した概略断面図である。 図４は、本実施形態の他の構成例における表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。 図５は、本実施形態のさらに他の構成例における表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。 図６は、本実施形態のさらに他の構成例における表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。 図７は、複数のアレイ基板を形成するためのマザー基板の概略平面図である。 図８は、図７に示したマザー基板の一部を拡大した図であり、割断工程における割断線を図示したものである。 図９は、図７に示したマザー基板の一部を拡大した図であり、他の割断工程における割断線を図示したものである。 図１０は、他の実施形態における表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。 図１１は、他の実施形態の他の構成例における表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。 図１２は、他の実施形態のさらに他の構成例における表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。 図１３は、他の実施形態のさらに他の構成例における表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。

以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、有機ＥＬ装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。

すなわち、有機ＥＬ表示装置は、略矩形状の表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、アレイ基板１００及び封止基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア（第１領域）１０２と、このアクティブエリア１０２の周辺に枠状に形成された周辺エリア（第２領域）１０４と、を有している。アレイ基板１００のアクティブエリア１０２には、マトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが含まれている。

封止基板２００は、アクティブエリア１０２において、アレイ基板１００に備えられた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。この封止基板２００は、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板である。

表示パネル１は、さらに、アクティブエリア１０２を囲む枠状に形成されたシール部材３００、及び、アレイ基板１００と封止基板２００との間において、シール部材３００によって囲まれた内側に配置された充填層３２０を備えている。シール部材３００は、例えば、ファイバーや微粒子を含んだ熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂などの有機系材料によって形成されている。充填層３２０は、例えば、熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂などの有機系材料によって形成されている。

アレイ基板１００及び封止基板２００は、シール部材３００及び充填層３２０によって貼り合わせされている。シール部材３００は、アレイ基板１００の側に形成されても良いし、封止基板２００の側に形成されても良い。シール部材３００がアレイ基板１００の側に形成され完全に硬化した後に封止基板２００と貼り合わせられた場合には、シール部材３００は、封止基板２００と接しているものの封止基板２００に接着されていない。この場合には、充填層３２０が硬化する前にアレイ基板１００及び封止基板２００が貼り合わされるため、充填層３２０が接着剤として機能し、アレイ基板１００と封止基板２００との双方に接着される。なお、シール部材３００及び充填層３２０が完全に硬化する前にアレイ基板１００と封止基板２００とが貼り合わせられた場合には、シール部材３００及び充填層３２０が接着剤として機能し、アレイ基板１００と封止基板２００との双方に接着される。このような充填層３２０は、アレイ基板１００と封止基板２００との間の空間すべてに充填されていない場合もあり、この場合には、一部に空隙が残るが、望ましくはアレイ基板１００と封止基板２００との間の空間すべてに充填されている。

また、アレイ基板１００の周辺エリア１０４には、第１方向Ｄ１に沿った封止基板２００の端辺２００Ｅから外方（つまり、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２）に向かって延在した延在部１１０が形成されている。この延在部１１０には、接続部１３０が設けられている。このような接続部１３０には、電源や各種制御信号などの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して駆動に必要な信号を供給する駆動ＩＣチップやフレキシブル・プリンテッド・サーキット（以下、ＦＰＣと称する）などの信号供給源が実装可能である。

接続部１３０は、シール部材３００の外側に位置し、シール部材３００から離間している。このような接続部１３０は、図１の部分拡大図に示すように、複数の電極パッドＰＤを備えている。

図示した例では、接続部１３０は、ＦＰＣと接続される第１接続部１３１と、駆動ＩＣチップと接続される第２接続部１３２とを有している。第１接続部１３１は、第２接続部１３２よりもアレイ基板１００の端辺１００Ｅの側に形成されている。第１接続部１３１においては、複数の電極パッドＰＤが第１方向Ｄ１に一列に並んでいる。第２接続部１３２においては、複数の電極パッドＰＤが第１方向Ｄ１に２列に並んでいる。これらの接続部１３０に配置された複数の電極パッドＰＤは、いずれもシール部材３００から離間している。なお、以下で参照する有機ＥＬ表示装置の平面図においては、接続部１３０の構成は簡略化して図示する。

アレイ基板１００は、さらに、周辺エリア１０４に配置されたストッパ１４０を備えている。図１に示した例では、ストッパ１４０は、アクティブエリア１０２と電極パッドＰＤとの間、より厳密にはシール部材３００の外側であってシール部材３００と電極パッドＰＤとの間に配置されている。

このストッパ１４０は、シール部材３００と電極パッドＰＤとの間において、第１方向Ｄ１に沿って途中で途切れることなく、一直線状に連続的に形成されている。また、図示した例では、ストッパ１４０は、第１方向Ｄ１に沿って延在した１列のみである。

このようなストッパ１４０は、アレイ基板１００と封止基板２００とを貼り合わせた際に、シール部材３００の内側に塗布された充填層３２０を形成するための未硬化の樹脂材料が溢れ出し、シール部材３００を乗り越えて電極パッドＰＤに到達するのを防止する土手として機能する。これにより、溢れだした樹脂材料による電極パッドＰＤの汚染、あるいは、溢れだした樹脂材料による電極パッドＰＤの被覆を抑制することができる。このため、接続部１３０に信号供給源を実装する際の信号供給源の実装不良を抑制することが可能となる。

なお、ストッパ１４０は、封止基板２００の端辺２００Ｅよりも第２方向Ｄ２の側つまり電極パッドＰＤの側に位置しているが、封止基板２００の直下、つまり、端辺２００Ｅよりもシール部材３００の側に位置していても良い。ストッパ１４０が封止基板２００の直下に位置している場合、ストッパ１４０は、封止基板２００に接していても良いし、封止基板２００に接していなくても良い。いずれの場合においても、同様の効果が得られる。

また、シール部材３００と電極パッドＰＤと間にストッパ１４０を配置したことにより、シール部材３００から電極パッドＰＤまでの第２方向Ｄ２に沿った距離を短縮しても、溢れ出した樹脂材料による電極パッドＰＤの汚染や被覆を抑制できるため、シール部材３００からアレイ基板１００の端辺１００Ｅまでの第２方向Ｄ２に沿った距離すなわち額縁幅を低減することができる。このため、表示パネル１の狭額縁化が実現できる。

なお、ストッパ１４０は、蛇行するなど非直線的に形成されていたり、第２方向Ｄ２に並んだ複数列で形成されていたりしても良いが、図示した例のように、ストッパ１４０が第１方向Ｄ１に沿って直線的に形成された１列のみである場合、複数列のストッパ１４０を形成した場合と比較して、表示パネル１の狭額縁化には有利である。

図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含む表示パネル１の断面図である。なお、ここに示した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、封止基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプであっても良いし、アレイ基板１００の側から光を放射するボトムエミッションタイプであっても良い。

アレイ基板１００は、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上方に形成されたスイッチング素子ＳＷ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを備えている。

絶縁基板１０１の上には、第１絶縁膜１１１が配置されている。このような第１絶縁膜１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第１絶縁膜１１１は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成された透明絶縁層あるいは誘電体層である。

第１絶縁膜１１１の上には、スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。

半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１１２によって被覆されている。また、この第２絶縁膜１１２は、第１絶縁膜１１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第２絶縁膜１１２は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成された透明絶縁層である。

第２絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。ゲート電極Ｇは、第３絶縁膜１１３によって被覆されている。また、この第３絶縁膜１１３は、第２絶縁膜１１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第２絶縁膜１１２は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成された透明絶縁層である。

第３絶縁膜１１３の上には、スイッチング素子ＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。スイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄは、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの導電材料を用いて形成されている。

これらのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、第４絶縁膜１１４によって被覆されている。また、この第４絶縁膜１１４は、第３絶縁膜１１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第４絶縁膜１１４は、例えば、熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂などの有機化合物や、シリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。この画素電極ＰＥは、例えば陽極に相当する。

このような画素電極ＰＥの構造については、特に制限はなく、反射層及び透過層が積層された２層構造であっても良いし、反射層単層、あるいは、透過層単層であっても良いし、さらには、３層以上の積層構造であっても良い。反射層は、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過層は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがトップエミッションタイプの場合には、画素電極ＰＥは少なくとも反射層を含んでいる。

第４絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。また、この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの一部に重なっている。このような隔壁ＰＩは、例えば、熱硬化型樹脂や紫外線硬化型樹脂などの有機化合物や、シリコン窒化物などの各種無機化合物などの絶縁材料によって形成されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、このような隔壁ＰＩによって囲まれ、分離されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでいても良い。なお、有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であっても良い。また、有機層ＯＲＧの少なくとも一部は、蛍光材料によって形成されていても良いし、燐光材料によって形成されていても良い。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。この対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、有機層ＯＲＧ及び隔壁ＰＩを被覆している。

このような対向電極ＣＥは、例えば半透過層によって形成されている。半透過層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）・銀（Ａｇ）などの導電材料によって形成されている。なお、対向電極ＣＥは、半透過層及び透過層が積層された２層構造であっても良いし、透過層単層構造、または、半透過層単層構造であっても良い。透過層は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成可能である。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがボトムエミッションタイプの場合には、対向電極ＣＥは少なくとも反射層あるいは半透過層を含んでいる。

対向電極ＣＥの上には、保護膜１１５が配置されている。このような保護膜１１５は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。つまり、保護膜１１５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆うとともに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの周囲に配置された隔壁ＰＩの直上にも延在している。この保護膜１１５は、光透過性を有し且つ水分が浸透しにくい材料、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸窒化物、酸化アルミニウムなどの無機化合物によって形成されている。つまり、この保護膜１１５は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。

なお、上述した第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、保護膜１１５などは、アクティブエリア１０２のみならず、図示しない周辺エリア１０４にも延在していても良い。

封止基板２００は、アレイ基板１００の保護膜１１５の上方に配置されている。

アレイ基板１００の保護膜１１５と封止基板２００との間には、充填層３２０が配置されている。すなわち、充填層３２０は、アレイ基板１００の保護膜１１５の上に積層されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがトップエミッションタイプの場合、この充填層３２０は、光透過性を有する樹脂材料によって形成されている。封止基板２００の内面２００Ａは、充填層３２０に接している。なお、充填層３２０は、保護膜１１５及び封止基板２００に密着していることが望ましいが、保護膜１１５との間や封止基板２００との間に微小な空隙が形成されていたり、他の薄膜が介在していたりしても良い。

図３は、図１に示した表示パネル１の概略断面図である。なお、この図３において、アレイ基板１００は、既に説明したように第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、スイッチング素子ＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、隔壁ＰＩなどを備えているが、図示を省略する。また、この図３において、アレイ基板１００の第４絶縁膜１１４よりも上方に配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及び隔壁ＰＩを表示素子部１５０と表記する。アレイ基板１００の絶縁基板１０１と表示素子部１５０との間に配置された第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４を総称して絶縁膜１２０とする。表示素子部１５０は、絶縁膜１２０の上において、アクティブエリア１０２に対応して形成されている。また、この図３においては、シール部材３００に最も近い電極パッドＰＤのみを図示している。

上述したように、表示パネル１において、アレイ基板１００の表示素子部１５０は、保護膜１１５によって覆われている。つまり、保護膜１１５は、表示素子部１５０を構成する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの対向電極ＣＥの上を覆っている。封止基板２００は、アレイ基板１００の保護膜１１５が配置された側と向かい合っている。

シール部材３００は、アレイ基板１００と封止基板２００との間に配置されている。このシール部材３００は、アクティブエリア１０２よりも外側の絶縁膜１２０の上に配置され、アクティブエリア１０２から離間している。充填層３２０は、アレイ基板１００の保護膜１１５と封止基板２００との間において、シール部材３００の内側に配置されている。電極パッドＰＤは、絶縁基板１０１の上方において、アクティブエリア１０２の外側に配置されている。

ストッパ１４０は、絶縁基板１０１の上方において、アクティブエリア１０２と電極パッドＰＤとの間の絶縁膜１２０の上に配置されている。このストッパ１４０は、絶縁膜１２０の上面１２０Ｔよりも上方に向かって突出した凸状体である。このようなストッパ１４０は、シール部材３００や、図示を省略した表示素子部１５０の隔壁ＰＩと同一材料によって形成可能である。ストッパ１４０がシール部材３００または隔壁ＰＩと同一工程において同一材料を用いて同時に形成される場合には、ストッパ１４０を形成するための別途の工程が不要である。

図４は、本実施形態の他の構成例における表示パネル１の構成を概略的に示す平面図である。なお、図１に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略し、また、電極パッドＰＤについては、最もシール部材３００に近い列のみを図示している。この図４に示した例は、図１に示した例と比較して、ストッパ１４０が同一直線上に点在している点で相違している。つまり、ストッパ１４０は、第１方向Ｄ１に沿って不連続的に形成され、途中で途切れている。

なお、図示した例では、ストッパ１４０は、図１に示した例と同様に、シール部材３００の外側であってシール部材３００と電極パッドＰＤとの間に配置され、第１方向Ｄ１に沿って延在した１列のみである。このような構成例においても、図１に示した例と同様の効果が得られる。

図５は、本実施形態のさらに他の構成例における表示パネル１の構成を概略的に示す平面図である。なお、図１に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略し、また、電極パッドＰＤについては、最もシール部材３００に近い列のみを図示している。この図５に示した例は、図１に示した例と比較して、ストッパ１４０が一直線状に連続的に形成されているのに加えてその両端部がシール部材３００に連結している点で相違している。

すなわち、ストッパ１４０は、略Ｕ字状に形成され、第１ストッパ部１４１、第２ストッパ部１４２、及び、第３ストッパ部１４３を有している。第１ストッパ部１４１は、図１に示した例と同様に、シール部材３００の外側であってシール部材３００と電極パッドＰＤとの間に配置され、第１方向Ｄ１に沿って形成されている。第２ストッパ部１４２は、第２方向Ｄ２に沿って延在し、第１ストッパ部１４１の一端部１４１Ａとシール部材３００とを繋いでいる。第３ストッパ部１４３は、第２方向Ｄ２に沿って延在し、第１ストッパ部１４１の他端部１４１Ｂとシール部材３００とを繋いでいる。このような構成例においても、図１に示した例と同様の効果が得られる。

なお、図示した例では、これらの第１ストッパ部１４１、第２ストッパ部１４２、及び、第３ストッパ部１４３は、途切れることなく連続的に形成されているが、図４に示した例と同様に、途中で途切れ点在していても良い。

図６は、本実施形態のさらに他の構成例における表示パネル１の構成を概略的に示す平面図である。なお、図１に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略し、また、電極パッドＰＤについては、最もシール部材３００に近い列のみを図示している。この図６に示した例は、図１に示した例と比較して、ストッパ１４０が第１ストッパ部１４１及び第２ストッパ部１４２を有している点で相違している。

すなわち、第１ストッパ部１４１は、図１に示した例と同様に、シール部材３００の外側であってシール部材３００と電極パッドＰＤとの間に配置されている。第２ストッパ部１４２は、アクティブエリア１０２を挟んで第１ストッパ部１４１と対向する位置に配置されている。

これらの第１ストッパ部１４１及び第２ストッパ部１４２は、アレイ基板１００に形成されている。第１ストッパ部１４１は、封止基板２００の端辺２００Ｅよりも電極パッドＰＤ側に位置しているが、封止基板２００の直下に位置していても良い。第２ストッパ部１４２は、封止基板２００の直下に位置している。つまり、第２ストッパ部１４２は、アレイ基板１００と封止基板２００との間に配置されている。第１ストッパ部１４１及び第２ストッパ部１４２は、互いに平行であり、ともに第１方向Ｄ１に沿って形成されている。このような構成例においても、図１に示した例と同様の効果が得られる。

なお、図示した例では、これらの第１ストッパ部１４１、及び、第２ストッパ部１４２は、途切れることなく連続的に形成されているが、図４に示した例と同様に、途中で途切れ点在していても良い。

次に、上述した表示パネル１の製造工程の一部について説明する。

図７は、複数のアレイ基板を形成するためのマザー基板Ｍの概略平面図である。この図７に示したマザー基板Ｍには、６×６のマトリクス状に並んだ３６個のアレイ基板のアクティブエリア１０２及び接続部１３０が形成されている。各アクティブエリア１０２については、詳細を図示しないが、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、有機層ＯＲＧ、対向電極ＣＥなどが形成されている。接続部１３０についても、詳細を図示しないが、複数の電極パッドＰＤなどが形成されている。各アクティブエリア１０２については、さらに、図示しない保護膜１１５によって覆われている。この保護膜１１５を形成するにあたっては、アクティブエリア１０２を露出するとともに接続部１３０を覆うマスクを介して蒸着する手法を適用することが望ましい。

このようにして保護膜１１５によって覆われたアクティブエリア１０２の各々は、シール部材３００によって囲まれている。さらに、マザー基板Ｍの外周は、外周シール部材３３０によって囲まれている。また、各シール部材３００とシール部材３００に近接した接続部１３０との間には、ストッパ１４０が形成されている。このようなシール部材３００、ストッパ１４０、及び外周シール部材３３０は、例えば、紫外線硬化型樹脂を塗布し、紫外線照射によって硬化させることにより同一工程で形成されている。この際、アクティブエリア１０２内の有機ＥＬ素子には紫外線が照射されないようにマスキングすることが望ましい。

その後、シール部材３００によって囲まれた内側に充填層３２０を形成するための液状の樹脂材料を滴下する。この樹脂材料は、例えば熱硬化型樹脂である。その後、封止基板を載置し、適度に加圧しながら加熱することによって樹脂材料を硬化させることにより充填層３２０を形成するとともに、この充填層３２０によって封止基板がマザー基板Ｍに接着される。上記の有機ＥＬ素子及び保護膜１１５の形成以降、充填層３２０の塗布、封止基板貼合わせまでの工程は少なくとも真空装置内の連続工程で形成することが望ましい。また、封止基板２００とアレイ基板１００との貼合わせ時にはアライメント調整、及び図示していないが位置ずれ防止のために仮止め用の紫外線硬化型樹脂の塗布、仮止め硬化を行なうことが望ましい。外周シール３３０のパターン形状は、図７のように外周を取り囲んだ形状に限定されるものではなく、例えばアレイ基板端部に複数の開口部を有するようなパターン形状でもよい。また、上記説明ではシール部材３００、ストッパ１４０、及び外周シール部材３３０は、同一工程で硬化を行なったが、外周シール３３０の硬化のみを封止基板との貼合わせ後に行なうようにしてもよい。また、更には、シール部材３００、ストッパ１４０、及び外周シール部材３３０の硬化を、充填層３２０の滴下、封止基板２００の貼合わせ後に一括で行なうようにしてもよい。その後は、必要に応じて絶縁基板や封止基板を研磨した後、割断され、３６個の表示パネルが取り出される。

次に、割断工程について説明する。

図８は、図７に示したマザー基板Ｍの一部を拡大した図であり、割断工程における割断線を図示したものである。

割断線Ｃ１１乃至Ｃ１４は、第１方向Ｄ１に平行である。割断線Ｃ１１は、図中の上段のアクティブエリア１０２を囲むシール部材３００に近接している。割断線Ｃ１１と割断線Ｃ１２との間には、図中の上段のアクティブエリア１０２及びこのアクティブエリア１０２を囲むシール部材３００と、接続部１３０と、シール部材３００と接続部１３０との間に配置されたストッパ１４０とが形成されている。

割断線Ｃ１３は、図中の下段のアクティブエリア１０２を囲むシール部材３００に近接している。割断線Ｃ１２と割断線Ｃ１３との間には、上段の接続部１３０と下段のシール部材３００との間に配置されたストッパ１４０が形成されている。割断線Ｃ１３と割断線Ｃ１４との間には、図中の下段のアクティブエリア１０２及びこのアクティブエリア１０２を囲むシール部材３００と、接続部１３０と、シール部材３００と接続部１３０との間に配置されたストッパ１４０とが形成されている。

割断線Ｃ２１乃至Ｃ２４は、第２方向Ｄ２に平行である。割断線Ｃ２１と割断線Ｃ２２との間には、図中の左側のアクティブエリア１０２を囲むシール部材３００と、接続部１３０と、シール部材３００と接続部１３０との間に配置されたストッパ１４０とが形成されている。割断線Ｃ２３と割断線Ｃ２４との間には、図中の右側のアクティブエリア１０２を囲むシール部材３００と、接続部１３０と、シール部材３００と接続部１３０との間に配置されたストッパ１４０とが形成されている。

これらの割断線Ｃ１１乃至Ｃ１４及びＣ２１乃至Ｃ２４に沿って割断した場合には、図１に示したように、シール部材３００と接続部１３０との間にストッパ１４０が配置された表示パネル１が取り出される。

図９は、図７に示したマザー基板Ｍの一部を拡大した図であり、他の割断工程における割断線を図示したものである。

割断線Ｃ１１乃至Ｃ１３は、第１方向Ｄ１に平行である。割断線Ｃ１１と割断線Ｃ１２との間には、図中の上段のアクティブエリア１０２及びこのアクティブエリア１０２を囲むシール部材３００と、接続部１３０とに加えて、シール部材３００と接続部１３０との間に配置された第１ストッパ部１４１及びアクティブエリア１０２を挟んで第１ストッパ部１４１に対向配置された第２ストッパ部１４２を有するストッパ１４０が形成されている。

割断線Ｃ１２と割断線Ｃ１３との間には、図中の下段のアクティブエリア１０２及びこのアクティブエリア１０２を囲むシール部材３００と、接続部１３０とに加えて、シール部材３００と接続部１３０との間に配置された第１ストッパ部１４１及びアクティブエリア１０２を挟んで第１ストッパ部１４１に対向配置された第２ストッパ部１４２を有する第１ストッパ部１４１及び第２ストッパ部１４２を有するストッパ１４０が形成されている。

割断線Ｃ２１乃至Ｃ２４は、第２方向Ｄ２に平行である。割断線Ｃ２１と割断線Ｃ２２との間には、図中の左側のアクティブエリア１０２を囲むシール部材３００と、接続部１３０と、が形成されている。割断線Ｃ２３と割断線Ｃ２４との間には、図中の右側のアクティブエリア１０２を囲むシール部材３００と、接続部１３０と、第１ストッパ部１４１及び第２ストッパ部１４２を有するストッパ１４０とが形成されている。

これらの割断線Ｃ１１乃至Ｃ１３及びＣ２１乃至Ｃ２４に沿って割断した場合には、図６に示したように、ストッパ１４０を構成する第１ストッパ部と第２ストッパ部との間にアクティブエリア１０２を囲むシール部材３００が配置された表示パネル１が取り出される。

次に、他の実施形態について説明する。

図１０は、他の実施形態における表示パネル１の構成を概略的に示す平面図である。なお、図１に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略し、また、電極パッドＰＤについては、最もシール部材３００に近い列のみを図示している。この図１０に示した例は、図１に示した例と比較して、ストッパ１４０がシール部材３００の内側であってアクティブエリア１０２と電極パッドＰＤとの間に配置された点で相違している。

このストッパ１４０は、アクティブエリア１０２とシール部材３００との間において、第１方向Ｄ１に沿って途中で途切れることなく、一直線状に連続的に形成されている。また、図示した例では、ストッパ１４０は、第１方向Ｄ１に沿って延在した１列のみである。

このような構成例においても、ストッパ１４０は、アレイ基板１００と封止基板２００とを貼り合わせた際に、シール部材３００の内側に塗布された充填層３２０を形成するための未硬化の樹脂材料の電極パッドＰＤに向かう広がりを抑制する土手として機能するため、図１に示した例と同様の効果が得られる。

図１１は、他の構成例における表示パネル１の構成を概略的に示す平面図である。なお、図１０に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略し、また、電極パッドＰＤについては、最もシール部材３００に近い列のみを図示している。この図１１に示した例は、図１０に示した例と比較して、ストッパ１４０が同一直線上に点在している点で相違している。つまり、ストッパ１４０は、第１方向Ｄ１に沿って不連続的に形成され、途中で途切れている。

なお、図示した例では、ストッパ１４０は、図１０に示した例と同様に、シール部材３００の内側であってシール部材３００と電極パッドＰＤとの間に配置され、第１方向Ｄ１に沿って延在した１列のみである。このような構成例においても、図１０に示した例と同様の効果が得られる。

図１２は、さらに他の構成例における表示パネル１の構成を概略的に示す平面図である。なお、図１０に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略し、また、電極パッドＰＤについては、最もシール部材３００に近い列のみを図示している。この図１２に示した例は、図１０に示した例と比較して、ストッパ１４０が第１ストッパ部１４１及び第２ストッパ部１４２を有している点で相違している。

すなわち、第１ストッパ部１４１は、図１０に示した例と同様に、シール部材３００の内側であってシール部材３００と電極パッドＰＤとの間に配置されている。第２ストッパ部１４２は、アクティブエリア１０２を挟んで第１ストッパ部１４１と対向する位置に配置されている。ここでは、第２ストッパ部１４２は、第１ストッパ部１４１と同様に、シール部材３００の内側であってシール部材３００とアクティブエリア１０２との間に配置したが、シール部材３００の外側に配置されても良い。

なお、図示した例では、これらの第１ストッパ部１４１、及び、第２ストッパ部１４２は、途切れることなく連続的に形成されているが、図１１に示した例と同様に、途中で途切れ点在していても良い。このような構成例においても、図１０に示した例と同様の効果が得られる。

図１３は、さらに他の構成例における表示パネル１の構成を概略的に示す平面図である。図４に示した例と同一構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略し、また、電極パッドＰＤについては、最もシール部材３００に近い列のみを図示している。この図１３に示した例は、図４に示した例と比較して、同一直線上に点在するストッパ１４０が２列に形成され、千鳥配置された点で相違している。

すなわち、図４及び図１１においては、ストッパ１４０が同一直線上に点在し、しかも、ストッパ１４０が第１方向Ｄ１に沿って１列のみ延在している例について説明したが、途切れている箇所からの樹脂材料の漏れをさらに抑制することが要求される場合がある。同一直線上に点在するストッパ１４０が２列に千鳥配置されたことにより、アクティブエリア１０２側の列のストッパ１４０から漏れた樹脂材料を後列のストッパ１４０が受け止め、さらなる漏れ出しを抑制することができる。ここでは、ストッパ１４０が２列の場合を図示したが３列以上であっても良い。また、図１３では、２列のストッパ１４０がシール部材３００の外側に配置された例を図示しているが、図１１の例と同様に、２列のストッパ１４０がシール部材３００の内側に配置されていても良い。

上述した表示パネル１の各々についても、図７などを参照して説明した製造工程を経て形成されるので、ここでは説明を省略する。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

本実施形態は、有機ＥＬ装置として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、有機ＥＬ照明や有機ＥＬプリンターヘッドなどにも利用可能である。

本実施形態に適用可能なストッパ１４０の形態については、上述した例に限定されず、例えば、ストッパ１４０は、略矩形状のアクティブエリア１０２の四方を一周取り囲むように形成されても良い。また、マザー基板Ｍを形成する段階では、ストッパ１４０は格子状に形成されても良い。なお、狭額縁化が望まれる表示パネル１の仕様については、シール部材３００の周辺のストッパ１４０をできる限り残さない方が望ましい。アクティブエリア１０２と電極パッドＰＤとの間のストッパ１４０は残るものの、他の辺に沿ったストッパはできるだけ割断の際に切り落とすことにより、狭額縁化が可能である。

１…表示パネル
１００…アレイ基板 １０２…アクティブエリア
ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
ＰＥ…画素電極 ＣＥ…対向電極 ＯＲＧ…有機層
１１５…保護膜
１３０…接続部 ＰＤ…電極パッド
１４０…ストッパ １４１…第１ストッパ部 １４２…第２ストッパ部
３００…シール部材 ３２０…充填層

Claims (5)

1. 絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子を含むアクティブエリアと、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、前記絶縁基板の上方における前記アクティブエリアの外側に配置された電極パッドと、前記アクティブエリアと前記電極パッドとの間に配置されたストッパと、を備えたアレイ基板と、
   前記アレイ基板の前記保護膜の上方に配置された封止基板と、
   前記アレイ基板の前記保護膜と前記封止基板との間に配置された充填層と、
   を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子を含むアクティブエリアと、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、前記絶縁基板の上方における前記アクティブエリアの外側に配置された電極パッドと、前記アクティブエリアと前記電極パッドとの間に配置された第１ストッパ部と、前記アクティブエリアを挟んで前記前記第１ストッパ部と対向配置された第２ストッパ部と、を備えたアレイ基板と、
   前記アレイ基板の前記保護膜の上方に配置された封止基板と、
   前記アレイ基板の前記保護膜と前記封止基板との間に配置された充填層と、
   を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
3. 前記アレイ基板は、さらに、前記有機ＥＬ素子を囲む隔壁、及び、前記アクティブエリアを囲む枠状のシール部材を備え、
   前記ストッパは、前記隔壁または前記シール部材と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
4. 絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置された有機ＥＬ素子を含むアクティブエリアと、前記アクティブエリアを囲む枠状のシール部材と、前記有機ＥＬ素子を覆う保護膜と、前記絶縁基板の上方における前記シール部材の外側に配置された電極パッドと、前記シール部材と前記アクティブエリアとの間もしくは前記シール部材と前記電極パッドとの間に配置されたストッパと、を備えたアレイ基板と、
   前記アレイ基板の前記保護膜の上方に配置され前記シール部材と接した封止基板と、
   前記アレイ基板の前記保護膜と前記封止基板との間において前記シール部材によって囲まれた内側に配置された充填層と、
   を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
5. 前記ストッパは、一直線状に連続的に形成される、または、同一直線上に点在していることを特徴とする請求項１、２、４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。

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